CN102194729A - 基板处理装置、基板处理方法和存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板处理装置、基板处理方法和存储介质。本发明提供在反复进行从模块组中编号顺序小的模块向编号顺序大的模块依次搬送基板的搬送循环的基板处理装置中，在出现不能够使用的模块，之后该模块变得能够使用时，能够以高生产率处理基板的技术。控制搬送部件，使得将从多模块的前一个模块搬出的基板，对于构成多模块的模块组中以与该基板的搬出时最接近的时刻搬出基板的模块，在上述基板的搬入顺序中搬入下一模块。

Description

基板处理装置、基板处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及具有载置各个基板并且搬送编号顺序已被确定的模块组，基板依次从模块组中编号顺序较小的模块被搬送至编号顺序较大的模块而进行规定的处理的基板处理装置、基板处理方法和存储介质。
背景技术
用于在基板上形成抗蚀剂图案的涂敷、显影装置包括：作为搬送基板的搬送容器的基板载体被搬入的载体块；包括在基板上形成抗蚀剂膜的块和对曝光后的基板进行显影的块的处理块；和与曝光装置连接的接口块。例如，在专利文献1记载有下述结构：作为将涂敷膜形成于基板的块，用于将反射防止膜形成于基板的涂敷块和用于将抗蚀剂膜形成于基板的涂敷块上下叠层，进而用于对基板进行显影的显影块对涂敷块叠层。
在这样的涂敷、显影装置中，对各段的块的每一个形成有水平的直线搬送通路，在该搬送通路的两侧排列有处理模块。而且，对各段的块的每一个，设置有用于搬入基板的交接模块和用于搬出由该块进行的一系列的处理结束后的基板的交接模块。这些模块组利用搬送基板的编号顺序已被确定且具有两个以上的臂的搬送部件，从一个模块取出基板，在接受下一个模块的基板之后，将先前的基板交至该下一个基板，这样通过将置于各模块的基板移至一个编号顺序为后的模块，实施一个搬送循环，该搬送循环重复进行。为了提高生产率，在模块组中包括由搬送的编号顺序相同且对基板进行相同处理的三个以上的模块构成的多模块。
在多模块中，由于装置的问题、维修等，存在模块不能够使用的状态。如果在涂敷、显影装置运转时出现这样的不能够使用的模块，则该模块需要排除在搬送行程表之外。此时，在除外对象的模块内存在基板时，在搬送循环中如何将该基板取出至装置之外，或者在除外对象的模块即不能够使用的模块变得能够使用时，如何高效地将该模块编入搬送行程表中均是需要解决的问题。
在专利文献2中，记载有在出现不能够使用的模块时使前一模块的基板退避至退避模块的方案，但是，在此情况下，必须准备预见到可能会出现多个不能够使用的模块的情况下的多数的退避模块。另外，该专利文献2中并没有记载在除外对象的模块内留弃的基板的处理。
专利文献1：日本特开2009-099577
专利文献2：日本特开2006-203003
发明内容
本发明鉴于上述问题而提出，其目的在于提供下述技术：在基板依次从模块组中编号顺序较小的模块被搬送至编号顺序较大的模块的搬送循环反复进行的基板处理装置中，在出现不能够使用的模块而此后该模块变得能够使用时，能够以高生产率处理基板。
本发明的基板处理装置包括载置各基板且搬送的编号顺序已被确定的模块组，在模块组中，包括搬送的编号顺序相同且对基板进行相同处理的三个以上的模块所构成的多模块，
利用搬送部件从一个模块取出基板，在接受下一模块的基板之后将先前的基板交于该下一模块，这样通过将置于各模块中的基板向一个编号顺序为后的模块移动而进行一个搬送循环，在进行该一个搬送循环之后，进入下一搬送循环，通过依次进行各搬送循环，基板依次从上述模块组中的编号顺序小的模块被搬送至编号顺序大的模块，并被实施规定的处理，
在通常时，从之前的模块对上述多模块的各模块以规定的顺序分配基板，对于构成上述多模块的多个模块，搬入基板的编号顺序已被确定，在向编号顺序为最后的模块搬入基板之后，向编号顺序为最前的模块搬入基板，
该基板处理装置的特征在于，包括：
存储部，其存储对基板分配编号顺序，将使基板的编号顺序与各模块相关联并指定搬送循环的搬送循环数据依时间顺序排列而制成的搬送行程表；和
控制部，其以参照上述搬送行程表，将写入搬送循环数据的基板搬送至与该基板对应的模块的方式控制上述搬送部件，由此实施搬送循环，
上述控制部控制上述搬送部件，使得，
在从构成上述多模块的模块中的至少一个模块不能够使用且其它的模块能够使用的状态，不能够使用的模块恢复能够使用的状态时，
将从上述多模块的前一个模块搬出的基板，
对于构成多模块的模块组中以与该基板搬出时最接近的时刻搬出基板的模块，在上述基板的搬入顺序中搬入下一模块。
例如，构成为对上述模块组中的下游端的模块，与上述搬送部件不同的其它搬送部件进行基板的接收，
上述控制部控制搬送部件，使得在将从上述多模块的前一个模块搬出的基板搬入上述不能够使用的模块时，在该不能够使用的模块内存在基板的情况下，取出该基板，由上述其它搬送部件搬送至能够交接的模块。此时的特征是，例如在上述不能够使用的模块内存在的基板的搬送目的地为上述下游端的模块。
例如，分别载置基板并且搬送的编号顺序已被确定的模块组是，在对基板涂敷抗蚀剂并且使曝光后的基板显影的涂敷、显影装置中使用，用于在曝光前对基板形成涂敷膜的模块组。
载置各基板且搬送的编号顺序已被确定的模块组是，使用于对基板涂敷抗蚀剂并且使曝光后的基板显影的涂敷、显影装置中，用于进行在曝光后对基板进行的、包括显影的处理的模块组。此外，对用于在曝光前对基板形成涂敷膜的模块组进行基板的搬送的搬送机构，构成为能够沿着水平的直线搬送通路移动，
对用于进行作为在曝光后对基板进行的处理的包括显影的处理的模块组进行基板的搬送的搬送机构，构成为能够沿着与上述直线搬送通路不同的另外设置的水平的直线搬送通路移动。
