CN102270710B - 半导体发光装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

半导体发光装置的制造方法具备在含有半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层的层叠体的第一绝缘层的第一开口部，形成第一布线层的工序，第一绝缘层具有与第二电极相连的第二开口部；在第一绝缘层的第二开口部形成第二布线层的工序；在与第一布线层上的第一电极相对的相反侧的面上，形成第一金属柱的工序；在与第二布线层的第二电极相对的相反侧的面上，形成第二金属柱的工序；在第一金属柱的侧面和第二金属柱的侧面之间形成第二绝缘层的工序；基于从第一主面侧得到的光的发光光谱，在选自多个半导体层的半导体层的第一主面上形成对于光呈透明的透明材料的工序；在透明材料上及多个半导体层的第一主面上，形成荧光体层的工序。

Description

半导体发光装置的制造方法
相关发明的引用
本申请案基于并要求提交于2010年6月7日的日本专利申请号No.2010-130426和提交于2011年5月19日的日本专利申请号No.2011-112272的优先权。本发明援引上述全部的内容。
技术领域
本发明涉及一种半导体发光装置的制造方法。
背景技术
公知有将LED(发光二级管)芯片和荧光体层组合而得到白色的半导体发光装置。放出到外部的光的颜色(波长)依赖于发光层的发光波长、荧光体层的种类、厚度等。
发明内容
本发明的实施方式提供一种降低颜色偏差的半导体发光装置的制造方法。
根据本发明的实施方式，半导体发光装置的制造方法具备在含有半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层的层叠体中的上述第一绝缘层的第一开口部形成第一布线层的工序。上述半导体层包含基板、第一主面、在其相反侧形成的第二主面和发光层，并通过分离槽在上述基板上被分离成多个。上述第一电极设于与上述基板相对的相反侧的上述第二主面的具有上述发光层的区域。上述第二电极设于上述第二主面上。上述第一绝缘层设于上述半导体层的上述第二主面侧，具有与上述第一电极相连的第一开口部和与上述第二电极相连的第二开口部。另外，根据实施方式，具备在上述第一绝缘层的上述第二开口部形成第二布线层的工序。另外，根据实施方式，具备在上述第一布线层的与上述第一电极相对的相反侧的面上形成第一金属柱的工序。另外，根据实施方式，具备在上述第二布线层的与上述第二电极相对的相反侧的面上，形成第二金属柱的工序。另外，根据实施方式，具备在上述第一金属柱的侧面和上述第二金属柱的侧面之间形成第二绝缘层的工序。另外、根据实施方式，具备基于从上述第一主面侧得到的光的发光光谱，在从上述多个半导体层选出的半导体层的上述第一主面上，形成相对于上述光呈透明的透明材料的工序。另外，根据实施方式，具备在上述透明材料上及上述多个半导体层的上述第一主面上，形成荧光体层的工序。
利用本发明的实施方式，可以提供降低了颜色偏差的半导体发光装置的制造方法。
附图说明
图1是第1实施方式的半导体发光装置的示意剖面图；
图2(a)～图5(b)是表示第1实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意剖面图；
图6(a)～(b)是表示第1实施方式的变形例的半导体发光装置的制造方法的示意剖面图；
图7(a)～图8(b)是表示第二实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意图；
图9是表示第三实施方式的半导体发光装置的制造方法的流程图；
图10(a)及(b)是表示第三实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意剖面图；
图11是表示第三实施方式的变形例的半导体发光装置的制造方法的示意剖面图；
图12是蓝色LED的发光波长的晶圆面内分布图。
具体实施方式
下面，参照附图对实施方式进行说明。另外，各附图中对于相同的要素附加相同的符号。另外，在表示工序的附图中，表示出晶圆状态的一部分的区域。
图1是第1实施方式的半导体发光装置的示意剖面图。
本实施方式的半导体发光装置具有半导体层15。半导体层15具有第一主面15a和形成于其相反侧的第二主面。在第二主面侧设有电极、布线层及树脂层，光主要从第一主面15a输出。
半导体层15具有第1半导体层11和第二半导体层13。第一半导体层11例如为n型的GaN层，作为电流的横方向通路起作用。但是，第一半导体层11的导电类型并不限于n型，也可以为p型。第二半导体层13具有利用n型层和p型层夹住发光层(活性层)12的层叠结构。
半导体层15的第二主面侧被加工成凹凸形状，在其第二主面侧设有发光区域15b和非发光区域15c。发光区域15b包含发光层12。非发光区域15c不包含发光层12，例如设于比发光层12的外周(端部)靠外的外侧。
在发光区域15b的表面即第二半导体层13的表面，作为第一电极设有p侧电极16。即，p侧电极16设于包含发光层12的发光区域15b。在非发光区域15c的表面即第一半导体层11的表面，作为第二电极设有n侧电极17。在一个芯片(半导体层15)中，发光区域15b的面积比非发光区域15c的面积要大，p侧电极16的面积比n侧电极17的面积要大。因此，可以较宽地确保发光区域。
半导体层15的侧面及第二主面的一部分被绝缘层14、18覆盖。绝缘层14、18也形成于p侧电极16和n侧电极17之间的阶梯部。绝缘层14例如为硅氧化物、硅氮化物。绝缘层18例如为微小开口的构图性优异的聚酰亚胺等树脂。或者作为绝缘层18，也可以使用硅氧化物。绝缘层14不覆盖p侧电极16及n侧电极17。
在绝缘层18中，在与半导体层15相对的相反侧的面18c上设有作为第一布线层的p侧布线层21和作为第二布线层的n侧布线层22。p侧布线层21还设置于到达p侧电极16而形成于绝缘层18的第一开口部18a，并与p侧电极16连接。n侧布线层22还设置于到达n侧电极17而形成于绝缘层18的第二开口部18b，并与n侧电极17连接。
