CN102025335A - 压电振动装置以及压电振动装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一种提高了生产性且长期具有高频率稳定性的压电装置。该压电振动装置(100)，具有：包含形成有励振电极的压电振动片(30)以及配置在压电振动片的外围的框体的压电框架(20)；以及接合在压电框架的框体的一侧的面上的面板(10或者40)。其次，在框体和面板上形成有嵌合部(72、73)，嵌合部通过接合材料进行接合。
Description
技术领域
本发明尤其涉及批量生产性优良的压电振动装置以及压电振动装置的制造方法。
背景技术
通常，随着移动体通信机器或OA机器等的小型轻量化及高频化，使用在这些的压电振动装置也要求对应进一步的小型化及高频化。另外，为了降低制造成本，要求批量生产性优良的压电振动装置的制造方法。
根据专利文献1(日本特开2008-182468号公报)的压电振动装置的制造方法，将各个盖部放置在具有多个收放了压电振动片的包装件的晶片的引导部上。其次，该制造方法通过引导部来嵌合盖部和包装件并进行密封之后，切断包装件晶片而形成多个压电振动装置。由于专利文献1中的压电振动装置的制造方法可以防止包装件箱和盖部的位置的不齐，因此可以提高生产性。
但是，在专利文献1的制造方法中，收放了压电振动片的包装件以晶片为单位，可盖部则是个体状态。因此，需要将盖部分别搭载在形成了多个包装件的晶片上。从而，需要进一步提高生产性。
发明内容
本发明的目的在于，提供提高了生产性且长期具有高频率稳定性的压电装置。
第1观点的压电振动装置，具有：包含形成有励振电极的压电振动片以及配置在压电振动片的外围的框体的压电框架；以及接合在压电框架的框体的一侧的面上的面板。其次，在框体和面板上形成有嵌合部，嵌合部通过接合材料进行接合。
根据这种构成，提高了生产性且压电振动装置的密封性也高。
另外在该压电振动装置中，接合材料为金属材料，在嵌合部上形成有金属膜。
另外在该压电振动装置中，接合材料为树脂材料。其次，在通过接合材料进行接合的压电振动装置的外侧上形成有耐蚀膜。该耐蚀膜包含无机氧化膜、氮化膜以及氮氧化膜中的至少一种。
另外在该压电振动装置中，面板由玻璃、陶瓷或者压电材料中的任意一种构成。
另外压电振动装置的压电振动片包含AT切割水晶振动片或音叉型水晶振动片。
第1观点的压电振动装置的制造方法，具有：准备形成有多个压电框架的压电晶片的工序，压电框架具有形成有励振电极的压电振动片以及配置在压电振动片的外围且形成有第1嵌合部的框体；准备形成有多个面板的面板晶片的工序，面板形成有与第1嵌合部嵌合的第2嵌合部且具有与框体相同的大小；在第1嵌合部和第2嵌合部之间配置接合材料的工序；以及重合压电晶片以及面板晶片，并用接合材料进行接合的工序。
根据这种构成，由于可以以晶片为单位进行生产，因此可以提高生产性。
第2观点的压电振动装置的制造方法，在接合的工序之后，具有沿着框体的最外围切断接合的晶片的工序。
另外，在通过接合材料进行接合的工序之后，具有：形成通过压电晶片的第1嵌合部以及面板晶片的第2嵌合部的切口的工序；以及在切口形成耐蚀膜的工序。该耐蚀膜包含无机氧化膜、氮化膜或氮氧化膜中的至少一种，且通过化学气相生长法或喷镀法形成无机氧化膜、氮化膜或氮氧化膜中的至少一种。
另外压电振动装置的制造方法，在接合的工序之后，具有沿着切口以比切口细的宽度来切断接合的晶片的工序。
根据本发明，能够以晶片为单位形成包装件的同时可以提高压电振动装置的稳定性以及耐久性。
附图说明
图1A是构成第一水晶振动装置100的第一盖部10的内面图。
图1B是具有音叉型水晶振动片30的第一水晶框架20的平面图。