本发明的基板处理方法用于基板处理装置，该基板处理装置具有载置各基板并且搬送的编号顺序已被确定的模块组，在模块组中，包括搬送的编号顺序相同且对基板进行相同处理的三个以上的模块构成的多模块，
利用搬送部件从一个模块取出基板，在接受下一模块的基板之后将先前的基板交于该下一模块，这样通过将置于各模块的基板向一个编号顺序为后的模块移动而进行一个搬送循环，在进行该一个搬送循环之后，进入下一搬送循环，通过依次进行各搬送循环，基板依次从上述模块组中的编号顺序小的模块搬送至编号顺序大的模块，并被实施规定的处理，
在通常时，从之前的模块对上述多模块的各模块以规定的顺序分配基板，对于构成上述多模块的多个模块，搬入基板的编号顺序已被确定，在向编号顺序为最后的模块搬入基板之后，向编号顺序为最前的模块搬入基板，
该基板处理方法的特征在于，包括：
对基板分配编号顺序，参照将使基板的编号顺序与各模块相关联并指定搬送循环的搬送循环数据依时间顺序排列而制成的搬送行程表，以将写入搬送循环数据的基板搬送至与该基板对应的模块的方式控制上述搬送部件，由此实施搬送循环的工序；和
以下述方式控制上述搬送部件的工序：
在从构成上述多模块的模块中的至少一个模块不能够使用且其它的模块能够使用的状态，不能够使用的模块恢复能够使用的状态时，
将从上述多模块的前一个模块搬出的基板，
对于构成多模块的模块组中以与该基板搬出时最接近的时刻搬出基板的模块，在上述基板的搬入顺序中搬入下一模块。
例如特征在于，包括下述工序：使用对上述模块组中的下游端的模块进行基板的接收的、与上述搬送部件不同的其它搬送部件，
在将从上述多模块的前一个模块搬出的基板搬入上述不能够使用的模块时，在该不能够使用的模块内存在基板的情况下，取出该基板，由上述其它搬送部件搬送至能够交接的模块。
例如，在上述不能够使用的模块内存在的基板的搬送目的地是上述下游端的模块。此外，分别载置基板并且搬送的编号顺序已被确定的模块组是，在对基板涂敷抗蚀剂并且使曝光后的基板显影的涂敷、显影装置中使用，用于在曝光前对基板形成涂敷膜的模块组。
例如，分别载置基板并且搬送的编号顺序已被确定的模块组是，在对基板涂敷抗蚀剂并且使曝光后的基板显影的涂敷、显影装置中使用，用于进行作为在曝光后对基板进行的处理的包括显影的处理的模块组。
本发明的存储介质是存储在基板处理装置中使用的电脑程序的存储介质，该基板处理装置包括分别载置基板并且搬送的顺序已被确定的模块组，从模块组中编号顺序较小的模块向编号顺序较大的模块依次搬送基板并被实施规定的处理，该存储介质的特征在于：
上述电脑程序以实施上述基板处理方法的方式编写步骤组。
本发明，在构成多模块的模块组中至少一个模块从不能够使用的状态恢复到能够使用的状态时，将从多模块的前一个模块搬出的基板，不是直接搬入已恢复的模块，而是依据对于构成多模块的模块组的基板的搬入顺序进行搬入，因此，能够抑制之后的搬送循环数，结果能够抑制生产率的下降。
附图说明
图1是本发明的涂敷、显影装置的平面图。
图2是上述涂敷、显影装置的立体图。
图3是上述涂敷、显影装置的纵截侧面图。
图4是包含于上述涂敷、显影装置的显影处理单元的立体图。
图5是表示COT层的搬送变更前的搬送状况的说明图。
图6是表示COT层的搬送变更后的搬送状况的说明图。
图7是表示COT层的搬送变更前的搬送状况的说明图。
图8是表示COT层的搬送变更后的搬送状况的说明图。
图9是表示COT层的搬送变更前的搬送状况的说明图。
图10是表示COT层的搬送变更后的搬送状况的说明图。
图11是表示COT层的搬送变更前的搬送状况的说明图。
图12是表示COT层的搬送变更后的搬送状况的说明图。
图13是表示COT层的搬送变更前的搬送状况的说明图。
图14是表示COT层的搬送变更后的搬送状况的说明图。
图15是表示DEV层的搬送变更前的搬送状况的说明图。
图16是上述DEV层的搬送行程表。
图17是表示DEV层的搬送变更前的搬送状况的说明图。
图18是上述DEV层的搬送行程表。
图19是表示DEV层的搬送变更前的搬送状况的说明图。
图20是上述DEV层的搬送行程表。
图21是表示DEV层的搬送变更后的搬送状况的说明图。
图22是上述DEV层的搬送行程表。
图23是表示向显影模块的搬入搬出状况的时序图。
图24是表示向显影模块的搬入搬出状况的时序图。
图25是表示COT层的晶片的搬送状况的说明图。
图26是表示DEV层的晶片的搬送状况的说明图。
图27是表示COT层的晶片的搬送状况的说明图。
图28是表示DEV层的晶片的搬送状况的说明图。
附图标记
W 晶片
BF 交接模块
C 载体
C1 载体块
C2 处理块
C4 接口块
COT 抗蚀剂涂敷模块
CPL 交接模块
DEV 显影模块
F1 DEV层
F2 BCT层
F3 COT层
F4 ITC层
G1 搬送臂
G2 搬送臂
G3 搬送臂
G4 搬送臂
HP 加热模块
1 涂敷、显影装置
100 控制部
20 显影处理单元
具体实施方式
首先，说明作为本发明的基板处理装置的涂敷、显影装置1的结构和该涂敷、显影装置1的搬送路径。此处说明的搬送路径是各模块能够正常使用时的搬送路径。此外，模块是指载置半导体晶片(以下称为晶片)W的部位。图1中表示曝光装置C5与涂敷、显影装置1连接而成的抗蚀剂图案形成系统的平面图，图2是该系统的立体图。此外，图3是该系统的纵截面图。在该涂敷、显影装置1设置有载体块C1，交接臂12从载置在其载置台11上的密闭型的载体C取出晶片W，并交至处理块C2，交接臂12从处理块C2接受处理完成的晶片W，并将其送回载体C。载体C具有收纳多块晶片W的支架(搁板)。
