CN102575342A - 用于柔性基板的位置控制器 - Google Patents

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Abstract

提供了一种用于设置在处理装置中的柔性基板(100)的位置控制器，该处理装置在横向上传送呈纵向姿态的带状柔性基板(1)并且在安装在基板的传送路径上的处理单元(20)中处理基板，该用于柔性基板的位置控制器包括：夹持基板的上边缘的一对夹持辊(131和132)；支承这对夹持辊以彼此可旋转地并可彼此接近或远离地移动的支承机构(140)；经由支承机构向这对夹持辊施加压力的施压装置(150)；以及使用施压装置来调节压力的压力调节装置(160)，其中构成这对夹持辊的每个辊是具有相对于轴向倾斜的圆周面的圆锥形辊，并且被支承到支承机构以使每个圆锥形辊的小直径侧在横向上位于基板的中心侧且基板的夹持表面的旋转方向与基板的传送方向相同。

Description

用于柔性基板的位置控制器
技术领域
本发明涉及用于柔性基板的横向位置控制器，该横向位置控制器设置在传送带状柔性基板且用于执行诸如在基板传送路径中在基板上进行膜形成之类的工艺的装置中。 
背景技术
一般而言，使用刚性基板作为半导体薄膜的薄膜叠层的基板，但是在一些情况下出于改进生产率或降低成本的目的，由于诸如归因于使用辊所产生的使用轻便性之类的其特征，可使用诸如塑料膜之类的柔性基板。专利文献1公开了一种薄膜层叠体制造装置，该薄膜层叠体制造装置以预定间距间歇地传送从退绕辊供应的带状柔性基板(聚酰亚胺膜)，使用在柔性基板的传送方向上排列的多个膜形成单元来在柔性基板上层叠具有不同特性的多个不同薄膜，并且在成品辊上卷绕基板。 
作为薄膜层叠体制造装置，已知在呈横向姿态(即，将柔性基板的横向设置为水平方向的姿态)传送的带状柔性基板上形成膜的类型，以及在呈纵向姿态(即，将柔性基板的横向设置为垂直方向的姿态)传送的带状柔性基板上形成膜的类型。与前一类型相比，后一类型的优势在于，安装面积小且基板的表面不容易受污染。然而，当传送跨度延长时，难以使传送高度相对于重力维持为恒定，并且明显的趋势是在柔性基板的表面上出现褶皱或柔性基板下垂。 
因此，如图1A和1B所示，发明人设计了一种设备，该设备以一对上夹持(sandwiching)辊30和一对下夹持辊30’设置在构成薄膜层叠体制造装置的膜形成单元20和20’之间的方式调节柔性基板1的传送高度，从而分别夹持柔性基板1的上边缘和下边缘，并且将上提力和下拉力施加到柔性基板1的上边缘和下边缘以使各个夹持辊的夹持部分的旋转方向具有相对于柔性基板1的传送方向F向上和向下倾斜地定向的倾斜角+θ和-θ(参见专利文献1至3)。 
引用列表 
专利文献 
专利文献1：日本专利申请特许公开(JP-A)No.2009-38276 
专利文献2：JP-A No.2009-38277 
专利文献3：JP-A2009-57632 
发明的公开内容 
本发明要解决的问题 
该设备可有利地用于拉伸柔性基板并控制柔性基板的传送高度，但不可迅速地应用于包括反向传送柔性基板的往复膜形成工艺。当在反方向上传送柔性基板时，在相反垂直方向上施加沿倾斜角的提升力和下拉力，从而产生的问题是柔性基板与夹持辊30和30’分离。 
鉴于上述问题作出本发明，并且本发明的目的在于，提供一种用于柔性基板的位置控制器，该位置控制器能够抑制带状柔性基板的下垂或褶皱，执行高质量工艺，并且处理柔性基板的反向传送。 
用于解决问题的手段 
为了解决上述问题，根据本发明的一个实施例，提供了一种设置在处理装置中的用于柔性基板的位置控制器，该处理装置在横向上传送呈纵向姿态的带状柔性基板并且在安装在基板的传送路径上的处理单元中处理基板，该用于柔性基板的位置控制器包括：夹持基板的上边缘的一对夹持辊；支承这对夹持辊以使得这对夹持辊可旋转并可彼此接近或远离地移动的支承机构；经由支承机构向这对夹持辊施加压力的施压装置；以及使用施压装置来调节压力的压力调节装置，其中构成这对夹持辊的每个辊是具有相对于轴向倾斜的圆周面的圆锥形辊，并且被支承到支承机构以使每个圆锥形辊的小直径侧在横向上位于基板的中心侧且基板的夹持表面的旋转方向与基板的传送方向相同。 
在处理装置中，柔性基板由诸如在处理单元的上游和下游各设置一个的给料辊之类的传送单元呈纵向姿态(即，将横向设置为垂直方向)地传送，并且在安装在传送路径上的处理单元上执行诸如膜形成之类的工艺。此时，虽然夹持柔性基板的上边缘的这对夹持辊通过柔性基板的传送力旋转，但是由于构成夹持辊的每个圆锥形辊在大直径侧和小直径侧之间存在周长差异，因此夹持辊在横向上被导向柔性基板的中心，并且由于相对移动，张力相对于横边缘被向 上施加到柔性基板。 
由于张力通过辊的圆周面上的摩擦力发送到柔性基板，因此张力与这对夹持辊的压力成比例。当压力足够大时，根据辊的圆周面的倾斜角的张力直接施加到柔性基板。然而，随着压力减小，滑动动作在夹持表面中更频繁地发生，从而张力减小。因此，当使用施压装置来调节压力时，可调节施加到柔性基板的张力，由此可调节柔性基板的垂直横向位置且可使传送高度维持为恒定。此外，由于向边缘拉伸柔性基板的上边缘，因此有可能抑制传送跨度的中间部分处的基板的下垂或褶皱，并且在柔性基板上执行高质量工艺。 