图1C是第一底部40的平面图。
图1D是以图1A至图1C的A-A剖面表示了第一水晶振动装置100的剖视构成图。
图2是从盖部用晶片10W侧观察了包装件晶片80W的平面图。
图3是具有第一水晶振动装置100的包装件晶片80W的B-B剖面线的放大剖视图。但是，表示各个晶片分离的状态。
图4是从盖部用晶片10WA侧观察了包装件晶片85W的平面图。
图5是具有第二水晶振动装置110的包装件晶片85W的C-C剖面线的放大剖视图。但是，表示各个晶片分离的状态。
图6A是包装件晶片85W的D-D剖面线的放大剖视图。
图6B是表示形成了切口87的状态的图6A的剖视图。
图6C是表示形成了耐蚀膜90的状态的图6B的剖视图。
图6D是表示通过切断而个别化的状态的第二水晶振动装置110的剖视图。
图中：
10-第一盖部， 10A-第二盖部，
15、25、45-金属膜， 17-盖部侧凹部，
20-第一水晶框架， 20A-第二水晶框架，
21-振动臂， 22-空间部，
23-基部， 26-支撑臂，
29-外框部， 30-音叉型水晶振动片，
31、32-基部电极， 33、34-励振电极，
40-第一底部， 40A-第二底部，
41-第1通孔， 43-第2通孔，
42-第1连接电极， 44-第2连接电极，
47-底部侧凹部， 49-连接电极用段差，
60-切断槽， 68、73-嵌合用凹部，
69、72-嵌合用凸部， 70-封装材料，
75-共晶金属球， 80W、85W-包装件晶片，
87-切口， 90-耐蚀膜，
96-切断部， 100-第一水晶振动装置，
110-第二水晶振动装置， EX1-第1外部电极，
EX2-第2外部电极， 10W、10WA-盖部用晶片，
80-包装件， 40W、40WA-底部用晶片，
20W、20WA-振动片用的水晶晶片。
具体实施方式
<第1实施方式：第一水晶振动装置100的构成>
图1A是构成第一水晶振动装置100的第一盖部10的内面图；图1B是具有音叉型水晶振动片30的第一水晶框架20的平面图；图1C是第一底部40的平面图；图1D是以图1A至图1C的A-A剖面表示了第一水晶振动装置100的剖视构成图。第一水晶振动装置100由最上部的第一盖部10、第一水晶框架20以及第一底部40构成。
第一盖部10以及第一底部40由玻璃、陶瓷材料或者水晶材料中的一种形成。第一水晶框架20具有通过蚀刻形成的音叉型水晶振动片30。
如图1A所示，第一盖部10在第一水晶框架20侧的一面上具有盖部侧凹部17。第一盖部10在第一水晶框架20侧的最外围的内侧上形成有嵌合用凹部73。在该嵌合用凹部73的凹陷部分形成有金属膜15。
如图1B所示，第一水晶框架20由音叉型水晶振动片30、外框部29、支撑臂26构成，且一体形成在相同厚度的振动片用的水晶晶片20W(参照图2)上。音叉型水晶振动片30由一对振动臂21和基部23构成。第一水晶框架20在外框部29的最外围的内侧的一面上形成嵌合用凸部72，在另一面上形成有嵌合用凹部73。另外，在嵌合用凸部72以及嵌合用凹部73内分别形成金属膜25。
第一水晶框架20在外框部29、基部23以及支撑臂26上具有第1基部电极31以及第2基部电极32。一对振动臂21在表面、里面及侧面上形成有第1励振电极33以及第2励振电极34。第1励振电极33连接在第1基部电极31上，第2励振电极34连接在第2基部电极32上。音叉型水晶振动片30是例如以32.768Hz振动的振动片、做成极其小型的振动片。
第1基部电极31、第2基部电极32、第1励振电极33以及第2励振电极34是在
的铬(Cr)层上形成
的金(Au)层。