在p侧布线层21，在与p侧电极16相对的相反侧的面上，作为第一金属柱设有p侧金属柱23。在n侧布线层22，在与n侧电极17相对的相反侧的面上，作为第二金属柱设有n侧金属柱24。
p侧金属柱23的周围、n侧金属柱24的周围、p侧布线层21及n侧布线层22由作为第二绝缘层的树脂层25覆盖。树脂层25填充于邻接的支柱之间。p侧金属柱23及n侧金属柱24各自的下表面从树脂层25露出。另外，第二绝缘层与第一绝缘层(绝缘层18)可以为相同的材料。
在半导体层15中与设于不包含发光层12的非发光区域15c的n侧电极17连接的n侧布线层22的面积，与n侧电极17侧的面相比在与n侧电极17相反侧的面上面积较大。即，n侧布线层22和n侧金属柱24接触的面积比n侧布线层22和n侧电极17接触的面积大。另外，p侧布线层21和p侧金属柱23接触的面积比p侧布线层21和p侧电极16接触的面积大。或者，有时p侧布线层21和p侧金属柱23接触的面积也比p侧布线层21和P侧电极16接触的面积小。另外，n侧布线层22的一部分经由绝缘层18的表面18c上而延伸至与发光层12的下方重叠的位置。
由此，一边利用更宽的发光层12保持较强的光输出，一边可以从在不包含半导体层15中的发光层12的部分的狭窄面积处设置的n侧电极17，经由n侧布线层22形成更宽的引出电极。
第一半导体层11经由n侧电极17及n侧布线层22与n侧金属柱24电连接。第二半导体层13经由p侧电极16及p侧布线层21，与p侧金属柱23电连接。
根据需要，在p侧金属柱23及n侧金属柱24各自的下表面，形成以防锈等为目的的表面处理膜(例如，Ni、Au等无电解镀膜、被预涂的焊料等)。
作为n侧布线层22、p侧布线层21、n侧金属柱24、p侧金属柱23的材料，可以使用铜、金、镍、银等。在这些材料中，更优选具备良好的导热性、高耐迁移性及与绝缘材料的优异的密接性的铜。
在绝缘层18上进行形成多个微小开口部18a、18b的构图。因此，作为绝缘层18优选使用微小开口部的构图性优异的、例如聚酰亚胺等树脂。
树脂层25优选使用可以低成本且较厚地形成、并且适于n侧金属柱24及p侧金属柱23的加固的树脂。例如作为树脂层25，可以列举环氧树脂、硅树脂、氟树脂等。
在半导体层15的第一主面15a上，作为对于从发光层12放出、从第一主面15a侧得到的光呈透明的透明材料设有透明树脂27。如后所述，也有时不设透明树脂27。
在透明树脂27上设有荧光体层28。荧光体层28含有吸收来自发光层12的光，且可放出波长转换光的荧光体粒子。因此可放出来自发光层12的光和荧光体层28中的波长转换光的混合光。例如将发光层12设定氮化物类时，作为来自该发光层12的蓝色光和含有例如黄色荧光体粒子的荧光体层28中的波长转换光即黄色光的混合色，可以得到白色或灯泡色等。另外，荧光体层28也可为含有多种荧光体粒子(例如红色荧光体粒子和绿色荧光体粒子)的构成。
在此，黄色荧光体粒子、红色荧光体粒子、绿色荧光体粒子利用来自发光层12的激励光，分别发出黄色光、红色光、绿色光。
从发光层12发出的光主要在第一半导体层11、第一主面15a、透明树脂27及荧光体层28中行进，而向外部放出。
透明树脂27基于从发光层12放出、从第一主面15a得到的光的发光光谱，设于第一主面15a上。根据其发光光谱不同，也有时不设置透明树脂27。另外，在设置透明树脂27的情况下，基于上述发光光谱来调整其厚度。
荧光体层28的上表面被平坦化。因此，荧光体层28的厚度根据透明树脂27的厚度(也包含无透明树脂27，厚度为零的情况)而变化。即，将荧光体层28的提供量设定为一定时，越将透明树脂27加厚，就越可将荧光体层28减薄。
在本实施方式中，基于从第一主面15a侧得到的光的发光光谱，确定是否设置透明树脂27，进而在设置透明树脂27的情况下调整其厚度。由测量出的发光光谱算出例如含有多个半导体层15的晶圆面内的色度偏差。并且，基于晶圆面内的色度偏差，控制荧光体层28的厚度。通过按照色度偏差来适当地调整荧光体层28的厚度，可以抑制向外部放出的光的颜色偏差。即便发光层12的发光波长相同，如果荧光体层28的种类改变，其适当的厚度也会改变。
另外，如果将透明树脂27加工成凸状或凹状，可以使其作为控制配光特性的透镜起作用。
p侧金属柱23及n侧金属柱-24的下表面，例如经由焊料、或者由其他的金属材料构成的球或凸点形状的外部端子，而可以与形成于安装基板或者布线板上的布线接合。由此，可以向半导体发光装置提供电力。
n侧金属柱24及p侧金属柱23各自的厚度(在图1中为上下方向的厚度)比包含半导体层15、n侧电极17、p侧电极16、绝缘层14、18、n侧布线层22及p侧布线层21的层叠体的厚度厚。各金属柱23、24的高宽比(厚度相对于平面尺寸之比)不限于1以上，该比也可以为1以下。即、金属柱23、24的厚度可以比其平面尺寸小。
根据本实施方式的构造，即便半导体层15较薄，通过将n侧金属柱24、p侧金属柱23及树脂层25加厚，可以确保机械强度。另外，在安装到安装基板上时，通过n侧金属柱24和p侧金属柱23进行吸收可以缓和经由外部端子施加到半导体层15上的应力。
下面，参照图2(a)～图5(b)，对第1实施方式的半导体发光装置的制造方法进行说明。
如图2(a)所示，首先，在基板10的主面上形成第一半导体层11，在其上形成包含发光层12的第二半导体层13、形成半导体层15。半导体层15例如为氮化物类半导体时，半导体层15可以在例如蓝宝石基板上使结晶成长。
下面，如图2(b)所示，通过使用未图示的抗蚀剂的例如RIE(Reactive IonEtching，反应离子刻蚀)法，形成贯通半导体层15并到达基板10的分离槽9。分离槽9在晶圆状态的基板10上例如形成为格子状，将半导体层15分离成多个。
另外，通过使用未图示的抗蚀剂的例如RIE法，去除含有发光层12的第二半导体层13的一部分，使第一半导体层11的一部分露出。由此，在半导体层15的第二主面侧上，形成从基板10来看相对地位于上段的发光区域15b和与上段部相比位于基板10侧的下段的非发光区域15c。发光区域15b包含发光层12，非发光区域15c不包含发光层12。
