CN102077371A - 引线框及其制造方法和使用引线框的半导体发光装置 - Google Patents

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Abstract

一种引线框，在同一平面具备引线部(2a)和1处或多处焊盘部(2)，所述焊盘部(2)具有用于搭载LED芯片的LED芯片搭载用表面(A)，所述引线部(2a)具有用于与所述LED芯片进行电连接的电连接区域(C)。所述焊盘部的所述搭载用表面的面积S1和与所述搭载用表面对置的散热用背面(B)的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2。引线框在所述搭载用表面与所述散热用背面之间的所述焊盘部的侧面部具有从所述搭载用表面朝向所述散热用背面扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部(E)。

Description

引线框及其制造方法和使用引线框的半导体发光装置
技术领域
本发明涉及担载、搭载LED(发光二极管，Light Emitting Diode)的引线框(lead frame)及其制造方法和使用该引线框的半导体发光装置。
背景技术
一般情况下，用于担载、搭载半导体集成电路或LED发光元件等电子元件的引线框使用由铜薄板、铁-镍等的合金薄板、铜-镍-锡等的合金薄板等构成的引线框用金属薄板制造。具体地说，引线框通过使用氯化铁等蚀刻剂从该金属材料的单面或者双面进行光刻加工而制造。或者利用使用冲压模具的冲裁法制造。该引线框具备用于搭载半导体集成电路或LED元件的焊盘(pad)部(岛(island)部)以及从焊盘部绝缘分离的内部引线部和外部引线部。内部引线部与电子元件电连接。并且，外部引线部与外部电连接，并从内部引线部延伸。
引线框在焊盘部的表面侧具有用于载置电子元件的搭载部(搭载面)。并且，在焊盘的背面侧具有散热部(散热板)的引线框已经公知，所述散热部用于散发从LED发光元件等电子元件主体产生的驱动热和由电子元件周围的环境条件产生的热。即，引线框从焊盘部的背面侧的散热部或者外部引线部朝外界侧散热，以免热蓄积于电子元件侧。
作为用于担载半导体集成电路或者LED发光元件等电子元件的基板，除了使用由金属薄板构成的引线框的引线框基板以外，使用陶瓷基板或者印刷基板等。但是，对于形成于载置电子元件的焊盘部的散热部，从散热效率的观点出发，期望散热部的散热面积尽可能广。进而，在专利文献1～5中记载了LED等电子发光元件相对于担载体的安装技术、以及用于防止对发光元件蓄热的散热技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-8071号公报
专利文献2：日本特开2003-347600号公报
专利文献3：日本特开2004-172160号公报
专利文献4：日本特开2007-220925号公报
专利文献5：日本特开2008-227166号公报
发明概要
发明要解决的课题
例如在作为用于担载、搭载LED发光元件的元件担载体用的基板使用陶瓷基板的情况下，虽然散热特性良好、可靠性也优秀，但是存在价格高的缺点。并且，在作为元件担载体用的基板使用印刷基板的情况下，存在作为印刷基板的基体材料的环氧树脂的散热性差的缺点。为了消除这种不良情况，不得不采用将由Cu(铜)、或者Al(铝)形成的金属板插入基板的内层而成的印刷基板。并且，为了以高光反射率对从LED发光元件发出的光进行反射并从而确保高光增益，需要在搭载发光元件的基板的光反射表面涂布光反射性的陶瓷墨水的工序。
并且，在作为用于担载、搭载LED发光元件的元件担载用的基板使用由金属薄板构成的引线框基板的情况下，除了欠缺散热性的缺点之外，还需要确保LED发光元件的高光增益(相对于光照射方向的高光反射率)。因此，需要在用于搭载发光元件的引线框基板的光反射面层叠由特殊的复合树脂(陶瓷墨水+Si树脂)形成的复合材料从而遮盖缺点。并且，即使使用引线框基板方式，也存在无法充分地确保从LED发光元件到安装基板面的散热面、散热性能不足的缺点。
并且，对于陶瓷基板以外的印刷基板、或者引线框基板方式，无论哪种方式都存在如下的缺点：不仅散热特性差，而且与使用陶瓷基板的半导体发光装置的制造方法相比较制法和工序复杂。
发明内容
本发明就是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，作为用于担载、搭载LED发光元件(LED芯片)的元件担载用的基板，廉价地提供一种兼具高散热性和高光增益性的发光元件用引线框基板、该引线框基板的制造方法、以及使用该引线框基板的半导体发光装置。
用于解决课题的方案
本发明的技术方案1所涉及的发明涉及一种引线框，所述引线框在同一平面至少具备引线部2a和1处或多处焊盘部2，所述焊盘部2具有用于搭载LED芯片10的LED芯片搭载用表面A，所述引线部2a具有用于与所述LED芯片进行电连接的电连接区域C，所述引线框的特征在于，所述焊盘部2的所述搭载用表面A的面积S1和与所述搭载用表面A对置的散热用背面B的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2，在所述搭载用表面A与所述散热用背面B之间的所述焊盘部2的侧面部，具有从所述搭载用表面A朝向所述散热用背面B扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部E。
本发明的技术方案2所涉及的发明涉及一种引线框，其特征在于，在上述技术方案1所涉及的引线框中，所述引线部2a的所述电连接区域C的面积S3和与所述电连接区域C对置且与所述焊盘部2的所述散热用背面B位于同一平面的散热用背面D的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4，在所述电连接区域C与所述散热用背面D之间的所述引线部2a的侧面部，具有从所述电连接区域C朝向所述散热用背面D扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部E。
本发明的技术方案3所涉及的发明涉及一种引线框，所述引线框在同一平面至少具备引线部2a和1处或多处焊盘部2，所述焊盘部2具有用于搭载LED芯片10的LED芯片搭载用表面A，所述引线部2a具有用于与所述LED芯片进行电连接的电连接区域C，所述引线框的特征在于，所述焊盘部2的所述搭载用表面A的面积S1和与所述搭载用表面A对置的散热用背面B的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2，所述焊盘部2由上部构造和下部构造构成，所述上部构造具有所述搭载用表面A，所述下部构造与所述上部构造一体，且具有所述散热用背面B，在所述上部构造的侧面部具有从所述搭载用表面A朝向所述散热用背面B扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部E，在所述下部构造的侧面部具有从所述散热用背面B朝向所述搭载用表面A扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部E1。
本发明的技术方案4所涉及的发明涉及一种引线框，其特征在于，在上述技术方案3所涉及的引线框中，所述引线部2a的所述电连接区域C的面积S3和与所述电连接区域C对置且与所述焊盘部2的所述散热用背面B位于同一平面的散热用背面D的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4，所述引线部2a由上部构造和下部构造构成，所述上部构造具有所述电连接区域C，所述下部构造与所述上部构造一体，且具有所述散热用背面D，在所述上部构造的侧面部具有从所述电连接区域C朝向所述散热用背面D扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部E，在所述下部构造的侧面部具有从所述散热用背面D朝向所述电连接区域C扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部E1。
本发明的技术方案5所涉及的发明涉及一种引线框，其特征在于，在上述技术方案1所涉及的引线框中，所述引线框是如下的引线框：将所述焊盘部2和所述引线部2a形成为1个单位框架，其中，所述焊盘部2的表面和所述引线部2a的表面形成于同一平面，所述焊盘部2的背面和所述引线部2a的背面形成于同一平面，各个单位框架相互在纵横方向利用1根或多根连接杆连结而多面粘接地排列，在所述焊盘部2、所述引线部2a以及所述连接杆的各自的表面、背面或者表面和背面两面的面高度中，所述连接杆的面高度设定得低，所述连接杆的厚度设定得比所述焊盘部2和所述引线部2a的厚度薄。
本发明的技术方案6所涉及的发明涉及一种引线框的制造方法，其特征在于，在板状的引线框用金属材料的表面形成用于形成焊盘部2的面积为S1的搭载用表面A的光致抗蚀剂的图案；在所述金属材料的背面形成用于形成与所述焊盘部2的所述搭载用表面A对置的面积为S2的散热用背面B的光致抗蚀剂的图案；从所述金属材料的表面和背面两面进行刻蚀加工，由此，所述焊盘部2的所述搭载用表面A的面积S1与所述散热用背面B的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2，且在所述搭载用表面A与所述散热用背面B之间的所述焊盘部的侧面部，形成从所述搭载用表面A朝向所述散热用背面B扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部E。
本发明的技术方案7所涉及的发明涉及一种引线框的制造方法，其特征在于，在上述技术方案6所涉及的引线框的制造方法中，当图案形成用于形成所述搭载用表面A的光致抗蚀剂时，在所述金属材料的表面形成用于形成引线部2a的面积为S3的电连接区域C的光致抗蚀剂的图案；当图案形成用于形成所述散热用背面B的光致抗蚀剂时，在所述金属材料的背面形成用于形成与所述引线部2a的电连接区域C对置的面积为S4的散热用背面D的光致抗蚀剂的图案；从所述金属材料的表面和背面两面进行刻蚀加工，由此，所述引线部2a的所述电连接区域C的面积S3与所述散热用背面C的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4，且在所述电连接区域C与所述散热用背面D之间的所述引线部的侧面部，形成从所述电连接区域C朝向所述散热用背面D扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部E。
本发明的技术方案8所涉及的发明涉及一种引线框的制造方法，其特征在于，在引线框用金属材料的表面形成用于形成焊盘部2的面积为S1的搭载用表面A的光致抗蚀剂的图案；在所述金属材料的背面形成用于形成与所述焊盘部2的所述搭载用表面A对置且面积为S2的散热用背面B的光致抗蚀剂的图案；从所述金属材料的表面和背面两面进行刻蚀加工，由此，所述焊盘部2的所述搭载用表面A的面积S1与所述散热用背面B的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2，并且，所述焊盘部2由上部构造和下部构造构成，所述上部构造具有所述搭载用表面A，所述下部构造与所述上部构造一体，且具有所述散热用背面B，在所述上部构造的侧面部形成从所述搭载用表面A朝向所述散热用背面B扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部E，在所述下部构造的侧面部形成从散热用背面B朝向搭载用表面A扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部E1。
本发明的技术方案9所涉及的发明涉及一种引线框的制造方法，其特征在于，在上述技术方案8所涉及的引线框的制造方法中，当图案形成用于形成所述搭载用表面A的光致抗蚀剂时，在所述金属材料的表面图案形成用于形成引线部2a的面积为S3的电连接区域C的光致抗蚀剂；当图案形成用于形成所述散热用背面B的光致抗蚀剂时，在所述金属材料的背面图案形成用于形成与所述引线部2a的电连接区域C对置的面积为S4的散热用背面D的光致抗蚀剂；从所述金属材料的表面和背面两面进行刻蚀加工，由此，所述引线部2a的所述电连接区域C的面积S3与散热用背面C的面积S4之间的关系为S3＜S4，并且，所述引线部2a由上部构造和下部构造构成，所述上部构造具有所述电连接区域C，所述下部构造与所述上部构造一体，且具有所述散热用背面D，在所述上部构造的侧面部形成从所述电连接区域C朝向所述散热用背面D扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部E，在所述下部构造的侧面部形成从所述散热用背面D朝向所述电连接区域C扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部E1。
本发明的技术方案10所涉及的发明涉及一种引线框的制造方法，其特征在于，在上述技术方案6所涉及的引线框的制造方法中，所述引线框的制造方法是如下的引线框的制造方法：将所述焊盘部2和所述引线部2a形成为1个单位框架，其中，所述焊盘部2的表面和所述引线部2a的表面形成于同一平面，所述焊盘部2的背面和所述引线部2a的背面形成于同一平面，各个单位框架相互在纵横方向利用1根或多根连接杆连结而多面粘接地排列，在所述焊盘部2、所述引线部2a以及所述连接杆的各自的表面、背面或者表面和背面两面的面高度中，所述连接杆的面高度设定得低，所述连接杆的厚度设定得比所述焊盘部2和所述引线部2a的厚度薄。
本发明的技术方案11所涉及的发明涉及一种半导体发光装置，引线框在同一平面至少具备引线部2a和1处或多处焊盘部2，所述焊盘部2具有用于搭载LED芯片10等IC芯片的LED芯片搭载用表面A，所述引线部2a具有用于与所述LED芯片进行电连接的电连接区域C，从所述搭载用表面A直到与所述搭载用表面A对置的散热用背面B在其厚度方向利用填充树脂对所述引线框实施模塑加工，在比所述焊盘部的所述搭载用表面A靠上面侧，包含所述LED芯片和所述电连接区域C被覆有透明树脂，所述半导体发光装置的特征在于，所述焊盘部的所述搭载用表面A的面积S1与所述散热用背面B的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2，在所述搭载用表面A与所述散热用背面B之间的所述焊盘部的侧面部从所述搭载用表面A朝向所述散热用背面B具有台阶状部或者锥状部E，所述填充树脂由所述台阶状部或者锥状部E保持。
本发明的技术方案12所涉及的发明涉及一种半导体发光装置，引线框在同一平面至少具备引线部2a和1处或多处焊盘部2，所述焊盘部2具有用于搭载LED芯片10等IC芯片的LED芯片搭载用表面A，所述引线部2a具有用于与所述LED芯片进行电连接的电连接区域C，从所述搭载用表面A直到与所述搭载用表面A对置的散热用背面D在其厚度方向利用填充树脂对所述引线框实施模塑加工，在比所述焊盘部的所述搭载用表面A靠上面侧，包含所述LED芯片和所述电连接区域C被覆有透明树脂，所述半导体发光装置的特征在于，所述焊盘部的所述搭载用表面A的面积S1与所述散热用背面B的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2，所述焊盘部由上部构造和下部构造构成，所述上部构造具有所述搭载用表面A，所述下部构造与所述上部构造一体，且具有所述散热用背面B，在所述上部构造的侧面部，从所述搭载用表面A朝向所述散热用背面B具有台阶状部或者锥状部E，在所述下部构造的侧面部，从所述散热用背面B朝向所述搭载用表面A具有台阶状部或者锥状部E1，所述填充树脂由各个台阶状部、锥状部E、E1保持。
本发明的技术方案13所涉及的发明涉及一种半导体发光装置，其特征在于，在上述技术方案11所涉及的半导体发光装置中，所述引线部2a的所述电连接区域C的面积S3和与所述电连接区域C对置且与所述焊盘部2的所述散热用背面B位于同一平面的散热用背面D的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4，在所述电连接区域C与所述散热用背面D之间的所述引线部2a的侧面部，具有从所述电连接区域C朝向所述散热用背面D扩张的、用于保持所述填充树脂的台阶状部或者锥状部E，所述填充树脂由台阶状部或者锥状部E保持。
本发明的技术方案14所涉及的发明涉及一种半导体发光装置，其特征在于，在上述技术方案11所涉及的半导体发光装置中，所述引线部2a的所述电连接区域C的面积S3和与所述电连接区域C对置且与所述焊盘部2的所述散热用背面B位于同一平面的散热用背面D的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4，所述引线部2a由上部构造和下部构造构成，所述上部构造具有所述电连接区域C，所述下部构造与所述上部构造一体，且具有所述散热用背面D，在所述上部构造的侧面部具有从所述电连接区域C朝向所述散热用背面D扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部E，在所述下部构造的侧面部具有从所述散热用背面D朝向所述电连接区域C扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部E1，所述填充树脂由各个台阶状部或者锥状部E、E1保持。
本发明的技术方案15所涉及的发明涉及一种半导体发光装置，其特征在于，在上述技术方案11所涉及的半导体发光装置中，所述填充树脂的光折射率n1与所述透明树脂的光折射率n2之间的关系设定成n1＞n2，将所述填充树脂设定为高反射率的树脂。
本发明的技术方案16所涉及的发明涉及一种半导体发光装置，其特征在于，在上述技术方案11所涉及的半导体发光装置中，在所述填充树脂中添加有提高反射率特性的微粒。
本发明的技术方案17所涉及的发明涉及一种引线框，其特征在于，所述引线框由表面侧的上部构造和背面侧的下部构造形成为一体、并且相互离开的多个构造体形成，所述引线框具有填充树脂，该填充树脂形成于所述多个构造体之间以及外侧，且厚度与所述引线框的厚度相同，所述上部构造具有焊盘部2和与所述焊盘部2离开的引线部2a，所述下部构造具有与所述焊盘部2形成为一体的散热部3和与所述引线部2a形成为一体的散热部3a，所述焊盘部2的表面的面积S1与所述散热部3的背面的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2，所述引线部2a的表面的面积S3与所述散热部3a的背面的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4，在所述各个上部构造的侧面部具有从所述引线框的表面侧朝向背面侧扩张的台阶状部或者锥状部，在所述各个下部构造的侧面部具有从所述引线框的背面侧朝向表面侧扩张的台阶状部或者锥状部，所述引线框在所述表面侧且在所述焊盘部2和所述引线部2a的外侧具有用于反射光的光反射环4a，该光反射环4a具备面向所述焊盘部的斜面的内周面，且与所述填充树脂形成为一体，并且从所述填充树脂突出。
本发明的技术方案18所涉及的发明涉及一种引线框，其特征在于，在上述技术方案17所涉及的引线框中，所述光反射环4a的所述内周面相对于所述焊盘部2的表面的倾斜角度为30度以上85度以下。
本发明的技术方案19所涉及的发明涉及一种引线框，其特征在于，在上述技术方案17所涉及的引线框中，所述填充树脂是在树脂中混合有粉状的添加剂的光扩散性树脂，该填充树脂的光折射率在2以上。
本发明的技术方案20所涉及的发明涉及一种引线框，其特征在于，在上述技术方案17所涉及的引线框中，所述引线框是如下的引线框：将所述焊盘部2和所述引线部2a形成为1个单位框架，其中，所述焊盘部2的表面和所述引线部2a的表面形成于同一平面，所述焊盘部2的背面和所述引线部2a的背面形成于同一平面，各个单位框架相互在纵横方向利用1根或多根连接杆连结而多面粘接地排列，在所述焊盘部2、所述引线部2a以及所述连接杆的各自的表面、背面或者表面和背面两面的面高度中，所述连接杆的面高度设定得低，所述连接杆的厚度设定得比所述焊盘部2和所述引线部2a的厚度薄。
本发明的技术方案21所涉及的发明涉及一种引线框的制造方法，其特征在于，在引线框用金属材料的表面形成用于形成焊盘部2的面积为S1的芯片搭载用表面A和引线部2a的面积为S3的电连接区域C的光致抗蚀剂的图案；在所述金属材料的背面形成用于形成与所述芯片搭载用表面A对置的面积为S2的散热用背面B和与所述电连接区域C对置的面积为S4的散热用背面D的光致抗蚀剂的图案；从所述金属材料的表面和背面两面进行刻蚀加工，由此，所述焊盘部2的芯片搭载用表面A的面积S1与所述散热用背面B的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2，所述电连接区域C的面积S3与所述散热用背面D的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4，形成具有由所述金属材料形成的上部构造和下部构造的一体构造，在所述上部构造的侧面部形成从所述芯片搭载用表面A朝向所述散热用背面B扩张的台阶状部或者锥状部，在所述下部构造的侧面部形成从所述散热用背面B朝向所述芯片搭载用表面A扩张的台阶状部或者锥状部，所述上部构造的具有所述芯片搭载用表面A的焊盘部2和所述下部构造的具有所述散热用背面B的散热部3形成为一体，所述上部构造的具有所述电连接区域C的引线部2a和所述下部构造的具有所述散热用背面D的散热部3a形成为一体，将具有所述上部构造和所述下部构造的一体构造设置于模塑成型用的模具，对所述模具填充树脂而进行模塑成型，由此，在所述上部构造和所述下部构造的一体构造的周围形成厚度与所述上部构造和所述下部构造的一体构造的厚度相同的填充树脂，并且，在形成所述填充树脂的同时，在所述芯片搭载用表面A侧且在所述焊盘部2和引线部2a的外侧，从所述填充树脂突出而形成用于反射光的光反射环4a来作为与所述填充树脂一体的构造，该光反射环4a具有面向所述芯片搭载用表面A侧的斜面的内周面。
本发明的技术方案22所涉及的发明涉及一种引线框的制造方法，其特征在于，在上述技术方案21所涉及的引线框的制造方法中，所述引线框是如下的引线框：将所述焊盘部2和所述引线部2a形成为1个单位框架，其中，所述焊盘部2的表面和所述引线部2a的表面形成于同一平面，所述焊盘部2的背面和所述引线部2a的背面形成于同一平面，各个单位框架相互在纵横方向利用1根或多根连接杆连结而多面粘接地排列，在所述焊盘部2、所述引线部2a以及所述连接杆的各自的表面、背面或者表面和背面两面的面高度中，所述连接杆的面高度设定得低，所述连接杆的厚度设定得比所述焊盘部2和所述引线部2a的厚度薄。
本发明的技术方案23所涉及的发明涉及一种半导体发光装置，其特征在于，所述半导体发光装置具备引线框和填充树脂，所述引线框由表面侧的上部构造和背面侧的下部构造形成为一体、且相互离开的多个构造体形成，所述填充树脂形成于所述引线框的所述多个构造体之间以及外侧，且厚度与所述引线框的厚度相同，所述上部构造具有焊盘部2和与所述焊盘部2离开的引线部2a，所述下部构造具有与所述焊盘部2形成为一体的散热部3和与所述引线部2a形成为一体的散热部3a，在所述各个上部构造的侧面部具有从所述引线框的表面侧朝向背面侧的方向扩张的台阶状部或者锥状部，在所述各个下部构造的侧面部具有从所述引线框的背面侧朝向表面侧的方向扩张的台阶状部或者锥状部，在所述表面侧且在所述焊盘部2和所述引线部2a的外侧具有用于反射光的光反射环4a，该光反射环4a具有面向所述焊盘部的斜面的内周面，且与所述填充树脂形成为一体，并且从所述填充树脂突出，在所述焊盘部2的表面搭载有LED芯片，所述LED芯片的电极与所述引线部2a电连接，并且形成有透明树脂，该透明树脂被覆所述LED芯片，并且与所述光反射环4a的所述内周面接触。
本发明的技术方案24所涉及的发明涉及一种半导体发光装置，其特征在于，在上述技术方案23所涉及的半导体发光装置中，所述焊盘部2的表面的面积S1与所述散热部3的背面的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2，所述引线部2a的表面的面积S3与所述散热部3a的背面的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4。
本发明的技术方案25所涉及的发明涉及一种半导体发光装置，其特征在于，在上述技术方案23所涉及的半导体发光装置中，所述填充树脂是在树脂中混合有粉状的添加剂的光扩散性树脂，该填充树脂的光折射率在2以上，比所述透明树脂的折射率高。
发明效果
根据本发明，将半导体发光装置用引线框中的焊盘部2的LED芯片搭载用表面A的面积S1和与搭载用表面A对置的散热用背面B的面积S2之间的关系设定成0＜S1＜S2，将电连接区域C的面积S3和与电连接区域C对置的散热用背面D的面积S4之间的关系设定成0＜S3＜S4，以使散热用背面B的面积比搭载用表面A的面积广、散热用背面D的面积比电连接区域C的面积广的方式进行制造。因此，能够在引线框背面侧得到高散热性能。
并且，在LED用引线框的表面侧或者表面和背面这两面侧形成有用于保持树脂模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部。因此，能够得到引线框与为了固定引线框而模塑在引线框的周围的填充树脂之间的可靠的粘合性，能够防止引线框与填充树脂之间的分离或者填充树脂从引线框脱离等，存在能够可靠地提高耐脱离性的效果。
并且，根据本发明，填充树脂使用高光反射率的树脂，并使填充树脂或者填充树脂的表面具有高光反射率，由此，能够高效地将从LED芯片10发出的光射出至外部。并且，在发光元件中，将填充树脂的光折射率n1与以覆盖LED发光元件的方式形成的透明树脂的光折射率n2之间的关系设定成n1＞n2，由此，能够增加填充树脂4与透明树脂5之间的边界面处的反射率，能够在填充树脂或者填充树脂的表面得到高光反射率。
本发明通过使用形成有光反射环用凹部的模具对填充树脂进行模塑成型而形成与填充树脂形成为一体的光反射环。当在填充树脂上形成分体的光反射环的情况下，填充树脂与光反射环之间的接合面成为界面，当界面处的二者的结合强度弱的情况下，光反射环容易从填充树脂剥离。特别地，当从填充树脂或者光反射环产生的水蒸气扩散至界面、或者周围空气中的水蒸气扩散至界面的情况下容易产生剥离。但是，在本发明中形成为使填充树脂和光反射环一体化的构造。因此，在光反射环与填充树脂之间不存在界面，二者牢固地连接、粘合性高。因此，不会出现水蒸气扩散至界面从而二者容易剥离的情况，能够得到连接可靠性高的光反射环。
并且，根据本发明，填充树脂和与填充树脂形成为一体构造的光反射环使用高光反射率的树脂，并且设定成填充树脂和与填充树脂形成为一体构造的光反射环的光折射率比被覆发光元件的透明树脂的光折射率大。由此，能够增加填充树脂和光反射环与透明树脂之间的边界面处的光反射率。因此，能够在填充树脂和光反射环或其表面得到高光反射率，能够高效地对从发光元件(LED芯片)发出的光进行反射而使光射出至外部。
附图说明
图1是使用本发明的第一实施方式中的引线框制造的半导体发光元件的上面图。
图2是使用本发明的第一实施方式中的引线框制造的半导体发光元件的背面图。
图3是沿着图1的III-III线的剖视图。
图4是沿着图1的IV-IV线的剖视图。
图5是沿着图1的V-V线的剖视图。
图6是用于说明本发明的第一实施方式中的LED元件所涉及到的填充树脂的功能的示意剖视图。
图7是示出使用本发明的第二实施方式中的引线框制造的半导体发光元件的图，是沿着图1的III-III线的剖视图。
图8是示出使用本发明的第二实施方式中的引线框制造的半导体发光元件的图，是沿着图1的IV-IV线的剖视图。
图9是示出使用本发明的第二实施方式中的引线框制造的半导体发光元件的图，是沿着图1的V-V线的剖视图。
图10是用于说明本发明的第三实施方式中的利用连接杆连结的多面粘接的状态的引线框的上面图。
图11A是将图10的模塑之前的状态放大示出的剖视图。
图11B是将图10放大示出的剖视图。
图12是用于说明使用模具进行的向引线框的树脂模塑的一例的剖视图。
图13是使用本发明的第四实施方式中的引线框制造的半导体发光装置的上面图。
图14是示出使用本发明的第四实施方式中的引线框制造的半导体发光装置的图，是沿着图13的X IV-XIV线的剖视图。
图15是示出使用本发明的第四实施方式中的引线框制造的半导体发光装置的图，是沿着图13的X V-X V线的剖视图。
图16是示出使用本发明的第四实施方式中的引线框制造的半导体发光装置的图，是沿着图13的XVI-XVI线的剖视图。
图17是使用模具进行的向引线框的树脂模塑的一例的剖视图。
图18是用于说明本发明的第四实施方式中的光反射环的功能的示意剖视图。
图19是本发明的第五实施方式中的利用连接杆连结的多面粘接的状态的引线框的上面图。
图20A是将图19的进行模塑之前的状态放大示出的剖视图。
图20B是将图19放大示出的剖视图。
具体实施方式
<第一实施方式>
首先，以下参照图1至图5对本发明的第一实施方式进行说明。
本实施方式中的引线框1通过使用冲压模具在金属制的板状的基体材料进行冲裁加工而形成。即，如图3和图5所示，引线框1通过使用冲压模具在金属制的厚度为t1的板状的基体材料进行冲裁加工而形成。该引线框1由表面侧(发光元件10的搭载面侧)的厚度为t2的上部构造的图案和背面侧的厚度为t3的下部构造的图案形成。上述的上部构造和下部构造是使用同一金属薄板制作出来的，因此形成为一体构造。引线框1作为材料使用铜薄板、铁-镍等的合金薄板、或者是铜-镍-锡等的合金薄板。但是，使用热传导率高的铜或者铜合金作为金属材料的话，引线框1的散热性提高，因此是优选的。并且，并不限于此，也可以使用铝合金等金属材料。
如图1、图3、图4以及图5所示，引线框1的厚度为t2的上部构造的图案具备焊盘部2和1个或多个引线部2a，所述上部构造的厚度比厚度为t1的金属薄板的厚度薄。该引线部2a从焊盘部2分离，且以预定的间隔与焊盘部2邻接形成。并且，如图2、图3、图4、图5所示，厚度为t3的下部构造的图案具备在焊盘部2的背面侧与焊盘部2形成为一体的散热部3(散热板)和在引线部2a的背面侧与引线部2a形成为一体的散热部3a(散热板)。另外，在图5中，W表示线(金线)的一例。该线借助引线接合连结在搭载于焊盘部2的芯片搭载用表面A的发光元件(LED芯片)10和引线部2a的电连接区域C之间，将发光元件10和电连接区域C电连接。
如图1、图3以及图5所示，焊盘部2的表面(上表面)形成为用于搭载LED芯片10的面积为S1的搭载用表面A。与焊盘部2对置的背面侧的散热部3的外表面(背面)形成为用于将热从焊盘部2的背面侧散发至外界侧的面积为S2的散热用背面B(散热板)。即，该散热部3以使从LED芯片10主体产生的驱动热和由LED芯片10的周围环境条件产生的热散热、从而避免热蓄积于LED芯片10的方式发挥功能。
并且，如图1、图4以及图5所示，引线部2a在使用冲压模具对基体材料进行冲裁加工时与焊盘部2的形成同时形成。引线部2a的表面形成为实施了镀银等的面积为S3的电连接区域(引线接合区域)C。由此，能够提高通过引线接合或者芯片接合等进行LED芯片10与引线部2a之间的电连接时的连接性。与引线部2a对置的背面侧的散热部3a的外表面(背面)形成为面积为S4的散热用背面D(散热板)。
焊盘部2的搭载用表面A和引线部2a的电连接区域C从同一引线框用基体材料(例如板状基体材料)形成。并且，焊盘部2的散热用背面B和引线部2a的散热用背面D也用同一板状基体材料形成。因此，搭载用表面A的面和电连接区域C的面、以及散热用背面B的面和散热用背面D的面分别位于同一平面内。
并且，引线部2a的电连接区域C通过引线接合或者芯片接合与安装于焊盘部2的搭载用表面A上的LED发光元件10连接。这样，电连接区域C由下述区域等构成：接合有用于与搭载于焊盘部2的搭载用表面A的LED芯片10连接的线的区域；以及经由焊锡等与形成于LED芯片10的连接用电极芯片接合的区域。
另外，对于前面所述的形成于电连接区域C的镀层，除了镀银之外还能够使用镀金、镀钯。并且，在电连接区域C面进行镀银、镀金、镀钯之前，也可以进行耐热扩散性优异的镀Ni(镍)等的镀底层。进一步，为了将半导体发光装置LE搭载于外部基板并进行连接，也可以在散热用背面也进行镀银、镀金、镀钯或者镀Ni(镍)等的镀底层。
在本发明中，如图3所示，焊盘部2的搭载用表面A的面积S1与散热用背面B的面积S2之间的关系为S1＜S2。即，设定成散热用背面B的面积比搭载用表面A的面积大。并且，如图4所示，引线部2a的引线接合区域C的面积S3与散热用背面D的面积S4之间的关系为S3＜S4。即，设定成散热用背面D的面积比引线接合区域C的面积广。
并且，如图3所示，焊盘部2的搭载用表面A与散热部3的散热用背面B之间的焊盘部2的侧面部形成为从搭载用表面A朝向散热用背面B的方向(从引线框1的表面侧朝向背面侧的方向)扩张的台阶状部或者锥状部E。从表面A朝背面B的方向引出的线形成为相对于该侧面部的台阶状部或者锥状部E屈曲或者弯曲的形状。能够利用该台阶状部或者锥状部E能够保持以后通过模塑填充加工填充的树脂，以免该树脂从框架表面侧朝背面侧的方向脱落。
并且，如图4所示，引线部2a的区域C与散热用背面D之间的引线部2a的侧面部形成为从区域C朝向散热用背面D的方向(从引线框1的表面侧朝向背面侧的方向)扩张的台阶状部或者锥状部E。从区域C朝背面D的方向引出的线形成为相对于该侧面部的台阶状部或者锥状部E屈曲或者弯曲的形状。能够利用该台阶状部或者锥状部E保持以后通过模塑填充加工填充的树脂，以免该树脂从框架表面侧朝背面侧的方向脱落。
(引线框的制造方法)
其次，对本实施方式的引线框的制造方法进行说明。
首先，使用冲压模具对由铁-镍等的合金薄板或者铜-镍-锡等的金属合金制的板状的引线框用金属材料进行冲裁加工。由此，在金属材料上形成贯通部。即，如图1至图5所示，形成由搭载用表面A的面积S1与散热用背面B的面积S2之间的关系为S1＜S2的焊盘部2和散热部3、以及电连接区域C的面积S3与散热用背面D的面积S4之间的关系为S3＜S4的引线部2a和散热部3a构成的引线框1。
此时，通过使用在剖视图中侧面具有形成为锥状的凹部或者凸部的模具，在搭载用表面A与散热用背面B之间的焊盘部2的侧面部形成有从该搭载用表面A朝向散热用背面B的方向扩张的台阶状部或者锥状部E。同样，在电连接区域C与散热用背面D之间的引线部2a的侧面部形成有从该电连接区域C朝向散热用背面D的方向扩张的台阶状部或者锥状部E。能够利用该台阶状部或者锥状部E保持进行模塑时填充的树脂(填充树脂)。
另外，如后所述，本实施方式所涉及的引线框1也可以利用使用光致抗蚀剂的光刻法形成。
其次，在引线框1进行以下的例子中所记载的一系列的树脂模塑加工，从而得到半导体发光装置用引线框。
首先，引线框1被装填在预先形成有形成为预定的内部形状的凹部(例如具有与引线框材料的厚度t1相同的深度t1的凹部)的模具的凹部内。另外，如图12所示，作为模具，一般是具有作为盖的板状的上模具40和下模具41的2片结构的模具。在下模具41，作为内部空间形成有与用于注入熔融的树脂4的注入口42连通的凹部43。能够将引线框1(多面粘接(多面付け)的引线框ML)装填于该凹部43。在将引线框1装填于下模具41的凹部43之后，使上模具40与下模具41合体而进行合模。
其次，从注入口42朝凹部43(内部空间)内注入加热熔融了的填充树脂4。由此得到填充树脂4填充于所装填的引线框1(多面粘接的引线框ML)而成型的树脂填充引线框。在成型之后，进行冷却而后将上模具卸下，将引线框1从下模具取出。由此，能够形成厚度与引线框1的厚度t1相同的填充树脂4。并且，搭载用表面A和散热用背面B的各个面、以及电连接区域C和散热用背面D的各个面分别从各填充树脂露出至外面。这样，形成在焊盘部2与引线部2A之间填充有填充树脂的半导体发光装置用引线框。
另外，图1和图2所示的悬吊引线(吊りリ一ド)20是用于防止使用冲压模具进行冲裁加工之后焊盘部2和引线部2a从金属材料脱落的部分。因此，悬吊引线20是为了在必要的期间内将焊盘部2和引线部2a预先连结保持于金属材料而形成的。因此，通过将悬吊引线20切断能够得到一个个的引线框(后述的单位框架)。另外，在各个剖视图中省略悬吊引线20的图示。通过将悬吊引线20与金属材料之间的连结部切断，能够将引线框分离。对于悬吊引线20的切断时间，能够举出搭载LED芯片之后或者进行树脂模塑之后，可以适当设定。
其次，对本实施方式的半导体发光装置进行说明。如图1至图5所示，半导体发光装置具有引线框1，该引线框1在同一平面具备一处乃至多处焊盘部2以及引线部2a，所述焊盘部2用于搭载LED芯片10，所述引线部2a具有用于与LED芯片10进行电连接的电连接区域C。
引线框1从焊盘部2的LED芯片搭载用表面A直到与搭载用表面A对置的散热部3的散热用背面B、以及从引线部2a的电连接区域C直到与区域C对置的散热部3a的散热用背面D都在厚度方向利用树脂4实施了模塑加工。
在比焊盘部2的搭载用表面A靠上面侧的位置、以及比引线部2a的电连接区域C靠上面侧的位置，包含LED芯片10和电连接区域C，都由透明树脂5呈层状地包覆。另外，图中透明材料5形成为层状，但是，也可以是圆顶状。
在引线框1中，焊盘部2的搭载用表面A的面积S1与散热部3的散热用背面B的面积S2之间的关系设定成0＜S1＜S2，引线接合区域C的面积S3与散热部3a的散热用背面D的面积S4之间的关系设定成0＜S3＜S4。即，引线框1例如具有从呈基座状的散热部3突出有面积(图1的俯视图中的面积)比散热部3的面积小的焊盘部2的形状，并且，具有从呈基座状的散热部3a突出有面积比散热部3a的面积小的引线部2a的形状。
因此，散热部位能够设定得广，能够形成为散热性优异的LED元件。并且，在该搭载用表面A与散热用背面B之间、以及电连接区域C与散热用背面D之间的焊盘部2以及引线部2a的侧面部形成有从搭载用表面A朝散热用背面B、以及从电连接区域C朝散热用背面D的方向扩张的台阶状部或者锥状部E。因此，当使树脂4成为熔融状态而进行模塑加工时、以及模塑加工之后，树脂4由该台阶状部或者锥状部E保持，并且，树脂4与引线框之间的接触面积变大。因此，所填充的树脂4与引线框牢固地粘合。由此，能够防止引线框从树脂4脱落，或者树脂4从引线框脱落。
在本实施方式的半导体发光装置中，LED元件10在埋设于透明的树脂5的层内的状态下发光。因此，重要的是，当使从LED元件10发出的光从透明树脂5射出至外侧时，能够具有高光增益性。因此，作为透明树脂5，当然能够选定例如丙烯酸类树脂(聚甲基丙烯酸甲酯树脂)等透明性良好的树脂。进一步，本发明人特别提出作为填充树脂4使用在填充树脂4与透明树脂5之间的边界面处具有高反射性的树脂。
作为树脂4，期望具有高光反射率，但是，此外，还期望具有耐热性、耐光性、热导电性、高光扩散性。因此，作为树脂4，期望是环氧树脂、改性环氧树脂、硅倍半氧烷类树脂、聚硅氧烷树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、芳香族类聚酯树脂(不饱和聚酯树脂)、聚酰胺类树脂、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、液晶聚合物(LCP)、环烯烃类树脂等有机高分子材料。另外，可以使用1种树脂、或者使用多种树脂的混合树脂。
通过将填充树脂4的光折射率n1和透明树脂5的光折射率n2之间的关系设定成n1＞n2，能够在树脂4与透明树脂5之间的边界面处获得高光反射率。进一步，树脂4与透明树脂5之间的折射率的差越大越能够进行高的反射。但是，树脂的折射率一般在2以下，仅利用树脂在增大折射率差的方面存在极限。因此，在本发明中提出，作为树脂4使用在以上述的1种树脂或者多种树脂的混合树脂作为主体的树脂中混合有粉状物质或者粒状物质等添加剂的光扩散性树脂。由此，能够使树脂4的折射率n在2以上。因此，能够在树脂4与透明树脂5之间的边界面得到高反射性。另外，作为添加于树脂4的添加剂，例如能够举出SiO2、TiO2、Al2O3、氧化锆、陶瓷材料、或者上述材料的混合物等微粒。并且，添加剂相对于主体树脂的混合比率能够适当设定。例如能够设定成1％～20％，或者设定成上述比率以上的比率。
以下，对通过使填充树脂4具有光反射性而产生的效果进行说明。
如图6所示，从LED芯片10发出的光L在透明树脂5中行进而射出至外部。但是，从LED芯片10发出的光的一部分在透明树脂5的与外部(空气)接触的边界被反射(图6中的反射光M(全反射光或半反射光等))。然后，反射光M到达填充树脂4的表面。此时，在树脂4具有高光反射率的情况下，能够使反射光M在树脂4的表面再次被反射(图6中的再反射光N)。即，能够使再反射光N从LED元件射出。另一方面，在填充树脂不具有反射率的情况下，反射光M直接进入填充树脂中，无法从LED元件射出。
这样，通过使树脂4具有高光反射性，能够使从LED芯片10发出的光高效地射出至外部。
另外，在对LED芯片搭载用表面A、电连接区域C进行了镀金属的情况下，能够利用镀层表面将反射光M形成为再反射光N。因此，在高效地利用从LED芯片10发出的光的方面是更加优选的。
进一步，在树脂4表面涂覆光反射率优异的陶瓷墨水等的做法在高效地利用从LED芯片10发出的光的方面也是更加优选的。
<第二实施方式>
其次，以下参照图7至图9对本发明的第二实施方式进行说明。
本实施方式中的引线框1通过对金属制的薄板状的基体材料进行光刻加工形成。即，如图7、图8以及图9所示，引线框1通过从两面对厚度为t1的金属薄板的基体材料进行光刻加工形成。该引线框1由表面侧(发光元件10的搭载面侧)的厚度为t2的上部构造的图案和背面侧的厚度为t3的下部构造的图案构成。这些上部构造和下部构造由同一金属薄板制作，因此形成为一体构造。引线框1作为材料使用板状的铜薄板、铁-镍等的合金薄板或者铜-镍-锡等的金属薄板。但是，使用热传导率高的铜或者铜合金作为金属材料的话引线框1的散热性提高，因此是优选的。并且，并不限于此，也可以使用铝合金等金属材料。
如图7、图8以及图9所示，引线框1的厚度为t2的上部构造的图案具备焊盘部2和1至多个引线部2a，所述上部构造的厚度比厚度为t1的金属薄板的厚度薄。该引线部2a从焊盘部2分离，并隔开预定的间隔与焊盘部2邻接形成。并且，如图7、图8以及图9所示，厚度为t3的下部构造的图案具有散热部3(散热板)和散热部3a(散热板)，所述散热部3在焊盘部2的背面侧与焊盘部2形成为一体，所述散热部3a在引线部2a的背面侧与引线部2a形成为一体。另外，在图9中，W示出线(金线)的一例。该线借助引线接合连结在搭载于焊盘部2的芯片搭载用表面A的发光元件(LED芯片)10和引线部2a的电连接区域C之间，将发光元件10和电连接区域C电连接。
如图7和图9所示，焊盘部2的表面(上表面)形成为用于搭载LED芯片10的面积为S1的搭载用表面A。与焊盘部2对置的背面侧的散热部3的外表面(背面)形成为用于将热从焊盘部2的背面侧散发至外界侧的面积为S2的散热用背面B(散热板)。即，该散热部3以使从LED芯片10主体产生的驱动热和由LED芯片10的周围环境条件产生的热散热、从而避免热蓄积于LED芯片10的方式发挥功能。
并且，如图8和图9所示，引线部2a在对引线框用基体材料进行光刻加工时与焊盘部2的形成同时形成。引线部2a的表面形成为实施了镀银等的面积为S3的电连接区域(引线接合区域)C。由此，能够提高通过引线接合或者芯片接合等进行LED芯片10与引线部2a之间的电连接时的连接性。与引线部2a对置的背面侧的散热部3a的外表面(背面)形成为面积为S4的散热用背面D(散热板)。
焊盘部2的搭载用表面A和引线部2a的电连接区域C的面从同一引线框用基体材料(例如板状基体材料)形成。并且，焊盘部2的散热用背面B和引线部2a的散热用背面D也从同一板状基体材料形成。因此，搭载用表面A的面和电连接区域C的面、以及散热用背面B的面和散热用背面D的面分别位于同一平面内。
并且，引线部2a的电连接区域C通过引线接合或者芯片接合与安装于焊盘部2的搭载用表面A上的LED发光元件10连接。这样，电连接区域C由下述区域等构成：接合有用于与搭载于焊盘部2的搭载用表面A的LED芯片10连接的线的区域；以及经由焊锡等与形成于LED芯片10的连接用电极芯片接合的区域。
另外，对于前面所述的形成于电连接区域C的镀层，除了镀银之外还能够使用镀金、镀钯。并且，在电连接区域C面进行镀银、镀金、镀钯之前，也可以进行耐热扩散性优异的镀Ni(镍)等的镀底层。进一步，为了将半导体发光装置LE搭载于外部基板并进行连接，也可以在散热用背面也进行镀银、镀金、镀钯或者镀Ni(镍)等的镀底层。
如图7所示，在本实施方式的引线框1中，用于搭载LED芯片的LED芯片搭载用表面A的面积S1和与该搭载用表面A对置的散热部3的散热用背面B的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2。这样，通过在引线框1的背面设置散热面，并且增大散热面，散热效果提高。
并且，在引线框1中，焊盘部2构成具有搭载用表面A的上部构造。另一方面，散热部3(散热板)构成具有散热用背面B的下部构造。该下部构造在与上部构造对置的下部(焊盘部2的背面侧)与上部构造形成为一体。该下部构造和上部构造例如形成为从呈基座状的散热部3突出有面积(图1的俯视图中的面积)比散热部3的面积小的焊盘部2的形状。
在搭载用表面A与散热用背面B之间的焊盘部2即上部构造的侧面部形成有台阶状部或者锥状部E，该台阶状部或者锥状部E从该搭载用表面A朝散热用背面B的方向扩张，用于保持树脂模塑时填充的树脂。另一方面，在散热部3(散热板)即下部构造的侧面部形成有锥状部E1，该锥状部E1从该散热用背面B朝搭载用表面A的方向扩张，用于保持树脂模塑时填充的树脂。
并且，如图8所示，引线框1的引线部2a的电连接区域C的面积S3和与电连接区域C对置的散热部3a的散热用背面D的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4。这样，通过在引线部2a的背面设置与该引线部2a形成为一体的散热部3a，并增大散热部3a的散热面，散热效果提高。
并且，电连接区域C与焊盘部2的搭载用表面A形成于同一面，散热用背面D与焊盘部2的散热用背面B形成于同一面。
在引线框1中，引线部2a构成具有电连接区域C的上部构造。另一方面，散热部3a(散热板)构成具有散热用背面D的下部构造。该下部构造在与上部构造对置的下部(引线部2a的背面侧)与上部构造形成为一体。该下部构造和上部构造例如形成为从呈基座状的散热部3a突出有面积(图1的俯视图中的面积)比散热部3a的面积小的引线部2a的形状。
并且，在电连接区域C与散热用背面D之间的引线部2a即上部构造的侧面部形成有台阶状部或者锥状部E，该台阶状部或者锥状部E从该电连接区域C朝散热用背面D的方向扩张，用于保持树脂模塑时填充的树脂。另一方面，在散热部3(散热板)即下部构造的侧面部形成有锥状部E1，该锥状部E1从该散热用背面D朝电连接区域C的方向扩张，用于保持树脂模塑时填充的树脂。
利用上述的台阶部或者锥状部E、以及锥状部E1保持以后通过模塑填充加工填充的树脂，以免该树脂从框架脱落。特别地，能够将树脂保持于引线框以免树脂朝表面侧以及背面侧的方向脱落。
如后所述，本实施方式所涉及的引线框1通过下述方法形成：在引线框用金属板的表面和背面涂布光致抗蚀剂(感光性树脂)，通过对光致抗蚀剂进行图案曝光和显影处理等形成抗蚀剂图案，然后使用氯化铁等蚀刻剂从两面对抗蚀剂未形成部进行光刻加工。通过以这种方法形成，引线框1具备用于搭载LED元件的焊盘部2和以绝缘状态与焊盘部2离开的引线部2a。
(引线框的制造方法)
其次，对本实施方式的引线框的制造方法进行说明。
首先，在由铁-镍等的合金薄板或者铜-镍-锡等的金属薄板形成的厚度为t1的引线框用金属材料的表面涂布光致抗蚀剂(感光性树脂)而形成光致抗蚀剂层。其次，隔着具有预定的图案的图案曝光用光掩模对光致抗蚀剂层曝光图案。通过该图案曝光，曝光出用于形成焊盘部2的面积为S1的搭载用表面A和引线部2a的面积为S3的电连接区域C的图案。其次，对光致抗蚀剂层进行显影处理，并根据需要进行坚膜处理。由此，除了形成焊盘部2的搭载用表面A和引线部2a的电连接区域C的部分的光致抗蚀剂之外，其他部分的光致抗蚀剂都被除去。即，在金属材料的一方的面侧(表面侧)的用于形成焊盘部2的搭载用表面A的部位、以及用于形成引线部2a的电连接区域C的部位形成有抗蚀剂图案。
同样，在金属材料的另一方的面侧(背面)也涂布光致抗蚀剂而形成光致抗蚀剂层，然后进行图案曝光、显影等一系列的处理。在图案曝光中，曝光出用于形成面积为S2(S1＜S2)的散热用背面B、以及用于形成面积为S4(S3＜S4)的散热用背面D的图案，然后，进行显影、坚膜处理等。由此，除了形成焊盘部2的散热用背面B的部分、以及形成引线部2a的散热用背面D的部分的光致抗蚀剂之外，其他部分的光致抗蚀剂都被除去。即，在用于形成散热用背面B的部位、以及用于形成散热用背面D的部位形成有抗蚀剂图案。由此，在引线框用金属材料的表面和背面分别形成有具有光致抗蚀剂未形成部的面积的差分(ΔSP＝S2-S1，ΔSP＞0，ΔSL＝S4-S3，ΔSL＞0)的抗蚀剂图案。
其次，在金属材料的背面粘贴耐腐蚀用的树脂薄膜。其次，使用氯化铁等蚀刻剂从金属材料的表面侧开始进行刻蚀加工处理(半刻蚀处理)。此时，金属材料的表面的光致抗蚀剂未形成部被刻蚀至预定的深度(例如图7、图8所示的厚度t2)。然后，进行清洗等，并在金属材料的表面粘贴耐腐蚀用的树脂薄膜。
其次，将金属材料的背面的耐腐蚀用的树脂薄膜剥去，并使用氯化铁等蚀刻剂从金属材料的背面侧开始进行刻蚀加工处理(半刻蚀处理)。此时，金属材料的背面的光致抗蚀剂未形成部被刻蚀至预定的深度(例如图7、图8所示的厚度t3)。这样，通过从表面进行的半刻蚀形成的刻蚀深度t2和通过从背面进行的半刻蚀形成的刻蚀深度t3的合计值与金属薄板的厚度t1相同或者比金属薄板的厚度t1大。由此，在金属材料的表面、背面的各个未形成对应的抗蚀剂图案的金属部位形成有贯通部。即，如图7至图9所示，形成由搭载用表面A的面积S1与散热用背面B的面积S2之间的关系为S1＜S2的焊盘部2和散热部3、以及电连接区域C的面积S3与散热用背面D的面积S4之间的关系为S3＜S4的引线部2a和散热部3a构成的引线框1。
在上述的说明中，刻蚀加工在表面和背面分别进行1次、总计进行2次，但是，也可以利用从表面和背面同时进行的1次刻蚀对金属材料进行刻蚀加工。
当在从抗蚀剂图案露出的金属材料部位进行刻蚀处理时，在从抗蚀剂图案露出的金属材料部位进行各向同性刻蚀。因此，当从金属材料的表面和背面两面侧分别进行刻蚀(半刻蚀)时，能够得到在金属材料的表面和背面锥度方向相反的引线框1。即，在锥状部E从上表面朝下表面扩张的情况下，锥状部E1从下表面朝上表面扩张。另外，如图所示，这些锥状部E和锥状部E1的侧面形状也可以形成为屈曲或者弯曲的形状。在表面和背面分别形成为倒锥状的引线框中，如后所述，能够防止树脂从形成为板状的引线框脱落。
其次，对引线框1进行在以下的例子中所记载的一系列的树脂模塑加工，从而得到半导体发光装置用引线框。
首先，将引线框1装填在预先形成有形成为预定的内部形状的凹部(例如具有与引线框材料的厚度t1相同的深度t1的凹部)的模具的凹部内。另外，如图12所示，作为模具，一般是具有作为盖的板状的上模具40和下模具41的2片结构的模具。在下模具41，作为内部空间形成有与用于注入熔融的树脂4的注入口42连通的凹部43。能够将引线框1(多面粘接的引线框ML)装填于该凹部43。在将引线框1装填于下模具41的凹部43之后，使上模具40与下模具41合体而进行合模。
其次，从注入口42朝凹部43(内部空间)内注入加热熔融了的填充树脂4。由此得到填充树脂4填充于所装填的引线框1(多面粘接的引线框ML)而成型的树脂填充引线框。在成型之后，进行冷却而后将上模具卸下，将引线框1从下模具取出。由此，能够形成厚度与引线框1的厚度t1相同的填充树脂4。并且，搭载用表面A和散热用背面B的各个面、以及电连接区域C和散热用背面D的各个面分别从填充树脂露出至外面。这样，形成在焊盘部2与引线部2A之间填充有填充树脂的半导体发光装置用引线框。
另外，图1和图2所示的悬吊引线(吊りリ一ド)20是用于防止焊盘部2和引线部2a从金属材料脱落的部分，因此，期望在得到第二实施方式的引线框时也预先形成有悬吊引线20。悬吊引线20是为了在必要的期间内将焊盘部2和引线部2a连结保持于金属材料而形成的。因此，通过将悬吊引线20切断能够得到一个个的引线框(后述的单位框架)。另外，在第二实施方式的各个剖视图中省略悬吊引线20的图示。通过将悬吊引线20与金属材料之间的连结部切断，能够将引线框分离。对于悬吊引线20的切断时间，能够举出搭载LED芯片之后或者进行树脂模塑之后，可以适当设定。
其次，对本实施方式的半导体发光装置进行说明。如图9所示，半导体发光装置LE具有引线框1，该引线框1在同一平面具备1处乃至多处焊盘部2以及引线部2a，所述焊盘部2用于搭载LED芯片10，所述引线部2a具有用于与LED芯片10进行电连接的电连接区域C。
引线框1从焊盘部2的LED芯片搭载用表面A直到与搭载用表面A对置的散热部3的散热用背面B、以及从引线部2a的电连接区域C直到与区域C对置的散热部3a的散热用背面D都在厚度方向利用树脂4实施了模塑加工。
在比焊盘部2的搭载用表面A靠上面侧的位置、以及比引线部2a的电连接区域C靠上面侧的位置，包含LED芯片10和电连接区域C，由透明树脂5呈层状地包覆。另外，图中透明材料5形成为层状，但是，也可以是圆顶状。
焊盘部2的搭载用表面A的面积S1与散热部3的散热用背面B的面积S2之间的关系设定成0＜S1＜S2，引线接合区域C的面积S3与散热部3a的散热用背面D的面积S4之间的关系设定成0＜S3＜S4。并且，通过以形成与引线框1的厚度t1相同的厚度的方式利用填充树脂对引线框1进行模塑，散热用背面B和散热用背面D分别从填充树脂露出。因此，能够将散热部位设定得广，且散热部位的表面露出，由此能够形成为散热性优异的LED元件。并且，在引线框1的侧面设置有锥状部E和E1。因此，当使树脂4成为熔融状态而进行模塑加工时、以及模塑加工之后，树脂4由该台阶状部或者锥状部E、E1保持。并且，树脂4与引线框之间的接触面积变大。因此，所填充的树脂4与引线框牢固地粘合。由此，能够防止引线框从树脂4脱落，或者树脂4从引线框脱落。
针对该点进一步进行说明。在形成为本实施方式的构造的引线框1中，上部构造的锥状部E的锥度例如形成为从上表面朝下表面扩张的锥度，下部构造的锥状部E1的锥度例如形成为从下表面朝上表面扩张的锥度。即，上部构造和下部构造的各个锥度方向为相反方向。因此，上部构造的锥状部和下部构造的锥状部汇合的部位在侧视图中形成为凸部。在进行模塑之后，由焊盘部2和散热部3夹持的部位的填充树脂4、以及由引线部2a和散热部3a夹持的部位的填充树脂4在与上述凸部对应的部位凹陷。因此，填充树脂4在上侧的部位(上部构造侧的部位)和下侧的部位(下部构造侧的部位)之间具有缩颈部位。换言之，如图9所示，树脂4的截面形状例如形成为具有缩颈部位的沙漏状。树脂4具有直径比缩颈部的直径大的部分，在该直径大的部分处填充树脂4与引线框1之间的接触面积变大，引线框与填充树脂之间的粘合性增加。并且，形成为沙漏状的树脂4具有缩颈部，引线框的两个锥状部汇合的部位即凸部与填充树脂4的缩颈部啮合。即，填充树脂的缩颈部由凸部保持。因此，能够防止树脂4从引线框1脱落。通过形成为上述的构造，在防止树脂4沿引线框的厚度方向(表面方向和背面方向)从填充树脂之后一个个地裁断而形成为板状的引线框脱落的方面是特别有效的。
并且，本实施方式的引线框能够使用一般的光刻法廉价地形成，因此能够供给廉价的引线框。
在本实施方式的半导体发光装置中，LED元件10在埋设于透明的树脂5的层内的状态下发光。因此，重要的是，当使从LED元件10发出的光从透明树脂5射出至外侧时，能够具有高光增益性。因此，作为透明树脂5，当然能够选定例如丙烯酸类树脂(聚甲基丙烯酸甲酯树脂)等透明性良好的树脂。进一步，本发明人特别提出作为填充树脂4使用在填充树脂4与透明树脂5之间的边界面处具有高反射性的树脂。
作为树脂4，期望具有高光反射率，但是，此外，还期望具有耐热性、耐光性、热导电性、高光扩散性。因此，作为树脂4，期望是环氧树脂、改性环氧树脂、硅倍半氧烷类树脂、聚硅氧烷树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、芳香族类聚酯树脂(不饱和聚酯树脂)、聚酰胺类树脂、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、液晶聚合物(LCP)、环烯烃类树脂等有机高分子材料。另外，可以使用1种树脂、或者使用多种树脂的混合树脂。
通过将填充树脂4的光折射率n1和透明树脂5的光折射率n2之间的关系设定成n1＞n2，能够在树脂4与透明树脂5之间的边界面处获得高光反射率。进一步，树脂4与透明树脂5之间的折射率的差越大越能够进行高的反射。但是，树脂的折射率一般在2以下，仅利用树脂在增大折射率差的方面存在极限。因此，在本发明中提出，作为填充树脂4使用在以上述的1种树脂或者多种树脂的混合树脂作为主体的树脂中混合有粉状物质或者粒状物质等添加剂的光扩散性树脂。由此，能够使树脂4的折射率n在2以上。因此，能够在树脂4与透明树脂5之间的边界面得到高反射性。另外，作为添加于树脂4的添加剂，例如能够举出SiO2、TiO2、Al2O3、氧化锆、陶瓷材料、或者上述材料的混合物等微粒。并且，添加剂相对于主体树脂的混合比率能够适当设定。例如能够设定成1％～20％，或者设定成上述比率以上的比率。
以下，对通过使填充树脂4具有光反射性而产生的效果进行说明。
如图6所示，从LED芯片10发出的光L在透明树脂5中行进而射出至外部。但是，从LED芯片10发出的光的一部分在透明树脂5的与外部(空气)接触的边界被反射(图6中的反射光M(全反射光或半反射光等))。然后，反射光M到达填充树脂4的表面。此时，在树脂4具有高光反射率的情况下，能够使反射光M在树脂4的表面再次被反射(图6中的再反射光N)。即，能够使再反射光N从半导体发光装置射出。另一方面，在填充树脂不具有反射率的情况下，反射光直接进入填充树脂中，无法从LED元件射出。
这样，通过使树脂4具有高光反射性，能够使从LED芯片10发出的光高效地射出至外部。
另外，在对LED芯片搭载用表面A、电连接区域C进行了镀金属的情况下，能够利用镀层表面将反射光M形成为再反射光N。因此，在高效地利用从LED芯片10发出的光的方面是更加优选的。
进一步，在树脂4表面涂覆光反射率优异的陶瓷墨水等的做法在高效地利用从LED芯片10发出的光的方面也是更加优选的。
<第三实施方式>
其次，以下参照图10、图11A、图11B对本发明的第三实施方式中的半导体发光装置用引线框进行说明。
如图10所示，在本实施方式中的半导体发光装置用引线框中，形成使引线框1的焊盘部2和引线部2a的表面和背面形成于同一平面的单位框架(图10的虚线Z部表示单位框架)。半导体发光装置用引线框使用在单页(枚葉)状或者带状的金属材料彼此沿纵横方向排列有多个单位框架的多面粘接的引线框ML制造。
如图10所示，形成有被称作连接杆(タィバ一)30的例如格子状的框部。利用该连接杆30防止刻蚀之后、或者使用冲压模具进行冲裁之后引线框1从金属材料脱离。单位框架以与连接杆30连结的方式形成于作为框部的连接杆30的开口部的区域内。另外，在本实施方式中，单位框架与连接杆30之间的连结经由从连接杆30分支出的悬吊引线20进行。但是，根据规格的不同，也可以不形成悬吊引线20，而是使单位框架与连接杆30直接连结。
连接杆30和悬吊引线20在利用刻蚀或者使用冲压模具进行的冲裁形成焊盘部2和引线部2a时利用与形成焊盘部2和引线部2a的方法同样的方法形成。即，通过在要形成连接杆30、悬吊引线20的金属材料部位也形成光致抗蚀剂形成，或者，通过在使用冲压模具进行冲裁时留下与连接杆30、悬吊引线20相当的部位形成。通过将该悬吊引线20、连接杆30的部位切断、裁断而将各个单位框架从金属材料分离。另外，形成单位框架的引线框也可以是上述的实施方式1或者实施方式2的引线框中的一个。
如图11A所示，形成于多面粘接的引线框ML的各个单位框架的上部构造的焊盘部2和引线部2a形成在厚度为t3的下部构造的上方。因此，从下部构造的背面到焊盘部2以及引线部2a的上表面的高度是与金属材料的厚度相同的t1。在本实施方式中，悬吊引线20、连接杆30的面高度(厚度)设定得低(例如与散热部3、散热部3a的厚度t3相同的厚度)。即，悬吊引线20、连接杆30的厚度设定得比金属材料的厚度t1薄。对于这种厚度薄的悬吊引线20、连接杆30，能够通过在金属材料进行刻蚀而形成焊盘部2和引线部2a时对形成悬吊引线20、连接杆30的金属材料部位进行半刻蚀形成。即，在应当形成悬吊引线20、连接杆30的金属材料部位的一方的面侧(例如散热部3、3a侧的面侧)形成悬吊引线20形成用光致抗蚀剂、连接杆30形成有光致抗蚀剂，然后，如上所述从金属材料的两面开始进行用于形成焊盘部2和引线部2a的刻蚀。另外，当通过半刻蚀在表面(LED芯片搭载用表面、电连接区域)侧形成厚度薄的悬吊引线20、连接杆30的情况下，在表面(LED芯片搭载用表面、电连接区域)侧形成悬吊引线20形成用光致抗蚀剂、连接杆30形成用光致抗蚀剂。另外，当利用使用冲压模具进行的冲裁加工制作第一实施方式的引线框时，也可以在对金属材料进行冲压时将与悬吊引线20、连接杆30相当的部位的厚度冲压至厚度t3。
如图10、图11A所示，如上所述，通过光刻制造有多个引线框1的平板状的引线框ML被装填在用于制造半导体发光装置用引线框的模具内。然后，对模具内的凹部(内部空间)填充树脂4并成型。由此，如图11B所示，以搭载用表面A和散热用背面B、电连接区域C和散热用背面D分别从树脂4露出的方式填充树脂4而形成多面粘接的半导体发光装置用引线框ML。
然后，将半导体发光装置用引线框ML切断，从而得到分离后的单位框架。另外，半导体发光装置用引线框ML的切断时间并不限于树脂模塑之后，也可以在搭载LED芯片之后、或者是形成透明树脂之后切断，可以适当设定。
当对多面粘接的半导体发光装置用引线框ML进行树脂模塑加工时，对具有凹部(内部空间)的模具内注入树脂。当注入树脂时，树脂依次从位于树脂的注入口附近的单位框架朝位于远离注入口的部位的单位框架流动，从而进行树脂模塑。
此处，在本实施方式的半导体发光装置用引线框中，表面(LED芯片搭载用表面、电连接区域表面)和背面(散热用背面)分别从填充树脂露出。因此，凹部的深度(内部空间的高度)形成为与引线框的厚度相同，以免在表面和背面附着有树脂。即，通过使凹部的深度(内部空间的高度)与引线框的厚度相同，当将引线框装填在模具内时，引线框的表面和背面分别与上模具的模具面和下模具的模具面贴紧。由此，当对凹部(内部空间)注入树脂时，能够防止树脂附着于引线框的表面和背面。
但是，在悬吊引线20、连接杆30的厚度与引线框的厚度为相同程度的情况下，悬吊引线20、连接杆30会阻碍树脂的流动，或者阻挡树脂的流动。结果，在多面粘接的半导体发光装置用引线框中，会产生未被树脂模塑的部位。未填充树脂的部位形成具有气泡的部位，从而半导体发光装置用引线框的质量、进而半导体发光装置的质量下降。因此，在具有气泡的部位多的情况下，半导体发光装置用引线框作为缺陷品被废弃。
另一方面，在本实施方式中，对悬吊引线20、连接杆30的厚度进行减薄而使其例如与下部构造即散热部3、散热部3a的厚度t3相同。因此，当注入填充树脂时，树脂在形成于悬吊引线20、连接杆30与模具之间的间隙中流动。由此，不会妨碍树脂的流动或者阻挡树脂的流动。结果，在本实施方式的多面粘接的半导体发光装置用引线框ML中，能够在引线框成型没有气泡的填充树脂，能够使半导体发光装置用引线框的质量良好。并且，由于没有缺陷品因此制造成品率上升，进而，能够降低半导体发光装置用引线框的制造成本。并且，当得到单位框架的引线框2时，利用切断刃将悬吊引线20、连接杆30切断，但是，由于悬吊引线20、连接杆30的厚度薄，因此切断时施加于切断刃的负载少，能够延长切断刃的寿命。进一步，通过以没有气泡的方式填充如上所述的光反射率高的填充树脂，能够实现光反射率的提高。例如，当在填充树脂4的表面存在气泡的情况下，在填充树脂4的表面形成有凹部，入射至该凹部的光不会被反射至期望的方向。因此，从半导体发光装置射出的光变少。但是，以没有气泡的方式填充的树脂的表面平坦，因此入射的光被反射至期望的方向。由此，能够从发光装置高效地发出反射光。
另外，在本实施方式中，将与散热部形成为相同厚度的悬吊引线20、连接杆30设置于引线框的背面侧(下构造部的面侧)，但是，也可以将与上构造部形成为相同的厚度的悬吊引线20、连接杆30设置于引线框的表面侧(上构造部的面侧)。
<第四实施方式>
其次，以下参照图13至图16对本发明的第四实施方式进行说明。另外，在本实施方式中，省略与上述实施方式同样的点。
利用树脂进行模塑的引线框的金属部分即引线框1通过从表面侧和背面侧对金属制的薄板状的基体材料进行光刻加工形成。即，如图14和图16所示，引线框1由表面侧的厚度为t2的上部构造的图案和背面侧的厚度为t3的下部构造的图案构成，且上部构造和下部构造形成为一体构造。这些上部构造和下部构造的图案通过从两面对金属制的厚度为t1的板状的基体材料进行光刻加工(前面所述的半刻蚀加工)而形成。
引线框1的厚度为t2的上部构造的图案具备焊盘部2和从焊盘部2分离且隔开预定的间隔与焊盘部2邻接的1处或多处引线部2a。并且，厚度为t3的下部构造的图案具备位于焊盘部2的背面侧且与焊盘部2一体的散热部3和位于引线部2a的背面侧且与引线部2a一体的散热部3a。另外，在图16中，W示出线的一例。该线通过引线接合设置在搭载于焊盘部2的芯片搭载用表面A的发光元件10和引线部2a的电连接区域C之间。
如图13、图14、以及图16所示，本实施方式的引线框具备为了搭载LED芯片10而在1处或多处形成的厚度为t2的上部构造的焊盘部2和与焊盘部2一体的厚度为t3的下部构造的散热部3。在上部构造即焊盘部2具有芯片搭载用表面A。在与焊盘部2的背面一体的下部构造的散热部3(散热板)具有散热用背面B。如图14所示，在本实施方式的半导体发光装置LE中，引线框1的焊盘部2的LED芯片搭载用表面A的面积S1和与芯片搭载用表面A对置的散热部3的散热用背面B的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2。即，设定成散热用背面B的面积比芯片搭载用表面A的面积大。例如形成为从呈基座状的散热部3突出有面积(图13的俯视图中的面积)比散热部3的面积小的焊盘部2的形状。
如上所述，焊盘部2的表面(上表面)形成用于搭载LED芯片10的面积为S1的芯片搭载用表面A，与上部构造的焊盘部2对置的背面侧的散热部3的外表面形成面积为S2的散热用背面B。通过形成为使该散热用背面B从树脂4露出的方式，该散热用背面B使从LED芯片10主体产生的驱动热或者由LED芯片10的周围环境条件产生的热散热，使热从焊盘部2的背面侧散发至外界侧，以免热蓄积于IC芯片10。
并且，如图13、图15、以及图16所示，对于本实施方式的引线框1，与图14同样，与具有焊盘部2的构造离开地在1处或多处具有上部构造的厚度为t2的引线部2a和下部构造的厚度为t3的散热部3a形成为一体的构造。引线部2a的表面形成为与焊盘部2的芯片搭载用表面A相同的高度。该引线部2a的表面形成电连接区域C，该电连接区域C具有接合有用于与LED芯片10连接的线的引线接合区域和经由焊锡等与形成于LED芯片10的连接用电极芯片接合的区域。为了提高利用引线接合或芯片接合等进行LED芯片10与引线部2a之间的电连接时的连接性，该电连接区域C实施了镀银等，且面积为S3。
并且，散热部3a的表面(背面)与电连接区域C对置，形成与焊盘部2的散热用背面B相同高度的散热用背面D(散热板)。该散热用背面D的面积为S4。
如图16所示，对于焊盘部2的芯片搭载用表面A和引线部2a的电连接区域C的面，由于由同一板状基体材料形成，因此位于同一平面上且高度相同。在引线部2a的电连接区域C，通过引线接合连接有线W、或者通过芯片接合连接有芯片，并与安装在焊盘部2的芯片搭载用表面A上的LED芯片10电连接。
在上部构造的焊盘部2的侧面部形成有台阶状部或者锥状部E，该台阶状部或者锥状部E从该上部构造的表面(包含芯片搭载用表面A和电连接区域C的面)侧朝下部构造的散热部3的背面(包含散热用背面B和散热用背面D的面)侧的方向扩张。该台阶状部或者锥状部E用于保持树脂模塑时的填充树脂4。另一方面，在下部构造的散热部3(散热板)的侧面部形成有锥状部E1，该锥状部E1形成为与上述锥状部E相反的锥度，且从下部构造的背面侧朝上部构造的表面侧的方向扩张。由此，如前面所述，能够保持模塑时的填充树脂4。
并且，如图15所示，引线框1的引线部2a在与焊盘部2的芯片搭载用表面A相同的面内具有电连接区域C。另一方面，与引线部2a一体的下部构造的散热部3a具有位于与散热部3的散热用背面B相同的面内的散热用背面D。电连接区域C的面积S3与散热用背面D的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4。即，设定成散热用背面D的面积比引线接合的电连接区域C的面积大。例如，形成为从呈基座状的散热部3a突出有面积(图13的俯视图中的面积)比散热部3的面积小的引线部2a。
在电连接区域C与散热用背面D之间的上部构造的引线部2a的侧面部形成有台阶状部或者锥状部E，该台阶状部或者锥状部E从该电连接区域C朝散热用背面D的方向扩张，该台阶状部或者锥状部E用于保持模塑时的填充树脂4，以免该填充树脂4从框架表面侧朝背面侧的方向脱落。另一方面，在下部构造的散热部3(散热板)的侧面部形成有锥状部E1，该锥状部E1从该散热用背面D朝电连接区域C的方向扩张，该锥状部E1用于保持模塑时的填充树脂4，以免该填充树脂4从框架背面侧朝表面侧的方向脱落。
在形成为这种构造的引线框1中，上部构造的锥状部E的锥度例如从上表面朝下表面扩张，下部构造的锥状部E1的锥度例如从下表面朝上表面扩张。即，上部构造和下部构造的各自的锥度方向为相反的方向。
因此，如前面所述，例如位于由焊盘部2与散热部3夹着的部位、以及位于由引线部2a与散热部3a夹着的部位的填充树脂4在上侧的面(上部构造侧的面)和下侧的面(下部构造侧的面)之间具有缩颈部位。换言之，如图16所示，截面形状例如形成为沙漏状。引线框1在树脂4的缩颈部保持填充树脂4。因此，能够防止树脂4从引线框1脱落。
并且，将焊盘部2的LED芯片搭载用表面A的面积S1和与芯片搭载用表面A对置的散热用背面B的面积S2之间的关系设定成0＜S1＜S2，将电连接区域C的面积S3与散热用背面D的面积S4之间的关系设定成0＜S3＜S4。由于使散热用背面B的面积比芯片搭载用表面A的面积广、使散热用背面D的面积比电连接区域C的面积广、并且使散热用背面B和散热用背面D从树脂4露出，因此能够获得引线框背面侧的高散热性能。
该引线框1的形成方法如下所述。在引线框用金属板的表面和背面涂布光致抗蚀剂，通过对光致抗蚀剂进行图案曝光和显影处理等而形成抗蚀剂图案。然后，进行使用氯化铁等蚀刻剂对从表面和背面两面的抗蚀剂图案露出的金属板部位进行刻蚀加工的所谓的光刻加工(前面所述的半刻蚀加工)。这样形成引线框1。因此，引线框1具备用于搭载LED元件的焊盘部2和以绝缘状态与焊盘部2分离的引线部2a。
(引线框的制造方法)
其次，对本实施方式的利用树脂进行模塑的引线框的制造方法进行说明。
此处，本实施方式中的引线框利用与上述的第二实施方式同样的制造方法得到。即，从表面和背面两面对金属材料进行光刻。由此，形成由搭载用表面A的面积S1和散热用背面B的面积S2之间的关系为S1＜S2的焊盘部2和散热部3、以及电连接区域C的面积S3与散热用背面D的面积S4之间的关系为S3＜S4引线部2a和散热部3a构成的引线框。
另外，在本实施方式的引线框中，在刻蚀之后对引线部2a的电连接区域C进行Ni镀底层，并在其上进行镀银、镀金、或者镀钯。对该电连接区域C进行的电镀也可以在将后述的填充树脂4填充于引线框1而进行模塑成型的工序之后进行。即，也可以通过在从填充树脂4露出的电连接区域C进行电镀处理而进行。
其次，如以下说明的那样，对以上述方式形成的引线框1进行使用模具进行的模塑成型从而成型树脂4。由此制造以芯片搭载用表面A和散热用背面B、以及电连接区域C和散热用背面D分别从树脂4露出的方式填充有树脂4的树脂填充引线框。
如图17所示，在模塑成型中使用的模具预先形成有用于收纳引线框1的形成为预定的内部形状的凹部(例如具有与引线框材料的厚度t1相同的深度t1的凹部)。该模具由作为盖的板状的上模具40和下模具41这1组模具构成。在下模具41形成有用于注入熔融后的树脂4的注入口42和作为内部空间的能够装填引线框1(多面粘接的引线框ML)的凹部43。另外，在本实施方式中，在上模具40作为内部空间形成有光反射环用凹部40a，该光反射环用凹部40a是作为用于在填充树脂4的上部形成后述的光反射环4a的铸型。
作为树脂模塑成型的步骤，首先，将引线框1装填于下模具41的凹部43。其次，将上模具40盖在下模具41上而进行合模。
其次，从注入口42对凹部43和光反射环用凹部40a的内部空间内注入加热熔融后的树脂4。由此得到在所装填的引线框1模塑成型有树脂4的树脂填充引线框。在对树脂4进行模塑成型之后，将上模具40卸下，并将树脂填充引线框从下模具41取出。由此，在引线框1的焊盘部2与引线部2a之间填充有树脂4。即，形成芯片搭载用表面A和散热用背面B、以及电连接区域C和散热用背面D从树脂4露出至外面的树脂填充引线框。该树脂填充引线框从搭载用表面A和电连接区域C的高度直到与其对置的散热用背面B和散热用背面D的高度都在引线框1的厚度方向填充有树脂4。
此处，如图13所示，光反射环4a在模塑时作为与填充树脂4一体化的构造从填充树脂4突出形成。该光反射环4a在树脂填充引线框上在焊盘部2、引线部2a之间以及外侧形成为俯视圆环状。该圆环的中心设置在LED芯片10的发光部(LED)附近的位置。进而，圆环的截面形状形成为与LED芯片10的发光部对置的表面即内周面从芯片搭载用表面A和电连接区域C所成的面倾斜30度至85度的斜面。对于形成为斜面的光反射环4a的内周面的形状，为了能够高效地反射光，可以形成为圆锥面、椭圆锥面、球面、或者是抛物面的一部分。并且，侧面的倾斜角度可以适当设定，以高效地进行光反射。另外，该光反射环4a的在俯视图中的形状并不限定于圆环，也可以形成为圆的中心位于该发光部的附近的多个弯月形或圆环的一部分，或者形成为中心位于LED芯片10的发光部的椭圆形的环状。并且，只要发光部接近圆环的中心即可，光反射环4a即圆环的中心也可以从发光部稍稍偏移。
如上所述，在上模具40预先形成有光反射环用凹部40a，将模塑成型时注入的填充树脂4成型为光反射环4a的形状。因此，光反射环4a形成为与从芯片搭载用表面A和电连接区域C的高度直到散热用背面B和散热用背面D的高度的树脂4一体化的构造，从树脂4突出形成。即，光反射环4a和树脂4一体化，在二者之间并不存在界面。因此，光反射环4a和树脂4的主体牢固地连接，粘合性高。并且，由于在光反射环4a和树脂4的主体之间没有界面，因此水蒸气不会扩散至界面而使二者容易剥离。因此，能够得到连接可靠性高的光反射环4a。进一步，由于光反射环4a与填充树脂4的其他的填充部分同时形成，因此能够通过一次树脂模塑成型形成。
当进行模塑成型时，对模具内注入加热熔融后的树脂。因此，假设在成型树脂4之后利用其他工序模塑成型形成光反射环4的情况下，树脂4多次暴露于热，会产生由热引起的劣化。但是，在本实施方式的引线框的制造方法中，无需多次反复进行模塑成型。即，能够利用1次模塑成型形成引线框。因此，能够防止在进行多次模塑成型的情况下通过每次对树脂4施加的热产生的由填充树脂4的热过程引起的劣化。因此，能够防止由树脂4的热劣化引起的光反射特性的下降，能够保持光反射率高。
在该模塑成型中使用的填充树脂4以及光反射环4a期望使用光反射效率高的白色树脂。并且，对于树脂4以及光反射环4a，除此之外，期望还具有耐热性、耐光性、热导电性、高光扩散性。因此，作为树脂4和光反射环4a，例如期望是环氧树脂、改性环氧树脂、硅倍半氧烷类树脂、聚硅氧烷树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、芳香族类聚酯树脂(不饱和聚酯树脂)、聚酰胺类树脂、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、液晶聚合物(LCP)、环烯烃类树脂等有机高分子材料，可以使用1种树脂、或者使用多种树脂的混合树脂。
并且，作为树脂4和光反射环4a，期望使用在以上述的1种树脂或者多种树脂的混合树脂作为主体的树脂中混合有粉状物质的添加剂的光扩散性树脂。作为添加于树脂4和光反射环4a的添加剂，例如能够举出SiO2、TiO2、Al2O3、氧化锆、氧化铅、陶瓷材料等白色粉末、或者上述材料的混合物等微粒。并且，添加剂相对于主体树脂的混合比率能够适当设定。例如能够设定成1％～20％，或者设定成上述比率以上的比率。这种填充树脂4具有能够借助该添加剂获得提高光扩散性的效果。与此同时，填充树脂4能够借助该添加剂使折射率n在2以上。由此，能够使填充树脂4的折射率比以后形成于填充树脂4上的透明树脂5的折射率高。存在能够借助该折射率差在填充树脂4与透明树脂5之间的边界面处得到高反射性的效果。
另外，图13所示的悬吊引线20是用于防止在进行刻蚀加工处理之后、或者在使用冲压模具进行冲裁之后焊盘部2和引线部2a从金属材料脱落的部分，因此，悬吊引线20是为了在必要的期间内将焊盘部2和引线部2a预先连结保持于金属材料而形成的。因此，通过在形成填充树脂4之后将悬吊引线20切断能够得到树脂填充引线框。另外，在剖视图中省略悬吊引线20的图示。通过将悬吊引线20与金属材料之间的连结部切断，能够将树脂填充引线框分离。对于悬吊引线20的切断时间，能够举出在将LED芯片10搭载于树脂填充引线框之后、或者是进行透明树脂5的模塑成型之后，可以适当设定。
如图13至图16所示，通过以上的处理能够得到在同一平面具备引线部2a和1处或多处焊盘部2的树脂填充引线框，所述焊盘部2用于搭载LED芯片10，所述引线部2a具有用于进行与LED芯片10之间的电连接的电连接区域C。将LED芯片10搭载于这样得到的树脂填充引线框从而制造半导体发光装置LE。并且，在将LED芯片10搭载于树脂填充引线框之后，在比焊盘部2的芯片搭载用表面A靠上面侧的位置、以及比引线部2a的电连接区域C靠上面侧的位置呈层状或者圆顶状地形成有透明树脂5，该透明树脂5包覆LED芯片10和接合于电连接区域C的线W，并且与光反射环4a的内周面接触。该透明树脂5的厚度形成为能够包覆上述部件的厚度。作为透明树脂5例如使用丙烯酸类树脂等透明性良好的树脂。由此，当LED芯片10在埋设于透明树脂层5的层内的状态下发光时，当从LED芯片10发出的光从透明树脂5射出至外侧时能够具有高光增益性。
在树脂填充引线框中，焊盘部2的芯片搭载用表面A的面积S1与散热用背面B的面积S2之间的关系设定成S1＜S2，在引线部2a，用于进行引线接合的电连接区域C的面积S3与散热用背面D的面积S4之间的关系设定成S3＜S4。由此，散热部位设定得广，存在能够得到散热性优异的半导体发光装置LE的效果。
并且，在该芯片搭载用表面A与散热用背面B之间、以及电连接区域C与散热用背面D之间的焊盘部2和引线部2a的侧面部呈现朝散热用背面B、D的方向扩张的台阶部或者锥状部E。进一步，在芯片搭载用表面A与散热用背面B之间、以及电连接区域C与散热用背面D之间的散热部3、3a的侧面部呈现朝芯片搭载用表面A和散热用背面B的方向扩张的锥状部E1。因此，当以熔融状态对填充树脂4进行模塑成型时、以及模塑成型之后，树脂4由该台阶状部或者锥状部E、以及锥状部E1保持，并且，树脂4与引线框之间的接触面积变大。因此，树脂4与引线框之间牢固地粘合，能够防止引线框从树脂4脱落、或者树脂4从引线框脱落。该引线框1能够利用一般的光刻法廉价地形成，因此存在能够得到廉价的树脂填充引线框的效果。
并且，与填充树脂形成为一体的光反射环4a的面形成为从芯片搭载用表面A和电连接区域C所形成的面倾斜30度至85度的斜面而从填充树脂突出。因此，与不存在光反射环4a、填充树脂4为平面的情况相比较，填充树脂4即光反射环4a与透明树脂层5之间的接触面积变大。由此，光反射环4与透明树脂层5之间牢固地粘合，能够防止透明树脂层5剥离。
并且，由于填充树脂4能够借助添加剂使折射率n在2以上，因此能够使填充树脂4的光折射率n1与透明树脂5的光折射率n2之间的关系为n1＞n2。借助该折射率差，存在能够得到填充树脂4与透明树脂5之间的边界面处的高反射性的效果。折射率的差越大越能够进行高的反射。通常的树脂的折射率在大概2以下，仅利用树脂在增大折射率差的方面存在极限。因此，本实施方式的填充树脂4作为添加剂添加有SiO2、TiO2、Al2O3、氧化锆、陶瓷材料、或者上述材料的混合物等微粒。此时，通过使添加剂相对于主体树脂的混合比率例如为1％～20％，或者添加更多的添加剂，能够使填充树脂4的折射率在2以上。由此，能够使填充树脂4与透明树脂5之间的折射率差变大，存在能够获得填充树脂4与透明树脂5之间的边界面处的高反射性的效果。
以下，对通过使填充树脂4和光反射环4a具有反射性而产生的效果进行说明。
如图18所示，从LED芯片10发出的光L在透明树脂5中行进而射出至外部。但是，从LED芯片10发出的光的一部分在透明树脂5的与外部接触的边界被反射(图18中的反射光M)。然后，反射光M到达填充树脂4以及与填充树脂4形成为一体构造且从填充树脂突出的光反射环4a的表面。此时，在使填充树脂4和光反射环4a具有高光反射率的情况下，反射光M能够在填充树脂4和光反射环4a的表面再次反射(图18中的再反射光N)。即，能够从LED元件射出再反射光N。
并且，通过将光反射环4a的倾斜面形成为从芯片搭载用表面A和电连接区域C所成的面倾斜30度至85度的斜面，能够使入射至光反射环4a的倾斜面的反射光高效地再反射。进一步，即便是在从LED芯片10发出的光直接入射至光反射环4a的倾斜面的情况下，也能够使入射光高效地朝外部反射。
这样，通过使填充树脂4具有高反射率，能够使从LED芯片10发出的光高效地射出至外部。并且，在对LED芯片10的芯片搭载用表面A、电连接区域C进行了镀金属的情况下，能够利用镀层表面将反射光M形成为再反射光N，因此，在高效地利用从LED芯片10发出的光的方面是优选的。进一步，在填充树脂4的表面涂覆光反射率优异的陶瓷墨水等的做法在高效地利用从LED芯片10发出的光的方面也是优选的。
另外，在本实施方式中，如图15所示，包覆LED芯片10和接合于电连接区域C的线W、并且将与光反射环4a的内周面接触的部位形成为光反射面的透明树脂5形成为包覆光反射环4a的整体。但是，根据半导体发光装置的规格不同，无需利用透明树脂包覆光反射环4a的整体。即，以使透明树脂5与光反射环4a的内周面接触的光反射面具有期望的反射性的方式包覆光反射环4a的内周面的一部分或者全部而形成透明树脂5。此时，也可以使光反射环4a的外侧从透明树脂5露出。
<第五实施方式>
其次，以下参照图19、图20A、图20B对本发明的第五实施方式中的半导体发光装置用引线框进行说明。
如图19所示，在本实施方式中的树脂填充引线框中，引线框1的焊盘部2和引线部2a形成以虚线Z部表示的单位框架。树脂填充引线框使用在单页状或者带状的金属材料彼此沿纵横方向排列有多个单位框架的多面粘接的引线框ML来制造。
如图19所示，形成有被称作连接杆30的例如格子状的框部。能够利用该连接杆30防止刻蚀之后引线框1从金属材料脱离。单位框架以与连接杆30连结的方式形成于作为框部的连接杆30的开口部的区域内。另外，在本实施方式中，单位框架与连接杆30之间的连结经由从连接杆30分支出的悬吊引线20进行。但是，根据规格的不同，也可以不形成悬吊引线20，而是使单位框架与连接杆30直接连结。
连接杆30和悬吊引线20在利用刻蚀形成焊盘部2和引线部2a时利用与形成焊盘部2和引线部2a的方法同样的方法形成。即，通过在要形成连接杆30、悬吊引线20的金属材料部位也形成光致抗蚀剂而形成。通过将该悬吊引线20或者连接杆30的部位切断、裁断而将各个单位框架从金属材料分离。
如图20A所示，形成于多面粘接的引线框ML的各个单位框架的上部构造的焊盘部2和引线部2a形成在厚度为t3的下部构造的上方。因此，从下部构造的背面到焊盘部2以及引线部2a的上表面的高度是与金属材料的厚度相同的t1。在本实施方式中，悬吊引线20、连接杆30的厚度设定成比金属材料的厚度t1薄的下部构造的厚度t3，与散热部3、散热部3a等的厚度为相同的厚度。即，悬吊引线20、连接杆30的上表面相对于下部构造的背面的高度设定成t3。为了将该悬吊引线20、连接杆30的厚度形成地薄，能够通过在对金属材料进行刻蚀而形成焊盘部2和引线部2a时对形成悬吊引线20、连接杆30的金属材料部位进行半刻蚀来形成。即，在应当形成悬吊引线20、连接杆30的金属材料部位的一方的面侧(例如散热部侧的面侧)形成悬吊引线20形成用光致抗蚀剂、连接杆30形成有光致抗蚀剂。然后，如上所述从金属材料的两面开始进行用于形成焊盘部2和引线部2a的刻蚀。另外，当通过半刻蚀在表面(LED芯片搭载用表面A、电连接区域C)侧形成厚度薄的悬吊引线20、连接杆30的情况下，在表面(LED芯片搭载用表面A、电连接区域)侧形成悬吊引线20形成用光致抗蚀剂、连接杆30形成用光致抗蚀剂。
如图19、图20A所示，如在图17中所述的那样，通过光刻制造的单位引线框1的多个单位多面粘接的平坦状的多面粘接的引线框ML被装填于用于制造树脂填充引线框1b的上模具40与下模具41之间。进而，对模具内的凹部43与光反射环用凹部40a之间的内部空间内注入、填充树脂4而进行成型。由此，如图20B所示，形成芯片搭载用表面A和散热用背面B、电连接区域C和散热用背面D分别露出且填充有填充树脂4的多面粘接的引线框ML。
然后，对多面粘接的引线框ML进行切断处理，从而得到分离后的单位框架。另外，对于多面粘接的引线框ML的切断时间，并不限于在树脂模塑之后进行切断处理，也可以在搭载LED芯片之后、或者是形成透明树脂之后进行切断处理，可以设定合适的切断时机。
当对多面粘接的引线框ML进行树脂模塑成型时，多面粘接的引线框ML被设置在具有用于设置多面粘接的引线框ML的凹部43的下模具41内和具有光反射环用凹部40a的上模具40内。进而，从形成于下模具41的树脂的注入口42对上模具40与下模具41之间的空间中注入填充树脂4。当对模具注入填充树脂4时，树脂依次从多面粘接的引线框ML中的位于树脂的注入口42附近的单位框架朝位于远离注入口的部位的单位框架流动，从而进行树脂模塑。
下模具41的凹部43的深度(内部空间的高度)形成为与引线框的厚度相同，以免进行树脂模塑时填充树脂4附着于多面粘接的引线框ML的表面和背面。由此，当将多面粘接的引线框ML装填在模具内时，多面粘接的引线框ML的表面与上模具40的面贴紧，背面与下模具41的面贴紧。通过这样做，当对凹部(内部空间)注入树脂时，能够防止树脂附着于多面粘接的引线框ML的表面和背面，能够使多面粘接的引线框ML的表面(LED芯片搭载用表面A、电连接区域)和背面(散热用背面)分别从填充树脂4露出。
假设在悬吊引线20、连接杆30的厚度与引线框的厚度为相同程度的情况下，悬吊引线20、连接杆30会阻碍树脂的流动，或者阻挡树脂的流动，会产生在多面粘接的引线框ML产生未被树脂模塑的部位的问题。这样，未填充树脂4的部位形成具有气泡的部位，树脂填充引线框1b的质量、进而半导体发光装置LE的质量下降，存在极端情况下作为缺陷品废弃的情况的问题。
为了应对上述情况，在本实施方式中，将悬吊引线20、连接杆30的厚度减薄至与下部构造即散热部3、散热部3a的厚度t3相同的高度。由此，当注入填充树脂4时，树脂在形成于悬吊引线20、连接杆30与模具之间的间隙中流动。由此，不会妨碍树脂的流动或者阻挡树脂的流动。结果，能够在气泡不会进入填充树脂4的状态下在多面粘接的引线框ML进行模塑成型，能够使树脂填充引线框1b的质量良好。并且，由于没有缺陷品因此存在能够提高制造成品率的效果，进而，存在能够降低树脂填充引线框1b的制造成本的效果。并且，当利用切断刃将悬吊引线20、连接杆30切断时，由于悬吊引线20、连接杆30的厚度薄，因此能够减少切断时施加于切断刃的负载，存在能够延长切断刃的寿命的效果。进一步，通过以没有气泡的方式填充如上所述的反射率高的填充树脂，能够实现光反射率的提高。例如，当在包含光反射环4a在内的填充树脂的表面存在气泡的情况下，会在填充树脂表面形成凹部，入射至该凹部的光不会被反射至期望的方向。因此，从半导体发光装置射出的光变少。但是，以没有气泡的方式填充的树脂的树脂表面平坦，因此入射的光被反射至期望的方向。由此，能够从发光装置高效地发出反射光。
另外，在本实施方式中，将与下部构造的厚度相同厚度的悬吊引线20和连接杆30设置于引线框的下构造一侧(背面侧)，但是，也可以将与上构造部的厚度相同厚度的悬吊引线20和连接杆30设置于引线框的上构造一侧(表面侧)。
标记说明
1…引线框；1b…树脂填充引线框；2…焊盘部；2a…引线部；3…散热部；3a…散热部；4…(填充)树脂；4a…光反射环；5…透明树脂；10…LED芯片(发光元件)；20…悬吊引线；30…连接杆；40…上模具；40a…光反射环用凹部；41…下模具；42…注入口；43…凹部；A…芯片搭载用表面；B…散热用背面；C…电连接区域；D…散热用背面；E…台阶状部或者锥状部；E1…锥状部(或者倒斜角部)；L…LED发光光线；LE…半导体发光装置；M…反射光；ML…多面粘接的引线框；N…再反射光；W…线；Z…1单位框架。

Claims (25)

1.一种引线框，在同一平面至少具备引线部(2a)和1处或多处焊盘部(2)，所述焊盘部(2)具有用于搭载LED芯片(10)的LED芯片搭载用表面(A)，所述引线部(2a)具有用于与所述LED芯片进行电连接的电连接区域(C)，所述引线框的特征在于，
所述焊盘部(2)的所述搭载用表面(A)的面积S1和与所述搭载用表面(A)对置的散热用背面(B)的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2；
在所述搭载用表面(A)与所述散热用背面(B)之间的所述焊盘部(2)的侧面部具有从所述搭载用表面(A)朝向所述散热用背面(B)扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部(E)。
2.根据权利要求1所述的引线框，其特征在于，
所述引线部(2a)的所述电连接区域(C)的面积S3和与所述电连接区域(C)对置且与所述焊盘部(2)的所述散热用背面(B)位于同一平面的散热用背面(D)的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4；
在所述电连接区域(C)与所述散热用背面(D)之间的所述引线部(2a)的侧面部，具有从所述电连接区域(C)朝向所述散热用背面(D)扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部(E)。
3.一种引线框，在同一平面至少具备引线部(2a)和1处或多处焊盘部(2)，所述焊盘部(2)具有用于搭载LED芯片(10)的LED芯片搭载用表面(A)，所述引线部(2a)具有用于与所述LED芯片进行电连接的电连接区域(C)，所述引线框的特征在于，
所述焊盘部(2)的所述搭载用表面(A)的面积S1和与所述搭载用表面(A)对置的散热用背面(B)的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2；
所述焊盘部(2)由上部构造和下部构造构成，所述上部构造具有所述搭载用表面(A)，所述下部构造与所述上部构造一体，且具有所述散热用背面(B)；
在所述上部构造的侧面部具有从所述搭载用表面(A)朝向所述散热用背面(B)扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部(E)；
在所述下部构造的侧面部具有从所述散热用背面(B)朝向所述搭载用表面(A)扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部(E1)。
4.根据权利要求3所述的引线框，其特征在于，
所述引线部(2a)的所述电连接区域(C)的面积S3和与所述电连接区域(C)对置且与所述焊盘部(2)的所述散热用背面(B)位于同一平面的散热用背面(D)的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4；
所述引线部(2a)由上部构造和下部构造构成，所述上部构造具有所述电连接区域(C)，所述下部构造与所述上部构造一体，且具有所述散热用背面(D)；
在所述上部构造的侧面部具有从所述电连接区域(C)朝向所述散热用背面(D)扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部(E)；
在所述下部构造的侧面部具有从所述散热用背面(D)朝向所述电连接区域(C)扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部(E1)。
5.根据权利要求1所述的引线框，其特征在于，
所述引线框是如下的引线框：将所述焊盘部(2)和所述引线部(2a)形成为1个单位框架，其中，所述焊盘部(2)的表面和所述引线部(2a)的表面形成于同一平面，所述焊盘部(2)的背面和所述引线部(2a)的背面形成于同一平面，各个单位框架相互在纵横方向利用1根或多根连接杆连结而多面粘接地排列；
在所述焊盘部(2)、所述引线部(2a)以及所述连接杆的各自的表面、背面或者表面和背面两面的面高度中，所述连接杆的面高度设定得低，所述连接杆的厚度设定得比所述焊盘部(2)和所述引线部(2a)的厚度薄。
6.一种引线框的制造方法，其特征在于，
在板状的引线框用金属材料的表面形成用于形成焊盘部(2)的面积为S1的搭载用表面(A)的光致抗蚀剂的图案；
在所述金属材料的背面形成用于形成与所述焊盘部(2)的所述搭载用表面(A)对置的面积为S2的散热用背面(B)的光致抗蚀剂的图案；
从所述金属材料的表面和背面两面进行刻蚀加工，由此，所述焊盘部(2)的所述搭载用表面(A)的面积S1与所述散热用背面(B)的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2，且在所述搭载用表面(A)与所述散热用背面(B)之间的所述焊盘部的侧面部形成从所述搭载用表面(A)朝向所述散热用背面(B)扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部(E)。
7.根据权利要求6所述的引线框的制造方法，其特征在于，
当图案形成用于形成所述搭载用表面(A)的光致抗蚀剂时，在所述金属材料的表面形成用于形成引线部(2a)的面积为S3的电连接区域(C)的光致抗蚀剂的图案；
当图案形成用于形成所述散热用背面(B)的光致抗蚀剂时，在所述金属材料的背面形成用于形成与所述引线部(2a)的电连接区域(C)对置的面积为S4的散热用背面(D)的光致抗蚀剂的图案；
从所述金属材料的表面和背面两面进行刻蚀加工，由此，所述引线部(2a)的所述电连接区域(C)的面积S3与所述散热用背面(C)的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4，且在所述电连接区域(C)与所述散热用背面(D)之间的所述引线部的侧面部形成从所述电连接区域(C)朝向所述散热用背面(D)扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部(E)。
8.一种引线框的制造方法，其特征在于，
在引线框用金属材料的表面形成用于形成焊盘部(2)的面积为S1的搭载用表面(A)的光致抗蚀剂的图案；
在所述金属材料的背面形成用于形成与所述焊盘部(2)的所述搭载用表面(A)对置且面积为S2的散热用背面(B)的光致抗蚀剂的图案；
从所述金属材料的表面和背面两面进行刻蚀加工，由此，所述焊盘部(2)的所述搭载用表面(A)的面积S1与所述散热用背面(B)的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2，并且，所述焊盘部(2)由上部构造和下部构造构成，所述上部构造具有所述搭载用表面(A)，所述下部构造与所述上部构造一体，且具有所述散热用背面(B)，在所述上部构造的侧面部形成从所述搭载用表面(A)朝向所述散热用背面(B)扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部(E)，在所述下部构造的侧面部形成从散热用背面(B)朝向搭载用表面(A)扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部(E1)。
9.根据权利要求8所述的引线框的制造方法，其特征在于，
当图案形成用于形成所述搭载用表面(A)的光致抗蚀剂时，在所述金属材料的表面图案形成用于形成引线部(2a)的面积为S3的电连接区域(C)的光致抗蚀剂；
当图案形成用于形成所述散热用背面(B)的光致抗蚀剂时，在所述金属材料的背面图案形成用于形成与所述引线部(2a)的电连接区域(C)对置的面积为S4的散热用背面(D)的光致抗蚀剂；
从所述金属材料的表面和背面两面进行刻蚀加工，由此，所述引线部(2a)的所述电连接区域(C)的面积S3与散热用背面(C)的面积S4之间的关系为S3＜S4，并且，所述引线部(2a)由上部构造和下部构造构成，所述上部构造具有所述电连接区域(C)，所述下部构造与所述上部构造一体，且具有所述散热用背面(D)，在所述上部构造的侧面部形成从所述电连接区域(C)朝向所述散热用背面(D)扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部(E)，在所述下部构造的侧面部形成从所述散热用背面(D)朝向所述电连接区域(C)扩张的、用于保持模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部(E1)。
10.根据权利要求6所述的引线框的制造方法，其特征在于，
所述引线框的制造方法是如下的引线框的制造方法：将所述焊盘部(2)和所述引线部(2a)形成为1个单位框架，其中，所述焊盘部(2)的表面和所述引线部(2a)的表面形成于同一平面，所述焊盘部(2)的背面和所述引线部(2a)的背面形成于同一平面，各个单位框架相互在纵横方向利用1根或多根连接杆连结而多面粘接地排列；
在所述焊盘部(2)、所述引线部(2a)以及所述连接杆的各自的表面、背面或者表面和背面两面的面高度中，所述连接杆的面高度设定得低，所述连接杆的厚度设定得比所述焊盘部(2)和所述引线部(2a)的厚度薄。
11.一种半导体发光装置，引线框在同一平面至少具备引线部(2a)和1处或多处焊盘部(2)，所述焊盘部(2)具有用于搭载LED芯片(10)等IC芯片的LED芯片搭载用表面(A)，所述引线部(2a)具有用于与所述LED芯片进行电连接的电连接区域(C)，从所述搭载用表面(A)直到与所述搭载用表面(A)对置的散热用背面(B)在其厚度方向利用填充树脂对所述引线框实施模塑加工，在比所述焊盘部的所述搭载用表面(A)靠上面侧，包含所述LED芯片和所述电连接区域(C)被覆有透明树脂，所述半导体发光装置的特征在于，
所述焊盘部的所述搭载用表面(A)的面积S1与所述散热用背面(B)的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2；
在所述搭载用表面(A)与所述散热用背面(B)之间的所述焊盘部的侧面部，从所述搭载用表面(A)朝向所述散热用背面(B)具有台阶状部或者锥状部(E)；
所述填充树脂由所述台阶状部或者锥状部(E)保持。
12.一种半导体发光装置，引线框在同一平面至少具备引线部(2a)和1处或多处焊盘部(2)，所述焊盘部(2)具有用于搭载LED芯片(10)等IC芯片的LED芯片搭载用表面(A)，所述引线部(2a)具有用于与所述LED芯片进行电连接的电连接区域(C)，从所述搭载用表面(A)直到与所述搭载用表面(A)对置的散热用背面(B)，在其厚度方向利用填充树脂对所述引线框实施模塑加工，在比所述焊盘部的所述搭载用表面(A)靠上面侧，包含所述LED芯片和所述电连接区域(C)被覆有透明树脂，所述半导体发光装置的特征在于，
所述焊盘部的所述搭载用表面(A)的面积S1与所述散热用背面(B)的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2；
所述焊盘部由上部构造和下部构造构成，所述上部构造具有所述搭载用表面(A)，所述下部构造与所述上部构造一体，且具有所述散热用背面(B)；
在所述上部构造的侧面部，从所述搭载用表面(A)朝向所述散热用背面(B)具有台阶状部或者锥状部(E)；
在所述下部构造的侧面部，从所述散热用背面(B)朝向所述搭载用表面(A)具有台阶状部或者锥状部(E1)；
所述填充树脂由各个台阶状部、锥状部(E、E1)保持。
13.根据权利要求11所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述引线部(2a)的所述电连接区域(C)的面积S3和与所述电连接区域(C)对置且与所述焊盘部(2)的所述散热用背面(B)位于同一平面的散热用背面(D)的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4；
在所述电连接区域(C)与所述散热用背面(D)之间的所述引线部(2a)的侧面部，具有从所述电连接区域(C)朝向所述散热用背面(D)扩张的、用于保持所述填充树脂的台阶状部或者锥状部(E)；
所述填充树脂由台阶状部或者锥状部(E)保持。
14.根据权利要求11所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述引线部(2a)的所述电连接区域(C)的面积S3和与所述电连接区域(C)对置且与所述焊盘部(2)的所述散热用背面(B)位于同一平面的散热用背面(D)的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4；
所述引线部(2a)由上部构造和下部构造构成，所述上部构造具有所述电连接区域(C)，所述下部构造与所述上部构造一体，且具有所述散热用背面(D)；
在所述上部构造的侧面部具有从所述电连接区域(C)朝向所述散热用背面(D)扩张的、用于保持树脂模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部(E)；
在所述下部构造的侧面部具有从所述散热用背面(D)朝向所述电连接区域(C)扩张的、用于保持树脂模塑时的填充树脂的台阶状部或者锥状部(E1)；
所述填充树脂由各个台阶状部或者锥状部(E、E1)保持。
15.根据权利要求11所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述填充树脂的光折射率n1与所述透明树脂的光折射率n2之间的关系设定成n1＞n2，将所述填充树脂设定为高反射率的树脂。
16.根据权利要求11所述的半导体发光装置，其特征在于，
在所述填充树脂中添加有提高反射率特性的微粒。
17.一种引线框，由表面侧的上部构造和背面侧的下部构造形成为一体、并且相互离开的多个构造体形成，其特征在于，
所述引线框具有填充树脂，该填充树脂形成于所述多个构造体之间以及外侧，且厚度与所述引线框的厚度相同；
所述上部构造具有焊盘部(2)和与所述焊盘部(2)离开的引线部(2a)；
所述下部构造具有与所述焊盘部(2)形成为一体的散热部(3)和与所述引线部(2a)形成为一体的散热部(3a)；
所述焊盘部(2)的表面的面积S1与所述散热部(3)的背面的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2；
所述引线部(2a)的表面的面积S3与所述散热部(3a)的背面的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4；
在所述各个上部构造的侧面部具有从所述引线框的表面侧朝向背面侧扩张的台阶状部或者锥状部；
在所述各个下部构造的侧面部具有从所述引线框的背面侧朝向表面侧扩张的台阶状部或者锥状部；
所述引线框在所述表面侧且在所述焊盘部(2)和所述引线部(2a)的外侧，具有用于反射光的光反射环(4a)，该光反射环(4a)具备面向所述焊盘部的斜面的内周面，且与所述填充树脂形成为一体，并且从所述填充树脂突出。
18.根据权利要求17所述的引线框，其特征在于，
所述光反射环(4a)的所述内周面相对于所述焊盘部(2)的表面的倾斜角度为30度以上85度以下。
19.根据权利要求17所述的引线框，其特征在于，
所述填充树脂是在树脂中混合有粉状的添加剂的光扩散性树脂，该填充树脂的光折射率在2以上。
20.根据权利要求17所述的引线框，其特征在于，
所述引线框是如下的引线框：将所述焊盘部(2)和所述引线部(2a)形成为1个单位框架，其中，所述焊盘部(2)的表面和所述引线部(2a)的表面形成于同一平面，所述焊盘部(2)的背面和所述引线部(2a)的背面形成于同一平面，各个单位框架相互在纵横方向利用1根或多根连接杆连结而多面粘接地排列；
在所述焊盘部(2)、所述引线部(2a)以及所述连接杆的各自的表面、背面或者表面和背面两面的面高度中，所述连接杆的面高度设定得低，所述连接杆的厚度设定得比所述焊盘部(2)和所述引线部(2a)的厚度薄。
21.一种引线框的制造方法，其特征在于，
在引线框用金属材料的表面形成用于形成焊盘部(2)的面积为S1的芯片搭载用表面(A)和引线部(2a)的面积为S3的电连接区域(C)的光致抗蚀剂的图案；
在所述金属材料的背面形成用于形成与所述芯片搭载用表面(A)对置的面积为S2的散热用背面(B)和与所述电连接区域(C)对置的面积为S4的散热用背面(D)的光致抗蚀剂的图案；
从所述金属材料的表面和背面两面进行刻蚀加工，由此，所述焊盘部(2)的芯片搭载用表面(A)的面积S1与所述散热用背面(B)的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2，所述电连接区域(C)的面积S3与所述散热用背面(D)的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4，形成具有由所述金属材料形成的上部构造和下部构造的一体构造，在所述上部构造的侧面部形成从所述芯片搭载用表面(A)朝向所述散热用背面(B)扩张的台阶状部或者锥状部，在所述下部构造的侧面部形成从所述散热用背面(B)朝向所述芯片搭载用表面(A)扩张的台阶状部或者锥状部，所述上部构造的具有所述芯片搭载用表面(A)的焊盘部(2)和所述下部构造的具有所述散热用背面(B)的散热部(3)形成为一体，所述上部构造的具有所述电连接区域(C)的引线部(2a)和所述下部构造的具有所述散热用背面(D)的散热部(3a)形成为一体；
将具有所述上部构造和所述下部构造的一体构造设置于模塑成型用的模具；
对所述模具填充树脂而进行模塑成型，由此，在所述上部构造和所述下部构造的一体构造的周围形成厚度与所述上部构造和所述下部构造的一体构造的厚度相同的填充树脂，并且，在形成所述填充树脂的同时，在所述芯片搭载用表面(A)侧且在所述焊盘部(2)和引线部(2a)的外侧，从所述填充树脂突出而形成用于反射光的光反射环(4a)来作为与所述填充树脂一体的构造，该光反射环(4a)具有面向所述芯片搭载用表面(A)侧的斜面的内周面。
22.根据权利要求21所述的引线框的制造方法，其特征在于，
所述引线框是如下的引线框：将所述焊盘部(2)和所述引线部(2a)形成为1个单位框架，其中，所述焊盘部(2)的表面和所述引线部(2a)的表面形成于同一平面，所述焊盘部(2)的背面和所述引线部(2a)的背面形成于同一平面，各个单位框架相互在纵横方向利用1根或多根连接杆连结而多面粘接地排列；
在所述焊盘部(2)、所述引线部(2a)以及所述连接杆的各自的表面、背面或者表面和背面两面的面高度中，所述连接杆的面高度设定得低，所述连接杆的厚度设定得比所述焊盘部(2)和所述引线部(2a)的厚度薄。
23.一种半导体发光装置，其特征在于，
所述半导体发光装置具备引线框和填充树脂，所述引线框由表面侧的上部构造和背面侧的下部构造形成为一体、且相互离开的多个构造体形成，所述填充树脂形成于所述引线框的所述多个构造体之间以及外侧，且厚度与所述引线框的厚度相同；
所述上部构造具有焊盘部(2)和与所述焊盘部(2)离开的引线部(2a)；
所述下部构造具有与所述焊盘部(2)形成为一体的散热部(3)和与所述引线部(2a)形成为一体的散热部(3a)；
在所述各个上部构造的侧面部具有从所述引线框的表面侧朝向背面侧的方向扩张的台阶状部或者锥状部；
在所述各个下部构造的侧面部具有从所述引线框的背面侧朝向表面侧的方向扩张的台阶状部或者锥状部；
在所述表面侧且在所述焊盘部(2)和所述引线部(2a)的外侧具有用于反射光的光反射环(4a)，该光反射环(4a)具有面向所述焊盘部的斜面的内周面，且与所述填充树脂形成为一体，并且从所述填充树脂突出；
在所述焊盘部(2)的表面搭载有LED芯片；
所述LED芯片的电极与所述引线部(2a)电连接；
并且形成有透明树脂，该透明树脂被覆所述LED芯片，并且与所述光反射环(4a)的所述内周面接触。
24.根据权利要求23所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述焊盘部(2)的表面的面积S1与所述散热部(3)的背面的面积S2之间的关系为0＜S1＜S2；
所述引线部(2a)的表面的面积S3与所述散热部(3a)的背面的面积S4之间的关系为0＜S3＜S4。
25.根据权利要求23所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述填充树脂是在树脂中混合有粉状的添加剂的光扩散性树脂，该填充树脂的光折射率在2以上，比所述透明树脂的折射率高。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102386176A (zh) * 2010-09-02 2012-03-21 三星Led株式会社 发光二极管封装件及其制造方法
CN104170106A (zh) * 2012-03-15 2014-11-26 松下电器产业株式会社 Led用基板、led模块和led灯
CN106030832A (zh) * 2014-03-04 2016-10-12 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电子器件的制造
CN108269909A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 隆达电子股份有限公司 封装板
CN115425139A (zh) * 2022-08-24 2022-12-02 苏州工业园区服务外包职业学院 一种Mini LED散热片的制备方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201205752A (en) * 2010-07-20 2012-02-01 Pico Jet Corp Lead frame and manufacturing method thereof
US8933548B2 (en) 2010-11-02 2015-01-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements
JP5920333B2 (ja) 2011-02-28 2016-05-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2013041950A (ja) * 2011-08-12 2013-02-28 Sharp Corp 発光装置
TWI478395B (zh) * 2011-11-04 2015-03-21 恆日光電股份有限公司 發光二極體封裝模組
TWI451556B (zh) * 2011-11-04 2014-09-01 恆日光電股份有限公司 發光二極體封裝模組
DE102011056706B4 (de) * 2011-12-20 2016-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Anordnung und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP6291713B2 (ja) * 2013-03-14 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置、並びにリードフレーム
TW201510616A (zh) * 2013-09-02 2015-03-16 隆達電子股份有限公司 發光組件及其製造方法
TWI543413B (zh) * 2013-11-20 2016-07-21 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝支架及發光二極體封裝結構
KR102161273B1 (ko) * 2014-03-25 2020-09-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
USD761216S1 (en) * 2014-12-12 2016-07-12 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED leadframe
KR102401829B1 (ko) 2015-06-23 2022-05-25 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 광학 렌즈 및 이를 구비한 발광 모듈
KR20170075966A (ko) * 2015-12-24 2017-07-04 삼성전자주식회사 광추출 효율이 개선된 발광소자 패키지
JP6579019B2 (ja) 2016-04-01 2019-09-25 日亜化学工業株式会社 発光素子載置用基体の製造方法及びそれを用いた発光装置の製造方法並びに発光素子載置用基体及びそれを用いた発光装置。
US10790426B2 (en) 2016-04-01 2020-09-29 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting element mounting base member, method of manufacturing light emitting device using the light emitting element mounting base member, light emitting element mounting base member, and light emitting device using the light emitting element mounting base member
EP3226290B1 (en) 2016-04-01 2024-04-17 Nichia Corporation Method of manufacturing a light emitting element mounting base member, and light emitting element mounting base member
JP6597476B2 (ja) 2016-05-20 2019-10-30 日亜化学工業株式会社 配線基体の製造方法並びに配線基体及びそれを用いた発光装置。
JP6332330B2 (ja) 2016-05-20 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 配線基体の製造方法及びそれを用いた発光装置の製造方法並びに配線基体及びそれを用いた発光装置。
JP6727950B2 (ja) * 2016-06-24 2020-07-22 株式会社三井ハイテック リードフレーム
US11450648B2 (en) 2019-03-19 2022-09-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package and application thereof
JP7554647B2 (ja) * 2020-11-24 2024-09-20 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3547704B2 (ja) 2000-06-22 2004-07-28 株式会社三井ハイテック リードフレーム及び半導体装置
US6700186B2 (en) 2000-12-21 2004-03-02 Mitsui High-Tec, Inc. Lead frame for a semiconductor device, a semiconductor device made from the lead frame, and a method of making a semiconductor device
DE10117889A1 (de) * 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
KR100631903B1 (ko) * 2005-02-17 2006-10-11 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 하우징 및 그 제조 방법
US7385227B2 (en) * 2005-04-12 2008-06-10 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Compact light emitting device package with enhanced heat dissipation and method for making the package
KR100629521B1 (ko) 2005-07-29 2006-09-28 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법과 이를 이용한 ｌｅｄ어레이 모듈
US7910946B2 (en) * 2005-12-12 2011-03-22 Nichia Corporation Light emitting apparatus and semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same
KR100735325B1 (ko) * 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP2007329219A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Nichia Chem Ind Ltd 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP4205135B2 (ja) * 2007-03-13 2009-01-07 シャープ株式会社 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102386176A (zh) * 2010-09-02 2012-03-21 三星Led株式会社 发光二极管封装件及其制造方法
CN104170106A (zh) * 2012-03-15 2014-11-26 松下电器产业株式会社 Led用基板、led模块和led灯
CN106030832A (zh) * 2014-03-04 2016-10-12 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电子器件的制造
CN108269909A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 隆达电子股份有限公司 封装板
CN108269909B (zh) * 2016-12-30 2020-01-03 隆达电子股份有限公司 封装板
CN115425139A (zh) * 2022-08-24 2022-12-02 苏州工业园区服务外包职业学院 一种Mini LED散热片的制备方法

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