CN101809768B - 发光器件封装 - Google Patents

发光器件封装 Download PDF

Info

Publication number
CN101809768B
CN101809768B CN2008801089956A CN200880108995A CN101809768B CN 101809768 B CN101809768 B CN 101809768B CN 2008801089956 A CN2008801089956 A CN 2008801089956A CN 200880108995 A CN200880108995 A CN 200880108995A CN 101809768 B CN101809768 B CN 101809768B
Authority
CN
China
Prior art keywords
phosphor
light
luminescent device
layer
phosphor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008801089956A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101809768A (zh
Inventor
金忠烈
任炯硕
安重仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020070088287A external-priority patent/KR101360624B1/ko
Priority claimed from KR1020070091807A external-priority patent/KR101393948B1/ko
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN101809768A publication Critical patent/CN101809768A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101809768B publication Critical patent/CN101809768B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

实施方案涉及一种发光器件封装。该发光器件封装包括：包括多层腔的主体；在所述腔中的发光器件；密封所述发光器件并包括第一磷光体的第一磷光体层；和在所述第一磷光体层上的包括第二磷光体的第二磷光体层，所述第二磷光体和所述第一磷光体具有不同的比重。

Description

发光器件封装
技术领域
实施方案涉及一种发光器件封装。 
背景技术
发光二极管(LED)可以通过利用例如GaAs族、AlGaAs族、GaN族、InGaN族和InGaAlP族的化合物半导体材料配置发光源来显示各种颜色。 
LED的特性可以通过化合物半导体的材料、颜色和发光、发光强度的范围等确定。LED被封装并用于各种领域，例如显示颜色的开/关显示器、文字数字显示器、图像显示器等。 
发明内容
技术问题 
实施方案提供一种可以在腔中形成不同颜色的磷光体层的发光器件封装。 
实施方案提供一种可以在发光器件上布置不同种类的磷光体的发光器件封装。 
实施方案提供一种发光器件封装，其中可以将磷光体分散在腔的中央区域和侧面区域以发射均匀的白光。 
技术方案 
一个实施方案提供一种发光器件封装，其包括：包括多层腔的主体；在所述腔中的发光器件；密封所述发光器件并包括第一磷光体的第一磷光体层；和在所述第一磷光体层上的包括第二磷光体的第二磷光体层，所述第二磷光体和所述第一磷光体具有不同的比重。 
