CN101826447B - 成膜装置和成膜方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该公开的成膜装置在真空容器的顶板上具有透射窗，利用透过该透射窗向基座上的晶圆照射光来测量所形成的膜的膜厚。具体地讲，膜厚测量系统包括：配置在透射窗的上表面上的3个光学单元；利用光学方式分别与各个光学单元相连接的光纤线；利用光学方式与这些光纤线相连接的测量单元；以及为了对测量单元进行控制而与测量单元电连接的控制单元。

Description

成膜装置和成膜方法
技术领域
本发明涉及能够监视成膜过程中的膜厚的成膜装置和成膜方法。 
背景技术
在制造半导体集成电路的过程中，为了在基板上形成各种薄膜而进行各种成膜工序。随着为了高集成化而电路图案的微细化、薄膜的薄层化进一步发展，要求进一步改善成膜工序中的基板面内的膜厚均匀性和膜厚控制性。为了满足这样的要求，原子层成膜法(也称作分子层成膜法)引人注目(例如专利文献1)。 
适于原子层成膜法的薄膜成膜装置的其中之一是利用平置有2枚～6枚左右晶圆的基座的薄膜成膜装置。在这样的薄膜成膜装置中，通常设有能够旋转的基座、以及在基座的上方沿基座的径向延伸的一种原料化合物气体用的气体喷嘴、吹扫气体用的气体喷嘴、另一种原料气体用的气体喷嘴、及吹扫气体用的气体喷嘴。这些气体供给部(气体喷嘴)按该顺序配置，自这些气体供给部供给对应的气体并使基座旋转时，对载置于基座上的基板按一种原料化合物气体的分子的吸附、一种原料化合物气体的吹扫、另一种原料化合物气体的分子的吸附以及另一种原料化合物气体的吹扫这样的顺序进行。在基座这样旋转1周时，能够一个一个分子层地将一种原料化合物气体的分子和另一种原料化合物气体的分子吸附在基板上，通过两者的反应，在基板上形成一个分子层量的反应生成物。 
因而，在原理上，只要用欲形成的物质的目标膜厚除以该 物质的每一个分子层的厚度，就能够求出需要的基座转速，能够用该转速达到目标膜厚。 
专利文献1：美国专利公报6,646,235号说明书(图2，图3) 
专利文献2：日本特开2003-224108号公报 
但是，本发明的发明人研究的结果可知，由于以下各种理由存在仅利用转速无法决定膜厚的情况。例如，存在欲成膜的物质的每一个分子层的厚度由于成膜温度等成膜条件的不同而不同的情况。另外，该物质为多晶、非晶状时，与单晶体不同，每一个分子层的厚度(原子间距离)也大多不明确。并且，在欲成膜的物质为化合物的情况下，由于组成的不同，每一个分子层的厚度有时也会变化。 
另外，根据使用的原料化合物气体，存在由于其蒸汽压、分子间力等导致吸附于基板上的分子为两个分子层以上的情况。并且，由于真空容器内的气体流动形态、基座的旋转速度、原料气体的供给量、基座的(微小的)温度分布等的不同，也存在吸附在基板上的分子为两个分子层以上的情况。 
由于这样的情况，即使用目标膜厚除以每一个分子层的厚度而求出需要的转速，也不一定能够利用该转速实现目标膜厚。因此，通常基于规定的成膜条件，进行所谓的条件设定运行(日文：条件だしラン)，求出基座的需要转速。条件设定运行必须根据形成的膜的种类、制造器件的种类来进行，因此，产生制造成本增加、制造运行次数降低这样的问题。 
另一方面，公知有这样的方法：在半导体装置制造所采用的蚀刻装置中，在制造运行中也能够检测处理终点(例如专利文献2)，但根据本发明人知晓的内容，甚至对膜厚控制性原本很优良的原子层成膜法也无法充分地进行该项研究。但是，将 来要求更进一步改善膜厚控制性及膜厚均匀性，因此，在原子层成膜法中也有望在成膜过程中测量膜厚。 
发明内容
本发明鉴于上述情况而提供一种能够在形成膜的过程中实时监视膜厚的成膜装置、成膜方法及计算机可读存储介质。 
为了达到上述目的，本发明的第1方式提供一种成膜装置，该成膜装置在容器内执行按顺序将互相反应的至少2种反应气体供给到基板上的循环，在该基板上生成反应生成物的层，从而形成膜。该成膜装置包括：基座，其能够旋转地设置在上述容器内，在其一个面具有用于载置上述基板的载置区域；窗部，其以与上述容器的上述基座相对的方式相对于上述容器气密地设置在上述容器上；膜厚测量部，其利用光学方式透过上述窗部来对形成在载置于上述基座的上述基板上的膜的膜厚进行测量；第1反应气体供给部，其用于将第1反应气体供给到上述一个面上；第2反应气体供给部，其沿着上述基座的旋转方向与上述第1反应气体供给部隔开间隔，用于将第2反应气体供给到上述一个面上；分离区域，其沿着上述旋转方向而位于被供给上述第1反应气体的第1处理区域与被供给上述第2反应气体的第2处理区域之间，用于将上述第1处理区域和上述第2处理区域分离；中央区域，其位于上述容器的中央部，用于将上述第1处理区域和上述第2处理区域分离，并具有沿着上述一个面喷出第1分离气体的喷出孔；排气口，其设置在上述容器上，用于对上述容器内进行排气。上述分离区域包括顶面和用于供给第2分离气体的分离气体供给部，该顶面相对于上述基座的上述一个面形成狭窄的空间，该狭窄的空间能够供上述第2分离气体在上述旋转方向上从上述分离区域流动到上述处理区域 侧。 
本发明的第2方式提供一种成膜方法，该成膜方法在容器内执行按顺序将互相反应的至少2种反应气体供给到基板上的循环，在该基板上生成反应生成物的层，从而形成膜。该成膜方法包括以下步骤：载置基板的步骤，将上述基板载置到在能够旋转地设置于上述容器内的基座的一个面上划定的、用于载置上述基板的载置区域中；旋转步骤，使载置有上述基板的上述基座旋转；第1反应气体供给步骤，自第1反应气体供给部向上述基座供给第1反应气体；第2反应气体供给步骤，自沿着上述基座的旋转方向与上述第1反应气体供给部隔开间隔的第2反应气体供给部向上述基座供给第2反应气体；供给并使第1分离气体流动的步骤，自设置于分离区域的分离气体供给部供给第1分离气体，在形成于上述分离区域的顶面与上述基座之间的狭窄的空间中，使上述第1分离气体在上述旋转方向上从上述分离区域流到上述处理区域侧，上述分离区域位于自上述第1反应气体供给部被供给上述第1反应气体的第1处理区域与自上述第2反应气体供给部被供给上述第2反应气体的第2处理区域之间；第2分离气体供给步骤，自喷出孔供给第2分离气体，该喷出孔形成在位于上述容器中央部的中央部区域；排气步骤，对上述容器进行排气；测量膜厚的步骤，利用光学方式对形成在上述基板上的膜的膜厚进行测量，该基板在通过上述旋转步骤而旋转的上述基座上。 
本发明的第3方式提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有使第1方式的成膜装置执行第2方式的成膜方法的程序。 
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的成膜装置的示意图。 
图2是表示图1的成膜装置的容器主体的内部的立体图。 
图3是表示图1的成膜装置的容器主体的内部的俯视图。 
图4是表示图1的成膜装置的容器主体的内部的剖视图。 
图5是表示设置于图1的成膜装置的膜厚测量系统的示意图。 
图6是图1的成膜装置的局部剖视图。 
图7是图1的成膜装置的断裂立体图。 
图8是表示图1的成膜装置中的吹扫气体的流动的局部剖视图。 
图9是表示进入到图1的成膜装置的容器主体内的输送臂的立体图。 
图10是表示在图1的成膜装置的容器主体内流动的气体的流动形态的俯视图。 
图11是说明图1的成膜装置内的凸状部的形状的图。 
图12是表示图1的成膜装置的气体喷嘴的变形例的图。 
图13是表示图1的成膜装置内的凸状部的变形例的图。 
图14是表示图1的成膜装置内的凸状部和气体喷嘴的变形例的图。 
图15是表示图1的成膜装置内的凸状部的另一变形例的图。 
图16是表示图1的成膜装置中的气体喷嘴的配置位置的变形例的图。 
图17是表示图1的成膜装置内的凸状部的又一变形例的图。 
图18是表示在图1的成膜装置内，相对于反应气体喷嘴设置凸状部的例子的图。 
图19是表示图1的成膜装置内的凸状部的再一变形例的图。 
图20是表示本发明的另一实施方式的成膜装置的示意图。 
图21是表示包括图1或图23的成膜装置的基板处理装置的示意图。 
图22是表示包括图1或图23的成膜装置的基板处理装置的示意图。 
图23是沿着图22中的II-II的剖视图。 
具体实施方式
采用本发明的实施方式，能提供一种能够在形成膜的过程中实时监视膜厚的成膜装置、成膜方法及计算机可读存储介质。下面，参照附图说明本发明的实施方式的成膜装置。 
如图1(沿着图3中的B-B的剖视图)、图2及图3所示，本发明的实施方式的成膜装置200包括平面形状为大致圆形的扁平的真空容器1、和设置在该真空容器1内且在该真空容器1的中心具有旋转中心的基座2。真空容器1构成为顶板11能够自容器主体12分离。顶板11例如夹着O型密封圈等密封构件13安装于容器主体12，由此，真空容器1被气密地密闭。另一方面，在需要使顶板11自容器主体12分离时，利用未图示的驱动机构将其抬起到上方。 
另外，在顶板11上设有具有台阶部的开口，利用该台阶部，夹着O型密封圈等密封构件(未图示)安装有透射窗201。由此，透射窗201相对于真空容器1气密地安装在真空容器1上。透射窗201例如由石英玻璃制成，供利用膜厚测量系统101测量形成在晶圆W上的膜的膜厚来使用。另外，透射窗201具有与载置于后述的基座2的晶圆W的直径大致相等的宽度，其沿着真空容 器1的径向设置。由此，能够在沿着晶圆W的径向的多个点测量膜厚。膜厚测量系统101在本实施方式中是基于偏振光分析测定法(ellipsometry)的膜厚测量系统。 
基座2在本实施方式中是由具有约20mm厚度的碳板制成的，形成为具有约960mm直径的圆板形状。另外，也可以用SiC涂覆基座2的上表面、背面及侧面。但是，在另一实施方式中，基座2也可以由石英等其他材料形成。参照图1，基座2在其中央具有圆形的开口部，在开口部的周围被圆筒形状的芯部21从上下夹着来保持。芯部21被固定在沿铅直方向延伸的旋转轴22的上端。旋转轴22贯穿容器主体12的底部14，旋转轴22的下端安装在使该旋转轴22绕铅直轴线旋转的驱动部23上。利用该结构，基座2能够以其中心为轴线向例如图2所示的旋转方向RD旋转。另外，旋转轴22及驱动部23被收纳在上表面开口的筒状的壳体20内。该壳体20借助于设置在壳体20的上表面的凸缘部分20a被气密地安装在真空容器1的底部14的下表面上，由此，壳体20的内部气氛被自外部气氛隔离。 