一对支撑臂26从基部23的一端沿着振动臂21延伸的方向(Y方向)延伸而连接在外框部29上。一对支撑臂26使振动臂21的振动不容易以振动渗漏的方式传递到第一水晶振动装置100的外部，另外具有不容易受到包装件外部的温度变化、或者冲击的影响的效果。
如图1C所示，第一底部40在第一水晶框架20侧的一面上具有底部侧凹部47。第一底部40通过蚀刻形成底部侧凹部47的同时形成第1通孔41和第2通孔43。在第一底部40的表面上形成有连接电极用段差49，在连接电极用段差49上形成第1连接电极42以及第2连接电极44。在第一底部40的底面形成有金属喷镀的第1外部电极EX1及第2外部电极EX2。第一底部40在第一水晶框架20侧的最外围的内侧形成嵌合用凸部72。其次，在嵌合用凸部72上形成有金属膜45。
第1通孔41及第2通孔43在其内面形成金属膜，其内面的金属膜通过光刻工程与第1连接电极42以及第2连接电极44同时形成。第1连接电极42通过第1通孔41的金属膜连接在设置于第一底部40底面上的第1外部电极EX1上。第2连接电极44通过第2通孔43的金属膜连接在设置于第一底部40底面上的第2外部电极EX2上。
形成在外框部29的里面的第1基部电极31以及第2基部电极32分别连接在第一底部40的表面上的第1连接电极42以及第2连接电极44上。总之，第1基部电极31电连接在第1外部电极EX1上，第2基部电极32电连接在第2外部电极EX2上。
形成在第一水晶框架20上的金属膜25是在
的铬(Cr)层上形成
的金(Au)层。在盖部及底部由水晶构成的情况，金属膜15及金属膜45在铬层上形成金层。若盖部以及底部是玻璃或陶瓷材料，则金属膜15及金属膜45只需要形成金层。
如图1D的概略剖面构成图所示，第一水晶振动装置100是重合图1A的第一盖部10、图1B的第一水晶框架20以及图1C的第一底部40而形成。在此，除去音叉型水晶振动片30的外形部分称为包装件80。为了便于说明，在图1D中将这些分开绘制。包装件80的第1通孔41及第2通孔43由封装材料70进行封装。
如图1D所示，第一盖部10、第一底部40以及第一水晶框架20在接合面上形成有嵌合用段差部。第一盖部10的嵌合用凹部73嵌合在第一水晶框架20的嵌合用凸部72上。第一底部40的嵌合用凸部72嵌合在第一水晶框架20的嵌合用凹部73上。
虽然图1D表示接合一个第一水晶振动装置100之前的图，但是在实际制造中，在形成有数百到数千个第一水晶框架20的1张振动片用的水晶晶片20W(参照图2)上重合形成有数百到数千个第一盖部10的1张盖部用晶片10W(参照图3)和形成有数百到数千个第一底部40的1张底部用晶片40W(参照图3)而形成。其次，以晶片为单位一次性地制造出数百至数千个第一水晶振动装置100。在此，将重合了振动片用的水晶晶片20W、盖部用晶片10W以及底部用晶片40W的晶片成为包装件晶片80W。
图2是从盖部用晶片10W侧观察了包装件晶片80W的平面图。另外，图2是在盖部用晶片10W为透明的状态下，以振动片用的水晶晶片20W的音叉型水晶振动片30为主体进行绘制。为了便于说明，包装件晶片80W用假想线(双点划线)来表示相当于一个第一水晶振动装置100的外形(XY平面的大小)的区域。另外，为了便于区别音叉型水晶振动片30和外框部29，以网状线来表示空间部22。
如图2所示，在盖部用晶片10W上形成有切断槽60。在底部用晶片40W(参照图3)上与盖部用晶片10W的切断槽60相同的位置(XY平面)也形成有同样的切断槽60。包装件晶片80W固定在未图示的切断薄膜上由切断锯进行切断。盖部用晶片10W以及底部用晶片40W的切断槽60是在用切断锯切断时不在第一水晶振动装置100上产生裂缝地进行设置。由于切断锯是沿直线移动，因此盖部用晶片10W以及底部用晶片40W的切断槽60延伸至这些晶片的周缘部分。切断槽60的深度为例如20μm至40μm。
