CN102161101A - 超大规模集成电路用高纯钨材的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种超大规模集成电路用高纯钨材的制备方法,包括预还原、氢气还原、酸洗除杂、配粉、成形、预烧结、高温烧结、切断脱气处理等步骤。本发明的还原阶段采取钨粉制备的多组工艺,制得不同粒度的钨粉,经配合的钨粉粒度呈良好的正态分布,钨粉间结合力得以提高,压坯成形过程无须添加粘结剂,避免了碳的污染;还原后钨粉采用稀酸洗涤,有效降低可溶于酸和水的Fe及其它金属杂质;钨条经切断后在氢气气氛中脱气处理,降低了金属间隙气体杂质含量;从而实现了制备高纯钨材的效果,所获得的高纯钨材其化学纯度高,杂质含量低,适合于规模化生产。
Description
技术领域
本发明属钨粉末冶金领域,涉及一种超大规模集成电路用高纯钨材的制备方法。
背景技术
在微电子行业,随着超大规模集成电路向轻、薄、短、小、高性能方向发展,芯片向高集成度、高频率、超多I/O端子数方向发展,迫切需要提高封装密度。为满足这些要求,大规模集成电路的三维立体布线技术应运而生。而钨具有良好的导电性、逸出功近于硅的频带隙及优良的热稳定性(与硅结合性良好),成为首选材料,现广泛应用于集成电路的栅极材料和布线材料。
目前,在我国制备高纯钨材主要有两种方法:一是以钨条为原料,采用电弧熔炼、电子束熔炼和区域熔炼技术提纯钨金属,产品以小批量和特定的军事用途为目标,钨材为铸造态,虽然产品纯度较高,但是对装备依赖度高、批量小、成品率低、成本高,难以形成规模化生产。二是采用普通钨粉末冶金方法生产,在压制成型过程中要添加含碳有机物的粘结剂(成型剂),虽然在后续的烧结过程中通过高温处理,可以去除绝大部门粘结剂。但此过程增加了碳含量的污染,且生产过程中的除杂效果一般,铁(Fe)、氧(O)、碳(C)等杂质含量高,难以满足超大规模集成电路用钨材的品质要求。
发明内容
本发明的目的就是针对背景技术存在的缺陷,提供一种可满足超大规模集成电路用高纯钨材的制备方法,该制备方法能有效降低钨材中铁、氧、碳等杂质含量,同时提高钨含量,且钨材密度高、产品使用性能稳定。
本发明的超大规模集成电路用高纯钨材的制备方法,包括以下步骤:
A、预还原,选用符合GB/T10116—2007中APT—0牌号的仲钨酸铵,采用常规技术通过四带温区还原炉,氢气还原生成含氧量为19~20%的蓝色氧化钨;
B、氢气还原,将蓝色氧化钨用常规还原工艺通过五带温区还原炉,在还原温度为600~950℃,氢气流量为4.0~6.0m3/h,氢气露点≤-60℃,推速为20~25min的工艺条件下调整装舟量,装舟量分别为280±5g、330±5g、380±5g、430±5g、480±5g时,制得费氏粒度为2.0±0.2μm、2.5±0.2μm、3.0±0.2μm、3.5±0.2μm、4.0±0.2μm的钨粉;
C、酸洗除杂,将以上各粒度钨粉分别用电阻率>1.0×105Ω·cm的去离子水搅拌洗涤30~35min,停搅拌澄清后,抽去上清液,加入浓度4~5%的盐酸,搅拌洗涤45~50min,停搅拌澄清,抽去上清液,再用电阻率>1.0×105Ω·cm 去离子水清洗至pH值>3为止,钨粉经真空过滤,置于70~90℃的真空烘干箱内干燥24~30h,并经160~200目筛筛分;
D、配粉,将酸洗除杂后的各粒度钨粉,按从小到大的顺序,比例为8~10:18~20:36~40:18~20:8~10,配合成费氏粒度为2.9~3.2μm的钨粉,在混料机中混合25~30min;
E、成形,将上工序得到的粉料,用常规技术在15~25MPa压力下模压成形,获得的纯钨坯条尺寸为15~16×15~16×600mm;
F、预烧结,纯钨坯条置于钼舟内,在氢气露点≤-70℃,温度1200~1400℃下烧结30~50min;