在该例中，如图2所示，上述处理块C2通过从下向上依次叠层用于进行显影处理的第一块(DEV层)F1、用于在抗蚀剂膜的下层形成反射防止膜的第二块(BCT层)F2、用于进行抗蚀剂膜的形成的第三块(COT层)F3、用于进行形成在抗蚀剂膜的上层的保护膜的形成处理的第四块(ITC层)F4而构成。
处理块C2的各层在俯视时为同样的结构。举出图1所示的第三块(COT层)F3为例进行说明，COT层F3包括：作为涂敷膜例如形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成单元13；由加热类的模块构成的支架单元U1～U5；和设置于上述抗蚀剂膜形成单元13与支架单元U1～U5之间，在它们之间进行晶片W的交接的搬送臂G3。
抗蚀剂膜莆成单元13具有4个抗蚀剂涂敷模块COT1～COT4。此外，上述支架单元U1～U5由沿着搬送臂G3移动的水平直线搬送通路即搬送区域R1排列的各个上述叠层的加热类的模块构成。各支架单元U1～U4通过分别叠层加热模块HP1～HP8中的两个而构成。加热模块HP1～HP8加热抗蚀剂涂敷后的晶片W。
第四块(ITC层)F4和第二块(BCT层)F2分别设置有与上述抗蚀剂膜形成模块相当的保护膜形成模块、反射防止膜形成模块。而且，在各模块中，除了代替抗蚀剂而向晶片W分别供给用于形成保护膜的药液、用于形成反射防止膜的药液作为涂敷液之外，这些BCT层F2和ITC层F4与COT层F3为同样的结构。
对于第一块(DEV层)F1来说，在一个DEV层F1内叠层有两层与抗蚀剂膜形成单元13对应的显影处理单元20。一个显影处理单元20具有四个显影模块DEV，由此在DEV层F1设置有共计8个显影模块DEV1～DEV8。此外，DEV层F1与COT层F3同样具有支架单元U1～U5，但各支架单元U1～U5分别由各三个叠层的加热模块构成。包含于这些支架单元U1～U5的加热模块有的对曝光后显影前的晶片W进行加热处理，有的对显影处理后的晶片W进行加热处理。在该实施方式中，支架单元U3～U5的加热模块构成为对显影处理后的晶片W进行加热处理的HP1～HP9。
使用图4说明显影处理单元20的结构。如上所述显影处理单元20上下叠层，图4中表示下层侧的显影处理单元20。图4的显影处理单元20设置有四个显影模块DEV1～DEV4和喷出显影液的两上显影喷嘴21A、21B。显影喷嘴21A、21B分别独立，向显影模块DEV1～DEV4供给显影液，进行显影处理。即，两个显影喷嘴相对四个显影模块共用。例如能够设定为由显影喷嘴21A进行DEV1和DEV2的处理，由显影喷嘴21B进行DEV3和DEV4的处理。
显影模块DEV1～DEV4包括：保持晶片W并且一同绕铅直轴旋转的载置部22；包围载置部22的罩23；和清洗被供给显影液的晶片W的清洗喷嘴24。图4中仅表示了一个清洗喷嘴24，但对各罩23的每一个都设置有清洗喷嘴24。上层侧的显影处理单元20与下层侧的显影处理单元20为同样的结构，显影喷嘴21C、21D对显影模块DEV5～DEV8共用。例如能够设定为由显影喷嘴21C进行DEV5和DEV6的处理，由显影喷嘴21C进行DEV7和DEV8的处理。
上述抗蚀剂涂敷处理单元13与该显影处理单元20为大致相同的结构，差别在于具有抗蚀剂涂敷模块COT1～COT4所共用的抗蚀剂涂敷喷嘴。此外，抗蚀剂涂敷模块COT1～COT4分别具有为了除去抗蚀剂膜的周缘部而供给溶剂的周缘部除去喷嘴。
回到DEV层F1的说明，在该DEV层F1内设置有用于向包含于两层显影处理单元20的各模块和各加热模块搬送晶片W的搬送臂G1。即，采用搬送臂G1对两层的显影处理单元20共用的结构。
进一步，在处理块C2，如图1和图3所示设置有支架单元U6，来自载体块C1的晶片W被依次搬送至上述支架单元U6的一个交接模块，例如作为第二块的BCT层F2的交接模块CPL1～CPL3中的任一个。第二块(BCT层)F2内的搬送臂G2从该交接模块CPL1～CPL3接受晶片W，搬送至反射防止膜形成模块，将形成有反射防止膜的晶片W搬送至加热模块。之后，搬送臂G2将晶片W搬送至支架单元U6的交接模块BF10。交接模块BF10的晶片W由升降自由的交接臂D1依次搬送至支架单元U6中设置于与第三块(COT层)F3对应的高度位置的交接模块CPL21～CPL23中的任一个。第三块(COT层)F3内的搬送臂G3从这些交接模块CPL21～CPL23接受晶片W，搬送至抗蚀剂涂敷模块COT1～COT4中的任一个，在形成抗蚀剂膜之后，搬送至加热模块HP1～HP8中的任一个。
在由加热模块HP1～HP8进行加热处理之后，由搬送臂G3将晶片W搬送至支架单元U7的交接模块BF2。接着，由升降自由的交接臂D2搬送至支架单元U7中设置于与第四模块(ITC层)F4对应的高度位置的交接模块CPL31～CPL33中的任一个。之后，经由搬送臂G4搬入ITC层F4，由与抗蚀剂涂敷模块COT相当的保护膜形成模块在抗蚀剂膜的上层形成浸液曝光用的保护膜。进一步，晶片W在由搬送臂G4搬送至加热模块之后，被搬送至支架单元U6的交接模块BF3。
另一方面，在DEV层F1内的上部，设置有作为用于从设置于支架单元U6的交接部14向设置于支架单元U7的交接部15直接搬送晶片W的专用搬送部件的穿梭件16。形成有保护膜的晶片W由交接臂D1从交接模块BF3搬入交接部14，并交至穿梭件16。然后，穿梭件16将晶片W搬送至支架单元U7的交接部15，辅助块C3的搬送臂17从穿梭件16接受晶片W。搬送臂17向设置于辅助块C3的支架单元U8的交接模块搬送晶片W，该晶片W被交至设置于接口块C4的接口臂18，被搬送至接口块C4。另外，图3中标有CPL的交接模块兼用作温度调节的冷却模块，标有BF的交接模块兼用作能够载置多块晶片W的缓冲模块。
