CN101952752B - 波导型光学设备 - Google Patents

Abstract

本发明的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器具备输入通道波导、输入平板波导、阵列波导、偏振波依赖性消除单元、输出平板波导、温度补偿单元、输出通道波导，其特征在于，所述温度补偿单元对所述阵列波导的所述通道波导中的光路长度的温度依赖性进行补偿，所述偏振波依赖性消除单元同时消除所述阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的温度依存性和偏振波依赖性以及所述温度补偿单元的光路长度的偏振波依赖性。

Description

波导型光学设备

技术领域

本发明涉及光通信中应用的光复用/解复用器。特别涉及在波分复用系统中，进行波长不同的光信号的复用、分离的波导型光学设备。

背景技术

在波分复用系统中，对大量不同波长的光信号进行复用或者解复用的光复用/解复用器必不可少。作为光复用/解复用器，从量产性、稳定性这点，多使用阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器。作为波导型光学设备，对阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的以往结构进行说明。另外，作为波导型光学设备，即使是马赫-策德尔型干涉仪也是同样的。

作为阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的波导基板，使用硅片，在形成于硅片上的波导材料中，使用石英类玻璃。图1示出以往的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器101。用式1来确定阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器101的透过中心波长。

[式1]

AWG透过中心波长：

此处，λ₀：中心波长、ΔL：阵列波导中的相邻的通道波导的长度之差、m：衍射次数、n_c：通道波导折射率。

但是，在波导基板的硅与波导材料的石英类玻璃之间存在热膨胀差，在从制造时的高温冷却到室温的过程中产生内部残留应力，在阵列波导内由于应力而产生0.0002左右的波导双折射。对于该波导双折射中，使具有与基板垂直的电场的TM模式的透过中心波长，比具有与基板平行的电场的TE模式的透过中心波长向长波长侧偏移。即，由于透过中心波长的偏振波依赖性，而产生波长偏移。以下，将TM模式下的透过中心波长与TE模式下的透过中心波长之差称为偏振波波长偏移。该偏振波波长偏移在解复用间隔0.4nm的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器中是约0.2nm。

以往，作为消除该偏振波波长偏移的偏振波依赖性消除单元，提出了如下单元：在阵列波导内插入通过使主轴相对基板倾斜了45度的半波长板而得到的偏振波模式变换器，对TE模式和TM模式进行相互变换(例如，参照专利文献1)。图2示出以往的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器102。即，以使左右的波导构造成为对称的方式配置偏振波依赖性消除单元17，而如式2那样抵消了在左右所产生的光路长度(有效折射率与波导长度之积)之差的偏振波依赖性。

[式2]

AWG透过中心波长(TE)： ${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}=\frac{1}{2}\×\frac{n_{\mathrm{CTE}}\×\mathrm{\ΔL}}{m}+\frac{1}{2}\×\frac{n_{\mathrm{CTM}}\×\mathrm{\ΔL}}{m}$

AWG透过中心波长(TM)：

AWG透过中心波长差(TE-TM)：λ_TE-λ_TM＝0

此处，n_CTE：TE模式通道波导折射率、n_CTM：TM模式通道波导折射率、λ_TE：透过阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的TE模式的透过中心波长、λ_TM：透过阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的TM模式的透过中心波长。

另一方面，如式1那样，由光路长度差决定λ₀，但光路长度差依赖于温度，所以λ₀依赖于温度。因此，在气温变化为10℃～60℃左右的环境中使用阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器时，要求用于将温度保持为一定的控制。但是，如果利用加热器、珀耳帖元件，则存在阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的大小变大、价格变高这样的课题。因此，提出了如下方法：按照与光路长度差相当的比例而插入具有符号与波导不同的温度系数的温度补偿单元(例如，参照专利文献2)。图3示出以往的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器103。按照与光路长度差相当的比例而插入具有符号与波导不同的温度系数的温度补偿单元，如式3那样抵消波长的温度依赖性。

[式3]

AWG透过中心波长：

此处，n’：温度补偿单元折射率、ΔL’：温度补偿单元插入部的相邻的通道波导的长度之差、λ_Temp：透过阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的透过中心波长。

专利文献1：日本特开平4-241304号公报

专利文献2：国际公开WO98/36299手册

此处，如果要组合以往技术，来消除阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的偏振波依赖性和温度依赖性这两方，则阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器为如图4的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器104那样在偏振波依赖性消除单元17的右侧或者左侧配置温度补偿单元的构造。用式4来示出阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器104的透过中心波长。

[式4]

AWG透过中心波长(TE)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}=\frac{n_{\mathrm{CTE}}\×(\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}-\mathrm{\Δ}{L}^{\′})}{m}+\frac{n^{\′}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}+\frac{n_{\mathrm{CTM}}\×\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}}{m}$

AWG透过中心波长(TM)：

AWG透过中心波长差(TE-TM)： ${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}-{\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TM}}=\frac{(n_{\mathrm{CTM}}-n_{\mathrm{CTE}})\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}$

另外，即使设方如图5的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器105那样在输入平板波导或者输出平板波导中配置温度补偿单元的构造，也可以低损失地消除偏振波依赖性和温度依赖性这两方。用式5来表示阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器105的透过中心波长。

[式5]

AWG透过中心波长(TE)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}=\frac{n_{\mathrm{CTE}}\×\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}}{m}+\frac{n^{\′}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}-\frac{n_{\mathrm{STE}}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}+\frac{n_{\mathrm{CTM}}\×\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}}{m}$

AWG透过中心波长(TM)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TM}}=\frac{n_{\mathrm{CTM}}\×\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}}{m}+\frac{n^{\′}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}-\frac{n_{\mathrm{STM}}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}+\frac{n_{\mathrm{CTE}}\×\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}}{m}$

