CN101981716B - 发光器件封装 - Google Patents

发光器件封装 Download PDF

Info

Publication number
CN101981716B
CN101981716B CN200980111133.3A CN200980111133A CN101981716B CN 101981716 B CN101981716 B CN 101981716B CN 200980111133 A CN200980111133 A CN 200980111133A CN 101981716 B CN101981716 B CN 101981716B
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
lead
wire electrode
packaging body
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN200980111133.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101981716A (zh
Inventor
朴准奭
金完镐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN101981716A publication Critical patent/CN101981716A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101981716B publication Critical patent/CN101981716B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Abstract

提供一种发光器件封装。该发光器件封装包括：封装体，其包括第一腔和连接到第一腔的第二腔；第一引线电极，其至少一部分布置在第二腔内；第二引线电极，其至少一部分布置在第一腔内；发光器件，其布置在第二腔内；第一布线，其布置在第二腔内，第一布线将发光器件电连接到第一引线电极；和第二布线，其将发光器件电连接到第二引线电极。

Description

发光器件封装
技术领域
本发明的实施例涉及一种发光器件封装。
背景技术
III-V族氮化物半导体，由于其良好的物理和化学性质，作为用于诸如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等这样的发光器件的核心材料，已经成为公众注意的中心。III-V族氮化物半导体是由具有化学式InxAlyGa1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料构成的。LED是一种利用化合物半导体的特性将电能转换成红外射线或光以传送和接收信号的半导体器件，并且其用作光源。
由氮化物半导体材料制成的LED或LD广泛用于发光器件中以获得光，并且用作各种产品的光源，例如，手机键盘的发光部分、电信号板和发光器件。
发明内容
技术问题
实施例提供一种发光器件封装，其中布线和发光器件布置在一个腔内。
实施例提供一种发光器件封装，其中发光器件和一个布线布置于在腔内布置的荧光体层中。
实施例提供一种发光器件封装，其中通过多层腔的一个腔形成引线电极。
实施例提供一种发光器件封装，其中至少一个引线电极暴露于封装体的底表面。
技术方案
实施例提供一种发光器件封装，包括：封装体，其包括第一腔和连接到第一腔的第二腔；第一引线电极，其至少一部分布置在第二腔内；第二引线电极，其至少一部分布置在第一腔内；发光器件，其布置在第二腔内；第一布线，其布置在第二腔内，第一布线将发光器件电连接到第一引线电极；和第二布线，其将发光器器件电连接到第二引线电极。
实施例提供一种发光器件封装，包括：封装体，其包括具有开放上部的第一腔和连接第一腔的第二腔；第一引线电极，第一引线电极的第一部分在第二腔内沿着封装体的底部延伸，且第一引线电极的第二部分沿着第一腔的下部延伸；布置在第一腔内的第二引线电极的一部分；和发光器件，布置在第一引线电极上。
实施例提供一种发光器件封装，包括：封装体，其包括具有开放上部的第一腔和在下部连接到第一腔的第二腔；第一引线电极，其具有使第二腔成为杯状的一部分，第一引线电极从封装体向第一方向延伸；第二引线电极，其具有暴露于第一腔的表面；发光器件，其布置在第二腔内；第一布线，其将第一引线电极电连接到发光器件且布置在第二腔内；和荧光体层，其布置在第二腔内。
有益效果
根据本实施例，可以最小化发光器件封装的白光的色坐标分布(color-coordinate distribution)。
根据本实施例，该发光器件封装可以提高白光的色坐标产率。
根据本实施例，可以提高色坐标产率，并且可以有效辐射热量以提高发光器件封装的可靠性。
附图说明
图1是根据第一实施例的发光器件封装的平面图。
图2是沿着图1的线A-A的侧截面图。
图3是沿着图1的线B-B的侧截面图。
图4是根据第二实施例的发光器件封装的平面图。
图5是根据第三实施例的发光器件封装的平面图。
图6是根据第四实施例的发光器件封装的平面图。
图7是根据第五实施例的发光器件封装的平面图。
图8是根据第六实施例的发光器件封装的平面图。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的实施例，附图中示出实施例的实例。在该描述中，附图中各层的尺寸和厚度是作为例子示出的，因此，并不限于此。
图1是根据第一实施例的发光器件封装的平面图。图2是沿着图1的线A-A的侧截面图，图3是沿着图1的线B-B的侧截面图。