接着，晶片W由接口臂18搬送至曝光装置C5，此处例如进行利用浸液曝光的曝光处理。之后，晶片W按照接口臂18→支架单元(搁板单元)U8的交接模块→搬送臂17的顺序被搬送，搬送臂17将晶片W搬送至辅助块C3的保护膜除去模块，在此处除去保护膜。接着，晶片W由搬送臂17搬送至支架单元U7的交接模块TRS11或TRS12，由第一块(DEV层)F1的搬送臂G1搬送至支架单元U1、U2的加热模块，接受加热(曝光光烘烤)处理。
之后，晶片W由搬送臂G1搬送至支架单元U7的交接模块CPL41～CPL42中的任一个，之后搬送至显影模块DEV1～DEV8中的任一个，接受显影处理。之后，被搬送至加热模块HP1～HP8中的任一个，接受加热处理。然后，由搬送臂G1交至支架单元U6的交接模块TRS1或TRS2。之后，晶片W经由交接臂12回到载置在载体C时的原本的位置。
该涂敷、显影装置1中，由控制部100控制各部分的动作。控制部100例如由电脑构成，具有未图示的程序存储部。在该程序存储部存储有以进行上述和后述的搬送、实施搬送循环的方式编写命令的例如软件构成的程序。通过由控制部100读出该程序，控制部100向涂敷、显影装置1的各部分发送控制信号。从而控制各模块的动作和模块间的晶片W的交接等。该程序以例如存储于硬盘、光盘、磁光盘或存储卡等存储介质中的状态存储于程序存储部。
处理块C2的各加热模块、抗蚀剂敷模块COT和显影模块DEV一块一块地处理搬入的晶片W。此外，处理块C2的各层的搬送臂G具有两个相互独立地访问模块的叉状的晶片保持部，各晶片保持部能够保持晶片W。
详细说明搬送臂G的动作。令为在一个保持部没有晶片W，在另一个保持部保持有晶片W的状态，在该状态下搬送臂G移动至一个模块的跟前。然后，由一个保持部取出置于一个模块的晶片W。然后，将另一个保持部保持的晶片W交至空的该模块内。然后，搬送臂G为了将一个保持部的晶片W交至下游侧的另一模块而移动。
这样，在各层中搬送臂G例如从前段侧的模块开始，依次将晶片W一块一块地向编号顺序为后的模块移动。由此，搬送臂G执行一次搬送循环，在实施该一次搬送循环之后，移至下一搬送循环。各搬送循环依次实施。通过像这样各搬送臂G进行动作，维持从载体C先送出的晶片W与从载体C后送出的晶片W相比位于下游侧的模块的状态，在模块间如上所述按照编号顺序移动各晶片W。这样的利用搬送臂G的搬送在处理块C2的各层的每一个中独立进行。
此外，控制部100按照从载体C搬入涂敷、显影装置1的顺序，对晶片W分配编号顺序。此处，将从一个载体送出的多个同种类的晶片W的集合称作批次A，将该批次A的晶片W称作晶片A。而且，将批次A的后续的批次称作批次B，将该批次B的晶片W称作晶片B。上述控制部100对各批次A、批次B和其后续的批次的各晶片，分别按照从载体送出的顺序分配编号顺序。具体地说，控制部100对批次A的晶片W按照搬入涂敷、显影装置1的顺序以晶片A1、A2、A3……的方式分配编号顺序。
然后，控制部100基于搬送行程表向显影装置1的搬送臂G等各晶片的搬送部件发送控制信号，由此搬送部件将晶片W搬送至各模块。此处，搬送行程表是对晶片W分配编号顺序，将使晶片W的编号顺序和各模块相关联并指定搬送循环(阶段)的搬送循环数据依时间顺序排列而制成的。该搬送行程表例如存储于控制部100所包括的存储部。
该涂敷、显影装置1中，如上所述进行晶片W的搬送，但在晶片W的搬送中模块发生故障时，或出现进行维修的需要时，不能够对该模块进行晶片W的搬入搬出。将这样的不能够进行晶片W的搬入搬出的模块称作除外对象模块。此外，由于像这样模块变得不能够使用，因此使用与现有的搬送行程表不同的搬送行程表搬送晶片W。将这样利用与本来的搬送行程表不同的搬送行程表进行的搬送称作特殊搬送，将通过该特殊搬送被排除在晶片的搬送之外的模块称作除外中模块(不能够使用的模块、处于排除之外中的模块)。向特殊搬送的变更能够选择自动地进行或者根据用户的指示来实施。此外，将位于这些除外对象模块和除外中模块的晶片W称作留弃晶片U。
此外，将例如COT1、COT2、COT3、COT4等在晶片W的一系列的处理工序中在相同的阶段对晶片W进行相同处理的模块的组称作多模块。设定为对构成多模块的各模块，从之前的模块以规定的顺序搬入晶片W，在晶片W被搬入编号顺序最后的模块后，再次将晶片W搬入编号顺序最前的模块，以后依次搬入晶片W。
此外，抗蚀剂涂敷模块COT和显影模块DEV中使用的各喷嘴，进行目的不在于晶片的处理的药液喷出处理，即所谓的准分配(dummy dispense)。各喷嘴例如在每次经过预先设定的时间时进行准分配。此外，在处理的晶片W的批次切换时也进行这样的准分配。
此外，抗蚀剂涂敷模块COT和显影模块DEV中进行罩清洗、喷嘴清洗和排气管道等的清洗处理。在加热模块中也进行排气管道清洗。这些清洗处理例如在各模块中每次经过例如预先设定的时间时进行。这些清洗处理和准分配对搬送造成的影响在下述的搬送规则中说明。
接着，说明除外中模块恢复为能够使用的状态，向该模块的搬送变得可能的情况下的搬送规则。作为一个规则，在向除外中模块的搬送变得可能的时刻，从该处理工序(步骤)中没有搬送的晶片开始再次向上述除外中模块搬送。即，没有向恢复为能够使用的状态的除外中模块所属于的多模块搬送的晶片，被搬送至该除外中模块。但是，在模块恢复能够使用的状态时如果进行上述准分配或清洗处理的条件成立，在这些准分配或清洗处理进行之后再次开始向该模块的晶片W的搬送。
此外，作为一个规则，即使除外中模块恢复为能够使用的状态，能够进行搬送，也依据对该除外中模块所属于的多模块预先设定的搬送顺序搬送晶片。即，将从多模块的前一个模块搬出的晶片W，依据对该多模块预先设定的编号顺序，搬入构成多模块的模块组中上述晶片W的前一个晶片所搬入的模块的下一个编号顺序的模块。由此，即使除外中模块能够进行搬送，也不会立即向该模块搬入晶片W，根据除外中模块恢复能够使用的状态的时刻，不会向该模块立即搬入晶片。
