CN110373648A - 连续均匀镀膜的调节方法 - Google Patents

连续均匀镀膜的调节方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110373648A
CN110373648A CN201910779665.XA CN201910779665A CN110373648A CN 110373648 A CN110373648 A CN 110373648A CN 201910779665 A CN201910779665 A CN 201910779665A CN 110373648 A CN110373648 A CN 110373648A
Authority
CN
China
Prior art keywords
revolving speed
film thickness
photoelectric sensor
sputtering raste
plated film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910779665.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN110373648B (zh
Inventor
方凤军
何建军
崔继文
李会社
杜圣峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China Nanbo Group Co Ltd
YICHANG NANBO DISPLAY DEVICES Co Ltd
CSG Holding Co Ltd
Original Assignee
China Nanbo Group Co Ltd
YICHANG NANBO DISPLAY DEVICES Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by China Nanbo Group Co Ltd, YICHANG NANBO DISPLAY DEVICES Co Ltd filed Critical China Nanbo Group Co Ltd
Priority to CN201910779665.XA priority Critical patent/CN110373648B/zh
Publication of CN110373648A publication Critical patent/CN110373648A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110373648B publication Critical patent/CN110373648B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种连续均匀镀膜的调节方法,通过光度计、椭偏仪或台阶仪测试当前玻璃上各位置的膜层厚度,进而掌握膜厚变化规律;在旋转阴极的A管与CM3腔室边缘处,加装光电感应器;光电感应器与控制器电连接,控制器与旋转阴极电连接;当KJ1到达光电感应器的位置时,计时器计时“0”秒,根据掌握的膜厚变化规律,降低或升高A管的转速r;降低转速r会降低溅射率s,从而降低镀膜厚度,升高转速r会增加溅射率s,从而增加镀膜厚度;实现行进方向膜厚均匀性的精细调节。

