CN110878411A - 一种气相沉积工艺的控制方法、装置、介质及电子设备 - Google Patents

一种气相沉积工艺的控制方法、装置、介质及电子设备 Download PDF

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process

Abstract

本发明实施例提供了一种气相沉积工艺的控制方法、装置、介质及电子设备,包括:当接收到气相沉积材料储量低的提示消息后,对使用气相沉积材料进行化学气相沉积工艺的次数进行计数,获得计数结果;将计数结果与预设的化学气相沉积工艺的最大次数进行对比,获得对比结果;基于对比结果实现控制气相沉积工艺。本发明实施例的技术方案能够检测化学气相沉积材料使用状况,在低材料液位警报后,对化学气相沉积工艺的次数进行计数,当到达设定最高次数后,控制停止化学气相沉积设备的使用,并发出通知对进行化学气相沉积材料进行更换,从而提高了化学气相沉积材料的使用率,节约了材料成本。

Description

一种气相沉积工艺的控制方法、装置、介质及电子设备
技术领域
本发明涉及气相沉积技术领域,具体而言,涉及一种气相沉积工艺的控制方法及一种气相沉积工艺的控制装置。
背景技术
目前,化学气相沉积(CVD,Chemical Vapor Deposition)设备使用化学气相沉积材料来形成芯片上的薄膜层,部分的化学气相沉积材料存储在钢瓶中是以液体的形式存在,当使用时才挥发为气体经由管道输送到反应腔体内,为了侦测钢瓶内材料的存量,一般使用低液位感测器来监控液位的变化,当材料的液位低于设定的下限时,发出警报通知使用者更换材料钢瓶,但是钢瓶内材料的存量在低液位状态下,还可继续使用数次才需要进行更换,当发出警报通知使用者更换材料钢瓶容易造成材料的浪费。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本发明的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种气相沉积工艺的控制方法以及一种气相沉积工艺的控制装置,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的化学气相沉积材料使用率低等一个或者多个问题。
本发明实施例的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本发明的实践而习得。
根据本发明实施例的第一方面,提供一种气相沉积工艺的控制方法,当接收到气相沉积材料储量低的提示消息后,对使用气相沉积材料进行化学气相沉积工艺的次数进行计数,获得计数结果;
将计数结果与预设的化学气相沉积工艺的最大次数进行对比,获得对比结果;
基于对比结果实现控制气相沉积工艺。
在本发明的一个实施例中,上述当接收到气相沉积材料储量低的提示消息之前,方法还包括:
获取气相沉积材料的第一储量信息;
当使用气相沉积材料进行单次化学气相沉积工艺后,获取气相沉积材料的第二储量信息;
将第一储量信息与第二储量信息相减,确定出单次化学气相沉积工艺所使用气相沉积材料的使用量;
根据单次化学气相沉积工艺所使用气相沉积材料的使用量,确定出气相沉积材料储量低后可进行化学气相沉积工艺的最大次数。
在本发明的一个实施例中,上述基于对比结果实现控制气相沉积工艺,包括:
当对比结果为计数结果大于等于预设的化学气相沉积工艺的最大次数时,生成停止进行化学气相沉积工艺的控制指令。
在本发明的一个实施例中,上述生成停止进行化学气相沉积工艺的控制指令之后,方法还包括:
检测气相沉积材料是否更换;
当检测到气相沉积材料更换后,将计数结果归零。
根据本发明实施例的第二方面,提供一种气相沉积工艺的控制装置,包括:
计数模块,用于当接收到气相沉积材料储量低的提示消息后,对使用气相沉积材料进行化学气相沉积工艺的次数进行计数,获得计数结果;
对比模块,用于将计数结果与预设的化学气相沉积工艺的最大次数进行对比,获得对比结果;
控制模块,用于基于对比结果实现控制气相沉积工艺。
在本发明的一个实施例中,上述装置还包括:
第一获取模块,用于获取气相沉积材料的第一储量信息;
第二获取模块,用于当使用气相沉积材料进行单次化学气相沉积工艺后,获取气相沉积材料的第二储量信息;
第一确定模块,将第一储量信息与第二储量信息相减,确定出单次化学气相沉积工艺所使用气相沉积材料的使用量;
第二确定模块,根据单次化学气相沉积工艺所使用气相沉积材料的使用量,确定出气相沉积材料储量低后可进行化学气相沉积工艺的最大次数。
在本发明的一个实施例中,上述控制模块具体用于:
当对比结果为计数结果大于等于预设的化学气相沉积工艺的最大次数时,生成停止进行化学气相沉积工艺的控制指令。
在本发明的一个实施例中,上述装置还包括:
检测模块,用于检测气相沉积材料是否更换;
计数控制模块,用于当检测到气相沉积材料更换后,将计数结果归零。
根据本发明实施例的第三方面,提供了一种计算机可读介质,其上存储有计算机程序,程序被处理器执行时实现如上述实施例中第二方面的气相沉积工艺的控制方法。
根据本发明实施例的第四方面,提供了一种电子设备,包括:一个或多个处理器;存储装置,用于存储一个或多个程序,当一个或多个程序被一个或多个处理器执行时,使得一个或多个处理器实现如上述实施例中第一方面的气相沉积工艺的控制方法。