此外，由于对压力的控制不取决于夹持辊的夹持表面的旋转方向且夹持表面的旋转方向与传送方向相同，因此基板的位置可被控制成即使当在反方向上传送基板时使用相同器件位于完全相同的位置，并且可以低成本处理包括反向传送柔性基板的往复工艺。 
在本发明的优选实施例中，构成这对夹持辊的每个辊是截锥辊。如上所述，圆锥形辊在大直径侧和小直径侧之间存在周长差异。因此，产生针对柔性基板的张力，并且由于接触范围中速度的差异产生传送负载。由于构成夹持辊的每个辊被配置为截锥辊，因此接触部分的宽度缩短，并且传送负载可有利地减小。 
在此情况下，每个圆锥形辊的圆周面相对于转轴的倾斜角可被设置为20°至80°。当倾斜角小于20°时，张力突然减小。此外，当倾斜角大于80°时，难以构成该器件。在一特别合乎需要的实施例中，每个圆锥形辊的圆周面相对于转轴的倾斜角被设置为45°至65°。一般而言，传送阻力还随着倾斜角的增大而增大，但是当倾斜角为45°或45°以上时，传送阻力极微量地增大。此外，当倾斜角变成大于65°时，张力几乎不增大。 
本发明同样可应用于在柔性基板的上侧和下侧各设置一对夹持辊的实施例。即，在本发明的优选实施例中，还提供了：夹持基板的下边缘的一对下夹持辊；以及以与支承机构和施压装置相同的方式配置且支承这对下夹持辊的支承机构和施压装置。在本实施例中，由于压力的拉伸分量通过调节压力作用于上夹持表面和下夹持表面、同时在上横向和下横向上拉伸柔性基板的差异，柔性基板向上或向下移动，从而可控制传送高度。因此，可有效地抑制柔性基板的褶皱，并且可进一步改进柔性基板的位置精度。 
在本发明的优选实施例中，处理装置是薄膜层叠体制造装置，该薄膜层叠体制造装置包括用作处理单元的多个膜形成单元，这些膜形成单元以相同间距 并行地设置在基板的传送路径中，并且将薄膜顺序地层叠在基板的表面上，同时以对应于膜形成单元的间距间歇地传送基板。该对上夹持辊和该对下夹持辊设置在多个膜形成单元之间。 
在本发明的另一优选实施例中，处理装置是薄膜层叠体制造装置，该薄膜层叠体制造装置连续地传送基板并且将薄膜层叠在作为处理单元的膜形成单元中的基板的表面上。多对上夹持辊和多对下夹持辊在传送方向上设置在膜形成单元的上侧和下侧。 
在本实施例中，多个支承辊可进一步在传送方向上串联地设置以支承基板，同时位于基板的薄膜形成区和多对上夹持辊之间的位置以及薄膜形成区和多对下夹持辊之间的位置。在本实施例中，柔性基板可通过热阻支承辊(不包括用于调节压力的可移动部分)可靠地支承在膜形成单元周围，一组成对的夹持辊在膜形成单元中可设置成彼此远离，散热对夹持辊的影响可减小，并且有利地改进了选择夹持辊的材料的自由度。 
本发明还可应用于处理装置中的用于柔性基板的位置控制器，该处理装置在横向、垂直方向、或倾斜方向上传送呈水平姿态而非纵向姿态的带状柔性基板，并且在其上执行诸如膜形成之类的工艺。 
即，本发明可应用于设置在处理装置中的用于柔性基板的位置控制器，该处理装置传送带状柔性基板并且在安装在基板的传送路径上的处理单元中处理基板，该用于柔性基板的位置控制器包括：夹持基板的每个边缘的各对夹持辊；支承各对夹持辊以使得在每一对夹持辊中各个辊可旋转并可彼此接近或远离地移动的各个支承机构；经由各个支承机构向各对夹持辊施加压力的施压装置；以及使用施压装置来调节压力的压力调节装置，其中构成各对夹持辊的各个辊是具有相对于轴向倾斜的圆周面的圆锥形辊，并且被支承到每个支承机构以使每个圆锥形辊的小直径侧在横向上位于基板的中心侧且基板的夹持表面的旋转方向与基板的传送方向相同。 
在本实施例中，配置成夹持柔性基板的每个边缘的一对圆锥形辊的夹持辊通过柔性基板的传送力来旋转，根据大直径侧和小直径侧之间的圆长差异夹持辊在横向上被导向柔性基板的中心，并且由于相对移动，张力向横边缘施加到柔性基板。由于张力根据使用每个施压装置的压力而改变，因此当调节使用各个施压装置的压力时，有可能调节柔性基板的横向位置并抑制柔性基板的弯曲，同时在横向上拉伸基板。此外，由于这种动作不取决于每个夹持辊的旋转 方向且每个夹持表面的旋转方向与基板的传送方向相同，因此即使在反向传送时也可执行相同的位置控制。 
即使在本实施例中，构成这对夹持辊的每个辊也可被形成为截锥辊。 
发明效果 
如上所述，根据本发明的用于柔性基板的位置控制器可在执行诸如在传送带状柔性基板上进行膜形成之类的工艺、使横向位置维持为恒定以在其上执行高质量工艺、并且以低成本处理包括反向传送柔性基板的往复工艺时有效地抑制柔性基板的下垂或褶皱。 
附图简述 
图1A是示出薄膜层叠体制造装置的两个膜形成单元的示意性截面图，而图1B是其示意性侧截面图。 
图2是示出根据本发明第一实施例的用于基板的位置控制器的前视图。 
图3A是示出图2的主要部分的放大图，图3B是沿图3A的线B-B取得的截面图，而图3C是示出图3B的夹持辊的拉伸动作的放大图。 
图4A是示出薄膜层叠体制造装置的两个膜形成单元的示意性平面截面图，该薄膜层叠体制造装置包括根据本发明的实施例的用于基板的位置控制器，而图4B是其示意性侧截面图。 
图5是沿图4的线A-A取得的、且示出其中设置根据本发明的第一实施例的用于基板的位置控制器的情况的截面图。 
图6A是沿图3A的线B-B取得的、且示出标准压力情况的截面图，图6B示出其中压力增大的情况，而图6C示出其中压力减小的情况。 