一个实施方案提供一种发光器件封装，其包括：包括腔的主体；在 所述腔中的发光器件；电连接所述发光器件的多个引线图案；密封所述发光器件并包括靠近所述发光器件的第一磷光体的第一磷光体层；和在所述第一磷光体层上的包括第二磷光体的第二磷光体层，所述第二磷光体和所述第一磷光体具有不同的比重。 
有益效果 
实施方案可改善白色均匀性。 
实施方案可改善白色发光器件封装的可靠性。 
附图说明
图1是根据第一实施方案的发光器件封装的侧截面图。 
图2是根据第二实施方案的发光器件封装的侧截面图。 
图3是根据第三实施方案的发光器件封装的侧截面图。 
图4是说明从图3的发光器件封装发射的光的分布的示意图。 
具体实施方式
以下，将参照附图详细描述实施方案。 
图1是根据第一实施方案的发光器件封装的侧截面图。 
参照图1，发光器件封装100包括：主体110、多个引线图案118和119、发光器件120、第一磷光体层130以及第二磷光体层140。 
主体110可由树脂材料例如PPA(聚邻苯二甲酰胺)、PC热塑性树脂、绝缘材料等形成。在主体110的上侧处形成上层部115。上层部115可与主体110整体注塑成型，或者与主体110单独连接。 
主体110具有60mm至140mm的厚度T1，上层部115具有20mm至100mm的厚度T2。也就是说，上层部115和主体110具有至少20mm的厚度差，并且该厚度差可以随磷光体的尺寸变化。 
主体110具有形成于其中的多层结构的第一和第二腔112和116。第一腔112对应于第一层区，第二腔116对应于第一层区上的第二层区。第一和第二腔112和116的侧面112A和116A是倾斜的。在第一和第二腔112 和116的侧面112A和116A上可以形成反射材料层或反射片。 
多个引线图案118、119中的每一个均具有暴露于第一和第二腔112、116的一端以及穿透主体110并暴露于外侧的另一端。引线图案118、119插入穿透主体110的结构中，并且随后通过注塑成型布置在第一和第二腔112、116中。在多个引线图案118、119中，第一引线图案118可以延伸至第一腔112的底面。然而，本发明不限于这些引线图案的上述形状。 
发光器件120设置在第一腔112中，并且与第一和第二引线图案118和119电连接。发光器件120通过导电粘合剂与第一引线图案118连接，并且通过导线122与第二引线图案119连接。发光器件120可以以倒装方式安装。然而，本发明不限于此。 
发光器件120可使用至少一个蓝色LED芯片。然而，本发明不限于此。 
第一磷光体层130在第一腔112的区域中形成并包括第一磷光体132。第二磷光体层140在第二腔116的区域中形成，并且包括第二磷光体142。 
第一和第二磷光体层130和140是透明树脂材料例如环氧树脂、硅树脂等和磷光体132、142的混合物。第一磷光体层130可以形成为一定厚度以覆盖发光器件120，第二磷光体层140可以在主体110的上层部119的厚度范围T2、例如20～100mm的厚度范围内形成。 
第二磷光体层140在第一磷光体层130上形成。第二磷光体层140可以在第一磷光体层130固化之后或之前进行模制。在第二磷光体层140上可以设置透镜(例如：凸透镜)。 
第一磷光体132和第二磷光体142是发射具有不同光谱的光的磷光体。第一磷光体132和第二磷光体142之一可以是绿色磷光体，而另一个可以是红色磷光体。此处，红色磷光体可以使用(Sr，Ca)-Ge-S:Eu族，绿色磷光体可以使用(Ba，Sr，Ca)2SiO4:Eu或SrGa2S4:Eu族。然而，本发明不限于此。 
此外，当添加第一磷光体层130的第一磷光体132，例如具有比树脂材料高的比重的绿色磷光体时，第一磷光体132在第一磷光体层130中以漂浮状态固化。此时，第一磷光体层130的大部分第一磷光体132布置在发光器件120上。在此情况下，在发光器件120上可以设置发射具有不同光谱的光的磷光体。 