基板10的主面、半导体层15的侧面及第二主面，被图2(c)所示的绝缘层14覆盖。并且，选择性地去除绝缘层14，在发光区域15b的表面(第二半导体层13的表面)形成p侧电极16，在非发光区域15c的表面(第一半导体层11的表面)形成n侧电极17。p侧电极16和n侧电极17先形成哪一个都可以，或者也可以用同样的材料同时形成p侧电极16和n侧电极17。
下面，用图3(a)所示的绝缘层18覆盖基板10上的露出的所有部分。之后，通过例如湿式蚀刻对绝缘层18进行构图，在绝缘层18上选择性地形成第一开口部18a和第二开口部18b。第一开口部18a到达p侧电极16。第二开口部18b到达n侧电极17。绝缘层18被填充于分离槽9内。
下面，在绝缘层18的表面18c、第一开口部18a及第二开口部18b的内面，形成连续的种子金属(seed metal)19(在图3(a)中用虚线表示)。进而，在种子金属19上选择性地形成未图示的抗蚀剂，进行将种子金属19作为电流通路的Cu电解镀。
由此，如图3(b)所示，在绝缘层18的表面18c上，选择性地形成p侧布线层21和n侧布线层22。p侧布线层21也形成于第一开口部18a内，并与p侧电极16连接。n侧布线层22也形成于第二开口部18b内，并与n侧电极17连接。p侧布线层21及n侧布线层22由利用镀层法同时形成的铜材料构成。或者，并不限于p侧布线层21和n侧布线层22同时形成，先形成任何一个都可以。
在n侧布线层22中与n侧电极17相对的相反侧的面，具有比与n侧电极17连接的面大的面积，并且在绝缘层18的表面18c上形成衬垫(pad)状。同样地，在p侧布线层21中与p侧电极16相对的相反侧的面，具有比与p侧电极16连接的面大的面积，并且在绝缘层18的表面18c上形成衬垫状。
下面，在绝缘层18上选择性地形成金属柱形成用的其他的抗蚀剂(未图示)，进行将上述种子金属19作为电流通路的Cu电解镀。
由此，如图4(a)所示，在p侧布线层21上形成p侧金属柱23，在n侧布线层22上形成n侧金属柱24。P侧金属柱23及n侧金属柱24通过镀层法同时形成，例如由铜材料构成。或者，p侧金属柱23和n侧金属柱24并不限定于同时形成，先形成任何一个都可以。
在该镀层之后，将p侧布线层21、n侧布线层22、p侧金属柱23及n侧金属柱24遮蔽，对在绝缘层18的表面18c上露出的种子金属19进行湿式蚀刻。由此，p侧布线层21和n侧布线层22的经由种子金属19的电连接被切断。
下面，如图4(b)所示，在绝缘层18上形成树脂层25。树脂层25覆盖p侧布线层21、n侧布线层22、p侧金属柱23及n侧金属柱24。树脂层25填充于p侧金属柱23的侧面和n侧金属柱24的侧面之间、p侧布线层21和n侧布线层22之间。
之后，对树脂层25进行研磨，使p侧金属柱23及n侧金属柱24各自的上表面(与绝缘层18相对的相反侧的面)从树脂层25露出。另外，也可以在形成下面说明的荧光体层28后，对树脂层25进行研磨，使p侧金属柱23及n侧金属柱24各自的上表面露出。
之后，去除基板10。通过例如激光剥离(lift off)法去除基板10。具体地说，从基板10的背面侧朝向第一半导体层11照射激光。激光对于基板10具有透射性，对于第一半导体层11具有成为吸收区域的波长。
当激光到达基板10和第一半导体层11的界面时，其界面附近的第一半导体层11吸收激光光的能量而进行分解。当第一半导体层11为金属氮化物(例如GaN)时，分解成镓(Ga)和氮气。由于该分解反应，在基板10和第一半导体层11之间形成微小的间隙，基板10和第一半导体层11分离。
按每个设定的区域分多次遍及晶圆整体地进行激光光的照射，去除基板10。通过从第一主面15a上去除基板10，可实现光输出效率的提高。
接着，使发光层12发光，测量从第一主面15a放出的光的发光光谱。例如，向通过去除基板10而露出的第一主面15a施加接地电位，向p侧金属柱23的露出面施加正电位。
在上述激光光的照射引起的GaN的分解时，在第一主面15a上残留有镓膜，通常由于该镓膜成为降低输出的原因，所以被去除。但是，在本实施方式中，在上述测量时还残留有镓膜，使该镓膜接触负侧的测量电极(探头)。由此，与使GaN接触探头相比，可以降低接触电阻。
通过上述电压的施加，对于发光层12，从第二半导体层13侧注入空穴，从第一半导体层11侧注入电子。因此，在发光层12电子与空穴再耦合而发光。然后，测量从第一主面15a放出的光的发光光谱。
测量发光光谱后，将第一主面15a洗净，去除残留在第一主面15a上的镓膜。另外，根据需要将第一主面15a粗糙化，实现光输出效率的提高。
而且，如图5(a)所示，基于发光光谱的测量结果，仅在晶圆内的全部半导体层15中的所选择的半导体层15的第一主面15a上形成透明树脂27。例如使用分配器等将液态的透明树脂27提供到第一主面15a上之后，使其固化。另外，基于发光光谱的测量结果，控制透明树脂27的提供量，控制透明树脂27的厚度。因而，有时在1片晶圆上可在多处形成厚度不同的多个透明树脂27。或者也有时在1片晶圆上形成的所有的透明树脂27的厚度都相同。另外，根据发光光谱的测量结果，也有时在1片晶圆上，无论在哪个半导体层15上都不形成透明树脂27。
形成透明树脂27之后，如图5(b)所示，按照覆盖透明树脂27的方式，在晶圆中的全部的半导体层15的第一主面15a上整体地形成荧光体层28。例如用刮板(squeegee)印刷法涂覆分散有荧光体粒子的液态的透明树脂(对于发光层12及荧光体粒子的发射光呈透明)后，通过使其热固化，形成荧光体层28。
荧光体层28通过例如旋涂(spin coat)法，遍及晶圆整体地，以使上表面平坦的方式形成。因而，形成有透明树脂27的部分与没有形成透明树脂27的部分相比，荧光体层28的厚度变得相对较薄。另外，透明树脂27的厚度越厚，荧光体层28就越薄。另外，从半导体层15的第一主面15a到荧光体层28的上表面的距离，在存在透明材料(透明树脂27)的部分和不存在透明材料(透明树脂27)的部分基本相同。
