CN105584987A - 物理量传感器及其制造方法、电子设备以及移动体 - Google Patents

物理量传感器及其制造方法、电子设备以及移动体 Download PDF

Info

Publication number
CN105584987A
CN105584987A CN201510766226.7A CN201510766226A CN105584987A CN 105584987 A CN105584987 A CN 105584987A CN 201510766226 A CN201510766226 A CN 201510766226A CN 105584987 A CN105584987 A CN 105584987A
Authority
CN
China
Prior art keywords
physical quantity
substrate
supporting substrates
hermetic sealing
quantity transducer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510766226.7A
Other languages
English (en)
Inventor
纸透真一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN105584987A publication Critical patent/CN105584987A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00865—Multistep processes for the separation of wafers into individual elements
    • B81C1/00873—Multistep processes for the separation of wafers into individual elements characterised by special arrangements of the devices, allowing an easier separation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00269—Bonding of solid lids or wafers to the substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0118—Bonding a wafer on the substrate, i.e. where the cap consists of another wafer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0172—Seals
    • B81C2203/019—Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/03—Bonding two components
    • B81C2203/031—Anodic bondings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

本发明提供一种减少了成品率的降低的可靠性较高的物理量传感器、能够容易地制造该物理量传感器且能够减少成品率的降低的物理量传感器的制造方法、具备所涉及的物理量传感器的电子设备以及移动体。物理量传感器(1)具有：支承基板(2)；加速度检测元件(3)，其被搭载于支承基板(2)上；密封基板(5)，其被接合于支承基板(2)上，并用于对加速度检测元件(3)进行密封；在密封基板(5)中，于与支承基板(2)的接合面(531)的一部分处形成有切口部，在切口部中设置有填充材料(7)，该填充材料(7)由与构成密封基板(5)的材料不同的材料构成。

Description

物理量传感器及其制造方法、电子设备以及移动体
技术领域
本发明涉及一种物理量传感器、物理量传感器的制造方法、电子设备以及移动体。
背景技术
一直以来，开发有一种对例如角速度等物理量进行检测的物理量传感器。作为这种物理量传感器，例如能够使用专利文献1中所记载的这种MEMS(MicroElectroMechanicalSystem，微机电系统)装置，所述MEMS装置具备：元件基板；MEMS元件，其被搭载于元件基板上；盖基板，其被接合于元件基板上，并对MEMS元件进行覆盖。
此外，这种MEMS装置能够通过如下方式而获得，即，在元件基板的原料基板上搭载多个MEMS元件，并在以覆盖MEMS元件的方式而将盖基板的原料基板接合在元件基板的原料基板上之后，对所述各原料基板进行单片化的方式。在进行该单片化时，虽然在专利文献1中，通过蚀刻而对各原料基板进行切断，但是一般是使用切割装置而将各原料基板切断的。
但是，当使用切割装置而进行单片化时，在现有的结构的MEMS装置中，由于切割时的冲击，有时会在元件基板与盖基板的接合部分产生元件基板与盖基板剥离的情况。其结果为，存在如下的问题，即，由于容易生产出MEMS元件未被盖基板以及元件基板密封的MEMS装置，从而导致MEMS装置的成品率降低，此外，即使是未产生剥离的MEMS装置，其可靠性也会降低的问题。
专利文献1：日本特开2011-245587号公报
发明内容
本发明的目的在于，提供一种能够减少了成品率的降低的可靠性较高的物理量传感器、能够容易地制造该物理量传感器且能够减少成品率的降低的物理量传感器的制造方法、具备所涉及的物理量传感器的电子设备以及移动体。
本发明是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的，并能够作为以下的方式或者应用例而实现。
应用例1
本应用例的物理量传感器的特征在于，具有：支承基板；传感器元件，其被搭载于所述支承基板上；密封基板，其被接合于所述支承基板上，并用于对所述传感器元件进行密封，在所述支承基板以及所述密封基板中的至少一方上，于所述支承基板以及所述密封基板的接合面的一部分处形成有切口部，在所述切口部中设置有由与构成所述密封基板的材料不同的材料构成的填充材料。
由此，例如，在使用切割刀片而在俯视观察时与切口部重叠的位置处将支承基板以及密封基板一并切断而形成物理量传感器的外形时，由于设置有切口部，从而能够使切割刀片不直接碰触到支承基板与密封基板的接合面。由此，能够避免因切断而产生的冲击施加于接合面上的情况。此外，能够通过填充材料来保护切口部。这样一来，能够减少支承基板与密封基板剥离的情况。因此，能够以较高的成品率获得传感器元件通过支承基板以及密封基板而被密封了的可靠性较高的物理量传感器。
此外，通过在被设置于支承基板以及密封基板的接合面的一部分处的切口部中设置填充材料，从而能够对接合面处的支承基板与密封基板的接合进行加强。
应用例2
在本应用例的物理量传感器中，优选为，所述填充材料含有低熔点玻璃材料。
由此，由于填充材料作为对支承基板与密封基板进行粘合的粘合材料而发挥作用，因此能够更牢固地将支承基板与密封基板接合在一起。
应用例3
在本应用例的物理量传感器中，优选为，所述密封基板含有硅材料。