本发明实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:
本发明的一些实施例所提供的技术方案中,通过当接收到气相沉积材料储量低的提示消息后,对使用气相沉积材料进行化学气相沉积工艺的次数进行计数,获得计数结果;将计数结果与预设的化学气相沉积工艺的最大次数进行对比,获得对比结果;基于对比结果实现控制气相沉积工艺。本发明实施例的技术方案能够检测化学气相沉积材料使用状况,在低材料液位警报后,对化学气相沉积工艺的次数进行计数,当到达设定最高次数后,控制停止化学气相沉积设备的使用,并发出通知对进行化学气相沉积材料进行更换,从而提高了化学气相沉积材料的使用率,节约了材料成本。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本发明。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本发明的实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
图1示意性示出了根据本发明的一个实施例的气相沉积工艺的控制方法的流程图;
图2示意性示出了根据本发明的一个实施例的气相沉积材料储量低后进行计数的示意图;
图3示意性示出了根据本发明的一个实施例的气相沉积工艺的控制装置的框图;
图4示意性示出了根据本发明的一个实施例的气相沉积设备的框图;
图5示意性示出了根据本发明的一个实施例的气相沉积设备控制气相沉积材料的流程图;
图6示出了适于用来实现本发明实施例的电子设备的计算机系统的结构示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施方式使得本发明将更加全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。
此外,所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本发明的实施例的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本发明的技术方案而没有特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下,不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本发明的各方面。
附图中所示的方框图仅仅是功能实体,不一定必须与物理上独立的实体相对应。即,可以采用软件形式来实现这些功能实体,或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体,或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
附图中所示的流程图仅是示例性说明,不是必须包括所有的内容和操作/步骤,也不是必须按所描述的顺序执行。例如,有的操作/步骤还可以分解,而有的操作/步骤可以合并或部分合并,因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。
图1示意性示出了根据本发明的一个实施例的气相沉积工艺的控制方法的流程图。
参照图1所示,根据本发明的一个实施例的气相沉积工艺的控制方法,包括以下步骤:
步骤S110,当接收到气相沉积材料储量低的提示消息后,对使用气相沉积材料进行化学气相沉积工艺的次数进行计数,获得计数结果;
步骤S120,将计数结果与预设的化学气相沉积工艺的最大次数进行对比,获得对比结果;
步骤S130,基于对比结果实现控制气相沉积工艺。
图1所示实施例的技术方案通过检测化学气相沉积材料使用状况,在低材料液位警报后,对化学气相沉积工艺的次数进行计数,当到达设定最高次数后,控制停止化学气相沉积设备的使用,并发出通知对化学气相沉积材料进行更换,从而提高了化学气相沉积材料的使用率,节约了材料成本。
以下对图1中所示的各个步骤的实现细节进行详细阐述:
在步骤S110中,当接收到气相沉积材料储量低的提示消息后,对使用气相沉积材料进行化学气相沉积工艺的次数进行计数,获得计数结果。
在本发明的一个实施例中,气相沉积材料存储于CVD设备中的存储瓶中,该存储瓶设置有气相沉积材料液位传感器用于检测气相沉积材料储量,当检测到气相沉积材料储量低时,发出提示消息。
在本发明的一个实施例中,在对使用气相沉积材料进行化学气相沉积工艺的次数进行计数之前,需要确定出气相沉积材料储量低至气相沉积材料用尽阶段的可以进行化学气相沉积工艺的次数,以提升该阶段气相沉积材料的使用效率,具体的,获取气相沉积材料的第一储量信息;当使用气相沉积材料进行单次化学气相沉积工艺后,获取气相沉积材料的第二储量信息;将第一储量信息与第二储量信息相减,确定出单次化学气相沉积工艺所使用气相沉积材料的使用量;根据单次化学气相沉积工艺所使用气相沉积材料的使用量,确定出气相沉积材料储量低后可进行化学气相沉积工艺的最大次数。
在本发明的一个实施例中,可以通过CVD设备的高级过程控制(APC,AdvancedProcess Control)系统记录化学气相沉积工艺的运行次数。
图2示意性示出了根据本发明的一个实施例的气相沉积材料储量低后进行计数的示意图。