此外，作为搬送的规则，在除外中模块变得能够搬送的时刻，没有搬送至该除外中模块所属于的多模块的晶片的搬送，以使用全部能够搬送的模块的方式进行。即，能够使用的多模块以全部使用的方式进行搬送。根据该规则，无论在搬送目的地的模块中是否有留弃晶片W，都进行向该模块的搬送。但是，如果在模块恢复能够使用的状态时进行上述准分配或清洗处理的条件成立，则在进行这些准分配或清洗处理之后再次开始向该模块的晶片W的搬送。
对依据这些规则的搬送变更，参照表示具体的各个例子的图进行说明。图5是展开COT层F3的各模块进行平面显示的展开图。对该COT层F3的抗蚀剂涂敷模块COT来说，在不进行特殊搬送的情况下，以COT1→COT2→COT3→COT4→COT1→……的顺序搬送晶片W。此外，对于加热模块来说，在不进行特殊搬送的情况下，与抗蚀剂涂敷模块COT同样，依该加热模块的编号顺序搬送晶片W。
(搬送变更例1)
在图5所示的例子中，抗蚀剂涂敷模块COT4发生故障，该COT4成为除外中模块。由此，进行特殊搬送，以COT1→COT2→COT3→COT1→……的顺序反复进行晶片的搬送。另外，该图5之后的各图中，对除外中模块画有多个点以进行表示，各图中标有S的编号表示搬送目的地的多模块中的搬送顺序。图5的COT层F3中，在抗蚀剂涂敷模块COT1、COT2、COT3分别停留有晶片A1、A2、A3。然后，向交接模块CPL21、CPL22、CPL23分别搬入晶片A4、A5、A6。如上所述抗蚀剂涂敷模块COT4不能够使用，因此设定搬送行程表，使得这些晶片A4、A5、A6从编号较小的模块开始如图中箭头所示依次搬送至抗蚀剂涂敷模块COT1、COT2、COT3。
从该图5所示的状态，如图6所示抗蚀剂涂敷模块COT4从故障中恢复，成为能够进行晶片W的搬入搬出的状态。根据上述规则，在该时刻能够将没有向抗蚀剂涂敷模块COT1～COT4搬送的晶片W搬送至该抗蚀剂涂敷模块COT4。于是，因为以COT1、COT2、COT3的编号顺序搬入有晶片W，所以依据上述编号顺序以将接下来的晶片W搬入COT4的方式变更搬送行程表。由此，如图6中箭头所示，以将晶片A4搬入该COT4的方式变更搬送行程表。此外，晶片A5、A6分别搬入COT1、COT2。
(搬送变更例2)
以下，说明与搬送变更例1同样变更向抗蚀剂涂敷模块COT的搬送的例子。图7表示抗蚀剂涂敷模块COT3、COT4由于故障而成为除外中模块的状态。抗蚀剂涂敷模块COT1、COT2中分别停留有晶片A1、A2。然后，向交接模块CPL21、CPL22、CPL23分别搬入晶片A3、A4、A5。如上所述抗蚀剂涂敷模块COT3、COT4不能够使用，因此设定搬送行程表，使得这些晶片A3、A4、A5如箭头所示从编号较小的模块依次搬送至抗蚀剂涂敷模块COT1、COT2、COT1。
从该图7所示的状态，如图8所示抗蚀剂涂敷模块COT3变为能够进行晶片W的搬入搬出的状态。与搬送变更例1同样，在这样变为能够搬入搬出的时刻，能够将没有搬送至抗蚀剂涂敷模块COT1～COT4的晶片W搬入已恢复的该抗蚀剂涂敷模块COT3。而且，因为以COT1、COT2的编号顺序搬入晶片W，所以依据编号顺序以将下一晶片W搬入COT3的方式变更搬送行程表。由此，如图8中箭头所示，以将晶片A3搬入该COT3的方式变更搬送行程表。晶片A4、A5分别搬入COT1、COT2。
(搬送变更例3)
图9表示抗蚀剂涂敷模块COT1由于故障而成为除外中模块的状态。抗蚀剂涂敷模块COT2中停留有晶片A1。然后，向交接模块CPL21、CPL22、CPL23分别搬入晶片A4、A2、A3。因为抗蚀剂涂敷模块COT1不能够使用，所以设定搬送行程表，使得这些晶片A2、A3、A4依次搬送至抗蚀剂涂敷模块COT3、COT4、COT2。
从该图9所示的状态，如图10所示抗蚀剂涂敷模块COT1从故障恢复，变为能够进行晶片W的搬入搬出的状态。依据上述规则，在这样恢复的时刻，以能够将没有搬送至抗蚀剂涂敷模块COT1～COT4的晶片W搬入已恢复的该抗蚀剂涂敷模块COT1的方式变更搬送行程表。此处，因为晶片A1已搬入至COT2，所以接着搬入COT的晶片A2、A3依据COT内的搬送顺序搬入COT3、COT4。然后，以将接着的晶片A4搬入COT1的方式设定上述搬送行程表。另外，晶片A4之后的晶片A5、A6、A7、A8……按照COT2、COT3、COT4、COT1……的顺序搬送。
(搬送变更例4)
图11与搬送变更例3同样表示抗蚀剂涂敷模块COT1由于故障而成为除外中模块的状态，在COT1中停留有留弃晶片U。在抗蚀剂涂敷模块COT2中停留有晶片A13。然后，向交接模块CPL21、CPL22、CPL23分别搬入晶片A14、A15、A16。因为抗蚀剂涂敷模块COT1不能够使用，所以设定搬送行程表，使得这些晶片A16、A14、A15依次搬入抗蚀剂涂敷模块COT3、COT4、COT2。
从该图11所示的状态，如图12所示抗蚀剂涂敷模块COT1恢复，变为能够使用的状态。此处，因为晶片A13已搬入至COT2，所以设定上述搬送行程表，使得接着搬入COT的晶片A14、A15依据COT内的搬送顺序搬入COT3、COT4，将接着的晶片A16搬入COT1。即使像这样存在留弃晶片U，在模块能够使用时也将晶片W搬送至该模块。抗蚀剂涂敷模块COT1的留弃晶片U向交接模块BF2搬送。另外，晶片A16之后的晶片A17、A18、A19、A20……按照COT2、COT3、COT4、COT1……的顺序搬送。
(搬送变更例5)
图13表示加热模块HP1～HP8由于故障而成为除外中模块的状态。而且，在加热模块HP1～HP3和HP5～HP7停留有留弃晶片U。在抗蚀剂涂敷模块COT1～COT4停留有晶片A1～A4。从该图13所示的状态，如图14所示加热模块HP1～HP8从故障恢复，成为能够进行晶片W的搬入搬出的状态。依据上述规则，无论是否存在留弃晶片U，以依据在加热模块HP内设定的编号顺序搬入晶片的方式设定搬送行程表。作为其结果，如图14中箭头所示，晶片A1、A2、A3、A4分别依次向加热模块HP1、HP2、HP3、HP4搬送。从加热模块HP1～HP3搬出的各留弃晶片U向交接模块BF2搬送。对留弃晶片U的搬送路径在后面进行详细叙述。