Description

连续均匀镀膜的调节方法
技术领域
本发明属于镀膜技术领域,特别涉及一种连续均匀镀膜的调节方法。
背景技术
传统Batch真空镀膜机,基片脱气约30分钟之后才开始镀膜。待镀基片从大气环境进入真空环境的连续镀膜机,之后在很短的时间(一般为2-5分钟)内就开始镀膜,基片表面的杂质气体难以完全清除。杂质气体会影响靶的溅射率,造成基板行进方向上镀制的膜层厚度不均匀,溅射率越大,膜层厚度越厚。
如图3所示,现有解决方案为:
第一种方案,在进口区CM1、CM2、CM3腔室对镀膜框架(即图3中的英文字母KJ)上的基片进行加热。其缺点是:部分基片不耐温,方法有局限性。其中CM表示腔室,CM后面的数字表示腔室的编号;KJ表示镀膜框架,KJ后面的数字表示镀膜框架的编号,镀膜框架由CM1进入,并向CM5一侧移动。
第二种方案,CM2腔室增加Polycold冷阱,捕捉杂质气体。缺点是:Polycold价格高,且镀膜框架在CM2腔室停留时间短,脱气效果不好。一套Polycold需要50万元人民币。
第三种方案,进口区增加离子处理系统,如霍尔离子源、考夫曼离子源、射频离子源、线性离子源等等。缺点是:价格非常贵,一套线性离子源需要40万元人民币。
发明内容
鉴于背景技术所存在的技术问题,本发明所提供的连续均匀镀膜的调节方法,控制成本很低,能实现行进方向膜厚均匀性的精细调节。
为了解决上述技术问题,本发明采取了如下技术方案来实现:
1、通过光度计、椭偏仪或台阶仪测试当前玻璃上各位置的膜层厚度,进而掌握膜厚变化规律;
2、在旋转阴极的A管与CM3腔室边缘处,加装光电感应器;光电感应器与控制器电连接,控制器与旋转阴极电连接;
3、当KJ1到达光电感应器的位置时,计时器计时“0”秒,根据掌握的膜厚变化规律,降低或升高A管的转速r;降低转速r会降低溅射率s,从而降低镀膜厚度,升高转速r会增加溅射率s,从而增加镀膜厚度;
4、KJ1继续行驶T1秒后,恢复A管至正常转速r;再经过T2秒后,计时器计时恢复至“0”秒状态;
5、当KJ2到达光电感应器的位置时,根据KJ2行进方向膜厚变化规律,降低或升高A管的转速r;
6、KJ2继续行驶T1秒后,恢复A管至正常转速r;再经过T2秒后,计时器计时恢复至“0”秒状态;
7、重复步骤5和步骤6,依次完成KJ3至KJN的镀膜。
优选的方案中,所述的T1为每个框架KJ镀膜周期时间长,比如15秒。。
优选的方案中,所述的T2为框架KJN与下一个框架KJN+1间隔镀膜时间长,比如4秒。
优选的方案中,所述的当KJ1达到光电感应器(2)处时,光电信号gd=1;当框架KJ1完全离开光电感应器(2)时,光电信号gd=0;KJ2达到光电感应器(2)处时,光电信号gd=1;当框架KJ2完全离开光电感应器(2)时,光电信号gd=0;当KJN到达光电感应器(2)处时,光电信号gd=1。
优选的方案中,所述的控制器为PLC。
根据转速r、厚度d和溅射率s三个参数的变化规律,总结转速r、厚度d和溅射率s两两之间的函数表达式,推算步骤如下:由于溅射率s等于膜厚d除以功率p,即s=d/p,其中P表示带动KJ移动的驱动装置的功率;
当功率p一定的情况下,膜厚d越大,代表溅射率s越大;整个镀膜过程中保持P为定值,然后取多组膜厚d、溅射率s和转速r三者之间相对应的数据;
以转速r为横坐标,膜厚d为纵坐标,绘制转速r和膜厚d之间的曲线图;然后通过曲线图总结函数关系表达式为d(r)=a1+c1/(r-b1);根据该表达式,取三组试验数据,对a1、b1、c1的数字求解;
以转速r为横坐标,溅射率s为纵坐标,绘制转速r和溅射率s之间的曲线图;然后通过曲线图总结函数关系表达式为s(r)=a2+c2/(r-b2);根据该表达式,取三组试验数据,对a2、b2、c2的数字求解;
因为在实际应用中,溅射率s或膜厚d是需求的目标,而转速r需要求解;以转速r为横坐标,以膜厚d为纵坐标,绘制膜厚d和转速r之间的曲线图;总结转速r与膜厚d的关系函数为:r(d)=a3+c3/(d-b3);取三组试验数据,对a3、b3、c3的数字求解;这样想要控制膜厚d大小,就可以相应的控制转速r大小来得到。
本专利可达到以下有益效果:
1、本发明的技术实现简单,成本低于1万元人民币,根据镀膜框架行进方向膜厚变化的规律总结函数关系,将函数关系写入控制系统,实现行进方向膜厚均匀性的精细调节。
2、在PLC的控制下,A管的转速r按照行进方向膜厚分布规律进行调整,从而使基片在行进方向上的膜厚分布更加均匀。
3、与离子脱气处理系统相比,本发明最大的优点是成本很低;另外,本发明不仅可以调节由于镀膜机脱气能力不足造成的行进方向膜厚不均匀,也可以调节由于漏气、传动不平稳、加温不平稳等因素造成的基片在行进方向上的膜厚不均匀。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明:
图1为本发明腔室内加装光电感应器的示意图;
图2为本发明调节方法逻辑图,图中靶管指代A管;
图3为现有技术中镀膜框架位于腔室内的示意图;
图4为本发明膜厚d与转速r的函数关系曲线图,横轴为转速r,纵轴为膜厚d;
图5为本发明溅射率s与转速r的函数关系曲线图表示,横轴为转速r,纵轴为溅射率s;