AWG透过中心波长差(TE-TM)： ${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}-{\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TM}}=\frac{(n_{\mathrm{STM}}-n_{\mathrm{STE}})\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}$

此处，n_STE：TE模式平板波导折射率、n_STM：TM模式平板波导折射率。

但是，在图4以及图5的任一情况下，如果要对温度依赖性和偏振波依赖性同时消除依赖性，则如式4以及式5所示，产生与温度补偿单元相当的量的AWG透过中心波长差(TE-TM)、即由于插入温度补偿单元而引起的偏振波波长偏移，存在偏振波依赖损失(以下，将“偏振波依赖损失(Polarization Dependent Loss)”简记为“PDL”)大这样的课题。

发明内容

本发明是为了解决所述课题而完成的，其目的在于：提供一种阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器，可以对温度依赖性和偏振波依赖性同时消除依赖性，降低PDL的影响。

为了达成所述目的，本发明的波导型光学设备的特征在于，具备：p个(p是2以上的整数)波导；对p个所述波导实施的偏振波依赖性消除单元；以及对p个或者(p-1)个所述波导实施，对p个所述波导中的光路长度差的温度依赖性进行补偿的温度补偿单元。另外，所述偏振波依赖性消除单元针对所述偏振波依赖性消除单元一侧的偏振波模式之间的光路长度差，用另一侧的偏振波模式之间的光路长度差来进行补偿。

在波导型光学设备是阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的情况下，将消除由于阵列波导的双折射引起的光路长度差的偏振波依赖性以及温度补偿单元的光路长度差的偏振波依赖性的偏振波依赖性消除单元插入到阵列波导中。

具体而言，本发明的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器在波导基板上具备：至少1个以上的输入通道波导；与所述输入通道波导连接的输入平板波导；由与所述输入平板波导连接的多个通道波导所构成的阵列波导；对所述阵列波导实施的偏振波依赖性消除单元；与所述阵列波导连接的输出平板波导；对所述输入平板波导、所述输出平板波导或者所述阵列波导实施，对所述阵列波导的所述通道波导中的光路长度差的温度依赖性进行补偿的温度补偿单元；与所述输出平板波导连接的至少1个以上的输出通道波导，其特征在于，所述偏振波依赖性消除单元消除从所述输入平板波导到所述输出平板波导的各通道的偏振波依赖性。

通过将温度补偿单元配置在偏振波依赖性消除单元一侧，包括阵列波导、输入平板波导以及输出平板波导的波导部分的光路长度相应地变少，因此产生了式4的AWG透过中心波长差。因此，通过偏振波依赖性消除单元消除从所述输入平板波导到所述输出平板波导的各通道的整体的偏振波依赖性，由此阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器可以对温度依赖性和偏振波依赖性同时消除依赖性，降低PDL的影响。另外，偏振波依赖性消除单元由于消除整体的偏振波依赖性，所以即使在存在温度补偿单元的偏振波依赖性的情况下，阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器也可以降低PDL的影响。

例如，在具备多个波导、对所述多个波导实施的偏振波依赖性消除单元、以及对所述多个波导实施而对所述多个波导中的光路长度差的温度依赖性进行补偿的温度补偿单元的波导型光学设备的情况下，通过所述偏振波依赖性消除单元的设定，可以针对所述偏振波依赖性消除单元一侧的偏振波模式之间的光路长度差，用另一侧的偏振波模式之间的光路长度差来进行补偿。

具体而言，本发明的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的所述偏振波依赖性消除单元针对所述偏振波依赖性消除单元的所述输入平板波导侧的偏振波模式之间的光路长度差，用所述偏振波依赖性消除单元的所述输出平板波导侧的偏振波模式之间的光路长度差来进行补偿。通过这样进行补偿，偏振波依赖性消除单元可以消除整体的偏振波依赖性。

在将插入了所述温度补偿单元的部分的长度的通道间差设为ΔL’，将所述偏振波依赖性消除单元对从所述输入平板波导或者所述输出平板波导到所述偏振波依赖性消除单元的长度的通道间差进行校正的非对称校正长度设为ΔL”的情况下，用式6来表示AWG透过中心波长差。

[式6]

AWG透过中心波长(TE)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}=\frac{n_{\mathrm{CTE}}\×(\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}-\mathrm{\Δ}{L}^{\′}-\mathrm{\Δ}{L}^{\′\′})}{m}+\frac{n^{\′}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}+\frac{n_{\mathrm{CTM}}\×(\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}+\mathrm{\Δ}{L}^{\′\′})}{m}$

AWG透过中心波长(TM)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TM}}=\frac{n_{\mathrm{CTM}}\×(\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}-\mathrm{\Δ}{L}^{\′}-\mathrm{\Δ}{L}^{\′\′})}{m}+\frac{n^{\′}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}+\frac{n_{\mathrm{CTE}}\×(\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}+\mathrm{\Δ}{L}^{\′\′})}{m}$

AWG透过中心波长差(TE-TM)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}-{\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TM}}=\frac{(n_{\mathrm{CTM}}-n_{\mathrm{CTE}})}{m}\×(\mathrm{\Δ}{L}^{\′}+2\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′\′})$

所述偏振波依赖性消除单元可以调整ΔL”。因此，通过由所述偏振波依赖性消除单元调整ΔL”，使得成为ΔL’+2×ΔL”＝0，阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器可以对温度依赖性和偏振波依赖性同时消除依赖性，降低PDL的影响。

