CN111446383B - 膜厚补偿方法、系统及存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种膜厚补偿方法、系统及存储介质。膜厚补偿方法用于膜厚补偿系统。膜厚补偿系统包括镀膜设备，镀膜设备用于在待封装器件镀膜以形成无机膜。膜厚补偿方法包括：获取镀膜设备的实际停歇时长，实际停歇时长为上一个待封装器件结束镀膜至当前待封装器件开始镀膜的时长；根据实际停歇时长获取当前待封装器件的补偿系数；根据预设镀膜时长和补偿系数确定当前待封装器件的实际镀膜时长。上述膜厚补偿方法，可以精确有效控制待封装器件的实际镀膜时长，从而有效减小膜厚波动，提高无机膜膜层均一性、减小因膜厚造成的产品光学异常及封装寿命影响。另外，可省去人工手动修改镀膜时长的工作负荷，提高生产效率，减少人工误操作风险。

Description

膜厚补偿方法、系统及存储介质

技术领域

本发明涉及显示器件封装技术领域，特别涉及一种膜厚补偿方法、系统及存储介质。

背景技术

在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器件中，可采用薄膜封装(Thin-Film Encapsulation，TFE)技术来封装OLED显示器件以保护其免受水和氧气的侵蚀。在相关技术中，用于OLED显示器件薄膜封装的无机膜主要通过等离子体增强化学的气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)低温真空气相沉积而成，其膜层厚度与腔室温度密切相关。在现有控温系统的情况下，膜厚与镀膜片数存在爬坡现象，且在镀膜来片不连续存在较长停歇时长时，膜厚波动大、均一性差。目前主要采用人工修改镀膜时长来控制无机膜的膜厚，膜厚控制稳定性差、及时性差，且人员工作负荷大、容易误操作造成良率损失。

发明内容

本发明的实施方式提供了一种膜厚补偿方法、系统及存储介质。

本发明实施方式的膜厚补偿方法，用于膜厚补偿系统，所述膜厚补偿系统包括镀膜设备，所述镀膜设备用于在待封装器件镀膜以形成无机膜，所述膜厚补偿方法包括：

获取所述镀膜设备的实际停歇时长，所述实际停歇时长为上一个待封装器件结束镀膜至当前待封装器件开始镀膜的时长；

根据所述实际停歇时长获取所述当前待封装器件的补偿系数；

根据预设镀膜时长和所述补偿系数确定所述当前待封装器件的实际镀膜时长。

本发明实施方式的膜厚补偿系统包括镀膜设备和与所述镀膜设备连接的计算机，所述镀膜设备用于在待封装器件镀膜以形成无机膜，所述计算机用于上述实施方式所述的膜厚补偿方法。

本发明实施方式的计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行的情况下，实现上述实施方式所述的膜厚补偿方法。

本发明实施方式的膜厚补偿方法、系统及存储介质，可以精确有效控制待封装器件的实际镀膜时长，从而有效减小膜厚波动，提高无机膜膜层均一性、减小因膜厚造成的产品光学异常及封装寿命影响。另外，可省去人工手动修改镀膜时长的工作负荷，提高生产效率，减少人工误操作风险。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本发明实施方式的膜厚补偿方法的流程示意图；

图2是本发明实施方式的膜厚补偿系统的结构示意图；

图3和图4是本发明实施方式的膜厚补偿方法的流程示意图；

图5是本发明实施方式的膜厚补偿系统的模块示意图；

图6是本发明实施方式的膜厚爬升函数和膜厚下降函数的曲线图；

图7和图8是本发明实施方式的膜厚补偿方法的流程示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的实施方式在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的实施方式的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的实施方式的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明的实施方式的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明的实施方式中的具体含义。

请参阅图1和图2，本发明实施方式提供一种膜厚补偿方法，用于膜厚补偿系统100。膜厚补偿系统100包括镀膜设备10。镀膜设备10用于在待封装器件镀膜以形成无机膜。膜厚补偿方法包括：