另外，如图2所示，形成在盖部用晶片10W上的金属膜15、形成在振动片用的水晶晶片20W上的金属膜25以及形成在底部用晶片40W上的金属膜45以在XY平面上重合的方式形成。第一盖部10的嵌合用凹部73重合在第一水晶框架20的嵌合用凸部72上而进行嵌合。另外，金属膜15、金属膜25以及金属膜45以不接触切断槽60的方式形成在第一水晶振动装置100的外形的内侧上。这是为了防止金属膜的金层附着在切断锯的齿尖上。
图3是表示沿B-B剖面线切断并分离了图2所示的具有第一水晶振动装置100的包装件晶片80W的状态的剖视图。为了便于说明，包装件晶片80W用假想线(双点划线)来表示相当于一个第一水晶振动装置100大小的区域。
如图3所示，包装件晶片80W由具有第一盖部10的盖部用晶片10W、具有第一水晶框架20的振动片用的水晶晶片20W以及具有第一底部40的底部用晶片40W构成。为了便于说明，图3表示将振动片用的水晶晶片20W夹在中央，以盖部用晶片10W为下方，以底部用晶片40为上方进行配置而接合前的状态。盖部用晶片10W以及底部用晶片40W上形成有相当于第一水晶振动装置100大小的切断槽60。
盖部用晶片10W通过湿刻形成盖部侧凹部17。同时，盖部用晶片10W通过湿刻在振动片用的水晶晶片20W侧形成嵌合用凹部73。另外，盖部用晶片10W通过湿刻在盖部侧凹部17的相反侧形成相当于第一水晶振动装置100大小的切断槽60。底部用晶片40W也通过湿刻形成底部侧凹部47和嵌合用凸部72。另外，底部用晶片40W通过湿刻形成相当于第一水晶振动装置100大小的切断槽60。
另外，振动片用的水晶晶片20W通过湿刻在盖部用晶片10W侧形成嵌合用凸部72，在底部用晶片40W侧形成嵌合用凹部73。形成在盖部用晶片10W上的嵌合用凹部73嵌合在振动片用的水晶晶片20W的嵌合用凸部72上。形成在底部用晶片40W上的嵌合用凸部72嵌合在振动片用的水晶晶片20W的嵌合用凹部73上。
如图3所示，盖部用晶片10W在嵌合用凹部73上具有金属膜15。振动片用的水晶晶片20W在嵌合用凸部72及嵌合用凹部73上具有金属膜25。底部用晶片40W在嵌合用凸部72上具有金属膜45。
在嵌合用凹部73上，可以以不滚落的状态配置球形的共晶金属球75。若在嵌合了嵌合用凸部72和嵌合用凹部73的状态下使共晶金属球75熔化，则熔化的共晶金属沿着金属膜15、金属膜25以及金属膜45流动。即，熔化的共晶金属通过毛细管现象来浸湿金属膜15、金属膜25以及金属膜45的表面。其次，若熔化的共晶金属凝固，则金属膜15和金属膜25进行接合，金属膜15和金属膜45进行接合。总之，第一水晶振动装置100在形成包装件时，通过金属膜15、金属膜25以及金属膜45来进行接合。
在此，共晶金属球75由金硅(Au3.15Si：硅的重量百分比为3.15)合金、金锗(Au12Ge)合金、或金锡(Au20Sn)合金构成。金硅合金的熔化温度为363℃，金锗合金的熔化温度为356℃，金锡合金的熔化温度为280℃。
第1通孔41以及第2通孔43通过封装材料70进行封装，也可以使用与粘接材料相同的金硅合金、金锗合金或者金锡合金。若使用相同的共晶金属，则可以同时进行封装和接合。例如，将包装件晶片80W配置在真空或充满惰性气体的回流熔炉中，由此可以在相同温度下进行通孔的封装和各晶片的接合。
当然，也可以在封装材料70和接合材料(共晶金属球75)上分别使用不同的合金。此时，将熔化温度高的金属作为在先熔化的共晶金属。是为了防止在先熔化的共晶金属在熔化共晶金属的后续工序中熔化。