G、高温烧结,预烧结后纯钨坯条置于垂熔罩内,在露点≤-70℃的氢气保护下高温烧结,烧结制度为二段升温、二段保温,电流/时间参数为 升温(0-3200A)/15min、保温3200A/15min、升温(3200-4150A)/2min、保温4150A/20min,产出密度≥17.80g/cm3,尺寸为12~13×12~13×510mm的纯钨条;
H、切断脱气处理,将高温烧结所得纯钨条切断成20~50mm,装入钼舟,置于温度为1600±50℃刚玉管电气炉中,在氢气露点≤-70℃,保温时间为3~5h下脱气处理,即获得超大规模集成电路用高纯钨材,钨材中W≮99.99%、Fe<0.0008%、O<0.001%、C<0.0005%。
本发明的用于制作超大规模集成电路用高纯钨材制备方法,还原阶段采取钨粉制备的多组工艺,制得不同粒度的钨粉,经配合的钨粉粒度呈良好的正态分布,钨粉间结合力得以提高,压坯成形过程无须添加粘结剂;还原后钨粉采用稀酸洗涤,有效降低可溶于酸和水的Fe及其它金属杂质,Fe降至0.0008%以下;压坯过程不添加含碳有机物的粘结剂,避免了碳的污染,确保碳含量<0.0005%;垂熔高温烧结阶段,依照不同杂质元素熔点的不同,设定了进一步提纯金属钨为目的的垂熔烧结制度;钨条经切断后在氢气气氛中脱气处理,降低了金属间隙气体杂质含量,其氧含量可降至0.0010%以下;从而实现了制备高纯钨材的效果,所获得的高纯钨材其化学纯度高,杂质含量低。
本发明采用了钨粉末冶金的常规设备和简单易行的制备工艺,成形过程不添加任何粘结剂,所得产品纯度高、消耗低,适合于规模化生产。
具体实施方式
实施例1:
本实施例以生产尺寸为12.2×12.2×50mm的高纯钨材为例 。
A、预还原,选用符合GB/T10116—2007中APT—0牌号的仲钨酸铵装舟推入四带温区的还原炉中,在300~450℃温度的氢气气氛下中,制得蓝色氧化钨氧含量为19.2%;
B、氢气还原,将蓝色氧化钨装舟推入五温区的还原炉中,在氢气流量5.5m3/h、氢气露点为-68℃、温度600~900℃、推速20min,装舟量分别为280g、330g、380g、430g、480g时,所制得钨粉的费氏粒度为2.10μm、2.55μm、3.10μm、3.65μm、4.05μm;
C、酸洗除杂,将B工序所得钨粉分别进行酸洗,先用电阻率为1.3×105Ω·cm去离子水洗30min,澄清后抽去上清液用浓度为4.5 %盐酸洗50min,澄清后抽去上清液,再用电阻率为1.3×105Ω·cm去离子水清洗至PH值>3为止,吸滤后置于温度80℃的烘箱内真空干燥24小时;
D、配粉,将C工序所得的5种粒度钨粉,分别按重量比10%、20%、40%、20%、10%的要求均匀混合,制得配合粉的费氏粒度为3.10μm;
E、成形,将D所得配合钨粉采用油压机在16MPa压力下模压成形,制得15×15×600mm钨坯条;
F、预烧结,将钨坯条放在舟皿中送入预烧炉,温度1320℃,烧结40min;
G、高温烧结,预烧后坯条置于氢气保护下的垂熔罩内,烧结电流制度(电流/时间)按(0-3200A)/15min+3200A/15min+(3200-4150A)/2min+4150A/20min进行;获得密度为17.9g/cm3尺寸为12.2×12.2×510mm的纯钨条;
H、切断脱气处理,将钨条切成50mm的短棒,放在舟皿中送入刚玉管电气炉,在氢气露点为-72℃、温度1580℃、保温脱气5h,获得钨含量为≮99.99%、铁含量为0.0007%,氧含量为0.0010%,碳含量为0.0003%的高纯钨材。
实施例2:
本实施例以生产尺寸为12.3×12.3×20mm的高纯钨材为例 。
A、预还原,选用GB/T10116—2007中APT—0牌号仲钨酸铵装舟推入四带温区的还原炉中,在300~450℃温度的氢气气氛下中,制得蓝色氧化钨氧含量为19.4%;