步骤S10：获取镀膜设备10的实际停歇时长(Practical idle time)，实际停歇时长为上一个待封装器件结束镀膜至当前待封装器件开始镀膜的时长；

步骤S20：根据实际停歇时长获取当前待封装器件的补偿系数；

步骤S30：根据预设镀膜时长和补偿系数确定当前待封装器件的实际镀膜时长(Practicaldepo time)。

本发明实施方式的膜厚补偿方法可由本发明实施方式的膜厚补偿系统100实现。具体地，膜厚补偿系统100包括镀膜设备10和与镀膜设备10连接的计算机20。镀膜设备10用于在待封装器件镀膜以形成无机膜。计算机20用于获取镀膜设备10的实际停歇时长，实际停歇时长为上一个待封装器件结束镀膜至当前待封装器件开始镀膜的时长，及用于根据实际停歇时长获取当前待封装器件的补偿系数，以及用于根据预设镀膜时长和补偿系数确定当前待封装器件的实际镀膜时长。

本发明实施方式的膜厚补偿方法及膜厚补偿系统100，可以精确有效控制待封装器件的实际镀膜时长，从而有效减小膜厚波动，提高无机膜膜层均一性、减小因膜厚造成的产品光学异常及封装寿命影响。另外，可省去人工手动修改镀膜时长的工作负荷，提高生产效率，减少人工误操作风险。

可以理解，电子器件为了防止湿气和氧气的侵蚀，通常需要进行薄膜封装以在电子器件(下称待封装器件)生长保护层。保护层包括无机膜，无机膜可以是氮氧化硅(SiON)无机膜、氮硅化合物(SiNx)无机膜等。待封装器件包括OLED显示器件、AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极管)显示器件等。待封装器件薄膜封装无机膜可通过等离子体增强化学的气相沉积法低温真空气相沉积而成，也即是说，本发明实施方式的膜厚补偿方法及膜厚补偿系统100适用于采用等离子体增强化学的气相沉积法在待封装器件镀膜以形成无机膜。

镀膜设备10在待封装器件所镀的无机膜膜厚与腔室温度密切相关。在镀膜的过程中，待封装器件来片出现时间间隔会导致镀膜设备10停歇中断镀膜。在待封装器件来片连续(即镀膜设备10的实际停歇时长小于时长阈值，时长阈值为下文表3中的t1)的情况下，在膜厚爬升阶段，即开始镀膜一段时间内(这个时间段内能够给多个待封装器件镀膜)，镀膜设备10腔室内扩散器(diffuser)的温度随已镀膜的待封装器件的个数增加有一定的爬升阶段，每个待封装器件镀膜相同时长，所镀的无机膜膜厚也会呈现出爬升趋势；在膜厚稳定阶段，即开始镀膜一段时间后，腔室内扩散器的温度趋于稳定，每个待封装器件镀膜相同时长，所镀的无机膜膜厚也趋于稳定。在待封装器件来片不连续(即镀膜设备10的实际停歇时长大于或等于时长阈值)的情况下，在镀膜设备10的实际停歇时长过长的情况下，腔室内扩散器的温度会降低，导致镀膜速率(Depo Rate)降低，每个待封装器件镀膜相同时长，所镀的无机膜膜厚降低。

在本发明中，通过镀膜设备10的实际停歇时长获取当前待封装器件的补偿系数，再根据预设镀膜时长和补偿系数确定当前待封装器件的实际镀膜时长，即当前待封装器件的实际镀膜时长＝预设镀膜时长*补偿系数。如此，可对待封装器件的镀膜时长进行补偿，减小待封装器件的无机膜膜厚波动，使每个待封装器件所镀的无机膜膜厚达到目标膜厚。镀膜设备10的实际停歇时长，指的是，镀膜设备10的腔室的实际停歇时长，膜厚补偿系统100可以自动识别镀膜设备10的实际停歇时长并记录。预设镀膜时长，为在待封装器件来片连续的情况下的膜厚稳定阶段，每个待封装器件所镀的无机膜膜厚达到目标膜厚所需的镀膜时长。

