KR101061925B1 - 복합 배관 및 복합 배관을 구비하는 도포·현상 처리 장치 - Google Patents

복합 배관 및 복합 배관을 구비하는 도포·현상 처리 장치 Download PDF

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신이치 하야시
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 이동시의 배관 길이의 변화에 의한 액의 온도 변화를 억제하는 동시에, 요동이나 팽창 등에 의한 먼지의 발생을 억제하는 복합 배관 및 복합 배관을 구비하는 도포·현상 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
적어도 액체용 관체(61)와 전기용 관체(62)를 포함하는 복수의 관체(61, 62)가 병렬형태로 고착되고, 일단이 고정 설비측에 접속되며, 타단이 이동체측의 노즐 헤드에 접속되는 복합 배관(60)에 있어서, 복수의 관체(61, 62)를 가요성을 갖는 피복 부재(63)로써 일체 결합하며, 액체용 관체(61) 내에 공간을 비워 액 공급관이 삽입되고, 액체용 관체(61)와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체(65)를 개재 가능하게 형성한다.
복합 배관, 도포 현상 처리 장치, 관체

Description

복합 배관 및 복합 배관을 구비하는 도포·현상 처리 장치{COMPOUND PIPING AND COATING AND DEVELOPING APPARATUS THAT HAS COMPOUND PIPING}
본 발명은, 복합 배관 및 복합 배관을 구비하는 도포·현상 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 디바이스의 제조에 있어서는, 반도체 웨이퍼나 LCD 유리 기판 등의 기판 위에 ITO(Indium Tin Oxide)의 박막이나 전극 패턴을 형성하기 위해 포토리소그래피 기술이 이용되어 있다. 이 포토리소그래피 기술에 있어서는, 기판에 포토레지스트를 도포하고, 이에 따라 형성된 레지스트막을 소정의 회로 패턴에 따라 노광하며, 이 노광 패턴을 현상 처리함으로써 레지스트막에 원하는 회로 패턴을 형성하는 일련의 공정에 의해 행해지고 있다.
이러한 처리는, 일반적으로 기판에 레지스트액을 도포하여 처리하는 레지스트 도포 처리 유닛, 레지스트 도포 처리 종료 후의 기판이나 노광 처리 후의 기판을 가열 처리하는 가열 처리 유닛, 가열 처리 후의 기판을 소정 온도까지 냉각 처리하는 냉각 처리 유닛, 기판에 현상액을 공급하여 현상 처리하는 현상 처리 유닛 등이 개별로 복수 구비된 도포·현상 처리 장치에 의해 행해지고 있다.
또한, 상기 도포·현상 처리 장치의 레지스트 도포 처리 유닛이나 현상 처리 유닛에 있어서는, 기판에 레지스트액, 현상액 외에 린스액 등의 처리액을 공급하는 노즐 및 이들 노즐을 기판 표면측과 기판의 측방의 대기 위치 사이에서 이동하는 이동 수단 등이 설치되어 있다. 또한 노즐은 복수 종류로 세팅되고, 목적에 따라 종류가 다른 처리액을 기판에 공급한다.
이 때문에, 상기 레지스트 도포 처리 유닛이나 현상 처리 유닛에 있어서는, 복수 개의 액체용 관체와 전기용 관체가 이동 가능한 상태로 배치되어 있고, 배관의 일단은 고정 설비측에 접속되며, 타단은 이동체측, 즉 노즐 및 노즐의 이동 수단에 접속되어 있다.
그런데, 처리시의 배관 이동시에 배관끼리 닿아 배관이 손상되는 경우가 있고, 또한 배관의 진동에 의한 요동이나 팽창 등에 의한 주변 기기와의 접촉에 의해 배관이 손상되는 등의 문제가 있다.
상기 배관의 손상을 방지하는 수단으로서, 복수의 배관을 예컨대 접착제나 열수축성의 튜브 등으로 일체적이면서 평상(平狀)으로 고착한 것이 알려져 있다(예컨대, 특허 문헌 1, 2 참조).
[특허 문헌 1] 일본 특허 제2735773호 공보(특허청구범위, 도 2)
[특허 문헌 2] 일본 특허 제2807627호 공보(특허청구범위, 도 3)
그러나, 상기 일본 특허 제2735773호 공보 및 일본 특허 제2807627호 공보에 기재한 배관 구조에 있어서, 액체용 관체를 이용한 경우에는, 이동에 의해 배관 길이가 변화되면, 액체용 관체 내를 흐르는 액의 온도가 변화되어, 온도 관리되어 있는 액의 배관에는 사용할 수 없다고 하는 문제가 있다. 또한, 복수의 배관을 접착제나 열수축성의 튜브 등으로 고착하면, 배관의 절첩의 굴곡 변형의 자유도가 구속되고, 이동시에 배관의 절첩부에 요동이나 팽창 등이 생기며, 이 요동이나 팽창에 의해 주변 기기와 접촉하여 먼지가 발생할 우려가 있다.
본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 이동시의 배관 길이의 변화에 의한 액의 온도 변화를 억제하는 동시에, 요동이나 팽창 등에 의한 먼지의 발생을 억제하는 복합 배관 및 복합 배관을 구비하는 도포·현상 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 1 기재의 발명은, 적어도 액체용 관체와 전기용 관체를 포함하는 복수의 관체가 병렬형태로 고착되고, 일단이 고정 설비측에 접속되며, 타단이 이동체측에 접속되는 복합 배관으로서, 상기 복수의 관체는 신축성 및 가요성을 갖는 벨로스형(Bellows type) 관체이고, 가요성을 갖는 피복 부재에 의해 일체 결합되며, 상기 액체용 관체 내에 공간을 비워 액 공급관이 삽입되고, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재 가능하게 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 각 관체는 가요성을 갖는 피복 부재로써 일체 결합되어 있기 때문에, 배관의 이동시의 변형에 자유도를 갖게 할 수 있다. 또한, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재되어 있기 때문에, 액 공급관 내를 흐르는 액체의 온도를 온도 조정용 유체에 의해 일정한 온도로 조정할 수 있다. 또한, 관체 자체에 변형의 자유도를 갖게 할 수 있다.
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상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 2 기재의 발명은, 적어도 액체용 관체와 전기용 관체를 포함하는 복수의 관체가 병렬형태로 고착되고, 일단이 고정 설비측에 접속되며, 타단이 이동체측에 접속되는 복합 배관으로서, 상기 복수의 관체는 가요성을 갖는 피복 부재에 의해 일체 결합되며, 상기 액체용 관체 내에 공간을 비워 액 공급관이 삽입되고, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재 가능하게 형성되어 있으며, 전기용 관체 내에 공간을 비워 전기 배선을 삽입하고, 전기용 관체와 전기 배선의 공간부에, 배기 수단에 접속 가능한 배기 통로를 형성하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 각 관체는 가요성을 갖는 피복 부재로써 일체 결합되어 있기 때문에, 배관의 이동시의 변형에 자유도를 갖게 할 수 있다. 또한, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재되어 있기 때문에, 액 공급관 내를 흐르는 액체의 온도를 온도 조정용 유체에 의해 일정한 온도로 조정할 수 있다. 또한, 배관의 고정 설비측에 배기 수단을 접속함으로써, 이동체측에 발생한 파티클이나 미스트 등을 배기 통로로부터 외부에 배출할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 3 기재의 발명은, 적어도 액체용 관체와 전기용 관체를 포함하는 복수의 관체가 병렬형태로 고착되고, 일단이 고정 설비측에 접속되며, 타단이 이동체측에 접속되는 복합 배관으로서, 상기 복수의 관체는 가요성을 갖는 피복 부재에 의해 일체 결합되며, 상기 액체용 관체 내에 공간을 비워 액 공급관이 삽입되고, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재 가능하게 형성되어 있고, 피복 부재에 있어서의 관체의 배열 방향을 따라 판형 스프링 부재를 더 설치하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 각 관체는 가요성을 갖는 피복 부재로써 일체 결합되어 있기 때문에, 배관의 이동시의 변형에 자유도를 갖게 할 수 있다. 또한, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재되어 있기 때문에, 액 공급관 내를 흐르는 액체의 온도를 온도 조정용 유체에 의해 일정한 온도로 조정할 수 있다. 또한, 배관의 이동시에 배관의 절첩부에 생기는 배관의 진동에 의한 요동이나 팽창을 억제할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 4 기재의 발명은, 적어도 액체용 관체와 전기용 관체를 포함하는 복수의 관체가 병렬형태로 고착되고, 일단이 고정 설비측에 접속되며, 타단이 이동체측에 접속되는 복합 배관으로서, 상기 복수의 관체는 가요성을 갖는 피복 부재에 의해 일체 결합되며, 상기 액체용 관체 내에 공간을 비워 액 공급관이 삽입되고, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재 가능하게 형성되어 있고, 피복 부재를 이동 가능하게 적재하는 베이스 부재를 구비하고, 이 베이스 부재와 피복 부재의 대향하는 접촉면에는, 서로 활주 가능하게 결합하는 오목홈 및 볼록조를 형성하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 각 관체는 가요성을 갖는 피복 부재로써 일체 결합되어 있기 때문에, 배관의 이동시의 변형에 자유도를 갖게 할 수 있다. 또한, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재되어 있기 때문에, 액 공급관 내를 흐르는 액체의 온도를 온도 조정용 유체에 의해 일정한 온도로 조정할 수 있다. 또한, 배관의 이동시에 피복 부재와 베이스 부재의 대향하는 접촉면에 설치된 오목홈과 볼록조가 서로 활주하여 배관의 좌우의 요동을 억제할 수 있고, 이동을 원활하게 할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 5 기재의 발명은, 적어도 액체용 관체와 전기용 관체를 포함하는 복수의 관체가 병렬형태로 고착되고, 일단이 고정 설비측에 접속되며, 타단이 이동체측에 접속되는 복합 배관으로서, 상기 복수의 관체는 가요성을 갖는 피복 부재에 의해 일체 결합되며, 상기 액체용 관체 내에 공간을 비워 액 공급관이 삽입되고, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재 가능하게 형성되어 있고, 액체용 관체의 단부에 이 관체 내를 흐르는 액의 용적 확대부를 설치하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 각 관체는 가요성을 갖는 피복 부재로써 일체 결합되어 있기 때문에, 배관의 이동시의 변형에 자유도를 갖게 할 수 있다. 또한, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재되어 있기 때문에, 액 공급관 내를 흐르는 액체의 온도를 온도 조정용 유체에 의해 일정한 온도로 조정할 수 있다. 또한, 배관의 이동에 의한 배관 길이의 변화에 따르는 액 공급관 내를 흐르는 액체의 용적 변화를 용적 확대부에 의해 가변 조절할 수 있다.
