CN100410402C - Cu-TiB2纳米弥散合金的制备方法 - Google Patents

Cu-TiB2纳米弥散合金的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100410402C
CN100410402C CNB2005100322078A CN200510032207A CN100410402C CN 100410402 C CN100410402 C CN 100410402C CN B2005100322078 A CNB2005100322078 A CN B2005100322078A CN 200510032207 A CN200510032207 A CN 200510032207A CN 100410402 C CN100410402 C CN 100410402C
Authority
CN
China
Prior art keywords
alloy
tib
melt
chamber
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2005100322078A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1940103A (zh
Inventor
汪明朴
李周
郭明星
谭望
贾延琳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Central South University
Original Assignee
Central South University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Central South University filed Critical Central South University
Priority to CNB2005100322078A priority Critical patent/CN100410402C/zh
Publication of CN1940103A publication Critical patent/CN1940103A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100410402C publication Critical patent/CN100410402C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Conductive Materials (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

本发明涉及一种Cu-TiB2合金及其制备方法。采用Cu-Ti和Cu-B作为中间合金,将中间合金分别熔化并过热至1300℃~1400℃后,使两熔体混合发生原位反应,生成TiB2纳米粒子和纯铜熔体的均匀混合体,将此混合体用喷射沉积的方法快速冷凝,制成Cu-TiB2合金坯锭,加工制成Cu-TiB2合金成品。本发明合金与无氧铜相比,具有强度高、抗高温退火软化性能高的优势,其σ0.2可比无氧铜高3~12倍,抗退火软化温度900℃以上,而导电率可达95%IACS,高浓度Cu-TiB2合金导电率可达75%IACS,与Cu-Fe-P系、Cu-Ni-Si系、Cu-Cr-Zr系沉淀强化型合金相比,Cu-TiB2合金具有较高的导电性和抗高温退火软化性能。