需要说明的是，减小膜厚波动，提高无机膜膜层均一性，指的是，每个待封装器件所镀的无机膜膜层厚度基本相同。镀膜设备10每镀完一个待封装器件，膜厚补偿系统100自动计数，即统计从开始镀膜至当前时刻已镀膜的待封装器件，当前待封装器件为第n个待封装器件，n从开始镀膜时开始计数，按1、2、3……计数。计算机20，可理解为俗称的电脑。

请参阅图3，在某些实施方式中，在实际停歇时长大于或等于时长阈值的情况下，步骤S20包括：

步骤S22：根据实际停歇时长所处的停歇时长区间确定当前待封装器件的后退计数(Fallback count)；

步骤S24：根据后退计数确定当前待封装器件的补偿系数。

本实施方式的膜厚补偿方法可由本发明实施方式的膜厚补偿系统100实现。具体地，计算机20用于根据实际停歇时长所处的停歇时长区间确定当前待封装器件的后退计数，及用于根据后退计数确定当前待封装器件的补偿系数。

如此，根据停歇时长区间与后退计数的关系来确定当前待封装器件的后退计数，进而确定当前待封装器件的补偿系数，方便快捷。停歇时长区间与后退计数的关系可存储在计算机20或与计算机20连接的云端服务器。

请参阅图4，在某些实施方式中，在实际停歇时长小于时长阈值的情况下，镀膜设备包括膜厚爬升阶段和膜厚稳定阶段。在实际停歇时长大于或等于时长阈值的情况下，步骤S22包括：

步骤S222：获取膜厚爬升阶段多个待封装器件对应的补偿系数以形成补偿系数表；

步骤S224：根据膜厚爬升阶段的膜厚爬升函数和膜厚稳定阶段的膜厚下降函数计算膜厚爬升阶段多个待封装器件对应的停歇时长，多个停歇时长形成多个停歇时长区间；

步骤S226：根据多个停歇时长区间与膜厚爬升阶段多个待封装器件对应的后退计数形成后退计数表；

步骤S228：根据后退计数表确定当前待封装器件的后退计数。

本实施方式的膜厚补偿方法可由本发明实施方式的膜厚补偿系统100实现。具体地，计算机20用于获取膜厚爬升阶段多个待封装器件对应的补偿系数以形成补偿系数表，及用于根据膜厚爬升阶段的膜厚爬升函数和膜厚稳定阶段的膜厚下降函数计算膜厚爬升阶段多个待封装器件对应的停歇时长，多个停歇时长形成多个停歇时长区间，及用于根据多个停歇时长区间与膜厚爬升阶段多个待封装器件对应的后退计数形成后退计数表，以及用于根据后退计数表确定当前待封装器件的后退计数。

可以理解，在待封装器件来片连续的情况下，每个待封装器件镀膜相同时长，镀膜设备10的镀膜过程包括膜厚爬升和膜厚稳定两个阶段。在膜厚爬升阶段镀膜的待封装器件的个数、补偿系数表、膜厚爬升函数、膜厚下降函数与无机膜的类型相关。下文以无机膜为SiON无机膜为例进行详细说明。

对SiON无机膜而言，在待封装器件来片连续的情况下，在膜厚爬升阶段镀膜的待封装器件的个数为14个，即从镀膜设备10开始进行第1个待封装器件的镀膜到第14个待封装器件镀膜结束，第15个待封装器件开始镀膜即进入膜厚稳定阶段。在膜厚爬升阶段，第1个待封装器件-第14个待封装器件均有对应的补偿系数，可形成补偿系数表，如表1所示。

第n个待封装器件	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13	14	15
																补偿系数	A	B	C	D	E	F	G	H	I	J	K	L	M	N	1

