CN102110754A - 发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光二极管，所述发光二极管被构造为防止由于形成电极或电极焊盘而导致的发光面积减小。发光二极管包括：下半导体层，形成在基底上；上半导体层，设置在下半导体层之上，以暴露下半导体层的边缘区域的至少一部分；第一电极，形成在上半导体层的区域上，绝缘层置于第一电极和上半导体层的所述区域之间，以将电流供应到下半导体层；第二电极，形成在上半导体层的另一区域上，以将电流供应到上半导体层；第一电极的延伸部分，从第一电极延伸到暴露的下半导体层的至少一部分。

Description

发光二极管
技术领域
本发明的示例性实施例涉及发光二极管，更具体地说，涉及被构造为防止由于形成电极或电极焊盘而导致发光面积减小的发光二极管。
背景技术
氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)已经被应用和开发了大约10年。GaN基LED代表在LED技术中的重大变化并且被使用在包括天然色LED显示装置、LED交通信号板、白色LED等的广泛的应用中。近年来，期望高效率白色LED代替荧光灯，具体地说，白色LED的效率接近典型的荧光灯的效率水平。
通常在例如蓝宝石基底的基底上形成外延层来形成GaN基发光二极管，并且GaN基发光二极管包括N型半导体层、P型半导体层以及置于N型半导体层和P型半导体层之间的有源层。此外，N电极形成在N型半导体层上，P电极形成在P型半导体层上。发光二极管通过这些电极电连接到外部电源并通过外部电源来运行。这里，电流通过半导体层从P电极引导到N电极。
通常，由于P型半导体层具有高的比电阻，所以电流在P型半导体层中不均匀地分布，而是汇聚在P型半导体层的形成有P电极的部分上，导致电流在P型半导体层的边缘上的汇聚的问题。电流汇聚导致发光面积减小，从而使发光效率劣化。为了解决这种问题，在P型半导体层上形成具有低的比电阻的透明电极层，从而改善电流分布。在这种结构中，在从P电极供应电流时，电流在进入P型半导体层之前被透明电极层分散，从而增大LED的发光面积。
然而，由于透明电极层容易吸收光，所以限制了透明电极层的厚度，从而提供了受限制的电流分布。具体地说，为了高输出，对于面积为大约1mm2或更大的大面积LED，通过透明电极层的电流分布受到限制。
同时，电流通过半导体层流入N电极中。因此，电流汇聚在N型半导体层的形成有N电极的一部分上，也就是说，在半导体层中流动的电流在N型半导体层的形成有N电极的区域附近汇聚。因此，对于发光二极管，需要解决电流在N型半导体层中汇聚的问题。
通常，使用各种电极结构来确保均匀的电流分布。
图1示出了具有对角电极结构的发光二极管。
在图1中，标号1表示N电极、2表示P电极，3表示暴露的N型半导体层、4表示透明电极层。
参照图1，对角电极结构对小LED的效率很高，然而随着LED的尺寸增大，导致在LED的中心区域上的电流汇聚增强，从而只有LED的中心区域发光。此外，简单的面对式结构的电极图案也具有与对角电极结构的问题相同的问题。
图2示出了具有面对式结构和对称延伸式结构的组合电极结构的发光二极管，图3是沿图2的线A-A’截取的剖视图。
在图2和图3中，标号11表示基底、13表示N型半导体层、15表示有源层、17表示P型半导体层、19表示透明电极层、21表示N电极、22和23表示N电极的延伸部分、31表示P电极、32和33表示P电极的延伸部分。
参照图2和图3，面对式结构和对称延伸式结构的组合电极结构通常用于大尺寸LED。可以理解，电极的延伸部分22、23、32和33形成在具有增大的面积的LED芯片的发光区域上，以确保在发光区域上均匀的电流分布。
然而，对于组合式结构，由于通过台面蚀刻使N型半导体层13暴露来形成P电极31的延伸部分32、33以及N电极21的延伸部分22、23，所以不可避免地缩小了发光面积。
