CN102081299A - 光刻用防尘薄膜组件 - Google Patents

光刻用防尘薄膜组件 Download PDF

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Abstract

光刻用防尘薄膜组件10，具有防尘薄膜组件框架3和贴附于防尘薄膜组件框架3的一个端面的防尘薄膜1以及形成在防尘薄膜组件框架3的另一端面的粘接层4。并且，粘接层4是通过固化含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化组成物而形成的。由此构成的防尘薄膜组件10，即使长期使用，所发生的分解气体的量也很少，能够防止在光掩模5的图案区域内析出固体异物。同时，能够抑制将光掩模5固定在防尘薄膜组件框架3上的粘接层中所含粘接剂的老化。此外，这种防尘薄膜组件10能够容易地从光掩模5上剥离下来，更换新的防尘薄膜组件10。

Description

光刻用防尘薄膜组件
技术领域
本发明涉及在大规模集成电路、超大规模集成电路等的半导体装置或液晶显示板的制造过程中，作为光掩模或中间掩模的防尘罩使用的光刻用防尘薄膜组件。
背景技术
在制造大规模集成电路、超大规模集成电路等的半导体器件或液晶显示器时，透过光掩模或中间掩模等曝光用原版(本说明书中统称为光掩模)，将曝光用光照射到半导体晶片或液晶用原板上，从而光掩模的图案被转印，形成半导体器件或液晶显示器的图案。
这里存在这样一个问题，即当光掩模上附着了灰尘等异物时，由于曝光用光会被附着在光掩模表面上的灰尘等异物反射或吸收，因此，不仅会使转印到半导体晶片或液晶用原板上的图案发生变形或边缘模糊，而且还会造成背景赃污，尺寸、质量和外观受损，导致往半导体晶片或液晶用原板上转印的图案不理想，从而使半导体器件或液晶显示器的性能下降，制造成品率降低。
为防止这一问题，半导体晶片或液晶用原板的曝光是在无尘室里进行的。但尽管如此，要完全防止光掩模上附着异物也是很困难的。所以，通常是采用这样一种构成，即在光掩模的表面装上一层对曝光用光具有高透过率的、被称作防尘薄膜组件的防尘罩，然后对半导体晶片或液晶用原板进行曝光。
通常，防尘薄膜组件的制作，是先往由铝、不锈钢、聚乙烯等制成的防尘薄膜组件框架的一个端面涂布防尘薄膜材料的易溶溶剂，风干后将用对曝光用光具有高透光率的硝化纤维素、醋酸纤维素等纤维素类树脂或氟树脂等制作的防尘薄膜贴上去，或者使用丙烯酸树脂、环氧树脂或氟树脂等的粘合剂进行粘贴。而在防尘薄膜组件框架的另一端面上，为了与光掩模进行粘接，形成由聚丁烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、丙烯酸树脂、硅树脂等构成的粘接层。并且，在粘接层上还设有保护该粘接层用的衬层(例如，可参照：特开昭58-219023号公报、美国专利第4861402号说明书、特公昭63-27707号公报以及特开平7-168345号公报)。
防尘薄膜组件安装要将形成于光掩模表面的图案区域包围起来，由此，光掩模表面的图案区域与防尘薄膜组件外部之间由防尘薄膜组件隔离开来，从而防止防尘薄膜组件外部的尘埃附着到光掩模表面的图案区域。
将由以上构造的防尘薄膜组件安装在光掩模的表面，透过光掩模对半导体晶片或液晶用原板进行曝光时，由于灰尘等的异物附着在防尘薄膜组件的表面，而不是直接附着于光掩模的表面，所以，只要把焦点对准形成在光掩模上的图案进行曝光，便可以排除灰尘等异物的影响。
以往，在大规模集成电路中使用的曝光用光是g光(波长为436nm)和i光(波长为365nm)等紫外线光。不过，近年，随着大规模集成电路的集成度的增加以及电路线宽度的细微化，曝光用光正向短波长化的方向发展，氟化氪(KrF)准分子激光(波长为248nm)、甚至波长更短的氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)的使用也正逐渐增加。
但是，当使用氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)长期对装有防尘薄膜组件的光掩模进行曝光时，出现了一个问题，即在被防尘薄膜组件包围着的光掩模的图案区域内会渐渐有固体异物析出。
当长期对装有防尘薄膜组件的光掩模进行曝光时，在被防尘薄膜组件包围着的光掩模的图案区域内逐渐有固体异物析出的原因，可以举出是由于光掩模上的离子残渣、在光掩模使用环境中的离子系气体或有机系气体、或者从防尘薄膜组件中放出的离子系气体或有机系气体与氟化氩(ArF)准分子激光发生反应的结果。
其中，从防尘薄膜组件中放出的有机系气体，大部分是从将防尘薄膜组件固定于光掩模上的粘接层所含的粘接剂中放出的。因此，预先要对粘接剂施以加热或在减压环境里放置等措施而进行脱气处理。