特别是在通过上述的激光剥离法将基板10剥离的情况下，由于半导体层15受到激光光的照射的影响，从第一主面15a放出的光的波长即便是在相同晶圆内有时也有偏差。当从第一主面15a放出的激励光的峰值波长发生偏离时，荧光体层28的荧光发光的转换效率或强度就会发生变化，结果，成为放出到外部的光的颜色产生偏差的原因。
在本实施方式中，基于从各半导体层15的第一主面15a侧得到的光的发光光谱的测量结果，计算晶圆面内的色度偏差，基于该色度偏差确定是否设置透明树脂27，并且在设置透明树脂27的情况下，调整其厚度。因此，按照晶圆面内的色度偏差，适当地调整荧光体层28的厚度，可以抑制放出到外部的光的颜色偏差。
另外，还考虑，不使用透明树脂27，而部分地控制向第一主面15a上提供的荧光体层28的提供量，在晶圆上部分地改变荧光体层28的厚度。但是，由于荧光体层28包含荧光体粒子，所以难以从微小直径的分配器滴落到微小区域，可能会招致生产性的降低。
与此相对，本实施方式中的透明树脂27不包含荧光体粒子，能够在液态树脂的状态下容易地向微小区域选择性地提供。通过将各个半导体层15的平面尺寸设计得较微小，从而实现单片化后的芯片的平面尺寸的小型化，另外，增大可从1枚晶圆上取得的芯片数来实现成本的降低。
作为在第一主面15a上形成的透明材料，不限于透明树脂27，如图6(a)所示，也可以使用玻璃板37。
基于从第一主面15a侧得到的光的发光光谱的测量结果，仅在晶圆内的全部半导体层15中的被选出的半导体层15的第一主面15a上形成玻璃板37。例如经由粘接层将玻璃板37粘贴到第一主面15a上。另外，基于发光光谱的测量结果，控制玻璃板37的厚度。
形成玻璃板37之后，如图6(b)所示，按照覆盖玻璃板37的方式，在晶圆中的所有的半导体层15的第一主面15a上整体地形成荧光体层28。荧光体层28通过例如旋涂法，遍及晶圆整体地，以使上表面平坦的方式形成。因此，形成玻璃板37的部分与未形成玻璃板37的部分相比，荧光体层28的厚度变得相对较薄。另外，玻璃板37的厚度越厚，荧光体层28就越薄。
在本实施方式中，也基于从各半导体层15的第一主面15a侧得到的光的发光光谱的测量结果，计算晶圆面内的色度偏差，基于该色度偏差确定是否设置玻璃板37，另外在设置玻璃板37的情况下，调整其厚度。因此，针对晶圆面内的色度偏差，适当地调整荧光体层28的厚度，可以抑制放出到外部的光的颜色偏差。
另外，与滴下液态的透明树脂27并使其固化的情况相比，在形成玻璃板37的情况下，容易控制成所希望的形状。例如通过将玻璃板37形成为凸状或凹状，也能够使其作为控制配光特性的透镜起作用。
透明树脂27或玻璃板37的折射率，优选在半导体层15的折射率(例如GaN的情况下，2.5左右)和荧光体层28的树脂的折射率(例如1.5左右)之间。在半导体层15和透明材料(透明树脂27、玻璃板37)的界面、以及透明材料和荧光体层28的界面处的折射率差越小，则光的透射率越高。
形成荧光体层28后，在分离槽9(图2(b))的位置进行切割而实现单片化。切割时，基板10已经被去除。进而，在分离槽9中不存在半导体层15，作为绝缘层18只要埋入树脂就可以容易地进行切割，并提高生产性。进而，可以避免切割时半导体层15受到的损伤。另外，在单片化之后，可以得到半导体层15的侧面被绝缘层18覆盖而被保护的结构。
单片化后的半导体发光装置可以是包含一个半导体层(芯片)15的单芯片结构，或者也可以是包含多个半导体层(芯片)15的多芯片结构。
当向晶圆状态下包含多个半导体层15的区域整体地提供透明树脂27时，向多个半导体层15间的切割区域也提供透明树脂27。如果在该切割区域上形成有透明树脂27的状态下将切割区域切断，则可能成为从芯片的边缘附近放出不通过荧光体层的蓝色的光的原因。因而，优选向每1个半导体层15提供透明树脂27。另外，在多芯片结构中，也可以向含有多个半导体层15的区域整体地提供透明树脂27。
由于至被切割前为止的上述各个工序是在晶圆状态下整体进行的，所以没有必要按照单片化后的各个半导体发光装置进行电极的再布线及封装，可以大幅降低生产成本。即，在单片化后的状态下，已完成电极的再布线及封装。另外，能够以晶圆级进行检查。因此，可以提高生产性，结果，容易降低价格。
在透明材料(透明树脂27或者玻璃板37)中也可以含有微量的荧光体粒子。在该透明材料中可以含有红色荧光体粒子、绿色荧光体粒子及黄色荧光体粒子的某一种，也可以包含两种或者全部。
例如在使用红色荧光体粒子和绿色荧光体粒子这两种荧光体粒子得到白色时，仅通过荧光体层的膜厚控制，红色荧光体粒子和绿色荧光体粒子这两种荧光体粒子就会同时增减。
通过使用仅微量地含有红色荧光体粒子或者仅微量地含有绿色荧光体粒子的透明材料，可以进行严密的颜色调整。
图7(a)～图8(b)表示第二实施方式的半导体发光装置的制造方法。
基板10具有形成有多个半导体层15的元件区域61和比元件区域61靠外侧的外周部62。图7(a)及图8(a)表示外周部62附近的剖面。图7(b)表示与图7(a)对应的状态的晶圆整体的俯视图。图8(b)表示与图8(a)对应的状态的晶圆整体的俯视图。
在本实施方式中，在进行p侧布线层21及n侧布线层22的镀层时，在绝缘层18的表面18c上同时形成内侧布线65及外周布线66。
内侧布线65在元件区域61中的切割区域(形成分离槽9的区域)形成为例如格子状。外周布线66在外周部62的绝缘层18的表面18c上形成。外周布线66沿外周部62的周方向连续地形成，用连续的封闭的图案包围元件区域61。
内侧布线65与p侧布线层21的一部分连接为一体。进而，内侧布线65的外周部62侧的端部与外周布线66连接为一体。因此，p侧布线层21经由内侧布线65与外周布线66电连接。n侧布线层22不与p侧布线层21、内侧布线65及外周布线66相连。