由此，例如在支承基板由玻璃材料构成的情况下，由于能够通过阳极接合而对支承基板与密封基板进行接合，因此能够更牢固地将支承基板与密封基板接合在一起。因此，能够进一步提高由支承基板与密封基板形成的收纳空间内的气密性。
应用例4
在本应用例的物理量传感器中，优选为，所述支承基板含有玻璃材料。
由此，例如在密封基板由硅材料构成的情况下，由于能够通过阳极接合而对支承基板与密封基板进行接合，因此能够更牢固地将支承基板与密封基板接合在一起。因此，能够进一步提高由支承基板与密封基板形成的收纳空间内的气密性。
应用例5
在本应用例的物理量传感器中，优选为，所述切口部相对于所述接合面而被设置在外侧。
如此，通过在俯视观察时包围传感器元件的支承基板与密封基板的接合面的外侧设置切口部，从而能够有效地避免如下的情况，即，例如在使用切割刀片而在俯视观察时与切口部重叠的位置处将支承基板以及密封基板一并切断而形成物理量传感器的外形时，切割刀片碰触到支承基板与密封基板的接合面的情况。由此，能够进一步减少因切断而产生的冲击导致支承基板与密封基板在接合面处剥离的情况。
应用例6
在本应用例的物理量传感器中，优选为，所述切口部被形成在所述密封基板上。
由此，例如，在从密封基板侧向支承基板侧将支承基板以及密封基板一并切断时，由于在先被切断的密封基板侧设置有切口部，从而能够进一步减少密封基板与支承基板在接合面处剥离的情况。
应用例7
本应用例的物理量传感器的制造方法的特征在于，包括：准备传感器元件、被配置所述传感器元件的支承基板的母材和对所述传感器元件进行密封的密封基板的母材的工序；对所述支承基板的母材与所述密封基板的母材进行接合而形成接合体的工序；将所述接合体切断的工序，在所述准备的工序中所准备的所述支承基板的母材以及所述密封基板的母材中的至少一方上，以沿着进行切断的部位的方式而设置有凹部，在形成所述接合体的工序之前的工序中，包括在所述凹部中设置材料与所述密封基板的构成材料不同的填充材料的工序。
由此，例如在通过切割刀片，以在俯视观察接合体时与凹部重叠的方式而对接合体进行切断时，由于设置有凹部，从而能够使切割刀片不直接碰触到接合面。由此，能够避免因切断而产生的冲击施加于接合面上的情况。此外，通过设置填充材料，从而能够保护通过对凹部进行切断而获得的切口部。这样一来，能够减少支承基板与密封基板剥离的情况。因此，能够以较高的成品率而获得传感器元件通过支承基板以及密封基板而被密封了的可靠性较高的物理量传感器。
应用例8
本发明的电子设备的特征在于，具备本发明的物理量传感器。
由此，能够提供可靠性较高的电子设备。
应用例9
本发明的移动体的特征在于，具备本发明的物理量传感器。
由此，能够提供可靠性较高的移动体。
附图说明
图1为表示本发明的第一实施方式所涉及的物理量传感器的俯视图。
图2为表示图1所示的加速度检测元件(传感器元件)的俯视图。
图3为图2中的A-A线剖视图。
图4为图2中的B-B线剖视图。
图5为图3所示的加速度检测元件的局部放大剖视图。
图6为用于对图3所示的物理量传感器的制造方法进行说明的图。
图7为用于对图3所示的物理量传感器的制造方法进行说明的图。
图8为用于对图3所示的物理量传感器的制造方法进行说明的图。
图9为用于对图3所示的物理量传感器的制造方法进行说明的图。
图10为用于对图3所示的物理量传感器的制造方法进行说明的图。
图11为表示应用了本发明的电子设备的移动型(或笔记本型)的个人计算机的结构的立体图。
图12为表示应用了本发明的电子设备的移动电话(也包括PHS：PersonalHandy-phoneSystem，个人手持电话系统)的结构的立体图。
图13为表示应用了本发明的电子设备的数码照相机的结构的立体图。
图14为表示本发明的移动体的一个示例的立体图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的物理量传感器、物理量传感器的制造方法、电子设备以及移动体的优选的实施方式进行说明。
1.物理量传感器以及物理量传感器的制造方法
图1为表示本发明的第一实施方式所涉及的物理量传感器的俯视图。图2为表示图1所示的加速度检测元件(传感器元件)的俯视图。图3为图2中的A-A线剖视图。图4为图2中的B-B线剖视图。图5为图3所示的加速度检测元件的局部放大剖视图。图6至图10为用于对图3所示的物理量传感器的制造方法进行说明的图。
另外，在下文中，为了便于说明，将图1、图2中的纸面近前侧称为“上”，纸面纵深侧称为“下”，右侧称为“右”，左侧称为“左”。此外，在图1至图5中，作为互相正交的三个轴，而示出了X轴、Y轴以及Z轴。此外，在下文中，将与X轴平行的方向称为“X轴方向”，将与Y轴平行的方向(左右方向)称为“Y轴方向”，将与Z轴平行的方向(上下方向)称为“Z轴方向”。
物理量传感器
图1所示的物理量传感器1为本发明的物理量传感器的一个示例，且为能够对包含X轴方向的面内方向上的加速度进行检测的传感器。如图1至图4所示，该物理量传感器1具有：支承基板2；加速度检测元件(传感器元件)3，其被搭载于支承基板2上；导电图案4，其具有被形成在支承基板2上的配线41、42、43以及电极44、45、46；密封基板5，其以覆盖加速度检测元件3的方式而被接合于支承基板2上。
支承基板
支承基板2为对加速度检测元件3进行支承的部件。
如图3、图4所示，支承基板2的俯视观察形状呈四边形，支承基板2在俯视观察时的中央部处具有向上表面开口的凹部(开口)21。在凹部21上设置有加速度检测元件3，凹部21作为用于防止加速度检测元件3与支承基板2的接触的退让部而发挥作用。
支承基板2具有平板状的底部25以及被设置在底部25的上表面的外缘部的框状的侧壁部26，由此规定了凹部(开口)21。此外，如图2至图4所示，在侧壁部26的上表面上形成有多个槽22、23、24。槽22沿着凹部21的外周而设置，并且其一端延伸至侧壁部26的上表面的-X侧的外缘部。槽23在槽22的内侧沿着凹部21的外周而设置，并且其一端延伸至侧壁部26的-X侧的外缘部。槽24以直线状被设置在侧壁部26的-X侧的外缘部处。
这种支承基板2由例如含有钠(Na)或钾(K)等碱金属离子的玻璃材料(例如，Pyrex玻璃(注册商标)之类的硼硅酸玻璃)构成。另外，虽然在本实施方式中，支承基板2由含有碱金属离子的玻璃材料构成，但是支承基板2的构成材料并不限定于此。作为支承基板2的构成材料，例如也可以为陶瓷材料或硅材料。但是，在后文所述的加速度检测元件3的构成材料以硅材料为主要材料的情况下，支承基板2的构成材料优选为，以含有碱金属离子的玻璃材料设为主要成分。由此，能够对支承基板2与加速度检测元件3进行阳极接合，由此能够更牢固地将支承基板2与加速度检测元件3接合在一起。
加速度检测元件
如图2所示，加速度检测元件3具有：固定部31、32；连结部33、34；可动部35；具有多个可动电极指361的可动电极部36；具有多个第一固定电极指371的第一固定电极部37；以及具有多个第二固定电极指381的第二固定电极部38。另外，固定部31、32，连结部33、34，可动部35和可动电极部36被一体地形成。这种加速度检测元件3例如由掺杂有磷、硼等杂质的硅基板形成。
固定部31、32分别被阳极接合于支承基板2的侧壁部26的上表面上，固定部31、32以在俯视观察时隔着凹部21而相互对置的方式被设置在凹部21的外缘附近。由此，可动部35、连结部33、34以及可动电极部36分别以不与支承基板2接触的方式而被配置于凹部21上。
可动部35呈在X轴方向上延伸的长条状，并被设置在固定部31与固定部32之间。