或者，可以向第一磷光体层130添加纳米尺寸的填料(未显示)。填料的作用是使第一磷光体132漂浮。 
此外，当添加第二磷光体层140的第二磷光体142，例如具有比树脂材料高的比重的红色磷光体时，第二磷光体142在第二磷光体层140中以沉淀状态固化。磷光体的比重可以通过树脂材料的比重确定，并且磷光体的比重的差异可以随构成磷光体的材料变化。 
布置在发光器件120上的第一磷光体132和第二磷光体142可以将从发光器件120发射的光转化成具有均匀强度的激发光。 
第一磷光体层130和第二磷光体层140中至少之一的表面可以形成为凹透镜形状、平坦形状和凸透镜形状中的至少一种。例如，第一磷光体层130的表面可以形成为平坦形状或凸透镜形状，第二磷光体层140的表面可以形成为凸透镜形状或凹透镜形状。 
发光器件封装100发射白光。发光器件120可以为例如蓝色LED芯片，第一磷光体132可以为例如红色磷光体，第二磷光体142可以为例如绿色磷光体。发光器件120发射蓝光，第一磷光体层130的第一磷光体132吸收部分蓝光以发射红光，第二磷光体层140的第二磷光体142吸收部分蓝光以发射绿光。 
发光器件封装100发射白光，白光是蓝光、绿光和红光的混合光。作为另一实例，可以在第一磷光体层130中添加绿色磷光体，可以在第二磷光体层140中添加红色磷光体。 
此外，第一磷光体层130或第二磷光体层140可包含两种磷光体。例如，第一磷光体层130的第一磷光体132可以是红色磷光体，第二磷光体层140的第二磷光体142可包含蓝色磷光体和绿色磷光体。在此情况下，当发光器件120是UV(紫外)LED芯片时，发光器件封装100可发射通过混合从磷光体发射的红光、蓝光和绿光而制成的白光。 
发光器件封装100可以通过将发射不同颜色光的第一和第二磷光体132、142均匀分配在发光器件120上来改善白色均匀性。 
图2是根据第二实施方案的发光器件封装的侧截面图。在第二实施方案的说明中，将省略与第一实施方案中相同的要素的说明。 
参照图2，发光器件封装200包括：具有多个层部211、213、215的 多层主体210；腔212、214、216；多个引线图案218、219；发光器件220；第一磷光体层230；第二磷光体层240和第三磷光体层250。 
主体210形成为由多个层部211、213、215构成的堆叠结构。多个层部211、213、215可以整体注塑成型或单独连接。主体210的第一层部211可具有60mm至140mm的厚度T3，第二层部213可具有20mm至100m的厚度T4，第三层部215可具有20mm至100mm的厚度T5。第二层部213和第三层部215形成为至少20mm的厚度并且第一层部213和第二层部215的厚度可以随磷光体的尺寸变化。 
在主体210中形成为多层结构的腔212、214、216彼此连通。第一腔212对应于最下层区，第二腔214对应于中间层区，第三腔216对应于最上层区。 
腔212、214、216的侧面212A、214A和216A是倾斜的。在腔212、214、216的侧面212A、214A和216A上可形成反射材料层。侧面212A、214A、216A可形成为相同的倾斜角或不同的倾斜角。 
多个引线图案218、219可以在主体210的第一层部211和第二层部213之间穿过，第一引线图案218延伸到第一腔212的底面。 
发光器件220可以与多个引线图案218、219电连接。发光器件220通过导电粘合剂与第一引线图案218连接并且通过导线222与第二引线图案219连接。 
发光器件220可以通过UV LED芯片实现。然而，本发明不限于此。 
第一磷光体层230包括第一磷光体231，并且形成于第一腔212中。第二磷光体层240包括第二磷光体241，并且形成于第二腔214中。第三磷光体层250包括第三磷光体251，并且形成于第三腔216中。 