进而，在进行p侧金属柱23及n侧金属柱24的镀层时，在外周布线66上也析出金属。在该镀层时，在内侧布线65的上方设有抗蚀剂，在内侧布线65的上方不析出金属，在内侧布线65的上方不设置P侧金属柱23。因此，外周布线66比内侧布线65厚。外周布线66的厚度、p侧布线层21和p侧金属柱23合在一起的厚度及n侧布线层22和n侧金属柱24合在一起的厚度基本相同。通过在晶圆的外周部62的周方向上连续地形成比较厚的金属层，从而提高晶圆的机械强度，抑制晶圆的翘曲，后续工序中的操作性就变得简单。
如图8(a)、(b)所示，在形成树脂层25时，使外周布线66的外周侧的一部分从树脂层25露出。
然后，在通过去除基板10而露出的第一主面15a和在外周部62从树脂层25露出的外周布线66之间施加电压，使发光层12发光，并测量从第一主面15a放出的光的发光光谱。
外周布线66经由上述的内侧布线65连接到p侧布线层21。因此，通过上述电压的施加，对于发光层12，从第二半导体层13侧注入空穴，从第一半导体层11侧注入电子。因此，在发光层12电子和空穴进行再耦合而发光。然后，测量从第一主面15a放出的光的发光光谱。
如上所述，在本实施方式中，由于在晶圆外周部62上形成有与p侧布线层21连接的外周布线66，所以即便是在用树脂层25覆盖p侧金属柱23的状态下，也能够通过外周布线66向p侧布线层21施加电压。因此，一边用比较厚的树脂层25确保强度，一边进行测量作业，不损害生产性。
之后，与上述实施方式同样，进行基板10的去除、荧光体层28的形成等。之后，在分离槽9的位置进行切割而实现单片化。上述的内侧布线65在切割区域形成，切割宽度与内侧布线65的宽度基本相同，或者比内侧布线65的宽度宽。在该情况下，切割後，内侧布线65不残留在单片化后的芯片上。另外，由于在p侧布线层21上的与内侧布线65相连的部分被切断，结果是，p侧布线层21的一部分的端面可得到从树脂层25或者绝缘层18向侧面露出的结构，并且在单片化后也可以进行与所有的端面都被树脂层25覆盖的n侧布线层22的识别。
当将单片化后的半导体发光装置安装到安装基板上时，需要按照各自的极性使从树脂层25露出的p侧金属柱23的下表面及n侧金属柱24的下表面与安装基板的布线相接合。因而，需要识别p侧金属柱23和n侧金属柱24，但它们的侧面被树脂层25覆盖，露出的部分只有下面，所以当小型化时，两者的识别就变得困难。
但是，在本实施方式中，相对于设于p侧金属柱23的下方的p侧布线层21的一部分的端面从树脂层25的侧面露出的情况，设于n侧金属柱24的下方的n侧布线层22的端面全部被树脂层25覆盖，不露出。因此，以在树脂层25的侧面侧露出的端面为目标，可以容易地识别出金属柱的某一个是p侧或n侧。结果是，实现了安装作业变得容易、生产性提高、成本降低。
下面对第三实施方式进行説明。
图9表示在第三实施方式的半导体发光装置的制造方法中，去除基板10的工序以后的流程图。
图10(a)及(b)是表示第三实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意剖面图。
与上述实施方式同样地，在基板10上形成有半导体层15、P侧电极16、n侧电极17、绝缘层14、18、p侧布线层21、n侧布线层22、p侧金属柱23、n侧金属柱24及树脂层25。之后，与上述实施方式同样地，去除基板10(步骤S1)。
下面，如图10(a)所示，在由于去除基板10而露出的半导体层15的第一主面15a上，形成第一荧光体层28a(步骤S2)。
在晶圆中的包含所有的晶半导体层15的区域整体地形成第一荧光体层28a。第一荧光体层28a形成于各半导体层15的第一主面15a上及切割区域上。
形成第一荧光体层28a的工序具有：例如涂覆分散有荧光体粒子的液态透明树脂(对于发光层12及荧光体粒子的发射光呈透明)的工序、和之后使液态的透明树脂热固化的工序。
第一荧光体层28a通过例如真空刮板印刷法，遍及晶圆整体地、以使上表面平坦的方式形成。第一荧光体层28a的厚度在晶圆面内基本均等。
接着，对树脂层25进行研磨，使p侧金属柱23的外部端子23a及n侧金属柱24的外部端子24a露出。这些外部端子23a及24a经由焊料等安装于安装基板。另外，也可以在去除基板10前使外部端子23a及24a露出。
接着，取得色度的晶圆面内分布信息(步骤S3)。
具体地说，使发光层12发光，逐个芯片(半导体层15)地测量从第一荧光体层28a侧得到的光的发光光谱。从第一荧光体层28a侧得到的光例如为发光层12的发射光和由该发射光激励的第一荧光体层28a的发射光的混合光。由测量的发光光谱可得到晶圆面内的色度分布信息。另外，可以测量所有的芯片的发光光谱，也可以仅测量所选择的芯片的发光光谱。
使晶圆探测器的探头接触外部端子23a及24a，通过那些外部端子23a及24a向发光层12提供电流，使发光层12发光。由于作为探头接触的对象的外部端子23a及24a在晶圆的相同面侧露出，所以可以用通常的晶圆探测器进行测量。另外，半导体层15的第一主面15a被第一荧光体层28a保护，且探头与第一主面15a不接触。因此，可以避免测量光学特性时的半导体层15的损伤。
并且，如图10(b)所示，基于上述色度的晶圆面内分布信息，仅在从晶圆内的所有半导体层15中选出的半导体层15的第一主面15a上的第一荧光体层28a上形成透明树脂27。
例如使用分配器等，将液态的透明树脂27提供到第一荧光体层28a上后，使其固化。基于上述色度的晶圆内分布信息，控制透明树脂27的提供量，控制透明树脂27的厚度。因此，在1枚晶圆中，可能存在在多个部位形成厚度不同的多个透明树脂27的情况。或者，在1枚晶圆中可能存在所形成的所有透明树脂27的厚度都相同的情况。另外，根据发光光谱的测量结果，在1片晶圆中，可能存在无论在哪个半导体层15上都不形成透明树脂27的情况。
根据色度的晶圆面内分布信息，在晶圆内的所有芯片(半导体层15)的色度偏离为阈值以下的情况下，在图9中，推进到步骤S4。
即，在哪一个芯片上都不形成透明树脂27，在第一荧光体层28a上形成第二荧光体层28b。形成第二荧光体层28b的工序具有：例如将分散有荧光体粒子的液态的透明树脂(对于从第一荧光体层28a侧得到的光呈透明)涂覆到第一荧光体层28a上的工序、和使该液态的透明树脂热固化的工序。