参考图1至3，发光封装100包括封装体110、第一腔112、第二腔115、引线电极121和123、发光器件130、荧光体层140和树脂层150。
封装体110可以包括印刷电路板(PCB)型基板、陶瓷型基板和引线框型基板中的一种。封装体110可以具有利用树脂材料的注模结构或叠层结构，但并不限于此。在下文中，为了方便描述，在下面的实施例中将描述引线框型结构作为实例。封装体110可以利用树脂材料(例如，聚邻苯二甲酰胺(PPA))或具有高反射特性的材料整体注模。
封装体110可以由诸如聚碳酸酯(PC)和PPA这样的树脂材料、硅材料或陶瓷材料形成。封装体110可以具有注模结构或叠层结构。
多个引线电极121和123布置在封装体110上。引线电极121和123可以包括PCB型电极、陶瓷型电极、引线框型电极和通孔型电极中的至少一种。在下文中，为了方便描述，将在下面的实施例中描述引线框型电极作为实例。
第一腔112和第二腔115形成在封装体110中。第一腔112具有开放的上部，且第二腔115被限定在第一腔112下方的预定位置。如所示的，第一腔112的底部的一部分右其中心部分具有开口的封装体的环形表面限定。
第一腔112的表面可以是圆形、多边形、椭圆形或任何其他形状，并且第一腔112可以具有预定的深度。第一腔112的周边面可以垂直于其底表面，或以预定的角度向外(或向内)倾斜。
在限定第一腔底部的封装体环形表面的中心部分中的第一腔112的中心部分的下面，大约在图1的线B-B上，形成第二腔115，但并没有要求一定这样。第二腔115的尺寸可以比第一腔112的尺寸小。第二腔115的表面可以是圆形、椭圆形、多边形或其它形状。第二腔115具有比第一腔112小的直径，以及具有预定的深度。这里，第一和第二腔112和115可以具有相同的表面构造，例如，具有圆形或多边形的反射杯，但是反射杯的形状并不限于此。
如图1所示，第二腔115位于封装体110的大约中心部分中。相对于图1中的线B-B，第二腔115近似对开。其中，提到关于线B-B的第一腔112的第一侧，包含第二引线电极123的一部分和第一引线电极121的一部分。关于线B-B的与第一侧相对的第一腔112的一侧可以称为第二侧，其包含第一引线电极121，但是不包含第二引线电极123。第二腔115横跨第一腔112的第一侧和第二侧。
第二腔115包含一部分第一引线电极121，使得第一引线电极121具有使第二腔115成为杯状的部分。通过全部覆盖第二腔115的侧面和底部，而没有覆盖暴露的顶部，第一引线电极121的这一部分使第二腔115成杯状。
第一引线电极121从第一腔112的底表面的一侧向其另一侧延伸。第二腔115被限定在第一腔112的一侧和另一侧之间，且具有预定的深度。第一引线电极121形成在第一腔112底表面的一侧上，即，第一腔112的底表面的一侧的整个面上或大半个面上。
在第一腔112的另一侧，第一引线电极121与第二引线电极123间隔开。
第一引线电极121限定了第二腔115的底表面和周边面。也就是说，第一引线电极121形成第二腔115。
通过第一引线电极121形成的第二腔115可以具有器皿形或杯形，该器皿形或杯形具有平滑的曲率。在封装体110的底表面111中，第一引线电极121可以与第二腔115的周边面相垂直或倾斜。
第一引线电极121可以具有另一端P1，该端P1暴露于封装体110的一侧，且从封装体110向下弯曲或向封装体110的底表面弯曲。第一引线电极121的另一端P1可以用作外部电极。
参考图2，一部分第一引线电极121沿着第二腔115的底表面和周边面构成或形成，并且第二腔115的底表面121A布置在封装体110的底表面111上，但并没有要求一定这样。在第二腔115内，第一引线电极121布置在发光器件130下方。从发光器件130传播的热量可以通过第一引线电极121的底表面向外辐射。因此，通过第一引线电极121可以有效地辐射热量。
布置在第二腔115内的第一引线电极121的底表面可以与封装体110的底表面齐平(flush)。
参考图1，第一引线电极121的另一端P1与第二引线电极123的一端间隔开。第一引线电极121构成第一腔112的一部分底表面或第二腔115的整个表面。
第二引线电极123的一端布置在封装体110的第一腔112的一部分上，并且与第一引线电极121以预定的距离间隔开。第二引线电极123的另一端P2暴露于封装体110的另一侧，并且从封装体110向下弯曲或向封装体110的底表面弯曲。第二引线电极123的另一端P2可以用作引线电极。
第一引线电极121的另一端P1可以设置为一个或多个，且第二引线电极123的另一端P2可以设置为一个或多个。也就是说，第一引线电极121的另一端P1可以分成多片，并且第二引线电极123的另一端P2可以分成多片。结果，可以提高电可靠性。
第一和第二引线电极121和123在第一腔112的一部分处彼此分离开，以形成开口结构。至少一个发光器件130布置在第一引线电极121上，并且发光器件130利用粘合剂粘附到第一引线电极121上。发光器件130利用第一布线132连接到第一引线电极121，并且利用第二布线134连接到第二引线电极123。这里，在第二腔115内，第一布线132接合到第一引线电极121和发光器件130。第二布线134的一端接合到布置在第二腔115内的发光器件130，另一端接合到布置在第一腔112内的第二引线电极123。
第一布线132可以布置在荧光体层140内。在这种情况下，由于第一布线132布置在荧光体层140内，所以可以减小或防止由于树脂层150或形成树脂层150所造成的缺陷产生和效率下降。此外，第一布线132可以布置在比荧光体层140的表面高或低的位置上，但是并不限于此。这里，由于第一布线132布置在第二腔115或荧光体层140内，所以可以减小或防止布线接合缺陷，而且，还可以提高光效率。
发光器件130可以包括至少一个蓝色LED芯片。可选地，可以使用有色LED芯片诸如绿色LED芯片或红色LED芯片或紫外线(UV)LED芯片作为发光器件130。下面将描述横向型半导体发光器件作为LED芯片的实例。
由于第一布线132布置在第二腔115内，所以第一布线132可以进一步布置得靠近发光器件130且布置在不同于第二布线134的层上。
荧光体层140布置在第二腔115内，并且树脂层150布置在第一腔112内。例如，荧光体层140可以包括其中黄色荧光体加到诸如硅或环氧树脂这样的树脂材料中的层。荧光体层140吸收从蓝色LED芯片发出的一部分光以发射黄光。例如，当发光器件130包括蓝色LED芯片，以及荧光体层140包含黄色荧光体时，发光封装100通过混合蓝光与黄光发出白光。
荧光体层140的表面可以具有平面形状、凹面形状或凸面形状，但不限于这些。
当第一布线132布置在第二腔115内时，可以减小或防止分散或布置到第二腔115中的一部分荧光体层140沿第一布线132和第二布线134上升。结果，可以减小从发光器件130发出的光的色坐标分布。
当第一和第二布线132和134布置在第一腔112内时，布置在第二腔115内的荧光体层140可能在荧光体层140的分配或处理工艺期间沿第一和第二布线132和134上升。结果，通过荧光体层140的色坐标分布是宽的，从而导致白光LED的非均一的色坐标分布。因此，可能减小亮度和制造产率。根据实施例，第一布线132可以布置在第二腔115内以提高色坐标分布、亮度和制造产率。
根据第一实施例，可以利用第一引线电极121形成第二腔115来增加光反射量。
树脂层150可以布置在第一腔112内、且由诸如硅(或含有硅)或环氧树脂这样的树脂材料形成，并且另外，荧光体可以加入或不加入到树脂层150，但不限于这些。树脂层150的表面可以具有平面形状、凹面形状、凸面形状、不规则形状或其它形状中的一种。
图4是根据第二实施例的发光器件的平面图。在第二实施例的描述中，将参考第一实施例描述与第一实施例相同的部件和操作，并且将省略重复的描述。
参考图4，发光器件封装101包括具有下沟槽111B的封装体110、第一腔112、第二腔115、引线电极121和123、发光器件130、荧光体层140和树脂层150。
封装体110的下沟槽111B相对于封装体110的外部底表面111A可以是阶梯状的。封装体110的下沟槽111B相对于封装体110的外部底表面111A可以凹入到预定深度。封装体110的下沟槽111B和外部底表面111A具有彼此不同的厚度。由于这样的厚度差D1，在封装体110的下沟槽111B中限定了一个空间。结果，布置在第二腔115内的第一引线电极121的底表面121A被暴露于封装体110的下沟槽111B。
因此，通过布置在第二腔115内的第一引线电极121的底表面121A有效地辐射热量。同样，封装体110的下沟槽111B可以减小或防止由于当封装体110安装在板PCB上时的焊接失效所引起的封装体110短路。散热板可以布置在封装体110的下沟槽111B中。
第一引线电极121的一端P3布置在封装体110的外部底表面111A上，并且第二引线电极123的另一端P4布置在封装体110的相对的外部底表面111A上。
图5是根据第三实施例的发光器件的平面图。在第三实施例的描述中，将参考第一实施例描述与第一实施例相同的部件和操作，并且将省略重复的描述。
参考图5，发光器件封装100A包括封装体110、第一腔112、第二腔115、引线电极121和123、发光器件130、荧光体层、树脂层150和透镜层160。
将具有预定形状的注模件布置在封装体110上，然后，将透明树脂材料注入到其上以形成具有与注模件的内表面相同形状的透镜层160。
透镜层160具有关于封装体110的中心或中心部分以半球形状(多个)向封装体110的外侧凸状伸出的结构(当从封装体看时)。例如，透镜层160可以形成为具有平滑弯曲面或平滑曲面的抛物线形状。在其它实施例中，陡变表面或阶梯状表面也是可以的。
透镜层160使从第一腔112发射的光聚集到预定区域中。透镜层160的构造仅仅是一个实例且不限于抛物线形状。
图6是根据第四实施例的发光器件的平面图。在第四实施例的描述中，将参考第一实施例描述与第一实施例相同的部件和操作，并且将省略重复的描述。
参考图6，发光器件封装100B包括封装体110、第一腔112、第二腔115、引线电极121和123、发光器件130、荧光体层140、树脂层150和透镜层160A。
透镜层160A以凸面半球形状形成在封装体110上。透镜层160A可以通过注模件形成和/或分离地附接。
参考图5和6，布置在封装体110上的透镜层160或106A可以以不同方式修改其构造并且不限于上述结构。
图7是根据第五实施例的发光器件的平面图。在第五实施例的描述中，将参考第一实施例描述与第一实施例相同的部件和操作，并且将省略重复的描述。
参考图7，发光器件封装200包括封装体210、第一腔212、第二腔215、引线电极221和223、发光器件230、荧光体层240和树脂层250。
具有预定深度的第一腔212限定在封装体210内。具有预定深度的第二腔215限定在第一腔212的中心区域中。
第二腔215的侧面的部分216A可以由封装体210限定，并且第二腔215的剩余部分可以由第一引线电极221和封装体210限定。也就是说，第一引线电极221的侧面可以成阶梯状以构成第二腔215的底表面，并且第二腔215的大部分侧面可以由封装体210限定。同样，布置在第二腔215内的第一引线电极221的一部分可以暴露到封装体210的底表面以有效地辐射热量。
通过注模形成第一腔212的沟槽211以暴露出第二引线电极223的一部分。在这里，第一腔212的大部分底表面可以由封装体210限定。
发光器件230利用粘合剂粘附到第一引线电极221的顶表面。在第二腔215内，第一布线232将第一引线电极221电连接到发光器件230，第二布线234将第二引线电极223电连接到发光器件230，该第二引线电极223被暴露到在第一腔212的另一侧限定的沟槽211。
发光器件230可以包括各种颜色的LED芯片。对于发光器件230为至少一个蓝色LED芯片的情形，加入黄色荧光体的荧光体层240布置在第二腔215内。此时，由于第一布线232布置在第二腔215内，所以可以减小或防止一部分荧光体层240沿布线232和234上升。而且，在第五实施例中，封装体210可以构成第一腔212和第二腔215的全部侧面216A和216。
树脂层250布置在第一腔212内。树脂层250可以由诸如硅树脂或环氧树脂这样的树脂材料形成，另外，荧光体可以加入或不加入到树脂材料，但不限于此。
透镜层可以布置在封装体210上，但不限于此。而且，封装体210的外部底表面可以是阶梯状的，如同图4中所示的第二实施例一样。
图8是根据第六实施例的发光器件的平面图。在第六实施例的描述中，将参考第一实施例描述与第一实施例相同的部件和操作，并且将省略重复的描述。
参考图8，发光器件封装300包括封装体310、第一腔312、第二腔315、发光器件330、第一和第二引线电极321和323、荧光体层340和树脂层350。
封装体310可以由硅材料形成，例如，封装体310可以利用晶片级封装(WLP)技术形成且具有多面体形状(例如，六面体)。第一腔312被限定在封装体310上部内，并且第一腔312的表面可以是多边形、圆形、椭圆形、不规则形状或其它形状。第一腔312可以利用干蚀刻工艺和/或湿蚀刻工艺形成预定的深度，但不限于此。
第一腔312的侧面313可以垂直或倾斜于其底表面，且侧面313可以提高光反射量。
具有预定深度的第二腔315被限定在第一腔312的中心区域下方。第二腔315可以具有多边形、圆形、椭圆形、不规则形状或其它形状。第二腔315可以利用干蚀刻工艺和/或湿蚀刻工艺形成预定的深度。
电介质可以布置在封装体310的表面上，但不限于此。第一引线电极321和第二引线电极323布置在封装体310的表面上。
第一引线电极321布置在封装体310的另一侧面上，第二引线电极323布置在封装体310的一个侧面上。第一引线电极321沿着第一腔312的底表面和侧面以及沿着封装体310的另一侧的外表面布置，以延伸到封装体310的底表面的一部分。
第二引线电极323沿着第一腔312的一部分底表面、第二腔315的侧面和底表面、以及封装体310的外表面整体布置，以延伸到封装体310的一部分底表面。
利用喷射设备，掩模图案可以布置在第一引线电极321和第二引线电极323上，以形成金属电极层，但不限于此。
第一引线电极321和第二引线电极323的外端P1和P2可以用作外部电极，外端P1和P2布置在封装体310的外表面上。
发光器件330利用粘合剂粘附到第一腔312内的第一引线电极321。第一布线332将发光器件330电连接到第二引线电极323。在这里，由于第一布线332的接合部分在第二腔315内连接到第二引线电极323，所以第一布线332可以布置在第二腔315内。因此，可以减小或防止模制到第二腔315的荧光体层340沿第一布线332和第二布线334上升。
第二布线334在第一腔312内将发光器件330电连接到第二引线电极321。
荧光体层340布置在第二腔315内，并且有色荧光体，例如，黄色荧光体可以加到诸如硅、硅树脂或环氧树脂这样的树脂材料，以形成荧光体层340。在这里，可以在荧光体层340硬化之前或之后布置树脂层350。
透明树脂层350布置在第一腔312内。树脂层350可以由诸如硅或环氧树脂这样的树脂材料形成，并且另外，荧光体可以加入或不加入到树脂材料，但不限于此。
由于第一布线332布置在包含荧光体层340的第二腔315内，所以可以减小或防止荧光体层340沿着布线332和334上升预定的高度。
荧光体层340可以具有平面形状，并且树脂层350可以具有平面形状、凹面形状或凸面形状中的一种。
第一至第五实施例的技术特征并不限于每个实施例，而是可以应用于其它实施例。这种选择性应用将包含在实施例的技术范围中。
根据第一至第五实施例的发光器件封装可以实现顶视型或侧视型。而且，在移动终端、笔记本计算机等中，该发光器件封装可以布置成阵列形式。由此，可以提供发光器件封装作为照明单元，或广泛用于诸如照明器件、指示器件等这样的器件。
根据实施例，可以最小化发光器件封装的白光色坐标分布。
根据实施例，发光器件封装可以提高白光的色坐标产率。
根据实施例，可以提高色坐标产率，并且可以有效地辐射热量，以提高发光器件封装的可靠性。
实施例可以提供利用LED的发光器件封装。
实施例可以应用于照明单元，诸如显示器件、照明器件和指示器件等。
虽然参考许多示范性实施例已经描述了实施例，但是应该明白，本领域的技术人员可以设计许多其它改型和实施例，其将落入本公开原理的精神和范围内。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置的组件和/或布置能够进行各种变化和修改。除了组件和/或布置中的变化和修改之外，可选择的使用对于本领域的技术人员来说是显而易见的。
工业应用
实施例可以提供利用LED的发光器件封装。
实施例可以应用于照明单元，诸如显示器件、照明器件和指示器件等。

Claims (23)

1.一种发光器件封装，包括：
封装体，所述封装体包括第一腔和连接到所述第一腔的第二腔，其中，所述第二腔被限定在所述第一腔下方的预定位置；
第一引线电极，所述第一引线电极的至少一部分布置在所述第二腔中；
第二引线电极，所述第二引线电极的至少一部分布置在所述第一腔中；
发光器件，所述发光器件布置在所述第二腔中；
第一布线，所述第一布线完全布置在所述第二腔中的荧光体层中，所述第一布线将所述发光器件电连接到所述第一引线电极；和
第二布线，所述第二布线将所述发光器件电连接到所述第二引线电极，
其中，所述第一引线电极包括暴露于所述封装体的一侧的一端，
其中，所述封装体包括沟槽，
其中，所述第一腔包括第二沟槽，以及在所述第二沟槽和所述第二腔之间的突出，
其中，所述突出的顶表面高于所述第一引线电极和所述第二引线电极的上表面，并且
其中，接合到所述第二引线电极的所述第二布线的一端位于所述第一腔的第二沟槽中。
2.根据权利要求1的发光器件封装，其中所述第一引线电极的底表面通过所述封装体的沟槽被暴露。
3.根据权利要求1的发光器件封装，其中所述封装体的沟槽相对于所述封装体的外部底表面凹入到预定深度。
4.根据权利要求1的发光器件封装，其中所述第一引线电极通过所述第二腔延伸至所述封装体的外侧，并且所述第二引线电极从所述第一腔延伸至所述封装体的外侧。
5.根据权利要求1的发光器件封装，其中所述第一引线电极包括其中布置了所述发光器件的凹进部分，并且
其中所述第一腔的第二沟槽暴露所述第二引线电极的顶部。
6.根据权利要求5的发光器件封装，其中所述第一引线电极起反射结构的作用。
7.根据权利要求5的发光器件封装，其中所述第一引线电极的凹进部分对应于所述第二腔。
8.根据权利要求1的发光器件封装，其中所述第一腔包括开放的上部，并且
所述第一腔的底部的一部分由具有开口的所述封装体的环形表面限定。
9.根据权利要求1的发光器件封装，其中所述第二腔包含了所述第一引线电极的一部分，使得所述第一引线电极具有使所述第二腔成杯状的一部分。
10.根据权利要求1的发光器件封装，其中所述第一引线电极的一部分通过覆盖所述第二腔的侧表面和底部来使所述第二腔成杯状。
11.一种发光器件封装，包括：
封装体，所述封装体包括上表面、下表面以及穿过所述上表面和所述下表面的开口；
布置在所述开口中的第一引线电极、第二引线电极，并且所述第一引线电极、所述第二引线电极彼此间隔开；
发光器件，所述发光器件布置在所述第一引线电极上；以及
树脂层，所述树脂层布置在所述封装体的开口中，
其中，所述第一引线电极的底表面暴露于所述封装体的底部，
其中所述封装体包括沟槽，
其中所述封装体的开口包括具有开放上部的第一腔和连接到所述第一腔的第二腔，
其中，所述第一腔包括第二沟槽，以及在所述第二沟槽和所述第二腔之间的突出，并且
其中，所述突出的顶表面高于所述第一引线电极和所述第二引线电极的上表面，
所述发光器件封装进一步包括：第一布线，所述第一布线完全布置在所述第二腔中的荧光体层中，所述第一布线将所述发光器件电连接到所述第一引线电极；和第二布线，所述第二布线将所述发光器件电连接到所述第二引线电极，接合到所述第二引线电极的所述第二布线的一端位于所述第一腔的第二沟槽中。
12.根据权利要求11的发光器件封装，其中所述封装体的沟槽相对于所述封装体的外部底表面凹入到预定的深度。
13.根据权利要求12的发光器件封装，其中所述封装体的沟槽和外部底表面具有彼此不同的厚度，并且
空间限定在所述封装体的沟槽中。
14.根据权利要求11的发光器件封装，其中所述第一腔和所述第二腔的侧面从所述封装体的下表面延伸至上表面。
15.根据权利要求11的发光器件封装，其中所述封装体的开口被配置成向上变宽，并且具有垂直于或者倾斜于所述封装体的下表面的侧面，所述开口的底部由第一引线电极的一部分来包围使得所述第一引线电极的底表面的一部分暴露于所述封装体的下表面。
16.根据权利要求11的发光器件封装，其中所述第一引线电极通过所述第二腔延伸至所述封装体的外侧，并且所述第二引线电极从所述第一腔延伸至所述封装体的外侧。
17.根据权利要求11的发光器件封装，其中所述第一引线电极包括其中布置了所述发光器件的凹进部分，并且
其中所述第一腔的第二沟槽暴露所述第二引线电极的顶部。
18.根据权利要求11的发光器件封装，其中所述第一引线电极起反射结构的作用。
19.根据权利要求17的发光器件封装，其中第一引线电极的凹进部分对应于所述第二腔。
20.根据权利要求11的发光器件封装，其中所述第一腔包括开放的上部且所述第二腔被限定在所述第一腔下方的预定位置，并且
所述第一腔的底部的一部分由具有开口的所述封装体的环形表面限定。
21.根据权利要求11的发光器件封装，其中所述第二腔包含所述第一引线电极的一部分，使得所述第一引线电极具有所述第二腔成杯状的一部分。
22.根据权利要求11的发光器件封装，其中所述第一引线电极的一部分通过覆盖所述第二腔的侧表面和底部来使所述第二腔成杯状。
23.根据权利要求11的发光器件封装，进一步包括布置在所述第一引线电极和所述第二引线电极之间的间隔区，所述间隔区布置在所述第一腔的底部。
CN200980111133.3A 2008-11-25 2009-11-18 发光器件封装 Active CN101981716B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2008-0117579 2008-11-25
KR1020080117579A KR101007131B1 (ko) 2008-11-25 2008-11-25 발광 소자 패키지
PCT/KR2009/006801 WO2010062079A2 (en) 2008-11-25 2009-11-18 Light emitting device package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101981716A CN101981716A (zh) 2011-02-23
CN101981716B true CN101981716B (zh) 2014-11-12

Family

ID=42221961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980111133.3A Active CN101981716B (zh) 2008-11-25 2009-11-18 发光器件封装

Country Status (6)

Country Link
US (8) US8188498B2 (zh)
EP (2) EP2899762B1 (zh)
JP (2) JP2012510153A (zh)
KR (1) KR101007131B1 (zh)
CN (1) CN101981716B (zh)
WO (1) WO2010062079A2 (zh)

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5464825B2 (ja) * 2008-07-23 2014-04-09 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
TW201020643A (en) * 2008-11-25 2010-06-01 Chi Mei Lighting Tech Corp Side view type light-emitting diode package structure, and manufacturing method and application thereof
KR101007131B1 (ko) * 2008-11-25 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US8101955B2 (en) * 2009-04-17 2012-01-24 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. PLCC package with a reflector cup surrounded by an encapsulant
US8089075B2 (en) * 2009-04-17 2012-01-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LFCC package with a reflector cup surrounded by a single encapsulant
KR101114150B1 (ko) * 2009-10-19 2012-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
IN2012DN02644A (zh) * 2009-10-29 2015-09-11 Nichia Corp
KR101094127B1 (ko) 2010-02-17 2011-12-14 일진반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
US8525213B2 (en) * 2010-03-30 2013-09-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same
KR101125437B1 (ko) * 2010-08-09 2012-03-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
TW201220555A (en) * 2010-11-02 2012-05-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Light emitting diode lead frame
US8735739B2 (en) * 2011-01-13 2014-05-27 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method for manufacturing the same
KR20120096216A (ko) * 2011-02-22 2012-08-30 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
US9209373B2 (en) * 2011-02-23 2015-12-08 Intellectual Discovery Co., Ltd. High power plastic leaded chip carrier with integrated metal reflector cup and direct heat sink
KR101812761B1 (ko) * 2011-03-02 2017-12-28 서울반도체 주식회사 발광다이오드 패키지
KR20120105146A (ko) * 2011-03-15 2012-09-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 제조장치 및 이를 이용한 발광소자 패키지의 제조방법
KR101852388B1 (ko) * 2011-04-28 2018-04-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
CN102769088B (zh) * 2011-05-05 2015-05-06 光宝新加坡有限公司 表面黏着型发光二极管封装结构及其制造方法
US8497519B2 (en) 2011-05-24 2013-07-30 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Batwing LED with remote phosphor configuration
KR20120137865A (ko) * 2011-06-13 2012-12-24 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 발광소자 패키지
KR101886073B1 (ko) * 2011-06-23 2018-09-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101886068B1 (ko) * 2011-06-23 2018-09-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101873997B1 (ko) * 2011-06-24 2018-08-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
US20130009191A1 (en) * 2011-07-04 2013-01-10 Lite-On Singapore Pte. Ltd. Surface mounted led package and manufacturing method therefor
US8497558B2 (en) * 2011-07-14 2013-07-30 Infineon Technologies Ag System and method for wafer level packaging
CN102903829B (zh) * 2011-07-26 2015-01-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管光源装置
KR101824011B1 (ko) * 2011-07-29 2018-01-31 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR101714073B1 (ko) * 2011-08-10 2017-03-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 장치
KR20130022052A (ko) * 2011-08-24 2013-03-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 장치
US9397274B2 (en) * 2011-08-24 2016-07-19 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
KR101243638B1 (ko) * 2011-08-31 2013-03-27 우리이앤엘 주식회사 반도체 발광소자
KR101896661B1 (ko) * 2011-10-28 2018-09-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치
ES2693677T3 (es) * 2011-11-17 2018-12-13 Lumens Co., Ltd. Paquete de un dispositivo emisor de luz y retroiluminación que incluye el mismo
US20130161670A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Sheng-Yang Peng Light emitting diode packages and methods of making
CN102569279A (zh) * 2011-12-29 2012-07-11 广州市鸿利光电股份有限公司 一种提高显色指数及出光效率的led及方法
US20160274318A1 (en) 2012-03-05 2016-09-22 Nanoprecision Products, Inc. Optical bench subassembly having integrated photonic device
MX338930B (es) * 2012-03-05 2016-05-06 Nanoprec Products Inc Dispositivo de acoplamiento que tiene una superficie reflectora estructurada para acoplar entrada/salida de una fibra optica.
US9112119B2 (en) * 2012-04-04 2015-08-18 Axlen, Inc. Optically efficient solid-state lighting device packaging
US9983414B2 (en) * 2012-10-23 2018-05-29 Nanoprecision Products, Inc. Optoelectronic module having a stamped metal optic
CN103887398B (zh) * 2012-12-22 2017-06-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
TWI557947B (zh) * 2012-12-24 2016-11-11 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體組合
US20150357527A1 (en) * 2013-01-31 2015-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing light-emitting device, and light-emitting device
JP6476567B2 (ja) * 2013-03-29 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9105825B2 (en) * 2013-06-03 2015-08-11 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source package and method of manufacturing the same
KR101619982B1 (ko) * 2013-11-13 2016-05-12 엘지이노텍 주식회사 청녹색 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
CN105874265B (zh) 2013-12-17 2019-06-18 亮锐控股有限公司 低和高光束led灯
US9680073B2 (en) * 2014-05-30 2017-06-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting module
CN103994359B (zh) * 2014-06-10 2016-04-27 吴锦星 一种模组化led灯条的加工方法
CN104134743A (zh) * 2014-06-17 2014-11-05 京东方光科技有限公司 Led封装结构及封装方法、显示装置、照明装置
KR102237112B1 (ko) * 2014-07-30 2021-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 광원 모듈
KR102344533B1 (ko) * 2015-02-12 2021-12-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP6206442B2 (ja) * 2015-04-30 2017-10-04 日亜化学工業株式会社 パッケージ及びその製造方法、並びに発光装置
CN104835900B (zh) * 2015-05-22 2017-08-15 深圳莱特光电股份有限公司 一种红外线led支架
WO2017010851A1 (ko) 2015-07-16 2017-01-19 엘지이노텍(주) 발광 소자 패키지
CN106571383B (zh) 2015-10-08 2020-04-28 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
JP6862141B2 (ja) 2015-10-14 2021-04-21 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及び照明装置
CN105826453A (zh) * 2016-05-09 2016-08-03 广州硅能照明有限公司 一种cob光模组的制备方法和cob光模组
JP6729254B2 (ja) * 2016-09-30 2020-07-22 日亜化学工業株式会社 発光装置及び表示装置
JP6579138B2 (ja) * 2017-03-17 2019-09-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10062822B1 (en) * 2017-12-01 2018-08-28 Lite-On Singapore Pte. Ltd. Light-emitting diode package structure with an improved structure, light-emitting device using the same, and method of making the same
CN108305926B (zh) * 2018-02-08 2020-02-07 开发晶照明（厦门）有限公司 Led支架、led模组、以及led支架的制造方法
TWI753431B (zh) * 2020-05-19 2022-01-21 光感動股份有限公司 封裝組件

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9314487D0 (en) * 1993-07-12 1993-08-25 Secr Defence Sensor system
JP3137823B2 (ja) 1994-02-25 2001-02-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法
AU5417096A (en) * 1995-02-24 1996-09-11 Lucas Novasensor Pressure sensor with transducer mounted on a metal base
KR100214463B1 (ko) * 1995-12-06 1999-08-02 구본준 클립형 리드프레임과 이를 사용한 패키지의 제조방법
DE19549818B4 (de) * 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
JP2924961B1 (ja) * 1998-01-16 1999-07-26 サンケン電気株式会社 半導体発光装置及びその製法
TW414924B (en) * 1998-05-29 2000-12-11 Rohm Co Ltd Semiconductor device of resin package
JP3546812B2 (ja) * 1999-10-07 2004-07-28 株式会社デンソー 表面実装型発光ダイオード
JP2001168400A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Rohm Co Ltd ケース付チップ型発光装置およびその製造方法
JP4432275B2 (ja) 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
US6874910B2 (en) 2001-04-12 2005-04-05 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using LED, and method of producing same
US20020163001A1 (en) 2001-05-04 2002-11-07 Shaddock David Mulford Surface mount light emitting device package and fabrication method
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
US7149118B2 (en) 2002-09-16 2006-12-12 Impinj, Inc. Method and apparatus for programming single-poly pFET-based nonvolatile memory cells
JP3910144B2 (ja) 2003-01-06 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
TWI237546B (en) * 2003-01-30 2005-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component
KR100574557B1 (ko) 2003-08-12 2006-04-27 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100580765B1 (ko) * 2003-09-22 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP2005197329A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
JP2005294736A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2005317661A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
JP2006049442A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP2006093672A (ja) 2004-08-26 2006-04-06 Toshiba Corp 半導体発光装置
US20060121941A1 (en) * 2004-12-03 2006-06-08 Shiflett Jamie C SIM card retaining device
US20060124941A1 (en) * 2004-12-13 2006-06-15 Lee Jae S Thin gallium nitride light emitting diode device
KR100593945B1 (ko) 2005-05-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100631992B1 (ko) * 2005-07-19 2006-10-09 삼성전기주식회사 측면 방출형 이중 렌즈 구조 ｌｅｄ 패키지
JP4739851B2 (ja) * 2005-07-29 2011-08-03 スタンレー電気株式会社 表面実装型半導体装置
KR100691441B1 (ko) 2005-11-15 2007-03-09 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
USD573113S1 (en) 2005-12-09 2008-07-15 Nichia Corporation Light emitting diode
JP2007177160A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 General Technology Kk 油性インクジェットインク
KR100819883B1 (ko) 2006-02-17 2008-04-07 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP4952233B2 (ja) 2006-04-19 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP4830768B2 (ja) 2006-05-10 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
JP5057707B2 (ja) 2006-06-16 2012-10-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4857938B2 (ja) 2006-06-16 2012-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20080008767A (ko) * 2006-07-21 2008-01-24 (주) 아모센스 전자부품 패키지 및 이를 채용한 조명기구
KR100772433B1 (ko) 2006-08-23 2007-11-01 서울반도체 주식회사 반사면을 구비하는 리드단자를 채택한 발광 다이오드패키지
KR101220038B1 (ko) 2006-09-11 2013-01-18 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
JP4858032B2 (ja) 2006-09-15 2012-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4306772B2 (ja) 2006-10-05 2009-08-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4840185B2 (ja) 2007-02-17 2011-12-21 日亜化学工業株式会社 照明装置
KR20080079745A (ko) 2007-02-28 2008-09-02 주식회사 옵토필 리드프레임과 열방출판의 이중 방열구조를 갖는 발광다이오드 패키지 베이스 및 그 제조방법
KR100818518B1 (ko) * 2007-03-14 2008-03-31 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
KR100877775B1 (ko) * 2007-07-19 2009-01-16 서울반도체 주식회사 반사면을 구비하는 리드단자를 채택한 발광 다이오드패키지
JP5544881B2 (ja) 2007-11-30 2014-07-09 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法
US8258526B2 (en) 2008-07-03 2012-09-04 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode package including a lead frame with a cavity
KR101007131B1 (ko) 2008-11-25 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
US8324638B2 (en) 2012-12-04
US8188498B2 (en) 2012-05-29
US20110220951A1 (en) 2011-09-15
US10847680B2 (en) 2020-11-24
JP2014241443A (ja) 2014-12-25
US20150311396A1 (en) 2015-10-29
US8436385B2 (en) 2013-05-07
EP2258001B1 (en) 2015-05-06
WO2010062079A2 (en) 2010-06-03
US8928008B2 (en) 2015-01-06
US20120080701A1 (en) 2012-04-05
US20170244014A1 (en) 2017-08-24
WO2010062079A3 (en) 2010-08-12
EP2899762A1 (en) 2015-07-29
US9425360B2 (en) 2016-08-23
KR101007131B1 (ko) 2011-01-10
EP2899762B1 (en) 2019-09-18
CN101981716A (zh) 2011-02-23
EP2258001A4 (en) 2011-04-27
US20110220949A1 (en) 2011-09-15
JP2012510153A (ja) 2012-04-26
US10134953B2 (en) 2018-11-20
US20100133560A1 (en) 2010-06-03
US20160104828A1 (en) 2016-04-14
EP2258001A2 (en) 2010-12-08
US20110220950A1 (en) 2011-09-15
KR20100058978A (ko) 2010-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101981716B (zh) 发光器件封装
US8525213B2 (en) Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same
US8835969B2 (en) Light emitting device package and lighting system
US8203164B2 (en) Light emitting diode package
JP2012134531A (ja) 発光装置
US8860047B2 (en) Semiconductor light-emitting device
US10529901B2 (en) Light emitting diode package and method for fabricating the same
US20110194273A1 (en) Light emitting device, method for manufacturing the same, and backlight unit
JP5936885B2 (ja) 半導体発光装置
KR101923189B1 (ko) 발광소자 어레이
KR20090073598A (ko) Ｌｅｄ 패키지
US20090189171A1 (en) Light emitting diode package
KR101911939B1 (ko) 발광소자 패키지
KR100903309B1 (ko) 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR20100054475A (ko) Ｌｅｄ 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210811

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG INNOTEK Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right