表1

在膜厚爬升阶段，随着已镀膜的待封装器件的个数增加，无机膜膜厚呈现爬升趋势，第n个待封装器件与其镀膜速率符合三次多项式函数，即膜厚爬升函数为三次多项式函数，可经过大量实验数据拟合获得。在膜厚稳定阶段，如果镀膜设备10出现较长时间等待，无机膜膜厚随停歇时长下降趋势符合三次多项式函数，可换算为待封装器件对应的停歇时长与镀膜速率的关系函数，即膜厚下降函数为三次多项式函数，可经过大量实验数据拟合获得。请参阅图5，计算机20可包括函数拟合模块22，函数拟合模块22为可为一款安装于计算机20的软件，用于拟合膜厚上升函数和膜厚下降函数。

在一个实施例中，膜厚爬升函数为：y＝0.2104n³-6.9618n²+85.85n+2964.6，膜厚下降函数为：y＝0.0001t³-0.0312t²-0.1725n+3404.7，其中，1≤n≤14，y为对应的镀膜速率(单位：A/min)，t为待封装器件对应的停歇时长(单位：min)。

请参阅图6，在步骤S224中，根据膜厚爬升阶段的膜厚爬升函数和膜厚稳定阶段的膜厚下降函数计算膜厚爬升阶段多个待封装器件对应的停歇时长。具体地，将膜厚爬升函数和膜厚下降函数建立方程组，得出镀膜速率稳定后(即膜厚稳定阶段)，当待封装器件来片不连续时，镀膜设备10的腔室内扩散器温度降至膜厚爬升阶段对应第1个待封装器件-第14个待封装器件的温度时所对应的停歇时长，如表2所示，t1-t14逐渐增大。

停歇时长	t1	t2	t3	t4	t5	t6	t7	t8	t9	t10	t11	t12	t13	t14
															第n个待封装器件	14	13	12	11	10	9	8	7	6	5	4	3	2	1

表2

然后，根据第1个待封装器件-第14个待封装器件对应的停歇时长形成多个停歇时长区间，再根据多个停歇时长区间与第1个待封装器件-第14个待封装器件对应的后退计数形成后退计数表，如表3所示，t1-t15逐渐增大。

停歇时长区间	[t1,t2)	[t2,t3)	[t3,t4)	[t4,t5)	[t5,t6)	[t6,t7)	[t7,t8)	[t8,t9)	[t9,t10)	[t10,t11)	[t11,t12)	[t12,t13)	[t13,t14)	[t14,t15)	[t15,+∞)
																后退计数	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13	14	14

表3

例如，当前待封装器件对应的实际停歇时长处于[t1,t2)，即实际停歇时长等于t1、或大于t1、或小于t2，可根据后退计数表确定当前待封装器件的后退计数为1。又如，当前待封装器件对应的实际停歇时长处于[t15,+∞)，可根据后退计数表确定当前待封装器件的后退计数为14。

请参阅图7，在某些实施方式中，步骤S24包括；

步骤S242：根据后退计数确定当前待封装器件在膜厚爬升阶段对应的待封装器件；

步骤S244：根据补偿系数表确定当前待封装器件的补偿系数。

本实施方式的膜厚补偿方法可由本发明实施方式的膜厚补偿系统100实现。具体地，计算机20用于根据后退计数确定当前待封装器件在膜厚爬升阶段对应的待封装器件，及用于根据补偿系数表确定当前待封装器件的补偿系数。

可以理解，当前待封装器件的后退计数确定后，可在表2查找到对应的第n个待封装器件，然后在表1补偿系数表查找到第n个待封装器件对应的补偿系数，即为当前待封装器件的补偿系数。例如，当前待封装器件的后退计数为1，根据表2确定对应第14个待封装器件，然后在表1查找到第14个待封装器件对应的补偿系数为N，即当前待封装器件的补偿系数为N，当前待封装器件的实际镀膜时长＝预设镀膜时长*N。又如，当前待封装器件的后退计数为14，根据表2确定对应第1个待封装器件，然后在表1查找到第1个待封装器件对应的补偿系数为A，即当前待封装器件的补偿系数为A，当前待封装器件的实际镀膜时长＝预设镀膜时长*A。