图7是示出根据本发明的夹持辊和根据比较示例的夹持辊中的压力和张力之间的关系的特性图。 
图8是示出根据本发明第二实施例的用于基板的位置控制器的前视图。 
图9A是示出图2的主要部分的放大图，图9B是沿图9A的线B-B取得的截面图，而图9C是示出图9B的夹持辊的拉伸动作的放大图。 
图10A是示出传送张力和传送阻力之间的关系的示图，图10B是示出夹持辊的数量和传送阻力之间的关系的示图，而图10C是示出薄膜层叠体制造装置中的张力的分布的示图。 
图11是示出夹持辊的接触部分的宽度、张力和传送阻力之间的关系的示图。 
图12是示出夹持辊的接触部分的倾斜角、张力和传送阻力之间的关系的示图。 
图13是示出连续膜形成型制造装置的一个膜形成单元的示意性侧视图，该连续膜形成型制造装置包括根据本发明第二实施例的用于基板的位置控制器。 
图14是沿图13的直线C-C取得的截面图。 
图15是示出另一连续膜形成型制造装置的示意性截面图，该连续膜形成型制造装置包括根据本发明第三实施例的用于基板的位置控制器。 
用于实现本发明的最佳模式 
在下文中，本发明的实施例将参考附图、通过例示以下情况来具体地描述：本发明应用于用于形成太阳能电池的薄膜光电转换元件的薄膜层叠体制造装置的基板的位置控制器。此外，在以下描述中，相同附图标记表示各个实施例的相同组件或等效组件，并且这些组件不再赘述。 
(第一实施例) 
图2是示出从传送方向的上游观察时根据本发明第一实施例的用于基板100的位置控制器的前视图。如图4A和4B中部分示出地，薄膜层叠体制造装置在水平方向上将带状柔性基板1(柔性膜)呈纵向姿态(即，横向被设置为垂直方向)地传送到维持在预定真空度的真空室10内部，并且使用沿柔性基板1的传送路径平行排列的多个膜形成单元20(膜形成单元)将薄膜层叠在柔性基板1的表面上。 
构成柔性基板1的传送单元的送料辊或拉伸辊设置在膜形成单元的传送方向的上游和下游，并且柔性基板1的退绕辊和卷绕辊进一步设置在传送方向的上游和下游。此外，引导辊(空转辊)设置在送料辊与上游和下游的膜形成单元之间以在折回到膜形成单元的上游和下游时引导柔性基板1，并且在膜形成单元中设置柔性基板1的线性传送路径。由于该配置与相关技术的配置相同，因此该配置不再赘述，但在图10C中示意性地示出。 
用于基板100的位置控制器设置在膜形成单元中的传送路径的上部以控制 经由膜形成单元传送的柔性基板1的垂直位置，同时悬挂在引导辊之间，从而传送高度维持为恒定且柔性基板1在横向(即，垂直方向)上拉伸，并且该位置控制器包括：夹持柔性基板1的上边缘的一对夹持辊130；支承构成一对夹持辊130的辊131和132以使得该对夹持辊130可旋转并可彼此接近或远离地移动的支承机构140；经由支承机构140向一对夹持辊130(131和132)施加压力的施压装置(150)；压力调节装置(160)等，如图2所示。 
如图3A和3B所示，构成一对夹持辊130的辊131和132都被形成为以圆周面131b和132b相对于轴向倾斜的相同形状形成的圆锥形辊。其中一个是固定辊131，另一个是可移动辊132，固定辊131通过轴131a可旋转地支承，而可移动辊312通过轴132a可旋转地支承。 
尽管夹持辊131和132通过插在中间的柔性基板1变成彼此压接触，但每个前端侧(小直径侧)对应于柔性基板1的垂直宽度方向的中心位于附图的下侧，而每个大直径部分对应于柔性基板1的边缘侧位于绘图的上侧。此外，为了将柔性基板1的上边缘夹在相对于传送表面为平的夹持表面之间，轴131a和132a相对于与柔性基板1的传送方向垂直的虚平面D内的传送表面(柔性基板1)形成与各个圆周面131b和132b的倾斜(即，圆锥形的顶角)相对应的倾斜角，并且由固定支承构件141和可移动支承构件142的前端倾斜地保持住。因此，夹持辊131和132在夹持表面中的旋转方向被设置为与柔性基板1的传送方向相同。 
固定支承构件141的上端固定到支架111，而支架111固定到真空室的结构组件(未示出)。固定支承构件141和支架111可彼此一体地形成。另一方面，可移动支承构件142的上端的铰链142b可摆动地连接到支架111，并且当可移动支承构件142围绕铰链142b摆动时，可移动辊132可接近地移动到固定辊131或从固定辊131远离地移动。 
弹簧150(拉伸弹簧)插在固定支承构件141和可移动支承构件142之间，作为施压装置。弹簧150的一端连接到固定支承构件141，而弹簧150的另一端经由压力调节螺钉160连接到可移动支承构件142。当压力调节螺钉160旋转以调节弹簧150的初始位移时，可调节可移动辊132相对于固定辊131的压力(接触压力)。 
构成一对夹持辊130的夹持辊131和132各自由例如金属、陶瓷、塑料等构成，或者通过将诸如橡胶之类的弹性体附着到由这种材料构成的核心体的周 边来形成。辊131和132经由能够接收推力负载的轴承可旋转地支承以相对于轴131a和132a(支承轴)保持在预定轴向位置。轴131a和132a(旋转轴)大致经由能够接收推力负载的轴承可旋转地支承到固定支承构件141和可移动支承构件142的前端。 
