CN101786885A - 一种控制晶粒度制造ito靶材的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种光电材料技术,具体介绍了一种控制晶粒度制造ITO靶材的方法,通过对ITO粉料在不同的温度下预先进行钝化处理,先使ITO粉料的粒度初步长大,活性降低,然后再将不同温度下钝化处理后的原料按不同的比例进行配料球磨,最后通过喷雾造粒、压制、常压气氛烧结等工序,制备晶粒度在4~10μm的细晶ITO靶材。本发明可通过常压气氛烧结制备出晶粒度小且分布均匀的ITO靶材,降低烧结温度,提高烧结效率;工艺简单、生产成本低廉,易于实现连续化、规模化生产,利于烧结大规格高品质的ITO靶材。
Description
技术领域
本发明涉及一种光电材料技术,特别是一种控制晶粒度制造ITO靶材的方法。
背景技术
透明导电氧化物薄膜简称TCO,主要是指铟、锡、锑、锌及镉等的金属氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料,此类薄膜材料具有宽禁带、可见光透过率高、红外线反射率高及优良的导电性等光电特性,因此被广泛应用于各种光电子领域包括:1、显示器行业,如LCD液晶显示器、PDP等离子体显示器、无机EL及有机EL显示器;2、太阳能电池的透明导电电极;3、特种功能玻璃如红外线反射玻璃、抗紫外线玻璃、光罩和玻璃性磁盘等。掺锡氧化铟即Indium-Tin-Oxide简称ITO,ITO薄膜具有复杂的立方铁锰矿结构,电阻率低达10-4Ω·cm量级,可见光谱范围内平均光透过率大于80%,故成为目前应用最广、最成熟、最具实际应用价值的TCO薄膜。
制备ITO透明导电膜的方法很多,主要有磁控溅射、化学气相沉积、喷雾热分解法以及溶胶-凝胶法。由于用ITO靶材通过磁控溅射法所获得的ITO透明导电膜在光学、导电性能、膜的均匀性及稳定性等方面具有很强的优势,所以目前商品化的优质ITO薄膜几乎都是利用ITO氧化物陶瓷靶材,采用磁控溅射法制备的,因此ITO靶材的品质包括纯度、密度、电阻率及晶粒度等直接关系到所制备的ITO薄膜的品质,若纯度、相对密度低,不仅会加快靶材表面的黑化,靶材容易产生黑色颗粒状物质,使靶材中毒,减低靶材的使用寿命,而且会导致溅射工艺发生变化如溅射功率加大、电压升高和放电增多,从而使ITO膜的质量下降,包括面电阻增大、膜厚增加及透过率降低等,因而废品率增加;若ITO靶材的晶粒度大于20μm以上时,靶材的机械强度就会降低,热膨胀系数则会增大,导致在溅射时因热冲击过大靶材开裂,裂纹的产生将同样加快靶材中毒,影响成膜质量。
随着人们对大尺寸高端显示器材需求的日益增长,强烈地拉动了大尺寸、超高密度靶材的市场需求,当前国内用高品质大规格靶材主要是从日本进口。据相关技术资料和靶材样品分析可知,ITO靶材通常用热压、热等静压及常压气氛烧结这三种方法进行制备。热压又简称HP,热等静压又简称HIP,国外如德国莱宝以HIP为主,日本、韩国以常压为主,国内主要以HP和HIP为主。尽管HP及HIP法可制备出高纯、高密度且晶粒度在3μm左右的ITO靶材,但其制造工艺复杂,设备投资大,制造成本远远高于材料成本,无法实现大规格ITO靶材的制备及连续化生产;常压气氛烧结不仅适宜用来制备大规格靶材,而且投资小可实现连续化生产,但因常压烧结制备ITO靶材时,大都选用活性好纯度高的纳米粉以期降低烧结温度,而直接使用纳米粉时因粉料比表面积过大,吸附气体较多,即使在1450℃的温度下,晶粒便可长得很大,同时因晶粒长大的速度很快,吸附的气体无法及时排除,造成结构中形成许多大的闭孔气孔,无法得到高密度的靶材,为提高密度,必须适当提高烧结温度,最高可达1600~1700℃,在这样高的温度下,晶粒将会长得更大,有可能达到30~50μm,这将严重影响靶材和镀膜质量。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种控制晶粒度制造ITO靶材的方法,用于制备各种氧化物透明导电薄膜和功能玻璃用的ITO靶材。