在用假想线(双点划线)表示的、以第一水晶振动装置100大小切断的区域内不存在金属膜15、25、45。因此，在该区域内也不存在熔化了共晶金属球75的接合材料。从而，在用切断锯使第一水晶振动装置100个别化时，切断锯不会切断金属部分，可以抑制切断锯的磨耗、塞齿，可以避免在包装件晶片80W上产生卷刃及裂纹等的麻烦。
由于盖部用晶片10W以及底部用晶片40W具有切断槽60，因此可以减轻切断锯的切断负荷、提高作业效率。另外，在进行切断时，将盖部用晶片10W或者底部用晶片40W贴在未图示的切断带子上之后进行切断。此时，切断槽60可以防止切断的碎块与盖部用晶片10W或者底部用晶片40W产生碰撞。
<第2实施方式：第二水晶振动装置110的构成>
图4是从盖部用晶片10WA侧观察了包装件晶片85W的平面图。另外，图4是在盖部用晶片10WA为透明的状态下，以振动片用的水晶晶片20WA的音叉型水晶振动片30为主体进行绘制。为了便于说明，包装件晶片85W用假想线(双点划线)来表示相当于一个第二水晶振动装置110的外形(XY平面的大小)的区域。另外，为了便于区别音叉型水晶振动片30和外框部29，以网状线来表示空间部22。
如图4所示，在盖部用晶片10WA上形成有切断槽60。在底部用晶片40WA(参照图5)上与盖部用晶片10WA的切断槽60相同的位置(XY平面)也形成有同样的切断槽60。沿着相当于第二水晶振动装置110的外形(XY平面的大小)的区域，用虚线表示了嵌合用凹部68以及嵌合用凸部69。
图5是表示沿C-C剖面线切断并分离图4所示的具有第二水晶振动装置110的包装件晶片85W的状态的剖视图。第二水晶振动装置110在形成包装件时，通过树脂材料来进行接合。为了便于说明，包装件晶片85W用假想线(双点划线)来表示相当于一个第二水晶振动装置110的大小的区域。
如图5所示，形成有包装件晶片85W由具有第二盖部10A的盖部用晶片10WA、具有第二水晶框架20A的振动片用的水晶晶片20WA以及具有第二底部40A的底部用晶片40WA构成。为了便于说明，图5表示将振动片用的水晶晶片20WA夹在中央，以盖部用晶片10WA为下方，以底部用晶片40WA为上方进行配置而接合前的状态。盖部用晶片10WA以及底部用晶片40WA上形成有相当于第二水晶振动装置110大小的切断槽60。
盖部用晶片10WA通过湿刻形成凹陷的盖部侧凹部17。同时，盖部用晶片10WA通过湿刻在振动片用的水晶晶片20WA侧形成凹陷的嵌合用凹部68。另外，盖部用晶片10WA通过湿刻在盖部侧凹部17的相反侧形成相当于第二水晶振动装置110大小的切断槽60。底部用晶片40WA也通过湿刻形成凹陷的底部侧凹部47和凸状的嵌合用凸部69。另外，底部用晶片40WA通过湿刻形成相当于第二水晶振动装置110大小的切断槽60。
另外，振动片用的水晶晶片20WA通过湿刻在盖部用晶片10WA侧形成嵌合用凸部69，在底部用晶片40WA侧形成嵌合用凹部68。形成在盖部用晶片10WA上的嵌合用凹部68嵌合在振动片用的水晶晶片20WA的嵌合用凸部69上。形成在底部用晶片40WA上的嵌合用凸部69嵌合在振动片用的水晶晶片20WA的嵌合用凹部68上。第二水晶振动装置110可以由树脂等的粘接材料简单地进行接合，因此在嵌合用凸部69或者嵌合用凹部68上不形成金属膜。作为树脂等的粘接材料可以使用环氧树脂、硅酮树脂以及聚亚胺树脂等的一种或多种。
<第二水晶振动装置110的制造工序>
图6A～图6D是表示沿D-D剖面线切断并接合图4所示的具有第二水晶振动装置110的包装件晶片85W的状态的剖视图。图6A～图6D是说明第二水晶振动装置110的制造工序的图。为了便于说明，包装件晶片85W用假想线(双点划线)来表示相当于一个第二水晶振动装置110的大小的区域。
图6A是表示重合了形成有第二盖部10A的盖部用晶片10WA、形成有具有音叉型水晶振动片30的第二水晶框架20A的振动片用的水晶晶片20WA以及形成有第二底部40A的底部用晶片40WA的状态的图。通过这些晶片的嵌合用凹部68嵌合在嵌合用凸部69上来接合这些晶片。在嵌合用凹部68上涂布树脂的粘接剂来重合3张晶片，使得这些晶片不会相互剥离。
在盖部用晶片10WA以及底部用晶片40WA上形成有切断槽60。切断槽60可以防止切断时在包装件晶片85W上产生裂缝等的裂纹，但并不是必须的。
在进行重合时，预先通过蚀刻形成第二盖部10A的盖部侧凹部17以及切断槽60。另外，通过蚀刻形成第二底部40A的底部侧凹部47以及切断槽60，还形成第1连接电极42以及第2连接电极44。
盖部用晶片10WA、振动片用的振动片用的水晶晶片20WA以及底部用晶片40WA的接合面在对齐位置并在接合面上配置例如环氧树脂而进行重合之后，为了加强环氧树脂在大气中的粘接力而进行加压。由此，坚固地进行树脂接合而形成包装件晶片85W。在进行接合时，第1基部电极31以及第2基部电极32(参照图5)和第1连接电极42以及第2连接电极44也坚固地进行接合。
包装件晶片85W在第1通孔41以及第2通孔43内配置封装材料70，并保持在未图示的真空回流熔炉的真空或惰性气体中进行封装。封装材料70例如使用金锗(Au12Ge)合金。熔化温度为356℃。
图6B是表示形成了切口87的状态的图6A的剖视图。如图6B所示，包装件晶片85W由切断锯沿着相当于第二水晶振动装置110的大小的区域的切断槽60的假想线(双点划线)被切断，并在包装件晶片85W上形成切口87。该切口87的切割深度超过通过重合来进行接合的嵌合用凸部69以及嵌合用凹部68的范围。在不以晶片为单位而以各个第二水晶振动装置110来处理的情况下，切口87也可以贯通至包装件晶片85W的底面，从而切断成各个第二水晶振动装置110。
图6C是表示形成了耐蚀膜90的状态的图6B的剖视图。如图6C所示，在形成有切口87的包装件晶片85W上形成耐蚀膜90。耐蚀膜90通过化学气相生长法(CVD)以及物理气相生长法(PVD)形成在包装件晶片85W的侧面以及上面上。尤其，嵌合用凸部69以及嵌合用凹部68的侧面最好由耐蚀膜90较厚地进行覆盖。
耐蚀膜90由无机氧化膜，氮化膜以及氧化氮化膜中的至少一种形成。也可以做成二重膜。例如，无机氧化膜有二氧化硅(SiO2)膜、氧化钛(TiO2)膜以及氧化铝(Al2O3)膜等。氮化膜有氮化硅(Si3N4)膜以及氮化铝(AlN)膜等。氧化氮化膜有氮氧化硅(Si2ON2)。
第二水晶振动装置110由树脂等的粘接材料接合嵌合用凸部69以及嵌合用凹部68。随着时间的推移树脂等的粘接材料的粘接力或接合力逐渐恶化的情况比较多。因此，树脂等的粘接材料很难长期保持第二水晶振动装置110的真空度或惰性气体的浓度。耐蚀膜90克服了这种困难，可以长期保持第二水晶振动装置110的真空度或惰性气体的浓度。
在此，化学气相生长法(CVD)是在作为气体而供给的薄膜的构成材料上施加等离子体等的能量来形成原料气体分子的分解、反应、中间生成物，且经过在基板表面上的吸附、反应、脱离来堆积薄膜的方法。物理气相生长法(PVD)是通过热或等离子体等的能量来暂时蒸发、气化薄膜化的原料，并在基板上堆积薄膜的方法。作为PVD的代表性方法，有真空蒸镀法或喷镀法等。