具体而言，所述偏振波依赖性消除单元通过设为ΔL”＝-ΔL’/2，来消除从所述输入平板波导到所述输出平板波导的各通道的整体的偏振波依赖性。

另外，在如图5所示对输入平板波导或者输出平板波导配置了温度补偿单元的情况下，用式7来表示AWG透过中心波长差。

[式7]

AWG透过中心波长(TE)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}=\frac{n_{\mathrm{CTE}}\×(\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}-\mathrm{\Δ}{L}^{\′\′})}{m}+\frac{n^{\′}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}-\frac{n_{\mathrm{STE}}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}+\frac{n_{\mathrm{CTM}}\×(\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}+\mathrm{\Δ}{L}^{\′\′})}{m}$

AWG透过中心波长(TM)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TM}}=\frac{n_{\mathrm{CTM}}\×(\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}-\mathrm{\Δ}{L}^{\′\′})}{m}+\frac{n^{\′}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}-\frac{n_{\mathrm{STM}}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}+\frac{n_{\mathrm{CTE}}\×(\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}+\mathrm{\Δ}{L}^{\′\′})}{m}$

AWG透过中心波长差(TE-TM)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}-{\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TM}}=\frac{2\×(n_{\mathrm{CTM}}-n_{\mathrm{CTE}})\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′\′}+(n_{\mathrm{STM}}-n_{\mathrm{STE}})\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}$

通过由所述偏振波依赖性消除单元调整ΔL”，使得成为

(n_STM-n_STE)×ΔL’+2×(n_CTM-n_CTE)×ΔL”＝0，阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器可以对温度依赖性和偏振波依赖性同时消除依赖性，降低PDL的影响。

具体而言，所述偏振波依赖性消除单元通过设为ΔL”＝-A×ΔL’/2，来消除从所述输入平板波导到所述输出平板波导的各通道的整体的偏振波依赖性。此处，A ＝(n_STM-n_STE)/(n_CTM-n_CTE)。

另外，本发明的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的所述偏振波依赖性消除单元相对所述阵列波导的各通道波导的光轴按照规定的角度进行设置。

通过调整所述偏振波依赖性消除单元相对所述阵列波导的各通道波导的光轴的角度，阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器可以对温度依赖性和偏振波依赖性同时消除依赖性，降低PDL的影响。另外，优选为在所述阵列波导中，配置有所述偏振波依赖性消除单元的部分是直线，或者曲率低至可以与直线近似的程度。用于配置偏振波依赖性消除单元的设计变得容易，可以提高非对称校正的效果的精度。

也可以是在本发明的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的所述阵列波导中的通道波导的折射率的通道间差中存在偏振波依赖性，所述偏振波依赖性消除单元的位置比所述阵列波导的中心更靠近所述输入平板波导侧或者所述输出平板波导侧。

在以下的说明中，将阵列波导中的各通道波导的折射率的通道间差记为波导间折射率差。在波导间折射率差存在偏振波依赖性的情况下，通过使偏振波依赖性消除单元的位置从中心偏向输入平板波导侧或者输出平板波导侧，可以消除偏振波依赖性。在如图8所示没有温度补偿单元的情况下，可以用式8来表示AWG透过中心波长差。

[式8]

AWG透过中心波长(TE)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}=\frac{1}{2}\×\frac{n_{\mathrm{CTE}}\×\mathrm{\ΔL}}{m}+\frac{L_{\mathrm{Left}}\×\mathrm{\Δ}{n}_{\mathrm{CTE}}}{m}+\frac{L_{\mathrm{Right}}\×\mathrm{\Δ}{n}_{\mathrm{CTM}}}{m}+\frac{1}{2}\×\frac{n_{\mathrm{CTM}}\×\mathrm{\ΔL}}{m}$

AWG透过中心波长(TM)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TM}}=\frac{1}{2}\×\frac{n_{\mathrm{CTM}}\×\mathrm{\ΔL}}{m}+\frac{L_{\mathrm{Left}}\×\mathrm{\Δ}{n}_{\mathrm{CTM}}}{m}+\frac{L_{\mathrm{Right}}\×\mathrm{\Δ}{n}_{\mathrm{CTE}}}{m}+\frac{1}{2}\×\frac{n_{\mathrm{CTE}}\×\mathrm{\ΔL}}{m}$

AWG透过中心波长差(TE-TM)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}-{\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TM}}=\frac{(L_{\mathrm{Left}}-L_{\mathrm{Right}})\×\mathrm{\Δ}{n}_{\mathrm{CTE}}+(L_{\mathrm{Right}}-L_{\mathrm{Left}})\×\mathrm{\Δ}{n}_{\mathrm{CTM}}}{m}$

此处，Δn_CTE：TE模式波导间折射率差、Δn_CTM：TM模式波导间折射率差、L_Left：阵列波导的直线部分的长度中的偏振波依赖性消除单元的左侧的长度、L_Right：阵列波导的直线部分的长度中的偏振波依赖性消除单元的右侧的长度。

在式8中，在L_Left＝L_Right的情况下，AWG透过中心波长差是0。在L_Left≠L_Right的情况下，产生与L_Left-L_Right对应的AWG透过中心波长差。如果利用该现象，则可以实现阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的偏振波无依赖化。

接着，对如图9所示对输入平板波导配置了温度补偿单元的情况下的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器进行讨论。在该情况下，用式9来表示AWG透过波长差。

[式9]

AWG透过中心波长(TE)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}=\frac{1}{2}\×\frac{n_{\mathrm{CTE}}\×\mathrm{\ΔL}}{m}+\frac{n^{\′}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}-\frac{n_{\mathrm{STE}}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}$