参照图2所示,根据本发明的一个实施例的气相沉积材料储量低后进行计数包括:
当检测到气相沉积材料储量低的提示消息后,对使用气相沉积材料进行化学气相沉积工艺的次数进行计数,第一次进行化学气相沉积工艺后计数为1,第二次进行化学气相沉积工艺后计数为2,以此类推,直至计数至化学气相沉积工艺的最大次数n。
在步骤S120中,将计数结果与预设的化学气相沉积工艺的最大次数进行对比,获得对比结果。
在本发明的一个实施例中,可以通过APC系统中预设气相沉积材料储量低后化学气相沉积工艺的最大次数,并对气相沉积材料储量低后的化学气相沉积工艺次数进行计数,将计数结果与预设的气相沉积材料储量低后化学气相沉积工艺的最大次数进行对比,获得对比结果,将对比结果发送至CVD设备的制造企业生产过程执行系统(MES,
Manufacturing Execution System),以实现控制CVD设备。
在步骤S130中,基于对比结果实现控制气相沉积工艺。
在本发明的一个实施例中,当对比结果为计数结果大于等于预设的化学气相沉积工艺的最大次数时,生成停止进行化学气相沉积工艺的控制指令。
在本发明的一个实施例中,生成停止进行化学气相沉积工艺的控制指令之后,还包括:检测气相沉积材料是否更换;当检测到气相沉积材料更换后,将计数结果归零。
在本发明的一个实施例中,基于对比结果实现控制气相沉积工艺的执行主体可以是MES系统,该系统可以提供包括制造数据管理、计划排产管理、生产调度管理、库存管理、质量管理、工作中心/设备管理、工具工装管理、采购管理、成本管理、项目看板管理、生产过程控制、底层数据集成分析、上层数据集成分解等管理模块,通过执行系统将各模块联系起来,这里的管理模块包括:PLC程控器、数据采集器、条形码、各种计量及检测仪器、机械手等。
以下介绍本发明的装置实施例,可以用于执行本发明上述的气相沉积工艺的控制方法。
图3示意性示出了根据本发明的一个实施例的气相沉积工艺的控制装置的框图。
参照图3所示,根据本发明的一个实施例的气相沉积工艺的控制装置300,包括:计数模块301、对比模块302、控制模块303。
计数模块301,用于当接收到气相沉积材料储量低的提示消息后,对使用气相沉积材料进行化学气相沉积工艺的次数进行计数,获得计数结果;
对比模块302,用于将计数结果与预设的化学气相沉积工艺的最大次数进行对比,获得对比结果;
控制模块303,用于基于对比结果实现控制气相沉积工艺。
在本发明的一个实施例中,上述装置还包括:
第一获取模块304,用于获取气相沉积材料的第一储量信息;
第二获取模块305,用于当使用气相沉积材料进行单次化学气相沉积工艺后,获取气相沉积材料的第二储量信息;
第一确定模块306,将第一储量信息与第二储量信息相减,确定出单次化学气相沉积工艺所使用气相沉积材料的使用量;
第二确定模块307,根据单次化学气相沉积工艺所使用气相沉积材料的使用量,确定出气相沉积材料储量低后可进行化学气相沉积工艺的最大次数。
在本发明的一个实施例中,上述控制模块303具体用于:
当对比结果为计数结果大于等于预设的化学气相沉积工艺的最大次数时,生成停止进行化学气相沉积工艺的控制指令。
在本发明的一个实施例中,上述装置还包括:
检测模块308,用于检测气相沉积材料是否更换;
计数控制模块309,用于当检测到气相沉积材料更换后,将计数结果归零。
图4示意性示出了根据本发明的一个实施例的气相沉积设备的框图。
参照图4所示,根据本发明的一个实施例的气相沉积设备400,包括:气相沉积材料钢瓶401、气相沉积材料液位传感器402、APC系统403、MES系统404以及气相沉积装置405,其中,气相沉积材料液位传感器402设置在气相沉积材料钢瓶401上,以检测气相沉积材料钢瓶401中存储气相沉积材料的液位,气相沉积材料钢瓶401连接于气相沉积装置405,向气相沉积装置405提供气相沉积材料进行气相沉积工艺,气相沉积材料液位传感器402信号连接于APC系统403,向APC系统403提供气相沉积材料钢瓶401的液位信息,APC系统403信号连接于MES系统404,向MES系统404提供气相沉积材料钢瓶401液位低后所进行化学气相沉积工艺次数的计数结果,MES系统404信号连接于气相沉积装置405和APC系统403,当接收到APC系统403发送的计数结果后,判断气相沉积材料钢瓶401液位低后所进行化学气相沉积工艺次数是否到达最高次数,当确定到达最高次数后,控制气相沉积装置405停止作业,并发出警报以提示工作人员更换气相沉积材料钢瓶401。
由于本发明的示例实施例的硬件平台的各个硬件设备与上述气相沉积工艺的控制方法的示例实施例的步骤对应,因此对于本发明装置及设备实施例中未披露的细节,请参照本发明上述的气相沉积工艺的控制方法的实施例。
以下介绍本发明的装置实施例,可以用于执行本发明上述的气相沉积工艺的控制方法。
图5示意性示出了根据本发明的一个实施例的气相沉积设备控制气相沉积材料的流程图。
参照图5所示,根据本发明的一个实施例的气相沉积设备控制气相沉积材料的流程图包括:
步骤S501,APC系统设定低液位报警后可运行气相沉积工艺的次数n;
步骤S502,APC系统接收来自气相沉积设备每一道工艺的运行次数;
步骤S503,判断是否接收到低液位警报,当接收到低液位警报后,执行步骤S504,否则,返回执行步骤S502;