连结部33将可动部35连结于固定部31上，连结部34将可动部35连结于固定部32上。这样的连结部33、34分别以能够使可动部35在X轴方向上位移的方式而被构成。连结部33由呈在Y轴方向上蜿蜒的同时在X轴方向上延伸的形状的两个梁331、332构成，连结部34由呈在Y轴方向上蜿蜒的同时在X轴方向上延伸的形状的两个梁341、342构成。
可动电极部36具有从可动部35延伸出的多个(在本实施方式中为10根)可动电极指361。这些可动电极指361分别被连接于可动部35上，并呈从可动部35向Y轴方向(+Y轴方向或-Y轴方向)延伸的长条状。此外，可动电极指361以呈梳齿状的方式而在X轴方向上以固定的间隔排列。
第一固定电极部37具有多个(在本实施方式中为8根)第一固定电极指371。这些第一固定电极指371分别被配置在可动电极指361的一侧(-X方向侧)，并以呈相对于所对应的可动电极指361隔开间隔而啮合的梳齿状的方式进行排列。这样的多个第一固定电极指371各自的一个端部作为固定端而被接合在支承基板2的侧壁部26的上表面上，另一个端部作为自由端而向可动部35侧延伸并位于凹部21上。
第二固定电极部38具有多个(在本实施方式中为8根)第二固定电极指381。这些第二固定电极指381分别被配置在可动电极指361的另一侧(+X方向侧)，并以呈相对于所对应的可动电极指361隔开间隔而啮合的梳齿状的方式进行排列。这样的多个第二固定电极指381各自的一个端部作为固定端而被接合在支承基板2的侧壁部26的上表面上，另一个端部作为自由端而向可动部35侧延伸并位于凹部21上。
导电图案
如图2所示，导电图案4具有配线41、42、43和电极44、45、46。如图1所示，上述电极44、45、46以在支承基板2的-X轴侧的外缘部处露出于外部的方式而配置。
配线41以沿着凹部21的外周的方式而被设置在形成于支承基板2上的槽22内。此外，配线41的一端与被设置在侧壁部26的-X轴侧的外缘部处的电极44电连接。此外，配线41经由具有导电性的多个突起(导电性凸点)47而与多个第一固定电极指371电连接。
配线42以在配线41的内侧且沿着凹部21的外周的方式而被设置在形成于支承基板2上的槽23内。此外，配线42的一端与被设置在侧壁部26的-X轴侧的外缘部处的电极45电连接。此外，配线42经由具有导电性的多个突起(导电性凸点)48而与多个第二固定电极指381电连接。
配线43以在侧壁部26的-X轴侧的外缘部以直线状延伸的方式而被设置在形成于支承基板2上的槽24内。此外，配线43的一端部与被设置在侧壁部26的-X轴侧的外缘部处的电极46电连接。此外，配线43经由具有导电性的突起(导电性凸点)49而与固定部31电连接。
另外，作为配线41、42、43以及电极44、45、46的构成材料，只要分别具有导电性则不被特别限定，能够使用各种电极材料。例如优选使用Au、Pt、Ag、Cu、Al等金属单体或含有这些金属单体的合金等金属。
这种结构的导电图案4能够通过电极44与电极46而对第一固定电极部37与可动电极部36之间的静电电容进行测量。此外，能够通过电极45和电极46而对第二固定电极部38与可动电极部36之间的静电电容进行测量。
密封基板
如图3以及图4所示，密封基板5的俯视观察形状呈四边形，密封基板5在俯视观察时的中央部处具有向下表面开放的凹部51。通过使该密封基板5接合在支承基板2上，从而由凹部51和凹部21形成了对加速度检测元件3进行收纳的收纳空间S。通过以该方式使密封基板5接合在支承基板2上，从而将加速度检测元件3气密性地收纳在收纳空间S内，由此，防止了来自外部的灰尘或水分等侵入到收纳空间S内的情况。
这种密封基板5例如由表面的面取向为(100)面的单晶硅基板构成，并且密封基板5与支承基板2通过阳极接合法而被接合。通过如上述那样使密封基板5与支承基板2被阳极接合，从而能够更牢固地将支承基板2与密封基板5接合在一起。因此，能够确保收纳空间S内的更高的气密性。
另外，虽然在本实施方式中，密封基板5如前文所述那样由单晶硅基板构成，但是密封基板5的构成材料并不限定于此。作为密封基板5的构成材料，例如也可以为陶瓷材料或玻璃材料等。但是，在支承基板2由含有碱金属离子的玻璃材料构成的情况下，密封基板5的结材成料优选为以硅材料为主要材料。由此，如前文所述的那样，由于能够对密封基板5和支承基板2进行阳极接合，因此能够更牢固地将密封基板5和支承基板2接合在一起。
此外，由于在本实施方式中，在密封基板5被接合于支承基板2上的状态下，收纳空间S的内外通过被形成在支承基板2上的槽22、23、24而连通，因此，虽然未进行图示，但是例如通过由树脂材料或氧化物等构成的密封材料而对槽22、23、24进行封堵。另外，根据在支承基板2上所形成的槽的结构或导电图案4的结构等，也可以不使用所述密封材料。
这种密封基板5具有平板状的顶部52和被设置于顶部52的下表面的外缘部的框状的侧壁部53，通过顶部52和侧壁部53而形成了凹部51。而且，密封基板5与支承基板2的接合在侧壁部53的作为下表面(第二面)的接合面531和侧壁部26的作为上表面(第一面)的接合面261处被实施。
更具体而言，如图1、图3以及图4所示，侧壁部53具有沿着X轴方向延伸的一对侧壁53a以及侧壁53b，以及连接侧壁53a以及侧壁53b的两端并沿着Y轴方向延伸的一对侧壁53c以及侧壁53d。而且，如图1、图3以及图4所示，侧壁53a的作为下表面(第二面)的接合面531a、侧壁53b的作为下表面(第二面)的接合面531b、侧壁53c的作为下表面(第二面)的接合面531c和侧壁53d的作为下表面(第二面)的接合面531d与支承基板2的接合面261接合。
在这种侧壁部53中的形成有支承基板2的电极44、45、46的一侧的侧壁53d以外的三个侧壁53a、53b、53c上，分别形成有倾斜面(切口)535(参照图1、图5)。
被设置在侧壁53a上的倾斜面535沿着侧壁53a的长边方向而被设置在侧壁53a的外侧的下端部，被设置在侧壁53b上的倾斜面535沿着侧壁53b的长边方向而被设置在侧壁53b的外侧的下端部，被设置在侧壁53c上的倾斜面535沿着侧壁53c的长边方向而被设置在侧壁53c的外侧的下端部。
另外，虽然以下对被设置在侧壁53a、53b、53c上的各倾斜面535及其周边的结构进行说明，但是由于被设置在侧壁53a、53b、53c上的各倾斜面535及其周边的结构相同，因此对被设置在侧壁53a上的倾斜面535及其周边的结构进行代表性说明。
如图5所示，倾斜面535连接侧壁53a的侧面与接合面531，并相对于接合面531以角度θ倾斜。另外，在本实施方式中，倾斜面535的角度θ为54.7°左右。
在此，通过倾斜面535和支承基板2的上表面中的作为与倾斜面535对置(对应)的部分的对置面262而形成了缺损部6。
在缺损部6中以几乎填埋缺损部6内部的方式而设置有填充材料7，填充材料7的外表面与密封基板5的侧面齐平。但是，在缺损部6的倾斜面535侧存在有若干的间隙61。
被设置在缺损部6中的填充材料7作为将对置面262与倾斜面535进行粘合的粘合材料而发挥作用。因此，填充材料7作为对接合面531与接合面261的接合进行加强的加强材料而发挥作用。由此，能够进一步提高支承基板2与密封基板5的接合强度。
作为填充材料7的构成材料，例如可列举出金属材料、玻璃材料等，其中优选为玻璃材料，特别优选为低熔点玻璃材料。由此，能够在不易产生支承基板2以及密封基板5的因热量而引起的变形的温度下，使填充材料7填充于缺损部6中，并且能够通过填充材料7而更牢固地将对置面262与倾斜面535接合在一起。
