CN106899278A - 声波谐振器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种声波谐振器及其制造方法。所述声波谐振器包括：谐振部，设置在基板上；盖子，容纳谐振部并结合到基板；结合部，将盖子和基板彼此结合，结合部包括设置在盖子的结合表面与基板的结合表面之间的至少一个阻挡块，以阻挡在结合操作的过程中形成结合部的结合材料的泄漏。

Description

声波谐振器及其制造方法

本申请要求于2015年12月18日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0181531号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

下面的描述涉及一种声波谐振器及其制造方法。

背景技术

根据通信技术的最近发展，信号处理技术和射频(RF)组件技术的相应的发展已变得理想。

例如，响应于使无线通信装置小型化的最近需求，射频组件小型化的技术已变得理想。研发为使射频组件小型化的技术的示例包括使用半导体薄膜晶圆制造的呈体声波(BAW)谐振器形式的滤波器。

体声波(BAW)谐振器指的是具有通过在硅晶圆(作为半导体基板)上沉积压电介电材料并利用压电介电材料的压电特性来产生谐振的薄膜的元件而被实现为滤波器的谐振器。

体声波(BAW)谐振器的应用包括小且轻量化的滤波器(例如，移动通信装置、化学和生物装置等)、振荡器、谐振元件、声波谐振质量传感器等。

发明内容

提供该发明内容以简化形式来介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述该构思。本发明内容无意限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也无意用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总的方面中，一种声波谐振器包括：谐振部，设置在基板上；盖子，容纳谐振部并结合到基板；结合部，将盖子和基板彼此结合，结合部包括设置在盖子的结合表面与基板的结合表面之间的至少一个阻挡块，以阻挡在结合操作的过程中形成结合部的结合材料的泄漏。

结合部可包括：第一金属层，设置在盖子的结合表面上；第二金属层，设置在基板的结合表面上；第三金属层，介于第一金属层与第二金属层之间。

第三金属层可包含锡(Sn)。

第一金属层和第二金属层可包含铜(Cu)或金(Au)。

所述至少一个阻挡块可与第一金属层和第二金属层分开预定距离。

所述至少一个阻挡块可设置在盖子的结合表面和基板的结合表面中的至少一个上。

所述至少一个阻挡块可包括设置在盖子的结合表面上的第一阻挡块和设置在基板的结合表面上的第二阻挡块。

第一阻挡块和第二阻挡块可设置在彼此不面对的位置。

第一阻挡块和第二阻挡块可设置为彼此不接触。

在另一总的方面中，一种制造声波谐振器的方法包括：在基板上形成谐振部；将盖子结合到基板，其中，盖子的结合包括在盖子的结合表面和基板的结合表面中的至少一个上设置阻挡块。

盖子的结合可包括：在盖子的结合表面上形成第一金属层，并且在基板的结合表面上形成第二金属层；在第一金属层和第二金属层之间形成第三金属层，以将盖子和基板彼此结合。

所述阻挡块可包含与第一金属层或第二金属层的材料相同的材料，并且可在同一工艺过程中与第一金属层或第二金属层一起形成。

所述阻挡块可形成在与第一金属层或第二金属层分开预定距离的位置。

第三金属层的形成可包括使第三金属层熔化并使其固化，所述阻挡块可阻挡熔化的第三金属层的泄漏。

所述阻挡块可沿着盖子的结合表面或基板的结合表面的边缘形成。

形成第三金属层的材料可具有比形成所述阻挡块的材料的熔点低的熔点。

在另一总的方面中，一种声波谐振器包括：盖子，设置在谐振部之上并结合到基板；结合部，设置在盖子的结合表面与基板之间。结合部包括沿着盖子的结合表面的边缘设置的阻挡块以及设置在结合表面上并与所述阻挡块的侧壁相邻的结合材料。

结合部可包括设置在盖子的结合表面上的第一金属层，第一金属层与所述阻挡块分开；结合材料可从第一金属层与基板之间的第一区域延伸到第一金属层与所述阻挡块的侧壁之间的第二区域。

所述阻挡块和第一金属层可由相同的材料形成，结合材料可包括具有比形成所述阻挡块和第一金属层的材料的熔点低的熔点的材料。

其它特征和方面将从下面的具体实施方式、附图和权利要求而明显。

附图说明

图1是示意性地示出声波谐振器的示例的截面图。

图2是图1中示出的声波谐振器的A部分的放大截面图。

图3至图8是示出制造声波谐振器的方法的示例的示图。

图9是示意性地示出阻挡块的另一示例的截面图。

图10是示意性地示出声波谐振器的示例的平面图。

在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图不一定按照比例绘制，为了清楚、说明和便利起见，可能会夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。

