JPH08187659A - ポリッシング装置 - Google Patents
ポリッシング装置Info
- Publication number
- JPH08187659A JPH08187659A JP33916694A JP33916694A JPH08187659A JP H08187659 A JPH08187659 A JP H08187659A JP 33916694 A JP33916694 A JP 33916694A JP 33916694 A JP33916694 A JP 33916694A JP H08187659 A JPH08187659 A JP H08187659A
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- JP
- Japan
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- block
- polishing
- blocks
- wafer
- function
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 生産性、拡張性、メンテナンス性、ユーザ対
応性の優れたポリッシング装置を提供することを目的と
する。 【構成】 ウエハを収納したカセットの受け渡しをす
るロード・アンロード機能と、ウエハを移動させる搬送
機能と、ウエハを研磨するポリッシング機能と、研磨後
のウエハを洗浄する洗浄機能と、装置の運転をコントロ
ールする制御機能を有するポリッシング装置において、
該装置を、上記の機能を個別に有する５つのブロックか
ら構成した。
応性の優れたポリッシング装置を提供することを目的と
する。 【構成】 ウエハを収納したカセットの受け渡しをす
るロード・アンロード機能と、ウエハを移動させる搬送
機能と、ウエハを研磨するポリッシング機能と、研磨後
のウエハを洗浄する洗浄機能と、装置の運転をコントロ
ールする制御機能を有するポリッシング装置において、
該装置を、上記の機能を個別に有する５つのブロックか
ら構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリッシング装置に係
り、特に半導体ウエハ等のポリッシング対象物を平坦か
つ鏡面状に研磨するポリッシング装置に関するものであ
る。
り、特に半導体ウエハ等のポリッシング対象物を平坦か
つ鏡面状に研磨するポリッシング装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に０．５μｍ以下の光リソグラフィの
場合、焦点深度が浅くなるためステッパの結像面の平坦
度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦化
することが必要となるが、この平坦化法の１手段として
ポリッシング装置により研磨することが行われている。
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に０．５μｍ以下の光リソグラフィの
場合、焦点深度が浅くなるためステッパの結像面の平坦
度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦化
することが必要となるが、この平坦化法の１手段として
ポリッシング装置により研磨することが行われている。
【０００３】従来、この種のポリッシング装置は、大き
く分けて、ウエハを収納したカセットの受け渡しをする
ロード・アンロード機能、ウエハを移動させる搬送機
能、ウエハを研磨するポリッシング機能、最近では研磨
後のウエハを洗浄する洗浄機能、そして装置の運転をコ
ントロールする制御機能を備え、これらの機能を発揮す
べく多数の機器とそれを取り付ける部材が個々に組み付
けられて装置が構成されていた。
く分けて、ウエハを収納したカセットの受け渡しをする
ロード・アンロード機能、ウエハを移動させる搬送機
能、ウエハを研磨するポリッシング機能、最近では研磨
後のウエハを洗浄する洗浄機能、そして装置の運転をコ
ントロールする制御機能を備え、これらの機能を発揮す
べく多数の機器とそれを取り付ける部材が個々に組み付
けられて装置が構成されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これまでのポリッシン
グ装置は、 （１）対象物である半導体ウエハの種類が多く、またポ
リッシングのプロセス条件がウエハの種類によって異な
るため、使用する機器の構成も異なり、装置の標準化が
難しく、標準化によるコストの低減および納期の短縮が
望めなかった。（→装置製造の生産性） （２）半導体ウエハは世代交代が速く、合わせて装置の
機能の高度化を必要とするが、装置の改造は容易ではな
く装置更新のコストが多大であった。（→拡張性） （３）ポリッシング装置は通常クリーンルームに設置さ
れるので、修理における機器の分解や部品交換時の発塵
はできるだけ抑えなければならないが、装置の組立構成
上限界があった。 （→メン
テナンス性） （４）装置の大きさ及びウエハカセットのロード・アン
ロードの位置および操作パネル位置などのレイアウトが
固定されているため、使用場所の都合によっては装置へ
のアクセスが不便であった。 （→ユ
ーザ対応性）
グ装置は、 （１）対象物である半導体ウエハの種類が多く、またポ
リッシングのプロセス条件がウエハの種類によって異な
るため、使用する機器の構成も異なり、装置の標準化が
難しく、標準化によるコストの低減および納期の短縮が
望めなかった。（→装置製造の生産性） （２）半導体ウエハは世代交代が速く、合わせて装置の
機能の高度化を必要とするが、装置の改造は容易ではな
く装置更新のコストが多大であった。（→拡張性） （３）ポリッシング装置は通常クリーンルームに設置さ
れるので、修理における機器の分解や部品交換時の発塵
はできるだけ抑えなければならないが、装置の組立構成
上限界があった。 （→メン
テナンス性） （４）装置の大きさ及びウエハカセットのロード・アン
ロードの位置および操作パネル位置などのレイアウトが
固定されているため、使用場所の都合によっては装置へ
のアクセスが不便であった。 （→ユ
ーザ対応性）
【０００５】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、生産性、拡張性、メンテナンス性、ユーザ対応性の
優れたポリッシング装置を提供することを目的とする。
で、生産性、拡張性、メンテナンス性、ユーザ対応性の
優れたポリッシング装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明は装置を機能別に分割しブロック化、すなわ
ち、ウエハを収納したカセットの受け渡しをするロード
・アンロード機能を１つ目のブロックに、ウエハを移動
させる搬送機能を２つ目のブロックに、ウエハを研磨す
るポリッシング機能を３つ目のブロックに、研磨後のウ
エハを洗浄する洗浄機能を４つ目のブロックに、装置の
運転をコントロールする制御機能を５つ目のブロックに
以上５つ独立したブロックとし、これらの組み合わせか
らなることを特徴とするものである。
め、本発明は装置を機能別に分割しブロック化、すなわ
ち、ウエハを収納したカセットの受け渡しをするロード
・アンロード機能を１つ目のブロックに、ウエハを移動
させる搬送機能を２つ目のブロックに、ウエハを研磨す
るポリッシング機能を３つ目のブロックに、研磨後のウ
エハを洗浄する洗浄機能を４つ目のブロックに、装置の
運転をコントロールする制御機能を５つ目のブロックに
以上５つ独立したブロックとし、これらの組み合わせか
らなることを特徴とするものである。
【０００７】さらに、前記５つのブロックには特別に取
り合いの統一がなく、ブロックの組み合わせの方向や位
置が自由であることを特徴とする。また、前記個々のブ
ロックを再分割あるいは同一の機能を有するブロックを
複数結合し、装置構成の変更に合わせることを特徴とす
る。
り合いの統一がなく、ブロックの組み合わせの方向や位
置が自由であることを特徴とする。また、前記個々のブ
ロックを再分割あるいは同一の機能を有するブロックを
複数結合し、装置構成の変更に合わせることを特徴とす
る。
【０００８】
【作用】上述した機能別ブロックの構成からなる本発明
によれば、ブロック単位での標準化が可能であり、コス
トの低減および納期の短縮が望め、装置製造の生産性が
向上する。また、将来装置の機能の高度化が必要となっ
たとき、ブロック単位の更新ができるため改造のコスト
が低く装置の拡張性がある。
によれば、ブロック単位での標準化が可能であり、コス
トの低減および納期の短縮が望め、装置製造の生産性が
向上する。また、将来装置の機能の高度化が必要となっ
たとき、ブロック単位の更新ができるため改造のコスト
が低く装置の拡張性がある。
【０００９】さらに、修理はブロックごとの交換で済ま
すことができ、分解の程度も限られたものとなるため発
塵を最小限に抑えることができ、メンテナンス性が良
い。そして、ユーザの求めに応じてウエハカセットのロ
ード・アンロードの位置および操作パネル位置などのレ
イアウトを変えることができ、ユーザへの対応が柔軟な
装置が提供できる。
すことができ、分解の程度も限られたものとなるため発
塵を最小限に抑えることができ、メンテナンス性が良
い。そして、ユーザの求めに応じてウエハカセットのロ
ード・アンロードの位置および操作パネル位置などのレ
イアウトを変えることができ、ユーザへの対応が柔軟な
装置が提供できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明に係るポリッシング装置の実施
例を図面に基づいて説明する。図１は、本発明のポリッ
シング装置の外観図であり、装置本体Ａには受け渡し口
３が設けられ、研磨未処理のウエハ１を収納したカセッ
ト２をカセット受け渡し口３に投入した後、操作パネル
４のスイッチをＯＮにすると、カセット２中のウエハ１
は自動的に一枚づつ抜き出され、研磨された後に、洗浄
されて元のカセット２に戻され収納されるようになって
いる。すべてのウエハ１の研磨処理が終了した後、カセ
ット２は取り出されて次工程に回される。
例を図面に基づいて説明する。図１は、本発明のポリッ
シング装置の外観図であり、装置本体Ａには受け渡し口
３が設けられ、研磨未処理のウエハ１を収納したカセッ
ト２をカセット受け渡し口３に投入した後、操作パネル
４のスイッチをＯＮにすると、カセット２中のウエハ１
は自動的に一枚づつ抜き出され、研磨された後に、洗浄
されて元のカセット２に戻され収納されるようになって
いる。すべてのウエハ１の研磨処理が終了した後、カセ
ット２は取り出されて次工程に回される。
【００１１】図２は装置本体Ａの内部を示したものであ
り、ウエハ１を収納したカセット２の受け渡しをするロ
ード・アンロードブロック５と、ウエハ１を移動させる
搬送ブロック６と、ウエハ１を研磨するポリッシングブ
ロック７と、研磨後のウエハ１を洗浄する洗浄ブロック
８及びこれらの各ブロックを制御する制御ブロック９が
共通ベース１０の上にそれぞれ独立して配置されてい
る。
り、ウエハ１を収納したカセット２の受け渡しをするロ
ード・アンロードブロック５と、ウエハ１を移動させる
搬送ブロック６と、ウエハ１を研磨するポリッシングブ
ロック７と、研磨後のウエハ１を洗浄する洗浄ブロック
８及びこれらの各ブロックを制御する制御ブロック９が
共通ベース１０の上にそれぞれ独立して配置されてい
る。
【００１２】ロード・アンロードブロック５は、カセッ
ト２を載せるステージ１１と、収納されたウエハ１ａ〜
ｚの数と収納棚１３ａ〜ｚの位置を計測（ウエハのマッ
ピング）するセンシングセンサ１２とを備えており、そ
の情報は制御ブロック９内のコンピュータ１４に記憶さ
れる。
ト２を載せるステージ１１と、収納されたウエハ１ａ〜
ｚの数と収納棚１３ａ〜ｚの位置を計測（ウエハのマッ
ピング）するセンシングセンサ１２とを備えており、そ
の情報は制御ブロック９内のコンピュータ１４に記憶さ
れる。
【００１３】搬送ブロック６には、レール６ａの上にロ
ボット１５が移動自在に搭載されており、このフィンガ
ー１６によって、各ブロック間でのウエハ１ａの受け渡
しが行われるようになっている。このロボット１５がユ
ニットとして機能し、レール６ａの上に複数設置可能で
ある。
ボット１５が移動自在に搭載されており、このフィンガ
ー１６によって、各ブロック間でのウエハ１ａの受け渡
しが行われるようになっている。このロボット１５がユ
ニットとして機能し、レール６ａの上に複数設置可能で
ある。
【００１４】ポリッシングブロック７は、回転テーブル
１８とこれに対向するトップリング１７を有し、回転テ
ーブル１８の表面には研磨布が貼り付けられ、また、こ
の研磨布面上に砥液を供給する装置が設けられている。
洗浄ブロック８は、純水により洗浄を行う洗浄槽１９と
乾燥槽２０とを備えており、これらの槽１９，２０が洗
浄ブロック８を構成するユニットである。
１８とこれに対向するトップリング１７を有し、回転テ
ーブル１８の表面には研磨布が貼り付けられ、また、こ
の研磨布面上に砥液を供給する装置が設けられている。
洗浄ブロック８は、純水により洗浄を行う洗浄槽１９と
乾燥槽２０とを備えており、これらの槽１９，２０が洗
浄ブロック８を構成するユニットである。
【００１５】このように、これらの５つのブロックは、
互いに独立に、つまり個々のブロックを交換、増設ある
いは構成の変更などをしたときに、互いが干渉したり影
響を受けないようになっている。従って、これらのブロ
ックでは、特別に取り合いの統一がなされていないの
で、ブロックの組み合わせの方向や位置が自由である。
互いに独立に、つまり個々のブロックを交換、増設ある
いは構成の変更などをしたときに、互いが干渉したり影
響を受けないようになっている。従って、これらのブロ
ックでは、特別に取り合いの統一がなされていないの
で、ブロックの組み合わせの方向や位置が自由である。
【００１６】このように構成された本発明のポリッシン
グ装置の動作を説明する。図１で受け渡し口３から投入
されたカセット２は、ロード・アンロードブロック５の
ステージ１１に置かれ、センシングセンサ１２によって
収納されたウエハ１ａ〜ｚの数と収納棚１３ａ〜ｚの位
置が計測（ウエハのマッピング）され、その情報が制御
ブロック９内のコンピュータ１４に記憶される。マッピ
ングを終了すると、搬送ブロック６に搭載されたロボッ
ト１５のフィンガー１６がカセット２の棚１３ａ内のウ
エハ１ａを取り出してくる。
グ装置の動作を説明する。図１で受け渡し口３から投入
されたカセット２は、ロード・アンロードブロック５の
ステージ１１に置かれ、センシングセンサ１２によって
収納されたウエハ１ａ〜ｚの数と収納棚１３ａ〜ｚの位
置が計測（ウエハのマッピング）され、その情報が制御
ブロック９内のコンピュータ１４に記憶される。マッピ
ングを終了すると、搬送ブロック６に搭載されたロボッ
ト１５のフィンガー１６がカセット２の棚１３ａ内のウ
エハ１ａを取り出してくる。
【００１７】ロボット１５とカセット２の相対位置は各
ブロック配置後のティーチングにより予めコンピュータ
１４に記憶されている。つまり、ロボット１５の動作や
位置設定はコンピュータ１４からの指令によってなされ
るのであって、カセット２が置かれるロード・アンロー
ドブロック５とロボット１５が搭載されている搬送ブロ
ック６との間の構造的拘束によって得られる寸法の取り
合いによって決められているのではない。
ブロック配置後のティーチングにより予めコンピュータ
１４に記憶されている。つまり、ロボット１５の動作や
位置設定はコンピュータ１４からの指令によってなされ
るのであって、カセット２が置かれるロード・アンロー
ドブロック５とロボット１５が搭載されている搬送ブロ
ック６との間の構造的拘束によって得られる寸法の取り
合いによって決められているのではない。
【００１８】カセット２から取り出されたウエハ１ａ
は、ロボット１５によってポリッシングブロック７のト
ップリング１７に装着され、回転テーブル１８上で研磨
される。回転テーブル１８の表面には研磨布が貼り付け
られ、砥液が流下された状態で研磨される。
は、ロボット１５によってポリッシングブロック７のト
ップリング１７に装着され、回転テーブル１８上で研磨
される。回転テーブル１８の表面には研磨布が貼り付け
られ、砥液が流下された状態で研磨される。
【００１９】研磨後のウエハ１ａはロボット１５によっ
て洗浄ブロック８に移送され、同ブロック内の洗浄槽１
９に装着される。洗浄が終了すると、ウエハ１ａは、同
ブロック内の乾燥槽２０に装着されて水切りが行われ、
その後にロボット１５によって洗浄ブロック８から取り
出され、カセット２の収納棚１３ａに戻される。ロボッ
ト１５と洗浄ブロックの相対位置は、前記同様に予めコ
ンピュータ１４に記憶されている。このようにして一枚
のウエハ１ａの研磨が終了し、引き続き残りのウエハ１
ｂ〜１ｚが研磨され、全枚数が処理終了したところでカ
セットが交換される。
て洗浄ブロック８に移送され、同ブロック内の洗浄槽１
９に装着される。洗浄が終了すると、ウエハ１ａは、同
ブロック内の乾燥槽２０に装着されて水切りが行われ、
その後にロボット１５によって洗浄ブロック８から取り
出され、カセット２の収納棚１３ａに戻される。ロボッ
ト１５と洗浄ブロックの相対位置は、前記同様に予めコ
ンピュータ１４に記憶されている。このようにして一枚
のウエハ１ａの研磨が終了し、引き続き残りのウエハ１
ｂ〜１ｚが研磨され、全枚数が処理終了したところでカ
セットが交換される。
【００２０】ウエハ１を最適に研磨するためのプロセス
条件として、ウエハ１の表面の被研磨膜に応じたトップ
リング１７の回転速度と押し付け力、回転テーブル１８
の回転速度と表面のクロス材料の種類のほかに砥液の種
類があり、ウエハ表面の膜の種類によってこれらが適切
に設定・選択される。ここで、砥液は種類によって化学
的性質が大きく異なり、例えばウエハの膜がＳｉＯ2 の
場合は砥液は中性に近いが、膜が金属の場合は酸性また
はアルカリ性である。従って、砥液に触れるポリッシン
グ関連の部材の材料は耐食性のある特殊なものが使用さ
れる。また、後工程の洗浄もウエハの膜によって洗浄機
器のメカニズムが異なる。
条件として、ウエハ１の表面の被研磨膜に応じたトップ
リング１７の回転速度と押し付け力、回転テーブル１８
の回転速度と表面のクロス材料の種類のほかに砥液の種
類があり、ウエハ表面の膜の種類によってこれらが適切
に設定・選択される。ここで、砥液は種類によって化学
的性質が大きく異なり、例えばウエハの膜がＳｉＯ2 の
場合は砥液は中性に近いが、膜が金属の場合は酸性また
はアルカリ性である。従って、砥液に触れるポリッシン
グ関連の部材の材料は耐食性のある特殊なものが使用さ
れる。また、後工程の洗浄もウエハの膜によって洗浄機
器のメカニズムが異なる。
【００２１】このような条件から、本装置は、ロード・
アンロードブロック５と搬送ブロック６及び制御ブロッ
ク９の３ブロックについては完全に標準化が可能であ
り、ブロックに組上がった状態でストックされている。
ポリッシングブロック７と洗浄ブロック８は、一部の部
品がウエハ１の種類によって異なるため、半完成品の状
態に組み立てられ、該部品はオプションでストックされ
ている。従って、使用条件に適合した装置を製造する場
合は、ユニット化されたブロックを組み立てれば良く、
しかもストックの量自体も少ない。これによって、装置
製造の生産性が高いものとなっている。
アンロードブロック５と搬送ブロック６及び制御ブロッ
ク９の３ブロックについては完全に標準化が可能であ
り、ブロックに組上がった状態でストックされている。
ポリッシングブロック７と洗浄ブロック８は、一部の部
品がウエハ１の種類によって異なるため、半完成品の状
態に組み立てられ、該部品はオプションでストックされ
ている。従って、使用条件に適合した装置を製造する場
合は、ユニット化されたブロックを組み立てれば良く、
しかもストックの量自体も少ない。これによって、装置
製造の生産性が高いものとなっている。
【００２２】図３は、上述したこの発明の特徴を活かし
た使用態様を示すもので、洗浄性能を高めるために洗浄
ブロック８に洗浄槽１９ａが１基増設され、また、搬送
ブロック６には、スループットを上げるためにロボット
１５ａが１基増設されている。ロード・アンロードブロ
ック５、ポリッシングブロック７及び制御ブロック９は
更新されていない。更新後のブロック間の相対位置につ
いては、ティーチングの後にコンピュータの記憶が更新
される。このように、ブロック間の特別な取り合いもな
く装置更新が自由に、容易に、しかも低コストで実施さ
れる。
た使用態様を示すもので、洗浄性能を高めるために洗浄
ブロック８に洗浄槽１９ａが１基増設され、また、搬送
ブロック６には、スループットを上げるためにロボット
１５ａが１基増設されている。ロード・アンロードブロ
ック５、ポリッシングブロック７及び制御ブロック９は
更新されていない。更新後のブロック間の相対位置につ
いては、ティーチングの後にコンピュータの記憶が更新
される。このように、ブロック間の特別な取り合いもな
く装置更新が自由に、容易に、しかも低コストで実施さ
れる。
【００２３】図４は、洗浄ブロック８の乾燥槽２０を修
理のために取り外したところである。分解修理の作業
は、専用台車２１に載せられて別室で行われるため、装
置設置場所での発塵は最小限に食い止められる。また、
代替のブロックと交換した場合も相対位置の決定はティ
ーチングで行われる。
理のために取り外したところである。分解修理の作業
は、専用台車２１に載せられて別室で行われるため、装
置設置場所での発塵は最小限に食い止められる。また、
代替のブロックと交換した場合も相対位置の決定はティ
ーチングで行われる。
【００２４】図５は、ユーザの要求に合わせ、カセット
のロード・アンロードブロック５と操作パネル４の位置
を入れ換えたものである。このように、本発明では、特
別な取り合いに制約されることがないので、各ブロック
を自由にレイアウトすることができる。
のロード・アンロードブロック５と操作パネル４の位置
を入れ換えたものである。このように、本発明では、特
別な取り合いに制約されることがないので、各ブロック
を自由にレイアウトすることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、装置を機能別にブロック化しているので、ブロ
ック単位での標準化が可能であり、コストの低減及び納
期の短縮が望め、装置製造の生産性が向上する。また、
請求項２の発明によれば、ブロック間に特別な取り合い
もないので機能の高度化が必要となったとき、ブロック
単位の更新が容易に低コストで可能であり、将来の拡張
の際の対応性が高い。
よれば、装置を機能別にブロック化しているので、ブロ
ック単位での標準化が可能であり、コストの低減及び納
期の短縮が望め、装置製造の生産性が向上する。また、
請求項２の発明によれば、ブロック間に特別な取り合い
もないので機能の高度化が必要となったとき、ブロック
単位の更新が容易に低コストで可能であり、将来の拡張
の際の対応性が高い。
【００２６】さらに、修理はブロックごとの交換で済ま
すことができ、分解作業の程度も限られたものとなるた
め、発塵を最小限に抑えることができてメンテナンス性
が良い。そして、設置場所に応じて装置のレイアウトを
容易にアレンジすることができるので、個々のユーザへ
の対応が柔軟に行える装置を提供できる。
すことができ、分解作業の程度も限られたものとなるた
め、発塵を最小限に抑えることができてメンテナンス性
が良い。そして、設置場所に応じて装置のレイアウトを
容易にアレンジすることができるので、個々のユーザへ
の対応が柔軟に行える装置を提供できる。
【図１】この発明の一実施例のポリッシング装置の外観
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】（ａ）はこの発明の一実施例のポリッシング装
置の内部を示す斜視図であり、（ｂ）はカセットの構成
を示す図である。
置の内部を示す斜視図であり、（ｂ）はカセットの構成
を示す図である。
【図３】この発明の一実施例のポリッシング装置の他の
使用態様を示す斜視図である。
使用態様を示す斜視図である。
【図４】この発明の一実施例のポリッシング装置の洗浄
ブロックを示す斜視図である。
ブロックを示す斜視図である。
【図５】この発明の一実施例のポリッシング装置の他の
レイアウトを示す平面図である。
レイアウトを示す平面図である。
１ ウエハ ４ 操作パネル ５ ロード・アンロードブロック ６ 搬送ブロック ７ ポリッシングブロック ８ 洗浄ブロック ９ 制御ブロック １４ コンピュータ １５，１５ａ ロボット １９，１９ａ 洗浄槽 ２０ 乾燥槽
Claims (3)
- 【請求項１】 ウエハを収納したカセットの受け渡しを
するロード・アンロード機能と、ウエハを移動させる搬
送機能と、ウエハを研磨するポリッシング機能と、研磨
後のウエハを洗浄する洗浄機能と、装置の運転をコント
ロールする制御機能を有するポリッシング装置におい
て、 該装置は、上記の機能を個別に有する５つのブロックか
らなることを特徴とするポリッシング装置。 - 【請求項２】 前記ブロックには取り合いの統一がな
く、ブロックの組み合わせが自由なことを特徴とする請
求項１記載のポリッシング装置。 - 【請求項３】 前記の個々のブロックを再分割あるいは
同一機能ブロックを複数結合し、装置構成の変更に合わ
せることを特徴とした請求項１記載のポリッシング装
置。
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33916694A JP3583491B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | ポリッシング装置および方法 |
| US08/580,312 US5827110A (en) | 1994-12-28 | 1995-12-28 | Polishing facility |
| US08/767,060 US5885138A (en) | 1993-09-21 | 1996-12-16 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US09/233,039 US6273802B1 (en) | 1993-09-19 | 1999-01-20 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US09/804,234 US6425806B2 (en) | 1993-09-21 | 2001-03-13 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US09/804,231 US6443808B2 (en) | 1993-09-21 | 2001-03-13 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US09/804,232 US6547638B2 (en) | 1993-09-21 | 2001-03-13 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US09/804,233 US6439971B2 (en) | 1993-09-21 | 2001-03-13 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US10/372,224 US6966821B2 (en) | 1993-09-21 | 2003-02-25 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US11/221,924 US20060009130A1 (en) | 1993-09-21 | 2005-09-09 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US11/980,663 US20080090501A1 (en) | 1993-09-21 | 2007-10-31 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US11/980,667 US7708618B2 (en) | 1993-09-21 | 2007-10-31 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33916694A JP3583491B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | ポリッシング装置および方法 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1994
- 1994-12-28 JP JP33916694A patent/JP3583491B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6294059B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-09-25 | Ebara Corporation | Substrate plating apparatus |
| US6929722B2 (en) | 1997-09-17 | 2005-08-16 | Ebara Corporation | Substrate plating apparatus |
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