Description

Cu-TiB2纳米弥散合金的制备方法
技术领域
本发明涉及一种Cu-TiB2合金及其制备方法,该铜合金具有高强度、高导电、抗高温退火软化特性,可应用于电真空、电阻焊电极、高压开关、电子电工、核技术等领域。
背景技术
在微波技术、微电子、电工、汽车制造、冶金、核技术等领域中,广泛需求一种高强度、高导电、抗高温退火软化特性的铜合金,它是制造电真空微波管、大规模集成电路引线框架、高压开关导电杆、汽车电阻焊电极、连铸机结晶器、受控热核反应热沉部件等的关键材料。纯铜虽然导电性高(98~102%IACS),但强度太低(σ0.2仅50MPa);Cu-Fe-P、Cu-Ni-Si、Cu-Cr-Zr等系列铜合金虽具有高强度、高导电的特性,但它们是时效强化型合金,在温度大于500℃时会出现过时效现象,即发生退火软化。特别是温度高于600℃时,这类合金不但因急剧软化而强度降低,而且会因沉淀粒子的回溶而导致导电性急剧降低,从而使合金丧失高强高导的特性。Cu-Al2O3合金是一类具有高强度、高导电、抗高温退火软化优异特性的纳米弥散强化铜合金,但其强化粒子Al2O3不导电。这一点在微电子领域和电真空领域的应用上尤为不利,它不但影响用其制作的精密器件的电火花或电子束加工,而且会引起用其制作的微器件局部区域导电性中断,甚至不能工作。因此需要制作这类器件的材料不但具有Cu-Al2O3合金同样优异的高强度、高导电和抗高温退火软化特性,而且需要其强化粒子也具有导电性,以利于微器件的精密电火花加工或电子束加工和防止微器件微区导电性中断。
纳米弥散强化铜合金的制备通常均采用原位反应法,如内氧化法制备Cu-Al2O3合金、机械合金化法制备Cu-Al2O3、Cu-TiB2、Cu-Nb合金等。内氧化法是利用控制氧分压来使Cu-Al合金粉中发生内氧化原位反应,在铜粉基体中生成Al2O3纳米粒子的。该方法制备Cu-Al2O3合金工艺相当复杂,包括:Cu-Al合金熔炼、喷粉、氧化剂制备、混料、内氧化、还原、冷等静压、真空烧结、包套热挤压、冷加工成形等,过程很难控制,国内外厂家很少有能真正掌握其关键技术的。机械合金化法是利用高能球磨来使两种或两种以上的合金粉发生原位反应生成纳米粒子的,如高能球磨Cu、Ti、B粉,并通过后续热处理或热加工形成Cu-TiB2合金。
发明内容
本发明的目的发明一种Cu-TiB2纳米弥散强化铜合金及其双熔体原位反应制备方法,该铜合金具有高强度、高导电、抗高温退火软化特性。
一种Cu-TiB2合金,其重量组成为:0.20~3.0%TiB2,其余为铜。
Cu-TiB2纳米弥散强化铜合金制备方法,采用Cu-Ti和Cu-B作为中间合金,将中间合金分别熔化并过热至1300℃~1400℃后,两熔体混合采用105~2×105Pa的高压惰性气体(高纯N2气或Ar气),使将合金熔体分别从两个管道压入反应腔,在相互碰撞混合时发生原位反应。使两熔体混合发生原位反应,生成TiB2纳米粒子和纯铜熔体的均匀混合体,将此混合体用喷射沉积的方法快速冷凝,喷射沉积的条件为:压力:3×105~6×105Pa,雾化气体:N2气或Ar气,制成Cu-TiB2合金坯锭,加工制成Cu-TiB2合金成品。
一种制备Cu-TiB2合金坯锭的双熔体原位反应装置,主要包括:两个炉腔和一个喷雾腔,炉腔和喷雾腔的下部分别设置有对腔体抽气、送气的孔,在炉腔内设置有能熔化中间合金的感应炉,在两个感应炉之间有“Y”型双熔体原位反应器,用于输送感应炉内中间合金并进行原位反应,在“Y”型双熔体原位反应器节点上部两个管道上设置阀门用于控制合金熔体的流量和控制炉腔内的气压状态(真空状态或高压充气状态),在“Y”型双熔体原位反应器节点下部的垂直管道上设置超声装置,在“Y”型双熔体原位反应器的末端即与喷雾腔的接触处设置有雾化器,雾化器下方设有支撑喷射沉积坯锭的可旋转可升降基板和牵引坯锭运动的导向轮,炉腔和喷雾腔之间安装有隔板,支撑炉腔并封闭喷雾腔。
本发明合金与无氧铜(C10100、TU1)相比,具有强度高、抗高温退火软化性能高的优势。视TiB2粒子含量不同,其σ0.2可比无氧铜高3~12倍,抗退火软化温度可高达900℃以上,而导电率可达95%IACS,非常接近无氧铜,高浓度Cu-TiB2合金导电率可达75%IACS,仍属高导电范围。与Cu-Fe-P系、Cu-Ni-Si系、Cu-Cr-Zr系沉淀强化型合金相比,在强度相当的情况下,Cu-TiB2合金导电性要明显高些,且无过时效和高温回溶造成的强度和导电率急剧下降问题。与Cu-Al2O3弥散铜相比,二者强度、导电性、抗高温退火软化性能相当,但TiB2粒子具有导电性,避免了Cu-Al2O3合金难以进行精密电火花或电子束加工,以及微区导电不连续等问题。在制备方法上,与内氧化法相比,双熔体原位反应法是一种短流程制备方法,具有生产装备简单、制备成本低、中间环节少、易于控制等一系列优点。
附图说明
图1:本发明工艺流程图;
图2:双熔体原位反应装置图;
图3:Cu-TiB2合金中TiB2粒子TEM照片(a),及相应电子衍射花样(b)
具体实施方式
下面结合附图对本发明双熔体原位反应装置作进一步说明。双熔体原位反应在混合反应腔内进行,其工作原理示于图2。将Cu-Ti和Cu-B合金分别置于左右两个感应炉9中,关闭阀门1,并通过抽气送气孔10将两个炉腔2抽空,同时启动两个感应炉9,熔化中间合金。熔化过程中保持真空度至10-1Pa附近,到达设定温度1300℃~1400℃后,停止抽空,并通过抽气送气孔10向两炉腔内送入高纯N2气或Ar气,使腔内气压与腔外相同。此时打开双熔体原位反应器7上方的两个阀门1,启动双熔体原位反应器7外围的超声装置4,同时分别从两抽气送气孔10中送入高压气体将熔体3(Cu-B)和熔体8(Cu-Ti)压入双熔体原位反应器7,并使两熔体在“Y”型双熔体原位反应器7交汇处碰撞形成紊流,并发生原位反应,在Cu熔体中生成TiB2纳米粒子。为使反应充分进行和防止Cu熔体中已生成的TiB2粒子长大,特在双熔体原位反应器7的反应腔体外部设置了超声装置4。在高压气体的作用下,在反应腔体内完成原位反应的Cu-TiB2混合体,迅速进入雾化器12,用另一股高压(3~6个大气压)N2气或Ar气雾化,并在喷雾腔14内的基板6上快速冷凝沉积为Cu-TiB2合金锭坯5。喷雾腔14通过隔板11与炉腔2分隔开来。为使雾化时合金不氧化,喷雾腔14内应先通过孔道15抽出大气,并充入N2气或Ar气,雾化时高压气体进入喷雾腔14由通气孔道15排出。按上述方法获得Cu-TiB2合金锭坯5,Cu-TiB2合金锭坯5通过导向轮13向下运动。Cu-TiB2合金坯锭5经热、冷加工成材。
实施例1:合金成分为TiB2-0.25wt%,其余为铜和不可避免杂质。制备合金的原材料为Cu-0.34wt%Ti和Cu-0.17wt%B,将其分别在图2所示装置中的两个坩埚中熔化后,过热至1350℃后,用2×105Pa的高压高纯N2气将合金熔体分别从两个管道压入反应腔,使两熔体在相互碰撞混合时发生原位反应,生成TiB2纳米粒子和纯铜熔体的均匀混合体,将此混合体用喷射沉积的方法快速冷凝,喷射沉积的条件为:压力:3×105~6×105Pa,雾化气体:N2气,制成Cu-TiB2合金坯锭,再经热轧、冷轧后制成厚0.30mm的薄板。其主要性能见表1,为便于比较,表1中还列出了TU1纯铜的对应性能(两合金均经900℃烧氢退火0.5h)。本例发明合金已用制备微波管栅网。
表1本发明合金与TU1纯铜的性能比较
Figure C20051003220700061
实施例2:合金成分为TiB2-0.5wt%,其余为铜和不可避免杂质。制备合金的原材料为Cu-0.68wt%Ti,Cu-0.34wt%B,将其分别在图2所示装置中的两个坩埚中熔化后并过热至1350℃后,用2×105Pa的高压高纯Ar气将合金熔体分别从两个管道压入反应腔,使两熔体在相互碰撞混合时发生原位反应,生成TiB2纳米粒子和纯铜熔体的均匀混合体,将此混合体用喷射沉积的方法快速冷凝,喷射沉积的条件为:压力:3×105~6×105Pa,雾化气体:Ar气,制成Cu-TiB2合金坯锭,经热挤压、冷拉拔成Φ12的棒材。其主要性能见表2,为便于比较,表2中还列出了Cu-0.35wt%Al2O3弥散强化铜合金的对应性能(两合金均经900℃烧氢退火0.5h),可见两者相当。图3示出了本例发明合金TEM照片和相应的电子衍射花样,可见本发明合金强化粒子为TiB2,其大小约为10~50nm。
表2本发明合金与Cu-0.35wt%Al2O3弥散强化铜性能比较