图6为本发明转速r与膜厚d的函数关系曲线图,横坐标为膜厚d,纵坐标为转速r。
图中:旋转阴极1、A管101、B管102、光电感应器2;
CM表示腔室,CM后面的数字表示腔室的编号;
KJ表示镀膜框架,KJ后面的数字表示镀膜框架的编号;
s为溅射率,d为膜厚,p为功率;
N表示自然数。
具体实施方式
优选的方案如图1至图3所示,一种连续均匀镀膜的调节方法,一种连续均匀镀膜的调节方法,包括以下步骤:
1、通过光度计、椭偏仪或台阶仪测试当前玻璃上各位置的膜层厚度,进而掌握膜厚变化规律;
2、在旋转阴极1的A管101与CM3腔室边缘处,加装光电感应器2;光电感应器2与控制器电连接,控制器与旋转阴极1电连接;控制器优选为PLC控制器;
3、当KJ1到达光电感应器2的位置时,计时器计时“0”秒,根据掌握的膜厚变化规律,降低或升高A管101的转速r;降低转速r会降低溅射率s,从而降低镀膜厚度,升高转速r会增加溅射率s,从而增加镀膜厚度;
4、KJ1继续行驶T1秒后,T1设置为15秒,恢复A管101至正常转速r;再经过T2秒后,计时器计时恢复至“0”秒状态;
5、当KJ2到达光电感应器2的位置时,根据KJ2行进方向膜厚变化规律,降低或升高A管101的转速r;
6、KJ2继续行驶T1秒后,恢复A管101至正常转速r;再经过T2秒后,T2设置为4秒,计时器计时恢复至“0”秒状态;
7、重复步骤5和步骤6,依次完成KJ3至KJN的镀膜。
其中步骤3中,当KJ1达到光电感应器2处时,光电信号gd=1;当框架KJ1完全离开光电感应器(2)时,光电信号gd=0;
步骤5中,KJ2达到光电感应器2处时,光电信号gd=1;当框架KJ2完全离开光电感应器(2)时,光电信号gd=0;
依次类推,当KJN到达光电感应器2处时,光电信号gd=1。
根据转速r、厚度d和溅射率s三个参数的变化规律,总结转速r、厚度d和溅射率s两两之间的函数表达式,推算步骤如下:由于溅射率s等于膜厚d除以功率p,即s=d/p,其中P表示带动KJ移动的驱动装置的功率;
当功率p一定的情况下,膜厚d越大,代表溅射率s越大;整个镀膜过程中保持P为定值,然后取多组膜厚d、溅射率s和转速r三者之间相对应的数据;
以转速r为横坐标,膜厚d为纵坐标,绘制转速r和膜厚d之间的曲线图;然后通过曲线图总结函数关系表达式为d(r)=a1+c1/(r-b1);根据该表达式,取三组试验数据,对a1、b1、c1的数字求解;
以转速r为横坐标,溅射率s为纵坐标,绘制转速r和溅射率s之间的曲线图;然后通过曲线图总结函数关系表达式为s(r)=a2+c2/(r-b2);根据该表达式,取三组试验数据,对a2、b2、c2的数字求解;
因为在实际应用中,溅射率s或膜厚d是需求的目标,而转速r需要求解;以转速r为横坐标,以膜厚d为纵坐标,绘制膜厚d和转速r之间的曲线图;总结转速r与膜厚d的关系函数为:r(d)=a3+c3/(d-b3);取三组试验数据,对a3、b3、c3的数字求解;这样想要控制膜厚d大小,就可以相应的控制转速r大小来得到。
下面以具体实验数据来解释本发明的推算公式:
已知:溅射率s是单位功率下溅射出来的膜厚;
即溅射率s等于膜厚d除以功率p,即s=d/p,
膜厚d一定的情况下,用的功率p越小,代表溅射率s越大;
功率p一定的情况下,膜厚d越大,代表溅射率s越大;
功率p不变,通过A管101转速r的调节,完成溅射率s的调节,从而完成膜厚d的调节。
下面结合附图4至附图6举例说明溅射率s、膜厚d和功率p之间的关系:
例如,功率p=5KW的情况下,A管101转速r与膜厚的关系以表格表示如下:
功率 转速r 膜厚d(nm) 溅射率s=d/p
5 2 15 3
5 5 17 3.4
5 10 18 3.6
膜厚d与转速r的函数关系用曲线图表示,如图4所示;横轴为转速r,纵轴为膜厚d;
溅射率s与转速r的函数关系用曲线图表示,如图5所示;横轴为转速r,纵轴为溅射率s;
由图4推导出:膜厚d与转速r的关系函数为:d(r)=a1+c1/(r-b1);
根据当前数据,可以求解参数a1、b1、c1;用表格表示如下:
15=a1+c1/(2-b1)
17=a1+c1/(5-b1)
18=a1+c1/(10-b1)
3个方程式,3个未知数a1、b1、c1,求解出a1=19.28571429、b1=-1.428571429、c1=-14.69387755。
由图5推导出:溅射率s与转速r的关系函数为:
s(r)=a2+c2/(r-b2);
根据当前数据,可以求解参数a2、b2、c2,以表格表示如下:
a2 3.857142857
b2 -1.428571429
c2 -2.93877551
转速r 溅射率s=d/p
2 3
5 3.4
10 3.6
实际生产应用中,溅射率s或膜厚d是需求的目标,而转速r需要求解;
转速r与膜厚d的关系函数为:
r(d)=a3+c3/(d-b3)
根据当前数据,可以求解参数a3、b3、c3;用表格表示如下:
a3 -1.428571429
b3 19.28571429
c3 -14.69387755
膜厚d(nm) 转速r(d)
15 2
17 5
18 10
该表格转化为曲线图表示如图6所示,横坐标为膜厚d,纵坐标为转速r(d);需要求的膜厚d,可以通过查阅图6对应找出相应的转速r。