또한, 적어도 본 발명의 액체용 관체는, 이 관체의 전체 둘레를 피복하는 피복 부재와의 사이에 단열층을 형성하는 편이 바람직하다(청구항 6).
이와 같이 구성함으로써, 관체 내를 흐르는 액체, 액 공급관 내를 흐르는 액체와 온도 조정용 유체가 외부의 분위기 온도에 의해 영향을 받는 것을 방지할 수 있다.
청구항 7 기재의 발명은, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재한 복합 배관을 포함하는 도포·현상 처리 장치로서, 피처리 기판에 도포액을 공급하여 처리를 실시하는 도포 처리부와, 상기 피처리 기판에 현상액을 공급하여 처리를 실시하는 현상 처리부를 포함하고, 상기 도포 처리부 및 현상 처리부는 액 공급 노즐 및 노즐의 이동 수단을 구비하며, 이들 액 공급 노즐 및 노즐의 이동 수단에 상기 복합 배관의 이동체측 단부를 접속하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 도포 처리부 및 현상 처리부에 있어서, 처리시의 배관의 이동시의 변형에 자유도를 갖게 할 수 있다. 또한, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재 가능하게 형성되어 있기 때문에, 액 공 급관 내를 흐르는 도포액, 현상액 등의 처리액의 온도를 온도 조정용 유체에 의해 일정한 온도로 조정할 수 있다.
이상에 설명한 바와 같이, 본 발명의 기판 반송 처리 장치는, 상기와 같이 구성되어 있기 때문에, 이하와 같은 효과를 얻을 수 있다.
(1) 청구항 1 기재의 발명에 의하면, 각 관체는 가요성을 갖는 피복 부재로써 일체 결합되며, 배관의 이동시의 변형에 자유도를 갖게 할 수 있기 때문에, 배관의 진동에 의한 요동이나 팽창 등에 의한 먼지의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 액 공급관 내를 흐르는 액체의 온도를 온도 조정용 유체에 의해 일정한 온도로 조정할 수 있기 때문에, 액 처리를 안정시키고, 처리 정밀도의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 관체 자체에 변형의 자유도를 갖게 할 수 있기 때문에, 요동이나 팽창 등에 의한 먼지의 발생을 억제할 수 있다.
삭제
(2) 청구항 2 기재의 발명에 의하면, 각 관체는 가요성을 갖는 피복 부재로써 일체 결합되며, 배관의 이동시의 변형에 자유도를 갖게 할 수 있기 때문에, 배관의 진동에 의한 요동이나 팽창 등에 의한 먼지의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 액 공급관 내를 흐르는 액체의 온도를 온도 조정용 유체에 의해 일정한 온도로 조정할 수 있기 때문에, 액 처리를 안정시키고, 처리 정밀도의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 배관의 고정 설비측에 배기 수단을 접속함으로써, 이동체측에 발생한 파티클이나 미스트 등을 배기 통로로부터 외부에 배출할 수 있기 때문에, 별도로 배기용 배관을 더 설치하지 않고, 배관에 배기 기능을 갖게 할 수 있다.
(3) 청구항 3 기재의 발명에 의하면, 각 관체는 가요성을 갖는 피복 부재로써 일체 결합되며, 배관의 이동시의 변형에 자유도를 갖게 할 수 있기 때문에, 배관의 진동에 의한 요동이나 팽창 등에 의한 먼지의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 액 공급관 내를 흐르는 액체의 온도를 온도 조정용 유체에 의해 일정한 온도로 조정할 수 있기 때문에, 액 처리를 안정시키고, 처리 정밀도의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 배관의 이동시에 배관의 절첩부에 생기는 배관의 진동에 의한 요동이나 팽창을 억제하고, 주변 기기와의 접촉을 방지할 수 있기 때문에, 배관 이동시에 있어서의 먼지의 발생을 더 억제할 수 있다.
(4) 청구항 4 기재의 발명에 의하면, 각 관체는 가요성을 갖는 피복 부재로써 일체 결합되며, 배관의 이동시의 변형에 자유도를 갖게 할 수 있기 때문에, 배관의 진동에 의한 요동이나 팽창 등에 의한 먼지의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 액 공급관 내를 흐르는 액체의 온도를 온도 조정용 유체에 의해 일정한 온도로 조정할 수 있기 때문에, 액 처리를 안정시키고, 처리 정밀도의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 배관의 이동시에 피복 부재와 베이스 부재의 대향하는 접촉면에 설치된 오목홈과 볼록조가 서로 활주하여 배관의 좌우의 요동을 억제하며, 주변 기기와의 접촉을 방지할 수 있고, 이동을 원활하게 할 수 있다. 따라서, 배관 이동시에 있어서의 먼지의 발생을 더 억제할 수 있다.
(5) 청구항 5 기재의 발명에 의하면, 각 관체는 가요성을 갖는 피복 부재로써 일체 결합되며, 배관의 이동시의 변형에 자유도를 갖게 할 수 있기 때문에, 배관의 진동에 의한 요동이나 팽창 등에 의한 먼지의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 액 공급관 내를 흐르는 액체의 온도를 온도 조정용 유체에 의해 일정한 온도로 조정할 수 있기 때문에, 액 처리를 안정시키고, 처리 정밀도의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 배관의 이동에 의한 배관 길이의 변화에 따르는 액 공급관 내를 흐르는 액체의 용적 변화를 용적 확대부에 의해 가변 조절할 수 있기 때문에, 액 처리를 더 안정적으로 할 수 있고, 처리 정밀도의 향상을 도모할 수 있다.
(6) 청구항 6 기재의 발명에 의하면, 관체 내를 흐르는 액체, 액 공급관 내를 흐르는 액체와 온도 조정용 유체가 외부의 분위기 온도에 의해 영향을 받는 것을 방지할 수 있기 때문에, 상기 (1) 내지 (5)에 추가로, 액 처리를 더 안정시키고, 처리 정밀도의 향상을 도모할 수 있다.
(7) 청구항 7 기재의 발명에 의하면, 도포 처리부 및 현상 처리부에 있어서, 처리시의 배관의 이동시의 변형에 자유도를 갖게 할 수 있기 때문에, 배관의 진동에 의한 요동이나 팽창 등에 의한 먼지의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재 가능하게 형성되어 있기 때문에, 액 공급관 내를 흐르는 도포액, 현상액 등의 처리액의 온도를 온도 조정용 유체에 의해 일정한 온도로 조정할 수 있다. 따라서, 도포·현상 처리에 있어서의 처리의 안정화를 도모할 수 있고, 처리 정밀도의 향상을 도모할 수 있다.
이하에, 본 발명의 최량의 실시예를 첨부 도면에 기초하여 상세히 설명한다. 여기서는, 본 발명에 따른 복합 배관을 반도체 웨이퍼의 레지스트 도포·현상 처리 장치에 적용한 경우에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명의 레지스트 도포·현상 처리 장치의 일례를 도시하는 개략 평면도, 도 2는 동일한 부분의 개략 사시도, 도 3은 동일한 부분의 개략 측면도이다.
본 발명의 레지스트 도포·현상 처리 장치는, 기판인 반도체 웨이퍼(W)[이하 웨이퍼(W)라고 함]를 예컨대 25개 밀폐 수용한, 캐리어(20)를 반입출하기 위한 캐리어 블록(S1)과, 복수 개 예컨대 5개의 단위 블록(B1 내지 B5)을 세로로 배열하여 구성된 처리 블록(S2)과, 인터페이스 블록(S3)과, 노광 장치(S4)를 구비하고 있다.