在用于具有上述配置的基板100的位置控制器中，在各个夹持辊131和132的大直径侧和小直径侧之间存在周长差异。因此，如图3B所示，夹持辊131和132在通过与在传送方向F(R)上移动的柔性基板1接触来驱动时在接触表面(夹持表面)上产生旋转力VF(VR)。然而，由于柔性基板1线性地传送，同时向其施加预定传送张力，因此只有旋转力VF(VR)的垂直方向上的部分力Qy(张力)发送到柔性基板1的接触表面，并且柔性基板1的上边缘通过向上张力Qy向上拉伸。 
由于各个夹持辊131和132所产生的张力Qy作为摩擦力发送到柔性基板1，因此张力基本上与各个夹持辊131和132所产生的压力Px成比例。由于各个夹持辊131和132所产生的压力Px与弹簧150的弹性位移成比例，因此当通过旋转压力调节螺钉160来调节弹簧150的初始位移时，可调节相对于柔性基板1的上边缘的张力Qy。由于张力Qy用作提升柔性基板1的上边缘的对抗重力的提升力，因此可调节柔性基板1的上边缘的位置。 
此外，在绘图所示的示例中，示出通过使用作为压力调节装置的手动压力调节螺钉160来将压力设置为从测试操作获得的最佳值、从而操作装置的情况。然而，可通过使用旋转压力调节螺钉160或者经由机构直接或间接地位移弹簧150的支承点的致动器、检测柔性基板1的上边缘的位置的传感器、以及在传感器的检测值的基础上控制致动器的控制器件的反馈控制，来控制柔性基板1的传送高度。 
图7是示出根据本发明实施例的圆锥形夹持辊(130)和作为比较示例的图1所示的圆柱形夹持辊(30)的压力Px和张力Qy之间的关系的特性图。附图虚线所示的圆柱形夹持辊(30)的张力Qy与具有较小压力Px的范围内的压力Px成比例地增加。然而，当压力Px进一步增大时，张力趋于逐渐地饱和，但是附图实线所示的圆锥形夹持辊(130)的张力Qy趋于与宽范围内的压力Px成比例地增加。这是因为圆锥形夹持辊(130)相对于传送方向不倾斜，并且与取决于相对于传送方向的倾斜角θ的圆锥形夹持辊(30)的张力Qy相比，产生张力Qy的机构是不同的。 
图6A在视觉上示出在施加标准压力的情况下圆周方向的放大接触表面(夹持表面)，图6B与压力增大的情况相对应，而图6C与压力减小的情况相对应。由于夹持辊131(132)被形成为圆锥形，因此相对于柔性基板1的接触表面131c被形成为扇形或楔形，并且随着压力Px增大，由夹持辊131和132构成的实质夹持点(将在稍后描述)移到大直径侧。 
此外，当压力Px大时，张力Qy根据夹持辊131和132各自的形状发送到柔性基板1。然而，当压力Px小时，接触表面内的滑动动作逐渐更多地发生，从而所发送的张力Qy减小。由于产生张力Qy的机构的独特特性，张力Qy可与宽范围内的压力Px成比例地增加，并且即使在压力Px大的区域中，张力Qy也不容易饱和。 
接下来，图4A、4B和5示出其中第一实施例的用于基板100的位置控制器应用于图1所示的逐步薄膜形成装置110的实施例。在图4中只示出一个膜形成单元20，但是如以上所假设的，多个膜形成单元20在传送方向上平行地设置在公共真空室10内部。每个膜形成单元20被形成为执行化学汽相沉积(CVD)(诸如等离子体CVD)或物理汽相沉积(PVD)(诸如溅射)的真空沉积单元。 
每个膜形成单元20包括设置成彼此相对且其间插有柔性基板1的电极21(高频电极或具有在表面上形成的多个原料气体排放孔的靶)和嵌入有加热器的接地电极22，并且在朝柔性基板1的传送表面打开的室中容纳电极21和接地电极22中的每一个。在逐步膜形成工艺中，由于电极21和/或接地电极22在停止与一个膜形成单元20相对应的逐步传送操作时前后移动以打开该室，因此在电极21和接地电极22之间可能未安装一对夹持辊130。 
因此，在逐步膜形成装置110中，用于基板100的位置控制器安装在膜形成单元20前方或后方的位置，即，膜形成单元20之间的位置。在附图所示的示例中，一对夹持辊130和130’分别设置在传送路径的上侧和下侧。如图5所示，一对下夹持辊130’的结构可与一对上夹持辊130的结构相同，从而该结构在垂直方向上是反向的。 
在本实施例中，向下张力-Qy从一对下夹持辊130’相对于柔性基板1的下边缘向下平行地施加，同时张力Qy从一对上夹持辊130相对于柔性基板1的上边缘向上施加，从而柔性基板1在垂直方向上拉伸到两侧，而这种差异用作对抗柔性基板1的重力的提升力。因此，在成对上夹持辊和下夹持辊130和130’ 中，在重力受长传送跨度等影响较大时，成对上夹持辊130的张力被设置为比成对下夹持辊130’的张力大。＜0}
如上所述，当构成用于基板100的位置控制器的夹持辊131和132通过相对于柔性基板1的接触来旋转时，在接触表面(夹持表面)上产生旋转力VF(VR)并且垂直部分力作为张力Qy发送到柔性基板1。更具体地，在各自在大直径侧和小直径侧之间存在周长差异的圆锥形夹持辊131和132中，圆周速度等于柔性基板1的传送速度的实质夹持点(柔性基板1的传送力作为停止摩擦力发送到夹持辊的点)变成发送扭矩大的大直径侧点，并且归因于圆周速度的差异在与该点相关的小直径侧、在与柔性基板1的传送方向F相反的方向上产生滑动动作。 
在与图3(b)的放大图相对应的图3C中，圆锥形夹持辊131的小直径侧从S0旋转到S2、而实质夹持点从L1移动到L2。然而，由于夹持辊131的轴向被维持为恒定，因此当夹持点位于L1时夹持辊131的小直径侧位于S1，并且柔性基板1在与传送方向F相反的方向上产生与S1和S0之间的差异相等的滑动动作，从而滑动动作发送到柔性基板1作为摩擦力并且变成传送阻力Qx。 