如图2及图3所示，在基座2的上表面分别形成有用于载置晶圆W的多个(图示的例子中为5个)圆形凹部状的载置部24。但是，图3仅表示1片晶圆W。载置部24互相以约72°的角度间隔配置于基座2上。 
在此，参照图4的(a)，图示了载置部24和载置于载置部24上的晶圆W的截面。如图4的(a)所示，载置部24具有比晶圆W的直径稍大、例如大出4mm的直径、并且与晶圆W的厚度相等的深度。因而，在晶圆W载置于载置部24上时，晶圆W的表面处于与基座2的除载置部24之外的区域的表面相同的高度。假如在晶圆W与该区域之间存在较大的台阶时，因该台阶而在气体的流动中产生湍流，晶圆W上的膜厚均匀性受到影响。 因此，2个表面处于相同的高度。“相同高度”在这里是指高度差为约5mm以下，但该差在加工精度容许的范围内优选尽量接近零。 
另外，在载置部24的底上形成有3个通孔(未图示)，3个升降销(参照图9)通过这些通孔升降。升降销用于支承晶圆W的背面而使晶圆W升降。 
如图2、图3及图9所示，在容器主体12的侧壁形成有输送口15。晶圆W通过输送口15而被输送臂10输送到真空容器1中、或者从真空容器1输送到外部。在该输送口15中设有闸阀(未图示)，由此，打开或关闭输送口15。一个载置部24排列于输送口15，闸阀打开时，晶圆W被输送臂10输送到真空容器1内，自输送臂10放置在载置部24上。为了使晶圆W自输送臂10落下到载置部24上、或者将晶圆W从载置部24抬起，设有升降销16(图9)，升降销利用升降机构(未图示)通过形成于基座2的载置部24的通孔而进行升降。这样，晶圆W被载置于载置部24上。 
再次参照图1，在透射窗201的上方配置有膜厚测量系统101。膜厚测量系统101包括：配置在透射窗201的上表面上的3个光学单元102a～102c；利用光学方式与光学单元102a～102c相对应地连接的光纤线104a～104c；这些光纤线104a～104c利用光学方式所连接的测量单元106；为了控制测量单元106而与测量单元106电连接的控制单元108。控制单元108例如也可以是计算机，控制单元108与控制整个成膜装置200的控制部100电连接，在两者之间收发信号。由此，成膜装置200与膜厚测量系统101协同工作。 
图5是表示光学单元102a和测量单元106的构造的概略图。如图所示，光学单元102a具有光放射部LE和受光部D。另外， 测量单元106具有包含氙气灯等的光源106a、分光器106b、接受来自各分光器106b的光的受光器106c。并且，光纤线104a具有2根光纤OF1、OF2。 
另外，在图5中，省略了光学单元102b及102c，但它们具有与光学单元102a相同的结构，而且，测量单元106与光学单元102b及102c相对应地具有分光器106b和受光器106c。 
如图所示，光学单元102a的光放射部LE利用光纤线104a的光纤OF1，利用光学方式与测量单元106的光源106a相连接。由此，来自光源106a的光通过光纤OF1被引导到光放射部LE，从光放射部LE射出。另外，光放射部LE为了将被光纤OF1引导后的光形成为光束Bi而朝着晶圆W射出，具有包括透镜(未图示)等的光学系统。在该光学系统中包含将朝着晶圆W射出的光束Bi偏振为直线偏振光的偏振器P。并且，光放射部LE为了将光束Bi以规定的角度照射到晶圆W上，具有调整光学系统角度的角度调整部(未图示)。 
另一方面，光学单元102a的受光部D利用光纤线104a的光纤OF2，通过光学方式与测量单元106的分光器106b相连接。受光部D被配置成接受光束Bi被晶圆W的表面反射而成的反射光束Br，该光束Bi自光放射部LE以规定的角度向晶圆W射出。例如，光放射部LE和受光部D被配置成相对于晶圆W的法线以相等的角度倾斜，而且，光束Bi、反射光束Br和法线形成一个平面。另外，受光部D为了使这样接受到的反射光束Br入射到光纤OF2，具有规定的光学系统。在该光学系统中包含将反射光束Br偏振为圆偏振光的光弹性调制器PEM、和偏振器P。如上所述，光学单元102a～102c包括相位调制型的椭圆偏振计(ellipsometer)所需要的光学零件而构成。 
由受光部D接受到的反射光束Br通过光纤OF2被引导到分 光器106b，在分光器106b中反射光束Br(白色光)被分光，分光被入射到受光器106c。受光器106c例如包括光电二极管、光电倍增管等，将基于入射到受光器106c的分光强度的输出信号输出到控制单元108。另外，控制单元108向分光器106b输出控制信号，驱动分光器106b。因而，控制单元108能够获取被分光器106b分光后的光的波长(光子能量)与其光强度之间的关系。控制单元108能够基于该关系并按照规定的算法求出形成在晶圆W上的膜的膜厚。 
另外，控制单元108能够控制向测量单元106的光源106a供给电力的电源(未图示)，从而能够通过向电源输出控制信号来控制光源106a。另外，在光源106a与光纤OF1之间设有用于将来自光源的光入射到光纤OF1的光学系统(未图示)。另外，在光源106a与光纤OF1之间配置有通过控制单元108的控制而打开或关闭的光闸(shutter)(未图示)，由此，在规定的时机向晶圆W照射光束Bi，在规定的时机测量形成在晶圆W上的膜的膜厚。 
再次参照图2及图3，在基座2的上方设有反应气体喷嘴31、反应气体喷嘴32及分离气体喷嘴41、42。它们以规定的角度间隔在径向上延伸。基座2的载置部24能够在气体喷嘴31、32、41及42之下通过。在图示的例子中，反应气体喷嘴32、分离气体喷嘴41、反应气体喷嘴31及分离气体喷嘴42按照这样的顺序顺时针配置。这些气体喷嘴31、32、41、42贯穿容器主体12的周壁部，将作为气体导入件31a、32a、41a、42a的端部安装在壁的外周壁来支承。在图示的例子中，气体喷嘴31、32、41、42从真空容器1的周壁部被导入到真空容器1内，但也可以从环状的突出部5(后述)被导入。在这种情况下，设置有在突出部5的外周面和顶板11的外表面开口的L字型的导管，能够 在真空容器1内将气体喷嘴31(32、41、42)连接于L字型导管的一个开口，在真空容器1的外部将气体导入件31a(32a、41a、42a)连接于L字形导管的另一个开口。 
虽未图示，但反应气体喷嘴31连接于作为第1反应气体的双叔丁基氨基硅烷(BTBAS)的气体供给源，反应气体喷嘴32连接于作为第2反应气体的臭氧(O3)的气体供给源。 
在反应气体喷嘴31、32上，在喷嘴的长度方向上隔开间隔地排列有用于向下方侧喷出反应气体的喷出孔33。在本实施方式中，喷出孔33具有约0.5mm的口径，沿着反应气体喷嘴31、32的长度方向以约10mm的间隔排列。另外，存在将反应气体喷嘴31的下方区域称作用于使BTBAS气体吸附于晶圆的处理区域P1、将反应气体喷嘴32的下方区域称作用于利用O3气体将吸附于晶圆W的BTBAS气体氧化的处理区域P2这样的情况。 
另一方面，分离气体喷嘴41、42连接于分离气体的气体供给源(未图示)。分离气体也可以是氮气(N2)、He气体或Ar气体等惰性气体，而且，只要是不会影响成膜的气体，分离气体的种类就没有特别的限定。在本实施方式中，采用N2气体作为分离气体。分离气体喷嘴41、42具有用于向下方侧喷出分离气体的喷出孔40。喷出孔40在长度方向上以规定的间隔配置。在本实施方式中，喷出孔40具有约0.5的口径，沿着分离气体喷嘴41、42的长度方向以约10mm的间隔排列。 
分离气体喷嘴41、42设置于以将处理区域P1和处理区域P2分离的方式构成的分离区域D中。在各分离区域D中，如图2、图3、图4的(a)及图4的(b)所示，在真空容器1的顶板11上设有凸状部4。凸状部4具有扇形的上表面形状，其顶部位于真空容器1的中心，圆弧位于沿着容器主体12的内周壁附近的位置。另外，凸状部4具有以将凸状部4一分为二的方式沿径向 延伸的槽部43。在槽部43中收容有分离气体喷嘴41(42)。分离气体喷嘴41(42)的中心轴线与扇形的凸状部4的一条边之间的距离同分离气体喷嘴41(42)的中心轴线与扇形的凸状部4的另一条边之间的距离大致相等。另外，在本实施方式中，槽部43以将凸状部4二等分的方式形成，但在另一实施方式中，例如也可以以凸状部4中的基座2的旋转方向上游侧变宽的方式形成槽部43。 
采用上述结构，如图4的(a)所示，在分离气体喷嘴41(42)的两侧存在平坦的低的顶面44(第1顶面)，在低的顶面44的两侧存在高的顶面45(第2顶面)。凸状部4(顶面44)形成用于阻止第1及第2反应气体进入到凸状部4与基座2之间而混合的狭窄的空间、即分离空间。 
参照图4的(b)，能阻止自反应气体喷嘴32沿着基座2的旋转方向流向凸状部4的O3气体进入到该空间，而且，能阻止自反应气体喷嘴31沿着与基座2的旋转方向相反的方向流向凸状部4的BTBAS气体进入到该空间。“能阻止气体进入”是指，自分离气体喷嘴41喷出的分离气体、即N2气体扩散到顶面44与基座2的表面之间，在该例子中吹入到与该顶面44相邻的顶面45的下方侧空间中，由此，来自顶面45的下方侧空间的气体无法进入。而且，“气体无法进入”并不仅是指从顶面45的下方侧空间完全无法进入到凸状部4的下方侧空间的情况，也指即使反应气体的一部分进入，该反应气体也无法朝向分离气体喷嘴41进一步前进，因此无法混合。即，只要能获得这样的作用，分离区域D就将处理区域P1和处理区域P2分离。另外，吸附于晶圆的气体当然能够在分离区域D中通过。因而，阻止气体的进入是指阻止气相中的气体进入。 
参照图1、图2及图3，在顶板11的下表面设有以内周缘面 向芯部21的外周面的方式配置的环状的突出部5。突出部5在芯部21的更外侧区域中与基座2相对。另外，突出部5与凸状部4一体形成，凸状部4的下表面与突出部5的下表面形成一个平面。即，突出部5的下表面距基座2的高度与凸状部4的下表面(顶面44)的高度相等。该高度在之后被记作高度h。但是，突出部5与凸状部4并不一定是一体，也可以独立地形成。另外，图2及图3表示将凸状部4留在真空容器1内的状态下卸下顶板11后的真空容器1的内部构造。 