第一磷光体层230可以为一定厚度以覆盖发光器件220，第二磷光体层240可以在主体210的第二层部213的厚度范围T4例如20～100mm的厚度范围内形成，第三磷光体层250可以在主体210的第三层部215的厚度范围T5例如20～100mm的厚度范围形成。 
第二磷光体层240可以在第一磷光体层230固化之后或在第一磷光体层230完全固化之前进行模制。 
第一至第三磷光体层230、240、250的表面可以形成为凹透镜形状、 凸透镜形状和平坦形状中的至少之一。例如，第一磷光体230和第二磷光体240的表面可以形成为凸透镜形状，第三磷光体250的表面可以形成为平坦形状或凸透镜形状。 
发光器件封装200发射白光。例如，当发光器件220是UV LED芯片时，第一磷光体231、第二磷光体241和第三磷光体251可使用不同的磷光体，例如红色磷光体、绿色磷光体和蓝色磷光体。例如，第一磷光体231可以是红色磷光体，第二磷光体241可以是绿色磷光体，第三磷光体251可以是蓝色磷光体。磷光体的类型可以变化而不限于上述实例。红色磷光体可通过(Sr，Ca)-Ge-S:Eu族实现，绿色磷光体可以通过(Ba，Sr，Ca)2SiO4:Eu或SrGa2S4:Eu族实现，蓝色磷光体可以通过ZnS:Ag，Dy，Br族实现。然而，本发明不限于此。 
第一磷光体层230的第一磷光体231可使用具有比树脂材料低的比重的磷光体。此时，第一磷光体231在第一磷光体层230中以漂浮状态固化，并且随后设置在发光器件220上。 
或者，可以向第一磷光体层230添加纳米尺寸的填料(未显示)。填料的作用是使第一磷光体231漂浮。 
发光器件封装200可通过在其上布置具有不同颜色的磷光体231、241、251并利用磷光体231、241、251将从发光器件220发射的光转化成白光而发射白光。因此，发光器件封装200可改善白色均匀性。 
图3是根据第三实施方案的发光器件封装的侧截面图，图4是说明从图3的发光器件封装发出的光的分布的示意图。在第三实施方案的说明中，将省略与第一实施方案中相同的要素的说明。 
参照图3，发光器件封装300包括：下主体310、引线图案311、上主体312、腔315、发光器件320、第一磷光体层330、透明树脂层332和第二磷光体层334。 
在下主体310上形成多个引线图案311。多个引线图案311暴露于下主体310的外侧，并且用作电极。 
将上主体312连接在下主体310上，上主体312的内部开口用作主体310、312的腔315。 
腔315的侧面314可以形成为相对于腔315的底面向外倾斜以沿着光 输出方向反射光。在侧面314上可形成反射材料层或反射片。 
发光器件320包括至少一个蓝色LED芯片，并且可以根据LED芯片的类型以倒装方式或通过导线322电连接至引线图案311。 
在腔315中堆叠第一磷光体层330、透明树脂层332和第二磷光体层334。在多个引线图案311上安装发光器件320之后，模制并固化第一磷光体层330。在第一磷光体层330固化之后，在第一磷光体层330上模制并固化透明树脂层332。在透明树脂层332固化之后，在透明树脂层332上安装并固化第二磷光体层334。此处，各层330、332、334的固化状态对应于树脂材料的半固化状态或全固化状态。 
第一磷光体层330可以形成为距离腔315底表面约100mm至150mm的厚度T6。第一磷光体层330可以模制为厚度T6，其对应于小于腔315内体积一半的容量。第一磷光体层330的厚度T6允许完全密封发光器件320。当使用导线322时，导线322可以被部分密封。 
第一磷光体层330包括树脂材料例如硅树脂或环氧树脂以及添加到树脂材料中的第一磷光体331。第一磷光体331是由选自氧化物、氮化物和硫化物中至少一种形成的黄色磷光体。 