Claims (2)

1. 一种Cu-TiB2纳米弥散合金的制备方法,Cu-TiB2合金的重量组成为:0.20~3.0%TiB2,其余为铜,其特征在于:采用Cu-Ti和Cu-B作为中间合金,将中间合金分别熔化并过热至1300℃~1400℃后,使两熔体混合发生原位反应,生成TiB2纳米粒子和纯铜熔体的均匀混合体,两熔体混合采用105~2×105Pa的高压惰性气体,两熔体混合时对两熔体采用超声振动;将此混合体用喷射沉积的方法快速冷凝,喷射沉积的条件为:压力:3×105~6×105Pa,雾化气体:N2气或Ar气,制成Cu-TiB2合金坯锭,加工制成Cu-TiB2合金成品。
2. 一种采用权利要求1所述方法制备Cu-TiB2合金的双熔体原位反应装置,其特征在于:主要包括:两个炉腔和一个喷雾腔,炉腔和喷雾腔的下部分别设置有对腔体抽气、送气的孔,在炉腔内设置有能熔化中间合金的感应炉,在两个感应炉之间有“Y”型双熔体原位反应器,用于输送感应炉内中间合金并进行原位反应,在“Y”型原位反应器节点上部两个管道上设置阀门用于控制合金熔体的流量和控制炉腔内的气压状态,在“Y”型原位反应器节点下部的垂直管道上设置超声装置,在“Y”型原位反应器的末端即与喷雾腔的接触处设置有雾化器,雾化器下方设有支撑喷射沉积坯锭的可旋转可升降基板和牵引坯锭运动的导向轮,炉腔和喷雾腔之间安装有隔板,支撑炉腔并封闭喷雾腔。
CNB2005100322078A 2005-09-30 2005-09-30 Cu-TiB2纳米弥散合金的制备方法 Expired - Fee Related CN100410402C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005100322078A CN100410402C (zh) 2005-09-30 2005-09-30 Cu-TiB2纳米弥散合金的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005100322078A CN100410402C (zh) 2005-09-30 2005-09-30 Cu-TiB2纳米弥散合金的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1940103A CN1940103A (zh) 2007-04-04
CN100410402C true CN100410402C (zh) 2008-08-13