(搬送变更例6)
接着说明DEV层F1的搬送例。DEV层F1的显影模块DEV，在不进行特殊搬送时，设定为以DEV1→DEV5→DEV2→DEV6→DEV3→DEV7→DEV4→DEV8→DEV1→……的顺序搬送晶片W。在显影后进行加热处理的加热模块HP，在不进行特殊搬送的情况下，设定为按照其编号顺序，即HP1→HP2→HP3→……的顺序搬送晶片W。图15是展开DEV层F1的各模块并平面显示的展开图。在该图15所示的例子中，在显影模块DEV5发生故障，该DEV5成为除外中模块。此外，在显影模块DEV5停留有留弃晶片U。图16表示此时的各晶片W的搬送行程表。观察显影模块，因为不能够向DEV5搬送晶片，所以在DEV1后接着将晶片搬入DEV2，以后与正常时同样地以DEV6→DEV3→DEV7→DEV4→DEV8的顺序，向上层侧、下层侧的显影模块20交替地搬送晶片W。在该行程表和后面表示的行程表中，对模块不能够使用的循环画有多个点以进行表示。在表中，为了方便说明，在晶片W的各编号的最前添加0，以3位数字表示。
该图15表示图16的搬送行程表的循环数4的状态，向交接模块CPL41、CPL42、CPL43分别搬入晶片A18、A19、A17。然后，以这些晶片分别搬入显影模块DEV8、DEV1、DEV2的方式设定行程表。
在循环数4的期间显影模块DEV5从故障恢复，成为能够使用的状态。这样的话，依据上述规则，以在这样恢复的时刻能够将没有向显影模块DEV1～DEV8搬送的晶片W向已恢复的该显影模块DEV5搬送的方式变更搬送行程表。此处，在循环数4的时刻，在DEV4中已搬入晶片A16。于是，因为按照对DEV设定的编号顺序搬入晶片W，所以如图17所示后续的晶片A17依据该编号顺序搬入DEV8。接着的晶片A18也依据该编号顺序搬入DEV1。之后，晶片A19依据编号顺序搬入已恢复的DEV5，DEV5的留弃晶片U代替晶片A19从该DEV5搬出。这之后也按照编号顺序向DEV搬入晶片。以这样进行搬送的方式进行晶片的搬送行程表的变更。图18表示变更后的搬送行程表。
与图16的搬送行程表进行比较，说明图18的搬送行程表。通过变更晶片A19的搬送目的地以及增加能够使用的显影模块DEV的数量，各晶片的DEV的停留循环数增加一个循环。此外，循环数7中，在将上述留弃晶片U向TRS1搬送之后，将加热模块HP3的晶片A3搬送至交接模块TRS2。表中的ABORT表示留弃晶片U。因为这样将留弃晶片U搬送至交接模块TRS，所以在该搬送之后，向晶片的各加热模块HP的搬入间隔空开一个循环的量。此外，循环数7中将两块晶片向TRS搬送，因此循环数16中不向TRS搬入晶片W。
(搬送变更例7)
在该例中在各显影处理单元20设置有三个显影模块DEV。在下层侧的显影处理单元20设置有显影模块DEV1～DEV3，在上层侧的显影处理单元20设置有显影模块DEV4～DEV6。显影处理模块20除了显影模块DEV的数量不同之外与其它各实施方式为同样的结构。在下层侧的显影处理单元20，例如由显影模块DEV1和DEV2使用喷嘴21A，由显影模块DEV3使用喷嘴21B。此外，在上层侧的显影处理单元20，例如由显影模块DEV4和DEV5使用喷嘴21C，由显影模块DEV6使用喷嘴21D。在不进行特殊搬送时，设定为以DEV1→DEV4→DEV3→DEV2→DEV5→DEV6的顺序反复进行晶片W的搬送。此外，在该例中，在DEV层F1中，进行显影后的加热的加热模块设置有HP1～HP6这六个。
在图19所示的例子中，显影模块DEV4成为除外中模块。此外，在该显影模块DEV4停留有留弃晶片U。图20表示此时的各晶片W的搬送行程表。观察显影模块，因为不能够向DEV4搬送晶片，所以在DEV1之后接着将晶片搬入DEV3，之后与正常时同样地以DEV2→DEV5→DEV6的顺序反复搬送晶片W。
该图19表示图20的搬送行程表的循环数4的状态，向交接模块CPL41、CPL42、CPL43分别搬入晶片A15、A13、A14。然后，以这些晶片分别搬入显影模块DEV6、DEV1、DEV3的方式设定行程表。
如图21所示，在循环数4的期间显影模块DEV4从故障恢复。此处，在循环数4的时刻，在DEV5中已搬入晶片A12。于是，因为按照对DEV设定的编号顺序搬入晶片W，所以后续的晶片A13依据该编号顺序搬入DEV6。接着的晶片A14也依据该编号顺序搬入DEV1。之后，晶片A15依据编号顺序搬入已恢复的DEV4，DEV4的留弃晶片U代替晶片A15从该DEV4搬出。这之后也按照编号顺序向DEV搬入晶片。以这样进行搬送的方式进行晶片的搬送行程表的变更。图22表示变更后的搬送行程表。与图20的搬送行程表进行比较可知，与搬送变更例6同样DEV中的晶片W的停留循环数等发生变化。
接着，参照图23、图24说明像搬送变更例7那样构成的DEV层F1的其它的搬送例。图23、图24是表示各显影模块DEV中的晶片处理状况的时序图。图23(a)表示在各显影模块DEV1～DEV6中没有发生故障的状态的处理状况，图23(b)表示在晶片A1搬入显影模块之前在DEV5发生故障时的处理状况。如图23(a)所示，在该例中，也设定为晶片按照显影模块DEV1→DEV4→DEV3→DEV2→DEV5→DEV6的顺序搬送。