상기 캐리어 블록(S1)에는, 복수 개(예컨대 4개)의 캐리어(20)를 적재 가능한 적재대(21)와, 이 적재대(21)로부터 봤을 때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(22)와, 개폐부(22)를 통해 캐리어(20)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 트랜스퍼 아암(C)이 설치되어 있다. 이 트랜스퍼 아암(C)은 기판 수납부를 구성하는 선반 유닛(U5)에 설치된 전달 스테이지(TRS1, TRS2) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록, 수평인 X, Y 방향 및 수직인 Z 방향으로 이동 가능하게, 그리고 수직 축 둘 레로 회전 가능하고 이동 가능하게 구성되어 있다.
캐리어 블록(S1)의 안쪽에는 케이스(24)에 의해 주위를 둘러싼 처리 블록(S2)이 접속되어 있다. 처리 블록(S2)은, 이 예에서는 아래쪽측으로부터 하단측의 2단이 현상 처리를 행하기 위한 제1 및 제2 단위 블록(DEV층)(B1, B2), 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막(이하「제1 반사 방지막」으로 함)의 형성 처리를 행하기 위한 제1 반사 방지막 형성용 단위 블록인 제3 단위 블록(BCT층)(B3), 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 도포막 형성용 단위 블록인 제4 단위 블록(COT층)(B4), 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막(이하「제2 반사 방지막」이라고 함)의 형성 처리를 행하기 위한 제2 반사 방지막 형성용 단위 블록인 제5 단위 블록(TCT층)(B5)으로서 할당되어 있다. 여기서 상기 DEV층(B1, B2)이 현상 처리용 단위 블록에, BCT층(B3), COT층(B4), TCT층(B5)이 도포막 형성용 단위 블록에 상당한다.
제1 내지 제5 단위 블록(B1 내지 B5)은, 전면측에 배치되고 웨이퍼(W)에 대하여 약액을 도포하기 위한 액 처리 유닛과, 배면측에 배치되며 상기 액 처리 유닛으로써 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 가열 유닛 등의 처리 유닛과, 전면측에 배치되는 상기 액 처리 유닛과 배면측에 배치되는 가열 유닛 등의 처리 유닛 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전용 기판 반송 수단인 메인 아암(A1, A3 내지 A5)을 구비하고 있다.
이들 단위 블록(B1 내지 B5)은, 이 예에서는 각 단위 블록(B1 내지 B5) 사이에서, 상기 액 처리 유닛과, 가열 유닛 등의 처리 유닛과, 반송 수단과의 배치 레 이아웃이 동일하게 형성되어 있다. 여기서, 배치 레이아웃이 동일하다란 것은, 각 처리 유닛에 있어서의 웨이퍼(W)를 적재하는 중심, 즉 액 처리 유닛에 있어서의 웨이퍼(W)의 유지 수단인 스핀 척의 중심이나, 가열 유닛에 있어서의 가열 플레이트나 냉각 플레이트의 중심이 동일하다는 의미이다.
상기 DEV층(B1, B2)은 마찬가지로 구성되어 있고, 이 경우, 공통으로 형성되어 있다.
이 DEV층(B1, B2)은, 도 1에 도시하는 바와 같이, DEV층(B1, B2)의 거의 중앙에는 DEV층(B1, B2)의 길이 방향(도면 중 Y 방향)에, 캐리어 블록(S1)과 인터페이스 블록(S3)을 접속하기 위한 웨이퍼(W)의 반송 영역(R1)[메인 아암(A1)의 수평 이동 영역]이 형성되어 있다.
이 반송 영역(R1)의 캐리어 블록(S1)측으로부터 본 양측에는, 앞쪽측[캐리어 블록(S1)측]으로부터 안쪽을 향해 우측에, 상기 액 처리 유닛으로서, 현상 처리를 행하기 위한 복수 개의 현상 처리부를 구비한 현상 유닛(31)이 예컨대 2단 설치되어 있다. 각 단위 블록은, 앞쪽측으로부터 안쪽을 향해 좌측에, 순서대로 가열계의 유닛을 다단화한 예컨대 4개의 선반 유닛(U1, U2, U3, U4)이 설치되어 있고, 이 도면에서는 현상 유닛(31)에 의해 행해지는 처리 중 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 유닛을 복수단, 예컨대 3단씩 적층한 구성으로 되어 있다. 이와 같이, 상기 반송 영역(R1)에 현상 유닛(31)과 선반 유닛(U1 내지 U4)이 구획되어 있고, 반송 영역(R1)에 청정 에어를 분출시켜 배기함으로써, 이 영역 내의 파티클의 부유를 억제하게 되어 있다.
전술의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 유닛 중에는, 예컨대 도 4에 도시하는 바와 같이, 노광 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 익스포저 베이킹 유닛 등으로 불리고 있는 가열 유닛(PEB1)이나, 현상 처리 후의 웨이퍼(W)의 수분을 날리기 위해 가열 처리하는 포스트 베이킹 유닛 등으로 불리고 있는 가열 유닛(POST1) 등이 포함되어 있다. 이들 가열 유닛(PEB1, POST1) 등의 각 처리 유닛은, 각각 처리 용기(26) 내에 수용되어 있고, 선반 유닛(U1 내지 U4)은 상기 처리 용기(26)가 3단씩 적층되어 구성되며, 각 처리 용기(26)의 반송 영역(R1)을 향하는 면에는 웨이퍼 반출입구(27)가 형성되어 있다.
상기 반송 영역(R1)에는 상기 메인 아암(A1)이 설치되어 있다. 이 메인 아암(A1)은, 이 DEV층(B1) 내의 모든 모듈[웨이퍼(W)가 놓이는 장소], 예컨대 선반 유닛(U1 내지 U4)의 각 처리 유닛, 현상 유닛(31), 선반 유닛(U5)의 각부 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하도록 구성되어 있고, 이 때문에 수평인 X, Y 방향 및 수직인 Z 방향으로 이동 가능하게, 수직 축 둘레로 회전 가능하게 구성되어 있다.
또한, 메인 아암(A1)(A3 내지 A5)은, 동일하게 구성되어 있고, 메인 아암(A1)을 대표하여 설명하면, 예컨대 도 4에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면측 둘레 가장자리부 영역을 지지하기 위한 2개의 만곡 아암편(81)을 갖는 아암 본체(80)를 구비하고 있고, 이들 만곡 아암편(81)은 베이스(83)를 따라 서로 독립적으로 진퇴 가능하게 구성되어 있다. 또한 이 베이스(83)는 회전 기구(84)에 의해 수직 축 둘레로 회전 가능하게 구성되며, 이동 기구(85)에 의해 선반 유닛(U1 내지 U4)을 지지하는 베이스(86)의 반송 영역(R1)을 향하는 면에 부착된 Y축 레일(87)을 따라 Y 방향으로 이동 가능하면서, 승강 레일(88)을 따라 승강 가능하게 구성되어 있다. 이와 같이 하여 만곡 아암편(81)은 X 방향으로 진퇴 가능하게, Y 방향으로 이동 가능하게, 그리고 승강 가능하게 및 수직 축 둘레로 회전 가능하게 구성되고, 선반 유닛(U1 내지 U6)의 각 유닛이나, 액 처리 유닛 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있게 되어 있다. 이러한 메인 아암(A1)은 제어부(70)로부터의 지령에 기초하여 도시하지 않는 컨트롤러에 의해 구동이 제어된다. 또한, 메인 아암(A1)(A3 내지 A5)의 가열 유닛에서의 축열을 방지하기 위해 웨이퍼(W)의 수취 순서를 프로그램으로 임의로 제어할 수 있게 되어 있다.
또한, 상기 도포막 형성용 단위 블록(B3 내지 B5)은 모두 동일하게 구성되어 있고, 전술의 현상 처리용 단위 블록(B1, B2)과 마찬가지로 구성되어 있다. 구체적으로 COT층(B4)을 예로서 도 3, 도 5 및 도 6을 참조하여 설명하면, 액 처리 유닛으로서 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 도포 유닛(32)이 설치되고, COT층(B4)의 선반 유닛(U1 내지 U4)에는 레지스트액 도포 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 가열 유닛(CLHP4)이나, 레지스트액과 웨이퍼(W)와의 밀착성을 향상시키기 위한 소수화 처리 유닛(ADH)을 구비하고 있고, DEV층(B1, B2)과 마찬가지로 구성되어 있다. 즉, 도포 유닛(32)이 가열 유닛(CLHP4) 및 소수화 처리 유닛(ADH)을 메인 아암(A4)의 반송 영역(R4)[메인 아암(A4)의 수평 이동 영역]에 구획하도록 구성되어 있다. 그리고, 이 COT층(B4)에서는 메인 아암(A4)에 의해, 선반 유닛(U5)의 냉각 플레이트(CPL3, CPL4)와, 도포 유닛(32)과, 선반 유닛(U1 내지 U4)의 각 처리 유닛에 대하여 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다. 또한 상기 소수화 처리 유닛(ADH)은, HMDS 분위기 내에서 가스 처리를 행하는 것이지만, 도포막 형성용 단위 블록(B3 내지 B5) 중 어느 하나에 설치하면 좋다.