$+\frac{L_{\mathrm{Left}}\×\mathrm{\Δ}{n}_{\mathrm{CTE}}}{m}+\frac{L_{\mathrm{Right}}\×\mathrm{\Δ}{n}_{\mathrm{CTM}}}{m}+\frac{1}{2}\×\frac{n_{\mathrm{CTM}}\×\mathrm{\ΔL}}{m}$

AWG透过中心波长(TM)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TM}}=\frac{1}{2}\×\frac{n_{\mathrm{CTM}}\×\mathrm{\ΔL}}{m}+\frac{n^{\′}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}-\frac{n_{\mathrm{STM}}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}$

$+\frac{L_{\mathrm{Left}}\×\mathrm{\Δ}{n}_{\mathrm{CTM}}}{m}+\frac{L_{\mathrm{Right}}\×\mathrm{\Δ}{n}_{\mathrm{CTE}}}{m}+\frac{1}{2}\×\frac{n_{\mathrm{CTE}}\×\mathrm{\ΔL}}{m}$

AWG透过中心波长差(TE-TM)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}-{\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TM}}=$

$\frac{(n_{\mathrm{STM}}-n_{\mathrm{STE}})\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}+(L_{\mathrm{Left}}-L_{\mathrm{Right}})\×\mathrm{\Δ}{n}_{\mathrm{CTE}}-(L_{\mathrm{Left}}-L_{\mathrm{Right}})\×\mathrm{\Δ}{n}_{\mathrm{CTM}}}{m}$

调整L_Left和L_Right，以使AWG透过中心波长差成为0。即，通过使偏振波依赖性消除单元的位置成为如式10所示，可以通过偏振波依赖性消除单元和波导间折射率差的偏振波依赖性来消除从所述输入平板波导到所述输出平板波导的各通道的整体的偏振波依赖性。因此，阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器可以对温度依赖性和偏振波依赖性同时消除依赖性，降低PDL的影响。另外，优选为在所述阵列波导中，配置了所述偏振波依赖性消除单元的部分是直线，或者曲率低至可以与直线近似的程度。用于配置偏振波依赖性消除单元的设计变得容易，可以提高非对称校正的效果的精度。

[式10]

$L_{\mathrm{Left}}-L_{\mathrm{Right}}=\frac{(n_{\mathrm{STM}}-n_{\mathrm{STE}})\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{\mathrm{\Δ}{n}_{\mathrm{CTM}}-\mathrm{\Δ}{n}_{\mathrm{CTE}}}$

另外，由于所述偏振波依赖性消除单元近旁处的所述阵列波导的所述通道波导的间隔分别不同，所以产生波导间折射率差的偏振波依赖性。其原因为：在阵列波导的直线部分的通道波导间隔不一样的情况下，在从制造时的高温冷却到室温的过程中产生的内部残留应力在所述通道波导之间稍微变化，从而产生折射率变化的现象。

此处，对于波导型光学设备的马赫-策德尔型干涉仪，也进行补充。图10是说明马赫-策德尔型干涉仪110的结构的图。如果要消除马赫-策德尔型干涉仪的偏振波依赖性和温度依赖性这两方，则成为如图10的马赫-策德尔型干涉仪110那样在偏振波依赖性消除单元17的右侧或者左侧配置温度补偿单元27的构造。用式11来表示马赫-策德尔型干涉仪110的透过中心波长。以下，有时将马赫-策德尔型干涉仪记载为MZI。

[式11]

MZI透过中心波长(TE)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}=\frac{n_{\mathrm{CTE}}\×(\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}-\mathrm{\Δ}{L}^{\′})}{m}+\frac{n^{\′}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}+\frac{n_{\mathrm{CTM}}\×\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}}{m}$

MZI透过中心波长(TM)：

MZI透过中心波长差(TE-TM)： ${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}-{\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TM}}=\frac{(n_{\mathrm{CTM}}-n_{\mathrm{CTE}})\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}$

此处，ΔL是支路1的波导长度L1与支路2的波导长度L2之差(ΔL＝L1-L2)，ΔL’是支路1的温度补偿单元长度L1’与支路2的温度补偿单元长度L2’之差(ΔL’＝L1’-L2’)。另外，n_CTE是TE模式的支路波导有效折射率，n_CTM是TM模式的支路波导有效折射率。另外，由支路1以及支路2构成2个通道波导。

如式11所示，即使在马赫-策德尔型干涉仪中，由于偏振波依赖性消除单元的左侧的支路中配置的温度补偿单元，而在偏振波模式之间产生相当于支路的折射率差×补偿单元长度之差的波长差。

因此，即使在马赫-策德尔型干涉仪中，也在2个通道波导中插入消除从第1耦合器到第2耦合器的各通道的整体的偏振波依赖性的偏振波依赖性消除单元。

具体而言，本发明的马赫-策德尔型干涉仪，在波导基板上具备：至少1个以上的输入通道波导；与所述输入通道波导连接的第1耦合器；与所述第1耦合器连接的2个通道波导；对所述2个通道波导实施的偏振波依赖性消除单元；与所述2个通道波导连接的第2耦合器；对所述2个通道波导的至少1个实施，对所述2个通道波导中的光路长度差的温度依赖性进行补偿的温度补偿单元；以及与所述第2耦合器连接的至少1个以上的输出通道波导，其特征在于，所述偏振波依赖性消除单元消除从所述第1耦合器到所述第2耦合器的各通道的偏振波依赖性。

通过由偏振波依赖性消除单元消除从第1耦合器到第2耦合器的各通道的整体的偏振波依赖性，马赫-策德尔型干涉仪可以对温度依赖性和偏振波依赖性同时消除依赖性，降低PDL的影响。另外，偏振波依赖性消除单元由于消除整体的偏振波依赖性，所以即使在存在温度补偿单元的偏振波依赖性的情况下，马赫-策德尔型干涉仪也可以降低PDL的影响。