从粘接层所包含的粘接剂中放出的有机气体，根据粘接剂的种类而不同。粘接剂对氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)的吸收率越高，在光掩模的图案区域内析出固体异物的可能性越大。容易吸收波长193nm的光的有机气体，有芳香族类气体等带有π电子的烃类气体。胺类气体、醇类气体、醛类气体等，对氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)的吸收率也很高。
另一方面，即使抑制了从粘接层所含粘接剂中放出的有机气体，当长期使用防尘薄膜组件，并受到氟化氩(ArF)准分子激光的照射时，因防尘薄膜组件而散射的氟化氩(ArF)准分子激光会照射到粘接层上，包含在粘接层中的粘接剂便会发生分解，从而放出有机气体，并在防尘薄膜组件和光掩模所形成的封闭空间内与氟化氩(ArF)准分子激光发生反应，导致在防尘薄膜组件所包围的光掩模的图案区域内发生固体异物的析出。这个原因也已经被认识到了。
此外还发现一个现象，当氟化氩(ArF)准分子激光透过时，在防尘薄膜组件和光掩模所形成的封闭空间内会发生臭氧，由于臭氧的缘故，粘接层中所含的粘接剂的老化加剧，从而放出分解气体。
上述问题，不仅使用氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)作为曝光用光时会发生，使用氟化氪(KrF)准分子激光(波长为248nm)时也同样发生。
另外，如上所述，若长期使用防尘薄膜组件，在防尘薄膜组件所包围的光掩模的图案区域上会发生固体异物析出等问题。因此，经过一定期间后，为了清洗光掩模，除去析出在其上面的固体异物，需要更换防尘薄膜组件。如果使用氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)作为曝光用光，与使用氟化氪(KrF)准分子激光(波长为248nm)作为曝光用光的场合相比，需要更换防尘薄膜组件的周期更短。然而，这里又出现一个问题，即当粘接层中所含的粘接剂受到氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)的照射或处于臭氧包围的环境时，粘接剂的老化加快，要将光掩模从防尘薄膜组件框架上剥离下来会变得很困难。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种光刻用防尘薄膜组件，这种防尘薄膜组件即使长期使用也很少发生分解气体，从而可以防止在光掩模的图案区域内析出固体异物，并且能够抑制将光掩模固定于防尘薄膜组件框架上的粘接层中所含粘接剂的老化。
本发明的另一个目的，是提供一种容易地从光掩模上将防尘薄膜组件剥离下来，而进行更换的光刻用防尘薄膜组件。
本发明的发明人，为达到上述目的，经过不断锐意的研究发现：如通过固化含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物来形成粘接层，这样即使从粘接层中放出有机气体，这种有机气体也难于吸收氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)；另外，即使粘接层受到氟化氩(ArF)准分子激光的照射，粘接层中所含的粘接剂也不容易分解；并且即使在光掩模与防尘薄膜组件所形成的封闭空间内有臭氧发生，也能够抑制粘接层中所含粘接剂的老化，从而使得更换防尘薄膜组件变得容易。
因此，前述本发明的目的，能够通过这样一种光刻用防尘薄膜组件来达到。该防尘薄膜组件具有防尘薄膜组件框架、贴附于前述防尘薄膜组件框架的一个端面上的防尘薄膜以及形成在前述防尘薄膜组件框架另一端面上的粘接层。其特征在于：前述粘接层是通过固化含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物固化而形成的。
在本发明中，含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物，是指含有下列(A)-(D)的固化组合物：(A)起主成分作用的直链全氟化合物，其一个分子中至少含有两个链烯基团，并且主链上具有全氟结构；(B)起反应稀释剂作用的直链形全氟化合物，其一个分子中含有一个链烯基团，并且主链上具有全氟结构；(C)起交联剂兼链长延长剂作用的有机硅化合物，其一个分子中至少含有两个氢化硅烷基团(hydrosilyl)。(D)铂族金属类催化剂。本发明中的含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物，可以使用例如特开平11-116685号公报中所记载的固化性组合物。
简言之，由于本发明中的粘接层是通过固化含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物形成的，所以从粘接层中放出的有机气体是对低波长的光吸收率小的氟化碳类有机气体，因此，即使从粘接层向由防尘薄膜组件和光掩模所形成的封闭空间内放出有机气体，也难于吸收氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)，因而，可以有效地防止在防尘薄膜组件所包围的光掩模的图案区域内析出固体异物。