此处，第一磷光体331的比重可以比树脂材料的比重高。例如，当树脂材料具有1～2的比重时，第一磷光体的比重可以大于3。如果第一磷光体层330中第一磷光体331的比重比树脂材料的比重高，则大部分第一磷光体331沉淀至第一磷光体层331的下部，并且沿着发光器件320的侧方向设置。 
透明树脂层332在腔315的第一磷光体层330上形成。透明树脂层332由树脂材料例如硅树脂或环氧树脂制成，并且可由与第一磷光体层330的树脂材料相同的材料形成。 
在透明树脂层332上形成第二磷光体层334。第二磷光体层334可以形成为预定厚度T2，例如，距离透明树脂层332的顶表面约30～100mm的厚度。第二磷光体层334由树脂材料例如硅树脂或环氧树脂制成，并且可由与透明树脂层332相同的材料形成。在第二磷光体层334中添加第二磷光体335。第二磷光体335是由选自氧化物、氮化物和硫化物中至少一种形成的黄色磷光体。 
第二磷光体335的颗粒尺寸可与第一磷光体331的颗粒尺寸不同。例 如，第二磷光体335的颗粒尺寸可小于第一磷光体331的颗粒尺寸的1/10。由于第二磷光体335的颗粒尺寸小，所以第二磷光体335在第二磷光体层334中向上漂浮。 
或者，可以在第二磷光体层334中添加纳米尺寸填料(未显示)。填料的作用是使第二磷光体334漂浮。当使用填料时，不必考虑第二磷光体层334的第二磷光体335和第一磷光体层330的第一磷光体331的颗粒尺寸、比重和组成。 
可以在第二磷光体层334上形成凸透镜或凹透镜。此外，第一磷光体层330、透明树脂层332和第二磷光体层334中的至少之一的表面可以形成为凹透镜形状、平坦形状和凸透镜形状中的至少之一。 
在发光器件封装300中，相对厚的第一和第二磷光体层330、334沿侧方向设置，相对薄的第一和第二磷光体层330、334沿向上的方向设置。 
在发光器件320的侧方向上，第一和第二磷光体层330、334促进电光转换操作，在向上的方向上，第二磷光体层334促进电光转换操作。 
参照图4，由发光器件320产生的蓝光发射到整个区域。沿侧方向发射的部分蓝光穿过第一磷光体层330和第二磷光体层334。此时，在腔315的侧面区域中，发光器件320的蓝光与第一和第二磷光体331、335的黄光混合，使得发射浅黄色白光L1。也就是说，由于第一磷光体层330和第二磷光体层334用作发光器件320侧方向上的黄色磷光体层，所以可以将混合光转化成浅黄色白光。 
沿发光器件320的向上方向发射的部分蓝光穿过第二磷光体层334。此时，在腔315的中央区域处，发光器件320的蓝光与第二磷光体335的黄光混合，使得发射浅蓝色白光L2。也就是说，由于第二磷光体层334用作发光器件320的向上方向上的黄色磷光体层，所以可以将混合光转化成浅蓝色白光。 
从腔315的中央区域发射浅蓝色白光L2，从腔315的中央周边区域发射浅黄色白光L1。因此，相对薄的第二磷光体层334设置在腔315的中央区域处，第一和第二磷光体331、335以均匀的分布分散在发光器件320的周边区域处。因此，发光器件封装300可均匀地发射白光。 
所述实施方案是示例性实施方案。每个实施方案的技术特征和结构特征均可以适用于另一实施方案的特征，而不限于每个实施方案。此外，本 领域的技术人员可以实现制造发光器件封装的方法。 
虽然已经参照本发明的若干示例性实施方案描述本发明，但是应理解，本领域的技术人员可以设计多种其它修改方案和实施方案，它们也在本公开内容的原理的精神和范围内。更具体地，可以对本公开内容、附图和所附权利要求中的主题组合布置的组成部件和/或布置进行各种变化和修改。除了对组成部件和/或布置进行变化和修改之外，可替代使用对本领域的技术人员而言也是明显的。 
工业实用性 
所述实施方案涉及LED封装，并且可以适用于显示颜色的开/关显示器、文字数字显示器、图像显示器等。 