Claims (6)

1.一种连续均匀镀膜的调节方法,其特征在于包括以下步骤:
1)通过光度计、椭偏仪或台阶仪测试当前玻璃上各位置的膜层厚度,进而掌握膜厚变化规律;
2)在旋转阴极(1)的A管(101)与CM3腔室边缘处,加装光电感应器(2);光电感应器(2)与控制器电连接,控制器与旋转阴极(1)电连接;
3)当KJ1到达光电感应器(2)的位置时,计时器计时“0”秒,根据掌握的膜厚变化规律,降低或升高A管(101)的转速r;降低转速r会降低溅射率s,从而降低镀膜厚度,升高转速r会增加溅射率s,从而增加镀膜厚度;
4)KJ1继续行驶T1秒后,恢复A管(101)至正常转速r;再经过T2秒后,计时器计时恢复至“0”秒状态;
5)当KJ2到达光电感应器(2)的位置时,根据KJ2行进方向膜厚变化规律,降低或升高A管(101)的转速r;
6)KJ2继续行驶T1秒后,恢复A管(101)至正常转速r;再经过T2秒后,计时器计时恢复至“0”秒状态;
7)重复步骤5)和步骤6),依次完成KJ3至KJN的镀膜。
2.根据权利要求1所述的连续均匀镀膜的调节方法,其特征在于:T1为每个框架KJ镀膜周期时间。
3.根据权利要求2所述的连续均匀镀膜的调节方法,其特征在于:T2为框架KJN与下一个框架KJN+1间隔镀膜时间。
4.根据权利要求3所述的连续均匀镀膜的调节方法,其特征在于:当KJ1达到光电感应器(2)处时,光电信号gd=1;当框架KJ1完全离开光电感应器(2)时,光电信号gd=0;KJ2达到光电感应器(2)处时,光电信号gd=1;当框架KJ2完全离开光电感应器(2)时,光电信号gd=0;当KJN到达光电感应器(2)处时,光电信号gd=1。
5.根据权利要求1所述的连续均匀镀膜的调节方法,其特征在于:控制器为PLC。
6.根据权利要求1所述的连续均匀镀膜的调节方法,其特征在于:在步骤3)中,根据转速r、厚度d和溅射率s三个参数的变化规律,总结转速r、厚度d和溅射率s两两之间的函数表达式,推算步骤如下:由于溅射率s等于膜厚d除以功率p,即s=d/p,其中P表示带动KJ移动的驱动装置的功率;
当功率p一定的情况下,膜厚d越大,代表溅射率s越大;整个镀膜过程中保持P为定值,然后取多组膜厚d、溅射率s和转速r三者之间相对应的数据;
以转速r为横坐标,膜厚d为纵坐标,绘制转速r和膜厚d之间的曲线图;然后通过曲线图总结函数关系表达式为d(r)=a1+c1/(r-b1);根据该表达式,取三组试验数据,对a1、b1、c1的数字求解;
以转速r为横坐标,溅射率s为纵坐标,绘制转速r和溅射率s之间的曲线图;然后通过曲线图总结函数关系表达式为s(r)=a2+c2/(r-b2);根据该表达式,取三组试验数据,对a2、b2、c2的数字求解;
在生产过程中,溅射率s或膜厚d是需求的目标,而转速r需要求解;以转速r为横坐标,以膜厚d为纵坐标,绘制膜厚d和转速r之间的曲线图;总结转速r与膜厚d的关系函数为:r(d)=a3+c3/(d-b3);取三组试验数据,对a3、b3、c3的数字求解;这样想要控制膜厚d大小,就可以相应的控制转速r大小来得到。
CN201910779665.XA 2019-08-22 2019-08-22 连续均匀镀膜的调节方法 Active CN110373648B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910779665.XA CN110373648B (zh) 2019-08-22 2019-08-22 连续均匀镀膜的调节方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910779665.XA CN110373648B (zh) 2019-08-22 2019-08-22 连续均匀镀膜的调节方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110373648A true CN110373648A (zh) 2019-10-25
CN110373648B CN110373648B (zh) 2021-06-04