此外，图24(a)是在晶片A7替换时DEV5恢复，依据上述规则搬入晶片W时的处理状况。此外，图24(b)是在晶片A7替换时DEV5恢复，不依据上述规则，立即向已恢复的DEV5搬入晶片W时的处理状况。在该例中，在处理晶片W的喷嘴成为能够使用的状态时，该晶片W向模块搬入。表中的入、替、出的文字分别表示晶片W的搬入、替换、搬出。在从该入到替或出的写有晶片W的编号的区间，表示对该晶片W由模块进行处理的处理区间。在图中的表中，在与各显影喷嘴21对应的最上段显示模块编号的位置，表示显影喷嘴21对显示该编号的模块使用的区间。画有斜线的区间表示显影模块DEV5不能够使用的区间。比较图24(a)和图24(b)的晶片W的处理状况，在图24(a)中，由于显影喷嘴21被占用，出现晶片向显影模块的搬入等待，由此可知生产率与图24(a)所示的例子相比下降。因此，与向已恢复的模块立即搬入晶片W相比，依据上述规则按照编号顺序向模块搬入晶片W更能够提高生产率。
在这样的涂敷、显影装置1中，在构成显影模块DEV组、加热模块HP组、抗蚀剂涂敷模块组等多模块的模块中，一个模块从不能够使用的状态恢复到能够使用的状态时，对从多模块的前一个模块搬出的晶片，依据对于构成多模块的模块组的晶片W的搬入顺序进行搬入。由此，能够防止搬送行程表从本来的搬送行程表大幅变更，能够抑制晶片向模块的搬入间隔扩大。由此，能够防止搬送中的晶片的批次的生产率的下降。此外，因为使用全部的能够使用的模块进行搬送，所以根据该点也能够抑制生产率的下降。此外，因为在搬入晶片W的同时回收留弃晶片U，所以能够减少后述的进行晶片的回收处理的时间。
接着，说明对由于在涂敷、显影装置1起动时发生故障而不能够进行晶片的回收的模块的晶片W的搬送。在例如抗蚀剂涂敷模块COT、显影模块DEV、进行周缘曝光的周缘曝光模块，在模块内设置有检测晶片的传感器。具有上述传感器的模块在上述特殊搬送中能够进行晶片W的搬入搬出时，如果在该模块内没有晶片，则用于搬送。但是，在模块内有晶片的情况下，在进行后述的全部晶片回收处理之后，使用该模块。上述周缘曝光模块例如设置于COT层F3的支架单元U1～U5，对涂敷有抗蚀剂的晶片W的周缘部进行曝光。
此外，例如在加热模块HP没有设置上述传感器。这样不具有传感器的模块在特殊搬送中能够进行晶片W的搬送时，也是在全部晶片回收处理后进行晶片W的搬送。即，在不具有上述传感器的模块中，无论该模块内有没有晶片，均在全部晶片回收处理后能够进行搬送。
全部晶片回收处理是指在涂敷、显影装置1中，使用各搬送部件使位于全部的模块的晶片W回到载体的处理，根据用户的指示进行。在能够从除外对象模块搬出晶片W时，通过该处理搬出该晶片W。该利用全部晶片回收的搬送，与后述的留弃晶片U的搬送同样，不经由对晶片进行处理的模块，将晶片向搬送路径的下游侧依次搬送，回到载体C。进行该全部晶片回收处理，则表示模块内的晶片不能够搬出的警报消除。此外，如果在全部晶片回收处理后不能够向除外中模块搬送晶片，则产生表示该状况的警报。
接着，说明留弃晶片U的搬送。留弃晶片被搬送至位于出口侧(搬送路径的下游侧)的交接模块。这是为了避免超越搬送留弃晶片的层中的正常的晶片。具体地说，在图25所示的COT层F3中，各留弃晶片U向交接模块BF2搬送。该留弃晶片U在BF2的下游侧例如依次通过ITC层F4、穿梭件16、交接模块TRS11或TRS12、DEV层F1回到载体C。此外，在图26中，表示将显影模块DEV1～DEV8的留弃晶片U向交接模块TRS1、TRS2搬送的例子。
留弃晶片U如上所述不搬入曝光装置C5。此外，在处理块C2中，不经由例如加热模块、保护膜形成模块、显影模块等对晶片进行处理的模块，回到载体C。因为像这样搬送，所以留弃晶片U比接受通常的处理的晶片W更早回到载体C。
此外，控制部100向对晶片W进行处理的各模块传送方案，基于该方案，处理晶片W。但是，留弃晶片U如上所述被搬送，因此即使向各模块传送的方案与对该留弃晶片U设定的方案不同，用于处理该留弃晶片U的方案也不向各模块传送。
此外，留弃晶片U所属的批次不会结束处理，直至该留弃晶片U存储于载体C。由此，例如送出该留弃晶片U的载体C载置在载体块C1，直至存储留弃晶片U。
在不能够将留弃晶片U搬送至交接模块的情况下，搬送臂G维持保持留弃晶片的状态待机，直至能够搬送至该交接模块。图27、图28中表示这样的搬送臂G待机的状态的例子。图27中，在COT层F3中，在交接模块BF2中已搬入有晶片，不是空的。由此，搬送臂G2维持保持从抗蚀剂涂敷模块COT1接受的留弃晶片U的状态待机。
图28中，在DEV层F1中，在交接模块TRS1、TRS2中分别搬入有晶片A1、A2。由此，搬送臂G1维持保持从显影模块DEV2接受的留弃晶片U的状态待机，直至交接模块TRS1、TRS2变空。
另外，留弃晶片U在上述例子中经由搬入通常的晶片W的模块被回收。但是，为了回收留弃晶片U，也可以设置搬入该留弃晶片U的专用的模块。例如在COT层F3中，也可以设置叠层于交接模块BF2的交接模块BF5，将留弃晶片U搬入该BF5，另一方面，向交接模块BF2搬入通常的晶片W。BF5的留弃晶片U与通常的晶片W同样由交接臂D2向ITC层F4搬送，之后以上述路径搬送。

Claims (12)

1.一种基板处理装置，其包括载置各基板且搬送的编号顺序已被确定的模块组，在模块组中，包括搬送的编号顺序相同且对基板进行相同处理的三个以上的模块所构成的多模块，
利用搬送部件从一个模块取出基板，在接受下一模块的基板之后将先前的基板交于该下一模块，这样通过将置于各模块中的基板向一个编号顺序为后的模块移动来进行一个搬送循环，在进行该一个搬送循环之后，进入下一搬送循环，通过依次进行各搬送循环，基板依次从所述模块组中的编号顺序小的模块被搬送至编号顺序大的模块，并被实施规定的处理，
在通常时，从之前的模块对所述多模块的各模块以规定的顺序分配基板，对于构成所述多模块的多个模块，搬入基板的编号顺序已被确定，在向编号顺序为最后的模块搬入基板之后，向编号顺序为最前的模块搬入基板，