在本实施方式中，分离区域D通过在应成为凸状部4的扇形板中形成槽部43、在槽部43中配置分离气体喷嘴41(42)而形成。但是，也可以以2个扇形板配置在分离气体喷嘴41(42)的两侧的方式，利用螺钉将这2个扇形板安装在顶板11的下表面上。 
在本实施方式中，在真空容器1内处理具有约300mm直径的晶圆W的情况下，凸状部4具有沿着距基座的旋转中心140mm的内侧圆弧li(图3)的例如140mm的周向长度、和沿着与基座2的载置部24的最外部相对应的外侧圆弧lo(图3)的例如502mm的周向长度。另外，沿着外侧圆弧lo的、从凸状部4的一侧壁到槽部43最接近的侧壁的周向长度为约246mm。 
另外，凸状部4的下表面、即顶面44自基座2的表面测量的高度h(图4的(a))例如也可以为约0.5mm～约10mm，优选为约4mm。另外，基座2的旋转速度例如也可以为1rpm～500rpm。为了确保分离区域D的分离功能，也可以根据真空容器1内的压力、基座2的转速等，例如通过实验等来设定凸状部4的大小、凸状部4的下表面(顶面44)与基座2的表面之间的高度h。 
图6表示沿着图3中的A-A剖切而成的剖视图的一半，在此 图示了凸状部4以及与凸状部4一体形成的突出部5。参照图6，凸状部4在其外缘具有弯曲成L字形的弯曲部46。凸状部4安装在顶板11上，能够与顶板11一起自容器主体12分离，因此，在弯曲部46与基座2之间及弯曲部46与容器主体12之间存在微小的间隙，但弯曲部46大致填埋基座2与容器主体12之间的空间，防止来自反应气体喷嘴31的第1反应气体(BTBAS)和来自反应气体喷嘴32的第2反应气体(臭氧)通过该间隙混合。弯曲部46与容器主体12之间的间隙、及弯曲部46与基座2之间的微小的间隙为与从上述基座到凸状部4的顶面44的高度h大致相同的尺寸。在图示的例子中，弯曲部46的与基座2的外周面相面对的侧壁构成分离区域D的内周壁。 
再次参照沿着图3中的B-B剖切而成的剖视图、即图1，容器主体12在与基座2的外周面相对的容器主体12的内周部具有凹部。此后，将该凹部称作排气区域6。在排气区域6的下方设有排气口61(另一个排气口62参照图3)，该排气口61、62通过另一个排气口62也能够使用的排气管63连接于真空泵64。另外，在排气管63上设有压力调整器65。也可以在对应的排气口61、62上设置多个压力调整器65。 
再次参照图3，排气口61从上方看来配置在反应气体喷嘴31与相对于反应气体喷嘴31位于基座2的旋转方向下游的凸状部4之间。利用该结构，排气口61实质上能够专用于排出来自反应气体喷嘴31的BTBAS气体。另一方面，排气口62从上方看来配置在反应气体喷嘴32与相对于反应气体喷嘴32位于基座2的旋转方向下游的凸状部4之间。利用该结构，排气口62实质上能够专用于排出来自反应气体喷嘴32的O3气体。因而，这样地构成的排气口61、62能够有助于分离区域D防止BTBAS气体和O3气体混合。 
在本实施方式中，在容器主体12中设有2个排气口，但是在另一实施方式中，也可以设置3个排气口。例如，也可以在反应气体喷嘴32与相对于反应气体喷嘴32位于基座2的旋转方向上游的分离区域D之间设置追加的排气口。另外，还可以适当地设置追加的排气口。在图示的例子中，排气口61、62通过设置在比基座2低的位置而从真空容器1的内周壁与基座2的周缘之间的间隙进行排气，但排气口61、62也可以设置在容器主体12的侧壁上。另外，在将排气口61、62设置在容器主体12的侧壁上的情况下，排气口61、62也可以位于比基座2高的位置。在这种情况下，气体沿着基座2的表面流动，流入到位于比基座2的表面高的位置的排气口61、62中。因而，与排气口设置于例如顶板11上的情况相比，在真空容器1内的微粒不被吹起这一点上较为有利。 
如图1、图2及图7所示，在基座2与容器主体12的底部14之间的空间中设有由环状的加热器元件构成的、作为加热部的加热器单元7，由此，能够隔着基座2将基座2上的晶圆W加热到由工艺制程程序决定的温度。另外，罩构件71在基座2的下方设置成在基座2的外周附近围着加热器单元7，由此，放置有加热器单元7的空间从加热器单元7的外侧区域被划分开。罩构件71在其上端具有凸缘部71a，凸缘部71a为了防止气体流入到罩构件71内，被配置成在基座2的下表面与凸缘部之间保持有微小的间隙。 
参照图6，底部14在环状的加热器单元7的内侧具有隆起部R。隆起部R的上表面接近于基座2和芯部21，在隆起部R的上表面与基座2之间、及隆起部R的上表面与芯部21的背面之间留有微小的间隙。另外，底部14具有供旋转轴22穿过的中心孔。该中心孔的内径稍大于旋转轴22的直径，留有通过凸缘部20a 而与壳体20连通的间隙。凸缘部20a的上部与吹扫气体供给管72相连接。另外，为了对收容有加热器单元7的空间(加热器单元收容空间)进行吹扫，在加热器单元7的下方区域以规定的角度间隔连接有多个吹扫气体供给管73。 
利用这样的构造，N2吹扫气体自吹扫气体供给管72通过旋转轴22与底部14的中心孔之间的间隙、芯部21与底部14的隆起部R之间的间隙以及底部14的隆起部R与基座2的背面之间的间隙流入到加热器单元收容空间。并且，N2气体自吹扫气体供给管73流入到加热器单元收容空间。然后，这些N2气体通过罩构件71的凸缘部71a与基座2的背面之间的间隙流入到排气口61。N2气体的这样的流动如图8中箭头所示。N2气体起到这样的分离气体的作用，即，防止BTBAS气体(O3气体)在基座2的下方空间中回流而与O3气体(BTBAS气体)混合。 
参照图8，在真空容器1的顶板11的中心部连接有分离气体供给管51，由此，能够向顶板11与芯部21之间的空间52中供给作为分离气体的N2气体。被供给到该空间52的分离气体通过突出部5与基座2之间的狭小的间隙50而沿着基座2的表面流动，到达排气区域6。由于该空间52和间隙50充满了分离气体，因此，BTBAS气体与O3气体不会经由基座2的中心部混合。即，本实施方式的成膜装置200设有中心区域C，该中心区域C由基座2的旋转中心部和真空容器1划分，用于将处理区域P1和处理区域P2分离，并具有朝向基座2的上表面喷出分离气体的喷出口。另外，在图示的例子中，喷出口相当于突出部5与基座2之间的狭小的间隙50。 
另外，在本实施方式的成膜装置200中设有控制部100，该控制部100用于控制整个装置的动作。该控制部100具有例如由计算机构成的工艺控制器100a、用户接口部100b和存储器装置 100c。用户接口部100b具有用于显示成膜装置200的动作状况的显示器、用于供成膜装置200的操作者选择工艺制程程序、或者供工艺管理者变更工艺制程程序的参数的键盘、触摸面板(未图示)等。 
存储器装置100c存储有使工艺控制器100a实施各种工艺的控制程序、工艺制程程序及各种工艺的参数等。另外，这些程序具有用于使成膜装置200进行例如后述的动作(成膜方法(包括膜厚测量))的步骤群。这些控制程序、工艺制程程序按照来自用户接口部100b的指示，由工艺控制器100a读取而执行。另外，这些程序也可以存储于计算机可读存储介质100d中，通过与它们相对应的输入输出装置(未图示)安装于存储器装置100c即可。计算机可读存储介质100d也可以是硬盘、CD、CD-R/RW、DVD-R/RW、软盘、半导体存储器等。另外，程序通过通信线路下载到存储器装置100c。 
接着，说明本实施方式的成膜装置200的动作(成膜方法)。 
晶圆搬入工序
首先，再次参照此前参照过的附图说明将晶圆W载置在基座2上的工序。首先，使基座2旋转而使载置部24排列在输送口15，打开闸阀(未图示)。其次，如图9所示，利用输送臂10将晶圆W通过输送口15搬入到真空容器1内，将晶圆W保持在载置部24的上方。接着，升降销16上升而从输送臂10承接晶圆W，输送臂10自真空容器1退出，闸阀(未图示)关闭，升降销16下降而将晶圆W载置于基座2的载置部24上。 
将该一连串的动作反复与由一次运行所处理的晶圆的枚数相等的次数之后，晶圆搬入结束。 
成膜工序
在搬入晶圆之后，利用真空泵64(图1)将真空容器1内排 气至预先设定的压力。接着，基座2从上方看来开始顺时针旋转(公转)。基座2被加热器单元7提前加热到规定的温度(例如300℃)，晶圆W通过载置于载置部24上而被加热。晶圆W被加热并维持在规定的温度之后，自分离气体喷嘴41、42供给N2气体，通过反应气体喷嘴31向处理区域P1中供给BTBAS气体，通过反应气体喷嘴32向处理区域P2中供给O3气体。 
晶圆W在反应气体喷嘴31下方的处理区域P1中通过时，BTBAS分子吸附在晶圆W的表面，晶圆W在反应气体喷嘴32下方的处理区域P2中通过时，O3分子吸附在晶圆W的表面，BTBAS分子被O3氧化。因而，通过基座2的旋转，晶圆W在区域P1、P2这两者中通过一次时，在晶圆W的表面形成有氧化硅的一个分子层。 
膜厚测量
在如上所述那样成膜的期间里，能进行以下的膜厚测量。 
首先，根据基座2的旋转速度来决定测量时机。通过在使基座2旋转的旋转轴22外周的规定位置(例如与基座2的载置部24相对应的位置)、在旋转轴22上安装例如磁铁而与旋转轴22一起旋转、并用规定的磁头测量磁性变化来把握测量时机。 
接着，控制单元108(图1及图5)控制光源106a的电源而点亮光源106a，并且，根据把握的时机打开或关闭光闸(未图示)，使来自光源106a的光以脉冲状入射到光纤OF1。由此，能够将光照射到作为测量对象的晶圆W上。即，来自光源106a的光通过光纤OF1到达光放射部LE，自光放射部LE作为光束Bi射出，有选择性地照射到旋转着的基座2上的作为测量对象的晶圆W上。然后，被该晶圆W反射的反射光束Br入射到受光部D，通过光纤OF2到达分光器106b。此时，分光器106b被控制单元108控制，在来自晶圆W的反射光束Br自光纤OF2射出 的期间，例如从约248nm到约827nm(以光子能量换算约1.5eV～5eV)地进行波长扫描(分光)。具体地讲，控制单元108与控制光闸的打开或关闭的信号同步地向分光器106b发送控制信号，分光器106b根据该控制信号能够进行波长扫描。这样，在光束Bi以脉冲状照射到晶圆W的期间进行分光测量，获取与反射光束Br的分光强度的波长(光子能量)依赖性相关的数据。 