此外，在本领域的当前状态中，形成在单个芯片上的电极焊盘的数量被增加为两倍以上以使电流扩散，用于形成电极和这些电极的延伸部分的台面蚀刻面积也扩大。电极焊盘的数量的增多而导致的台面蚀刻的面积的增大的结果使基于相同的芯片面积的发光面积减小，从而使发光效率劣化。
发明内容
本发明的示例性实施例提供一种被构造为防止由于形成电极或电极焊盘而导致的发光面积的减小的发光二极管。
本发明的附加特征将在下面的描述中进行阐述，并将通过描述而部分地变得清楚，或者可通过实施本发明而学习。
本发明的其它方面、特征和优点将通过下面的详细描述而通过简单地示出包括用于执行本发明的最佳示例的一些具体实施例和实施方式来变得容易理解。在不脱离本发明的精神和范围的情况下，本发明可以采取各种不同实施例的形式，并且一些细节可以以各种明显的方式修改。因此，附图和说明应该理解为本质上是示出性的而不是限制性的。
本发明的示例性实施例公开了一种发光二极管。发光二极管包括：下半导体层，形成在基底上；上半导体层，设置在下半导体层之上，以暴露下半导体层的边缘区域的至少一部分；第一电极，形成在上半导体层的区域上，绝缘层置于第一电极和上半导体层的所述区域之间，以将电流供应到下半导体层；第二电极，形成在上半导体层的另一区域上，以将电流供应到上半导体层；第一电极的延伸部分，从第一电极延伸到暴露的下半导体层的至少一部分。
可通过将具有不同的折射率的至少两种绝缘层彼此交替地一个在另一个上地堆叠来形成绝缘层。这里，在最外侧的绝缘层可包括Si化合物。Si化合物可以是SiO2。
绝缘层可形成在上半导体层的整个上表面上。
绝缘层可包括在第一电极之下的DBR结构的绝缘层。
发光二极管还可包括在形成为暴露下半导体层的边缘区域的至少一部分的台面区域中的第一电极的延伸部分之下的DBR结构的绝缘层。
发光二极管还可包括围绕被形成为到达暴露的下半导体层的至少一部分的第一电极的延伸部分的DBR结构的绝缘层。
可通过将具有不同的折射率的至少两种绝缘层彼此交替地一个在另一个上地堆叠来形成DBR结构的绝缘层。这里，在最外侧的绝缘层可包括Si化合物。Si化合物可以是SiO2。
发光二极管还可包括在第二电极之下的DBR结构的绝缘层。
可通过将具有不同的折射率的至少两种绝缘层彼此交替地一个在另一个上地堆叠来形成DBR结构的绝缘层。这里，在最外侧的绝缘层可包括Si化合物。Si化合物可以是SiO2。
第一电极的延伸部分可形成在从上半导体层延伸到下半导体层的倾斜的台面上。
发光二极管还可包括第二电极的延伸部分，从第二电极在上半导体层上延伸。
基底还可包括DBR结构的绝缘层。
可通过将具有不同的折射率的至少两种绝缘层彼此交替地一个在另一个上地堆叠来形成DBR结构的绝缘层。这里，在最外侧的绝缘层可包括Si化合物。Si化合物可以是SiO2。
基底可以是图案化蓝宝石基底(PSS)基底，并且DBR结构的绝缘层可形成在基底的PSS区域上。
DBR结构的绝缘层可形成在基底的底表面上。
发光二极管还可包括：透明电极层，在上半导体层上。
应该理解的是，前述一般描述和下面的详细描述是示例性的和解释性的，并意图提供要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步的理解，附图包括在说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1示出了具有对角电极结构的发光二极管。
图2示出了具有面对式结构和对称延伸式结构的组合的发光二极管。
图3示出了沿图2的A-A’截取的剖视图。
图4是根据本发明的一个示例性实施例的发光二极管的俯视图。
图5是沿图4的A-A’截取的剖视图。
图6是根据本发明另一示例性实施例的发光二极管的剖视图。
图7是根据本发明又一示例性实施例的发光二极管的俯视图。
图8是沿图7的线B-B’截取的剖视图。
图9是沿图7的线C-C’截取的剖视图。
图10是根据本发明再一示例性实施例的发光二极管的剖视图。
具体实施方式
在下文中参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，而不应被理解为局限于在此阐述的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例将使本公开是彻底的和完全的，并将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚起见，可夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。相同的标号在附图中表示相同的元件。
应该理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上或者也可存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
图4是根据一个示例性实施例的发光二极管的俯视图，图5是沿图4的线A-A’截取的剖视图。
参照图4和图5，第一导电下半导体层113形成在基底111上。基底111不限于特定材料并且可以是蓝宝石基底。
第二导电上半导体层117形成在第一导电下半导体层113之上。上半导体层117位于由下半导体层113的边缘围绕的区域中，以暴露下半导体层113的边缘区域的至少一部分。同时，有源层115置于下半导体层113和上半导体层117之间。有源层115位于上半导体层117之下，同时暴露下半导体层113的边缘区域的至少一部分。
下半导体层113、有源层115和上半导体层117可由例如(B，Al，In，Ga)N的GaN基化合物半导体材料形成，但不限于此。有源层115由确定为发射期望的频率的光(例如UV或蓝光)的元素组成。下半导体层113和上半导体层117由具有比有源层115的带隙更大的带隙的材料形成。
如附图中所示，下半导体层113和/或上半导体层117可具有单层结构或多层结构。此外，有源层115可具有单量子阱结构或多量子阱结构。发光二极管还可包括在基底111和下半导体层113之间的缓冲层(未示出)。选择缓冲层来减少基底111和形成在基底111上的下半导体层113之间的晶格失配。
可通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)来形成半导体层113、115和117，并可将它们台面蚀刻以通过光刻和蚀刻来暴露下半导体层113的多个区域。
这里，可执行台面蚀刻来在半导体层上形成倾斜的台面。台面的倾斜度可以在20度至80度的范围内，优选地，在30度至60度的范围内。
倾斜的台面可在形成如下所述的第一电极的倾斜延伸部分122和DBR结构的第二绝缘层140时改善可加工性和可靠性。此外，倾斜的台面增大了发光面积。
绝缘层形成在上半导体层117上。绝缘层可包括第一绝缘层119和第二绝缘层140。第一绝缘层119形成在上半导体层117的整个上表面以及通过台面蚀刻形成的倾斜表面上，第一绝缘层119可由例如SiO2、Si3N4、Nb2O5、TiO2等形成。
第二绝缘层140可形成在上半导体层117的将要形成第一电极121的选择的区域上，以及将要形成第一电极121的倾斜延伸部分122的台面的选择的区域上，台面通过台面蚀刻形成。
可通过交替地堆叠材料来将第二绝缘层140形成为例如分布式布拉格反射器(DBR)结构，所述材料之间具有大的折射率差异。
DBR层用于为多种具有发光功能、光检测功能、光转换功能等的发光装置提供高的反射。可通过交替地堆叠两种具有不同折射率的材料来形成DBR层，以基于折射率之间的差异来反射光。
可通过交替地堆叠具有不同的折射率的两种或多种层(例如，SiO2、Si3N4、Nb2O5或TiO2)来形成第二绝缘层140。可以这样形成第二绝缘层140，即，交替地堆叠例如SiO2和TiO2的多层或SiO2和Si3N4的多层，然后利用光刻将堆叠的绝缘层蚀刻为预定图案。
这里，绝缘层被堆叠为使得含有Si化合物(即，SiO2)的绝缘层成为最外层。TiO2在经受热应力时会变形。如果在通过交替地堆叠SiO2和TiO2来形成第二绝缘层140时，TiO2的绝缘层位于最外侧，则可能在沉积第二绝缘层140之后出现第二绝缘层140的裂纹。然而，通过首先在最外侧堆叠对热应力表现出较小的反应的SiO2，然后在SiO2层上堆叠TiO2层来堆叠SiO2层和TiO2层的多层结构时，第二绝缘层140表现出热稳定性，从而防止在沉积第二绝缘层140之后出现第二绝缘层140的裂纹。相似地，期望第二绝缘层140包括最后沉积的SiO2绝缘层作为最外层。这种结构可以确保第二绝缘层140的可靠性。由于通过交替地一个在另一个上方地堆叠具有彼此不同的折射率的绝缘层来形成第二绝缘层140，所以第二绝缘层140可具有DBR的功能。因此，当从有源层117发射的光被朝第一电极121引导时，第二绝缘层140可反射光，从而有效地防止从有源层117发射的光被第一电极121吸收或阻挡。
此外，DBR结构的绝缘层111b可形成在基底111的PSS区域111a上。
在另一实施例中，具有DBR结构的绝缘层也形成在第二电极131之下的除了与上半导体层117接触的部分，并且DBR结构的第二绝缘层140还形成在第一电极121之下。
在另一实施例中，DBR结构的绝缘层还形成在下半导体层113的暴露部分上，以改善由在第一电极121之下或台面上的第二绝缘层140反射的光的发射。在进一步的实施例中，如图6所示，DBR结构的绝缘层111c可形成在基底111的底侧上。
第一电极121形成在上半导体层117上的第一区域中，第一绝缘层119和第二绝缘层140置于第一电极121和上半导体层117之间。第一电极的倾斜延伸部分122和下延伸部分123从第一电极121延伸到暴露的下半导体层113的边缘区域并沿基底的第一边形成。第一电极121、第一电极的倾斜延伸部分122和下延伸部分123可由相同的材料利用相同的工艺形成。例如，如果下半导体层是N型半导体层，则第一电极121以及第一电极的倾斜延伸部分122和下延伸部分123可由Ti/Al利用剥离工艺(lift-off process)形成。
此外，第二电极131形成在上半导体层117上的第二区域中。第二电极131位于上半导体层117上的与第一边相邻的第二边和与第二边相邻的第三边之间的角落附近。
透明电极层(未示出)可在形成第一绝缘层119之前形成在上半导体层117上。通常，透明电极层由氧化铟锡(ITO)或Ni/Au形成并具有透明性。此外，透明电极层可通过与上半导体层117欧姆接触来降低接触电阻。另一方面，第二电极131既不具有透明性也不与上半导体层117形成欧姆接触。第二电极131的一部分被形成为与上半导体层117接触，第二电极131的其他部分被形成为与透明电极层接触。因此，第二电极131被构造为与上半导体层117形成直接接触，从而防止电流在第二电极131下流动。因此，光不在有源层的位于第二电极131下的区域内产生，而是在位于透明电极层下的有源层的区域内产生。利用这种结构，能够使从有源层发射的被第二电极131吸收并损失的光最小化。
同时，第二电极的第一延伸部分132从第二电极131在上半导体层117上延伸以被形成为与第二边相邻。第二电极的第二延伸部分133从第二电极131在上半导体层117上延伸以被形成为与第三边相邻。第二电极131以及第二电极的第一延伸部分132和第二延伸部分133可由相同的材料利用相同的工艺形成。
将参照图2与图4的对比来描述根据实施例的发光二极管的发光面积的增大。
在图2和图4中，可见在由于形成均被形成为将电流供应到下半导体层的下电极21和第一电极121而导致的发光面积减小方面，传统技术和实施例之间有很大差异。即，在图2的发光二极管中，在台面蚀刻过程中去除了包括有源层15的发光区域的面积来形成下电极21。相反，在图4的发光二极管中，第一电极121形成在上半导体117之上，第一绝缘层119和第二绝缘层140置于第一电极和上半导体层117之间，并且有源层115保持为未被蚀刻。因此，根据实施例的发光二极管对相关领域的由于形成电极而导致发光面积减小的问题提供了有效的解决方法。
此外，如从图4可见，形成在第一电极121下的DBR结构的第二绝缘层140允许光有效地发射到外部而不被第一电极121吸收或阻挡。
图7是根据又一示例性实施例的发光二极管的俯视图，图8是沿图7的线B-B’截取的剖视图，图9是沿图7的线C-C’截取的剖视图。
图7至图9中示出的实施例与图4和图5的实施例在第一电极和第二电极的数量、位置和形状以及第一电极和第二电极的延伸部分的形状方面不同。
参照图7、图8和图9，第一电极221、224被形成为在上半导体层217上与第二电极231、234面对。第一电极的延伸部分223、225中的每个位于第二电极的延伸部分232、233或233、235之间以彼此面对。
第一导电下半导体层213形成在基底211上。基底211不限于特定材料并且可以是蓝宝石基底。
第二导电上半导体层217形成在第一导电下半导体层213上。上半导体层217位于下半导体层213的边缘围绕的区域中，以暴露下半导体层213的边缘区域的至少一部分区域。同时，有源层215位于下半导体层213和上半导体层217之间。有源层215位于上半导体层217之下，同时暴露下半导体层213的边缘区域的至少一部分。
下半导体层213、有源层215和上半导体层217可由诸如(B，Al，In，Ga)N的GaN基化合物半导体材料形成，但不限于此。有源层215由被确定为发射期望的频率的光(例如，UV或蓝光)的元件组成。下半导体层213和上半导体层217由具有比有源层215的带隙大的带隙的材料形成。
如附图所示，下半导体213和/或上半导体层217可具有单层结构或多层结构。此外，有源层215可具有单量子阱结构或多量子阱结构。发光二极管还可包括在基底211和下半导体层213之间的缓冲层(未示出)。缓冲层可被选择为减少基底211和形成在基底211上的下半导体层213之间的晶格失配。
可通过MOCVD或MBE来形成半导体层213、215和217，并可通过光刻和蚀刻来将半导体层213、215和217台面蚀刻来暴露下半导体层213的多个区域。
这里，可执行台面蚀刻来在半导体层上形成倾斜的台面。台面的倾斜度可以在20度至80度的范围内，优选地，在30度至60度的范围内。
倾斜的台面可在形成如下所述的DBR层240和第一电极的倾斜延伸部分222时改善可加工性和可靠性。此外，倾斜的台面提供了增大发光面积的效果。
绝缘层形成在上半导体层217上。绝缘层可包括第一绝缘层219和第二绝缘层240。第一绝缘层219形成在上半导体层217的整个上表面上以及通过台面蚀刻形成的倾斜表面上，第一绝缘层219可由例如SiO2、Si3N4、Nb2O5、TiO2等形成。
第二绝缘层240可形成在上半导体层217的将要形成第一电极221、224的选择的区域上，以及将要形成第一电极221、224的倾斜延伸部分223、225的通过台面蚀刻形成的台面的选择的区域上。
可通过交替地堆叠材料来将第二绝缘层240形成为DBR结构，所述材料之间具有大的折射率差异。
DBR层用于为多种具有发光功能、光检测功能、光转换功能等的发光装置提供高的反射率。可通过交替地堆叠两种具有不同折射率的材料来形成DBR层，以基于折射率之间的差异来反射光。
可通过交替地堆叠具有不同的折射率的两种或多种层(例如，SiO2、Si3N4、Nb2O5或TiO2)来形成第二绝缘层240。可以这样形成第二绝缘层240，即，交替地堆叠例如SiO2和TiO2的多层或SiO2和Si3N4的多层，然后利用光刻将堆叠的绝缘层蚀刻为预定图案。
这里，绝缘层被堆叠为使得含有Si化合物(即，SiO2)的绝缘层成为最外层。TiO2在经受热应力时会变形。如果在通过交替地堆叠SiO2和TiO2来形成第二绝缘层240时，TiO2的绝缘层位于最外侧，则会在沉积第二绝缘层240之后出现第二绝缘层240的裂纹。然而，通过首先在最外侧堆叠对热应力表现出较小的反应的SiO2，然后在SiO2层上堆叠TiO2层来堆叠SiO2层和TiO2层的多层结构时，第二绝缘层240表现出热稳定性，从而防止在沉积第二绝缘层240之后出现第二绝缘层240的裂纹。相似地，可期望第二绝缘层240包括最后沉积的SiO2绝缘层作为最外层。这种结构可以确保第二绝缘层240的可靠性。
由于通过交替地一个在另一个上方地堆叠具有彼此不同的折射率的绝缘层来形成第二绝缘层240，所以第二绝缘层240可具有DBR的功能。因此，当从有源层217发射的光被朝第一电极221、224引导时，第二绝缘层240可反射光，从而有效地防止从有源层217发射的光被第一电极221、224吸收或阻挡。
此外，DBR结构的绝缘层211b可形成在基底211的PSS区域211a上。
在又一实施例中，具有DBR结构的绝缘层还形成在第二电极231、234之下的除了与上半导体层217接触的部分，并且DBR结构的第二绝缘层240形成在第一电极221、224之下。
在又一实施例中，DBR结构的绝缘层还形成在下半导体层213的暴露部分上，以改善由在第一电极221、224之下或台面上的第二绝缘层240反射的光的发射。在又一实施例中，如图10所示，DBR结构的绝缘层211c可形成在基底211的底侧上。
第一电极221、224形成在上半导体层217上的第一区域中，第一绝缘层219和第二绝缘层240置于第一电极和上半导体层之间。第一电极的延伸部分223、225从第一电极221、224延伸到暴露的下半导体层213的边缘区域。第一电极221、224和第一电极的延伸部分223、225可由相同的材料利用相同的工艺形成。例如，如果下半导体层是N型半导体层，则第一电极221、224和第一电极的延伸部分223、225可由Ti/Al利用剥离工艺形成。
此外，第二电极231、234形成在上半导体层217上的第二区域中。第二电极231、234位于上半导体层217上的与第一边面对的第二边的边缘附近，以彼此分开预定的距离。
透明电极层(未示出)可在形成第一绝缘层219之前形成在上半导体层217上。通常，透明电极层由氧化铟锡(ITO)或Ni/Au形成并具有透明性。此外，透明电极层可通过与上半导体层217欧姆接触来降低接触电阻。另一方面，第二电极231、234既不具有透明性也不与上半导体层217形成欧姆接触。第二电极231、234的一部分被形成为与上半导体层217接触，并且第二电极231、234的其他部分被形成为与透明电极层接触。因此，第二电极231、234被构造为与上半导体层217形成直接接触，从而防止电流在第二电极231、234下流动。因此，光不在有源层的位于第二电极231、234下的区域内产生，而是在位于透明电极层下的区域内产生。利用这种结构，能够使从有源层发射的被第二电极231、234吸收并损失的光最小化。
同时，第二电极的第一延伸部分232从第二电极231在上半导体层217上延伸以被形成为与第三边相邻。第二电极的第二延伸部分233沿基底的中心线从第二电极231、234的中间部分延伸。第二电极的第三延伸部分235从第二电极234在半导体基底217上延伸以被形成为与和第三边面对的第四边相邻。第二电极231、234以及第二电极的第一延伸部分232、第二延伸部分233和第三延伸部分235可由相同的材料利用相同的工艺形成。
将通过比较图2和图7来描述根据该实施例的发光二极管的发光面积的增大。
在图2和图7中，可见在由于形成均被形成为将电流供应到下半导体层的下电极21和第一电极221、224而导致的发光面积减小方面，传统技术和实施例之间有很大差异。即，在图2的发光二极管中，在台面蚀刻过程中去除了包括有源层15的发光区域的面积来形成下电极21。因此，当形成与图7中所示的结构对应的两个下电极21时，通过台面蚀刻可使发光面积进一步减小。相反，在图7的发光二极管中，第一电极221、224形成在上半导体217之上，第一绝缘层219、240置于第一电极和上半导体层217之间，并且有源层215保持为未被蚀刻。因此，根据实施例的发光二极管对现有技术的由于形成电极而导致发光面积减小的问题提供了有效的解决方法。
此外，从图7和图9可见，形成在第一电极221、224下的DBR结构的第二绝缘层240允许光有效地发射到外部而不被第一电极221、224吸收或阻挡。
这样，根据一个实施例，用于将电流供应到下半导体层的电极和延伸部分形成在上半导体层之上，绝缘层置于电极和上半导体层之间。因此，减小了由用于形成电极和延伸部分的台面蚀刻而去除的半导体层的面积，从而防止发光面积的减小。
虽然已经参照一些示例性实施例结合附图示出了本发明，但是本领域技术人员应该理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明进行各种变型和改变。因此，应该理解，仅以示出的方式提供这些实施例，并且给出这些实施例来提供本发明的充分的公开并为本领域技术人员提供充分的理解。因此，意图覆盖本发明的变型和改变，只要这些变型和改变落入权利要求及其等同物的范围内。
例如，在本发明的实施例中，通过交替地堆叠具有不同折射率的两个或多个绝缘层来形成DBR结构的绝缘层，使得最外面的绝缘层由硅化合物(即，SiO2)形成，以增强DBR结构的可靠性。然而，应该理解的是，该特征也可应用到在此阐述的所有绝缘层。

Claims (17)

1.一种发光二极管，所述发光二极管包括：
下半导体层，形成在基底上；
上半导体层，设置在下半导体层之上，以暴露下半导体层的边缘区域的至少一部分；
第一电极，形成在上半导体层的区域上，绝缘层置于第一电极和上半导体层的所述区域之间，以将电流供应到下半导体层；
第二电极，形成在上半导体层的另一区域上，以将电流供应到上半导体层；
第一电极的延伸部分，从第一电极延伸到暴露的下半导体层的至少一部分。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，绝缘层形成在上半导体层的整个上表面上。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，绝缘层包括在第一电极之下的分布布拉格反射器结构的绝缘层。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其中，绝缘层是在第一电极之下的分布布拉格反射器结构的绝缘层。
5.如权利要求4所述的发光二极管，所述发光二极管还包括：在形成为暴露下半导体层的边缘区域的至少一部分的台面区域中的第一电极的延伸部分之下的分布布拉格反射器结构的绝缘层。
6.如权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括：围绕被形成为到达暴露的下半导体层的至少一部分的第一电极的延伸部分的分布布拉格反射器结构的绝缘层。
7.如权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括：在第二电极之下的分布布拉格反射器结构的绝缘层。
8.如权利要求1所述的发光二极管，其中，第一电极的延伸部分形成在从上半导体层延伸到下半导体层的倾斜的台面上。
9.如权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括：第二电极的延伸部分，从第二电极在上半导体层上延伸。
10.如权利要求1所述的发光二极管，其中，基底还包括分布布拉格反射器结构的绝缘层。
11.如权利要求10所述的发光二极管，其中，基底是图案化蓝宝石基底结构并且分布布拉格反射器结构的绝缘层形成在基底的图案化蓝宝石基底区域上。
12.如权利要求10所述的发光二极管，其中，分布布拉格反射器结构的绝缘层形成在基底的底表面上。
13.如权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括：透明电极层，在上半导体层上。
14.如权利要求1所述的发光二极管，其中，通过将具有不同的折射率的至少两种绝缘层彼此交替地一个在另一个上地堆叠来形成所述绝缘层，在最外侧的绝缘层包括Si化合物。
15.如权利要求6所述的发光二极管，其中，通过将具有不同的折射率的至少两种绝缘层彼此交替地一个在另一个上地堆叠来形成分布布拉格反射器结构的绝缘层，在最外侧的绝缘层包括Si化合物。
16.如权利要求7所述的发光二极管，其中，通过将具有不同的折射率的至少两种绝缘层彼此交替地一个在另一个上地堆叠来形成分布布拉格反射器结构的绝缘层，在最外侧的绝缘层包括Si化合物。
17.如权利要求10所述的发光二极管，其中，通过将具有不同的折射率的至少两种绝缘层彼此交替地一个在另一个上地堆叠来形成分布布拉格反射器结构的绝缘层，在最外侧的绝缘层包括Si化合物。
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