尤其在如本实施方式的那样，支承基板2由含有碱金属离子的玻璃材料构成，且密封基板5由硅基板构成的情况下，通过使填充材料7以低熔点玻璃材料为主要材料而被构成，从而能够通过填充材料7而进一步牢固地将倾斜面535与对置面262接合在一起。在此，低熔点玻璃材料是指玻璃化温度在600℃以下的玻璃材料。作为这种低熔点玻璃材料，具体而言，例如可列举有PbO-SiO2-B2O3或Na2O-P2O5-SiO2等。
以上，对物理量传感器1的结构进行了说明。这种物理量传感器以如下方式对X轴方向上的加速度进行检测。即，当向物理量传感器1施加了X轴方向上的加速度时，根据该X轴方向上的加速度的变化，加速度检测元件3的可动部35以及可动电极指361在使连结部33、34弹性变形的同时，如图2中的箭头标记a所示的那样在X轴方向(+X轴方向或-X轴方向)上进行位移。伴随着这种位移，可动电极指361与第一固定电极指371之间的间隙以及可动电极指361与第二固定电极指381之间的间隙的大小分别产生变化。由此，可动电极部36与第一固定电极部37之间的静电电容的大小以及可动电极部36与第二固定电极部38之间的静电电容的大小发生变化。根据上述的静电电容的变化，能够求出施加于物理量传感器1上的X轴方向上的加速度。
物理量传感器的制造方法
接下来，对物理量传感器1的制造方法(本发明的物理量传感器的制造方法)进行说明。
物理量传感器1的制造方法包括：[1]准备多个加速度检测元件3、用于形成支承基板2的第一基板20(支承基板2的母材)和用于形成密封基板5的第二基板50(密封基板5的母材)的工序；[2]对第一基板20与第二基板50进行接合而形成接合体10的接合体形成工序；[3]使用切割刀片而将接合体10切断从而进行单片化的切断工序。
[1]准备工序
首先，准备多个加速度检测元件3、第一基板20、第二基板50。
该准备工序包括：〈1-1〉准备多个加速度检测元件3、第一基板20的工序；〈1-2〉准备第二基板50的工序；〈1-3〉将填充材料7配置在第二基板50中的工序。
〈1-1〉
准备具有对置的两个主面201、202的第一基板20、多个加速度检测元件3。
具体而言，首先，如图6(a)所示那样，准备含有例如钠(Na)或钾(K)等碱金属离子的玻璃基板，并通过光刻技法以及蚀刻技法而进行图案形成，从而在玻璃基板上形成凹部21与槽22、23。此时，虽然在图6(a)中未进行图示，但是还以与上述相同的方式形成槽24。由此，能够获得多个支承基板2被一体形成的第一基板20。
接下来，通过在第一基板20的主面201上制作金属膜，并利用光刻技法以及蚀刻技法而对该金属膜进行图案形成，从而形成多个配线41、42。此时，虽然在图6(a)中未进行图示，但是还以与上述相同的方式形成配线43以及电极44、45、46。接下来，在配线42上形成多个突起(导电性凸点)48。此时，虽然在图6(a)中未进行图示，但是还在配线41上形成多个突起47(导电性凸点)，并在配线43上形成突起(导电性凸点)49。以此方式，在第一基板20上形成了导电图案4。
接下来，如图6(b)所示那样，将硅基板30阳极接合于第一基板20的一个主面201上。另外，在对硅基板30进行了阳极接合之后，也可以根据需要，利用例如CMP(ChemicalMechanicalPolishing：化学机械抛光)法、干式抛光法而使硅基板30薄壁化。此外，硅基板30与第一基板20的接合并不限定于阳极接合，例如也可以为使用粘合材料的接合等。但是，能够通过对硅基板30与第一基板20进行阳极接合，从而进一步提高硅基板30与第一基板20的接合强度。
接下来，如图6(c)所示那样，通过利用光刻技法以及蚀刻技法而对硅基板30进行图案形成，从而与凹部21对应地形成加速度检测元件3。
以此方式，能够获得第一基板20和以在俯视观察时与凹部21重叠的方式而被配置于第一基板20上的多个加速度检测元件3。
〈1-2〉
接下来，准备用于形成密封基板5的第二基板50(密封基板5的母材)。
具体而言，首先，如图7(a)所示那样，准备例如对置的两个主面501以及主面502的面取向为(100)面的单晶硅基板50’。
接下来，如图7(b)所示那样，在水蒸气气氛下以1100℃左右对硅基板50’进行加热处理，从而在硅基板50’的整个面上形成厚度为1μm的热氧化膜(SiO2膜)，之后，通过光刻技法而对所述热氧化膜进行图案形成。由此，在硅基板50’的整个面上形成掩膜M。该掩膜M在主面501侧，并于在俯视观察时与凹部51和槽(凹部)520对应的位置处开口。另外，槽520为，经过后续的工序而形成缺损部6的部分。
接下来，如图7(c)所示那样，通过例如KOH(氢氧化钾)水溶液等碱性的蚀刻液而隔着掩膜M对硅基板50’进行湿蚀刻。由此，在硅基板50’上形成凹部51与槽520。此后，通过例如氟酸水溶液等而实施湿蚀刻，从而去除掩膜M。由此，如图8所示那样，能够获得一体形成有多个密封基板5的第二基板50。
如图8所示，在第二基板50上所形成的槽520(更具体而言为槽520的顶部522)以在俯视观察第二基板50时与第二基板50的切断预定部50X重叠的方式而被形成。另外，切断预定部50X为，在后续的切断工序中使用例如切割刀片而被切断的部分。
此外，槽520由一对(两个)倾斜面535’形成。一对倾斜面535’的长度L大致相等，并且一对倾斜面535’相连接的部分构成了顶部522。因此，如图8所示那样，槽520的截面形状呈三角形(更具体而言为等腰三角形)。
此外，多个倾斜面535’分别相对于第二基板50的主面501以角度θ而倾斜。角度θ为主面501与倾斜面535’所成的角度θ，在本实施方式中，角度θ为54.7°左右。
倾斜面535’以此方式倾斜的原因在于，由单晶硅基板构成的第二基板50因其结晶各向异性，从而与面取向(100)相比，面取向(111)的面的蚀刻速度较慢。由于第二基板50由主面501的面取向为(100)的单晶硅基板构成，因此通过以上述方式实施湿蚀刻(各向异性蚀刻)，从而形成相对于主面501而倾斜的倾斜面535’。
此外，倾斜面535’通过第二基板50在后续的工序中被切断，从而成为密封基板5所具有的倾斜面535。因此，通过如前述那样使用主面501的面取向为(100)的第二基板50，并对其进行湿蚀刻，从而能够容易地形成相对于主面501而倾斜的倾斜面535。
〈1-3〉
接下来，如图9所示那样，将由例如低熔点玻璃材料构成的固体状的填充材料7配置在被形成于第二基板50上的槽520内。如此，在接下来的接合体形成工序之前，预先将填充材料7配置在槽520内。
作为被配置在槽520内的填充材料7，使用截面形状为圆形形状的玻璃棒。另外，填充材料7的截面形状并不限定于圆形形状，例如，截面形状也可以为三角形或四边形等多边形形状等。但是，截面形状为圆形形状的填充材料7由于易入手，此外易于配置在槽520内，并且在槽520内的稳定性优异，故而为优选。
此外，本工序中的填充材料7优选使用被收纳在槽520内的尺寸的材料。即，优选使用在将填充材料7配置在槽520内的状态下，在侧面观察第二基板50时填充材料7不从主面501突出的尺寸的材料。由此，能够避免在接下来的[2]接合体形成工序中，将第一基板20与第二基板50接合在一起时，填充材料7妨碍两者的接合的情况，即，填充材料7介于第一基板20与第二基板50被直接接合的部分处的情况。
