KR100691441B1 - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

Abstract

발광 다이오드 패키지가 제공된다.

본 발명은 전원인가시 빛을 발생시키는 발광칩 ; 상기 발광칩이 배치되는 하부 캐비티와, 상기 발광칩에서 발생된 빛을 반사키는 반사부재가 내부면에 구비되는 상부 캐비티를 구비하는 패키지 본체 ; 상기 패키지 본체에 고정되어 상기 발광칩과 전기적으로 연결되는 리드전극부; 및 상기 발광칩을 덮으면서 상기 상,하부 캐비티사이의 경계영역에 위로 볼록한 돔형상으로 구비되도록 상기 하부 캐비티에 도포되는 투광성 수지 ; 를 포함한다.

본 발명에 의하면, 발광칩을 덮도록 도포되는 투광성 수지의 형상을 간단히 변경하여 발광시 발생되는 빛의 이용효율을 극대화하고, 광효율을 보다 향상시킬 수 있다.

발광 다이오드 패키지, 패키지 본체, 발광칩, 투광성 수지, 캐비티, 돔

Description

발광 다이오드 패키지{Light Emitting Diode Package}

도 1은 종래 발광 다이오드 패키지를 도시한 종단면도이다.

도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 제1 실시예를 도시한 종단면도이다.

도 3은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 제2 실시예를 도시한 종단면도이다.

도 4는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 종단면도이다.

도 5는 투광성 수지를 통과하는 빛의 반사 및 굴절상태를 도시한 모식도로서,

(a)는 빛이 평면상의 투광성 수지를 통과하는 비교예이고,

(b)는 빛이 돔형상의 투광성 수지를 통과하는 실시예이다.

도 6은 투광성 수지의 형상에 따른 휘도변화를 도시한 그래프로서,

(a)는 평면상의 투광성 수지의 경우이고,

(b)는 돔형상의 투광성수지이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

110,110a : 발광칩 112,114 : 금속 와이어

120 : 패키지 본체 121 : 하부 캐비티

123 : 상부 캐비티 125,127 : 반사부재

130,130a : 리드전극부 132,132a : 제1 리드프레임

134,134a : 제2 리드프레임 140 : 투광성 수지

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 보다 상세히는 발광칩을 덮도록 도포되는 투광성 수지의 형상을 간단히 변경하여 발광시 발생되는 빛의 이용효율을 극대화하고, 광효율을 보다 향상시킬 수 있도록 개선된 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.

일반적으로 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 양공)를 만들어내고, 이들의 재결합(再結合)에 의하여 전기에너지를 빛에너지로 바꾸어 주어 발광시키는 전자부품이다. 즉, 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극의 접합 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데 전자와 정공이 떨어져 있을 때 보다 작은 에너지가 되므로 이때 발생하는 에너지의 차이로 인해 빛을 방출한다.

이러한 발광 다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 조사할 수 있음으로 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화기기 등에 사용된다.

도 1은 종래 발광 다이오드 패키지를 도시한 종단면도로서, 도시한 바와 같이, 종래의 발광 다이오드 패키지(1)는 전원인가시 빛을 발생시키는 발광원인 발광칩(15)이 중앙영역에 탑재된다.

상기 발광칩(15)은 간격을 두고 배치되는 음,양극 리드프레임(13)(14)과 금속 와이어(17a)(17b)를 매개로 하여 전기적으로 연결되고, 상기 음,양극 리드프레임(13)(14)은 사출성형되는 수지사출물(10)에 위치고정되며, 상기 수지사출물(10)의 외부면으로 노출되는 음,양극 리드프레임(13)(14)은 전원과 전기적으로 연결된다.

상기 수지사출물(10)은 사출성형시 상기 발광칩(15)이 배치되는 캐비티(C)를 구비하며, 상기 캐비티(C)의 내부면에는 상기 발광칩(15)에서 발생되는 광의 반사율을 높일 수 있도록 반사물질이 코팅되는 반사부재(18)를 구비하였다.

상기 캐비티(C)에는 상기 발광칩(15) 및 금속 와이어(17a)(17b)를 외부환경으로부터 보호할 수 있도록 투광성 수지(11)를 완전히 채우거나 부분적으로 채워 구성하였다.

한편, 이러한 발광 다이오드 패키지의 특성을 결정하는 기준으로는 색, 휘도 및 휘도세기의 범위 등이 있는데, 이는 1차적으로 상기 발광칩(15)의 자체특성에 의해 영향을 받게 되지만, 2차적인 요소로 상기 발광칩(15)을 실장하는 패키지의 구조에 의해서도 영향을 받게 된다.

그리고, 상기 투광성 수지(11)는 구현하고자 하는 발광 다이오드의 색상에 따라 다양한 투명재료나 형광체가 선택적으로 수지물에 포함되어 있는 것을 이용한 다.

그러나, 상기 발광칩(15)에서 발생되는 광은 상기 투광성 수지(11)를 통과하게 되므로 광손실이 불가피하게 발생되며, 형광체와 같은 광산란 매질이 투광성 수지에 포함되어 있는 경우, 상기 반사부재(18)에 반사된 후 입사되는 광의 경로를 조절하는 것을 어렵하게 하는 주원인으로 작용하였다.

이에 따라, 미국등록특허 6638780호에는 발광칩과 금속와이어 주위에만 투광성 수지를 도포함으로서 광손실이 적고 광경로의 조절을 용이하게 하는 기술이 개시되어 있으나 광효율을 극대화시키는데 한계가 있었다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위한 것으로써, 그 목적은 발광칩을 덮도록 도포되는 투광성 수지의 형상을 간단히 변경하여 발광시 발생되는 빛의 이용효율을 극대화하고, 광효율을 보다 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패기지를 제공하고자 한다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 전원인가시 빛을 발생시키는 발광칩 ; 상기 발광칩이 배치되는 하부 캐비티와, 상기 발광칩에서 발생된 빛을 반사키는 반사부재가 내부면에 구비되는 상부 캐비티를 구비하는 패키지 본체 ; 상기 패키지 본체에 고정되어 상기 발광칩과 전기적으로 연결되는 리드전극부; 및 상 기 발광칩을 덮으면서 상기 상,하부 캐비티사이의 경계영역에 위로 볼록한 돔형상으로 구비되도록 상기 하부 캐비티에 도포되는 투광성 수지 ; 를 포함하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.

바람직하게, 상기 리드전극부는 상기 발광칩과 금속 와이어를 매개로 각각 와이어 본딩되는 제1,2 리드프레임으로 구비된다.

바람직하게, 상기 리드전극부는 상기 발광칩의 하면이 플립칩 본딩되는 제1 리드프레임과, 금속 와이어를 매개로 하여 와이어 본딩되는 제2 리드프레임으로 구비된다.

바람직하게, 상기 하부 캐비티는 상기 패키지 본체의 사출성형에 의해서 구비된다.

바람직하게, 상기 하부 캐비티는 상기 상,하부 캐비티의 경계면을 따라 연장되는 제1,2 리드프레임을 1차로 경사지게 하향 절곡한 다음, 2차로 수평하게 절곡하는 절곡공정에 의해서 구비된다.

바람직하게, 상기 하부 캐비티의 내부면에는 반사부재를 추가 구비한다.

바람직하게, 상기 투광성 수지는 적어도 하나 이상의 형광체가 포함된다.

바람직하게, 상기 상,하부 캐비티의 경계면에는 위로 볼록한 환고리형 돌출턱을 추가 구비한다.

보다 바람직하게, 상기 환고리형 돌출턱은 상기 투광성 수지의 최대외경보다 는 크고 상기 상부 캐비티의 최하부단의 내경보다는 작은 내경크기로 구비된다.

바람직하게, 상기 상,하부 캐비티의 경계면에는 위로 볼록한 환고리형 요홈을 추가 구비한다.

보다 바람직하게, 상기 환고리형 요홈은 상기 투광성 수지의 최대외경보다는 크고 상기 상부 캐비티의 최하부단의 내경보다는 작은 내경크기로 구비된다.

이하,본 발명에 대하여 첨부된 도면에 따라 보다 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 제1실시예를 도시한 종단면도로서, 도시한 바와 같이, 본 발명의 발광 다이오드 패키지(100)는 발광원을 덮도록 도포되는 수지의 도포형상을 변경시켜 광손실을 최소화하면서 광효율을 향상시킬 수 있도록 발광칩(110), 패키지 본체(120), 리드전극부(130) 및 투광성 수지(140)를 포함하여 구성된다.

상기 발광칩(110)은 전원인가시 근자외선 빛이나 청색의 빛을 발생시키는 발광원이다.

이러한 발광칩은 고출력, 고휘도의 청색광을 발생시키는 질화갈륨계 발광 다이오드 칩이 바람직하며, 이는 P극,N전극이 상부면에 형성된 수직형 구조나 P극,N극이 상,하부면에 각각 형성된 수직형 구조를 모두 채용할 수 있다.

여기서, 상기 질화갈륨계 발광칩은 공지의 반도체 소자이므로 이에 대한 구 체적인 구성에 대해서는 설명을 생략한다.

그리고, 상기 패키지 본체(120)는 상부로 개방된 상,하부 캐비티(121)(123)를 형성하도록 수지물로 금형 또는 압출방식으로 성형되는 수지체 구조물이다.

상기 상기 하부 캐비티(121)는 상기 발광칩(110)이 배치되는 수납공간이며, 상기 상부 캐비티(121)는 상기 발광칩(110)에서 발생된 빛을 반사시키는 반사부재(125)를 내부면에 구비하여 빛을 집광할 수 있도록 빛을 반사시키는 반사공간이다.

여기서, 상기 상,하부 캐비티(121)(123)의 내부면은 하부로 갈수록 내경이 좁아지는 경사면으로 구비되며, 상기 하부 캐비티(121)는 상기 상부 캐비티(123)의 내부공간보다 작은 체적을 갖도록 구비되는 것이 바람직하다.

상기 반사부재(125)는 상기 상부 캐비티(123)의 경사진 내부면 전체에 광반사율이 높은 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt), 티탄(Ti), 크롬(Cr) 및 구리(Cu)중 어느 하나로 이루어진 반사물질을 고르게 코팅 또는 증착하여 구비하거나 광반사율이 높은 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt), 티탄(Ti), 크롬(Cr) 및 구리(Cu)중 어느 하나로 이루어진 판재를 별도로 접착하여 구비될 수도 있다.

이에 따라, 상기 발광칩(110)에서 발생되는 빛은 상기 상부 캐비티(123)의 반사부재(125)에 반사되어 광휘도를 높일 수 있도록 전방으로 비추어지는 것이다.

그리고, 상기 리드전극부(130)는 상기 패키지 본체(110)에 고정되어 상기 발광칩(110)과 전기적으로 연결되는 것이다.

이러한 리드전극부(130)는 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 발광칩(110)과 금속 와이어(112)(114)를 매개로 하여 각각 와이어 본딩되는 제1,2 리드프레임(132)(134)으로 구비된다.

즉, 상기 발광칩(110)이 P극,N극을 상부면에 형성한 수평형으로 구비되는 경우, 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 발광칩(110)은 상기 제1 리드프레임(132)상에 접착제를 매개로 탑재된 상태에서 2개의 금속 와이어(112)(114)를 매개로 하여 상기 제 1,2리드프레임(132)(134)과 전기적으로 연결되도록 와이어 본딩되는 구조를 갖는다.

또한, 상기 리드전극부(130a)는 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 발광칩(110)의 하면이 플립칩 본딩되는 제1 리드프레임(132a)과, 금속 와이어(114)를 매개로 하여 와이어 본딩되는 제2 리드프레임(134a)으로 구비된다.

이에 따라, 상기 발광칩(110a)이 P극,N극을 상,하부면에 각각 형성한 수직형으로 구비되는 경우, 도 3에 도시한 바와 같이 상기 발광칩(110a)은 범프볼을 매개로 하여 제1 리드프레임(132)과 플립칩본딩되고, 금속와이어(114)를 매개로 하여 상기 제2 리드프레임(134)과 전기적으로 연결되도록 와이어본딩되는 구조를 가질 수도 있는 것이다.

또한, 상기 발광칩(110)이 배치되는 하부 캐비티(121)는 도 2에 도시한 바와 같이 상기 패키지 본체(120)의 사출성형시 구비될 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 상,하부 캐비티(121)(123)의 경계면을 따라 연장되는 제1,2 리드프레임(132a)(134a)을 1차로 경사지게 하향 절곡한 다음, 2차로 수평하게 절곡하는 절곡공정에 의해서 구비될 수도 있다.

한편, 상기 투광성 수지(140)는 상기 발광칩(110)과 금속 와이어(112)(114)를 외부환경으로부터 보호하기 위해서 상기 발광칩(110)을 덮을수 있도록 상기 하부 캐비티(121)내에 채워지고, 상기 상,하부 캐비티(121)(123)사이의 경계면을 기준으로 하여 상부면이 위로 볼록한 돔(dome)형상으로 구비되는 투명한 수지물이다.

이러한 투광성 수지(140)는 상대적으로 빛의 투광성이 우수한 수지소재, 예를 들어 실리콘(silicone)수지, 에폭시(epoxy)수지 중 어느 하나를 선택하여 사용할 수 있다.

또한, 상기 투광성 수지(140)에는 백라이트 유닛에 제공되는 광원이 백색광으로 나타나도록 적어도 하나 이상의 형광체가 포함되며, 상기 형광체에 의해서 상기 발광칩(110)에서 발생되어 방출되는 특정파장을 갖는 빛의 일부를 흡수하여 다른 파장의 빛으로 변환하는 것이다.

이러한 경우, 상기 발광칩(110)의 발광시 반도체소재의 차이에 따라 발생되는 R,G,B 파장대의 빛은 상기 투광성 수지(140)내에 포함된 형광체에 의해서 백색광으로 전환되어 패키지로부터 발산되어 백색광의 광원으로 제공되는 것이다.

그리고, 상기 형광체를 포함하는 에폭시 수지나 실리콘수지와 같은 투광성 수지(140)는 디스펜서(dispenser)와 같은 주입기(미도시)를 이용하여 상기 발광칩(110)을 덮도록 상기 하부 캐비티(121)내부를 완전히 채우면서 상기 상,하부 캐비티(121)(123)간의 경계면을 기준으로 하여 위로 볼록한 돔형상으로 도포된 다음, 열원을 제공하는 오븐(oven)에 의해서 열경화된다.

이때, 상기 주입기를 이용한 투광성 수지의 도포시 수지가 상기 상,하부 캐비티(121)(123)의 경계면을 따라 외주방향으로 과도하게 퍼지는 퍼짐현상을 방지할 수 있도록 상기 상,하부 캐비티(121)(123)의 경계면에는 도 2에 도시한 바와 같이, 위로 볼록한 환고리형 돌출턱(124a)을 구비하거나 반대로 아래로 오목한 환고리형 요홈(미도시)을 구비하는 것이 바람직하다.

상기 하부캐비티(121)내로 주입되어 돔형상으로 구비되는 투광성 수지(140)는 상기 환고리형 돌출턱(124a)에 의해서 상기 발광칩(110)을 중심으로 하여 위로 볼록한 종단면과 진원의 횡단면을 갖는 돔형상으로 구비된다.

여기서, 상기 환고리형 돌출턱(124a)과 환고리형 요홈은 상기 투광성 수지(140)의 최대외경보다 크고 상기 상부 캐비티(123)의 최하부단의 내경보다 작은 내경크기로 구비되는 것이 바람직하다.

이에 따라, 상기 투광성 수지(140)는 상기 하부 캐비티(121)내에 채워지면서 상부 캐비티(123)에는 접하지 않는 돔형상을 갖게 되는 것이다.

그리고, 상기 환고리형 돌출턱(124a)과 환고리형 요홈(124b)은 상기 패키지 본체(120)의 사출성형시 이에 일체로 구비될 수도 있지만 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 리드전극부(120)(120a)로부터 연장되는 금속부재에 의해서도 구비될 수 있다.