并且，由于本发明中的粘接层是通过固化含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物形成的，所以粘接层的耐光性高，即使粘接层受到氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)的照射也不容易分解，故能抑制分解气体的放出。即便由于氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)的照射，而从粘接层放出有机气体，因为放出来的有机气体是对低波长的光吸收率小的氟化碳类有机气体，所以难于吸收氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)，故可以有效地防止在防尘薄膜组件所包围的光掩模的图案区域内析出固体异物。
另外，由于本发明中的粘接层是通过固化含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物形成的，所以粘接层的耐臭氧性高，即使在防尘薄膜组件和光掩模所形成的封闭空间内有臭氧发生，也能够抑制粘接层的老化，从而能够抑制从粘接层放出的分解气体。
此外，由于本发明中的粘接层是通过固化含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物形成的，粘接层的耐光性和耐臭氧性高，因此可以抑制粘接层的老化，从而能够容易地更换防尘薄膜组件。
在本发明中，固化性组分固化之后的粘接层的按照ASTMD-1403的定义针入度为50至100。在此范围内，既具有足够的粘接强度和粘性，同时又具有适当的柔韧性，因此能够抑制光掩模在将防尘薄膜组件安装在其上时所出现的变形。
以上所述本发明的效果，不仅在使用氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)作为曝光用光时能显示出来，在使用氟化氪(KrF)准分子激光(波长为248nm)作为曝光用光时也能显示出来。
附图说明
附图为本发明在最佳实施方式时的防尘薄膜组件的纵截面概略图。
具体实施方式
附图为本发明在最佳实施方式的防尘薄膜组件的纵截面概略图。如附图所示，该实施方式中的防尘薄膜组件10，具有借助粘合层2贴附于防尘薄膜组件框架3的上端面的防尘薄膜1。
而在防尘薄膜组件框架3的下端面，如附图所示，通过固化含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物形成了粘接层4，而在粘接层4的下面形成了可以剥离的衬层(未图示)。
在本实施方式中，在防尘薄膜组件框架3的侧面设有气压调节孔6，即通气孔6。同时，为了去除灰尘，还设置了滤尘器7。
如附图所示，光掩模5固定于粘接层4的下面。
形成防尘薄膜1的材料没有特别限制，例如，可以使用传统的用来作为准分子激光用防尘薄膜材料的非晶体氟聚合物等。作为非晶体氟聚合物的例子，可以列举：旭硝子公司制的塞他普(CYTOP)(商品名)、特氟隆(Teflon)(注册商标)、杜邦公司制的AF(商品名)等。使用这些聚合物制作防尘薄膜1时，也可以根据需要放在溶剂里溶解后使用。例如，可使用氟类溶剂适当地进行溶解。
作为防尘薄膜组件框架3的材料，可用传统的铝合金材料，优选JIS A7075材料、JIS A6061材料、JIS A5052材料。若使用铝合金材料，只要能保证防尘薄膜组件框架3所需要的强度即可，没有特别限制。
防尘薄膜组件框架3的表面，在设置聚合物覆膜之前，最好先用喷砂法或化学研磨法进行粗糙化处理。关于防尘薄膜组件框架3表面的粗糙化方法，可以采用目前通常已知的方法。不过，对于铝合金材料来说，较为理想的是先用不锈钢珠、金刚砂、玻璃珠等对防尘薄膜组件框架3的表面进行喷砂处理，然后再用NaOH等施以化学研磨，从而使防尘薄膜组件框架3的表面粗糙化。
粘接层4是通过固化含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物来形成的。
由于含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物对短波长光的耐光性好，即使受到氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)的照射也不易分解，故分解生成物少，从而能够有效地防止在防尘薄膜组件10所包围的光掩模5的图案区域内析出固体异物。
并且，由于从含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物中放出的有机气体是对低波长的光吸收率小的氟化碳类有机气体，因此，即使从粘接层4向防尘薄膜组件10和光掩模5所形成的封闭空间内放出有机气体，也难于吸收氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)，从而能够有效地防止在防尘薄膜组件10所包围的光掩模5的图案区域内析出固体异物。