之后，控制单元108根据上述分光强度的波长(光子能量)依赖性的数据，利用规定的算法算出形成在晶圆W上的膜的膜厚。然后，将算出的膜厚与该膜的目标膜厚相比较。目标膜厚例如可以通过参照下载到控制部100中的制程程序而逐一比较地获取，也可以预先自控制部100通知控制单元108加以存储。基于比较的结果，在被判定为算出的膜厚与目标膜厚相等、或者为目标膜厚以上的情况下，通过向控制部100输出通知信号而向控制部100通知应停止成膜。控制部100接收到通知信号时，停止BTBAS气体、O3气体及N2气体，使基座2中止旋转，开始接下来的晶圆搬出工序。 
另外，上述膜厚测量也能够在与光学单元102a～102c相对应的位置同时测量。在这种情况下，在晶圆W上的3点测量膜厚，但可以在全部3点的膜厚均为目标膜厚以上时停止成膜，也可以在1点或2点的膜厚为目标膜厚以上时中止成膜。另外，可以仅对载置于基座2上的规定的载置部24中的一片晶圆W测量膜厚，也可以对基座2上的所有的晶圆W测量膜厚。 
另外，例如也可以根据基座2的旋转速度来决定以脉冲状照射到晶圆W上的光束Bi的持续时间(duration)。具体地讲，光束Bi的持续时间(光闸打开的时间)也可以是10毫秒～100毫秒的期间。另外，也可以并不是基座2每一次旋转都需要测 量膜厚，例如也可以是基座2每旋转5～20次测量1次膜厚。 
晶圆搬出工序
成膜工序结束之后，对真空容器1内进行吹扫。接着，通过与搬入动作相反的动作，由输送臂10将晶圆W从真空容器1依次搬出。即，在载置部24排列于输送口15、闸阀打开之后，升降销16上升而将晶圆W保持在基座2的上方。接着，输送臂10进入到晶圆W的下方，升降销16升降，由输送臂10承接晶圆W。之后，输送臂10自真空容器1退出，将晶圆W从真空容器1搬出。由此，完成搬出一个晶圆W。接着，反复上述动作，搬出基座2上的所有的晶圆W。 
下面，对采用本发明的实施方式的成膜装置进行成膜工序的优点进行说明。 
图10是示意性地表示自气体喷嘴31、32、41、42被供给到真空容器1内的气体的流动形态的图。如图所示，自反应气体喷嘴32喷出的O3气体的一部分碰到基座2的表面(及晶圆W的表面)而沿着该表面向与基座2的旋转方向相反的方向流动。接着，该O3气体被从基座2的旋转方向的上游侧流过来的N2气体吹回，使其朝向变为基座2的周缘和真空容器1的内周壁。最后，O3气体流入到排气区域6，通过排气口62自真空容器1被排出。 
自反应气体喷嘴32喷出的O3气体的另一部分碰到基座2的表面(及晶圆W的表面)而沿着该表面向与基座2的旋转方向相同的方向流动。该部分的O3气体主要利用自中心区域C流动的N2气体和通过排气口62后的吸引力朝向排气区域6流动。另一方面，该部分的O3气体的少量部分朝向相对于反应气体喷嘴32位于基座2的旋转方向的下游侧的分离区域D流动，有可能进入到顶面44与基座2之间的间隙中。但是，由于该间隙的高度h被 设定为在特定的成膜条件下阻止流入到该间隙那样程度的高度，因此，能阻止O3气体进入到该间隙中。即使少量的O3气体流入到该间隙中，该O3气体也无法流动到分离区域D的里面。流入到间隙中的少量的O3气体被自分离气体喷嘴41喷出的分离气体吹回。因而，如图10所示，在基座2的上表面沿着旋转方向流动的全部的O3气体实质上流动到排气区域6，被排气口62排出。 
同样，能防止自反应气体喷嘴31喷出的、沿着基座2的表面向与基座2的旋转方向相反的方向流动的一部分BTBAS气体流入到相对于反应气体喷嘴31位于旋转方向上游侧的凸状部4的顶面44与基座2之间的间隙中。即使少量的BTBAS气体流入，也会被自分离气体喷嘴41喷出的N2气体吹回。被吹回的BTBAS气体与来自分离气体喷嘴41的N2气体和自中心区域C喷出的N2气体一起朝向基座2的外周缘和真空容器1的内周壁流动，经由排气区域6而通过排气口61被排出。 
自反应气体喷嘴31向下方侧喷出的、沿着基座2的表面(及晶圆W的表面)向与基座2的旋转方向相同的方向流动的另一部分BTBAS气体无法流入到相对于反应气体喷嘴31位于旋转方向下游侧的凸状部4的顶面44与基座2之间的间隙中。即使少量的BTBAS气体流入，也会被自分离气体喷嘴42喷出的N2气体吹回。被吹回的BTBAS气体与来自分离区域D的分离气体喷嘴42的N2气体和自中心区域C喷出的N2气体一起朝向排气区域6流动，被排气口61排出。 
如上所述，分离区域D能够防止BTBAS气体、O3气体流入到分离区域D、或者充分降低流入到分离区域D的BTBAS气体、O3气体的量、或者吹回BTBAS气体、O3气体。吸附于晶圆W的BTBAS分子和O3分子允许穿过分离区域D，有助于成膜。 
另外，如图8和图10所示，由于分离气体自中心区域C朝向基座2的外周缘喷出，因此，处理区域P1的BTBAS气体(处理区域P2的O3气体)无法流入到中心区域C。即使处理区域P1的少量的BTBAS(第2处理区域P2的O3气体)流入到中心区域C，该BTBAS气体(O3气体)也会被N2气体吹回，能够阻止处理区域P1的BTBAS气体(处理区域P2的O3气体)通过中心区域C而流入到处理区域P2(处理区域P1)中。 
另外，也能够阻止处理区域P1的BTBAS气体(处理区域P2的O3气体)通过基座2与容器主体12的内周壁之间的空间而流入到处理区域P2(处理区域P1)。其原因在于，由于弯曲部46自凸状部4朝下地形成，弯曲部46与基座2的间隙、及弯曲部46与容器主体12的内周壁之间的间隙小到与凸状部4的顶面44距基座2的高度h相同的程度，因此，能够实质上避免2个处理区域之间的连通。因而，BTBAS气体从排气口61排出，O3气体从排气口62排出，这2种反应气体不会混合。另外，基座2的下方空间(加热器单元收容空间)被自吹扫气体供给管72、73供给的N2气体吹扫。因而，BTBAS气体无法通过基座2的下方而流入到处理区域P2中。 
另外，在上述成膜工序中，自分离气体供给管51也供给作为分离气体的N2气体，由此，自中心区域C、即突出部5与基座2之间的间隙50沿着基座2的表面喷出N2气体。在本实施方式中，顶面45之下的空间、即配置有反应气体喷嘴31(32)的空间具有比中心区域C及顶面44与基座2之间的狭窄的空间更低的压力。其原因在于，与顶面45之下的空间相邻地设置排气区域6，该空间通过排气区域6直接排气。其原因还在于，狭窄的空间形成为，能够利用高度h维持配置有反应气体喷嘴31(32)的空间与狭窄的空间之间的压力差。 
如上所述，在本实施方式的成膜装置200中，能够极力地抑制2种原料气体(BTBAS气体、臭氧气体)在真空容器1内混合，因此，实现了接近理想状态的原子层成膜，能够提供优良的膜厚控制性。此外，由于在成膜装置200中设有膜厚测量系统101，因此，能提供更加优良的膜厚控制性。即，采用膜厚测量系统101能够在成膜过程中实时监视膜厚，并且在达到目标膜厚的时刻停止成膜，因此，能够可靠地达到目标膜厚。因而，只要将本实施方式的成膜装置200用于制造半导体器件，就能够可靠地发挥该半导体器件的性能，并且，能够提高制造成品率。 
通常，在制造运行之前，为了把握用于达到目标膜厚的成膜条件而进行条件设定运行，但采用包括膜厚测量系统101的成膜装置200，就不需要进行条件设定运行。因此，能够将制造成本降低条件设定运行所需费用那样的量。另外，由于能在进行条件设定运行的时间里进行制造运行，因此，能够处理更多的制造批次。并且，由于能够将运行次数降低条件运行那样的量，因此，能够延长维护间隔。 
另外，由于本实施方式的膜厚测量系统101构成为椭圆偏振计，因此，如上所述，能够在10毫秒～100毫秒这样极短的期间里测量膜厚。因而，即使晶圆W旋转，也能够测量晶圆W面内的极小部位(点)处的膜厚。并且，也能够利用一个光学单元102a在晶圆W面内的几处测量膜厚。只要利用3个光学单元102a～102c在晶圆W面内的几处测量膜厚，也就能够求出晶圆W面内的膜厚分布。 
并且，由于本实施方式的膜厚测量系统101构成为椭圆偏振计，因此，能够针对层叠有多个物质的层叠膜测量各层的膜厚。因而，利用本实施方式的成膜装置200，例如即使是在连 续地形成氧化膜-氮化膜-氧化膜(ONO膜)的情况下，也能够测量各膜的膜厚。另外，例如在将钛酸锶(SrTiO)膜作为氧化钛(TiO)膜和氧化锶(SrO)膜的层叠膜来实现的情况下，也能够测量TiO膜和SrO膜各自的膜厚。 
另外，如上所述，由于能够有效地防止2种原料气体在真空容器1内混合，因此，只在晶圆W上及基座2上进行成膜。因此，几乎不会在透射窗201上形成膜，因而，能够极大地降低透射窗201的维护频率。即，几乎不会由膜厚测量系统101导致成膜装置200的停机时间增加。 
接着，在本实施方式的成膜装置200中将使用BTBAS气体和O3气体来形成SiO2膜的情况下的最佳的工艺参数表示如下。 
·基座2的旋转速度：1～500rpm(晶圆W的直径为300mm的情况) 
·真空容器1的压力：1067Pa(8Torr) 
·晶圆温度：350℃ 
·BTBAS气体的流量：100sccm 
·O3气体的流量：10000sccm 
·来自分离气体喷嘴41、42的N2气体的流量：20000sccm 
·来自分离气体供给管51的N2气体的流量：5000sccm 
·基座2的转速：600转(由需要的膜厚决定) 
采用本实施方式的成膜装置200，由于成膜装置200在被供给BTBAS气体的处理区域P1与被供给O3气体的处理区域P2之间具有包括低的顶面44的分离区域D，因此，能够防止BTBAS气体(O3气体)流入到处理区域P2(处理区域P1)中，从而能够防止BTBAS气体(O3气体)与O3气体(BTBAS气体)混合。因而，通过使载置有晶圆W的基座2旋转而使晶圆W通过处理区域P1、分离区域D、处理区域P2及分离区域D，能够可靠地实 施氧化硅膜的分子层成膜。另外，为了更加可靠地防止BTBAS气体(O3气体)流入到处理区域P2(处理区域P1)而与O3气体(BTBAS气体)混合，分离区域D还包括喷出N2气体的分离气体喷嘴41、42。并且，由于本实施方式的成膜装置200的真空容器1具有包括喷出N2气体的喷出孔的中心区域C，因此，能够防止BTBAS气体(O3气体)通过中心区域C流入到处理区域P2(处理区域P1)而与O3气体(BTBAS气体)混合。并且，由于BTBAS气体与O3气体不会混合，因此，几乎不会在基座2上形成氧化硅膜，因此，能够降低微粒的问题。 