以上，对准备工序进行了说明。另外，虽然在前文所述的说明中，在准备了第一基板20与加速度检测元件3之后准备第二基板50，但是也可以在准备了第二基板50之后准备第一基板20与加速度检测元件3，还可以同时准备这些元件。
[2]接合体形成工序
接下来，对第一基板20与第二基板50进行接合而形成接合体10。
具体而言，首先如图10(a)所示那样，以使一个凹部21与一个凹部51对应的方式而将第二基板50配置在第一基板20上。由此，成为如下状态，即，加速度检测元件3被配置在由凹部21与凹部51形成的空间内，并且填充材料7被配置在槽520内(更具体而言为，由主面201与槽520形成的空间内)的状态。
接下来，如图10(b)所示那样，使第一基板20的主面201与第二基板50的主面501升温，并在达到了预定温度(例如，400℃左右)时，向第一基板20以及第二基板50双方施加预定的电压(例如，800V左右)。由此，将第一基板20以及第二基板50阳极接合。此后，停止向第一基板20以及第二基板50的电压施加，此外，对第一基板20以及第二基板50进行降温。由此，第一基板20与第二基板50在主面201与主面501处被接合，由此，形成了接合面531与接合面261。
此外，通过所述阳极接合的时的热量而使填充材料7在槽520内熔融。由此，填充材料7成为液体状并发生变形，且向槽520内濡湿扩散。然后，通过所述阳极接合后的降温而使填充材料7在槽520内固化。由此，填充材料7在槽520内将第一基板20与第二基板50粘合在一起。另外，在槽520内的第二基板50侧形成有若干的间隙61’。
此外，虽然未进行图示，但是在以上述方式而将第一基板20与第二基板50接合在一起之后，通过由例如树脂材料等构成的密封材料而对与外部连通的槽22、23、24进行密封。另外，该槽22、23、24的密封也可以根据第一基板20或第二基板50的结构等而被省略。
以此方式，能够获得如图10(b)所示的第一基板20与第二基板50接合而成的接合体10。
[3]切断工序
接下来，如图10(c)所示那样，例如使用切割刀片82而从第二基板50侧的主面502侧对接合体10进行切断并形成切割痕81。切割痕81的一部分以在俯视观察时与槽520重叠的方式而形成。以此方式，通过使接合体10单片化，从而能够获得如图3所示的物理量传感器1。
在使用切割刀片82而对接合体10进行切断时，如前文所述的那样，由于在第二基板50上设置有槽520，因此通过以在俯视观察时与槽520重叠的方式对接合体10进行切断，从而能够使切割刀片82不直接碰触到接合面531、261。因此，能够避免由切断产生的冲击施加于接合面531、261上的情况。此外，通过在槽520内设置填充材料7，从而能够通过填充材料7来保护因槽520被切断而形成的倾斜面(切口)535和接合面531、261。这样一来，能够减少因所述冲击而使接合面531、261的接合强度降低，由此使第一基板20与第二基板50剥离的情况。此外，虽然当未在槽520内设置填充材料7从而槽520内为空洞时，有时会在对接合体10进行切断时于第一基板20或第二基板50上产生缺口，即容易产生豁口，但是在本实施方式中，由于在槽520内设置有填充材料7，因此能够减少豁口的产生。此外，虽然当产生豁口时，存在以缺口的位置为中心而产生接合面531、261处的剥离的可能，但是根据本实施方式，也不会产生这种问题。这样一来，能够以较高的成品率而获得加速度检测元件3通过支承基板2以及密封基板5而被密封了的可靠性较高的物理量传感器。
此外，虽然在本实施方式中，在槽520内的顶部522侧设置有若干的间隙61’，但是如前述的那样，由于以几乎填埋槽520内部的方式而设置有填充材料7，因此能够减少如前文所述那样的豁口的产生。另外，虽然通过对接合体10进行切断从而可从间隙61’获得图5所示的间隙61，但是也可以在对接合体10进行了切断之后，向间隙61中进一步追加填充材料7，从而通过填充材料7而对整个间隙61进行填充。由此，能够进一步提高支承基板2与密封基板5的接合强度。
此外，从前文所述的使切割刀片82不易直接碰触到接合面531、261的观点出发，优选为，在所述准备工序中，槽520以其宽度W大于切割刀片82的宽度W1的方式而形成(参照图8)。具体而言，在将槽520的宽度设为W[μm]，将切割刀片82的宽度设为W1[μm]时，宽度W与宽度W1的关系例如优选为，200[μm]＜W-W1＜1000[μm]，更优选为150[μm]＜W-W1＜500[μm]。由此，能够更可靠地避免切割刀片82直接碰触到接合面531、261的情况。此外，能够抑制接合面531、261彼此的接合面积变小的情况。
另外，虽然如前文所述的那样，槽520的宽度W优选为，大于切割刀片82的宽度W1，但也可以小于切割刀片82的宽度W1。
在槽520的宽度W不充分大于切割刀片82的宽度W1的情况下，通过对槽520中的与接合面531、261相反的一侧的部分进行切断，从而能够更加可靠地避免第一基板20与第二基板50剥离的情况。
此外，如前文所述的那样，接合面531与接合面261被阳极接合，另一方面，在槽520内，倾斜面535’彼此通过填充材料7而被粘合。通过以此方式使接合面531与接合面261阳极接合，从而能够进一步减少接合面531与接合面261因冲击而发生剥离的情况。
此外，通过将倾斜面535’设置在先于第一基板20而被切断的第二基板50侧，从而能够进一步减少接合面531与接合面261因冲击而发生剥离的情况。
此外，通过以在俯视观察时(从Z轴方向进行观察时)，倾斜面535位于对加速度检测元件3进行包围的支承基板2与密封基板5的接合面531、261的外侧的方式而对槽520进行设置，从而能够进一步减少接合面531与接合面261因切断时的冲击而发生剥离的情况。
以上，对物理量传感器1的制造方法进行了说明。另外，虽然如前文所述那样，在本实施方式的物理量传感器1中，在密封基板5上设置了倾斜面535，但是也可以不在密封基板5上设置倾斜面535，取而代之在支承基板2上设置倾斜面，也可以在密封基板5与支承基板2双方上分别设置倾斜面。在这些情况下，也如前文所述的那样，能够减少第一基板20以及第二基板50因对第一基板20以及第二基板50进行切断所产生的冲击而发生剥离的情况。但是，如前文所述那样，优选为，在第一基板20以及第二基板50中的起始切断的一侧的基板(在本实施方式中为密封基板5)上设置有倾斜面。由此，能够更有效地减少接合面531与接合面261因冲击而发生剥离的情况。
此外，虽然在密封基板5上设置有三个倾斜面535，但是倾斜面535的数量并不被特别限定。此外，第二基板50的槽520的数量也不被限定。槽520只需被设置在对第二基板50进行切断的位置处即可。
此外，虽然在前文所述的说明中，切口由倾斜面535构成，但是切口也可以不由倾斜的面构成。例如，也可以由相对于X-Y平面而平行的面和与之正交的面形成。此外，虽然在前文所述的说明中，槽(凹部)520由两个倾斜面535’形成，但是槽(凹部)520也可以不由倾斜的面形成。例如，槽520的截面形状也可以呈四边形形状。在这种情况下也能够获得与设置倾斜面535而产生的效果相同的效果。
2.电子设备
接下来，根据图11至图13而对使用了本发明的物理量传感器的电子设备(本发明的电子设备)进行详细说明。
图11为表示应用了具备本发明的物理量传感器的移动型(或笔记本型)的个人计算机的结构的立体图。在该图中，个人计算机1100由具备键盘1102的主体部1104和具备显示部2000的显示单元1106构成，显示单元1106经由铰链结构部而以能够相对于主体部1104进行转动的方式被支承。在这种个人计算机1100中内置有作为滤波器、谐振器、基准时钟等而发挥功能的物理量传感器1。