步骤S504,对运行气相沉积工艺的次数进行计数;
步骤S505,判断计数结果是否大于等于n,当大于等于n时,执行步骤S506,否则返回步骤S504;
步骤S506,APC系统通知MES系统停止当前作业,并将计数结果归零。
下面参考图6,其示出了适于用来实现本发明实施例的电子设备的计算机系统600的结构示意图。图6示出的电子设备的计算机系统600仅是一个示例,不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图6所示,计算机系统600包括中央处理单元(CPU)601,其可以根据存储在只读存储器(ROM)602中的程序或者从存储部分608加载到随机访问存储器(RAM)603中的程序而执行各种适当的动作和处理。在RAM 603中,还存储有系统操作所需的各种程序和数据。CPU601、ROM 602以及RAM 603通过总线604彼此相连。输入/输出(I/O)接口605也连接至总线604。
以下部件连接至I/O接口605:包括键盘、鼠标等的输入部分606;包括诸如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)等以及扬声器等的输出部分607;包括硬盘等的存储部分608;以及包括诸如LAN卡、调制解调器等的网络接口卡的通信部分609。通信部分609经由诸如因特网的网络执行通信处理。驱动器610也根据需要连接至I/O接口605。可拆卸介质611,诸如磁盘、光盘、磁光盘、半导体存储器等等,根据需要安装在驱动器610上,以便于从其上读出的计算机程序根据需要被安装入存储部分608。
特别地,根据本发明的实施例,上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如,本发明的实施例包括一种计算机程序产品,其包括承载在计算机可读介质上的计算机程序,该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的程序代码。在这样的实施例中,该计算机程序可以通过通信部分609从网络上被下载和安装,和/或从可拆卸介质611被安装。在该计算机程序被中央处理单元(CPU)601执行时,执行本申请的系统中限定的上述功能。
需要说明的是,本发明所示的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件,或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于:具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本发明中,计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质,该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本发明中,计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号,其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式,包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质,该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输,包括但不限于:无线、电线、光缆、RF等等,或者上述的任意合适的组合。
附图中的流程图和框图,图示了按照本发明各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上,流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分,上述模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意,在有些作为替换的实现中,方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如,两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行,它们有时也可以按相反的顺序执行,这依所涉及的功能而定。也要注意的是,框图或流程图中的每个方框、以及框图或流程图中的方框的组合,可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现,或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
描述于本发明实施例中所涉及到的单元可以通过软件的方式实现,也可以通过硬件的方式来实现,所描述的单元也可以设置在处理器中。其中,这些单元的名称在某种情况下并不构成对该单元本身的限定。
作为另一方面,本申请还提供了一种计算机可读介质,该计算机可读介质可以是上述实施例中描述的电子设备中所包含的;也可以是单独存在,而未装配入该电子设备中。上述计算机可读介质承载有一个或者多个程序,当上述一个或者多个程序被一个该电子设备执行时,使得该电子设备实现如上述实施例中的气相沉积工艺的控制方法。