具体实施方式

提供以下的具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改以及等同物对于本领域的普通技术人员来说将是明显的。在此描述的操作的顺序仅仅是示例，而且其并不局限于在此阐述的，而是除了必须以特定顺序进行的操作之外，可做出对于本领域的普通技术人员将是明显的改变。此外，为了更加清楚和简洁，可省略本领域的普通技术人员公知的功能和结构的描述。

在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，提供在此描述的示例，以使本公开将是彻底的和完整的，并将本公开的全部范围传达给本领域的普通技术人员。

在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶圆(基板)的元件被称为“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，所述元件可直接“位于”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的其它元件。相比之下，当元件被称为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的元件或层。相同的标号始终指示相同的元件。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关联的所列项目中的任何以及全部组合。

将明显的是，虽然可在此使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例性实施例的教导的情况下，下面论述的第一构件、组件、区域、层或部分可称作第二构件、组件、区域、层或部分。

为了描述的方便，可在此使用与空间相关的术语(例如，“在…之上”、“上方”、“在…之下”和“下方”等)，以描述如图中示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了图中示出的方位之外，与空间相关的术语意于包括装置在使用或操作时的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“之上”或“上方”的元件将被定位为“在”所述其它元件或特征“之下”或“下方”。因此，术语“在…之上”可根据附图的特定方向而包含“在…之上”和“在…之下”的两种方位。装置可被另外定位(旋转90度或处于其它方位)，并可对在此使用的空间相对描述符做出相应解释。

在此使用的术语仅用于描述各种实施例，并且无意限制本说明书。除非上下文中另外清楚地指明，否则如在此使用的单数形式也意于包括复数形式。还将理解的是，在本说明书中使用的术语“包括”和/或“包含”时，列举存在所述的特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组合，而不排除存在或增加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组合。

在下文中，将参照示意图描述本说明书中的实施例。在附图中，例如，由于制造技术和/或公差，可估计所示出的形状的修改。因此，实施例不应被理解为受限于在此示出的区域的形状，而是应被理解为包括例如由于制造导致的特定形状的改变。以下的实施例也可由一个或它们的组合而构成。

图1示出了声波谐振器的示例的截面图，图2示出了图1中示出的声波谐振器的A部分的放大截面图。

首先，参照图1，根据示出的示例的声波谐振器100包括基板110、谐振部120和盖子140。

在该示例中，气隙130形成在基板110与谐振部120之间，谐振部120形成在膜层150上，以通过气隙130与基板110分开。

基板110可形成为硅基板或绝缘体上硅(SOI，silicon-on-insulator)型基板。然而，基板110不限于此。

谐振部120包括第一电极121、压电层123和第二电极125。谐振部120可通过自下而上顺序地堆叠第一电极121、压电层123和第二电极125而形成。在该示例中，压电层123设置在第一电极121与第二电极125之间。

由于谐振部120形成在膜层150上，因此膜层150、第一电极121、压电层123和第二电极125可顺序地形成在基板110上，从而获得图1中示出的结构。

谐振部120可响应于施加到第一电极121和第二电极125的信号使压电层123发生谐振，以产生谐振频率和反谐振频率。

第一电极121和第二电极125可由诸如金、钼、钌、铝、铂、钛、钨、钯、铬、镍等金属形成。

谐振部120可利用压电层123的声波来产生谐振。例如，响应于施加到第一电极121和第二电极125的信号，压电层123的厚度方向上可产生机械振动，从而产生声波。

压电层123可包含氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、石英等。

压电层123的谐振现象可响应于施加的信号的波长的一半与压电层123的厚度一致而发生。由于当发生谐振现象时电阻抗急剧地改变，因此根据示例的声波谐振器可用作能够选择频率的滤波器。