图12为表示应用了具备本发明的物理量传感器的移动电话(也包括PHS)的结构的立体图。在该图中，移动电话1200具备多个操作按钮1202、听筒1204以及话筒1206，并且在操作按钮1202与听筒1204之间配置有显示部2000。在这种移动电话1200中内置有作为滤波器、谐振器等而发挥功能的物理量传感器1。
图13为表示应用了具备本发明的物理量传感器的数码照相机的结构的立体图。另外，该图中还简单地图示了与外部设备之间的连接。在此，通常的照相机通过被摄物体的光学图像而使银盐感光胶片感光，与此相对，数码照相机1300通过CCD(ChargeCoupledDevice：电荷耦合装置)等摄像元件而对被摄物体的光学图像进行光电变换，从而生成摄像信号(图像信号)。
在数码照相机1300的壳体(机身)1302的背面上设置有显示部2000，并且成为根据由CCD产生的摄像信号来进行显示的结构，显示部2000作为将被摄物体显示为电子图像的取景器而发挥功能。此外，在壳体1302的正面侧(图中背面侧)设置有包括光学镜片(摄像光学系统)与CCD等在内的受光单元1304。
当摄影者对被显示在显示部上的被摄物体图像进行确认并按下快门按钮1306时，该时间点的CCD的摄像信号被传输并存储于存储器1308中。此外，在该数码照相机1300中，在壳体1302的侧面上设置有影像信号输出端子1312和数据通信用的输入输出端子1314。而且，如图所示，根据需要而在影像信号输出端子1312上连接有影像监视器1430，在数据通信用的输入输出端子1314上连接有个人计算机1440。而且，成为如下的结构，即，通过预定的操作而使被存储于存储器1308中的摄像信号向影像监视器1430或个人计算机1440输出的结构。在这种数码照相机1300中内置有作为滤波器、谐振器等而发挥作用的物理量传感器1。
另外，具备本发明的物理量传感器的电子设备除了能够应用于图11中的个人计算机(移动型个人计算机)、图12中的移动电话、图13中的数码照相机中之外，还能够应用于如下的装置中，例如，喷墨式喷出装置(例如喷墨打印机)、膝上型个人计算机、电视机、摄像机、录像机、车辆导航装置、寻呼机、电子记事本(也包括附带通信功能的产品)、电子词典、电子计算器、电子游戏设备、文字处理器、工作站、可视电话、防盗用视频监控器、电子双筒望远镜、POS(PointofSale：销售点)终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图测量装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测量设备、计量仪器类(例如，车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器等。
3.移动体
接下来，根据图14对应用了本发明的物理量传感器的移动体(本发明的移动体)进行详细说明。
图14为表示应用了本发明的移动体的汽车的立体图。在该图中，汽车1500具有车身1501与四个车轮1503，并被构成为，通过被设置在车身1501中的未图示的动力源(发动机)而使车轮1503进行旋转。
在这种汽车1500内置有物理量传感器1。通过物理量传感器元件1，能够对车身1501的姿态或移动方向进行检测。物理量传感器元件1的检测信号向车身姿态控制装置1502被供给，车身姿态控制装置1502能够根据该信号而对车身1501的姿态进行检测，并根据检测结果而对悬架的软硬进行控制或对各个车轮1503的制动器进行控制。
另外，具备本发明的物理量传感器的移动体不限定于汽车，例如也能够被应用于摩托车、列车等其他的车辆、飞机、船舶、宇宙飞船、双足步行机器人或无线电遥控直升飞机等中。
以上，虽然根据图示的实施方式而对本发明的物理量传感器、物理量传感器的制造方法、电子设备以及移动体进行了说明，但是本发明并不限定于此，各部分的结构能够置换为具有相同的功能的任意结构。此外，本发明也可以追加其他的任意的构成物。此外，也可以对各实施方式进行适当组合。
虽然在前文所述的本实施方式中，对使用了加速度检测元件以作为本发明的物理量传感器所具备的传感器元件的一个示例的情况进行了说明，但是作为传感器元件，并不被特别地限定，例如，也能够应用于角速度检测元件等中。此外，作为传感器元件，也能够应用于例如，H型音叉、双脚音叉、三脚音叉等各种角速度检测元件中。
符号说明
1…物理量传感器；10…接合体；2…支承基板；21…凹部；22、23、24…槽；25…底部；26…侧壁部；261…接合面；262…对置面；20…第一基板201、202…主面；3…加速度检测元件；31、32…固定部；33…连结部；331、332…梁；34…连结部；341、342…梁；35…可动部；36…可动电极部；361…可动电极指；37…第一固定电极部；371…第一固定电极指；38…第二固定电极部；381…第二固定电极指；30…硅基板；4…导电图案；41、42、43…配线；44、45、46…电极；47、48、49…突起(导电性凸点)；5…密封基板；50X…切断预定部；51…凹部；52…顶部；522…顶部；53…侧壁部；53a、53b、53c、53d…侧壁；531…接合面；531a、531b、531c、531d…接合面；535、535’、535a、535b、535c…倾斜面；50…第二基板；50’…单晶硅基板；501、502…主面；520…槽；6…缺损部；61…间隙；61’间隙；7…填充材料；81…切割痕；82…切割刀片；1100…个人计算机；1102…键盘；1104…主体部；1106…显示单元；1200…移动电话；1202…操作按钮；1204…听筒；1206…话筒；1300…数码照相机；1302…壳体；1304…受光单元；1306…快门按钮；1308…存储器；1312…影像信号输出端子；1314…输入输出端子；1430…影像监视器；1440…个人计算机；1500…汽车；1501…车身；1502…车身姿态控制装置；1503…车轮；2000…显示部；a…箭头标记；L…宽度；M…掩膜；S…收纳空间；W、W1…宽度；θ…角度。

Claims (9)

1.一种物理量传感器，其特征在于，具有：
支承基板；
传感器元件，其被搭载于所述支承基板上；
密封基板，其被接合于所述支承基板上，并用于对所述传感器元件进行密封，
在所述支承基板以及所述密封基板中的至少一方上，于所述支承基板以及所述密封基板的接合面的一部分处形成有切口部，
在所述切口部中设置有由与构成所述密封基板的材料不同的材料构成的填充材料。
2.如权利要求1所述的物理量传感器，其中，
所述填充材料含有低熔点玻璃材料。
3.如权利要求1所述的物理量传感器，其中，
所述密封基板含有硅材料。
4.如权利要求1所述的物理量传感器，其中，
所述支承基板含有玻璃材料。
5.如权利要求1所述的物理量传感器，其中，
所述切口部相对于所述接合面而被设置在外侧。
6.如权利要求1所述的物理量传感器，其中，
所述切口部被形成在所述密封基板上。
7.一种物理量传感器的制造方法，其特征在于，包括：
准备传感器元件、被配置所述传感器元件的支承基板的母材和对所述传感器元件进行密封的密封基板的母材的工序；
对所述支承基板的母材与所述密封基板的母材进行接合而形成接合体的工序；