需要说明的是，在本发明中，在待封装器件来片连续的情况下，由于镀膜设备10的实际停歇时长小于时长阈值t1，膜厚爬升阶段当前待封装器件的补偿系数可直接从表1补偿系数表读取获得，膜厚稳定阶段当前待封装器件的补偿系数为1。在待封装器件来片不连续的情况下，由于镀膜设备10的实际停歇时长大于或等于时长阈值t1，可根据当前待封装器件对应的实际停歇时长所处的停歇时长区间确定后退计数，然后根据后退计数确定当前待封装器件在表2对应第n个待封装器件，再在表1补偿系数表查找到第n个待封装器件对应的补偿系数，即为当前待封装器件的补偿系数。

请参阅图8，在某些实施方式中，步骤S222包括：

步骤S2222：根据膜厚爬升函数确定膜厚爬升阶段多个待封装器件的镀膜速率；

步骤S2224：根据目标膜厚和预设镀膜时长确定目标镀膜速率；

步骤S2226：根据目标镀膜速率和膜厚爬升阶段多个待封装器件的镀膜速率确定膜厚爬升阶段多个待封装器件对应的补偿系数。

本实施方式的膜厚补偿方法可由本发明实施方式的膜厚补偿系统100实现。具体地，计算机20用于根据膜厚爬升函数确定膜厚爬升阶段多个待封装器件的镀膜速率，及用于根据目标膜厚和预设镀膜时长确定目标镀膜速率，以及用于根据目标镀膜速率和膜厚爬升阶段多个待封装器件的镀膜速率确定膜厚爬升阶段多个待封装器件对应的补偿系数。

可以理解，在膜厚爬升阶段，待封装器件的镀膜速率与其为第n个镀膜的待封装器件相关，可直接根据膜厚爬升函数计算获得其镀膜速R。而目标镀膜速率R0可利用目标膜厚除以预设镀膜时长获得。预设镀膜时长对应的补偿系数设为1。因此，在膜厚爬升阶段进行镀膜的待封装器件对应的补偿系数＝1+(R0-R)/R0。

在本发明中，计算机20可包括分析计算模块24、输入窗口26和输出窗口28。分析计算模块24可为一款安装于计算机20的软件，用于实现本发明实施方式的膜厚补偿方法。输入窗口26可为键盘、鼠标等，输出窗口28可为显示器。在实际应用中，可通过输入窗口26直接输入补偿系数表、膜厚爬升函数和膜厚下降函数，分析计算模块24经过一系列分析计算得出当前待封装器件的实际镀膜时长，输出窗口28可显示已镀膜的待封装器件个数，当前待封装器件为第n个待封装器件，当前待封装器件对应的实际停歇时长、补偿系数及实际镀膜时长。

需要指出的是，上述所提到的具体数值只为了作为例子详细说明本发明的实施，而不应理解为对本发明的限制。在其它例子或实施方式或实施例中，可根据本发明来选择其它数值，在此不作具体限定。

本发明实施方式还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，程序被处理器执行的情况下，实现上述任一实施方式的膜厚补偿方法。

例如，程序被处理器执行的情况下，实现以下膜厚补偿方法：

步骤S10：获取镀膜设备10的实际停歇时长，实际停歇时长为上一个待封装器件结束镀膜至当前待封装器件开始镀膜的时长；

步骤S20：根据实际停歇时长获取当前待封装器件的补偿系数；

步骤S30：根据预设镀膜时长和补偿系数确定当前待封装器件的实际镀膜时长(Practical depo time)。

计算机可读存储介质可设置在计算机20，也可设置在云端服务器，计算机20能够与云端服务器进行通讯来获取到相应的程序。

可以理解，计算机程序包括计算机程序代码。计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。计算机可读存储介质可以包括：能够携带计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机20存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、以及软件分发介质等。处理器指的是计算机20的处理器。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本发明的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本发明的实施例所属技术领域的技术人员所理解。