第二荧光体层28b通过例如真空刮板印刷法，遍及晶圆整体地、以使上表面平坦的方式形成。在晶圆面内没有形成透明树脂27的情况下，第二荧光体层28a的厚度在晶圆面内基本均等。
根据色度的晶圆面内分布信息，坐标(x，y)的芯片的色度偏离在阈值以上时，在图9中，推进到步骤S5。
即，向坐标(x，y)的芯片上提供与测量上述发光光谱而得到的色度对应的量(厚度)的透明树脂27。对于色度偏离在阈值以上的所有的芯片，提供与色度相对应的量(厚度)的透明树脂27。
而且，将透明树脂27提供到作为对象的所有的芯片上之后，在步骤S6中，如图10(b)所示，形成第二荧光体层28b。第二荧光体层28b以覆盖透明树脂27的方式形成于第一荧光体层28a上。
第二荧光体层28b通过例如真空刮板印刷法，遍及晶圆整体地、以使上表面平坦的方式形成。因而，与未形成透明树脂27的部分相比，形成有透明树脂27的部分的第二荧光体层28b的厚度相对地变薄。另外、透明树脂27的厚度越厚，第二荧光体层28b就越薄。
从半导体层15的第一主面15a到第二荧光体层28b的上表面的距离，在存在透明树脂27的部分和不存在透明树脂27的部分基本相同。
在本实施方式中，基于从第一荧光体层28a侧得到的光的发光光谱的测量结果，计算晶圆面内的色度偏差，并基于该色度偏差确定是否设置透明树脂27，另外在设置透明树脂27的情况下，调整其厚度。因此，按照晶圆面内的色度偏差，适当地调整荧光体层28的厚度，可以抑制放出到外部的光的颜色偏差。
从发光层12发出的光主要在第一半导体层11、第一主面15a、第一荧光体层28a及第二荧光体层28b中行进，向外部放出。
透明树脂27基于从第一荧光体层28a侧得到的光的发光光谱，设置于第一主面15a上。根据该发光光谱也有时不设透明树脂27。另外在设置透明树脂27的情况下，基于上述发光光谱来调整其厚度。
第二荧光体层28b的上表面被平坦化。因而，第二荧光体层28b的厚度根据透明树脂27的厚度(也包含无透明树脂27、厚度为零的情况)而变化。即，在将第二荧光体层28b的提供量设为一定的情况下，越将透明树脂27加厚，就可越将荧光体层28减薄。
在本实施方式中，基于色度的晶圆面内分布信息，确定是否设置透明树脂27，进而，在设置了透明树脂27的情况下，调整其厚度。作为结果，基于色度的晶圆面内分布信息，控制含有第一荧光体层28a及第二荧光体层28b的荧光体层整体的厚度。通过基于色度的晶圆面内分布信息适当地调整荧光体层的厚度，可以抑制放出到外部的光的颜色偏差。
在本实施方式中，作为透明材料，也不限于透明树脂27，如图11所示，也可以使用玻璃板37。
即，基于色度的晶圆面内分布信息，仅在从晶圆内的半导体层15中选出的半导体层15的第一主面15a上的第一荧光体层28a上形成玻璃板37。例如经由粘接层将玻璃板37粘贴在第一荧光体层28a上。另外，基于色度的测量结果，控制玻璃板37的厚度。
在形成玻璃板37之后，按照覆盖玻璃板37的方式，在第一荧光体层28a上形成第二荧光体层28b。第二荧光体层28b通过例如真空刮板印刷法，遍及晶圆整体地、以使上表面平坦的方式形成。因而，与未形成玻璃板37的部分相比，形成有玻璃板37的部分的第二荧光体层28b的厚度相对变薄。另外，玻璃板37的厚度越厚，第二荧光体层28b越薄。从半导体层15的第一主面15a到第二荧光体层28b的上表面的距离，在存在玻璃板37的部分和未存在玻璃板37的部分基本相同。
在本实施方式中，也基于色度，确定是否设置玻璃板37，另外，在设置玻璃板37的情况下，调整其厚度。因此，按照色度，可以适当地调整荧光体层的厚度，可以抑制放出到外部的光的颜色偏差。
设定第一荧光体层28a及第二荧光体层28b的各自的膜厚、各自中所含的荧光体粒子的浓度，以得到目标色度。第一荧光体层28a中的荧光体粒子的浓度和第二荧光体层28b中的荧光体粒子的浓度可以相同也可以不同。
在此，图12表示使用了发出蓝色频带光的GaN类材料的LED芯片(半导体层15)的发光波长的晶圆面内分布的一例。横轴表示发光波长，越向右方越成为长波长。纵轴表示频率。
对于这种蓝色LED的发光波长的晶圆面内分布，将短波长侧作为中心(centre)值、或者将中央值作为中心值、或者将长波长侧作为中心值，来设定荧光体层中的荧光体粒子浓度的中心值、膜厚的中心值。
例如当蓝色LED的发光波长向长波长侧转移时，红色荧光体粒子及绿色荧光体粒子的激励光的吸收率就下降。
因此，当将蓝色LED的发光波长的中心值设定在短波长侧的情况下，在包含红色荧光体粒子及绿色荧光体粒子的荧光体层中，进行将荧光体粒子浓度从中心值变高、或者将膜厚从中心值变厚的修正。
另外，在将蓝色LED的发光波长的中心值设定在长波长侧的情况下，在包含红色荧光体粒子及绿色荧光体粒子的荧光体层中，进行将荧光体粒子浓度从中心值变低、或者将膜厚从中心值减薄的修正。即，由于作为激励光的蓝色LED的发光波长越为短波长，红色荧光体粒子及绿色荧光体粒子的吸收率越上升，所以在将蓝色LED的发光波长的中心值设定为长波长侧的情况下，通过相对地增加透明树脂的量、减少荧光体层的量，由此进行色度修正。
若将第一荧光体层28a所包含的荧光体粒子的种类和第二荧光体层28b所包含的荧光体粒子的种类设为相同，则容易利用第二荧光体层28b对在形成第一荧光体层28a的阶段中的色度偏离进行修正。即，优选在第一荧光体层28a和第二荧光体层28b之间不包含不同种类的荧光体粒子。
例如在第一荧光体层28a包含黄色荧光体粒子的情况下，使用包含与第一荧光体层28a相同种类的黄色荧光体粒子的第二荧光体层28b。或者，在第一荧光体层28a包含红色荧光体粒子及绿色荧光体粒子的情况下，使用包含与第一荧光体层28a相同种类的红色荧光体粒子及绿色荧光体粒子的第二荧光体层28b。
在荧光体粒子浓度较低时，由荧光体层的膜厚的偏差导致的色度的灵敏度变小。另外，作为目标的色度依赖于荧光体粒子的总量。因此，若将荧光体粒子浓度设定得过低，则为了确保荧光体粒子的所需的总量，膜厚就会变得过厚，有可能影响配光性、封装形状。