또한, 상기 투광성 수지(140)는 상기 발광칩(110)에서 발생된 빛을 넓은 입사각으로 방사하여 상기 반사부재(125)에 반사시킬 수 있도록 돔형상의 상부면이 상기 상부 캐비티(123)를 벗어나지 않고 상기 상부 캐비티(123)내에 위치되는 것이 바람직하다.

상기한 구조를 갖는발광 다이오드 패키지(100)(100a)에 순방향의 전류가 인가되는 경우, 이 전류는 상기 리드전극부(120)를 통하여 발광칩(110)에 공급됨으로써 상기 발광칩(110)은 이를 구성하는 반소체 소재의 차이에 따라 R, G, B 중 어느 하나의 색을 갖는 빛을 발생하게 된다.

그리고, 상기 발광칩(110)에서 발생된 빛은 돔형상의 상부면을 갖는 투광성 수지(140)를 통과하면서 상기 상부 캐비티(123)의 반사부재(125)에 의해서 형성되는 반사각보다 넓은 넓은 입사각으로 방사된다.

이에 따라, 상기 발광칩(110)의 빛은 상기 반사부재(125)에 반사되어 광을 전방으로 집중하도록 집광할 수 있으며, 빛의 집광정도는 상기 상부 캐비티(123)의 내부면에 구비되는 반사부재(123)의 경사각에 의해서 조절되는 것이다.

이때, 상기 하부 캐비티(121)의 내부면에도 상기 상부 캐비티(123)의 내부면에 구비되는 반사부재(125)와 마찬가지로 광반사율이 높은 반사물질을 고르게 코팅, 증착하여 구비하거나 광반사율이 높은 판재를 별도로 접착하여 또다른 반사부재(127)를 구비하면, 빛의 반사율을 높여 광효율을 보다 높일 수 있다. 즉, 상기 하부 캐비티(121)의 내부면에 구비되는 반사부재(127)는 상기 하부 캐비티(121)의 경사진 내부면 전체에 광반사율이 높은 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt), 티탄(Ti), 크롬(Cr) 및 구리(Cu)중 어느 하나로 이루어진 반사물질을 고르게 코팅 또는 증착하여 구비하거나 광반사율이 높은 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt), 티탄(Ti), 크롬(Cr) 및 구리(Cu)중 어느 하나로 이루어진 판재를 별도로 접착하여 구비될 수도 있다.

한편, 상기 투광성 수지(140)의 크기는 도 4(a)에 도시한 바와 같이, 하부캐비티(121)의 최상단 내경(a)과 상,하부캐비티(121)(123)의 경계면으로부터 투광성 수지(140)의 정점까지의 높이(b)간의 비율을 고려하여 최대의 광효율을 얻을 수 있 도록 제작되어야 한다.

즉, 하부캐비티(121)의 내경을 a 이라 하고, 돔높이를 b 라고 하면, a,b간의 비율 b/a 는 0 ≤ b/a ≤ 0.5 로 제한하는 것이 바람직하다.

그리고 상기 투광성 수지(140)는 도 4(b)에 도시한 바와 같이 돔높이(b)가 높아질 수록 휘도표준값이 높아짐을 알수 있다.

또한, 도 5(a)에 도시한 바와 같이 발광칩(110)에서 발생된 빛이 평면상의 투광성 수지(140)와 공기사이의 경계면을 통과하는 빛은 외측에서 전반사가 일어남과 동시에 공기중으로 굴절되는 빛의 광량이 외측으로 갈수록 급격히 적어진다.

반면에, 도 5(b)에 도시한 바와 같이, 돔형상의 투광성 수지(140)와 공기사이의 경계면을 통과하는 빛은 외측에서 전반사가 전혀 발생되지 않음과 동시에 공기중으로 굴절되는 빛의 광량이 외측으로 갈수록 감소는 되지만 급격히 감소되지는 않음을 알 수 있다.

그리고, 도 6은 투광성 수지의 형상에 따른 휘도변화를 도시한 그래프로서, (a)는 평면상의 투광성 수지의 경우이고, (b)는 돔형상의 투광성수지이다.