谐振频率可通过压电层123的厚度、围住压电层123的第一电极121、第二电极125以及压电层123的固有的声波速度来确定。

例如，随着压电层123的厚度减小，谐振频率可增大。

参照图1，谐振部120还包括保护层127。在该示例中，保护层127形成在第二电极125上，以防止第二电极125暴露于外部环境。

第一电极121和第二电极125形成在压电层123的外表面上，并且分别连接到第一连接电极180和第二连接电极190。

第一连接电极180和第二连接电极190可被设置为确认谐振器和滤波器的特性，并且执行需要的频率微调。然而，第一连接电极180和第二连接电极190不限于此。

在该示例中，谐振部120与基板110通过气隙130分开，以提高品质因数。

例如，通过在谐振部120与基板110之间形成气隙130，从压电层123产生的声波不会受基板110影响。

此外，从谐振部120产生的声波的反射特性可通过气隙130来提高。由于气隙130(作为空的空间)具有近似于无穷大的阻抗，因此通过使用气隙130声波不会损耗，并且可保留在谐振部120中。

因此，通过使用气隙130减小声波在纵向方向上的损耗，可提高谐振部120的品质因数值。

在该示例中，贯穿基板110的多个通孔112形成在基板110的下表面中。此外，连接导体115a和115b可分别形成在通孔112中。

连接导体115a和115b形成在通孔112的内表面(即，通孔112的整个内壁)上，但不限于此。

此外，连接导体115a和115b的一端连接到形成在基板110的下表面上的外电极117，连接导体115a和115b的另一端分别连接到第一电极121和第二电极125。

在该示例中，第一连接导体115a将第一电极121和外电极117彼此电连接，第二连接导体115b将第二电极125和外电极117彼此电连接。

因此，第一连接导体115a可穿过基板110和膜层150，并且可电连接到第一电极121，第二连接导体115b可穿过基板110、膜层150和压电层123，并且可电连接到第二电极125。

同时，虽然图1示出并表描述了仅两个通孔112以及两个连接导体115a和115b，但是通孔和连接导体的数量不限于此。根据需要，可设置多个通孔112以及连接导体115a和115b。

盖子140被设置为保护谐振部120免于受到外部环境影响。

盖子140形成为具有内部空间的盖子形式，其中，谐振部120容纳在所述内部空间中。盖子140可密闭地密封谐振部120。因此，盖子140结合(bond)到基板，以使盖子140的侧壁141围住容纳部120。

此外，侧壁141的下表面可用作与基板110结合的结合表面141a。

在该示例中，盖子140通过固液互扩散(SLID，solid liquidinter-diffusion)键合而结合到基板110，合成的结合部175形成在盖子的结合表面141a与基板的结合表面110a之间。

可使用Cu-Sn键合作为SLID键合。然而，还可使用Au-Sn键合。

参照图2，结合部175包括形成在盖子140上的第一金属层171、形成在基板110上的第二金属层172以及介于第一金属层171与第二金属层172之间的第三金属层173。

第一金属层171和第二金属层172可由Cu材料形成，第三金属层173可由Sn材料形成。

此外，第三金属层173延伸到第一金属层171和第二金属层172的外侧。

延伸部分可以是由在SLID键合工艺过程中熔化并在固化之前泄露到第一金属层171与第二金属层172之间的空间的外部的Sn结合材料形成的部分。

由于第三金属层173通过使熔化的Sn结合材料扩散到第一金属层171和第二金属层172之间而形成，因此突出到第一金属层171和第二金属层172的外侧的第三金属层173会与第三金属层173分开，并且被引入到谐振部120中。此外，在过量的熔化的Sn流到第一金属层171和第二金属层172的外侧的情况下，第一金属层171与第二金属层172之间的区域中的将第一金属层171和第二金属层172彼此结合的Sn的量会减小，从而使结合可靠性劣化。

因此，声波谐振器包括位于第一金属层171或第二金属层172的外侧的至少一个阻挡块177。

参照图2，阻挡块177设置在与第一金属层171或第二金属层172分开预定距离的位置，并且设置在与盖子140的结合表面141a对应的区域内。

阻挡块177沿着盖子140的结合表面141a的边缘呈细长形状。在平面图中阻挡块177沿着结合表面141a可呈连续的环形形状，或沿着结合表面141a呈其它几何形状。然而，阻挡块177不限于此，并且还可在结合表面141a之下形成为例如虚线形状(参照图10)。

在该示例中，阻挡块177形成为具有与第一金属层171或第二金属层172的厚度大体相似的厚度。然而，阻挡块177的厚度不限于此。例如，阻挡块177可形成为具有各种厚度，只要阻挡块177可阻挡熔化的Sn的流动即可。

图2示出了阻挡块177形成在盖子140和基板110这二者上的示例。然而，本说明书中的构造不限于此，阻挡块177还可形成在盖子140和基板110中的仅任何一个上。

此外，在阻挡块177形成在盖子140和基板110这二者上的示例中，形成在盖子140上的阻挡块177a(在下文中称作第一阻挡块)和形成在基板110上的阻挡块177b(在下文中称作第二阻挡块)可被设置为彼此不面对或重叠。

例如，第一阻挡块177a设置在第二阻挡块177b的内侧。然而，第一阻挡块177a和第二阻挡块177b可进行各种修改。另一方面，例如，第二阻挡块177b可设置在第一阻挡块177a的内侧等。

这是一种在形成结合部175时能够将结合部175内的空气平稳地排放到外部的构造。在形成结合部175的过程中第一阻挡块177a和第二阻挡块177b彼此接触并彼此结合的示例中，阻挡块177的内部空间可通过第一阻挡块177a和第二阻挡块177b被密封。因此，阻挡块177中的空气无法被排放到外部，在阻挡块177中的空气由于热而膨胀的示例中，空气压力会导致结合缺陷。

然而，在如图2所示的实施例那样第一阻挡块177a和第二阻挡块177b被设置为彼此不重叠的示例中，由于提供了阻挡块177中的空气可通过其排放的通道，因此可防止发生上述的结合缺陷。

图2中示出的阻挡块177可由与第一金属层171或第二金属层172的材料相同的材料(例如，铜(Cu)、金(Au))形成。原因在于阻挡块177可在同一工艺中与第一金属层171或第二金属层172一起形成，但本公开的构造不限于此。此外，结合材料可包括具有比形成阻挡块177和第一金属层171的材料的熔点低熔点的材料。

同时，虽然图2示出了整个第一阻挡块177a和整个第二阻挡块177b彼此不接触的示例，但是阻挡块177不限于上述构造，并且可进行各种修改。

图9示出了与图2相似的阻挡块的另一示例的截面图。

参照图9，设置在结合部175的外侧的阻挡块177包括第一阻挡块177a和第二阻挡块177b，与第二阻挡块177b相比，第一阻挡块177a被设置为与结合部175更靠近。此外，设置在结合部175的内侧的另一阻挡块177包括与第一阻挡块177a相比被设置为与结合部175更靠近的第二阻挡块177b。

在该示例中，第一阻挡块177a和第二阻挡块177b具有它们的至少一部分彼此重叠的部分。然而，由于整个第一阻挡块177a和整个第二阻挡块177b彼此不完全重叠，因此仍提供了结合部175中的空气可通过其排放的通道。

图10示出了根据图1的声波谐振器的示例的平面图。参照图10，声波谐振器包括具有形成矩形形状的侧壁141的盖子140。阻挡块177沿着侧壁141的内边缘和外边缘设置，以形成封闭的形状(例如，与侧壁141的形状相似的矩形形状或环形)。虽然图10中示出了具有矩形形状的阻挡块177和盖子140的声波谐振器，但是在另一示例中，可应用例如环形形状的其它几何形状。在另一示例中，阻挡块177可不形成封闭的形状。例如，阻挡块177可仅设置在侧壁141的一部分(例如，盖子140的至少两个相对侧)之下或虚线中，以防止结合材料的泄漏。谐振部120容纳在基板110与盖子140之间。图10中省略了声波谐振器的多种特征。对于这些特征，参照图1的声波谐振器的描述适用于图10中的声波谐振器。

接下来，将描述制造声波谐振器的方法的示例。

图3至图7是示出制造声波谐振器的方法的示图。

首先，参照图3，在基板110上形成谐振部120。在该示例中，通过在基板110上形成牺牲层(未示出)并且在牺牲层上和基板110上顺序地层压膜层150、第一电极121、压电层123、第二电极125和保护层127来获得谐振部120。此外，在牺牲层150上形成膜层150之后，然后通过去除牺牲层来形成气隙130。

通过形成导电层，在导电层上沉积光刻胶，使用光刻工艺执行图案化，然后使用图案化的光刻胶作为掩膜去除不必要的部分来使第一电极121和第二电极125形成为需要的图案。

根据示出的实施例，第一电极121可由钼(Mo)材料形成，第二电极125可由钌(Ru)形成。然而，第一电极121和第二电极125的材料不限于此，根据需要，第一电极121和第二电极125可由诸如金、钌、铝、铂、钛、钨、钯、铬、镍等形成。

此外，压电层可由氮化铝(AlN)形成。然而，压电层123的材料不限于此，压电层123可由各种压电材料(例如，氧化锌(ZnO)、石英等)形成。

保护层170可由绝缘材料形成。绝缘材料可包括氧化硅基材料、氮化硅基材料和氮化铝基材料。

接下来，在第一电极121上和第二电极125上形成用于频率微调的连接电极180和190。连接电极180和190可分别形成在第一电极121和第二电极125上，并且可穿过保护层127或压电层123，以连接到第一电极和第二电极。

可通过蚀刻来部分地去除保护层127和压电层123以将第一电极121暴露于外部，然后在第一电极121上沉积金(Au)、铜(Cu)等来形成第一连接电极180。

类似地，可通过蚀刻来部分地去除保护层127以将第二电极125暴露于外部，然后在第二电极125上沉积金(Au)、铜(Cu)等来形成第二连接电极190。

然后，在确认谐振部120或滤波器的特性并使用连接电极180和190执行需要的频率微调之后，可形成气隙130。

如上所述，通过去除牺牲层来形成气隙130。结果，完成了根据图3的谐振部120。

接下来，参照图4，形成盖子140，以保护谐振部120免于受到外部环境影响。可在晶圆级通过晶圆结合来形成盖子140。也就是说，其上设置有多个单元基板110的基板晶圆以及其上设置有多个盖子140的盖子晶圆可彼此结合以一体地形成。

在这种情况下，然后可通过切割工艺对彼此结合的基板晶圆和盖子晶圆进行切割，以分成多个单独的声波谐振器。

在将盖子140结合到基板的操作中，如图5所示，可执行如下操作：首先在盖子140的结合表面141a上形成第一金属层171；在基板110的结合表面110a上形成第二金属层172。在该示例中，阻挡块177与第一金属层171和第二金属层172一起形成。也就是说，阻挡块177以及第一金属层171和第二金属层172在同一工艺中大体上同时形成。

在盖子140或基板110上通过沉积法等形成第一金属层171和第二金属层172以及阻挡块177，但不限于此。此外，第一金属层171和第二金属层172以及阻挡块177可由相同的材料(例如，铜(Cu)、金(Au))形成。因此，由于在形成第一金属层171和第二金属层172的过程中，阻挡块177可与第一金属层171和第二金属层172一起形成，因此可不需要制造阻挡块177的单独的工艺。

接下来，参照图6，分别在第一金属层171的表面和第二金属层172的表面上形成结合层173a。在该示例中，结合层173a最终形成为第三金属层173。结合层173a可由Sn形成，并且可通过沉积法等形成在第一金属层171的表面和第二金属层172的表面上。此外，形成第三金属层173的材料可具有比形成阻挡块177的材料的熔点低的熔点。

接下来，参照图7，将盖子140放置在基板110上。此外，通过执行加热和压制来使形成在盖子140上的结合层173a和形成在基板110上的结合层173a彼此结合。在这个过程中，可使结合层173a熔化，然后使其固化以彼此结合，并且结合层173a可形成为第三金属层173。结果，可获得图2中示出的结合部175。

在该示例中，通过阻挡块177进一步防止熔化的结合层173a的流动到第一金属层171和第二金属层172的外部的部分泄漏。结果，熔化的结合层173a可仅设置在阻挡块177的内部空间中，并且不会流动到阻挡块177的外部。

接下来，参照图8，在基板110中形成通孔112之后，在通孔112中形成连接导体115a和115b。

可通过在通孔112的内表面上形成导电层来制造连接导体115a和115b。例如，可通过沉积、涂覆或沿着通孔112的内壁设置导电金属(例如，金、铜等)来形成连接导体115a和115b。

接下来，通过在基板110的下表面上形成外电极117来形成图1中示出的声波谐振器100。

在延伸至基板110的下表面的连接导体115a和115b上形成外电极117。可使用由Sn材料形成的焊料球作为外电极117，但外电极117不限于此。

在制造根据具有如上所述的构造的示例的声波谐振器的方法中，由于阻挡块可在形成第一金属层和第二金属层的操作一起形成，因此可不需要形成阻挡块的单独的工艺。

此外，可通过阻挡块来防止在形成结合部的过程中熔化的结合层过多地流动到第一金属层和第二金属层的外部的情况。

同时，声波谐振器及其制造方法不限于上述实施例，并且可进行不同的修改。

例如，上述实施例示出了盖子附着到基板然后形成连接导体的示例。然而，本公开不限于此，并且可进行不同的修改。例如，在首先形成连接导体之后，盖子可附着到基板等。

此外，上述实施例示出了阻挡块的截面形成为四边形形状的示例。然而，本公开不限于此，并且可进行不同的修改。例如，阻挡块的截面可形成为三角形形状或梯形形状等。

如上所述，根据上面描述的示例，声波谐振器可包括阻挡当盖子和基板结合时由于热而熔化的结合层的流动的阻挡块。结果，阻挡块可防止熔化的结合层流动到结合部的外部。

此外，在上面描述的制造声波谐振器的方法的示例中，由于阻挡块可在形成第一金属层和第二金属层的操作中一起形成，因此可不需要形成阻挡块的单独工艺。结果，可容易地制造声波谐振器。

虽然本公开包括具体示例，但是对本领域的普通技术人员将明显的是，在不脱离权利要求以及其等同物的精神和范围的情况下，可在形式和细节方面对这些示例做出各种改变。在此描述的示例仅被视为描述意义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述被视为适用于其它示例中的类似的特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术、和/或如果按照不同的方式来组合所描述的系统、结构、装置或电路、和/或由其它组件或其等同物来替换或增添所描述的系统、结构、装置或电路，则可实现合理的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且权利要求及其等同物的范围内的各种改变将被理解为包括在本公开中。

Claims (19)

1.一种声波谐振器，包括：

谐振部，设置在基板上；

盖子，容纳谐振部并结合到基板；

结合部，将盖子和基板彼此结合，

其中，结合部包括设置在盖子的结合表面与基板的结合表面之间的至少一个阻挡块，以阻挡在结合操作的过程中形成结合部的结合材料的泄漏。

2.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，结合部包括：

第一金属层，设置在盖子的结合表面上；

第二金属层，设置在基板的结合表面上；

第三金属层，介于第一金属层与第二金属层之间。

3.如权利要求2所述的声波谐振器，其中，第三金属层包含锡。

4.如权利要求2所述的声波谐振器，其中，第一金属层和第二金属层包含铜或金。

5.如权利要求2所述的声波谐振器，其中，所述至少一个阻挡块与第一金属层和第二金属层分开预定距离。

6.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述至少一个阻挡块设置在盖子的结合表面和基板的结合表面中的至少一个上。

7.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述至少一个阻挡块包括设置在盖子的结合表面上的第一阻挡块和设置在基板的结合表面上的第二阻挡块。

8.如权利要求7所述的声波谐振器，其中，第一阻挡块和第二阻挡块设置在彼此不面对的位置。

9.如权利要求7所述的声波谐振器，其中，第一阻挡块和第二阻挡块被设置为彼此不接触。

10.一种制造声波谐振器的方法，所述方法包括：

在基板上形成谐振部；

将盖子结合到基板，

其中，盖子的结合包括在盖子的结合表面和基板的结合表面中的至少一个上设置阻挡块。

11.如权利要求10所述的方法，其中，盖子的结合包括：

在盖子的结合表面上形成第一金属层，并且在基板的结合表面上形成第二金属层；

在第一金属层与第二金属层之间形成第三金属层，以将盖子和基板彼此结合。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述阻挡块包含与第一金属层或第二金属层的材料相同的材料，并且在同一工艺过程中与第一金属层或第二金属层一起形成。

13.如权利要求11所述的方法，其中，所述阻挡块形成在与第一金属层或第二金属层分开预定距离的位置。

14.如权利要求11所述的方法，其中，第三金属层的形成包括使第三金属层熔化并使第三金属层固化，

所述阻挡块阻挡熔化的第三金属层的泄漏。

15.如权利要求10所述的方法，其中，所述阻挡块沿着盖子的结合表面或基板的结合表面的边缘形成。

16.如权利要求11所述的方法，其中，形成第三金属层的材料具有比形成所述阻挡块的材料的熔点低的熔点。

17.一种声波谐振器，包括：

盖子，设置在谐振部之上，并且结合到基板；

结合部，设置在盖子的结合表面与基板之间，

其中，结合部包括沿着盖子的结合表面的边缘设置的阻挡块以及设置在结合表面上并与阻挡块的侧壁相邻的结合材料。

18.如权利要求17所述的声波谐振器，其中，结合部包括设置在盖子的结合表面上的第一金属层，第一金属层与阻挡块分开；

结合材料从第一金属层与基板之间的第一区域延伸到第一金属层与所述阻挡块的侧壁之间的第二区域。

19.如权利要求17所述的声波谐振器，其中，所述阻挡块和第一金属层由相同的材料形成；

结合材料包括具有比形成所述阻挡块和第一金属层的材料的熔点低熔点的材料。