JP2012019201A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 171
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 247
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims abstract description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 115
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 115
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 100
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 100
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 36
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 450
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 32
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002258 gallium Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置の製造方法は、第1の主面側から得られる光の発光スペクトルに基づいて、複数の半導体層から選択された半導体層の第1の主面上に、前記光に対して透明な透明材を形成する工程を備えている。また、実施形態によれば、透明材上及び複数の半導体層の第1の主面上に、蛍光体層を形成する工程を備えている。
【選択図】図5
Description
ここで、黄色蛍光体粒子、赤色蛍光体粒子、緑色蛍光体粒子は、発光層12からの励起光によって、それぞれ黄色光、赤色光、緑色光を発する。
赤色蛍光体粒子のみまたは緑色蛍光体粒子のみを微量に含んだ透明材を使うことで、厳密な色調整が可能となる。
図10(a)及び(b)は、第3実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図である。
サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、
(M1−x,Rx)a1AlSib1Oc1Nd1・・・組成式(1)
(MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a1、b1、c1、d1は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.6<a1<0.95、2<b1<3.9、0.25<c1<0.45、4<d1<5.7)を用いることが好ましい。
組成式(1)で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、
(M1−x,Rx)a2AlSib2Oc2Nd2・・・組成式(2)
(MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1、6<d2<11)を用いることが好ましい。
組成式(2)で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
第1の主面と、その反対側に形成された第2の主面と、発光層とをそれぞれ含む複数の半導体層と、
前記第2の主面における前記発光層を有する領域に設けられた第1の電極と、
前記第2の主面に設けられた第2の電極と、
前記半導体層の前記第2の主面側に設けられ、前記第1の電極につながる第1の開口部と、前記第2の電極につながる第2の開口部とを有する第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層の前記第1の開口部に設けられ、前記第1の電極と接続された第1の配線層と、
前記第1の絶縁層の前記第2の開口部に設けられ、前記第2の電極と接続された第2の配線層と、
前記第1の配線層における前記第1の電極に対する反対側の面に設けられた第1の金属ピラーと、
前記第2の配線層における前記第2の電極に対する反対側の面に設けられた第2の金属ピラーと、
前記第1の金属ピラーの側面と前記第2の金属ピラーの側面との間に設けられた第2の絶縁層と、
前記複数の半導体層から選択された半導体層のうち、一部分の前記第1の主面上のみに設けられ、前記発光層が発する光に対して透明な透明材と、
前記透明材を覆うように、前記複数の半導体層すべての前記第1の主面上に設けられた蛍光体層と、
を備えている。
前記透明材が設けられた部分の前記蛍光体層の厚さは、前記透明材が設けられていない部分の前記蛍光体層の厚さよりも薄い。
Claims (18)
- 基板と、第1の主面とその反対側に形成された第2の主面と発光層とを含み、分離溝によって前記基板上で複数に分離された半導体層と、前記基板に対する反対側の前記第2の主面における前記発光層を有する領域に設けられた第1の電極と、前記第2の主面に設けられた第2の電極と、前記半導体層の前記第2の主面側に設けられ、前記第1の電極につながる第1の開口部と前記第2の電極につながる第2の開口部とを有する第1の絶縁層と、を含む積層体における前記第1の絶縁層の前記第1の開口部に、第1の配線層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層の前記第2の開口部に、第2の配線層を形成する工程と、
前記第1の配線層における前記第1の電極に対する反対側の面に、第1の金属ピラーを形成する工程と、
前記第2の配線層における前記第2の電極に対する反対側の面に、第2の金属ピラーを形成する工程と、
前記第1の金属ピラーの側面と前記第2の金属ピラーの側面との間に、第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の主面側から得られる光の発光スペクトルに基づいて、前記複数の半導体層から選択された半導体層の前記第1の主面上に、前記光に対して透明な透明材を形成する工程と、
前記透明材上及び前記複数の半導体層の前記第1の主面上に、蛍光体層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 前記蛍光体層の上面が平坦になるように、前記蛍光体層を形成することを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記透明材を形成する工程は、
液状の透明樹脂を前記第1の主面上に供給する工程と、
前記第1の主面上に供給された透明樹脂を硬化させる工程と、
を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置の製造方法。 - 前記発光スペクトルから、前記複数の半導体層を含むウェーハの面内の色度ばらつきを算出する工程をさらに備え、
前記色度ばらつきに基づいて、前記透明材を形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。 - 前記蛍光体層を相対的に薄くする部分ほど、前記透明材を厚く形成することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記半導体層の前記第1の主面から前記蛍光体層の上面までの距離は、前記透明材が存在する部分と、前記透明材が存在しない部分とで、ほぼ同一であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記透明材を形成する前に、前記基板の除去によって露出された前記第1の主面と、前記第1の配線層との間に電圧を印加して前記発光層を発光させ、前記第1の主面から放出される光の前記発光スペクトルを測定する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
- 基板と、第1の主面とその反対側に形成された第2の主面と発光層とを含み、分離溝によって前記基板上で複数に分離された半導体層と、前記基板に対する反対側の前記第2の主面における前記発光層を有する領域に設けられた第1の電極と、前記第2の主面に設けられた第2の電極と、前記半導体層の前記第2の主面側に設けられ、前記第1の電極につながる第1の開口部と前記第2の電極につながる第2の開口部とを有する第1の絶縁層と、を含む積層体における前記第1の絶縁層の前記第1の開口部に、第1の配線層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層の前記第2の開口部に、第2の配線層を形成する工程と、
前記第1の配線層における前記第1の電極に対する反対側の面に、第1の金属ピラーを形成する工程と、
前記第2の配線層における前記第2の電極に対する反対側の面に、第2の金属ピラーを形成する工程と、
前記第1の金属ピラーの側面と前記第2の金属ピラーの側面との間に、第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の主面上に第1の蛍光体層を形成する工程と、
前記第1の蛍光体層側から得られる光の発光スペクトルに基づいて、前記複数の半導体層から選択された半導体層上の前記第1の蛍光体層上に、前記光に対して透明な透明材を形成する工程と、