从而，第一荧光体层28a优选比第二荧光体层28b膜厚薄，且比第二荧光体层28b含有更高浓度荧光体粒子。相反，第二荧光体层28b优选膜厚比第一荧光体层28a厚，且比第一荧光体层28a含有更低浓度荧光体粒子。在形成第二荧光体层28b的阶段中，有可能产生第二荧光体层28b自身的膜厚偏差和透明材料(透明树脂27、玻璃板37)的膜厚的偏差。因此，优选在第二荧光体层28b中，将荧光体粒子浓度设定为比第一荧光体层28a低，来抑制由膜厚的偏差导致的荧光体粒子量的偏差。
对于绿色荧光体粒子和红色荧光体粒子而言，相对于蓝色LED的发光波长的灵敏度不同。绿色荧光体粒子相比红色荧光体粒子，对于蓝色LED的发光波长的偏离灵敏度更大。因此，由第一荧光体层28a中的膜厚的偏差、荧光体粒子的分散偏差等，有可能产生由绿色荧光体粒子导致的较大的色度偏差。
因而，与第二荧光体层28b相比，第一荧光体层28a降低绿色荧光体粒子相对于红色荧光体粒子的相对浓度，进而，使微量的绿色荧光体粒子混入透明材料(透明树脂27、玻璃板37)，从而可以抑制由绿色荧光体粒子引起的色度偏差。
作为荧光体层28、第一荧光体层28a及第二荧光体层28b，可以使用下面例示的红色荧光体层、黄色荧光体层、绿色荧光体层、蓝色荧光体层。
红色荧光体层例如可以含有氮化物类荧光体CaAlSiN3:Eu或赛隆(SiAlON)类荧光体。
在使用赛隆类荧光体的情况下，尤其优选使用：
(M1-x，Rx)a1AlSib1Oc1Nd1…组成式(1)
(M为除了Si及Al以外的至少一种金属元素，尤其优选Ca或者Sr的至少一种。R为发光中心元素，尤其优选Eu。x、a1、b1、c1、d1满足下面的关系。0＜x≤1、0.6＜a1＜0.95、2＜b1＜3.9、0.25＜c1＜0.45、4＜d1＜5.7)。
通过使用以组成式(1)表示的赛隆类荧光体，可以改善波长转换效率的温度特性，并进一步提高在大电流密度区域的效率。
黄色荧光体层可以含有例如硅酸盐类荧光体(Sr，Ca，Ba)2SiO4:Eu。
绿色荧光体层例如可以含有卤磷酸类荧光体(Ba，Ca，Mg)10(PO4)6·Cl2:Eu或赛隆类荧光体。
在使用赛隆类荧光体的情况下，特别优选使用：
(M1-x，Rx)a2AlSib2Oc2Nd2…组成式(2)
(M为除了Si及Al以外的至少一种金属元素，尤其优选Ca或者Sr的至少一种。R为发光中心元素，尤其优选Eu。x、a2、b2、c2、d2满足下面的关系。0＜x≤1、0.93＜a2＜1.3、4.0＜b2＜5.8、0.6＜c2＜1、6＜d2＜11)。
通过使用以组成式(2)表示的赛隆类荧光体，可以改善波长转换效率的温度特性，并进一步提高在大电流密度区域的效率。
蓝色荧光体层例如可以含有氧化物类荧光体BaMgAl10O17:Eu。
根据实施方式，半导体发光装置具备：
分别包含第一主面、形成于其相反侧的第二主面、发光层的多个半导体层；
设于上述第二主面上的具有上述发光层的区域的第一电极；
设于上述第二主面上的第二电极；
设于上述半导体层的上述第二主面侧，具有与上述第一电极相连的第一开口部和与上述第二电极相连的第二开口部的第一绝缘层；
设于上述第一绝缘层的上述第一开口部，与上述第一电极连接的第一布线层；
设于上述第一绝缘层的上述第二开口部，与上述第二电极连接的第二布线层；
设于上述第一布线层的与上述第一电极相对的相反侧的面上的第一金属柱；
设于上述第二布线层的与上述第二电极相对的相反侧的面上的第二金属柱；
设于上述第一金属柱的侧面和上述第二金属柱的侧面之间的第二绝缘层；
仅设于从上述多个半导体层中选择出的半导体层之中的一部分的上述第一主面上，相对于上述发光层发出的光呈透明的透明材料；
按照覆盖上述透明材料的方式，设于上述多个半导体层所有的上述第一主面上的荧光体层。
另外，根据实施方式，上述透明材料为透明树脂。
另外，根据实施方式，上述透明材料为玻璃板。
另外，根据实施方式，上述荧光体层的上表面平坦，设有上述透明材料的部分的上述荧光体层的厚度比没有设置上述透明材料的部分的上述荧光体层的厚度薄。
另外，根据实施方式，在多个部位设有不同厚度的上述透明材料。
另外，根据实施方式，上述第一电极的面积比上述第二电极的面积大。
另外，根据实施方式，上述第二布线层和上述第二金属柱接触的面积比上述第二布线层和上述第二电极接触的面积大。
另外，根据实施方式，上述第一布线层与上述第一金属柱接触的面积比上述第一布线层与上述第一电极接触的面积大。
另外，根据实施方式，上述第二布线层的一部分经由上述第一绝缘层上而延伸至与上述发光层重叠的位置。
另外，根据实施方式，上述第一金属柱及上述第二金属柱各自的厚度，比含有上述半导体层、上述第一电极、上述第二电极、上述第一绝缘层、上述第一布线层及上述第二布线层的层叠体的厚度厚。
尽管介绍了几种实施方式，但这些实施方式仅作为示例，并不用于限定本发明的范围。实际上，所述实施方式能够以各种方式表现，进而，本发明在不偏离其主旨的条件下可以做各种删节、替换和修改。从属权利要求和它们的等同置换旨在涵盖那些发明范围和发明主旨之内的方案及变形。

Claims (17)

1.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，具备：
在层叠体的第一绝缘层的第一开口部形成第一布线层的工序，所述层叠体包含：基板；半导体层，含有第一主面和形成于其相反侧的第二主面和发光层，且通过分离槽在所述基板上被分离成多个；第一电极，设于与所述基板相对的相反侧的所述第二主面上的具有所述发光层的区域；第二电极，设于所述第二主面上；以及所述第一绝缘层，设于所述半导体层的所述第二主面侧以及上述分离槽的内部，具有与所述第一电极相连的所述第一开口部和与所述第二电极相连的第二开口部；
在所述第一绝缘层的所述第二开口部形成第二布线层的工序；
在所述第一布线层的与所述第一电极相对的相反侧的面上形成第一金属柱的工序；
在所述第二布线层的与所述第二电极相对的相反侧的面上形成第二金属柱的工序；