将所述接合体切断的工序，
在所述准备的工序中所准备的所述支承基板的母材以及所述密封基板的母材中的至少一方上，以沿着进行切断的部位的方式而设置有凹部，
在形成所述接合体的工序之前的工序中，包括在所述凹部中设置材料与所述密封基板的构成材料不同的填充材料的工序。
8.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1所述的物理量传感器。
9.一种移动体，其特征在于，
具备权利要求1所述的物理量传感器。
CN201510766226.7A 2014-11-12 2015-11-11 物理量传感器及其制造方法、电子设备以及移动体 Pending CN105584987A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-229559 2014-11-12
JP2014229559A JP2016095143A (ja) 2014-11-12 2014-11-12 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105584987A true CN105584987A (zh) 2016-05-18

Family

ID=55911679

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510766226.7A Pending CN105584987A (zh) 2014-11-12 2015-11-11 物理量传感器及其制造方法、电子设备以及移动体

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9695041B2 (zh)
JP (1) JP2016095143A (zh)
CN (1) CN105584987A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108169516A (zh) * 2016-12-07 2018-06-15 精工爱普生株式会社 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备及移动体
CN108249385A (zh) * 2018-01-15 2018-07-06 烟台艾睿光电科技有限公司 一种mems封装焊接组件
CN109928358A (zh) * 2017-11-29 2019-06-25 台湾积体电路制造股份有限公司 用于形成半导体器件结构的接合工艺
CN110553634A (zh) * 2018-05-31 2019-12-10 精工爱普生株式会社 物理量传感器及其制造方法、复合传感器及惯性测量单元
CN110595456A (zh) * 2018-06-13 2019-12-20 精工爱普生株式会社 物理量传感器、复合传感器、惯性测量单元、电子设备及移动体
CN110877893A (zh) * 2018-09-06 2020-03-13 三菱电机株式会社 物理量检测传感器的制造方法、物理量检测传感器
CN114166196A (zh) * 2020-09-11 2022-03-11 精工爱普生株式会社 电子器件的制造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105319392A (zh) * 2014-07-31 2016-02-10 精工爱普生株式会社 物理量传感器及其制造方法、电子设备及移动体
JP2017053742A (ja) * 2015-09-10 2017-03-16 セイコーエプソン株式会社 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器、および移動体
WO2018107357A1 (en) 2016-12-13 2018-06-21 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Method and apparatus for antenna performance evaluation as well as base station
JP6816603B2 (ja) 2017-03-27 2021-01-20 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、電子機器、および移動体
EP4292977A1 (en) * 2022-06-13 2023-12-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Microelectomechanical element and a method for manufacturing it

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101362586A (zh) * 2008-09-16 2009-02-11 北京大学 一种mems密封封装方法
CN102025335A (zh) * 2009-09-16 2011-04-20 日本电波工业株式会社 压电振动装置以及压电振动装置的制造方法
US7943489B2 (en) * 2008-09-25 2011-05-17 Texas Instruments Incorporated Bonded wafer assembly system and method
CN102538830A (zh) * 2010-11-04 2012-07-04 精工爱普生株式会社 功能元件及其制造方法、物理量传感器以及电子设备
CN102874739A (zh) * 2012-10-10 2013-01-16 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 自锁圆片键合结构及制作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100575363B1 (ko) 2004-04-13 2006-05-03 재단법인서울대학교산학협력재단 미소기계소자의 진공 실장방법 및 이 방법에 의해 진공실장된 미소기계소자
JP4619201B2 (ja) * 2005-06-01 2011-01-26 三菱電機株式会社 ウェハレベル気密パッケージの製造方法および気密パッケージ
JP4793496B2 (ja) 2009-04-06 2011-10-12 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
JP5392296B2 (ja) 2009-04-06 2014-01-22 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
JP2011245587A (ja) 2010-05-26 2011-12-08 Toyota Motor Corp Ｍｅｍｓデバイス及びそれに用いるキャップ基板の製造方法
JP6095301B2 (ja) * 2012-09-03 2017-03-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101362586A (zh) * 2008-09-16 2009-02-11 北京大学 一种mems密封封装方法