另外，由于含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物的耐臭氧性高，即使在防尘薄膜组件10和光掩模5所形成的封闭空间内有臭氧发生，也能够抑制粘接层4的老化，从而能够抑制由粘接层4放出的分解气体。
此外，由于通过固化含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物而形成的粘接层4的耐光性和耐臭氧性高，所以能够抑制粘接层4的老化，从而能够容易地更换防尘薄膜组件10。
这里，对于粘接层4中所含的粘接剂，要求具有足够的粘接强度和粘性以及足够的凝聚力和柔韧性等。粘接层4的粘接剂的形成，在使用含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物的场合，如固化性组合物固化之后的粘接层的针入度在50至100的范围之内时，则既具有足够的粘接强度和粘性，同时又具有适当的柔韧性，因此还能够抑制光掩模5在当把防尘薄膜组件10安装到其上时所发生的变形。
下面，为了说明本发明的效果，以下给出几个实施例和比较例。
实施例1
将铝合金制的防尘薄膜组件框架(外尺寸为149mm×113mm×4.5mm，厚度为2mm)用纯水清洗后，在其一侧的表面上涂布信越化学工业公司制的含有直链全氟化合物的固化性组合物(商品名：X-71-8023)，从而形成粘接层。紧接着用电磁感应加热法对防尘薄膜组件框架施以加热，让固化性组合物固化。固化后粘接层的按照ASTMD-1403所定义的针入度为100，其厚度为0.3mm。
在防尘薄膜组件框架的另一侧表面(与已被形成了粘接层的面相反的面)涂布旭硝子公司制的塞他普(CYTOP)粘合剂(商品名：CTX-A)，从而形成粘合层。在130℃的温度下，对防尘薄膜组件框架施以加热，让粘合层固化。
然后，将涂布在防尘薄膜组件框架另一侧表面的粘合层贴附到在比防尘薄膜组件框架大的铝合金框架上形成的防尘薄膜上，去掉比防尘薄膜组件框架大出来的部分，便完成了防尘薄膜组件的制作。
将如此制作的防尘薄膜组件放入石英柜内，向构成粘接层的包含直链全氟化合物的固化性组合物照射氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)。然后，用气相色谱法对石英柜内的气体进行了分析。其结果表明：所发生的气体为氟化碳类气体，对193nm波长的光的吸收系数为0.1，此值是足够低的。
将防尘薄膜组件贴附在光掩模上，对光掩模的变形进行确认的结果，光掩模的平坦度在贴附防尘薄膜组件之前为0.20μm，而在贴附防尘薄膜组件之后为0.21μm，仅变化了0.01μm。
实施例2
将铝合金制的防尘薄膜组件框架(外尺寸为149mm×113mm×4.5mm，厚度为2mm)用纯水清洗后，在其一侧的表面涂布信越化学工业公司制的含直链全氟化合物的固化性组合物(商品名：SIFEL8070(西附罗8070))，从而形成粘接层。然后，用PET薄膜接触粘接层表面。接下来，用电磁感应加热法对防尘薄膜组件框架施以加热，让粘接层中的固化性组合物固化后，揭掉聚PET薄膜。固化后粘接层的按照ASTMD-1403所定义的针入度为70，其厚度为0.3mm。
在防尘薄膜组件框架的另一侧表面(与已形成了粘接层的面相反的面)涂布旭硝子公司制的塞他普(CYTOP)粘合剂(商品名：CTX-A)，从而形成粘合层。在130℃的温度下，对防尘薄膜组件框架施以加热，让粘合层固化。
然后，将被涂布在防尘薄膜组件框架另一侧表面上的粘合层贴附到在比防尘薄膜组件框架大的铝合金框架上形成的防尘薄膜上，去掉比防尘薄膜组件框架大出来的部分，便完成了防尘薄膜组件的制作。
将如此制作的防尘薄膜组件放入石英柜内，向构成粘接层的包含直链全氟化合物的固化性组合物照射氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)。然后，用气相色谱法对石英柜内的气体进行了分析，其结果表明：所发生的气体为氟化碳类气体，对193nm波长的光的吸收系数为0.1，此值是足够低的。
将防尘薄膜组件贴附在光掩模上，对光掩模的变形进行确认的结果，光掩模的平坦度在贴附防尘薄膜组件之前为0.20μm，而在贴附防尘薄膜组件之后为0.21μm，仅变化了0.01μm。
实施例3
将铝合金制的防尘薄膜组件框架(外尺寸为149mm×113mm×4.5mm，厚度为2mm)用纯水清洗后，在其一侧的表面涂布信越化学工业公司制的含有直链全氟化合物的固化性组合物(商品名：X-71-8122)，从而形成粘接层。然后，用PET薄膜接触粘接层表面。接下来，用电磁感应加热法对防尘薄膜组件框架施以加热，让粘接层中的固化性组合物固化后，揭掉PET薄膜。固化后粘接层的按照ASTMD-1403所定义的针入度为70，其厚度为0.3mm。
在防尘薄膜组件框架的另一侧表面(与已形成了粘接层的面相反的面)涂布旭硝子公司制的塞他普(CYTOP)粘合剂(商品名：CTX-A))，从而形成粘合层，在130℃的温度下，对防尘薄膜组件框架施以加热，让粘合层固化。
然后，将被涂布在防尘薄膜组件框架另一侧表面上的粘合层贴附到在比防尘薄膜组件框架大的铝合金框架上形成的防尘薄膜上，去掉比防尘薄膜组件框架大出来的部分，便完成了防尘薄膜组件的制作。
将如此制作的防尘薄膜组件放入石英柜内，向构成粘接层的包含直链全氟化合物的固化性组合物照射氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)。然后，用气相色谱法对石英柜内的气体进行了分析，其结果表明：所发生的气体为氟化碳类气体，对193nm波长的光的吸收系数为0.1，此值是足够低的。
将防尘薄膜组件贴附在光掩模上，对光掩模的变形进行确认的结果，光掩模的平坦度在贴附防尘薄膜组件之前为0.20μm，而在贴附防尘薄膜组件之后为0.21μm，仅变化了0.01μm。
比较例
将铝合金制的防尘薄膜组件框架(外尺寸为149mm×113mm×4.5mm，厚度为2mm)用纯水清洗后，在其一侧的表面涂布综研化学公司制的丙烯酸类粘接剂(商品名：SKDyne 1425(SK达因1425))，从而形成粘接层。紧接着用电磁感应加热法对防尘薄膜组件框架施以加热，让丙烯酸类粘接剂固化。按照ASTMD-1403所定义的固化后粘接层的针入度为15，其厚度为0.3mm。
在防尘薄膜组件框架的另一侧表面(与已形成了粘接层的面相反的面)涂布旭硝子公司制的塞他普(CYTOP)粘合剂(商品名：CTX-A)，从而形成粘合层。在130℃的温度下，对防尘薄膜组件框架施以加热，让粘合层固化。
然后，将被涂布在防尘薄膜组件框架另一侧表面上的粘合层贴附到在比防尘薄膜组件框架大的铝合金框架上形成的防尘薄膜上，去掉比防尘薄膜组件框架大出来的部分，便完成了防尘薄膜组件的制作。
将如此制作的防尘薄膜组件放入石英柜内，向粘接层照射氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)。然后，用气相色谱法对石英柜内的气体进行了分析，其结果表明：所发生的气体是丁醇气体、丁醛气体及甲酸丁酯气体。这些气体对193nm波长的光的吸收系数分别是1.0、3.4、2.4，可见对193nm波长的光的吸收系数是很高的。
将防尘薄膜组件贴附在光掩模上，对光掩模的变形进行了确认，结果表明，光掩模的平坦度在贴附防尘薄膜组件之前为0.2μm，而在贴附防尘薄膜组件之后为0.3μm。在贴附防尘薄膜组件之后，光掩模的平坦度变化了0.10μm。
从实施例1至实施例3以及比较例可以清楚地看出：在不是由含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物，而是由丙烯酸类粘接剂形成粘接层的比较例中，当照射氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)时，发生丁醇气体、丁醛气体及甲酸丁酯气体，这些气体对193nm波长的光的吸收系数高，分别是1.0、3.4、2.4。因此，可以认为在防尘薄膜组件和光掩模所形成的封闭空间内这些气体与氟化氩(ArF)准分子激光发生反应，从而在防尘薄膜组件所包围的光掩模的图案区域内析出固体异物的可能性大。而在通过固化含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物形成粘接层的实施例1、实施例2以及实施例3中，当照射氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)时所发生的气体均为氟化碳类气体，对193nm波长的光的吸收系数都是0.1，是足够低的。所以，在防尘薄膜组件和光掩模所形成的封闭空间内，氟化碳类气体与氟化氩(ArF)准分子激光几乎不可能发生反应，从而几乎没有在防尘薄膜组件所包围的光掩模的图案区域内析出固体异物的可能。
并且，在不是由含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物，而是由丙烯酸类粘接剂形成粘接层的比较例中，固化后粘接层的按照ASTMD-1403所定义的针入度为15，不仅粘接强度和粘性不足，而且粘接层的硬度高，防尘薄膜组件贴附之前与贴附之后光掩模的平坦度的变化高达0.10μm。因此，可以断定，相对于防尘薄膜组件贴附之前，防尘薄膜组件贴附之后的光掩模发生弯曲，变形是很大的。而在通过固化含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物形成粘接层的实施例1、实施例2以及实施例3中，固化后粘接层的按照ASTMD-1403所定义的针入度分别为100、70、70，粘接层具有足够的粘接强度和粘性，同时具有足够的凝聚力和适当的柔韧性。并且，防尘薄膜组件贴附之前与贴附之后的光掩模的平坦度的变化仅为0.01μm，因此，可以认为，相对于防尘薄膜组件贴附之前，防尘薄膜组件贴附之后的光掩模的弯曲和变形是可以忽略的。
本发明内容并不限定于以上的实施方式及实施例，在权利要求书中所记载的范围之内，可以做各种变更，无须说，这些均涵盖于本发明的范围之内。