또한, BCT층(B3)은 액 처리 유닛으로서, 웨이퍼(W)에 대하여 제1 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제1 반사 방지막 형성 유닛(33)이 설치되고, 선반 유닛(U1 내지 U4)에는, 반사 방지막 형성 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 가열 유닛(CLHP3)을 구비하고 있으며, COT층(B4)과 마찬가지로 구성되어 있다. 즉, 제1 반사 방지막 형성 유닛(33)과 가열 유닛(CLHP3)을 메인 아암(A3)의 반송 영역(R3)[메인 아암(A3)의 수평 이동 영역]에 구획하도록 구성되어 있다. 그리고, 이 제3 단위 블록(B3)에서는, 메인 아암(A3)에 의해 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS1)와, 냉각 플레이트(CPL1, CPL2)와, 제1 반사 방지막 형성 유닛(33)과, 선반 유닛(U1 내지 U4)의 각 처리 유닛에 대하여 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.
또한, TCT층(B5)은 액 처리 유닛으로서, 웨이퍼(W)에 대하여 제2 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제2 반사 방지막 형성 유닛(34)이 설치되고, 선반 유닛(U1 내지 U4)에서는 반사 방지막 형성 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 가열 유닛(CLPH5)이나, 주변 노광 장치(WEE)를 구비하고 있는 것 이외는 COT층(B4)과 마찬가지로 구성되어 있다. 즉, 제2 반사 방지막 형성 유닛(34)과 가열 유닛(CLHP5) 및 주변 노광 장치(WEE)를 메인 아암(A5)의 반송 영역(R5)[메인 아암(A5)의 수평 이동 영역]에 의해 구획하도록 구성되어 있다. 그리고, 이 TCT층(B5)에서는, 메인 아암(A5)에 의해, 선반 유닛(U5)의 냉각 플레이트(CPL5, CPL6) 와, 제2 반사 방지막 형성 유닛(34)과, 선반 유닛(U1 내지 U4)의 각 처리 유닛에 대하여 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.
또한, 처리 블록(S2)에는, 선반 유닛(U5)에 설치된 전달 스테이지(TRS2)와 인터페이스 블록(S3)측의 선반 유닛(U6) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 기판 반송 수단인 셔틀 아암(A)이 수평인 Y 방향으로 이동 가능하게 그리고 수직인 Z 방향으로 승강 가능하게 배치되어 있다.
또한, 셔틀 아암(A)의 반송 영역과 상기 메인 아암(A1, A3 내지 A5)의 반송 영역(R1, R3 내지 R5)은 각각 구획되어 있다.
또한, 처리 블록(S2)과 캐리어 블록(S1) 사이의 영역은, 웨이퍼(W)의 전달 영역(R2)으로 되어 있고, 이 영역(R2)에는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 트랜스퍼 아암(C)과 메인 아암(A1, A3 내지 A5), 셔틀 아암(A)에 액세스할 수 있는 위치에 기판 수납부인 선반 유닛(U5)이 설치되고, 이 선반 유닛(U5)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 기판 전달 수단을 이루는 전달 아암(D)을 구비하고 있다. 이 경우, 선반 유닛(U5)은 메인 아암(A1, A3 내지 A5), 셔틀 아암(A)의 수평 이동 방향(Y 방향)의 축선상에 배치되어 있고, 메인 아암(A1, A3 내지 A5), 셔틀 아암(A)의 진퇴 방향(Y 방향)에 제1 개구부(11)를 마련하며, 전달 아암(D)의 진퇴 방향(X 방향)에 제2 개구부(12)를 마련하고 있다.
또한, 선반 유닛(U5)의 수납 블록(10a 내지 10d)의 최하단인 제1 수납 블록(10a)에는 2단의 냉각 플레이트(CPL9, CPL10)가 배치되고, 그 상단인 제2 수납 블록(10b)에는, 2단의 냉각 플레이트(CPL1, CPL2)와 복수의 적재 선반(BUF1)이 배 치되며, 그 상단인 제3 수납 블록(10c)에는 2단의 냉각 플레이트(CPL3, CPL4)와 복수의 적재 선반(BUF2)이 배치되고, 그리고 그 상단 즉 최상단인 제4 수납 블록(10d)에는 2단의 냉각 플레이트(CPL5, CPL6)와 복수의 적재 선반(BUF3)이 배치되어 있다.
또한, 상기 처리 블록(S2)과 인터페이스 블록(S3)의 인접하는 영역에는, 도 1 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 메인 아암(A1), 셔틀 아암(A)에 액세스할 수 있는 위치에 선반 유닛(U6)이 설치되어 있다. 이 선반 유닛(U6)은 도 3에 도시하는 바와 같이, 각 DEV층(B1, B2)의 메인 아암(A1) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록, 이 예에서는 각 DEV층(B1, B2)은 2개의 전달 스테이지(TRS3)와, 셔틀 아암(A) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는, 냉각 기능을 갖는 전달 스테이지(ICPL)를 구비하고 있다.
또한, 도 5는 이들 처리 유닛의 레이아웃의 일례를 도시하는 것으로서, 이 레이아웃은 편의상의 것이며, 처리 유닛은 가열 유닛(CLHP, PEB, POST), 소수화 처리 장치(ADH), 둘레 가장자리부 노광 장치(WEE)에 한하지 않고, 다른 처리 유닛을 설치하도록 하여도 좋으며, 실제 장치에서는 각 처리 유닛의 처리 시간 등을 고려하여 유닛의 설치수를 결정할 수 있다.
한편, 처리 블록(S2)에 있어서의 선반 유닛(U6)의 안쪽에는, 인터페이스 블록(S3)을 통해 노광 장치(S4)가 접속되어 있다. 인터페이스 블록(S3)에는, 처리 블록(S2)의 DEV층(B1, B2)의 선반 유닛(U6)의 각부와 노광 장치(S4)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 인터페이스 아암(E)을 구비하고 있다. 이 인터페이스 아암(E)은, 처리 블록(S2)과 노광 장치(S4) 사이에 개재하는 웨이퍼(W)의 반송 수단을 이루는 것이며, 이 예에서는, 상기 DEV층(B1, B2)의 전달 스테이지(TRS3, ICPL)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록, 수평인 X, Y 방향 및 수직인 Z 방향으로 이동 가능하게, 수직 축 둘레로 회전 가능하게 구성되어 있다.
상기한 바와 같이 구성되는 레지스트 도포·현상 처리 장치에서는, 5단으로 적층된 각 단위 블록(B1 내지 B5) 사이에서, 전술의 전달 아암(D)에 의해, 각각 전달 스테이지(TRS1, TRS2)를 통해, 자유롭게 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있고, 전술의 인터페이스 아암(E)에 의해, 현상 처리용 단위 블록(B1, B2)을 통해 처리 블록(S2)과 노광 장치(S4) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있도록 구성되어 있다.
다음에, 본 발명에 따른 복합 배관을 구비하는 처리부 예컨대 도포 유닛(32), 제1 반사 방지막 형성 유닛(33) 및 제2 반사 방지막 형성 유닛(34)에 대해서 설명한다.
도포 유닛(32), 제1 반사 방지막 형성 유닛(33) 및 제2 반사 방지막 형성 유닛(34)은 동일하게 구성되어 있기 때문에, 이하에서 도포 유닛(32)으로 대표하여, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한다.
도포 유닛(32) 내에는, 이 예에서는 3개의 액 처리부(35a, 35b, 35c)가 가로 방향(Y 방향)으로 배열된 상태로 공통의 케이스(36) 위에 설치되어 있다. 이들 액 처리부(35a, 35b, 35c)(이하 부호 35로 대표함)에는, 웨이퍼(W)의 이면측 중앙부를 흡인 흡착하여 수평으로 유지하기 위한 기판 유지부인 스핀 척(37)이 구비되어 있 다. 이 스핀 척(37)은 축부(38)를 통해 구동 기구(스핀 척 모터)(39)에 접속되어 있고, 이 구동 기구(39)에 의해 웨이퍼(W)를 유지한 상태로 스핀 척(37)은 회전 및 승강 가능하게 구성되어 있다.
스핀 척(37)에 유지된 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부 외측에는, 이 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하여 상부측이 개구하는 컵체(40)가 설치되어 있다. 컵체(40) 측 둘레면 상단측은 내측으로 경사져 있다. 컵체(40)의 바닥부측에는 오목부형을 이루는 액 수용부(41)가 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리 아래쪽측에 전체 둘레에 걸쳐 외측 영역과 내측 영역으로 구획되어 있고, 외측 영역의 바닥부에는 저류된 도포액 등의 드레인을 배출하기 위한 배출구(42)가 마련되며, 내측 영역의 바닥부에는 2개의 배기구(43a, 43b)가 마련되어 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 아래쪽측에는 원형판(44)이 설치되어 있고, 이 원형판(44)의 외측을 둘러싸도록 하여 링 부재(45)가 설치되어 있다. 또한 링 부재(45)의 외단부면에는 아래쪽으로 신장하는 수직 하강 통체(46)가 외측 영역 내로 진입하도록 하여 설치되어 있고, 이 수직 하강 통체(46) 및 링 부재(45)의 표면을 따라 도포액이 외측 영역 내에 안내되도록 구성되어 있다. 또한, 도시는 생략하지만, 웨이퍼(W)의 이면측을 지지하여 승강 가능한 승강 핀이 원형판(44)을 상하로 관통하여 설치되어 있고, 이 승강 핀과 메인 아암(A4)의 협동 작용에 의해 스핀 척(37)으로의 웨이퍼(W)의 전달이 가능하도록 구성되어 있다.