该基板处理装置的特征在于，包括：
存储部，其存储对基板分配编号顺序，将使基板的编号顺序与各模块相关联并指定搬送循环的搬送循环数据依时间顺序排列而制成的搬送行程表；和
控制部，其以参照所述搬送行程表，将写入搬送循环数据的基板搬送至与该基板对应的模块的方式控制所述搬送部件，由此实施搬送循环，
所述控制部控制所述搬送部件，使得，
在从构成所述多模块的模块中的至少一个模块不能够使用且其它的模块能够使用的状态，不能够使用的模块恢复为能够使用的状态时，
将从所述多模块的前一个模块搬出的基板，
对于构成多模块的模块组中以与该基板搬出时最接近的时刻搬出基板的模块，在所述基板的搬入顺序中搬入下一模块。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
构成为对所述模块组中的下游端的模块，与所述搬送部件不同的其它搬送部件进行基板的接收，
所述控制部控制搬送部件，使得在将从所述多模块的前一个模块搬出的基板搬入所述不能够使用的模块时，在该不能够使用的模块内存在基板的情况下，取出该基板，由所述其它搬送部件搬送至能够交接的模块。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述不能够使用的模块内存在的基板的搬送目的地为所述下游端的模块。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
载置各基板且搬送的编号顺序已被确定的模块组是，使用于对基板涂敷抗蚀剂并且使曝光后的基板显影的涂敷、显影装置中，用于在曝光前对基板形成涂敷膜的模块组。
5.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
载置各基板且搬送的编号顺序已被确定的模块组是，使用于对基板涂敷抗蚀剂并且使曝光后的基板显影的涂敷、显影装置中，用于进行在曝光后对基板进行的、包括显影的处理的模块组。
6.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于：
对用于在曝光前对基板形成涂敷膜的模块组进行基板的搬送的搬送机构，构成为能够沿着水平的直线搬送通路移动，
对用于进行在曝光后对基板进行的、包括显影的处理的模块组进行基板的搬送的搬送机构，构成为能够沿着与所述直线搬送通路不同的另外设置的水平的直线搬送通路移动。
7.一种基板处理方法，其用于基板处理装置，该基板处理装置具有载置各基板且搬送的编号顺序已被确定的模块组，在模块组中，包括搬送的编号顺序相同且对基板进行相同处理的三个以上的模块构成的多模块，
利用搬送部件从一个模块取出基板，在接受下一模块的基板之后将先前的基板交于该下一模块，这样通过将置于各模块的基板向一个编号顺序为后的模块移动来进行一个搬送循环，在进行该一个搬送循环之后，进入下一搬送循环，通过依次进行各搬送循环，基板依次从所述模块组中的编号顺序小的模块被搬送至编号顺序大的模块，并被实施规定的处理，
在通常时，从之前的模块对所述多模块的各模块以规定的顺序分配基板，对于构成所述多模块的多个模块，搬入基板的编号顺序已被确定，在向编号顺序为最后的模块搬入基板之后，向编号顺序为最前的模块搬入基板，
该基板处理方法的特征在于，包括：
对基板分配编号顺序，参照将使基板的编号顺序与各模块相关联并指定搬送循环的搬送循环数据依时间顺序排列而制成的搬送行程表，以将写入搬送循环数据的基板搬送至与该基板对应的模块的方式控制所述搬送部件，由此实施搬送循环的工序；和
以下述方式控制所述搬送部件的工序：
在从构成所述多模块的模块中的至少一个模块不能够使用且其它的模块能够使用的状态，不能够使用的模块恢复为能够使用的状态时，
将从所述多模块的前一个模块搬出的基板，
对于构成多模块的模块组中以与该基板搬出时最接近的时刻搬出基板的模块，在所述基板的搬入顺序中搬入下一模块。
8.如权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，包括下述工序：
使用对所述模块组中的下游端的模块进行基板的接收用的、与所述搬送部件不同的其它搬送部件，
在将从所述多模块的前一个模块搬出的基板搬入所述不能够使用的模块时，在该不能够使用的模块内存在基板的情况下，取出该基板，由所述其它搬送部件搬送至能够进行交接的模块。
9.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于：
在所述不能够使用的模块内存在的基板的搬送目的地是所述下游端的模块。
10.如权利要求7～9中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：
载置各基板且搬送的编号顺序已被确定的模块组是，使用于对基板涂敷抗蚀剂并且使曝光后的基板显影的涂敷、显影装置中，用于在曝光前对基板形成涂敷膜的模块组。
11.如权利要求7～9中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：
载置各基板且搬送的编号顺序已被确定的模块组是，使用于对基板涂敷抗蚀剂并且使曝光后的基板显影的涂敷、显影装置中，用于进行在曝光后对基板进行的、包括显影的处理的模块组。
12.一种存储介质，其存储在基板处理装置中使用的电脑程序，该基板处理装置包括载置各基板且搬送的顺序已被确定的模块组，从模块组中编号顺序较小的模块向编号顺序较大的模块依次搬送基板并对基板实施规定的处理，该存储介质的特征在于：
所述电脑程序以实施权利要求7～9中任一项所述的基板处理方法的方式编写步骤组。
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