Family

ID=68260403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910779665.XA Active CN110373648B (zh) 2019-08-22 2019-08-22 连续均匀镀膜的调节方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110373648B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110819963A (zh) * 2019-12-16 2020-02-21 凯盛光伏材料有限公司 一种提高薄膜太阳能电池薄膜均匀性的方法
CN111446383A (zh) * 2020-04-08 2020-07-24 京东方科技集团股份有限公司 膜厚补偿方法、系统及存储介质

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002075017A1 (en) * 2001-03-16 2002-09-26 4Wave, Inc. System and method for controlling deposition thickness
CN1614077A (zh) * 2003-11-04 2005-05-11 电子科技大学 基于转速调制的提高薄膜厚度均匀性的方法
JP2006336066A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Canon Inc シミュレーション計算のためのスパッタ堆積速度分布測定装置及び方法、測定データの処理方法、総合分布特性の予測方法
CN107099773A (zh) * 2016-02-22 2017-08-29 蓝思科技(长沙)有限公司 一种多功能连续溅射镀膜线及其镀膜方法与镀膜控制方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002075017A1 (en) * 2001-03-16 2002-09-26 4Wave, Inc. System and method for controlling deposition thickness
CN1614077A (zh) * 2003-11-04 2005-05-11 电子科技大学 基于转速调制的提高薄膜厚度均匀性的方法
JP2006336066A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Canon Inc シミュレーション計算のためのスパッタ堆積速度分布測定装置及び方法、測定データの処理方法、総合分布特性の予測方法
CN107099773A (zh) * 2016-02-22 2017-08-29 蓝思科技(长沙)有限公司 一种多功能连续溅射镀膜线及其镀膜方法与镀膜控制方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110819963A (zh) * 2019-12-16 2020-02-21 凯盛光伏材料有限公司 一种提高薄膜太阳能电池薄膜均匀性的方法
CN110819963B (zh) * 2019-12-16 2022-05-17 凯盛光伏材料有限公司 一种提高薄膜太阳能电池薄膜均匀性的方法
CN111446383A (zh) * 2020-04-08 2020-07-24 京东方科技集团股份有限公司 膜厚补偿方法、系统及存储介质
CN111446383B (zh) * 2020-04-08 2022-12-09 京东方科技集团股份有限公司 膜厚补偿方法、系统及存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
CN110373648B (zh) 2021-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110373648A (zh) 连续均匀镀膜的调节方法
CN102644056B (zh) 用于薄膜太阳能电池的磁控溅射设备及其控制系统
CN101877372B (zh) 薄膜太阳能电池的背电极膜层
CN103866257B (zh) 一种三频高密度等离子体辅助磁控溅射薄膜的制备方法
CN106684184B (zh) 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池窗口层及其制备方法
CN104611680A (zh) 一种快速换靶双面往复连续高效镀膜磁控溅射卷绕镀膜机
CN104611681A (zh) 一种快速换靶单面往复连续高效镀膜磁控溅射卷绕镀膜机
CN105063560A (zh) 利用磁控溅射法制备电阻率分布均匀的azo薄膜的方法
CN102912306A (zh) 计算机自动控制的高功率脉冲磁控溅射设备及工艺
CN203260550U (zh) 一种双频离子源
CN1783429A (zh) 等离子体控制方法及等离子体控制装置
CN117845177A (zh) 一种导电玻璃磁控溅射镀膜阴极磁强调整系统的操作方法
CN103695870A (zh) Pecvd镀膜装置
CN101032343A (zh) 卷烟加工滚筒类叶增温设备及其控制方法
CN107315298B (zh) 一种褐色电致变色电荷存储电极及制备方法
CN113817999A (zh) 一种用于制备压电陶瓷的真空镀膜设备
CN111081826B (zh) 一种异质结电池制备方法
CN104674175A (zh) 一种高效率单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机
CN112054072A (zh) 一种连续制备透明导电薄膜的方法及装置
CN110218972A (zh) 磁控溅射原位制备具有择优取向azo光电薄膜的方法
CN203419853U (zh) 玻璃镀膜生产控制系统
CN206646159U (zh) 可调平面阴极机构及真空镀膜装置
CN104674180A (zh) 一种快速换靶双面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机
CN113463048B (zh) 一种柔性膜制作方法
CN203668497U (zh) 用于非晶硒薄膜的蒸发镀膜机

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant