CN102074583B - 一种低功耗复合源结构mos晶体管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种低功耗复合源结构MOS晶体管，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该MOS晶体管包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个肖特基源区、一个高掺杂源区和一个高掺杂漏区，控制栅的一端向高掺杂源区延展成T型，延展出来的栅区为延展栅，原控制栅区为主栅，在延展栅覆盖下的有源区同样是沟道区，材料为衬底材料，所述肖特基源区和延展栅下的沟道处形成肖特基结。本发明复合源结构结合了肖特基势垒和T型栅，提高了器件性能且制备方法简单，可以得到更高的导通电流、更低的泄漏电流以及更陡直的亚阈值斜率，有望在低功耗领域得到采用，有较高的实用价值。
Description
技术领域
本发明属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域，具体涉及一种结合肖特基势垒(Schottky Barrier)和T型栅结构的复合源MOS晶体管及其制备方法。
背景技术
随着金属-氧化物-硅场效应晶体管(MOSFET)的尺寸不断缩小，尤其是当器件的特征尺寸进入纳米尺度以后，器件的短沟道效应等的负面影响也愈加明显。漏致势垒降低效应(DIBL)、带带隧穿效应使得器件关态漏泄电流不断增大，伴随着器件阈值电压降低，增大了集成电路的功耗。不仅如此，传统MOSFET器件的亚阈值斜率由于受到KT/q的理论限制而无法随着器件尺寸的缩小而同步减小，亚阈值漏泄电流也在随着阈值电压的降低不断地升高。为了克服纳米尺度下MOSFET面临的越来越多的挑战，新型器件结构和工艺制备方法已经成为小尺寸器件下大家关注的焦点。
早在20世纪60年代末，由Lepselter和Sze就提出了肖特基势垒MOS场效应晶体管(Schottky Barrier MOSFET)结构。将源漏利用金属或硅化物来代替传统的掺杂，利用源端的载流子的直接隧穿势垒来实现导通，肖特基势垒MOSFET大大降低了器件的源漏寄生电阻，实现了源漏超浅结，且其简单的工艺要求较小的热预算，为高K和金属栅材料的使用提供了可能的解决办法。然而肖特基结较大的关态泄漏电流和较小的开态电流大大限制了肖特基势垒MOSFET器件的应用。另外，针对MOSFET亚阈值斜率有60mv/dec的理论极限的问题，近些年来研究者们提出了一种可能的解决方案，就是采用隧穿场效应晶体管(TFET)。TFET利用栅极控制反向偏置的P-I-N结的带带隧穿实现导通，且漏电流非常小。TFET具有低漏电流、低亚阈值斜率、低工作电压和低功耗等诸多优异特性，但由于受源结隧穿几率和隧穿面积的限制，TFET和肖特基势垒MOSFET一样面临着低开态电流的问题。专利(CN101719517A)提出了一种肖特基隧穿晶体管，它利用肖特基结在源漏的使用解决了TFET器件的源漏自对准问题，但它同样面临开态电流小的难题。
发明内容
本发明的目的在于一种结合肖特基结和带带隧穿机制的低功耗复合源结构MOS晶体管及其制备方法。在与现有的CMOS工艺相兼容和与MOSFET有相同的有源区面积的条件下，该结构能显著地提升器件的导通电流，且减小漏泄电流和寄生电阻，展现较好的亚阈特性。
本发明的技术方案如下：
一种低功耗复合源结构MOS晶体管，其特征在于，包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个高掺杂源区和一个高掺杂漏区，在高掺杂源区远离沟道方向的一侧连接一个肖特基源区，控制栅的一端向高掺杂源区延展成T型，延展出来的栅区为延展栅，原控制栅区为主栅，在延展栅覆盖下的有源区同样是沟道区，材料为衬底材料，所述高掺杂源区由半导体高掺杂形成，位于延展栅的沿有源区宽度方向的两侧，所述肖特基源区由金属或金属硅化物形成，且在肖特基源区和延展栅下的沟道处形成肖特基结(金属半导体结)。所述高掺杂漏区由半导体高掺杂形成，且掺杂类型与高掺杂源区相反，位于控制栅未延展的一侧。
所述延展栅的宽度必须小于源区有源区的注入宽度，以保证源区半包围延展栅，保证大的隧穿面积。且延展栅的宽度必须小到一定值，以至于延展栅极两侧源结的内建势可以耗尽延展栅以下的沟道区，这样可以减小器件静态漏泄电流(根据沟道以及源区掺杂浓度的不同，这个值取1-2um之间)。
所述延展栅的长度方向可以任意，视需要电流的提升量而定，但是一般不会超过源端有源区的边缘。
主栅与高掺杂漏区之间可以留有一定的余量，抑制该结构的双极导通特性，这样主栅区可以失去控制力，以得到更好的亚阈值斜率。
上述结合肖特基结和T型栅的复合源结构MOS晶体管的制备方法，包括以下步骤：
(1)在半导体衬底上通过浅槽隔离定义有源区；
(2)生长栅介质层；
(3)淀积栅电极层，接着光刻和刻蚀栅电极层形成主栅和延展栅图形；
(4)光刻源掺杂区，以光刻胶及栅为掩膜，离子注入形成高掺杂源区；
(5)光刻漏掺杂区，以光刻胶及栅为掩膜，离子注入形成高掺杂漏区，快速高温热退火激活掺杂杂质；
(6)光刻源金属区，溅射一层金属，经过低温退火形成金属与半导体的化合物，接着去除未反应的金属，形成肖特基源区；
(7)最后进入常规CMOS后道工序，包括淀积钝化层、开接触孔以及金属化等，即可制得所述的MOS晶体管。
上述的制备方法中，所述步骤(1)中的半导体衬底材料选自Si、Ge、SiGe、GaAs或其他II-VI，III-V和IV-IV族的二元或三元化合物半导体、绝缘体上的硅(SOI)或绝缘体上的锗(GOI)。
上述的制备方法中，所述步骤(2)中的栅介质层材料选自二氧化硅、二氧化铪、氮化铪等。
上述的制备方法中，所述步骤(2)中的生长栅介质层的方法选自下列方法之一：常规热氧化、掺氮热氧化、化学气相淀积和物理气相淀积。
上述的制备方法中，所述步骤(3)中的栅电极层材料选自掺杂多晶硅、金属钴，镍以及其他金属或金属硅化物。
上述的制备方法中，所述步骤(6)中的金属材料选自Pt、Er、Co、Ni以及其他可与衬底半导体材料通过退火形成化合物的金属。
本发明的优点和积极效果：
一、该结构利用T型栅极能更有效地控制沟道表面电势，使得沟道表面能带导带降低或者价带上升来增强源结电场强度，促使带带隧穿发生并产生导通电流，突破了传统MOSFET亚阈值斜率的极限。
二、该结构充分利用了延展栅的三条边，三边分别利用带带隧穿和肖特基结隧穿机制实现导通；通过对延展栅边长度的调控，实现了大的隧穿面积，大大提高了器件导通电流，同时改善器件亚阈值斜率。
三、肖特基源区的引入降低了器件的寄生电阻，且通过对延展栅宽度的严格控制，使得延展栅下的沟道区域被耗尽，大大减小了肖特基结所带来的漏泄电流问题，实现低的漏电流。
四、制作该结构器件的工艺方法与传统的MOSFET制备工艺保持完全兼容。
简而言之，该结构器件采用复合源结构，结合了肖特基势垒和T型栅，提高了器件性能且制备方法简单。与现有的MOSFET相比，在同样的工艺条件，同样的有源区尺寸下可以得到更高的导通电流、更低的泄漏电流以及更陡直的亚阈值斜率，有望在低功耗领域得到采用，有较高的实用价值。
附图说明
图1是半导体衬底上生长栅介质层并淀积栅电极的工艺步骤示意图；
图2a是光刻并刻蚀后形成的栅电极的器件沿图2b虚线方向的剖面图，图2b是相应的器件俯视图；
图3a是光刻源掺杂区并离子注入形成高掺杂源区后的器件沿图3b虚线方向的剖面图，图3b是相应的器件俯视图；
图4a是光刻漏掺杂区并离子注入形成高掺杂漏区后的器件沿图4b虚线方向的剖面图，图4b是相应的器件俯视图；
图5a是光刻肖特基源区并溅射金属退火形成硅化物后的器件沿图5b虚线方向的剖面图，图5b是相应的器件俯视图；
图6是本发明的复合源结构MOS晶体管的器件俯视图；
图7a是本发明晶体管沿图6中AA’方向的剖面图；
图7b是本发明晶体管沿图6中BB’方向的剖面图；
图中：
1——半导体衬底 2——栅介质层
3——栅电极层(其中，3a——主栅，3b——延展栅)
4——光刻胶 5——高掺杂源区
6——高掺杂漏区 7——肖特基源区
具体实施方式
下面通过实例对本发明做进一步说明。需要注意的是，公布实施例的目的在于帮助进一步理解本发明，但是本领域的技术人员可以理解：在不脱离本发明及所附权利要求的精神和范围内，各种替换和修改都是可能的。因此，本发明不应局限于实施例所公开的内容，本发明要求保护的范围以权利要求书界定的范围为准。
本发明制备方法的一具体实例包括图1至图5b所示的工艺步骤：
1、在晶向为(100)的体硅硅片硅衬底1上采用浅槽隔离技术制作有源区隔离层，衬底掺杂浓度为轻掺杂；然后热生长一层栅介质层2，栅介质层为SiO2，厚度为1-5nm；淀积栅电极层3，栅电极层为掺杂多晶硅层，厚度为150-300nm，如图1所示。
2、光刻出栅图形，包括主栅3a和延展栅3b，刻蚀栅电极层3直到栅介质层2，其中延展栅的宽度为1-2um，如图2a、2b所示。
3、光刻出源掺杂区图形，主栅左侧边距源掺杂区右侧边的距离为0-1um，以光刻胶4为掩膜进行源离子注入，形成高掺杂源区5，离子注入的能量为40keV，注入杂质为BF2+，如图3a、3b所示。
4、光刻出漏掺杂区图形，以光刻胶为掩膜进行漏离子注入，形成高掺杂漏区6，离子注入的能量为50keV，注入杂质为As+，如图4a、4b所示；进行一次快速高温退火，激活源漏掺杂的杂质。
5、光刻出源金属区图形，以光刻胶为掩膜(也可以先生长一层钝化层再进行光刻并刻蚀出金属区图形区域)溅射一层金属层Ni，经低温热退火，与硅形成金属硅化物作为器件的肖特基源区7，如图5a、5b所示。
最后进入常规CMOS后道工序，包括淀积钝化层、开接触孔以及金属化等，即可制得所述的低功耗复合源结构MOS晶体管。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (8)
1.一种低功耗复合源结构MOS晶体管，包括一个控制栅、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个高掺杂源区和一个高掺杂漏区，其特征在于，在高掺杂源区远离沟道方向的一侧连接一个肖特基源区，控制栅的一端向高掺杂源区延展成T型，延展出来的栅区为延展栅，原控制栅区为主栅，在延展栅覆盖下的有源区同样是沟道区，材料为衬底材料，所述肖特基源区和延展栅下的沟道处形成肖特基结。
2.如权利要求1所述的低功耗复合源结构MOS晶体管，其特征在于，所述延展栅的宽度为1-2μm。
3.一种低功耗复合源结构MOS晶体管的制备方法，其包括以下步骤：
1)在半导体衬底上通过浅槽隔离定义有源区；
2)生长栅介质层；
3)淀积栅电极层，接着光刻和刻蚀栅电极层形成主栅和延展栅图形；
4)光刻暴露出源掺杂区，以光刻胶及延展栅为掩膜，离子注入形成高掺杂源区；
5)光刻暴露出漏掺杂区，以光刻胶及主栅为掩膜，离子注入形成高掺杂漏区，快速高温热退火激活掺杂杂质；
6)光刻暴露出源金属区，溅射一层金属，经过低温退火形成金属与半导体的化合物，接着去除未反应的金属，形成肖特基源区；
7)最后进入常规CMOS后道工序，包括淀积钝化层、开接触孔以及金属化，即可制得如权利要求1所述的MOS晶体管。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤1)中的半导体衬底材料选自Si、Ge、SiGe、GaAs或其他II-VI，III-V和IV-IV族的二元或三元化合物半导体、绝缘体上的硅或绝缘体上的锗。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤2)中的栅介质层材料选自二氧化硅、二氧化铪、氮化铪。
6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤2)中的生长栅介质层的方法选自下列方法之一：常规热氧化、掺氮热氧化、化学气相淀积和物理气相淀积。
7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤3)中的栅电极层材料选自掺杂多晶硅、金属钴，镍以及其他金属或金属硅化物。
8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤6)中的金属材料选自Pt、Er、Co、Ni以及其他可与衬底半导体材料通过退火形成化合物的金属。
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| US10103226B2 (en) * | 2012-04-30 | 2018-10-16 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating tunnel transistors with abrupt junctions |
| CN102664192B (zh) * | 2012-05-08 | 2015-03-11 | 北京大学 | 一种自适应复合机制隧穿场效应晶体管及其制备方法 |
| CN102945861B (zh) * | 2012-11-26 | 2015-12-23 | 北京大学 | 条形栅调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法 |
| CN102983168B (zh) * | 2012-11-29 | 2015-04-15 | 北京大学 | 带双扩散的条形栅隧穿场效应晶体管及其制备方法 |
| DE102012221932A1 (de) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung e.V. | Aufgerollte, dreidimensionale Feldeffekttransistoren und ihre Verwendung in der Elektronik, Sensorik und Mikrofluidik |
| CN103151391B (zh) | 2013-03-18 | 2015-08-12 | 北京大学 | 垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及制备方法 |
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| TW352463B (en) * | 1997-03-27 | 1999-02-11 | Powerchip Semiconductor Corportion | Process for forming inverted T gate metal oxide semiconductor field-effect transistor |
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| JP4439358B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2010-03-24 | 株式会社東芝 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| JP3910971B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 電界効果トランジスタ |
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