例如,上述的电子设备可以实现如图1中所示的:步骤S110,当接收到气相沉积材料储量低的提示消息后,对使用气相沉积材料进行化学气相沉积工艺的次数进行计数,获得计数结果;步骤S120,将计数结果与预设的化学气相沉积工艺的最大次数进行对比,获得对比结果;步骤S130,基于对比结果实现控制气相沉积工艺。
应当注意,尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干模块或者单元,但是这种划分并非强制性的。实际上,根据本发明的实施方式,上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之,上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员易于理解,这里描述的示例实施方式可以通过软件实现,也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此,根据本发明实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来,该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM,U盘,移动硬盘等)中或网络上,包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、触控终端、或者网络设备等)执行根据本发明实施方式的方法。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是,本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (10)

1.一种气相沉积工艺的控制方法,其特征在于,包括:
当接收到气相沉积材料储量低的提示消息后,对使用所述气相沉积材料进行化学气相沉积工艺的次数进行计数,获得计数结果;
将所述计数结果与预设的化学气相沉积工艺的最大次数进行对比,获得对比结果;
基于所述对比结果实现控制所述气相沉积工艺。
2.根据权利要求1所述的气相沉积工艺的控制方法,其特征在于,所述当接收到气相沉积材料储量低的提示消息之前,所述方法还包括:
获取所述气相沉积材料的第一储量信息;
当使用所述气相沉积材料进行单次化学气相沉积工艺后,获取所述气相沉积材料的第二储量信息;
将所述第一储量信息与所述第二储量信息相减,确定出所述单次化学气相沉积工艺所使用气相沉积材料的使用量;
根据所述单次化学气相沉积工艺所使用气相沉积材料的使用量,确定出气相沉积材料储量低后可进行化学气相沉积工艺的最大次数。
3.根据权利要求1所述的气相沉积工艺的控制方法,其特征在于,所述基于所述对比结果实现控制所述气相沉积工艺,包括:
当所述对比结果为所述计数结果大于等于所述预设的化学气相沉积工艺的最大次数时,生成停止进行化学气相沉积工艺的控制指令。
4.根据权利要求3所述的气相沉积工艺的控制方法,其特征在于,所述生成停止进行化学气相沉积工艺的控制指令之后,所述方法还包括:
检测所述气相沉积材料是否更换;
当检测到所述气相沉积材料更换后,将所述计数结果归零。
5.一种气相沉积工艺的控制装置,其特征在于,包括:
计数模块,用于当接收到气相沉积材料储量低的提示消息后,对使用所述气相沉积材料进行化学气相沉积工艺的次数进行计数,获得计数结果;
对比模块,用于将所述计数结果与预设的化学气相沉积工艺的最大次数进行对比,获得对比结果;
控制模块,用于基于所述对比结果实现控制所述气相沉积工艺。
6.根据权利要求5所述的气相沉积工艺的控制装置,其特征在于,所述装置还包括:
第一获取模块,用于获取所述气相沉积材料的第一储量信息;
第二获取模块,用于当使用所述气相沉积材料进行单次化学气相沉积工艺后,获取所述气相沉积材料的第二储量信息;
第一确定模块,将所述第一储量信息与所述第二储量信息相减,确定出所述单次化学气相沉积工艺所使用气相沉积材料的使用量;
第二确定模块,根据所述单次化学气相沉积工艺所使用气相沉积材料的使用量,确定出气相沉积材料储量低后可进行化学气相沉积工艺的最大次数。
7.根据权利要求5所述的气相沉积工艺的控制装置,其特征在于,所述控制模块具体用于:
当所述对比结果为所述计数结果大于等于所述预设的化学气相沉积工艺的最大次数时,生成停止进行化学气相沉积工艺的控制指令。
8.根据权利要求5所述的气相沉积工艺的控制装置,其特征在于,所述装置还包括:
检测模块,用于检测所述气相沉积材料是否更换;
计数控制模块,用于当检测到所述气相沉积材料更换后,将所述计数结果归零。
9.一种计算机可读介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述程序被处理器执行时实现权利要求1至4中任一项所述的气相沉积工艺的控制方法。
10.一种电子设备,其特征在于,包括:
一个或多个处理器;
存储装置,用于存储一个或多个程序,当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时,使得所述一个或多个处理器实现权利要求1至4中任一所述的气相沉积工艺的控制方法。
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