前記透明材及び前記第1の蛍光体層上に、第2の蛍光体層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 前記第1の蛍光体層と前記第2の蛍光体層とは、同種の蛍光体粒子を含むことを特徴とする請求項8記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記第1の蛍光体層は、前記第2の蛍光体層よりも、膜厚が薄く、且つ高濃度に蛍光体粒子を含むことを特徴とする請求項8または9に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記第1の蛍光体層及び前記第2の蛍光体層は、前記発光層が発する光に励起されて赤色光を発する赤色蛍光体粒子と、前記発光層が発する光に励起されて緑色光を発する緑色蛍光体粒子とを含み、
前記第1の蛍光体層は、前記第2の蛍光体層よりも、前記赤色蛍光体粒子に対する前記緑色蛍光体粒子の相対濃度が低いことを特徴とする請求項9または10に記載の半導体発光装置の製造方法。 - 前記透明材に前記緑色蛍光体粒子を混入することを特徴とする請求項11記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記第1の蛍光体層及び前記第2の蛍光体層を、それぞれ上面が平坦になるように形成することを特徴とする請求項8〜12のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記透明材を形成する工程は、
液状の透明樹脂を前記第1の蛍光体層上に供給する工程と、
前記第1の蛍光体層上に供給された透明樹脂を硬化させる工程と、
を有することを特徴とする請求項8〜13のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。 - 前記第2の蛍光体層を相対的に薄くする部分ほど、前記透明材を厚く形成することを特徴とする請求項8〜14のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記半導体層の前記第1の主面から前記第2の蛍光体層の上面までの距離は、前記透明材が存在する部分と、前記透明材が存在しない部分とで、ほぼ同一であることを特徴とする請求項8〜15のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記第1の蛍光体層を形成した後、前記透明材を形成する前に、前記第1の金属ピラーの前記第1の配線層に対する反対側の面と、前記第2の金属ピラーの前記第2の配線層に対する反対側の面との間に電圧を印加して前記発光層を発光させ、前記第1の主面から前記第1の蛍光体層を介して放出される光の前記発光スペクトルを測定する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項8〜16のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記発光スペクトルに基づいて、前記透明樹脂の供給量を調整することを特徴とする請求項3または14に記載の半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011112272A JP5759790B2 (ja) | 2010-06-07 | 2011-05-19 | 半導体発光装置の製造方法 |
TW100118289A TWI438947B (zh) | 2010-06-07 | 2011-05-25 | 半導體發光裝置之製造方法 |
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Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010130426 | 2010-06-07 | ||
JP2010130426 | 2010-06-07 | ||
JP2011112272A JP5759790B2 (ja) | 2010-06-07 | 2011-05-19 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2012019201A true JP2012019201A (ja) | 2012-01-26 |
JP5759790B2 JP5759790B2 (ja) | 2015-08-05 |
Family
ID=45052930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2011112272A Expired - Fee Related JP5759790B2 (ja) | 2010-06-07 | 2011-05-19 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
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US (1) | US8399275B2 (ja) |
JP (1) | JP5759790B2 (ja) |
CN (1) | CN102270710B (ja) |
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US10622343B2 (en) | 2015-09-04 | 2020-04-14 | Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited | Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same |
US11742339B2 (en) | 2015-09-04 | 2023-08-29 | Jade Bird Display (shanghai) Limited | Light-emitting diode display panel with micro lens array |
US20170069611A1 (en) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited | Light-emitting diode display panel with micro lens array |
US10304811B2 (en) * | 2015-09-04 | 2019-05-28 | Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited | Light-emitting diode display panel with micro lens array |
US11417641B2 (en) | 2015-09-04 | 2022-08-16 | Jade Bird Display (shanghai) Limited | Light-emitting diode display panel with micro lens array |
US10910356B2 (en) | 2015-09-04 | 2021-02-02 | Jade Bird Display (shanghai) Limited | Light-emitting diode display panel with micro lens array |
US10177127B2 (en) | 2015-09-04 | 2019-01-08 | Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited | Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same |
US10700048B2 (en) | 2015-09-04 | 2020-06-30 | Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited | Projection display system |
US10490714B2 (en) | 2015-12-25 | 2019-11-26 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10193033B2 (en) | 2015-12-25 | 2019-01-29 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10950764B2 (en) | 2017-11-28 | 2021-03-16 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP2019102796A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
WO2022244475A1 (ja) * | 2021-05-20 | 2022-11-24 | Tdk株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201220560A (en) | 2012-05-16 |
JP5759790B2 (ja) | 2015-08-05 |
CN102270710B (zh) | 2015-09-02 |
US20110300644A1 (en) | 2011-12-08 |
TWI438947B (zh) | 2014-05-21 |
CN102270710A (zh) | 2011-12-07 |
US8399275B2 (en) | 2013-03-19 |
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Legal Events
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A977 | Report on retrieval |
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