例如，在实施例1中，为了将防尘薄膜组件粘贴到光掩模上，在防尘薄膜组件框架的一侧表面上所形成的粘接层，是通过涂布信越化学工业公司制的含有直链全氟化合物的固化性组合物(商品名：X-71-8023)并让其固化来实现的。在实施例2中，为了将防尘薄膜组件粘贴到光掩模上，在防尘薄膜组件框架的一侧表面上所形成的粘接层，是通过涂布信越工业化学公司制的含有直链全氟化合物的固化性组合物(商品名：SIFEL8070(西夫路8070))并让其固化来实现的。在实施例3中，为了将防尘薄膜组件粘贴到光掩模上而在防尘薄膜组件框架的一侧表面上形成的粘接层，该粘接层是通过涂布信越化学工业公司制的含有直链全氟化合物的固化性组合物(商品名：X-71-8122)并让其固化来实现的。用于形成粘接层的固化性组合物，只要是含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物即可，并没有特别限制。
根据本发明，能够提供一种光刻用防尘薄膜组件，它即使长期使用也很少发生分解气体，因此能够防止在光掩模的图案区域内析出固体异物。同时，能够抑制将光掩模固定于防尘薄膜组件框架上的粘接层中的粘接剂的老化。
根据本发明，还可以提供一种能够容易地从光掩膜上将防尘薄膜组件剥离下来进行更换的光刻用防尘薄膜组件。

Claims (3)

1.一种光刻用防尘薄膜组件，具有防尘薄膜组件框架、贴附于所述防尘薄膜组件框架的一个端面上的防尘薄膜以及形成在所述防尘薄膜组件框架另一端面上的粘接层，其特征在于，所述粘接层是通过固化含有在主链上具有全氟结构的直链全氟化合物的固化性组合物而形成的。
2.权利要求1所述的光刻用防尘薄膜组件，其特征在于，所述固化性组合物包含：(A)起主成分作用的直链全氟化合物，其一个分子中至少包含两个链烯基团，并且主链上具有全氟结构；(B)起反应稀释剂作用的直链全氟化合物，其一个分子中包含一个链烯基团，并且主链上具有全氟结构；(C)起交联剂兼链长延长剂作用的有机硅化合物，其一个分子中至少包含两个氢化硅烷基团；(D)铂族金属类催化剂。
3.权利要求1或权利要求2所述的光刻用防尘薄膜组件，其特征在于，所述粘接层的按ASTMD-1403所定义的针入度为50至100。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104471479A (zh) * 2012-08-02 2015-03-25 三井化学株式会社 防护膜组件
CN107065429A (zh) * 2017-05-25 2017-08-18 北京理工大学 一种基于量子点的高精度掩膜
WO2018023838A1 (zh) * 2016-08-05 2018-02-08 常州瑞择微电子科技有限公司 一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5304622B2 (ja) * 2009-12-02 2013-10-02 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクル
US11143952B2 (en) 2017-09-28 2021-10-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle removal method
JPWO2023038140A1 (zh) * 2021-09-13 2023-03-16

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09206723A (ja) * 1996-01-30 1997-08-12 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
JPH1020480A (ja) * 1996-07-08 1998-01-23 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクへのペリクル貼着方法
JPH1020479A (ja) * 1996-07-08 1998-01-23 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクへのペリクル貼着方法
US6040400A (en) * 1997-10-09 2000-03-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Addition-curable perfluoro compound-containing composition
JP2004102269A (ja) * 2002-08-21 2004-04-02 Asahi Glass Co Ltd 紫外光透過性含フッ素重合体および該重合体からなるペリクル
JP2005126618A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Shin Etsu Chem Co Ltd 低汚染性接着剤組成物