本发明进一步解决的技术问题是提供的一种控制晶粒度制造ITO靶材的方法,能够通过对ITO粉料在不同的温度下预先进行钝化处理,即先使ITO粉料的粒度初步长大,活性降低,然后再将不同温度下钝化处理后的原料按不同的比例进行配料球磨,最后通过喷雾造粒、压制、常压气氛烧结等工序,制备晶粒度在4~10μm的细晶ITO靶材。
为了实现解决上述技术问题的目的,本发明采用了如下技术方案:
本发明的一种控制晶粒度制造ITO靶材的方法,其工艺过程包括:
(1)将比表面积在15~35m2/g之间、纯度为4N的ITO粉先在10Mpa的压力下压制成素坯,将素坯破碎至粒度小于10mm的块状料后,再于800℃~1250℃加热2~4小时,最后将热处理后的块状料破碎至1.0mm以下,通过透射电镜观察该粉一次粒度在0.2~0.6μm之间,得到粉料A。
(2)将比表面积在6~15m2/g之间、纯度为4N的ITO粉,不经压制直接于400℃~900℃加热2~4小时,处理后粉料的一次粒度经透射电镜观察在30~150nm之间,得到粉料B。
(3)粉料A和粉料B按照质量比4∶6~9∶1的比例进行混合球磨,球磨溶剂采用去离子水,球磨至混合粉料比表面积为8~12m2/g时出磨,然后对球磨料浆进行喷雾造粒,得到造粒粉。
(4)对造粒粉进行模压和冷等静压成型,先对造粒粉进行模压成型,模压压力10~15MPa,保压3~5min;然后再对其进行冷等静压成型即CIP成型,成型压力为150~300Mpa,保压3~5min,得到成型坯体。
(5)将成型坯体于70~120℃加热干燥除去水分后,在常压通氧气氛下进行烧结,烧结温度为1450℃~1600℃,烧结时间为4~12小时。
本发明的一种控制晶粒度制造ITO靶材的方法,优选的技术方案是:所述的比表面积在15~35m2/g之间的ITO粉加热温度为1000℃~1200℃。
本发明的一种控制晶粒度制造ITO靶材的方法,优选的技术方案还可以是:所述的比表面积在6~15m2/g之间的ITO粉加热温度为500℃~800℃。
这些技术方案,包括优选的技术方案也可以互相组合或者结合,从而达到更好的技术效果。
本发明通过对不同比表面积的ITO粉进行两种温度的钝化处理,即大比表面积的粉料通过压制后在800℃~1250℃的温度下进行预处理,小比表面积的粉料不需压制直接在400℃~900℃的温度下进行预处理,使ITO粉料的原始粒径预先长大,然后再对这两种ITO粉按不同的比例进行配比,通过球磨、造粒、压制后,采用常压气氛烧结制备出细晶的ITO靶材。
通过采用上述技术方案,本发明具有以下的有益效果:
(1)本发明的一种控制晶粒度制造ITO靶材的方法,可通过常压气氛烧结制备出晶粒度小且分布均匀的ITO靶材。
(2)本发明的方法可明显降低常压烧结温度,提高烧结效率,节约能源。
(3)本发明制造工艺简单、生产成本低廉,易于实现连续化、规模化生产。
(4)本发明特别利于常压气氛烧结大规格高品质的ITO靶材。
具体实施方式
实施例1
(1)将比表面积为25m2/g、纯度为4N的ITO粉先在260×130mm的模具中进行直接压制,压力10MPa。然后将压制的坯体破碎成粒度小于10mm的块状料,再将该料于1000℃进行2小时的加热处理,最后将热处理后的块状料料破碎至1.0mm以下。
(2)将比表面积为8m2/g、纯度为4N的ITO粉,不经压制直接于500℃进行2小时的加热处理。
(3)将(1)和(2)制备的粉料按质量比为9∶1的比例配料,然后进行球磨,球磨溶剂用去离子水,球磨至混合粉的比表面积为8~12m2/g时出磨,然后对料浆进行喷雾造粒,得到造粒粉。
(4)对造粒粉进行一次模压,模具尺寸为260×130mm,压力为15MPa,保压3min;然后再对模压坯体进行二次冷等静压成型,压力为200Mpa,保压5min,得到成型坯体。