B、氢气还原,将蓝色氧化钨装舟推入五温区的还原炉中,在氢气流量5.0m3/h、氢气露点为-70℃、温度600~900℃、推速20min,装舟量分别为285g、335g、385g、435g、485g时,所制得钨粉的费氏粒度为2.15μm、2.58μm、3.16μm、3.70μm、4.06μm;
C、酸洗除杂,将B工序所得钨粉分别进行酸洗,先用电阻率为1.5×105Ω·cm去离子水洗30min,澄清后抽去上清液用浓度为4.3 %盐酸洗50min,澄清后抽去上清液,再用电阻率为1.5×105Ω·cm去离子水清洗至PH值>3为止,吸滤后置于温度85℃的烘箱内真空干燥28小时;
D、配粉,将C工序所得的5种粒度钨粉,分别按重量比8%、22%、40%、22%、8%的要求均匀混合,制得配合粉的费氏粒度为3.12μm;
E、成形,将D所得配合钨粉采用油压机在18MPa压力下模压成形,制得15.3×15.3×600mm钨坯条;
F、预烧结,将钨坯条放在舟皿中送入预烧炉,温度1330℃,烧结42min;
G、高温烧结,预烧后坯条置于氢气保护下的垂熔罩内,烧结电流制度(电流/时间)按(0-3200A)/16min+3200A/15min+(3200-4150A)/3min+4150A/18min进行;获得密度为17.85g/cm3尺寸为12.3×12.3×510mm的纯钨条;
H、切断脱气处理,将钨条切成20mm的短棒,放在舟皿中送入刚玉管电气炉,在氢气露点为-70℃、温度1620℃、保温脱气3h,获得钨含量为≮99.99%、铁含量为0.0006%,氧含量为0.0009%,碳含量为0.0003%的高纯钨材。
Claims (1)
1.一种超大规模集成电路用高纯钨材的制备方法,其特征在于:它包括以下步骤:
A、预还原,选用符合GB/T10116—2007中APT—0牌号的仲钨酸铵,采用常规技术通过四带温区还原炉,氢气还原生成含氧量为19~20%的蓝色氧化钨;
B、氢气还原,将蓝色氧化钨用常规还原工艺通过五带温区还原炉,在还原温度为600~950℃,氢气流量为4.0~6.0m3/h,氢气露点≤-60℃,推速为20~25min的工艺条件下调整装舟量,装舟量分别为280±5g、330±5g、380±5g、430±5g、480±5g时,制得费氏粒度为2.0±0.2μm、2.5±0.2μm、3.0±0.2μm、3.5±0.2μm、4.0±0.2μm的钨粉;
C、酸洗除杂,将以上各粒度钨粉分别用电阻率>1.0×105Ω·cm的去离子水搅拌洗涤30~35min,停搅拌澄清后,抽去上清液,加入浓度4~5%的盐酸,搅拌洗涤45~50min,停搅拌澄清,抽去上清液,再用电阻率>1.0×105Ω·cm 去离子水清洗至pH值>3为止,钨粉经真空过滤,置于70~90℃的真空烘干箱内干燥24~30h,并经160~200目筛筛分;
D、配粉,将酸洗除杂后的各粒度钨粉,按从小到大的顺序,比例为8~10:18~20:36~40:18~20:8~10,配合成费氏粒度为2.9~3.2μm的钨粉,在混料机中混合25~30min;
E、成形,将上工序得到的粉料,用常规技术在15~25MPa压力下模压成形;
F、预烧结,纯钨坯条置于钼舟内,在氢气露点≤-70℃,温度1200~1400℃下烧结30~50min;
G、高温烧结,预烧结后纯钨坯条置于垂熔罩内,在露点≤-70℃的氢气保护下高温烧结,烧结制度为二段升温、二段保温,电流/时间参数为 升温(0-3200A)/15min、保温3200A/15min、升温(3200-4150A)/2min、保温4150A/20min;
H、切断脱气处理,将高温烧结所得纯钨条切断成20~50mm,装入钼舟,置于温度为1600±50℃刚玉管电气炉中,在氢气露点≤-70℃,保温时间为3~5h下脱气处理,即得。
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