图10A示出传送阻力Qx根据本发明的用于基板100的位置控制器的传送张力的改变，而图10B示出夹持辊的数量和总传送阻力∑Qx之间的关系。此外，图10C示出薄膜层叠体制造装置中的传送张力的分布，薄膜层叠体制造装置包括根据本发明的用于基板的位置控制器(一对夹持辊130和130’)，其中示出薄膜层叠体制造装置，其中九个膜形成单元20(CVD 1至9)沿水平轴安装在从柔性基板1的退绕部分11到卷绕部分12的传送路径中，并且用于基板的位置控制器(一对夹持辊130和130’)安装在膜形成单元20之间。 
用于基板的位置控制器所产生的传送阻力Qx与控制器件的数量成比例地增加、根据传送张力的增大或减小而增大或减小，并且施加到安装在传送方向的下游的送料辊或拉伸辊。当传送阻力Qx增大时，相对于传送单元的负载增大，并且在传送路径的上游和下游产生张力的差异。为此，尽可能地减小传送阻力Qx是合乎需要的。然而，在间歇地传送柔性基板1的逐步膜形成装置中，在正向和反向两者上都施加的传送阻力Qx可合乎需要地用作使柔性基板1维持为稳定在停止位置的力。 
(第二实施例) 
图8是示出从传送方向的上游观察时根据本发明第二实施例的用于基板200的位置控制器的前视图。在用于基板200的位置控制器中，构成一对夹持辊230的夹持辊231和132都被形成为截锥辊。即，在第二实施例的夹持辊231和232中，大直径侧的形状与第一实施例的夹持辊131和132的形状相同，但是小直径侧缩短。由于其他配置与第一实施例的配置相同，因此给出相同的附图标记，并且其具体描述将不再赘述。图9A至9C分别对应于图3A至3C。 
在附图所示的示例中示出的夹持辊231和232中的每一个中，图11A所示的接触部分相对于整个圆锥形接触部分的宽度比率：W/Wmax为50％。即使在第二实施例的夹持辊231和232中的每一个中，相对于柔性基板1的拉伸动作也基本相同，但是传送阻力Qx可容易地减小。 
当将示出根据第二实施例的夹持辊231(232)的动作的图9C与示出第一实施例的夹持辊131(132)的动作的图3C进行比较时，大直径侧的形状相同。因此，实质夹持点L1和L2的移动轨道相同，由此相对于柔性基板1的张力Qy基本相同。然而，在根据第二实施例的夹持辊231(232)中，小直径侧的滑动动作(S0-S1)减少，并且传送阻力Qx根据大直径侧和小直径侧之间的周长差异的减小而极大地降低。 
图11示出夹持辊的接触部分的倾斜角恒定时接触部分的宽度W(接触部分的宽度相对于整个圆锥形接触部分的宽度的比率：W/Wmax)、张力Qy、传送阻力Qx之间的关系。在图11B中，当W等于Wmax(即，设置为完整的圆锥形而非截锥形)时W/Wmax为100％，并且W和W/Wmax的值根据截取的程度而减小。 
附图中的虚线所示的接触部分的宽度W和传送阻力Qx之间的关系如上所述。当传送阻力Qx的值在W等于Wmax(W/Wmax＝100％)时用作基准时，与W/Wmax＝100％相比，在W/Wmax＝60％的情况下传送阻力Qx降低到0.7倍(减少30％)，而在W/Wmax＝30％的情况下传送阻力Qx降低到0.5倍(减少50％)。即，当接触部分的宽度W减小时，传送阻力Qx极大地降低。 
另一方面，关于张力Qy，发现张力Qy随着归因于夹持表面上的压力的增大所引起的夹持辊231和232与柔性基板1之间的接触部分的宽度W缩短而增大的趋势。当张力Qy的值在W等于Wmax(W/Wmax＝100％)时用作基准时，与W/Wmax＝100％相比，在W/Wmax＝60％的情况下张力Qy略增至1.04倍(增加4％)，而在W/Wmax＝30％的情况下张力Qy突然增加到1.71倍(增加71％)。 张力Qy在指示张力Qy的线和指示传送阻力Qx的线彼此交叉的位置周围显著地增大，并且接触部分的宽度相对于整个圆锥形接触部分的宽度的比率的减少量：W/Wmax变成大于60％。然而，由于控制张力Qy的控件宽度在接触部分的宽度W极窄时同样减小，因此接触部分的宽度W为整个圆锥形接触部分的宽度Wmax的30％至60％是合乎需要的。 
图12示出当夹持辊的接触部分的宽度W恒定时接触倾斜角α、张力Qy和传送阻力Qx之间的关系，并且张力Qy和传送阻力Qx被示为相对于接触倾斜角α＝45°的情况的比率(％)。如图12所示，张力Qy可通过增大接触倾斜角α而增大，但是当接触倾斜角变成大于接触倾斜角α＝65°时，张力Qy不再增大。当接触倾斜角大于接触倾斜角α＝80°时，难以构成该器件。此外，当接触倾斜角α减小到小于α＝20°时，张力Qy突然降低。另一方面，在接触倾斜角α的所有范围内，传送阻力Qx随着张力Qy的增大而同样增大，但是当接触倾斜角大于或等于接触倾斜角α＝45°时，传送阻力Qx略有增大。因此，当需要相对于压力Px的大张力Qy时，接触倾斜角为接触倾斜角α＝45～65°是合乎需要的。 
接下来，图13和14示出以下实施例：通过将第二实施例的用于基板200的位置控制器应用于连续膜形成型的薄膜层叠体制造装置112来配置用于基板200a的位置控制器。在连续膜形成型制造装置112的每个膜形成单元24中，电极25(靶)和嵌入有加热器的接地电极26设置成彼此相对且柔性基板1插在中间。然而，电极25和接地电极26以预定间隔固定到柔性基板1，并且以非接触状态连续地形成膜。为此，柔性基板1上的膜形成区域未按照传送方向分段，并且辊23和23’设置在膜形成单元24的传送方向的上游和下游以引导柔性基板1。 