또한, 도 9에 도시하는 바와 같이, 도포 유닛(32)에는, 3개의 액 처리부(35a, 35b, 35c)에 대하여 약액을 공급하기 위한 복수의 공급 노즐(47)을 갖는 노즐 헤드(48)와, 이 노즐 헤드(48)의 노즐 구동 기구(49)가 설치되어 있다. 노즐 구동 기구(49)는, 노즐 헤드(48)를 수직 방향(Z 방향)으로 승강 가능하게, 그리고 도포 유닛(32)의 길이 방향(Y 방향)을 따라 설치된 가이드 레일(50)에 의해 Y 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
또한, 각 액 처리부(35a, 35b, 35c)에 있어서의 컵체(40)의 바깥쪽 근방 위치에는, 사이드 린스 기구(51)가 설치되어 있다. 이 사이드 린스 기구(51)는 L자형으로 굴곡된 린스 노즐(52)과, 이 린스 노즐(52)을 승강 가능하게 그리고 회전 가능하게 구동시키는 구동부(53)로 구성되어 있다.
상기와 같이 구성된 도포 유닛(32)에 있어서의 노즐 헤드(48) 및 노즐 구동 기구(49)에는, 본 발명에 따른 복합 배관(60)의 일단이 접속되어 있다. 복합 배관(60)은 케이스(36)의 측방을 따라 배치되고, 타단이 고정 설비측의 배관 연결 블록(54)에 접속되어 있다.
이 경우, 복합 배관(60)은 도 10에 도시하는 바와 같이, 노즐 헤드(48)에 접속하는 2개의 액체용 관체(61)와, 노즐 구동 기구(49)에 접속하는 1개의 전기용 관체(62)가 가요성을 갖는 예컨대 합성 고무제의 피복 부재(63)로써 병렬형태로 일체 결합되어 있다.
2개의 액체용 관체(61) 내에는, 각각 공간을 비워 6개의 액 공급관(64)이 삽입되어 있고, 액체용 관체(61)와 액 공급관(64)의 공간부(68a)에 온도 조정용 유체(65)가 개재(유통)하도록 구성되어 있다. 이 경우, 온도 조정용 유체(65)는, 예컨대 도시하지 않는 온도 조정 기구에 의해 소정의 온도로 온도 조정된 온도 조절수 등을 사용할 수 있다. 또한, 12개의 액 공급관(64) 중 11개의 액 공급관(64)에 는 도포액으로서의 레지스트액(R)이 유통되고, 나머지 1개의 액 공급관(64)에는 레지스트의 용제인 신나가 유통되게 되어 있다. 이와 같이 액체용 관체(61)와 액 공급관(64)의 공간부(68a)에 온도 조정용 유체(65)를 개재(유통)함으로써, 처리에 제공되는 레지스트액이나 신나가 소정의 온도로 온도 조정된다.
또한, 전기용 관체(62) 내에는, 공간을 비워 복수 개(도면에서는 4개의 경우를 도시함)의 전기 배선(66)이 삽입되어 있고, 전기용 관체(62)와 전기 배선(66)의 공간부(68b)가, 배기 수단(도시 생략)에 접속 가능한 배기 통로를 형성하고 있다. 이와 같이 전기용 관체(62)와 전기 배선(66)의 공간부(68b)를 배기 통로로 하여, 배기 수단에 접속함으로써, 처리중에 처리부측에 발생하는 먼지, 파티클이나 미스트 등을 장치의 외부측으로 배출할 수 있다.
또한, 이 경우, 각 관체(61, 62)는 가요성을 갖는 것이면 직선형의 관 부재로써 형성하여도 좋지만, 바람직하게는 신축성 및 가요성을 갖는 예컨대 합성 수지제의 벨로스형(Bellows type) 관 부재(67)로써 형성하는 편이 좋다. 이와 같이 관체(61, 62)를 신축성 및 가요성을 갖는 벨로스형 관 부재(67)로써 형성함으로써, 배관 이동시에 배관의 굴곡 변형의 자유도를 갖게 할 수 있다. 따라서, 가요성을 갖는 피복 부재(63)와 신축성 및 가요성을 갖는 벨로스형 관 부재(67)의 상승 효과에 의해, 배관 이동시에 복합 배관(60)의 절첩부의 진동이나 팽창을 억제할 수 있다.
또한, 복합 배관(60)의 일단측 즉 노즐 헤드(48)와 노즐 구동 기구(49)에 접속하는 근방 부위에는, 공급 노즐(47)의 대기 상태와 처리 상태에 의해 변형하는 복합 배관(60)의 절첩부의 자유도를 올리고, 상하의 이동을 규제하기 위한 케이블 베어(90)가 부착되어 있다. 이 케이블 베어(90)는 도 11에 도시하는 바와 같이, 한 방향으로 회동 가능하게 연접하는 복수의 링크 플레이트(91)로 이루어지는 대치하는 한 쌍의 측 프레임(92)과, 측 프레임(92)의 일단측에 부착되고, 3개의 관체(61, 61, 62)를 이동 가능하게 유지하는 2분할된 합성 고무제의 상, 하측 유지 부재(93a, 93b)를 구비하며, 측 프레임(92) 및 유지 부재(93a, 93b)의 상하부에 배치된 판 부재(94, 95)가 연결 나사(96)에 의해 고정되어 있다. 또한, 케이블 베어(90)에는 관체(61, 61, 62)의 상하부에, 케이블 베어(90)와 관체(61, 61, 62)의 마찰을 방지하는 예컨대 불소수지제의 보호판(도시 생략)이 부착되어 있다.
상기와 같이 구성되는 케이블 베어(90)를 복합 배관(60)의 절첩부에 부착함으로써, 배관 이동시에 절첩부가 상하로 진동하는 것을 억제할 수 있고, 절첩부의 팽창을 억제할 수 있다.
상기 설명에서는, 본 발명에 따른 복합 배관(60)을 도포 유닛(32)에 사용한 경우에 대해서 설명하였지만, 현상 유닛(31)에 있어서도 마찬가지로 사용할 수 있다. 즉, 현상 유닛(31)의 복수 개, 예컨대 3개의 액 처리부에 있어서의 도시하지 않는 액 예컨대 현상액, 린스액 등의 공급 노즐을 갖는 노즐 블록과, 이 공급 노즐의 이동 기구에 일단이 접속되고, 타단이 고정 설비측에 접속하는 복합 배관(60A)을 사용할 수 있다.
이 경우, 복합 배관(60A)은 도 12에 도시하는 바와 같이, 노즐 블록에 접속하는 3개의 액체용 관체(61a, 61b, 61c)와, 노즐 이동 기구에 접속하는 3개의 전기용 관체(62)가 가요성을 갖는 예컨대 합성 고무제의 피복 부재(63)로써 병렬형태로 일체 결합되어 있다.
이 경우, 3개 중의 2개의 액체용 관체(61a, 61b) 내에는 예컨대 현상액(DEV)이 유통 가능하게 되어 있고, 나머지의 1개의 액체용 관체(61c) 내에는, 공간을 비워 2개의 예컨대 현상액(DEV), 린스액(DIW) 등의 약액이 유통 가능한 액 공급관(64a)이 삽입되어 있으며, 액체용 관체(61c)와 액 공급관(64a)의 공간부(68a)에 온도 조정용 유체(65)가 개재(유통)하도록 구성되어 있다. 이와 같이 액체용 관체(61c)와 액 공급관(64a)의 공간부(68a)에 온도 조정용 유체(65)가 개재(유통)함으로써, 처리에 제공되는 현상액(DEV)이나 린스액(DIW)이 소정의 온도로 온도 조정된다.
또한, 3개의 전기용 관체(62) 내에는, 각각 공간을 비워 복수 개(도면에서는 5개의 경우를 도시함)의 전기 배선(66)이 삽입되어 있고, 전기용 관체(62)와 전기 배선(66)의 공간부(68b)가, 배기 수단(도시 생략)에 접속 가능한 배기 통로를 형성하고 있다. 이와 같이 전기용 관체(62)와 전기 배선(66)의 공간부(68b)를 배기 통로로 하여, 배기 수단에 접속함으로써, 처리중에 처리부측에 발생하는 먼지, 파티클이나 미스트 등을 장치의 외부측으로 배출할 수 있다.
또한, 현상 유닛(31)에 사용되는 복합 배관(60A)에 있어서의 그 외의 부분은, 도포 유닛(32)에 사용되는 복합 배관(60)과 마찬가지로 형성되어 있기 때문에, 동일 부분에는 동일 부호를 붙이고 설명은 생략한다.
상기와 같이 구성되는 복합 배관(60, 60A)에 있어서, 적어도 액체용 관체는 단열 구조로 하는 편이 바람직하다. 즉, 상기 복합 배관(60A)으로 설명하면, 액체 용 관체(61a, 61b, 61c)와, 이 액체용 관체(61a, 61b, 61c)의 전체 둘레를 피복하는 피복 부재(63) 사이에, 가요성 및 단열성을 갖는 예컨대 우레탄 고무, 우레탄 수지재로 이루어지는 단열층(69)을 형성하는 편이 바람직하다[도 13(a), (b) 참조]. 이와 같이 액체용 관체(61a, 61b, 61c)와 피복 부재(63) 사이에 단열층(69)을 형성함으로써, 액체용 관체(61a, 61b, 61c) 내 및 액 공급관(64A) 내를 흐르는 약액이 외부의 분위기 온도에 의해 영향을 받는 것을 방지할 수 있다.