Family

ID=37958625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100322078A Expired - Fee Related CN100410402C (zh) 2005-09-30 2005-09-30 Cu-TiB2纳米弥散合金的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100410402C (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102560163A (zh) * 2012-01-12 2012-07-11 广东新劲刚超硬材料有限公司 一种采用超声分散制备弥散强化铜的方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102581519A (zh) * 2012-04-06 2012-07-18 哈尔滨工业大学 改性Fe-Cr-B堆焊材料
CN103540829B (zh) * 2013-10-29 2015-10-28 大连理工大学 原位制备TiB2增强铜基复合材料的方法和设备
CN107043899A (zh) * 2017-02-07 2017-08-15 西安理工大学 一种TiB/TiB2混杂增强Cu基复合材料及其制备方法
CN107675011B (zh) * 2017-09-06 2019-04-02 西安理工大学 一种TiB2/Cu材料的制备方法
CN108080626B (zh) * 2018-01-04 2020-02-14 北京理工大学 一种球形雾化镁锑合金粉体及其制备方法
CN109351916B (zh) * 2018-07-31 2021-03-12 湖南人文科技学院 一种高硼合金的制备方法
CN110528035A (zh) * 2019-09-24 2019-12-03 江苏师范大学 一种用于提高小型edm电极性能的掩模式射流电沉积装置及其方法
CN110814305B (zh) * 2019-11-07 2021-06-15 中南大学 一种Cu-Fe复合材料双熔体混合铸造装备与工艺
CN114892038B (zh) * 2020-06-16 2023-09-15 中山火炬职业技术学院 一种流动性优异的高球形度Cr基合金-TiB2微纳米粉体及其制备方法
CN113278842B (zh) * 2021-04-30 2022-04-12 西安理工大学 一种二硼化钛铜基球形复合材料粉末的制备方法
CN114318025B (zh) * 2021-12-23 2022-06-21 中南大学 一种双金属液相原位熔炼装置
CN114427046B (zh) * 2021-12-27 2023-08-01 中南大学 一种合金的短流程制备装置和制备方法
CN114752810B (zh) * 2022-03-24 2023-04-11 江苏恒盈电子科技有限公司 一种线路板用高强度半导体引线框架及其制备方法
CN115947602B (zh) * 2022-10-10 2023-11-07 中南大学 一种ZrB2基金属陶瓷惰性阳极及其制备方法和应用
CN115747557A (zh) * 2022-10-31 2023-03-07 西安理工大学 HfB2/Cu-(Hf)铜基复合材料及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6465235A (en) * 1987-09-07 1989-03-10 Fukuda Metal Foil Powder Production of high hardness composite copper alloy
US5217747A (en) * 1990-02-26 1993-06-08 Noranda Inc. Reactive spray forming process
CN2258500Y (zh) * 1995-11-23 1997-07-30 中南工业大学 一种制备金属基复合材料的喷射沉积装置
CN1250108A (zh) * 1999-08-26 2000-04-12 张曰林 陶瓷增强铜合金及其制取方法
CN1330164A (zh) * 2000-06-27 2002-01-09 北京科技大学 一种原位合金化与反应颗粒增强金属基复合材料制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6465235A (en) * 1987-09-07 1989-03-10 Fukuda Metal Foil Powder Production of high hardness composite copper alloy
US5217747A (en) * 1990-02-26 1993-06-08 Noranda Inc. Reactive spray forming process
CN2258500Y (zh) * 1995-11-23 1997-07-30 中南工业大学 一种制备金属基复合材料的喷射沉积装置
CN1250108A (zh) * 1999-08-26 2000-04-12 张曰林 陶瓷增强铜合金及其制取方法
CN1330164A (zh) * 2000-06-27 2002-01-09 北京科技大学 一种原位合金化与反应颗粒增强金属基复合材料制备方法