因此，连续膜形成型制造装置112主要用于在横向上拉伸柔性基板以抑制在柔性基板1中因张力和热所产生的褶皱、而非柔性基板1因其重力所产生的下垂。随后，如附图所示，多对上支承辊和下支承辊230和230’串联地排列在膜形成单元24的上部和下部。 
此外，在连续膜形成型制造装置112中，电极25的周边因从加热器发散的热而增加到约300℃。因此，考虑到发散到一对夹持辊230和230’的热，多个支承辊27沿电极25与一对上夹持辊和下夹持辊230和230’之间的传送方向串联地设置，并且每一对夹持辊230和230’设置在电极25外部。每个支承辊27被合乎期望地形成为具有令人满意耐热性的金属辊，并且可旋转地支承到从 支架28的下表面突出的轴。在附图所示的示例中，支架28固定到固定支承构件241，但是也可固定到电极25。 
在上述实施例中，已经描述了根据本发明的实施例的用于基板的位置控制器应用于形成膜、同时在横向上传送呈纵向姿态的柔性基板1的薄膜层叠体制造装置的情况。然而，根据本发明的用于基板的位置控制器可应用于形成膜，同时在水平方向、垂直方向、或倾斜方向上传送呈横向姿态(水平姿态)的柔性基板1的各种处理装置或制造装置。 
(第三实施例) 
图15是示出从传送方向的上游观察时的实施例的截面图，其中与本发明的第二实施例的位置控制器相同的用于基板300的位置控制器应用于连续膜形成型制造装置312。在薄膜层叠体制造装置312中，包括在上侧和下侧设置成彼此相对且柔性基板1插在中间的电极325(靶)和接地电极326的膜形成单元设置在维持在恒定真空度的真空室内部。构成传送单元的引导辊(空转辊)、送料辊、拉伸辊等设置在膜形成单元的传送方向的上游和下游，并且柔性基板1的退绕辊和卷绕辊设置在传送方向的上游和下游。由于该配置与相关技术的配置相同，因此未示出该配置。 
在图15中，用于薄膜层叠体制造装置312的基板的位置控制器包括在横向上设置在柔性基板1的传送路径的两侧的用于基板300和300的两个位置控制器。由于除固定夹持辊331(固定支承构件341)在横向设置于下侧、任一侧设置有致动器366和传感器367、压力由弹簧350主动控制、以及可移动支承构件342可摆动地连接到固定支承构件341作为支架以外，用于基板300和300的两个位置控制器的结构与第二实施例的用于基板200的位置控制器的结构基本相同，因此相同附图标记表示相同的组件，并且这些组件将不再赘述。 
在制造装置312中，接地电极326设置在柔性基板1的下表面侧，并且柔性基板1的重力的影响小且在用于基板300和300的位置控制器中的每一个处相同。因此，在用于基板300和300的位置控制器中，致动器366的控制量与弹簧350和350的初始位移被设置为基本相同。 
另一方面，在检测每个传感器367的基础上，使用每个致动器366对压力的控制以单独的方式或以联锁的方式执行，从而在横向上校正柔性基板1的位移或弯曲，同时在横向上拉伸柔性基板1。因此，每个传感器367可包括在横向上设置成彼此相邻以对应于柔性基板1的每个边缘位置所允许的最大值和最小值的两个检测器，或每个传感器367可被配置为通过图像处理来检测柔性基板1的每个边缘位置的一个图像传感器。
尽管已经描述了本发明的实施例，但本发明不限于上述实施例，并且在本发明的技术精神的基础上可作出各种修改和改变。 
例如，在上述实施例中，已经描述了以下情况：拉伸弹簧被用作施压装置，但是其可通过准确地改变相对于固定和可移动支承构件、每个链接以及可移动轴的连接点来配置为压缩弹簧。在此情况下，如果有必要，臂部等可另外地设置在固定或可移动支承构件、每个链接、或可移动轴中的每一个中。此外，螺旋弹簧可被改变为各种一般弹簧，诸如盘簧、扭簧或片簧之类的。固定和可移动支承构件以及链接通过线性滑动动作可彼此接近或远离地移动，但是从效率的观点来看，摆动动作(绕轴旋转动作)是合乎需要的。 
此外，在上述实施例中，已经描述了根据本发明的用于基板的位置控制器应用于用于太阳能电池的薄膜层叠体制造装置的情况。然而，本发明的用于基板的位置控制器当然可应用于制造诸如有机EL之类的半导体薄膜的装置，以及关于涂敷、清洗、烘干、热处理、表面处理等的需要除膜形成以外的柔性基板的位置控制或拉伸操作的各种处理装置。 
附图标记的解释 
1：柔性基板 
10：真空室 
11：结构组件 
20：膜形成单元 
21、25、325：电极 
22、26、326：接地电极 
24：膜形成单元 
27：支承辊 
100、200、300：基板的位置控制器 
111、211：支架 
130、230、330：一对夹持辊 
131、231、331：固定辊 
132、232、332：可移动辊 
140、240、340：支承机构 
141、241、341：固定支承构件 
142、242、342：可移动支承构件 
142b、242b：铰链 
150、250、350：弹簧(施压装置) 
160、260、360：压力调节螺钉 
365：可移动轴 
366：致动器 
367：传感器 

Claims (9)