另外，在本实施方式的成膜装置200中，基座2具有5个载置部24，能够在一次运行中对载置在对应的5个载置部24上的5片晶圆W进行处理，但也可以在5个载置部24中的一个上载置1片晶圆W，也可以在基座2上仅形成一个载置部24。 
并且，并不限于氧化硅膜的分子层成膜，利用成膜装置200也能够进行氮化硅膜的分子层成膜。作为氮化硅膜的分子层成膜用的氮化气体，能够应用氨气体(NH3)、联氨气体(N2H2)等。 
另外，氧化硅膜、氮化硅膜的分子层成膜用的原料气体并不限于BTBAS，也能够应用二氯硅烷(DCS)、六氯乙硅烷(HCD)、三(二甲氨基)硅烷(3DMAS)、四乙氧基硅烷(TEOS)等。 
并且，在本发明的实施方式的成膜装置及成膜方法中，能够进行采用三甲基铝(TMA)和O3气体或氧等离子体进行的氧化铝(Al2O3)的分子层成膜、采用四(二乙基氨基)锆(TEMAZr)和O3气体或氧等离子体进行的氧化锆(ZrO2)的分子层成膜、采用四(乙基甲基氨基)铪(TEMAHf)和O3气体或氧等离子体进行的氧化铪(HfO2)的分子层成膜、采用[双(四甲基庚 二酮酸)锶](Sr(THD)2)和O3气体或氧等离子体进行的氧化锶(SrO)的分子层成膜、采用[(甲基戊二酮酸)双(四甲基庚二酮酸)钛](Ti(MPD)(THD))和O3气体或氧等离子体进行的氧化钛(TiO)的分子层成膜等。 
由于越靠近基座2的外周缘、作用的离心力越大，因此，例如BTBAS气体在靠近基座2的外周缘的部分以较大的速度流向分离区域D。因而，在靠近基座2的外周缘的部分，BTBAS气体很有可能流入到顶面44与基座2之间的间隙中。因此，只要越接近外周缘、使凸状部4的宽度(沿着旋转方向的长度)越宽，就能够使BTBAS气体难以进入到该间隙。从该观点出发，在本实施方式中，如上所述那样优选凸状部4具有扇形的上表面形状。 
下面，再次例示凸状部4(或者顶面44)的尺寸。参照图11的(a)及图11的(b)，在分离气体喷嘴41(42)的两侧形成狭窄的空间的顶面44中，与晶圆中心WO所通过的路径相对应的圆弧的长度L可以为晶圆W直径的约1/10～约1/1的长度，优选为约1/6以上。具体地讲，在晶圆W具有300mm直径的情况下，该长度L优选为约50mm以上。在该长度L较短的情况下，为了有效地防止反应气体流入到狭窄的空间中，必须降低顶面44与基座2之间的狭窄的空间的高度h。但是，若长度L过短而高度h极低，则基座2有可能碰到顶面44，产生微粒而对晶圆造成污染，或者损坏晶圆。因而，为了避免基座2碰到顶面44，需要用于抑制基座2的振动或者使基座2稳定地旋转的对策。另一方面，在缩短了长度L的状态下将狭窄的空间的高度h维持得较大的情况下，为了防止反应气体流入到顶面44与基座2之间的狭窄的空间中，必须降低基座2的旋转速度，在制造生产率这一点上反而不利。鉴于这些考察，沿着与晶圆中心WO 的路径相对应的圆弧的、顶面44的长度L优选为约50mm以上。但是，凸状部4或顶面44的尺寸并不限于上述尺寸，也可以根据使用的工艺参数、晶圆规格进行调整。另外，狭窄的空间只要具有能形成分离气体自分离区域D向处理区域P1(P2)的流动那样程度的高度，象从上述说明可知那样，狭窄的空间的高度h在除了根据使用的工艺参数、晶圆规格进行调整之外，例如也可以根据顶面44的面积进行调整。 
另外，在上述实施方式中，在设置于凸状部4的槽部43中配置有分离气体喷嘴41(42)，在分离气体喷嘴41(42)的两侧配置有低的顶面44。但是，在另一实施方式中，也可以替代分离气体喷嘴41，如图12所示那样在凸状部4的内部形成沿基座2的径向延伸的流路47，沿着该流路47的长度方向形成多个气体喷出孔40，自这些气体喷出孔40喷出作为分离气体的N2气体。 
分离区域D的顶面44并不限于平坦面，也可以如图13的(a)所示那样弯曲成凹面状。也可以如图13的(b)所示那样形成为凸面形状，也可以如图13的(c)所示那样构成为波形。 
另外，凸状部4也可以是中空的，也可以构成为向中空内导入分离气体。在这种情况下，也可以如图14的(a)～图14的(c)所示那样排列多个气体喷出孔33。 
参照图14的(a)，多个气体喷出孔33分别具有倾斜的狭缝的形状。这些倾斜狭缝(多个气体喷出孔33)与沿着基座2的径向相邻的狭缝部分重叠。在图14的(b)中，多个气体喷出孔33各自为圆形。这些圆形的孔(多个气体喷出孔33)整体沿着沿基座2的径向延伸的弯折的线配置。在图14的(c)中，多个气体喷出孔33分别具有圆弧状狭缝的形状。这些圆弧状狭缝(多个气体喷出孔33)在基座2的径向上以规定的间隔配置。 
另外，在本实施方式中，凸状部4具有大致扇形的上表面形状，但在另一实施方式中，也可以具有图15的(a)所示的长方形或者正方形的上表面形状。另外，如图15的(b)所示，凸状部4的上表面整体为扇形，也可以具有弯曲成凹状的侧面4Sc。此外，如图15的(c)所示，凸状部4的上表面整体为扇形，也可以具有弯曲成凸状的侧面4Sv。另外，如图15的(d)所示，也可以是凸状部4中的、基座2(图1)的旋转方向上游侧的部分具有凹状的侧面4Sc，凸状部4中的、基座2(图1)的旋转方向下游侧的部分具有平面状的侧面4Sf。另外，在图15的(a)～图15的(d)中，虚线表示形成于凸状部4的槽部43(图4的(a)、图4的(b))。在这些情况下，收容于槽部43的分离气体喷嘴41(42)(图2)自真空容器1的中央部、例如自突出部5(图1)伸出。 
用于加热晶圆的加热器单元7也可以替代电阻发热体而具有加热灯。另外，替代加热器单元7设置在基座2的下方侧，加热器单元7也可以设置在基座2的上方侧，也可以设置在上下两方上。 
在另一实施方式中，处理区域P1、P2及分离区域D也可以如图16所示那样配置。参照图16，例如供给O3气体的反应气体喷嘴32配置在比输送口15更靠基座2的旋转方向上游侧并配置在输送口15与分离气体喷嘴42之间。即使是这样的配置，自各喷嘴及中心区域C喷出的气体也能大致如图16中箭头所示那样流动而防止两种反应气体混合。因而，即使是这样的配置，也能够实现适当的分子层成膜。 
另外，如已经说明的那样，也可以用螺钉将2个扇形板以位于分离气体喷嘴41(42)两侧的方式安装在顶板11的下表面上来构成分离区域D。图17是表示该构造的俯视图。在这种情 况下，为了高效地发挥分离区域D的分离作用，考虑分离气体、反应气体的喷出速率来决定凸状部4与分离气体喷嘴41(42)之间的距离、凸状部4的尺寸即可。 
在上述实施方式中，处理区域P1和处理区域P2相当于具有比分离区域D的顶面44高的顶面45的区域。但是，也可以是处理区域P1及处理区域P2中的至少一方在反应气体喷嘴31(32)的两侧与基座2相对，具有比顶面45低的另一顶面。这是为了防止气体流入到该顶面与基座2之间的间隙中。该顶面低于顶面45，也可以低到与分离区域D的顶面44相同的程度。图18表示该构造的一个例子。如图所示，扇形的凸状部30配置在被供给O3气体的处理区域P2中，反应气体喷嘴32配置在形成于凸状部30的槽部(未图示)中。换言之，该处理区域P2用于供气体喷嘴供给反应气体，与分离区域D同样地构成。另外，凸状部30也可以与图14的(a)～图14的(c)中表示一个例子的中空的凸状部同样地构成。 
另外，只要为了在分离气体喷嘴41(42)的两侧形成狭窄的空间而设有较低的顶面(第1顶面)44，在另一实施方式中，也可以是上述顶面、即比顶面45低的、低到与分离区域D的顶面44相同程度的顶面设置在反应气体喷嘴31、32这两者上，延伸至到达顶面44。换言之，如图19所示，也可以替代凸状部4而在顶板11的下表面安装有另一凸状部400。参照图19，凸状部400具有大致圆盘状的形状，凸状部400与基座2的大致整个上表面相对，分别收容有气体喷嘴31、32、41、42，具有沿径向延伸的4个狭缝400a，而且，在凸状部4之下留出有与基座2之间形成的狭窄的空间。该狭窄的空间的高度也可以与上述高度h相同程度。在使用凸状部400时，自反应气体喷嘴31(32)喷出的反应气体在凸状部400之下(或者在狭窄的空间中)扩 散到反应气体喷嘴31(32)的两侧，自分离气体喷嘴41(42)喷出的分离气体在凸状部4之下(或者在狭窄的空间中)扩散到分离气体喷嘴41(42)的两侧。该反应气体与分离气体在狭窄的空间中合流，通过排气口61(62)被排出。即使在这种情况下，自反应气体喷嘴31喷出的反应气体不会与自反应气体喷嘴32喷出的反应气体混合，能够实现适当的分子层成膜。 
另外，也可以通过将图14的(a)～图14的(c)中任一个所示的中空的凸状部4组合来构成凸状部400，也可以不采用气体喷嘴31、32、33、34及狭缝400a而自对应的中空凸状部4的喷出孔33分别喷出反应气体和分离气体。 
在上述实施方式中，使基座2旋转的旋转轴22位于真空容器1的中央部。另外，芯部21与顶板11之间的空间52为了防止反应气体通过中央部而混合，被分离气体吹扫。但是，真空容器1在另一实施方式中也可以如图20所示那样构成。参照图20，容器主体12的底部14具有中央开口，在中央开口气密地安装有收容壳体80。另外，顶板11具有中央凹部80a。在收容壳体80的底面载置有支柱81，支柱81的上端部到达中央凹部80a的底面。支柱81防止自反应气体喷嘴31喷出的BTBAS气体和自反应气体喷嘴32喷出的O3气体通过真空容器1的中央部互相混合。 
另外，例如石英玻璃制的透射窗201夹着O型密封圈等密封构件(未图示)气密地安装在顶板11的开口。另外，透射窗201具有与载置于基座2上的晶圆W的直径大致相等的宽度，沿着顶板11的径向设置。由此，能够在沿着晶圆W的径向的多个点测量膜厚。 
在图20所示的成膜装置200中，也设有通过透射窗201来对形成在晶圆W上的膜的膜厚进行测量的上述膜厚测量系统 101。因而，采用该成膜装置200，能够在成膜过程中测量膜厚，能够在达到目标膜厚的时刻停止成膜。因此，在该成膜装置200中也能起到上述效果。 
另外，旋转套筒82被设置成以同轴状围着支柱81。旋转套筒82被安装在支柱81的外表面上的轴承86、88和安装在收容壳体80的内侧面的轴承87支承。并且，在旋转套筒82的外表面安装有齿轮部85。另外，环状的基座2的内周面安装在旋转套筒82的外表面上。驱动部83收容于收容壳体80，在自驱动部83延伸的轴上安装有齿轮84。齿轮84与齿轮部85啮合。利用这样的构造，不仅是旋转套筒82而且基座2也利用驱动部83旋转。 
吹扫气体供给管74连接于收容壳体80的底，能向收容壳体80供给吹扫气体。由此，防止反应气体流入到收容壳体80内，因此，能够将收容壳体80的内部空间维持在比真空容器1的内部空间高的压力。因而，不会在收容壳体80内成膜，能够降低维护频率。另外，吹扫气体供给管75分别连接于从真空容器1的上外表面到达凹部80a的内壁的导管75a，能朝向旋转套筒82的上端部供给吹扫气体。因为该吹扫气体的缘故，BTBAS气体与O3气体无法通过凹部80a与旋转套筒82的外表面之间的空间混合。图20图示了2个吹扫气体供给管75和导管75a，但供给管75和导管75a的数量被决定成能可靠地防止BTBAS气体与O3气体在凹部80a与旋转套筒82的外表面之间的空间附近混合。 
在图20的实施方式中，凹部80a的侧面与旋转套筒82的上端部之间的空间相当于用于喷出分离气体的喷出孔，于是，由该分离气体喷出孔、旋转套筒82及支柱81构成位于真空容器1的中心部的中心区域。 
在本发明的实施方式的成膜装置200(图1等、图20)中，并不限于采用2种反应气体，也可以按顺序将3种以上反应气体 供给到基板上。在这种情况下，例如按照第1反应气体喷嘴、分离气体喷嘴、第2反应气体喷嘴、分离气体喷嘴、第3反应气体喷嘴及分离气体喷嘴的顺序在真空容器1的周向上配置各气体喷嘴，像上述实施方式那样地构成与分离气体喷嘴相对应的分离区域即可。 
本发明的实施方式的成膜装置200(图1等、图20)能够组装于基板处理装置，图21示意性地表示其一个例子。基板处理装置包括设有输送臂103的大气输送室102、能够在真空与大气压之间切换气氛的加载互锁真空室(准备室)105、设有2个输送臂107a、107b的输送室106、设有与本发明的实施方式的膜厚测量系统101相同的膜厚测量单元(未图示)的成膜装置109、110。另外，该处理装置包括例如载置有FOUP等晶圆盒F的盒式载物台(未图示)。晶圆盒F被搬运到盒式载物台上，连接于盒式载物台与大气输送室102之间的搬入搬出部。接着，利用开闭机构(未图示)打开晶圆盒F(FOUP)的盖，由输送臂103从晶圆盒F中取出晶圆。接着，晶圆被输送到加载互锁真空室104(105)。在对加载互锁真空室104(105)进行排气之后，加载互锁真空室104(105)内的晶圆利用输送臂107a(107b)通过真空输送室106而被输送到成膜装置109、110。在成膜装置109、110中，利用上述方法在晶圆上形成膜。由于该基板处理装置具有与上述成膜装置200相同的成膜装置109、110，因此，能起到与成膜装置200所起到的效果同样的效果。另外，由于同时具有能够收容5片晶圆的2个成膜装置109、110，因此，能够以较高的生产率进行分子层成膜。 
另外，本发明的实施方式的成膜装置200(图1等、图20)能够组装于另一基板处理装置，图22示意地表示其一个例子。 
图22是本发明的另一实施方式的基板处理装置700的概略 俯视图。如图所示，基板处理装置700包括：2个真空容器111；安装于各真空容器111的侧壁的输送口的输送路径270a；安装于输送路径207a的闸阀270G；利用闸阀270G能够连通地设置的输送组件270；分别经由闸阀270G连接于输送组件270的加载互锁真空室272a、272b。 
2个真空容器111均具有与真空容器1相同的构造，在其顶板上设有透射窗201，在透射窗201上配置有光学单元102a～102c。在光学单元102a～102c上连接有对应的光纤线104a～104c，光纤线104a～104c连接于测量单元106，测量单元106连接于控制单元108。另外，控制单元108连接于未图示的控制部(控制部100)。利用这样的构造，能够测量上述膜厚，从而产生上述效果。 
输送组件270在其内部具有2个输送臂10a、10b。这些输送臂10a、10b伸缩自由，能够以其基部为中心转动，能够进入2个真空容器111及加载互锁真空室272a、272b。由此，如图22所示的输送臂10a那样，在闸阀270G打开时，能够将晶圆W搬入到真空容器111内、将晶圆W自真空容器111搬出。另外，在闸阀270G打开时，能够将晶圆W搬入到加载互锁真空室272a、272b内或将晶圆W自加载互锁真空室272a、272b搬出。 
如沿着图22中的II-II的剖视图、即图23所示，加载互锁真空室272a、272b具有能够利用未图示的驱动部升降的、例如5层的晶圆载置部272c，晶圆W载置在各晶圆载置部272c上。另外，加载互锁真空室272a、272b中的一方也可以起到临时容纳晶圆W的缓冲室的作用，另一个起到用于将晶圆W从外部(成膜工序之前的工序)搬入到成膜装置700中的接口室的作用即可。 
另外，在输送组件270和加载互锁真空室272a、272b上分 别连接有未图示的真空系统。这些真空系统例如包括回转泵，根据需要包括涡轮分子泵。 
利用以上构造，能发挥与上述成膜装置200相同的效果，并且，能够以较高的生产率进行分子层成膜。 
另外，在上述实施方式的成膜装置200(包括基板处理装置所包含的装置在内)中，只要将反应气体喷嘴31(32)构成为在晶圆W的径向上具有不同长度的3根有孔管，例如根据由光学单元102a～102c各自测量的结果，来调整自各有孔管(的孔)供给的原料气体的流量，从而也能够提高膜厚均匀性。 
另外，在以上说明中，利用膜厚测量系统101测量的膜厚与目标膜厚在膜厚测量系统101的控制单元108中进行比较，但也可以将显示测量的膜厚的信息从控制单元108发送到控制部100，在控制部100中进行判断和比较。 
另外，在上述实施方式中，作为膜厚测量系统101，例示了相位调制型的椭圆偏振计，但并不限于此，也可以是消光型、旋转偏振器型、旋转检偏振器型、旋转补偿器型中的任一种。另外，作为光源106a，并不限于氙气灯，也能够使用卤光灯、氘气灯等。 
并且，也可以在顶板11上形成追加的开口，在该追加的开口上气密地安装另一透射窗。在这种情况下，也可以不采用光学单元102a～102c(的壳体)，为了使来自光放射部LE的光束Bi(图5)的反射光束Br入射到受光部D，在一个透射窗201上设置光放射部LE，在另一个透射窗上设置受光部D。由此，易于使来自光放射部LE的光束Bi相对于晶圆W表面的入射角与接近偏振角的角度一致，能够提高测量精度。 
另外，光学单元102a等的数量并不限于3个，也可以是4个以上。也可以根据晶圆W的规格等适当地决定光学单元的数 量。 
并且，膜厚测量系统101并不是基于偏振光分析测定法来测量膜厚的，也可以构成为，能够利用在形成于晶圆W上的膜的表面与该膜及基底膜或晶圆W间的界面之间产生的多重反射来测量膜厚。 
参照上述实施方式说明了本发明，但本发明并不限于公开的实施方式，可以在所附的权利要求的主旨内进行变形、变更。 
关联申请的参照
本申请基于2009年3月4日向日本特许厅申请的日本特愿2009-051257号来主张优先权，并参照其申请的全部内容，从而包含其全部内容。 

Claims (10)

1.一种成膜装置，其在容器内执行按顺序将互相反应的至少2种反应气体供给到基板上的循环，在该基板上生成反应生成物的层，从而形成膜，其中，
包括：
基座，其能够旋转地设置在上述容器内，在其一个面上具有用于载置上述基板的载置区域；
窗部，其以与上述容器的上述基座相对的方式，相对于上述容器气密地设置在上述容器上；
膜厚测量部，其利用光学方式透过上述窗部来测量被形成在载置于上述基座的上述基板上的膜的膜厚；
第1反应气体供给部，其用于将第1反应气体供给到上述一个面上；
第2反应气体供给部，其沿着上述基座的旋转方向与上述第1反应气体供给部隔开间隔，用于将第2反应气体供给到上述一个面上；
分离区域，其沿着上述旋转方向而位于被供给上述第1反应气体的第1处理区域与被供给上述第2反应气体的第2处理区域之间，将上述第1处理区域和上述第2处理区域分离；
中央区域，其位于上述容器的中央部，用于将上述第1处理区域和上述第2处理区域分离，并具有沿着上述一个面喷出第1分离气体的喷出孔；
以及排气口，其为了对上述容器内进行排气而设置于上述容器上，
上述分离区域包括顶面和用于供给第2分离气体、具有多个沿上述基座的径向延伸的供给孔的分离气体供给部，该顶面收容上述分离气体供给部，并用于相对于上述基座的上述一个面形成狭窄的空间，该狭窄的空间能够供上述第2分离气体在上述旋转方向上从上述分离区域流动到上述第1处理区域和上述第2处理区域侧。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，
上述膜厚测量部包括：
多个光放射部，分别用于向上述基板的多个点放射光；
以及多个受光部，分别用于接受自上述多个光放射部放射到上述多个点的光的反射光。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，
该成膜装置还包括控制部，该控制部构成为将由上述膜厚测量部测量的形成于上述基板上的膜的测量膜厚与该膜的目标膜厚进行比较，该比较的结果是在被判定为上述测量膜厚为上述目标膜厚以上的情况下，使成膜停止。
4.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，
上述膜厚测量部包括椭圆偏振计。
5.一种成膜方法，其在容器内执行按顺序将互相反应的至少2种反应气体供给到基板上的循环，在该基板上生成反应生成物的层，从而形成膜，
该成膜方法包括以下步骤：
载置步骤，将上述基板载置到在能够旋转地设置于上述容器内的基座的一个面上划定的、用于载置上述基板的载置区域；
旋转步骤，使载置有上述基板的上述基座旋转；
第1反应气体供给步骤，自第1反应气体供给部向上述基座供给第1反应气体；
第2反应气体供给步骤，自沿着上述基座的旋转方向与上述第1反应气体供给部隔开间隔的第2反应气体供给部向上述基座供给第2反应气体；