도 6(a)에 도시한 바와 같이, 발광칩(110)에서 발생되는 광원(O)으로부터 조사되어 평면상 투광성수지를 통과하는 빛의 휘도를 측정해보면, 최대값은 1141199.30469 룩스(Lux)이고, 평균값은 10798.78518 룩스(Lux)이지만, 도 6(b)에 도시한 바와 같이 돔형상 투광성 수지를 통과하는 빛의 휘도를 측정해보면, 최대값은 130381.02344 룩스(Lux)이고, 평균값은 15210.25236 룩스(Lux)로 측정되었다.

또한, 도 6(a)(b)에 도시한 바와 같이, 돔형상의 투과성 수지를 통과하는 빛의 지향각이 평면상의 투광성 수지를 통과하는 빛의 지향각보다 커짐을 알 수 있었다.

이에 따라, 돔형상의 투광성 수지(140)를 통과하는 빛의 광효율이 평면상의 투광성 수지를 통과하는 빛의 광효율에 비하여 10 내지 15% 향상됨을 알 수 있다.

본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있음을 밝혀두고자 한다.

상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 패키지 본체의 하부 캐비티내에 구비되는 발광칩을 덮도록 도포되는 투광성 수지의 상부면을 돔형상으로 구비함으로서, 발광칩에서 발생된 빛이 공기중으로 입사되는 입사각을 돔형상에 의해 넓히고, 넓은 입사각으로 출사되는 빛을 상부 캐비티에 구비되는 반사부재에 의해 집광할 수 있기 때문에, 광손실을 줄이고, 광효율을 10 내지 15% 이상 향상시킬 수 있는 효과가 얻어진다.

Claims (11)

1. 전원인가시 빛을 발생시키는 발광칩 ;

   상기 발광칩이 배치되는 하부 캐비티와, 상기 발광칩에서 발생된 빛을 반사키는 반사부재가 내부면에 구비되는 상부 캐비티를 구비하는 패키지 본체 ;

   상기 패키지 본체에 고정되어 상기 발광칩과 전기적으로 연결되는 리드전극부; 및

   상기 발광칩을 덮으면서 상기 상,하부 캐비티사이의 경계영역에 위로 볼록한 돔형상으로 구비되도록 상기 하부 캐비티에 도포되는 투광성 수지 ; 를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
2. 제1항에 있어서,

   상기 리드전극부는 상기 발광칩과 금속 와이어를 매개로 각각 와이어 본딩되는 제1,2 리드프레임으로 구비됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
3. 제1항에 있어서,

   상기 리드전극부는 상기 발광칩의 하면이 플립칩 본딩되는 제1 리드프레임과, 금속 와이어를 매개로 하여 와이어 본딩되는 제2 리드프레임으로 구비됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
4. 제1항에 있어서,

   상기 하부 캐비티는 상기 패키지 본체의 사출성형에 의해서 구비됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
5. 제1항에 있어서,

   상기 하부 캐비티는 상기 상,하부 캐비티의 경계면을 따라 연장되는 제1,2 리드프레임을 1차로 경사지게 하향 절곡한 다음, 2차로 수평하게 절곡하는 절곡공정에 의해서 구비됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
6. 제1항에 있어서,

   상기 하부 캐비티의 내부면에는 반사부재를 추가 구비함을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
7. 제1항에 있어서,

   상기 투광성 수지는 적어도 하나 이상의 형광체가 포함됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
8. 제1항에 있어서,

   상기 상,하부 캐비티의 경계면에는 위로 볼록한 환고리형 돌출턱을 추가 구비함을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
9. 제8항에 있어서,

   상기 환고리형 돌출턱은 상기 투광성 수지의 최대외경보다는 크고 상기 상부 캐비티의 최하부단의 내경보다는 작은 내경크기로 구비됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
10. 제1항에 있어서,

    상기 상,하부 캐비티의 경계면에는 위로 볼록한 환고리형 요홈을 추가 구비함을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
11. 제10항에 있어서,

    상기 환고리형 요홈은 상기 투광성 수지의 최대외경보다는 크고 상기 상부 캐비티의 최하부단의 내경보다는 작은 내경크기로 구비됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.

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