所述偏振波依赖性消除单元针对所述偏振波依赖性消除单元的所述第1耦合器侧的偏振波模式之间的光路长度差，用所述偏振波依赖性消除单元的所述第2耦合器侧的偏振波模式之间的光路长度差来进行补偿。通过这样进行补偿，偏振波依赖性消除单元可以消除整体的偏振波依赖性。

在将插入了温度补偿单元的部分的长度的通道间差设为ΔL’，将偏振波依赖性消除单元对从第1耦合器或者第2耦合器到偏振波依赖性消除单元的长度的通道间差进行校正的非对称校正长度设为ΔL”的情况下，用式12来表示MZI透过中心波长差。

[式12]

MZI透过中心波长(TE)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}=\frac{n_{\mathrm{CTE}}\×(\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}-\mathrm{\Δ}{L}^{\′}-\mathrm{\Δ}{L}^{\′\′})}{m}+\frac{n^{\′}\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′}}{m}+\frac{n_{\mathrm{CTM}}\×(\frac{\mathrm{\ΔL}}{2}+\mathrm{\Δ}{L}^{\′\′})}{m}$

MZI透过中心波长(TM)：

MZI透过中心波长差(TE-TM)：

${\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TE}}-{\mathrm{\λ}}_{\mathrm{TM}}=\frac{(n_{\mathrm{CTM}}-n_{\mathrm{CTE}})}{m}\×(\mathrm{\Δ}{L}^{\′}+2\×\mathrm{\Δ}{L}^{\′\′})$

如式12所示，偏振波依赖性消除单元可以消除由于设为ΔL”＝-ΔL’/2而引起的温度补偿单元的光路长度的偏振波依赖性。具体而言，通过相对于2个通道波导的光轴按照规定的角度设置偏振波依赖性消除单元，可以消除温度补偿单元的光路长度的偏振波依赖性。

本发明是为了解决所述课题而完成的，能够提供一种可以对温度依赖性和偏振波依赖性同时消除依赖性，降低PDL的影响的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器。

附图说明

图1是以往的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的概略结构图。

图2是以往的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的概略结构图。

图3是以往的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的概略结构图。

图4是以往的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的概略结构图。

图5是本发明的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的概略结构图。

图6是本发明的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的概略结构图。

图7是本发明的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的概略结构图。

图8是本发明的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的概略结构图。

图9是本发明的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的概略结构图。

图10是以往的马赫-策德尔型干涉仪的概略结构图。

图11是本发明的马赫-策德尔型干涉仪的概略结构图。

(符号说明)

101～109：阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器；110、111：马赫-策德尔型干涉仪；11：波导基板；12：输入端口；13：输入通道波导；14：输入平板波导；15：阵列波导；15a：直线部分；16、19、26：槽；17：偏振波依赖性消除单元；18：输出平板波导；21：输出通道波导；22-1～64：输出端口；27、27-1、27-2：温度补偿单元；34：第1耦合器；35-1、35-2：通道波导；38：第2耦合器。

具体实施方式

参照附图，对本发明的实施例进行说明。以下说明的实施例是本发明的结构的例子，本发明不限于以下的实施例。另外，在本说明书以及附图中符号相同的结构要素表示相互相同的部分。

(实施例1)

以下，根据附图，对用于实施本发明的方式进行说明。图6示出本实施例的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器106的方式。本方式的特征在于，通过插入到阵列波导中的偏振波依赖性消除单元来消除由于阵列波导的双折射而引起的偏振波依赖性以及温度补偿单元的偏振波依赖性的构造。以下，根据附图详细进行说明。

图6示出阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器106的概略图。如图6所示，阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器106在硅制的波导基板11上由石英类波导构成。石英类波导具备：与输入端口12连接的至少1个以上的输入通道波导13；与输入通道波导13连接的输入平板波导14；由与输入平板波导14连接的多个通道波导所构成的阵列波导15；对阵列波导15实施的偏振波依赖性消除单元17；与阵列波导15连接的输出平板波导18；对偏振波依赖性消除单元17的输入平板波导14侧的阵列波导15实施的温度补偿单元27；与输出平板波导18连接的至少1个以上的输出通道波导21。温度补偿单元27也可以不处于偏振波依赖性消除单元17的输入平板波导14侧的阵列波导15，而处于输出平板波导18侧。

阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器106以横切阵列波导15的方式具备2个槽26。槽26的数量不限于2个。槽26是在阵列波导15的光路长度最短的通道波导中槽宽度窄且在光路长度最长的通道波导中槽宽度宽的形状。在槽26中，插入了温度补偿单元27。温度补偿单元27对阵列波导15的通道波导中的光路长度差的温度依赖性进行补偿。温度补偿单元27是具有符号与通道波导不同的折射率的温度系数的温度补偿单元。例如，温度补偿单元27是硅树脂。

阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器106以斜向横切阵列波导15的方式具有槽16。在该槽16中插入偏振波依赖性消除单元17。偏振波依赖性消除单元17是相互切换与波导基板11垂直的电场即TM模式和与波导基板11平行的电场即TE模式的偏振波模式变换器，例如，是使主轴相对波导基板11倾斜了45度的聚酰亚胺制半波长板。如果使半波长板相对波导基板倾斜45度，则在入射到半波长板的光中，TM模式被变换成TE模式而射出，TE模式被变换成TM模式而射出。

偏振波依赖性消除单元17在如图2所示相对阵列波导15的通道波导垂直地配置的情况下，如式2的说明那样，可以消除由于阵列波导15的波导双折射引起的偏振波依赖性。另一方面，在阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器106中，在阵列波导15的槽26中插入温度补偿单元27，阵列波导15的长度减少插入了温度补偿单元27的部分的长度。因此，在偏振波依赖性消除单元17的输入平板波导14侧和输出平板波导18侧通道波导的长度不同，偏振波依赖性消除单元17无法消除偏振波依赖性。

因此，在阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器106中，通过槽16而相对阵列波导15的通道波导倾斜地配置了偏振波依赖性消除单元17。阵列波导15的通道波导的间隔是大致相同程度，所以偏振波依赖性消除单元17可以针对偏振波依赖性消除单元17的输入平板波导14侧的偏振波模式之间的光路长度差，用偏振波依赖性消除单元17的输出平板波导18侧的偏振波模式之间的光路长度差来进行补偿。

即，偏振波依赖性消除单元17可以按照相对阵列波导15的通道波导的角度，来调整式6中说明的非对称校正长度ΔL”。当将在偏振波依赖性消除单元17的输入平板波导14侧由偏振波依赖性消除单元17对从输入平板波导14到偏振波依赖性消除单元17的长度的通道间差进行校正的非对称校正长度设为ΔL”的情况下，在偏振波依赖性消除单元17的输出平板波导18侧由偏振波依赖性消除单元17对从输出平板波导18到偏振波依赖性消除单元17的长度的通道间差进行校正的非对称校正长度成为-ΔL”，通过按照成为ΔL”＝-ΔL’/2那样的角度来配置偏振波依赖性消除单元17，可以消除从输入平板波导14到输出平板波导18的各通道的偏振波依赖性。

以下，将倾斜地配置偏振波依赖性消除单元17而消除从输入平板波导到输出平板波导的各通道的偏振波依赖性记为“非对称校正”。

作为具体例，可以举出在阵列波导的输入平板波导侧的1个部位形成温度补偿单元的类型的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器。在该阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器中，通道数是40，通道间隔是0.8nm，阵列波导的个数是250个，ΔL是50um，ΔL’是1.25um，阵列波导15的通道波导间隔是20um。作为温度补偿单元，在波导中形成槽并在槽中填充硅树脂，将槽分割成4个而配置在阵列波导15的1个部位。在该阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器中能够得到非对称校正的效果的角度θ是0度＞θ＞-3.6度。另外，能够得到非对称校正的效果的角度θ的最佳值是-1.8度。

因此，阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器106可以对温度依赖性和偏振波依赖性同时消除依赖性，降低PDL的影响。另外，优选为配置偏振波依赖性消除单元17的近旁的阵列波导15是直线，或者曲率低至可以与直线近似的程度。用于配置偏振波依赖性消除单元17的设计变得容易，可以提高非对称校正的效果的精度。

(实施例2)

图7示出阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器107的概略图。阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器107与图6的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器106的差异在于，温度补偿单元27不配置在阵列波导15，而配置在输入平板波导14中。温度补偿单元27也可以不配置在输入平板波导14，而配置在输出平板波导18中。

阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器107以横切输入平板波导14的方式具备2个槽26。槽26的数量不限于2个。槽26是在弯曲的阵列波导15的内侧方向上槽宽度窄、在外侧方向上槽宽度宽的形状。与图6的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器106同样地，在槽26中插入了温度补偿单元27。

偏振波依赖性消除单元17在如图5所示那样相对阵列波导15的通道波导垂直地配置的情况下，如式7所说明的那样，残留AWG透过中心波长差。可以如图6的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器106所说明的那样，按照偏振波依赖性消除单元17相对于阵列波导15的通道波导的角度，来调整ΔL”。即，通过按照成为ΔL”＝-A×ΔL’/2(此处，A＝(n_STM-n_STE)/(n_CTM-n_CTE))那样的角度来配置偏振波依赖性消除单元17，可以消除温度补偿单元27的光路长度的偏振波依赖性。

此处，由于n_CTM-n_CTE＝0.0002左右、n_STM-n_STE＝0.0007左右，所以在阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器107的情况下，与图6的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器106相比，需要3.5倍左右的非对称校正。

因此，阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器107可以对温度依赖性和偏振波依赖性同时消除依赖性，降低PDL的影响。另外，优选为配置偏振波依赖性消除单元17的近旁的阵列波导15是直线，或者曲率低至可以与直线近似的程度。能够得到图6所说明那样的效果。

(实施例3)

图9示出阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器109的概略图。阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器109与图7的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器107的差异在于，不倾斜地配置偏振波依赖性消除单元17、且并不配置在阵列波导15的中心。另外，在直线部分15a具有折射率的偏振波依赖性分布，在波导间折射率差中存在偏振波依赖性。具体而言，从阵列波导15的波导长度较短的一方到长的一方，通道波导的间隔变窄。例如，阵列波导15的个数是250个，阵列波导15的通道波导的最小间隔是15um，通道波导的间隔变化率是0.1～0.2％/个。

在阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器109中，由于式10的L_Left-L_Right是3000μm左右，所以通过使偏振波依赖性消除单元17的位置在0＜(L_Left-L_Right)/2＜3000μm的范围中偏移，可以同时降低温度依赖性和偏振波依赖性，通过偏移1500μm左右，可以实现无依赖化。在阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器109中，从阵列波导15的中心偏向输出平板波导18侧而配置偏振波依赖性消除单元17的位置。

如阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器109那样，在偏振波依赖性消除单元17的插入位置附近处的阵列波导15的直线部分15a具有折射率的偏振波依赖性分布，在波导间折射率差存在偏振波依赖性的情况下，即使不倾斜地配置偏振波依赖性消除单元17，也可以通过使偏振波依赖性消除单元17的位置从阵列波导15的中心偏向输入平板波导14侧或者输出平板波导18侧，而得到与图7的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器107同样的效果。

在阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器109中，在输入平板波导14中配置了温度补偿单元27，但即使如输出平板波导18、图6的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器106那样配置在阵列波导15中，也可以同样地对温度依赖性和偏振波依赖性同时消除依赖性，降低PDL的影响。另外，虽然在阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器109的阵列波导15中存在直线部分15a，但即使在没有直线部分15a的情况下，通过使偏振波依赖性消除单元17的位置从阵列波导15的中心偏向输入平板波导14侧或者输出平板波导18侧，也能够得到同样的效果。

(实施例4)

图10示出马赫-策德尔型干涉仪110的概略图。马赫-策德尔型干涉仪110在波导基板11上由石英类波导构成。石英类波导具备：至少1个以上的输入通道波导13；与输入通道波导13连接的第1耦合器34；与第1耦合器34连接的2个通道波导(35-1、35-2)；对2个通道波导(35-1、35-2)实施的偏振波依赖性消除单元17；与2个通道波导(35-1、35-2)连接的第2耦合器38；分别对2个通道波导(35-1、35-2)实施，对2个通道波导(35-1、35-2)中的光路长度差的温度依赖性进行补偿的温度补偿单元(27-1、27-2)；以及与第2耦合器38连接的至少1个以上的输出通道波导21。

第1耦合器34以及第2耦合器38例如是方向性耦合器、多模干涉器。温度补偿单元(27-1、27-2)也可以不是偏振波依赖性消除单元17的第1耦合器34侧的通道波导(35-1、35-2)，而处于第2耦合器38侧。

虽然在图10中未记载，但温度补偿单元(27-1、27-2)也可以如图6所说明的那样插入到形成于波导基板11的槽内。温度补偿单元(27-1、27-2)是如图6所说明的那样具有符号与通道波导不同的折射率的温度系数的温度补偿单元。例如，温度补偿单元(27-1、27-2)是硅树脂。

马赫-策德尔型干涉仪110也可以如图6所说明的那样，以横切通道波导(35-1、35-2)双方的方式具备槽，并在该槽中插入偏振波依赖性消除单元17。

偏振波依赖性消除单元17在如图10那样相对于通道波导(35-1、35-2)垂直地配置的情况下，可以如AWG的例子中说明的式2那样消除由于通道波导(35-1、35-2)的波导双折射而引起的偏振波依赖性。但是，在马赫-策德尔型干涉仪110中，在通道波导(35-1、35-2)中分别插入了温度补偿单元(27-1、27-2)，通道波导(35-1、35-2)的长度(L1、L2)减少插入了温度补偿单元(27-1、27-2)的部分的长度(L1’、L2’)。因此，在偏振波依赖性消除单元17的第1耦合器34侧和第2耦合器38侧，通道波导的长度存在ΔL’＝L1’-L2’的差异。由于ΔL’，如式11所说明的那样，产生MZI透过中心波长差，所以通过通常的偏振波依赖性消除单元无法消除偏振波依赖性。

在偏振波依赖性消除单元17中，要求消除MZI透过中心波长差，并消除从第1耦合器34到第2耦合器38的各通道的偏振波依赖性的功能。具体而言，如图11的马赫-策德尔型干涉仪111那样，相对于通道波导(35-1、35-2)倾斜地配置偏振波依赖性消除单元17。倾斜地配置的偏振波依赖性消除单元17可以针对偏振波依赖性消除单元17的第1耦合器34侧的偏振波模式之间的光路长度差，用偏振波依赖性消除单元17的第2耦合器38侧的偏振波模式之间的光路长度差来进行补偿。

即，偏振波依赖性消除单元17可以按照相对于通道波导(35-1、35-2)的角度，来调整式12中说明的非对称校正长度ΔL”。当将在偏振波依赖性消除单元17的第1耦合器34侧由偏振波依赖性消除单元17对从第1耦合器34到偏振波依赖性消除单元17的长度的通道间差进行校正的非对称校正长度设为ΔL”的情况下，在偏振波依赖性消除单元17的第2耦合器38侧由偏振波依赖性消除单元17对从第2耦合器38到偏振波依赖性消除单元17的长度的通道间差进行校正的非对称校正长度成为-ΔL”，通过按照成为ΔL”＝-ΔL’/2那样的角度来配置偏振波依赖性消除单元17，可以消除从第1耦合器34到第2耦合器38的各通道的偏振波依赖性。另外，在对光路长度差的温度依赖性进行补偿的温度补偿单元(27-1、27-2)中，温度补偿单元27-2的长度还有时成为零。即使在该情况下，由于L1’-L2’≠0，所以也同样地能够得到温度补偿效果。

产业上的可利用性

以上，以光复用器和光解复用器为例子，说明了本发明的阵列波导衍射光栅型光复用/解复用器的方式，但本发明的阵列波导衍射光栅还可以适用于具有多个输入、多个输出端口的光复用/解复用器、即在输入端口与输出端口之间具有波长路由功能的波长路由器。

进而，本发明中使用的阵列波导衍射光栅不限于形成在硅基板上，而也可以形成在石英玻璃、陶瓷、塑料、其他半导体基板上。另外，波导的材料也不限于石英类玻璃，而可以通过其他成分的玻璃、塑料、半导体等光学材料来构成波导。

Claims (9)

1.一种波导型光学设备，在波导基板上具备：

至少1个以上的输入通道波导；

与所述输入通道波导连接的输入平板波导；

与所述输入平板波导连接的多个通道波导所构成的阵列波导；

对所述阵列波导实施的偏振波依赖性消除单元；

与所述阵列波导连接的输出平板波导；

对所述输入平板波导、所述输出平板波导、相对所述偏振波依赖性消除单元处于所述输入平板波导侧的所述阵列波导、或者相对所述偏振波依赖性消除单元处于所述输出平板波导侧的所述阵列波导实施，对所述阵列波导的所述通道波导中的光路长度差的温度依赖性进行补偿的温度补偿单元；以及

与所述输出平板波导连接的至少1个以上的输出通道波导，其特征在于，

所述偏振波依赖性消除单元消除从所述输入平板波导到所述输出平板波导的各通道的偏振波依赖性，

所述偏振波依赖性消除单元针对所述偏振波依赖性消除单元的所述输入平板波导侧的偏振波模式之间的光路长度差，用所述偏振波依赖性消除单元的所述输出平板波导侧的偏振波模式之间的光路长度差来进行补偿，

当将在所述偏振波依赖性消除单元的所述输入平板波导侧由所述偏振波依赖性消除单元对从所述输入平板波导到所述偏振波依赖性消除单元的长度的通道间差进行校正的非对称校正长度设为ΔL”时，

在所述偏振波依赖性消除单元的所述输出平板波导侧由所述偏振波依赖性消除单元对从所述输出平板波导到所述偏振波依赖性消除单元的长度的通道间差进行校正的非对称校正长度是-ΔL”，

当将插入了所述温度补偿单元的部分的长度的通道间差设为ΔL’，将用配置所述温度补偿单元的输入平板波导、输出平板波导或者阵列波导的双折射除以所述阵列波导的双折射得到的结果设为A时，

ΔL”＝-A×ΔL’/2。

2.根据权利要求1所述的波导型光学设备，其特征在于，

相对于所述阵列波导的各通道波导的光轴按照规定的角度设置了所述偏振波依赖性消除单元。

3.根据权利要求2所述的波导型光学设备，其特征在于，

所述阵列波导中的配置所述偏振波依赖性消除单元的部分是直线。

4.一种波导型光学设备，在波导基板上具备：

至少1个以上的输入通道波导；

与所述输入通道波导连接的输入平板波导；

与所述输入平板波导连接的多个通道波导所构成的阵列波导；

对所述阵列波导实施的偏振波依赖性消除单元；

与所述阵列波导连接的输出平板波导；

对所述输入平板波导、所述输出平板波导、相对所述偏振波依赖性消除单元处于所述输入平板波导侧的所述阵列波导、或者相对所述偏振波依赖性消除单元处于所述输出平板波导侧的所述阵列波导实施，对所述阵列波导的所述通道波导中的光路长度差的温度依赖性进行补偿的温度补偿单元；以及

与所述输出平板波导连接的至少1个以上的输出通道波导，其特征在于，

所述偏振波依赖性消除单元消除从所述输入平板波导到所述输出平板波导的各通道的偏振波依赖性，

所述偏振波依赖性消除单元针对所述偏振波依赖性消除单元的所述输入平板波导侧的偏振波模式之间的光路长度差，用所述偏振波依赖性消除单元的所述输出平板波导侧的偏振波模式之间的光路长度差来进行补偿，

在所述阵列波导中的通道波导的折射率的通道间差中存在偏振波依赖性，所述偏振波依赖性消除单元的位置比所述阵列波导的中心更靠近所述输入平板波导侧或者所述输出平板波导侧。

5.根据权利要求4所述的波导型光学设备，其特征在于，

所述阵列波导中的配置所述偏振波依赖性消除单元的部分是直线。

6.根据权利要求4所述的波导型光学设备，其特征在于，

所述偏振波依赖性消除单元近旁处的所述阵列波导的所述通道波导的间隔分别不同。

7.根据权利要求5所述的波导型光学设备，其特征在于，

所述偏振波依赖性消除单元近旁处的所述阵列波导的所述通道波导的间隔分别不同。

8.一种波导型光学设备，在波导基板上具备：

至少1个以上的输入通道波导；

与所述输入通道波导连接的第1耦合器；

与所述第1耦合器连接的2个通道波导；

对所述2个通道波导实施的偏振波依赖性消除单元；

与所述2个通道波导连接的第2耦合器；

对相对所述偏振波依赖性消除单元处于所述第1耦合器侧的所述2个通道波导的至少1个实施，或者对相对所述偏振波依赖性消除单元处于所述第2耦合器侧的所述2个通道波导的至少1个实施，对所述2个通道波导中的光路长度差的温度依赖性进行补偿的温度补偿单元；以及

与所述第2耦合器连接的至少1个以上的输出通道波导，

其特征在于，

所述偏振波依赖性消除单元消除从所述第1耦合器到所述第2耦合器的各通道的偏振波依赖性，

所述偏振波依赖性消除单元针对所述偏振波依赖性消除单元的所述第1耦合器侧的偏振波模式之间的光路长度差，用所述偏振波依赖性消除单元的所述第2耦合器侧的偏振波模式之间的光路长度差来进行补偿，

当将在所述偏振波依赖性消除单元的所述第1耦合器侧由所述偏振波依赖性消除单元对从所述第1耦合器到所述偏振波依赖性消除单元的长度的通道间差进行校正的非对称校正长度设为ΔL”时，

在所述偏振波依赖性消除单元的所述第2耦合器侧由所述偏振波依赖性消除单元对从所述第2耦合器到所述偏振波依赖性消除单元的长度的通道间差进行校正的非对称校正长度是-ΔL”，

在将插入了所述温度补偿单元的部分的长度的通道间差设为ΔL，时，

ΔL”＝-ΔL’/2。

9.根据权利要求8所述的波导型光学设备，其特征在于，

相对于所述2个通道波导的光轴按照规定的角度设置了所述偏振波依赖性消除单元。

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