상기 실시예에서는, 복합 배관(60, 60A)의 절첩부에 케이블 베어(90)를 부착하여, 배관 이동시의 복합 배관(60, 60A)의 진동이나 팽창을 억제하는 경우에 대해서 설명하였지만, 케이블 베어(90)를 부착하지 않고, 배관 이동시의 복합 배관(60, 60A)의 진동이나 팽창을 억제하는 것도 가능하다. 예컨대 도 14에 도시하는 바와 같이, 복수의 관체 즉 벨로스형 관 부재(67)의 하단부측을 일체 결합하는 피복 부재(63A)에 있어서의 관체(67)(벨로스형 관 부재)의 배열 방향을 따라 판형 스프링 부재(100)를 매설하여 더 설치한 복합 배관(60B)을 형성하는 것에 의해, 절첩부의 진동에 의한 요동이나 팽창을 억제할 수 있다.
또한, 도 15에 도시하는 바와 같이, 복수의 벨로스형 관 부재(67)의 하단부측을 일체 결합하는 피복 부재(63B)를 이동 가능하게 적재하는 베이스 부재(200)를 설치하고, 이 베이스 부재(200)와 피복 부재(63B)의 대향하는 접촉면에 있어서, 피복 부재(63B)의 접촉면의 중앙부에, 관체(67)(벨로스형 관 부재)의 길이 방향을 따르는 볼록조(201)를 설치하고, 베이스 부재(200)의 접촉면의 중앙부에, 볼록조(201)를 활주 가능하게 결합하는 오목홈(202)을 길이 방향을 따라 마련하여, 복합 배관(60C)을 형성하여도 좋다. 이와 같이 구성함으로써, 복합 배관(60C)의 좌우의 요동을 억제할 수 있고, 이동을 원활하게 할 수 있다.
또한, 상기 볼록조(201)와 오목홈(202)을 반대로 설치하여도 좋다. 즉, 피복 부재(63B)의 접촉면에 오목홈(202)을 마련하고, 베이스 부재(200)의 접촉면에 볼록조(201)를 설치하여도 좋다.
또한, 도 14 및 도 15에서는 피복 부재(63A, 63B)는 관체의 일부를 피복하는 경우에 대해서 설명하였지만, 피복 부재(63A, 63B)는 관체의 전체 둘레를 피복하는 구조여도 좋다. 이 경우, 적어도 관체가 액체용 관체인 경우는 관체와 피복 부재 사이에 가요성을 갖는 단열층을 형성하여도 좋다.
또한, 상기 복합 배관(60, 60A)에 있어서, 액체용 관체(61, 61a, 61b, 61c)가 접속하는 고정 설비측에, 관체(61, 61a, 61b, 61c) 내를 흐르는 액의 용적 확대부인 버퍼부(300)가 접속되어 있다. 이와 같이 관체(61, 61a, 61b, 61c)를 버퍼부(300)에 접속함으로써, 배관의 이동시에 배관의 길이가 변화되어 관체(61, 61a, 61b, 61c) 내를 흐르는 액이 용적 변화에 의해 맥동하는 것을 버퍼부(300)에 의해 가변 조절하여 억제할 수 있다. 이에 따라 레지스트액, 현상액 및 린스액 등의 공급을 안정화할 수 있다.
다음에, 상기한 바와 같이 구성되는 레지스트 도포·현상 처리 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리 순서에 대해서 설명한다.
<반사 방지막이 없는 처리 형태>
우선, 외부로부터 캐리어(20)가 적재대(21)에 반입되고, 트랜스퍼 아암(C)에 의해 이 캐리어(20) 내로부터 웨이퍼(W)가 취출된다. 웨이퍼(W)는 트랜스퍼 아암(C)에 의해, 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS1)로 반송된 후, 전달 아암(D)에 의해 선반 유닛(U5)의 제3 수납 블록(10c)의 냉각 플레이트(CPL3)까지 반송되고, 이 냉각 플레이트(CPL3)를 통해 COT층(B4)의 메인 아암(A4)에 전달된다. 그리고 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A4)에 의해 소수화 처리 유닛(ADH)으로 반송되어 소수화 처리된 후, 다시 선반 유닛(U5)의 제3 수납 블록(10c)의 냉각 플레이트(CPL4)에 반송되어, 소정 온도로 조정된다. 다음에, 메인 아암(A4)에 의해 선반 유닛(U5)으로부터 취출된 웨이퍼(W)는, 도포 유닛(32)으로 반송되고, 도포 유닛(32)에서 레지스트막이 형성된다. 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A4)에 의해 가열 유닛(CLHP4)에 반송되고, 용제를 레지스트막으로부터 증발시키기 위한 프리베이크가 실시된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 메인 아암(A4)에 의해 선반 유닛(U5)의 제3 수납 블록(10c)의 적재 선반(BUF2)상에 수납되어 일시 대기하고, 그 후 전달 아암(D)이 선반 유닛(U5)의 제3 수납 블록(10c)의 적재 선반(BUF2)에 진입하여 웨이퍼(W)를 수취하며, 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS2)에 전달한다. 계속해서 셔틀 아암(A)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 스테이지(ICPL)에 반송된다. 계속해서 전달 스테이지(ICPL)의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(E)에 의해 노광 장치(S4)로 반송되며, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다.
노광 처리 후의 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(E)에 의해, DEV층(B1)[또는 DEV층(B2)]에 웨이퍼(W)를 전달하기 위해, 선반 유닛(U6)의 전달 스테이지(TRS3)로 반송되고, 이 스테이지(TRS3)상의 웨이퍼(W)는 DEV층(B1)[DEV층(B2)]의 메인 아 암(A1)에 수취되며, 이 DEV층(B1)[DEV층(B2)]에서 우선 가열 유닛(PEB1)으로 가열 처리된 후, 메인 아암(A1)에 의해 선반 유닛(U6)의 냉각 플레이트[CPL7(CPL8)]에 반송되어, 소정 온도로 조정된다. 계속해서, 웨이퍼(W)는 메인 아암(A1)에 의해 선반 유닛(U6)으로부터 취출되고 현상 유닛(31)으로 반송되어, 현상액이 도포된다. 그 후 메인 아암(A1)에 의해 가열 유닛(POST1)에 반송되고, 소정의 현상 처리가 행해진다. 이와 같이 현상 처리가 행해진 웨이퍼(W)는 트랜스퍼 아암(C)에 웨이퍼(W)를 전달하기 위해, 선반 유닛(U5)의 제1 수납 블록(10a)의 냉각 플레이트[CPL9(CPL10)]에 반송되어 소정 온도로 조정된 후, 트랜스퍼 아암(C)에 의해, 캐리어 블록(S1)에 적재되어 있는 원래의 캐리어(20)로 복귀된다.
<레지스트막의 하측에 반사 방지막을 형성하는 처리 형태>
우선, 외부로부터 캐리어(20)가 적재대(21)에 반입되고, 트랜스퍼 아암(C)에 의해 이 캐리어(20) 내로부터 웨이퍼(W)가 취출된다. 웨이퍼(W)는 트랜스퍼 아암(C)으로부터 전달 아암(D)에 전달된 후, 전달 아암(D)에 의해 선반 유닛(U5)의 제2 수납 블록(10b)의 냉각 플레이트(CPL1)까지 반송되고, 이 냉각 플레이트(CPL1)를 통해 BCT층(B3)의 메인 아암(A3)에 전달된다.
그리고 BCT층(B3)에서는, 메인 아암(A3)에 의해, 제1 반사 방지막 형성 유닛(33)→가열 유닛(CLHP3)→선반 유닛(U5)의 제2 수납 블록(10b)의 적재 선반(BUF1)의 순서로 반송되어, 제1 반사 방지막이 형성된다. 제2 수납 블록(10b) 내의 적재 선반(BUF1)에 적재된 웨이퍼(W)는 전달 아암(D)에 의해 제3 수납 블록(10c)의 냉각 플레이트[CPL3(CPL4)]로 반송되어, 소정 온도로 온도 조정된다.
계속해서 제3 수납 블록(10c)의 웨이퍼(W)는 메인 아암(A4)에 의해, 도포 유닛(32)→가열 유닛(CLHP4)→선반 유닛(U5)의 제3 수납 블록(10c)의 적재 선반(BUF2)의 순서로 반송되어 제1 반사 방지막의 상층에 레지스트막이 형성된다.
그 후, 전달 아암(D)이 선반 유닛(U5)의 제3 수납 블록(10c)의 적재 선반(BUF2)에 진입하여 웨이퍼(W)를 수취하고, 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS2)로 전달한다. 계속해서 셔틀 아암(A)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 스테이지(ICPL)로 반송된다. 계속해서 전달 스테이지(ICPL)의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(E)에 의해 노광 장치(S4)로 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다.