1.一种用于设置在处理装置中的柔性基板的位置控制器，所述处理装置在横向上传送呈纵向姿态的带状柔性基板并且在安装在所述基板的传送路径上的处理单元中处理基板，用于所述柔性基板的位置控制器包括：
夹持所述基板的上边缘的一对夹持辊；
支承所述一对夹持辊以使得所述一对夹持辊可旋转并可彼此接近或远离地移动的支承机构；
经由所述支承机构向所述一对夹持辊施加压力的施压装置；以及
使用所述施压装置来调节所述压力的压力调节装置，
其中构成所述一对夹持辊的每个辊是具有相对于轴向倾斜的圆周面的圆锥形辊，并且被支承到所述支承机构以使每个圆锥形辊的小直径侧在横向上位于所述基板的中心侧且所述基板的夹持表面的旋转方向与所述基板的传送方向相同。
2.如权利要求1所述的用于柔性基板的位置控制器，其特征在于，
构成所述一对夹持辊的每个辊是截锥辊。
3.如权利要求2所述的用于柔性基板的位置控制器，其特征在于，
每个圆锥形辊的圆周面相对于转轴的倾斜角被设置为20°至80°。
4.如权利要求2所述的用于柔性基板的位置控制器，其特征在于，
每个圆锥形辊的圆周面相对于转轴的倾斜角被设置为45°至65°。
5.如权利要求1至4中任一项所述的用于柔性基板的位置控制器，还包括：
夹持所述基板的下边缘的一对下夹持辊；以及
以与所述支承机构和施压装置相同的方式配置且支承所述一对下夹持辊的支承机构和施压装置。
6.如权利要求5所述的用于柔性基板的位置控制器，其特征在于，
所述处理装置是薄膜层叠体制造装置，所述薄膜层叠体制造装置包括用作所述处理单元的多个膜形成单元，所述膜形成单元以相同间距并行地设置在所述基板的传送路径中，并且将薄膜顺序地层叠在所述基板的表面上，同时以对应于所述膜形成单元的间距间歇地传送所述基板，并且
其中所述一对上夹持辊和一对下夹持辊设置在所述多个膜形成单元之间。
7.如权利要求5所述的用于柔性基板的位置控制器，其特征在于，
所述处理装置是薄膜层叠体制造装置，所述薄膜层叠体制造装置连续地传送所述基板并且将薄膜层叠在作为所述处理单元的膜形成单元中的基板的表面上，以及
其中所述多对上夹持辊和多对下夹持辊在所述传送方向上设置在所述膜形成单元的上侧和下侧。
8.如权利要求7所述的用于柔性基板的位置控制器，还包括，
多个支承辊，所述多个支承辊在所述传送方向上串联地设置以支承所述基板，并且分别同时位于所述基板的薄膜形成区和所述多对上夹持辊之间的位置以及所述薄膜形成区和所述多对下夹持辊之间的位置。
9.一种用于设置在处理装置中的柔性基板的位置控制器，所述处理装置传送带状柔性基板并且在安装在所述基板的传送路径上的处理单元中处理基板，用于所述柔性基板的位置控制器包括：
夹持所述基板的每个边缘的各对夹持辊；
支承所述各对夹持辊以使得在每一对夹持辊中各个辊可旋转并可彼此接近或远离地移动的各个支承机构；
经由各个支承机构向所述各对夹持辊施加压力的施压装置；以及
使用所述施压装置来调节所述压力的压力调节装置，
其中构成各对夹持辊的各个辊是具有相对于轴向倾斜的圆周面的圆锥形辊，并且被支承到各个支承机构以使每个圆锥形辊的小直径侧在横向上位于所述基板的中心侧且所述基板的夹持表面的旋转方向与所述基板的传送方向相同。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104977815A (zh) * 2015-07-03 2015-10-14 苏州微影光电科技有限公司 直写式曝光系统中的扫描台
CN105122962A (zh) * 2013-04-18 2015-12-02 富士机械制造株式会社 基板夹紧装置
CN107924851A (zh) * 2015-09-11 2018-04-17 科麦特有限公司 测量仪器用晶片定心装置
CN111276435A (zh) * 2020-03-19 2020-06-12 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 宽范围、均匀应变的柔性电子基底近圆式拉伸系统

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5488997B2 (ja) * 2010-06-17 2014-05-14 富士電機株式会社 薄膜積層体製造装置の基板位置制御装置
JP5787216B2 (ja) * 2010-06-24 2015-09-30 富士電機株式会社 薄膜積層体製造装置およびその運転方法
CN104016171A (zh) * 2014-06-11 2014-09-03 永新股份（黄山）包装有限公司 一种膜卷收卷用锁边夹持器
CN108011576A (zh) * 2017-12-31 2018-05-08 正信光电科技股份有限公司 一种光伏组件的边框
US11177412B2 (en) * 2019-04-22 2021-11-16 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Sputter deposition apparatus including roller assembly and method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4938821A (en) * 1986-04-10 1990-07-03 Weyerhaeuser Company Method and apparatus for manufacture of a diaper with elastic margins