供给第1分离气体并使第1分离气体流动的步骤，自收容于分离区域的顶面并具有多个沿上述基座的径向延伸的供给孔的分离气体供给部供给第1分离气体，在形成于上述分离区域的顶面与上述基座之间的狭窄的空间中，使上述第1分离气体在上述旋转方向上从上述分离区域流到第1处理区域和第2处理区域侧，上述分离区域位于自上述第1反应气体供给部供给上述第1反应气体的第1处理区域与自上述第2反应气体供给部供给上述第2反应气体的第2处理区域之间；
第2分离气体供给步骤，自喷出孔供给第2分离气体，该喷出孔形成在位于上述容器的中央部的中央部区域；
排气步骤，对上述容器进行排气；
以及测量膜厚的步骤，利用光学方式对形成在上述基板上的膜的膜厚进行测量，该基板处于通过上述旋转步骤而旋转的上述基座上。
6.根据权利要求5所述的成膜方法，其中，
上述测量膜厚的步骤包括以下步骤：
照射步骤，向利用上述旋转步骤旋转的上述基座上的上述基板照射光；
受光步骤，接受通过照射上述光的步骤而照射到上述基板上的光的反射光；
计算膜厚的步骤，利用通过上述受光步骤接受到的上述反射光的分光强度来计算形成在上述基板上的膜的膜厚。
7.根据权利要求6所述的成膜方法，其中，
在上述照射步骤中，对上述基板照射多个光束，分别接受与该多个光束相对应的多个反射光束；
在上述计算膜厚的步骤中，利用上述多个反射光束的各自分光强度来计算上述膜的膜厚。
8.根据权利要求6所述的成膜方法，其中，
该成膜方法还包括比较步骤，该比较步骤对在上述计算膜厚的步骤中算出的膜厚与该膜的目标膜厚进行比较。
9.根据权利要求8所述的成膜方法，其中，
该成膜方法还包括上述比较步骤中的比较结果为被判定为上述算出的膜厚为上述目标膜厚以上的情况下，停止供给上述第1反应气体和上述第2反应气体。
10.根据权利要求6所述的成膜方法，其中，
在上述计算膜厚的步骤中，利用偏振光分析测定法计算上述膜厚。
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Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9416448B2 (en) * 2008-08-29 2016-08-16 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, substrate processing apparatus, film deposition method, and computer-readable storage medium for film deposition method
JP5423205B2 (ja) * 2008-08-29 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5107185B2 (ja) 2008-09-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5445044B2 (ja) * 2008-11-14 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US9297072B2 (en) 2008-12-01 2016-03-29 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus
JP5088335B2 (ja) * 2009-02-04 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板処理システム
JP5131240B2 (ja) * 2009-04-09 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5257328B2 (ja) * 2009-11-04 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5310512B2 (ja) * 2009-12-02 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5553588B2 (ja) * 2009-12-10 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US20110256692A1 (en) * 2010-04-14 2011-10-20 Applied Materials, Inc. Multiple precursor concentric delivery showerhead
US9644285B2 (en) 2011-08-22 2017-05-09 Soitec Direct liquid injection for halide vapor phase epitaxy systems and methods
TWI586830B (zh) * 2011-08-22 2017-06-11 索泰克公司 在所需位置具有進出閘門之沈積系統及相關製作方法
FR2979748B1 (fr) * 2011-09-07 2014-05-02 Soitec Silicon On Insulator Systemes de depot ayant des portes d'acces a des emplacements souhaitables, et procedes relatifs
CN103031546B (zh) * 2011-09-29 2016-01-20 中国科学院微电子研究所 一种原子层沉积设备及其使用方法
US8982362B2 (en) * 2011-10-04 2015-03-17 First Solar, Inc. System and method for measuring layer thickness and depositing semiconductor layers
US20130243971A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition with Horizontal Laser
US9401271B2 (en) 2012-04-19 2016-07-26 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Susceptor assemblies for supporting wafers in a reactor apparatus
JP5920242B2 (ja) * 2012-06-02 2016-05-18 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US9388494B2 (en) 2012-06-25 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region
US9831067B2 (en) * 2012-10-11 2017-11-28 Tokyo Electron Limited Film-forming apparatus
JP5956972B2 (ja) * 2012-12-21 2016-07-27 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP6101083B2 (ja) * 2013-01-16 2017-03-22 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP6029250B2 (ja) * 2013-03-28 2016-11-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2014210946A (ja) * 2013-04-17 2014-11-13 三井造船株式会社 原子層堆積装置
SG10201709699RA (en) * 2013-05-23 2017-12-28 Applied Materials Inc A coated liner assembly for a semiconductor processing chamber
US10704150B2 (en) 2013-10-03 2020-07-07 Inficon, Inc. Monitoring thin film deposition
JP6172672B2 (ja) * 2013-10-11 2017-08-02 大陽日酸株式会社 気相成長装置の膜厚測定方法
JP6262115B2 (ja) 2014-02-10 2018-01-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP6035279B2 (ja) * 2014-05-08 2016-11-30 東京エレクトロン株式会社 膜厚測定装置、膜厚測定方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US10196741B2 (en) * 2014-06-27 2019-02-05 Applied Materials, Inc. Wafer placement and gap control optimization through in situ feedback
JP6330623B2 (ja) * 2014-10-31 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
US9508547B1 (en) * 2015-08-17 2016-11-29 Lam Research Corporation Composition-matched curtain gas mixtures for edge uniformity modulation in large-volume ALD reactors