노광 처리 후의 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(E)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 스테이지(TRS3)에 반송되고, 메인 아암(A1)에 의해 가열 유닛(PEB1)→선반 유닛(U6)의 냉각 플레이트[CPL7(CPL8)]→현상 유닛(31)→가열 유닛(POST1)으로 반송되며, 소정의 현상 처리가 행해진다. 이와 같이 하여 현상 처리가 행해진 웨이퍼(W)는, 트랜스퍼 아암(C)으로 웨이퍼(W)를 전달하기 위해, 선반 유닛(U5)의 제1 수납 블록(10a)의 냉각 플레이트[CPL9(CPL10)]로 반송되어 소정 온도로 조정된 후, 트랜스퍼 아암(C)에 의해, 캐리어 블록(S1)에 적재되어 있는 원래의 캐리어(20)로복귀된다.
<레지스트막의 상측에 반사 방지막을 형성하는 처리 형태>
우선, 외부로부터 캐리어(20)가 적재대(21)에 반입되고, 트랜스퍼 아암(C)에 의해 이 캐리어(20) 내로부터 웨이퍼(W)가 취출된다. 웨이퍼(W)는 트랜스퍼 아암(C)에 의해, 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS1)로 반송된 후, 전달 아암(D)에 의해 선반 유닛(U5)의 제3 수납 블록(10c)의 냉각 플레이트(CPL3)까지 반송되고, 이 냉각 플레이트(CPL3)를 통해 COT층(B4)의 메인 아암(A4)에 전달된다. 그리고 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A4)에 의해 소수화 처리 유닛(ADH)→선반 유닛(U5)의 제3 수납 블록(10c)의 냉각 플레이트(CPL4)로 반송되어 소정 온도로 조정된다. 다음에, 메인 아암(A4)에 의해 선반 유닛(U5)으로부터 취출된 웨이퍼(W)는 도포 유닛(32)으로 반송되어, 도포 유닛(32)에서 레지스트막이 형성된다. 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A4)에 의해 가열 유닛(CLHP4)으로 반송되고, 용제를 레지스트막으로부터 증발시키기 위한 프리베이크가 실시된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 메인 아암(A4)에 의해 선반 유닛(U5)의 제3 수납 블록(10c)의 적재 선반(BUF2)상에 수납되어 일시 대기한다.
계속해서 제3 수납 블록(10c)의 웨이퍼(W)는, 전달 아암(D)에 의해 선반 유닛(U5)의 제4 수납 블록(10d)의 냉각 플레이트[CPL5(CPL6)]에 반송되고, 소정 온도로 온도 조정된 후, 냉각 플레이트[CPL5(CPL6)]를 통해 TCT층(B5)의 메인 아암(A5)에 전달된다. 그리고 TCT층(B5)에서는 메인 아암(A5)에 의해 제2 반사 방지막 형성 유닛(34)→가열 유닛(CLHP5)→선반 유닛(U5)의 제4 수납 블록(10c)의 적재 선반(BUF3)의 순서로 반송되어, 제2 반사 방지막이 형성된다. 또한, 이 경우 가열 유닛(CLHP5)에 의한 가열 처리 후에 주변 노광 장치(WEE)로 반송하고, 주변 노광 처리를 행한 후에, 선반 유닛(U5)의 제4 수납 블록(10c)의 적재 선반(BUF3)으로 반송하여도 좋다.
그 후, 전달 아암(D)이 선반 유닛(U5)의 제4 수납 블록(10d)의 적재 선 반(BUF3)에 진입하여 웨이퍼(W)를 수취하고, 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS2)에 전달한다. 계속해서 셔틀 아암(A)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 스테이지(ICPL)로 반송된다. 계속해서 전달 스테이지(ICPL)의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(E)에 의해 노광 장치(S4)에 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다.
노광 처리 후의 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(E)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 스테이지(TRS3)에 반송되고, 메인 아암(A1)에 의해 가열 유닛(PEB1)→선반 유닛(U6)의 냉각 플레이트[CPL7(CPL8)]→현상 유닛(31)→가열 유닛(POST1)로 반송되며, 소정의 현상 처리가 행해진다. 이와 같이 하여 현상 처리가 행해진 웨이퍼(W)는, 트랜스퍼 아암(C)에 웨이퍼(W)를 전달하기 위해, 선반 유닛(U5)의 제1 수납 블록(10a)의 냉각 플레이트[CPL9(CPL10)]로 반송되어 소정 온도로 조정된 후, 트랜스퍼 아암(C)에 의해 캐리어 블록(S1)에 적재되어 있는 원래의 캐리어(20)에 복귀된다.
<레지스트막의 하측 및 상측에 반사 방지막을 형성하는 처리 형태>
레지스트막의 하측 및 상측에 반사 방지막을 형성하는 경우는, 전술한 레지스트막의 하측에 반사 방지막을 형성하는 반송 처리와 레지스트막의 하측에 반사 방지막을 형성하는 반송 처리를 조합하여 레지스트막의 하측 및 상측에 반사 방지막을 형성할 수 있다. 즉, 우선 외부로부터 캐리어(20)가 적재대(21)에 반입되고, 트랜스퍼 아암(C)에 의해 이 캐리어(20) 내로부터 웨이퍼(W)가 취출되며, 전달 아암(D)에 전달된 후, 전달 아암(D)에 의해 선반 유닛(U5)의 제2 수납 블록(10b)의 냉각 플레이트(CPL1)까지 반송되고, 이 냉각 플레이트(CPL1)를 통해 BCT층(B3)의 메인 아암(A3)에 전달된다.
그리고 BCT층(B3)에서는, 메인 아암(A3)에 의해, 제1 반사 방지막 형성 유닛(33)→가열 유닛(CLHP3)→선반 유닛(U5)의 제2 수납 블록(10b)의 적재 선반(BUF1)의 순서로 반송되고, 제1 반사 방지막이 형성된다. 제2 수납 블록(10b) 내의 적재 선반(BUF1)에 적재된 웨이퍼(W)는 전달 아암(D)에 의해 제3 수납 블록(10c)의 냉각 플레이트[CPL3(CPL4)]로 반송되고, 소정 온도로 온도 조정된다.
계속해서 제3 수납 블록(10c)의 웨이퍼(W)는 메인 아암(A4)에 의해, 도포 유닛(32)→가열 유닛(CLHP4)→선반 유닛(U5)의 제3 수납 블록(10c)의 적재 선반(BUF2)의 순서로 반송되고, 제1 반사 방지막의 상층에 레지스트막이 형성된다.
계속해서 제3 수납 블록(10c)의 웨이퍼(W)는 전달 아암(D)에 의해 선반 유닛(U5)의 제4 수납 블록(10d)의 냉각 플레이트[CPL5(CPL6)]로 반송되고, 소정 온도로 온도 조정된 후, 냉각 플레이트[CPL5(CPL6)]를 통해 TCT층(B5)의 메인 아암(A5)에 전달된다. 그리고 TCT층(B5)에서는, 메인 아암(A5)에 의해 제2 반사 방지막 형성 유닛(34)→가열 유닛(CLHP5)→선반 유닛(U5)의 제4 수납 블록(10c)의 적재 선반(BUF3)의 순서로 반송되고, 레지스트막의 상층에 제2 반사 방지막이 형성된다. 또한 이 경우, 가열 유닛(CLHP5)에 의한 가열 처리 후에 주변 노광 장치(WEE)로 반송하여 주변 노광 처리를 행한 후에, 선반 유닛(U5)의 제4 수납 블록(10c)의 적재 선반(BUF3)으로 반송하여도 좋다.
그 후, 전달 아암(D)이 선반 유닛(U5)의 제4 수납 블록(10d)의 적재 선반(BUF3)으로 진입하여 웨이퍼(W)를 수취하고, 선반 유닛(U5)의 전달 스테이 지(TRS2)에 전달한다. 계속해서 셔틀 아암(A)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 스테이지(ICPL)로 반송된다. 계속해서 전달 스테이지(ICPL)의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(E)에 의해 노광 장치(S4)에 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다.
노광 처리 후의 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(E)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 스테이지(TRS3)로 반송되고, 메인 아암(A1)에 의해 가열 유닛(PEB1)→선반 유닛(U6)의 냉각 플레이트[CPL7(CPL8)]→현상 유닛(31)→가열 유닛(POST1)으로 반송되며, 소정의 현상 처리가 행해진다. 이와 같이 현상 처리가 행해진 웨이퍼(W)는, 트랜스퍼 아암(C)에 웨이퍼(W)를 전달하기 위해 선반 유닛(U5)의 제1 수납 블록(10a)의 냉각 플레이트[CPL9(CPL10)]로 반송되어 소정 온도로 조정된 후, 트랜스퍼 아암(C)에 의해 캐리어 블록(S1)에 적재되어 있는 원래의 캐리어(20)로 복귀된다.
이상에 있어서, 전술의 도포·현상 처리 장치는 각 처리 유닛의 레시피의 관리나, 웨이퍼(W)의 반송 플로우(반송 경로)의 스케줄 관리나, 각 처리 유닛에 있어서의 처리나, 메인 아암(A1, A3 내지 A5), 셔틀 아암(A), 트랜스퍼 아암(C), 전달 아암(D), 인터페이스 아암(E)의 구동 제어를 행하는 컴퓨터로 이루어지는 제어부(70)를 구비하고 있고, 이 제어부(70)로써, 단위 블록(B1 내지 B5)을 사용하여 웨이퍼(W)를 반송시켜 처리가 행해지게 되어 있다.