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58219023A (ja) * 1982-06-15 1983-12-20 Daicel Chem Ind Ltd 樹脂薄膜の製造方法
JPS6083032A (ja) 1983-10-13 1985-05-11 Asahi Chem Ind Co Ltd 光透過性に優れたフオトマスク用防塵カバ−
US4861402A (en) 1984-10-16 1989-08-29 Du Pont Tau Laboratories, Inc. Method of making a cellulose acetate butyrate pellicle
JPS6327707A (ja) 1986-07-21 1988-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 双曲面鏡検査装置
JP3089153B2 (ja) 1993-12-13 2000-09-18 信越化学工業株式会社 リソグラフィー用ペリクル
JP3815778B2 (ja) * 2002-01-10 2006-08-30 信越化学工業株式会社 低ブリード性ゲル状硬化物を与える硬化性組成物
JP3962927B2 (ja) * 2003-05-01 2007-08-22 信越化学工業株式会社 電気電子部品を保護する封止材の除去方法
DE602004022451D1 (de) * 2003-12-03 2009-09-17 Asahi Glass Co Ltd Pellikel und neues fluoriertes polymer
JP2007126496A (ja) * 2005-11-01 2007-05-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 接着剤組成物
JP2008065258A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィー用ペリクル
US20090018275A1 (en) * 2007-01-26 2009-01-15 Greene, Tweed Of Delaware, Inc. Method of Bonding Perfluoroelastomeric Materials to a Surface

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09206723A (ja) * 1996-01-30 1997-08-12 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
JPH1020480A (ja) * 1996-07-08 1998-01-23 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクへのペリクル貼着方法
JPH1020479A (ja) * 1996-07-08 1998-01-23 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクへのペリクル貼着方法
US6040400A (en) * 1997-10-09 2000-03-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Addition-curable perfluoro compound-containing composition
JP2004102269A (ja) * 2002-08-21 2004-04-02 Asahi Glass Co Ltd 紫外光透過性含フッ素重合体および該重合体からなるペリクル
JP2005126618A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Shin Etsu Chem Co Ltd 低汚染性接着剤組成物

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104471479A (zh) * 2012-08-02 2015-03-25 三井化学株式会社 防护膜组件
CN104471479B (zh) * 2012-08-02 2019-01-18 三井化学株式会社 防护膜组件
WO2018023838A1 (zh) * 2016-08-05 2018-02-08 常州瑞择微电子科技有限公司 一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜
CN107065429A (zh) * 2017-05-25 2017-08-18 北京理工大学 一种基于量子点的高精度掩膜

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