Claims (15)

1.一种发光器件封装，其包括：
包括腔的主体，所述腔包括至少一层；
在所述腔中的发光器件；
密封所述发光器件并包括第一磷光体、纳米尺度填料和树脂材料的第一磷光体层；和
在所述第一磷光体层上的包括第二磷光体的第二磷光体层，
其中所述纳米尺度填料的作用为使所述第一磷光体漂浮以形成为在所述第一磷光体层中所述第一磷光体全部覆盖在所述发光器件上方。
2.权利要求1所述的发光器件封装，其包括在所述腔中在所述第二磷光体层上的包括第三磷光体的第三磷光体层。
3.权利要求1所述的发光器件封装，其中所述第一磷光体发射具有与所述第二磷光体的光谱不同的光谱的光，并且所述第一磷光体的比重比所述第二磷光体的比重低。
4.权利要求2所述的发光器件封装，其中所述第一磷光体、所述第二磷光体和所述第三磷光体发射具有不同光谱的光，并且所述第一磷光体具有比所述第二磷光体的比重低的比重。
5.权利要求1所述的发光器件封装，其中所述第一磷光体发射具有与所述第二磷光体的光谱相同的光谱的光，并且所述第一磷光体具有比所述第二磷光体的比重高的比重。
6.权利要求1所述的发光器件封装，其中所述第一磷光体层或所述第二磷光体层包括至少两种磷光体。
7.权利要求2所述的发光器件封装，其中所述第二磷光体层和所述第三磷光体层均具有20～100mm的厚度。
8.权利要求1所述的发光器件封装，其中所述发光器件是蓝色LED芯片，所述第一磷光体包括红色磷光体，所述第二磷光体包括绿色磷光体。
9.权利要求2所述的发光器件封装，其中所述发光器件是UV LED芯片，并且所述第一至第三磷光体包括红色磷光体、绿色磷光体和蓝色磷光体中的至少之一。
10.权利要求1所述的发光器件封装，其包括在所述第一磷光体层和所述第二磷光体层之间的透明树脂层。
11.权利要求1所述的发光器件封装，其中所述发光器件封装还包括电连接所述发光器件的多个引线图案，并且其中所述第一磷光体的比重大于3或大于构成所述第一磷光体层的材料的比重。
12.权利要求1所述的发光器件封装，其中所述发光器件封装还包括电连接所述发光器件的多个引线图案，并且其中所述第二磷光体的颗粒尺寸小于所述第一磷光体的颗粒尺寸的1/10。
13.权利要求1所述的发光器件封装，其中所述发光器件封装还包括电连接所述发光器件的多个引线图案，并且其中所述第二磷光体层包括纳米尺度填料。
14.权利要求1所述的发光器件封装，其中所述发光器件封装还包括电连接所述发光器件的多个引线图案，并且其中所述发光器件是蓝色LED芯片，在所述腔的中央区域处从所述发光器件发射的光是浅蓝色白光，在所述腔的中央周边区域处从所述发光器件发射的光是浅黄色白光。
15.权利要求1所述的发光器件封装，其中所述发光器件封装还包括电连接所述发光器件的多个引线图案，并且其中所述第一磷光体层形成的量大于所述腔的内体积的一半。
CN2008801089956A 2007-08-31 2008-08-26 发光器件封装 Active CN101809768B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2007-0088287 2007-08-31
KR1020070088287A KR101360624B1 (ko) 2007-08-31 2007-08-31 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR1020070091807A KR101393948B1 (ko) 2007-09-10 2007-09-10 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR10-2007-0091807 2007-09-10
PCT/KR2008/004999 WO2009028861A2 (en) 2007-08-31 2008-08-26 Light emitting device package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101809768A CN101809768A (zh) 2010-08-18
CN101809768B true CN101809768B (zh) 2012-04-25