상기 반송 플로우 스케줄은 단위 블록 내의 웨이퍼(W)의 반송 경로(반송의 순서)를 지정한 것이며, 단위 블록(B1 내지 B5)마다 형성하는 도포막의 종류에 따라 작성되고, 이에 따라 단위 블록(B1 내지 B5)마다 복수 개의 반송 플로우의 스케 줄이 제어부(70)에 저장되어 있다.
또한, 형성하는 도포막에 의해, 모든 단위 블록(B1 내지 B5)으로 웨이퍼(W)를 반송하는 모드와, 현상 처리를 행하는 단위 블록[DEV층(B1, B2)]과 레지스트액의 도포를 행하는 단위 블록[COT층(B4)]과 제1 반사 방지막을 형성하기 위한 단위 블록[BCT층(B3)]으로 웨이퍼(W)를 반송하는 모드와, 현상 처리를 행하는 단위 블록[DEV층(B1, B2)]과 레지스트액의 도포를 행하는 단위 블록[COT층(B4)]과 제2 반사 방지막을 형성하기 위한 단위 블록[TCT층(B5)]으로 웨이퍼(W)를 반송하는 모드와, 현상 처리를 행하는 단위 블록[DEV층(B1, B2)]에만 웨이퍼(W)를 반송하는 모드가 있고, 제어부(70)의 모드 선택 수단에 의해 형성하려고 하는 도포막의 종류에 따라 웨이퍼(W)를 반송하는 단위 블록을 선택하고, 또한 선택된 단위 블록마다 준비된 복수의 반송 플로우의 스케줄로부터 최적의 레시피를 선택함으로써, 형성하는 도포막에 따라 사용하는 단위 블록이 선택되며, 이 단위 블록에서는 각 처리 유닛이나 아암의 구동이 제어되어, 일련의 처리가 행해지도록 되어 있다.
이러한 도포·현상 처리 장치에서는, 각 도포막 형성용 단위 블록과, 현상 처리용 단위 블록을 다른 영역에 설치하고, 각각 전용 메인 아암(A1, A3 내지 A5) 및 셔틀 아암(A)을 설치하였기 때문에, 이들 아암(A1, A3 내지 A5) 및 A의 부하가 경감한다. 이 때문에 아암(A1, A3 내지 A5) 및 셔틀 아암(A)의 반송 효율이 향상하기 때문에, 효과로서 작업 처리량을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 복합 배관을 구비하는 레지스트 도포·현상 처리 장치의 일례를 도시하는 개략 평면도.
도 2는 본 발명의 레지스트 도포·현상 처리 장치의 개략 사시도.
도 3은 본 발명의 레지스트 도포·현상 처리 장치의 개략 측단면도.
도 4는 본 발명에 있어서의 처리 블록의 단위 블록(DEV층)을 도시하는 개략 사시도.
도 5는 본 발명에 있어서의 처리 블록의 처리 유닛의 일례를 도시하는 개략 단면도.
도 6은 본 발명에 있어서의 처리 블록의 단위 블록(COT층)을 도시하는 개략 평면도.
도 7은 본 발명에 있어서의 단위 블록(COT층)의 평면도.
도 8은 본 발명에 있어서의 단위 블록(COT층)의 도포 처리부의 개략 단면도.
도 9는 본 발명의 도포 처리부에 있어서의 본 발명에 따른 복합 배관의 접속 상태를 도시하는 개략 사시도.
도 10은 본 발명에 있어서의 복합 배관의 단면도(a) 및 (a)의 선 I-I를 따라 취한 단면도(b).
도 11은 본 발명에 있어서의 복합 배관의 절첩부를 도시하는 사시도.
도 12는 본 발명에 있어서의 단위 블록(DEV층)의 현상 처리부에 있어서의 복합 배관을 도시하는 단면도.
도 13은 본 발명에 있어서의 처리 블록의 처리 유닛의 일례를 도시하는 개략 단면도.
도 14는 다른 복합 배관을 도시하는 주요부 사시도(a) 및 (a)의 선 II-II를 따라 취한 단면도(b).
도 15는 또 다른 복합 배관을 도시하는 주요부 사시도(a) 및 (a)의 선 III-III을 따라 취한 단면도(b).
도 16은 용적 확대부(버퍼부)를 구비하는 복합 배관을 도시하는 개략 측면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
W: 반도체 웨이퍼(피처리 기판)
B1, B2: 제1, 제2 단위 블록(DEV층)
B3: 제3 단위 블록(BCT층) B4: 제4 단위 블록(COT층)
B5: 제5 단위 블록(TCT층) S1: 캐리어 블록
S2: 처리 블록 31: 현상 유닛(처리 유닛)
32: 도포 유닛(처리 유닛)
33: 제1 반사 방지막 형성 유닛(처리 유닛)
34: 제2 반사 방지막 형성 유닛(처리 유닛)
35, 35a, 35b, 35c: 액 처리부 47: 공급 노즐
48: 노즐 헤드 49: 노즐 구동 기구
54: 배관 연결 블록(고정 설비측) 60, 60A, 60B, 60C: 복합 배관
61, 61a 내지 61c: 액체용 관체 62: 전기용 관체
63, 63A: 피복 부재 64, 64A: 액 공급관
65: 온도 조정 유체 66: 전기 배선
67: 벨로스형 관 부재 68a: 공간부
68b: 공간부(배기 통로) 69: 단열층
100: 판형 스프링 부재 200: 베이스 부재
201: 볼록조 202: 오목홈
300: 버퍼부(용적 확대부)

Claims (8)

  1. 적어도 액체용 관체와 전기용 관체를 포함하는 복수의 관체가 병렬형태로 고착되고, 일단이 고정 설비측에 접속되며, 타단이 이동체측에 접속되는 복합 배관으로서,
    상기 복수의 관체는 신축성 및 가요성을 갖는 벨로스형(Bellows type) 관체이고, 가요성을 갖는 피복 부재에 의해 일체 결합되며,
    상기 액체용 관체 내에 공간을 비워 액 공급관이 삽입되고, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재 가능하게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 복합 배관.
  2. 적어도 액체용 관체와 전기용 관체를 포함하는 복수의 관체가 병렬형태로 고착되고, 일단이 고정 설비측에 접속되며, 타단이 이동체측에 접속되는 복합 배관으로서,
    상기 복수의 관체는 가요성을 갖는 피복 부재에 의해 일체 결합되며,
    상기 액체용 관체 내에 공간을 비워 액 공급관이 삽입되고, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재 가능하게 형성되고,
    상기 전기용 관체 내에 공간을 비워 전기 배선이 삽입되고, 전기용 관체와 전기 배선의 공간부가, 배기 수단에 접속 가능한 배기 통로를 형성하는 것을 특징으로 하는 복합 배관.
  3. 적어도 액체용 관체와 전기용 관체를 포함하는 복수의 관체가 병렬형태로 고착되고, 일단이 고정 설비측에 접속되며, 타단이 이동체측에 접속되는 복합 배관으로서,
    상기 복수의 관체는 가요성을 갖는 피복 부재에 의해 일체 결합되며,
    상기 액체용 관체 내에 공간을 비워 액 공급관이 삽입되고, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재 가능하게 형성되고,
    상기 피복 부재에 있어서의 관체의 배열 방향을 따라 판형 스프링 부재가 더 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 복합 배관.
  4. 적어도 액체용 관체와 전기용 관체를 포함하는 복수의 관체가 병렬형태로 고착되고, 일단이 고정 설비측에 접속되며, 타단이 이동체측에 접속되는 복합 배관으로서,
    상기 복수의 관체는 가요성을 갖는 피복 부재에 의해 일체 결합되며,
    상기 액체용 관체 내에 공간을 비워 액 공급관이 삽입되고, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재 가능하게 형성되고,
    상기 피복 부재를 이동 가능하게 적재하는 베이스 부재를 구비하고, 이 베이스 부재와 피복 부재의 대향하는 접촉면에는, 서로 활주 가능하게 결합하는 오목홈 및 볼록조가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 복합 배관.
  5. 적어도 액체용 관체와 전기용 관체를 포함하는 복수의 관체가 병렬형태로 고착되고, 일단이 고정 설비측에 접속되며, 타단이 이동체측에 접속되는 복합 배관으로서,
    상기 복수의 관체는 가요성을 갖는 피복 부재에 의해 일체 결합되며,
    상기 액체용 관체 내에 공간을 비워 액 공급관이 삽입되고, 액체용 관체와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체가 개재 가능하게 형성되고,
    상기 액체용 관체의 단부에, 상기 관체 내를 흐르는 액의 용적 확대부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 복합 배관.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 상기 액체용 관체에는 상기 관체의 전체 둘레를 피복하는 피복 부재와의 사이에 단열층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 복합 배관.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재한 복합 배관을 포함하는 도포·현상 처리 장치로서,
    피처리 기판에 도포액을 공급하여 처리를 실시하는 도포 처리부와, 상기 피처리 기판에 현상액을 공급하여 처리를 실시하는 현상 처리부를 포함하고, 상기 도포 처리부 및 현상 처리부는, 액 공급 노즐 및 상기 노즐의 이동 수단을 포함하며, 이들 액 공급 노즐 및 노즐의 이동 수단에 상기 복합 배관의 이동체측 단부를 접속하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 도포·현상 처리 장치.
  8. 삭제
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