在所述第一金属柱的侧面和所述第二金属柱的侧面之间，形成第二绝缘层的工序；
基于从所述第一主面侧得到的光的发光光谱，在从所述多个半导体层中选出的半导体层的所述第一主面上，形成对于所述光呈透明的透明材料的工序；以及
在所述透明材料上及所述多个半导体层的所述第一主面上，形成荧光体层的工序；
越是所述荧光体层相对地变薄的部分，就越厚地形成所述透明材料。
2.如权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
以所述荧光体层的上表面成为平坦的方式形成所述荧光体层。
3.如权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
形成所述透明材料的工序具有：
向所述第一主面上提供液态的透明树脂的工序；以及
使提供到所述第一主面上的透明树脂固化的工序。
4.如权利要求3所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
基于所述发光光谱调整所述透明树脂的提供量。
5.如权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
还具备根据所述发光光谱来算出含有所述多个半导体层的晶圆的面内的色度偏差的工序，
基于所述色度偏差，形成所述透明材料。
6.如权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，从所述半导体层的所述第一主面到所述荧光体层的上表面的距离，在存在所述透明材料的部分和不存在所述透明材料的部分基本相同。
7.如权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
还具备在形成所述透明材料之前，在由于所述基板的去除而露出的所述第一主面和所述第一布线层之间施加电压，使所述发光层发光，测量从所述第一主面发出的光的所述发光光谱的工序。
8.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，具备：
在层叠体的第一绝缘层的第一开口部形成第一布线层的工序，所述层叠体包含：基板；半导体层，含有第一主面和形成于其相反侧的第二主面和发光层且由分离槽在所述基板上分离成多个；第一电极，设于与所述基板相对的相反侧的所述第二主面上的具有所述发光层的区域；第二电极，设于所述第二主面上；以及所述第一绝缘层，设于所述半导体层的所述第二主面侧以及上述分离槽的内部，具有与所述第一电极相连的所述第一开口部和与所述第二电极相连的第二开口部；
在所述第一绝缘层的所述第二开口部形成第二布线层的工序；
在所述第一布线层的与所述第一电极相对的相反侧的面上形成第一金属柱的工序；
在所述第二布线层的与所述第二电极相对的相反侧的面上形成第二金属柱的工序；
在所述第一金属柱的侧面和所述第二金属柱的侧面之间，形成第二绝缘层的工序；
在所述第一主面上形成第一荧光体层的工序；
基于从所述第一荧光体层侧得到的光的发光光谱，在从所述多个半导体层中选出的半导体层上的所述第一荧光体层上，形成对于所述光呈透明的透明材料的工序；
在所述透明材料及所述第一荧光体层上，形成第二荧光体层的工序；
越是所述第二荧光体层相对地变薄的部分，就越厚地形成所述透明材料。
9.如权利要求8所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
所述第一荧光体层和所述第二荧光体层含有同种类的荧光体粒子。
10.如权利要求8所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
所述第一荧光体层的膜厚比所述第二荧光体层薄，且比第二荧光体层含有更高浓度荧光体粒子。
11.如权利要求9所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，所述第一荧光体层及所述第二荧光体层含有被所述发光层发出的光激励而发红色光的红色荧光体粒子和被所述发光层发出的光激励而发绿色光的绿色荧光体粒子，
所述第一荧光体层与所述第二荧光体层相比，所述绿色荧光体粒子相对于所述红色荧光体粒子的相对浓度低。
12.如权利要求11所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，将所述绿色荧光体粒子混入所述透明材料中。
13.如权利要求8所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，以各自的上表面成为平坦的方式形成所述第一荧光体层及所述第二荧光体层。
14.如权利要求8所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，形成所述透明材料的工序具有：向所述第一荧光体层提供液态的透明树脂的工序；以及
使被提供到所述第一荧光体层上的透明树脂固化的工序。
15.如权利要求8所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
从所述半导体层的所述第一主面到所述第二荧光体层的上表面的距离，在存在所述透明材料的部分和不存在所述透明材料的部分基本相同。
16.如权利要求8所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
还具备在形成所述第一荧光体层之后、形成所述透明材料之前，在所述第一金属柱的与所述第一布线层相对的相反侧的面和所述第二金属柱的与所述第二布线层相对的相反侧的面之间施加电压，使所述发光层发光，测量从所述第一主面经由所述第一荧光体层而放出的光的所述发光光谱的工序。
17.如权利要求14所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
基于所述发光光谱，调节所述透明树脂的提供量。
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