Family

ID=40388008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008801089956A Active CN101809768B (zh) 2007-08-31 2008-08-26 发光器件封装

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8344400B2 (zh)
EP (1) EP2191517B1 (zh)
JP (1) JP5405467B2 (zh)
CN (1) CN101809768B (zh)
WO (1) WO2009028861A2 (zh)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
KR101172143B1 (ko) * 2009-08-10 2012-08-07 엘지이노텍 주식회사 백색 발광다이오드 소자용 시온계 산화질화물 형광체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 백색 ｌｅｄ 소자
KR101163902B1 (ko) * 2010-08-10 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
WO2011028033A2 (ko) 2009-09-02 2011-03-10 엘지이노텍주식회사 형광체, 형광체 제조방법 및 백색 발광 소자
CN102155635A (zh) * 2010-02-11 2011-08-17 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管模组
US10359151B2 (en) 2010-03-03 2019-07-23 Ideal Industries Lighting Llc Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics
US9316361B2 (en) 2010-03-03 2016-04-19 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration
US8632196B2 (en) 2010-03-03 2014-01-21 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US9625105B2 (en) 2010-03-03 2017-04-18 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
KR101064020B1 (ko) * 2010-04-23 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR101064036B1 (ko) * 2010-06-01 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
JP5759790B2 (ja) * 2010-06-07 2015-08-05 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
KR101141470B1 (ko) 2010-07-08 2012-05-04 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP5486431B2 (ja) * 2010-07-27 2014-05-07 日東電工株式会社 発光装置用部品、発光装置およびその製造方法
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
EP3716331B1 (en) * 2010-12-28 2023-06-28 Nichia Corporation Light emitting device
US11251164B2 (en) * 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
CN102646761B (zh) 2011-02-21 2014-10-15 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装制程
KR20120128962A (ko) 2011-05-18 2012-11-28 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP5863291B2 (ja) * 2011-06-28 2016-02-16 株式会社小糸製作所 平面発光モジュール
KR20130014256A (ko) * 2011-07-29 2013-02-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 조명 시스템
EP2764292B1 (en) 2011-09-08 2016-06-01 LG Innotek Co., Ltd. Lighting module
JP5972571B2 (ja) * 2011-12-28 2016-08-17 日東電工株式会社 光半導体装置および照明装置
JP6382792B2 (ja) * 2012-03-30 2018-08-29 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 発光デバイス及び波長変換材料を含む光学キャビティ
JP6435258B2 (ja) 2012-03-30 2018-12-05 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 波長変換側面被覆を具備する発光装置
JP6065408B2 (ja) * 2012-04-27 2017-01-25 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5928611B2 (ja) * 2012-12-28 2016-06-01 信越化学工業株式会社 発光装置
JP6102273B2 (ja) * 2013-01-18 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US9728685B2 (en) 2013-02-28 2017-08-08 Nichia Corporation Light emitting device and lighting device including same
JP6291734B2 (ja) * 2013-06-28 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2015012299A (ja) 2013-06-28 2015-01-19 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光デバイス及びその製造方法
JP6291735B2 (ja) * 2013-07-05 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6237174B2 (ja) 2013-12-05 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2016058614A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、及び照明装置
JP6354626B2 (ja) * 2015-03-09 2018-07-11 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP6561861B2 (ja) * 2015-04-08 2019-08-21 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017045807A (ja) * 2015-08-25 2017-03-02 デクセリアルズ株式会社 発光装置、及び発光装置の製造方法
FR3053437B1 (fr) * 2016-06-30 2019-06-28 Valeo Vision Dispositif d'eclairage et/ou de signalisation ameliore, notamment pour vehicule automobile
KR20180070149A (ko) * 2016-12-16 2018-06-26 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
DE102017101267B4 (de) * 2017-01-24 2023-11-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP7248379B2 (ja) * 2017-07-24 2023-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102017117488A1 (de) * 2017-08-02 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
CN109713107A (zh) * 2018-12-13 2019-05-03 佛山市国星光电股份有限公司 支架结构、led器件和灯组阵列
JP2020053697A (ja) * 2019-12-09 2020-04-02 デクセリアルズ株式会社 発光装置、及び発光装置の製造方法
US20220173283A1 (en) * 2020-11-30 2022-06-02 Nichia Corporation Light-emitting device and planar light source

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2586251Y (zh) * 2002-12-04 2003-11-12 银河光电股份有限公司 白光发光二极管的封装结构
WO2005067068A1 (en) * 2004-01-02 2005-07-21 Mediana Electronics Co., Ltd. White led device comprising dual-mold and manufacturing method for the same
US20060022582A1 (en) * 2004-08-02 2006-02-02 Gelcore, Llc White LEDs with tunable CRI