US7943489B2 (en) * 2008-09-25 2011-05-17 Texas Instruments Incorporated Bonded wafer assembly system and method
CN102025335A (zh) * 2009-09-16 2011-04-20 日本电波工业株式会社 压电振动装置以及压电振动装置的制造方法
CN102538830A (zh) * 2010-11-04 2012-07-04 精工爱普生株式会社 功能元件及其制造方法、物理量传感器以及电子设备
CN102874739A (zh) * 2012-10-10 2013-01-16 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 自锁圆片键合结构及制作方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108169516A (zh) * 2016-12-07 2018-06-15 精工爱普生株式会社 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备及移动体
CN108169516B (zh) * 2016-12-07 2022-01-25 精工爱普生株式会社 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备及移动体
CN109928358B (zh) * 2017-11-29 2021-12-31 台湾积体电路制造股份有限公司 用于形成半导体器件结构的接合工艺
CN109928358A (zh) * 2017-11-29 2019-06-25 台湾积体电路制造股份有限公司 用于形成半导体器件结构的接合工艺
CN108249385A (zh) * 2018-01-15 2018-07-06 烟台艾睿光电科技有限公司 一种mems封装焊接组件
CN110553634A (zh) * 2018-05-31 2019-12-10 精工爱普生株式会社 物理量传感器及其制造方法、复合传感器及惯性测量单元
CN110553634B (zh) * 2018-05-31 2024-01-12 精工爱普生株式会社 物理量传感器及其制造方法、复合传感器及惯性测量单元
CN110595456A (zh) * 2018-06-13 2019-12-20 精工爱普生株式会社 物理量传感器、复合传感器、惯性测量单元、电子设备及移动体
CN110595456B (zh) * 2018-06-13 2023-12-12 精工爱普生株式会社 物理量传感器、复合传感器、惯性测量单元、电子设备及移动体
CN110877893A (zh) * 2018-09-06 2020-03-13 三菱电机株式会社 物理量检测传感器的制造方法、物理量检测传感器
CN110877893B (zh) * 2018-09-06 2024-01-09 三菱电机株式会社 物理量检测传感器的制造方法、物理量检测传感器
CN114166196A (zh) * 2020-09-11 2022-03-11 精工爱普生株式会社 电子器件的制造方法
CN114166196B (zh) * 2020-09-11 2024-01-09 精工爱普生株式会社 电子器件的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016095143A (ja) 2016-05-26
US20160130135A1 (en) 2016-05-12
US9695041B2 (en) 2017-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105584987A (zh) 物理量传感器及其制造方法、电子设备以及移动体
US9247664B2 (en) Electronic device and manufacturing method thereof, electronic apparatus, and moving body
US9383383B2 (en) Physical quantity sensor, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
US9038463B2 (en) Electronic device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
US9470703B2 (en) Physical quantity sensor and electronic apparatus
US9073744B2 (en) Physical quantity sensor and electronic apparatus
JP6787304B2 (ja) 物理量センサー、複合センサー、慣性計測ユニット、携帯型電子機器、電子機器、および移動体
CN107010588A (zh) 物理量传感器以及物理量传感器的制造方法
JP6206650B2 (ja) 機能素子、電子機器、および移動体
US20130276536A1 (en) Gyro sensor and electronic apparatus
CN104807453B (zh) 功能元件、电子器件、电子设备和移动体
JP5999298B2 (ja) 電子デバイスおよびその製造方法、並びに、電子機器
JP6582501B2 (ja) 振動素子、振動子、電子機器および移動体
JP2016099224A (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2016044978A (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
CN103575429A (zh) 振动片、电子装置以及电子设备
CN105987688A (zh) 角速度检测元件、角速度检测装置、电子设备以及移动体
JP6989046B2 (ja) 角速度センサー、慣性計測装置、移動体測位装置、携帯型電子機器、電子機器、および移動体
CN106017448A (zh) 角速度检测元件、角速度检测装置、电子设备以及移动体
CN109540119A (zh) 物理量传感器和传感器器件、电子设备、便携式电子设备及移动体
JP6464608B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2016130646A (ja) ジャイロ素子、ジャイロ素子の製造方法、ジャイロセンサー、電子機器および移動体
JP7052345B2 (ja) 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、複合センサー、慣性計測ユニット、携帯型電子機器、電子機器、および移動体
JP6307935B2 (ja) 機能デバイスの製造方法
CN104836545A (zh) 振动元件及其制造方法、电子装置、电子设备、移动体

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160518