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Liquid-metal mixing process tailors MMC microstructures. Arthur K.Lee, Luis E.Sanchez-Caldera, S.TurkerOktay,NamP.Suh.Advanced materials & processes,No.8. 1992
Liquid-metal mixing process tailors MMC microstructures. Arthur K.Lee, Luis E.Sanchez-Caldera, S.TurkerOktay,NamP.Suh.Advanced materials & processes,No.8. 1992 *
Microstructure and properties of titanium boridedispersedCualloys fabricated by spray forming. JongsangLee,J.Y.Jung,Eon-SikLee,W.J.Park,S.Ahn,NackJ.Kim.Materials Science and Engineering,No.A277. 2000
Microstructure and properties of titanium boridedispersedCualloys fabricated by spray forming. JongsangLee,J.Y.Jung,Eon-SikLee,W.J.Park,S.Ahn,NackJ.Kim.Materials Science and Engineering,No.A277. 2000 *
TiB2/Cu金属基复合材料的研究. 郭明星,汪明朴,李周,程建奕.材料导报,第18卷第8期. 2004
TiB2/Cu金属基复合材料的研究. 郭明星,汪明朴,李周,程建奕.材料导报,第18卷第8期. 2004 *
原位复合法制备纳米粒子弥散强化铜合金研究进展. 郭明星,汪明朴,李周,曹玲飞,程建奕.机械工程材料,第29卷第4期. 2005
原位复合法制备纳米粒子弥散强化铜合金研究进展. 郭明星,汪明朴,李周,曹玲飞,程建奕.机械工程材料,第29卷第4期. 2005 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102560163A (zh) * 2012-01-12 2012-07-11 广东新劲刚超硬材料有限公司 一种采用超声分散制备弥散强化铜的方法
CN102560163B (zh) * 2012-01-12 2013-07-31 广东新劲刚新材料科技股份有限公司 一种采用超声分散制备弥散强化铜的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1940103A (zh) 2007-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100410402C (zh) Cu-TiB2纳米弥散合金的制备方法
CN101240387B (zh) 一种Cu-A12O3纳米弥散强化合金及其制备方法
CN100436634C (zh) 零烧氢膨胀纳米弥散强化Cu-Al2O3合金及其制备方法
CN109207766B (zh) 一种组织可控高铝含量Cu-Al2O3纳米弥散铜合金制备工艺
KR101334156B1 (ko) 가스분사법을 이용한 비정질 합금 분말의 제조방법
LU102169B1 (en) Method for preparing high-densification tungsten-copper refractory alloy
CN100497690C (zh) 多相氧化物颗粒增强铜基复合材料及其制备方法
CN105132736B (zh) 弥散铜复合材料及其制备方法
CN106756376B (zh) 钨铜合金及其加工方法和应用
CN104988438A (zh) 一种高强高导碳纳米管增强铜基复合材料及其制备方法
CN102041421B (zh) 一种高钨含量的高致密细晶钨铜材料及其制备方法
CN101818273B (zh) 一种高强度、高导电、抗高温软化性能的Cu-Nb合金的制备方法
EP1375689B1 (en) Member having separation structure and method for manufacture thereof
CN106381414A (zh) 一种铜基原位复合合金及其制备方法
CN109576529A (zh) 高性能弥散铜合金及其制备方法
CN102660696A (zh) 一种弥散强化铜基复合材料及其制备方法
CN105568055A (zh) 一种钛基合金球形粉末的等离子体制备方法
CN111996405A (zh) 一种金属注射成形制备高强高导铜合金的方法
CN109722561B (zh) 高性能Cu-Cr合金及制备方法
CN103920878A (zh) 反应熔滴沉积装置及用其制备弥散强化铜的方法
CN114005572B (zh) 一种银镍双连续相材料及其制备方法
CN111172422A (zh) 氧化铝弥散强化铜基复合材料的制备方法
CN100365154C (zh) Cu-Ag-RE合金原位纳米纤维复合材料
CN102676868B (zh) 一种超高强度铜合金及其制备方法
CN114427046B (zh) 一种合金的短流程制备装置和制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: Changsha Zhonggong New Material Co., Ltd.

Assignor: Central South University

Contract fulfillment period: 2008.9.20 to 2013.9.20 contract change

Contract record no.: 2008430000032

Denomination of invention: Cu-TiB#-[2] nano dispersion alloy and preparation method thereof

Granted publication date: 20080813

License type: Exclusive license

Record date: 20081119

LIC Patent licence contract for exploitation submitted for record

Free format text: EXCLUSIVE LICENSE; TIME LIMIT OF IMPLEMENTING CONTACT: 2008.9.20 TO 2013.9.20; CHANGE OF CONTRACT

Name of requester: CHANGSHA ZHONGGONG NEW MATERIALS CO., LTD.

Effective date: 20081119

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080813

Termination date: 20120930