JP6600214B2 (ja) * 2015-09-28 2019-10-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 成膜装置
JP6680040B2 (ja) * 2016-03-30 2020-04-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、液処理方法、及び記憶媒体
CN109478494B (zh) * 2016-06-03 2023-07-18 应用材料公司 扩散腔室内部的气流的设计
US9738977B1 (en) * 2016-06-17 2017-08-22 Lam Research Corporation Showerhead curtain gas method and system for film profile modulation
JP6733516B2 (ja) 2016-11-21 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
KR20190034475A (ko) 2017-09-23 2019-04-02 김양창 마음을 전하는 목걸이
CN110473769A (zh) * 2018-05-11 2019-11-19 圆益Ips股份有限公司 薄膜形成方法
US10811290B2 (en) * 2018-05-23 2020-10-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for inspection stations
JP7113670B2 (ja) * 2018-06-08 2022-08-05 東京エレクトロン株式会社 Ａｌｄ成膜方法およびａｌｄ成膜装置
JP7038618B2 (ja) * 2018-07-12 2022-03-18 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び基板処理装置
US10886155B2 (en) 2019-01-16 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Optical stack deposition and on-board metrology
JP7246247B2 (ja) * 2019-05-15 2023-03-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び監視方法
TWI721578B (zh) * 2019-09-27 2021-03-11 聚昌科技股份有限公司 快速更換產線之模組化電漿反應腔室結構
CN111446383B (zh) * 2020-04-08 2022-12-09 京东方科技集团股份有限公司 膜厚补偿方法、系统及存储介质
JP7223047B2 (ja) * 2021-03-03 2023-02-15 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6695947B2 (en) * 1998-05-07 2004-02-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Device for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61272937A (ja) * 1985-05-29 1986-12-03 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 気相成長式化学蒸着の制御方法
JPH047852A (ja) * 1990-04-25 1992-01-13 Fujitsu Ltd 膜厚測定方法
JPH0414826A (ja) * 1990-05-09 1992-01-20 Kawasaki Steel Corp 半導体製造装置
JPH0817743A (ja) * 1994-06-29 1996-01-19 Sony Corp Ｃｖｄ装置およびこれを用いた成膜方法
JPH1114312A (ja) * 1997-06-24 1999-01-22 Toshiba Corp 成膜装置及びエッチング装置
JPH11121444A (ja) * 1997-10-08 1999-04-30 Oki Electric Ind Co Ltd 絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法
US6349270B1 (en) * 1999-05-27 2002-02-19 Emcore Corporation Method and apparatus for measuring the temperature of objects on a fast moving holder
US6576062B2 (en) * 2000-01-06 2003-06-10 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and film forming method
KR100458982B1 (ko) * 2000-08-09 2004-12-03 주성엔지니어링(주) 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법
JP2002212729A (ja) * 2001-01-17 2002-07-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US6563578B2 (en) * 2001-04-02 2003-05-13 Advanced Micro Devices, Inc. In-situ thickness measurement for use in semiconductor processing
US6869641B2 (en) * 2002-07-03 2005-03-22 Unaxis Balzers Ltd. Method and apparatus for ALD on a rotary susceptor
US7153542B2 (en) * 2002-08-06 2006-12-26 Tegal Corporation Assembly line processing method
KR100497748B1 (ko) * 2002-09-17 2005-06-29 주식회사 무한 반도체소자 제조용 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법
CN100487948C (zh) * 2004-03-03 2009-05-13 三洋电机株式会社 测定沉积膜厚度的方法及装置和形成材料层的方法及装置
DE102004056170A1 (de) * 2004-08-06 2006-03-16 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zur chemischen Gasphasenabscheidung mit hohem Durchsatz
US20060073276A1 (en) * 2004-10-04 2006-04-06 Eric Antonissen Multi-zone atomic layer deposition apparatus and method
ATE552918T1 (de) * 2005-08-24 2012-04-15 Brother Ind Ltd Vorrichtung und verfahren zur erzeugung von schichten und herstellungsverfahren für einen piezoelektrischen aktuator
US20070218702A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Asm Japan K.K. Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
US20070215036A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Hyung-Sang Park Method and apparatus of time and space co-divided atomic layer deposition
US8187679B2 (en) * 2006-07-29 2012-05-29 Lotus Applied Technology, Llc Radical-enhanced atomic layer deposition system and method
JP4980672B2 (ja) * 2006-08-23 2012-07-18 大陽日酸株式会社 気相成長装置
CN101755073B (zh) * 2007-07-30 2011-10-12 Ips股份有限公司 在晶圆上沉积薄膜的反应器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6695947B2 (en) * 1998-05-07 2004-02-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Device for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing the same

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Publication number Publication date
JP2010206026A (ja) 2010-09-16
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