CN101359585A (zh) * 2007-08-03 2009-02-04 富士电机控股株式会社 用于制造薄膜层叠件的设备
WO2009122836A1 (ja) * 2008-03-31 2009-10-08 富士電機システムズ株式会社 薄膜積層体の製造装置および方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3147898A (en) * 1962-07-10 1964-09-08 William F Huck Transverse web control devices
US4068789A (en) 1975-10-24 1978-01-17 Young Engineering, Inc. Method and apparatus for controlling a moving web
CH643485A5 (en) 1979-12-17 1984-06-15 Berthold & Guettinger Ag Apparatus for transporting and guiding a tape-like photographic recording medium in a photosetting machine
AU677231B2 (en) * 1992-08-11 1997-04-17 E. Khashoggi Industries, Llc Hydraulically settable containers
US6902053B1 (en) 2003-10-14 2005-06-07 Rodney Long Conveyor belt alignment system
JP2007250681A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体樹脂封止装置及びリリースフィルムの供給方法
DE102006033354B4 (de) * 2006-07-19 2012-01-12 Höllmüller Maschinenbau GmbH Vorrichtung zum Behandeln von flachen, zerbrechlichen Substraten
JP2008117889A (ja) * 2006-11-02 2008-05-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009038276A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Fuji Electric Systems Co Ltd 薄膜積層体の製造装置
JP2009057632A (ja) 2007-08-03 2009-03-19 Fuji Electric Holdings Co Ltd 薄膜積層体の製造装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4938821A (en) * 1986-04-10 1990-07-03 Weyerhaeuser Company Method and apparatus for manufacture of a diaper with elastic margins
CN101359585A (zh) * 2007-08-03 2009-02-04 富士电机控股株式会社 用于制造薄膜层叠件的设备
WO2009122836A1 (ja) * 2008-03-31 2009-10-08 富士電機システムズ株式会社 薄膜積層体の製造装置および方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105122962A (zh) * 2013-04-18 2015-12-02 富士机械制造株式会社 基板夹紧装置
CN104977815A (zh) * 2015-07-03 2015-10-14 苏州微影光电科技有限公司 直写式曝光系统中的扫描台
CN104977815B (zh) * 2015-07-03 2018-02-23 苏州微影激光技术有限公司 直写式曝光系统中的扫描台
CN107924851A (zh) * 2015-09-11 2018-04-17 科麦特有限公司 测量仪器用晶片定心装置
CN111276435A (zh) * 2020-03-19 2020-06-12 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 宽范围、均匀应变的柔性电子基底近圆式拉伸系统
CN111276435B (zh) * 2020-03-19 2022-04-15 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 宽范围、均匀应变的柔性电子基底近圆式拉伸系统

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