图6D是表示形成耐蚀膜90之后通过切断而个别化的状态的第二水晶振动装置110的剖视图。如图6D所示，由比切口87更细的切断锯沿着切口87形成切断部96。第二水晶振动装置110通过切割被一个一个地切断。
在图6A～图6D中，由封装材料70封装了第1通孔41以及第2通孔43之后，在包装件晶片85W上形成切口87。但是，并不限于该顺序。例如，可以在包装件晶片85W上形成切口87以及耐蚀膜90之后，在真空中或惰性气体中封装包装件晶片85W。
就产业利用而言，以上虽然对作为最适合本发明的实施方式的第一水晶振动装置100、第二水晶振动装置110进行了说明，但是也可以通过形成在盖部、压电框架以及底部上的嵌合部形成包装件，由此提高压电振动装置的密封性。在以上的说明中，虽然使用没有在振动臂上形成槽的音叉型水晶振子来说明了实施例，但可以是在振动臂上形成了槽的音叉型水晶振子，且在使用了利用厚度滑动的AT切割水晶板的水晶振子也可以取得同样的效果。另外，也可以改变接合面、嵌合面以及接合材料的形状等的组合。
Claims (13)
1.一种压电振动装置，其特征在于，具有：
包含形成有励振电极的压电振动片以及配置在所述压电振动片的外围的框体的压电框架；以及，
接合在所述压电框架的框体的一侧的面上的面板，
在所述框体和所述面板上形成有嵌合部，所述嵌合部通过接合材料进行接合。
2.根据权利要求1所述的压电振动装置，其特征在于，
所述接合材料为金属材料，在所述嵌合部上形成有金属膜。
3.根据权利要求1所述的压电振动装置，其特征在于，
所述接合材料为树脂材料。
4.根据权利要求3所述的压电振动装置，其特征在于，
在通过所述接合材料进行接合的所述压电振动装置的外侧上形成有耐蚀膜。
5.根据权利要求4所述的压电振动装置，其特征在于，
所述耐蚀膜包含无机氧化膜、氮化膜以及氮氧化膜中的至少一种。
6.根据权利要求1至权利要求5的任何一项所述的压电振动装置，其特征在于，
所述面板由玻璃、陶瓷或者压电材料中的任意一种构成。
7.根据权利要求1至权利要求5的任何一项所述的压电振动装置，其特征在于，
所述压电振动片包含AT切割水晶振动片或音叉型水晶振动片。
8.根据权利要求6所述的压电振动装置，其特征在于，
所述压电振动片包含AT切割水晶振动片或音叉型水晶振动片。
9.一种压电振动装置的制造方法，其特征在于，具有：
准备形成有多个压电框架的压电晶片的工序，所述压电框架具有形成有励振电极的压电振动片以及配置在所述压电振动片的外围且形成有第1嵌合部的框体；
准备形成有多个面板的面板晶片的工序，所述面板形成有与所述第1嵌合部嵌合的第2嵌合部且具有与所述框体相同的大小；
在所述第1嵌合部和所述第2嵌合部之间配置接合材料的工序；以及，
重合所述压电晶片以及所述面板晶片，并用所述接合材料进行接合的工序。
10.根据权利要求9所述的压电振动装置的制造方法，其特征在于，
在所述接合的工序之后，具有沿着所述框体的最外围切断所述接合的晶片的工序。
11.根据权利要求9所述的压电振动装置的制造方法，其特征在于，具有：
在通过所述接合材料进行接合的工序之后，具有：
形成通过所述压电晶片的第1嵌合部以及所述面板晶片的第2嵌合部的切口的工序；以及，
在所述切口形成耐蚀膜的工序。
12.根据权利要求11所述的压电振动装置的制造方法，其特征在于，
所述耐蚀膜包含无机氧化膜、氮化膜或氮氧化膜中的至少一种，且通过化学气相生长法或喷镀法形成所述无机氧化膜、氮化膜或氮氧化膜中的至少一种。
13.根据权利要求11所述的压电振动装置的制造方法，其特征在于，
在所述接合的工序之后，具有沿着所述切口以比所述切口细的宽度来切断所述接合的晶片的工序。
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