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3486345B2 (ja) * 1998-07-14 2004-01-13 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光装置
US6867542B1 (en) * 2000-03-29 2005-03-15 General Electric Company Floating chip photonic device and method of manufacture
MY131962A (en) * 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
EP2017901A1 (en) * 2001-09-03 2009-01-21 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting DEV
JP4197109B2 (ja) * 2002-08-06 2008-12-17 静雄 藤田 照明装置
US6917057B2 (en) * 2002-12-31 2005-07-12 Gelcore Llc Layered phosphor coatings for LED devices
JP3717480B2 (ja) * 2003-01-27 2005-11-16 ローム株式会社 半導体発光装置
JP4451178B2 (ja) * 2004-03-25 2010-04-14 スタンレー電気株式会社 発光デバイス
JP2005302920A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Shoei Chem Ind Co 発光装置
JP4880887B2 (ja) * 2004-09-02 2012-02-22 株式会社東芝 半導体発光装置
JP4582773B2 (ja) * 2004-09-14 2010-11-17 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ装置
CN101023535B (zh) * 2004-09-22 2010-06-02 株式会社东芝 发光装置与使用该发光装置的背照光及液晶显示装置
JP4389126B2 (ja) * 2004-10-04 2009-12-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
DE102005046420B4 (de) * 2004-10-04 2019-07-11 Stanley Electric Co. Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Halbleitervorrichtung
JP2006114637A (ja) * 2004-10-13 2006-04-27 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2006135002A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Koito Mfg Co Ltd 発光デバイス及び車両用灯具
JP4802533B2 (ja) * 2004-11-12 2011-10-26 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP2006261554A (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Kyocera Corp 発光ダイオード装置
JP4707433B2 (ja) * 2005-03-29 2011-06-22 京セラ株式会社 発光装置および照明装置
JP4574417B2 (ja) * 2005-03-31 2010-11-04 シャープ株式会社 光源モジュール、バックライトユニット、液晶表示装置
JP2007049114A (ja) * 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
JP4890152B2 (ja) * 2005-11-08 2012-03-07 シャープ株式会社 発光装置
JP2007116117A (ja) * 2005-09-20 2007-05-10 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
JP2007088261A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置
JP2007103512A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Kyocera Corp 発光装置
JP4799341B2 (ja) * 2005-10-14 2011-10-26 株式会社東芝 照明装置
JP3978456B2 (ja) * 2005-11-02 2007-09-19 株式会社トリオン 発光ダイオード実装基板
JP4993434B2 (ja) * 2005-11-18 2012-08-08 スタンレー電気株式会社 白色ｌｅｄ照明装置
JP4769132B2 (ja) * 2005-11-30 2011-09-07 シャープ株式会社 発光装置
JP2007329370A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 C I Kasei Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2586251Y (zh) * 2002-12-04 2003-11-12 银河光电股份有限公司 白光发光二极管的封装结构
WO2005067068A1 (en) * 2004-01-02 2005-07-21 Mediana Electronics Co., Ltd. White led device comprising dual-mold and manufacturing method for the same
US20060022582A1 (en) * 2004-08-02 2006-02-02 Gelcore, Llc White LEDs with tunable CRI

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2006-261554A 2006.09.28
JP特开2007-173397A 2007.07.05

Also Published As

Publication number Publication date
EP2191517A2 (en) 2010-06-02
US20100237370A1 (en) 2010-09-23
US8344400B2 (en) 2013-01-01
JP5405467B2 (ja) 2014-02-05
JP2010538453A (ja) 2010-12-09
EP2191517B1 (en) 2017-11-29
EP2191517A4 (en) 2013-07-31
WO2009028861A3 (en) 2009-04-23
CN101809768A (zh) 2010-08-18
WO2009028861A2 (en) 2009-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101809768B (zh) 发光器件封装
JP5290368B2 (ja) ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子およびその製造方法、ｌｅｄ照明装置、光源
EP2620989B1 (en) Semiconductor light-emitting device
KR101251821B1 (ko) 발광 소자 패키지
TWI550917B (zh) 發光裝置
CN102376849B (zh) 半导体发光装置
CN102790162B (zh) 发光器件封装件及其制造方法
EP2963685A1 (en) Light emitting device
TWI419372B (zh) 發光二極體的封裝結構與封裝製程
JP4673986B2 (ja) 表面実装方発光ダイオードの製造方法
CN102800790B (zh) 发光器件
CN1937268A (zh) 发光二极管封装及其制造方法
CN105280786A (zh) 发光装置及其制造方法
CN101755346A (zh) 发光器件封装
CN104241510A (zh) 发光装置
CN102723410A (zh) 发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件
CN104205378A (zh) 具有高度反射性载体的led模块
CN104716131B (zh) 发光装置的制造方法以及发光装置
JP6561861B2 (ja) 発光装置の製造方法
US10629785B2 (en) Light-emitting device
US11355678B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same
US20220199877A1 (en) Method of manufacturing light-emitting device, and light-emitting device
JP7161132B2 (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置
US11710809B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the light-emitting device
JP2009054694A (ja) 発光装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210825

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG INNOTEK Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right