CN107065429A - 一种基于量子点的高精度掩膜 - Google Patents

一种基于量子点的高精度掩膜 Download PDF

Info

Publication number
CN107065429A
CN107065429A CN201710376126.2A CN201710376126A CN107065429A CN 107065429 A CN107065429 A CN 107065429A CN 201710376126 A CN201710376126 A CN 201710376126A CN 107065429 A CN107065429 A CN 107065429A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
dustproof membrane
dot film
film
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710376126.2A
Other languages
English (en)
Inventor
喻志农
郭建
蒋玉蓉
薛唯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Institute of Technology BIT
Original Assignee
Beijing Institute of Technology BIT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Institute of Technology BIT filed Critical Beijing Institute of Technology BIT
Priority to CN201710376126.2A priority Critical patent/CN107065429A/zh
Publication of CN107065429A publication Critical patent/CN107065429A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于量子点的掩模，包括基板、图形层以及防尘膜：图形层中的图形区域为量子点膜或者不透光材料膜；图形层中的透光区域为空或者为与图形区域不同波长的量子点膜；防尘膜为单纯防尘膜或者量子点膜形成的防尘膜；本发明主要使用量子点技术制作光刻掩膜，在消除杂散光线的同时，降低由于掩膜版厚度造成的光线散射，降低非曝光区域的光刻胶影响，实现更加精确的曝光；该掩模主要应用在TFT LCD光刻工艺中，能够实现更加精密的布线，在不改动设备的前提下，最大化的利用设备，实现高精度曝光，制作出更加精密的TFT LCD面板；在同样的工艺流程下，通过不追加千万级的设备改造投资，也可以实现同样的曝光精度，使得产品边际效益大幅度提升。

Description

一种基于量子点的高精度掩膜
技术领域
本发明属于光刻技术领域，具体涉及一种基于量子点的高精度掩膜。
背景技术
在TFT LCD的array制程中，曝光工艺均是通过用紫外宽光谱光源照射掩膜版，实现曝光过程的。掩膜版虽然具有工艺简单，容易制造和批量生产的特点，但是，随着曝光精度越来越高的需求，掩膜版微米量级所产生的杂散光开始对曝光工艺产生一定的影响。
行业内利用相移光栅掩膜(PSM)技术来消除杂散光，取得了一定的效果，利用相移光栅的相消效应，消除杂散光线，使得到达基板光刻胶的光线更加均匀。
相移光栅所针对的是单一波长，即曝光系统使用单一波长可以实现最佳的曝光效果。但是，相移光栅仅对透过的光束产生了相消效果，由于掩膜具有一定的厚度，所以光线经过该厚度时，会产生一定的散射，也会对底层曝光产生影响。另外，又因相移层本身具有一定的透过率，所以相移层会对底层非曝光区域的光刻胶产生影响。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提供一种基于量子点的高精度掩膜，能够在削减光线散射的同时，降低非曝光区域的光刻胶影响。
本发明的一种基于量子点的掩模，包括基板、图形层以及防尘膜：
所述图形层中的图形区域为量子点膜或者不透光材料膜；
所述图形层中的透光区域为空或者为与图形区域不同波长的量子点膜；
所述防尘膜为单纯防尘膜或者量子点膜形成的防尘膜。
进一步的，当所述图形区域为量子点膜时，所述透光区域为量子点膜，所述防尘膜为单纯防尘膜。
较佳的，当入射光线为波长446nm～464nm的蓝光，所述透光区域的量子点膜的波长为365nm；所述图形区域的量子点膜的波长为578nm～592nm。
进一步的，当所述图形区域为不透光材料膜时，所述透光区域为空，所述防尘膜为量子点膜形成的防尘膜。
较佳的，当入射光线为波长446nm～464nm的蓝光时，作为防尘膜的量子点薄膜的波长为365nm。
较佳的，所述量子点膜的厚度为100nm。
较佳的，所述基板为石英材料。
本发明具有如下有益效果：
(1)本发明主要使用量子点技术制作光刻掩膜，在消除杂散光线的同时，降低由于掩膜版厚度造成的光线散射，降低非曝光区域的光刻胶影响，实现更加精确的曝光。
(2)该掩模主要应用在TFT LCD光刻工艺中，能够实现更加精密的布线，在不改动设备的前提下，最大化的利用设备，实现高精度曝光，制作出更加精密的TFT LCD面板。
(3)在同样的工艺流程下，通过不追加千万级的设备改造投资，也可以实现同样的曝光精度，使得产品边际效益大幅度提升。相比于HD分辨率的产品，在同样的设备下，使用量子点掩膜，可以制作出FHD水平的产品，产品售价可以提升50％以上。
附图说明
图1为本发明实施例1中的掩模结构示意图；
图2为本发明实施例2中的掩模结构示意图；
其中，1-防尘膜，2-透光区域，3-图形区域，4-基板，5-入射光线。
具体实施方式
下面结合附图并举实施例，对本发明进行详细描述。
本发明的一种基于量子点的高精度掩模，如图1和2所示，沿光线入射方向依次包括基板4、图形层以及防尘膜1，其中，图形层中设置掩模的图形，图形区域3以外为透光区域2；本发明中图形区域3采用量子点膜或者不透光材料膜；透光区域2为空或者为与图形区域3不同波长的量子点膜；防尘膜1为单纯防尘膜或者量子点膜形成的防尘膜。
其中，当图形区域3为量子点膜时，透光区域2为不同波长的量子点膜，通过设定图形区域3和透光区域2的量子点膜的波长，可保证入射光线透过图形区域3后产生光刻胶不敏感的光波，而光线从透光区域2出射后产生光刻胶敏感的光波，则在光刻胶上产生曝光效果。
当图形区域3为不透光材料膜时，透光区域2为空，防尘膜1为量子点膜形成的防尘膜。光线入射后被图形区域3吸收，透光区域2的光线入射至量子点膜上，通过设置量子点膜的波长，可使得从防尘膜1出射的光波在光刻胶上产生曝光。
实施例1
如图1所示，入射光线为波长446～464nm的蓝光，石英掩膜基板4上沉积并成型了两种量子点薄膜。对于透光区域2，考虑到光刻胶的感光性以及高分辨率的需求，将透光区域2的量子点限定为365nm波长。对于图形区域3，考虑到光刻胶对黄光不敏感，则将其波长限定为578～592nm的黄光。虽然图形区域3仍然有光线入射到光刻胶上，但是光刻胶与黄光不发生反应，可以视作不透光。
实施例2
将实施例1中的图1的防尘膜1替换为量子点薄膜4，如图2所示，入射光线为蓝光，经过图形区域3的光线被吸收，而透光区域2则经过量子点薄膜转换成365nm的波长，照射到光刻胶上。由于量子点膜层非常薄(100nm左右)，可以大幅度的削减光线散射效应，实现高精度的曝光。
综上所述，以上仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种基于量子点的掩模，包括基板、图形层以及防尘膜，其特征在于：
所述图形层中的图形区域为量子点膜或者不透光材料膜；
所述图形层中的透光区域为空或者为与图形区域不同波长的量子点膜；
所述防尘膜为单纯防尘膜或者量子点膜形成的防尘膜。
2.如权利要求1所述的一种基于量子点的掩模，其特征在于：
当所述图形区域为量子点膜时，所述透光区域为量子点膜，所述防尘膜为单纯防尘膜。
3.如权利要求2所述的一种基于量子点的掩模，其特征在于：
当入射光线为波长446nm～464nm的蓝光，所述透光区域的量子点膜的波长为365nm；所述图形区域的量子点膜的波长为578nm～592nm。
4.如权利要求1所述的一种基于量子点的掩模，其特征在于：
当所述图形区域为不透光材料膜时，所述透光区域为空，所述防尘膜为量子点膜形成的防尘膜。
5.如权利要求4所述的一种基于量子点的掩模，其特征在于：
当入射光线为波长446nm～464nm的蓝光时，作为防尘膜的量子点薄膜的波长为365nm。
6.如权利要求1,2,3,4或5所述的一种基于量子点的掩模，其特征在于：
所述量子点膜的厚度为100nm。
7.如权利要求1,2,3，4或5所述的一种基于量子点的掩模，其特征在于：
所述基板为石英材料。
CN201710376126.2A 2017-05-25 2017-05-25 一种基于量子点的高精度掩膜 Pending CN107065429A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710376126.2A CN107065429A (zh) 2017-05-25 2017-05-25 一种基于量子点的高精度掩膜

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710376126.2A CN107065429A (zh) 2017-05-25 2017-05-25 一种基于量子点的高精度掩膜

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107065429A true CN107065429A (zh) 2017-08-18

Family

ID=59610486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710376126.2A Pending CN107065429A (zh) 2017-05-25 2017-05-25 一种基于量子点的高精度掩膜

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107065429A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113238454A (zh) * 2021-03-30 2021-08-10 上海华力微电子有限公司 光掩模结构和光刻设备
CN114911129A (zh) * 2022-07-11 2022-08-16 上海传芯半导体有限公司 掩模基版、光掩模版及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040241592A1 (en) * 2003-05-27 2004-12-02 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing micro-structure and method of manufacturing micro-element
KR100597014B1 (ko) * 2001-01-10 2006-07-06 재단법인서울대학교산학협력재단 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 방법 및 그 구조를갖는 기능성 소자
JP2007171790A (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Ushio Inc フォトマスク及びフォトマスクを備えた露光装置
US20090117475A1 (en) * 2005-05-19 2009-05-07 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Multilayer active mask lithography
CN102081299A (zh) * 2009-11-30 2011-06-01 信越化学工业株式会社 光刻用防尘薄膜组件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100597014B1 (ko) * 2001-01-10 2006-07-06 재단법인서울대학교산학협력재단 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 방법 및 그 구조를갖는 기능성 소자
US20040241592A1 (en) * 2003-05-27 2004-12-02 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing micro-structure and method of manufacturing micro-element
US20090117475A1 (en) * 2005-05-19 2009-05-07 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Multilayer active mask lithography
JP2007171790A (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Ushio Inc フォトマスク及びフォトマスクを備えた露光装置
CN102081299A (zh) * 2009-11-30 2011-06-01 信越化学工业株式会社 光刻用防尘薄膜组件

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113238454A (zh) * 2021-03-30 2021-08-10 上海华力微电子有限公司 光掩模结构和光刻设备
CN114911129A (zh) * 2022-07-11 2022-08-16 上海传芯半导体有限公司 掩模基版、光掩模版及其制备方法
CN114911129B (zh) * 2022-07-11 2022-10-25 上海传芯半导体有限公司 掩模基版、光掩模版及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6093117B2 (ja) フォトマスク、フォトマスクの製造方法及びパターンの転写方法
CN201974631U (zh) 掩膜版及掩膜版组
TW200510495A (en) Material for forming resist-protecting film for immersion exposure process, resist-protecting film made of such material and method for forming resist pattern using such resist-protection film
CN101349864A (zh) 光掩模及其制造方法和图案转印方法
US10288928B2 (en) Photomask and method of manufacturing color filter substrate
EP2818925A1 (en) Mask
CN107065429A (zh) 一种基于量子点的高精度掩膜
KR102252049B1 (ko) 노광용 마스크, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 기판의 제조 방법
JP6322250B2 (ja) フォトマスクブランク
CN202522841U (zh) 掩膜版
WO2019214108A1 (zh) 一种显示面板的制作方法以及显示面板
CN105824188A (zh) 离子注入层版图的光学修正方法
WO2023158848A3 (en) Lithography compositions and methods for forming resist patterns and/or making semiconductor devices
CN104656369A (zh) 光掩模和使用了该光掩模的基板的制造方法
CN101144985A (zh) 包括校正滤镜的投影对准器
JP2012212125A (ja) フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法
JP2011081326A (ja) 多階調フォトマスクの製造方法及び多階調フォトマスク用ブランク、並びに電子デバイスの製造方法
CN101825845A (zh) 一种用于高深宽比纳米图形加工的表面等离子体成像光刻方法
KR101742358B1 (ko) 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크 및 패턴 전사 방법
CN111077727B (zh) 光掩模、光掩模的制造方法和电子器件的制造方法
CN103186035B (zh) 掩膜板及其制作方法、光刻胶层的曝光方法
CN108169997B (zh) 光学补偿膜、掩膜版以及曝光机
KR102371333B1 (ko) 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
Eisenberg et al. New types of microlens arrays for the IR based on inorganic chalcogenide photoresists
Radzievskaya et al. Cut-Off UV Light Filter to Prevent the Negative Slope of the Soft Lithography Hard Mold Walls

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170818

RJ01 Rejection of invention patent application after publication