在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理模块的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，"计算机可读介质"可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。

应当理解，本发明的实施方式的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。

本技术领域的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，该程序在执行时，包括方法实施例的步骤之一或其组合。

此外，在本发明的各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理模块中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。

上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施方式进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种膜厚补偿方法，用于膜厚补偿系统，其特征在于，所述膜厚补偿系统包括镀膜设备，所述镀膜设备用于在待封装器件镀膜以形成无机膜，所述膜厚补偿方法包括：

获取所述镀膜设备的实际停歇时长，所述实际停歇时长为上一个待封装器件结束镀膜至当前待封装器件开始镀膜的时长；

根据所述实际停歇时长获取所述当前待封装器件的补偿系数；

根据预设镀膜时长和所述补偿系数确定所述当前待封装器件的实际镀膜时长。

2.根据权利要求1所述的膜厚补偿方法，其特征在于，在所述实际停歇时长大于或等于时长阈值的情况下，根据所述实际停歇时长获取所述当前待封装器件的补偿系数，包括：

根据所述实际停歇时长所处的停歇时长区间确定所述当前待封装器件的后退计数；

根据所述后退计数确定所述当前待封装器件的补偿系数。

3.根据权利要求2所述的膜厚补偿方法，其特征在于，在所述实际停歇时长小于所述时长阈值的情况下，所述镀膜设备包括膜厚爬升阶段和膜厚稳定阶段；

在所述实际停歇时长大于或等于所述时长阈值的情况下，根据所述实际停歇时长所处的停歇时长区间确定所述当前待封装器件的后退计数，包括：

获取所述膜厚爬升阶段多个所述待封装器件对应的补偿系数以形成补偿系数表；

根据所述膜厚爬升阶段的膜厚爬升函数和所述膜厚稳定阶段的膜厚下降函数计算所述膜厚爬升阶段多个所述待封装器件对应的停歇时长，多个所述停歇时长形成多个所述停歇时长区间；

根据多个所述停歇时长区间与所述膜厚爬升阶段多个所述待封装器件对应的后退计数形成后退计数表；

根据所述后退计数表确定所述当前待封装器件的后退计数。

4.根据权利要求3所述的膜厚补偿方法，其特征在于，根据所述后退计数确定所述当前待封装器件的补偿系数，包括；

根据所述后退计数确定所述当前待封装器件在所述膜厚爬升阶段对应的待封装器件；

根据所述补偿系数表确定所述当前待封装器件的补偿系数。

5.根据权利要求3所述的膜厚补偿方法，其特征在于，获取所述膜厚爬升阶段多个所述待封装器件对应的补偿系数以形成补偿系数表，包括：

根据所述膜厚爬升函数确定所述膜厚爬升阶段多个所述待封装器件的镀膜速率；

根据目标膜厚和所述预设镀膜时长确定目标镀膜速率；

根据所述目标镀膜速率和所述膜厚爬升阶段多个所述待封装器件的镀膜速率确定所述膜厚爬升阶段多个所述待封装器件对应的所述补偿系数。

6.根据权利要求3所述的膜厚补偿方法，其特征在于，所述膜厚爬升函数为第n个待封装器件与镀膜速率的关系函数。

7.根据权利要求3所述的膜厚补偿方法，其特征在于，所述膜厚下降函数为所述待封装器件对应的停歇时长与镀膜速率的关系函数。

8.根据权利要求3所述的膜厚补偿方法，其特征在于，所述膜厚爬升函数和所述膜厚下降函数均为三次多项式函数。

9.一种膜厚补偿系统，其特征在于，包括镀膜设备和与所述镀膜设备连接的计算机，所述镀膜设备用于在待封装器件镀膜以形成无机膜，所述计算机用于实现权利要求1-8任一项所述的膜厚补偿方法。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述程序被处理器执行的情况下，实现权利要求1-8中任一项所述的膜厚补偿方法。

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