(5)将得到的成型坯体于70℃干燥48小时后,在常压通氧气氛下加热到1450℃,保温4小时进行烧结。该工艺制备的靶材SEM断口分析法测得晶粒度为4~6μm,排水法测试的体积密度为7.07g/cm3。
实施例2
(1)将比表面积为20m2/g、纯度为4N的ITO粉先在260×130mm的模具中进行直接压制,压力10Mpa,然后将压制的坯体破碎至粒度小于10mm的块状料,再将该料于1100℃进行2小时的预处理,最后将热处理后的料破碎至1.0mm以下。
(2)将比表面积为10m2/g、纯度为4N的ITO粉,不经压制直接于700℃进行2小时的热处理。
(3)将(1)和(2)制备的粉料按质量比为5∶5进行配料,然后进行球磨,球磨溶剂用去离子水,球磨至混合粉的比表面积为8~12m2/g时出磨,然后对料浆进行喷雾造粒。
(4)按实施例1中(4)的方式进行制坯,即先进行模压,模具尺寸为260×130mm,压力为15MPa,保压5min;然后再对模压坯体进行二次冷等静压成型,压力为200MPa,保压3min,得到成型坯体。
(5)将得到的成型坯体于120℃干燥24小时后,在常压通氧气氛下加热到1550℃,保温8小时进行烧结。该工艺制备的靶材SEM断口分析法测得晶粒度为4~8μm,排水法测试的体积密度为7.11g/cm3。
实施例3
(1)将比表面积为25m2/g、纯度为4N的ITO粉先在260×130mm的模具中进行直接压制,压力10MPa,然后将压制的坯体破碎至粒度小于10mm的块状料,再将该料于1200℃进行2小时的加热处理,最后将热处理后的料破碎至1.0mm以下。
(2)将比表面积为13m2/g、纯度为4N的ITO粉,不经压制直接于800℃进行2小时的加热处理。
(3)将(1)和(2)制备的粉料按质量比为4∶6的比例进行配料,然后进行球磨,球磨溶剂用去离子水,球磨至混合粉的比表面积为8~12m2/g时出磨,然后对料浆进行喷雾造粒。
(4)按实施例1中(4)的方式进行制坯,即先进行模压,模具尺寸为260×130mm,压力为15MPa,保压3~5min;然后再对模压坯体进行二次冷等静压成型,压力为200MPa,保压3~5min,得到成型坯体。
(5)将得到的成型坯体于100℃干燥48小时后,,在常压通氧气氛下加热到1600℃,保温12小时进行烧结。该工艺制备的靶材SEM断口分析测得晶粒度为5~10μm,排水法测试的体积密度为7.10g/cm3。
对比例1:
(1)将比表面积为25m2/g的ITO粉进行球磨,球磨溶剂用去离子水,球磨2小时使其与水充分混合均匀,然后对料浆进行喷雾造粒。
(2)对(1)喷雾造粒后的粉料进行一次模压,模具尺寸为260×130mm,压力为10MPa,保压5min;然后再对模压坯体进行二次冷等静压成型,压力为200Mpa,保压5min,得到成型坯体。
(3)将成型坯体于100℃干燥48小时后,在常压通氧气氛下加热到1550℃,保温8小时进行烧结。该工艺制备的靶材SEM断口分析测得晶粒度为30~50μm,排水法测试的体积密度为7.01g/cm3。
对比例2:
(1)将比表面积为15m2/g的ITO粉进行球磨,球磨溶剂用去离子水,球磨2小时使其与水充分混合均匀,然后对料浆进行喷雾造粒。
(2)按照对比例1中的(2)的方法进行压制得到成型坯体。
(3)将成型坯体于120℃干燥24小时后,在常压通氧气氛下加热到1600℃,保温8小时进行烧结。该工艺制备的靶材SEM断口分析测得晶粒度为20~30μm,排水法测试的体积密度为6.90g/cm3。
Claims (3)
1.一种控制晶粒度制造ITO靶材的方法,其特征在于工艺过程包括:
(1)将比表面积在15~35m2/g之间、纯度为4N的ITO粉先在10Mpa的压力下压制成素坯,将素坯破碎至粒度小于10mm的块状料后,再于800℃~1250℃加热2~4小时,最后将热处理后的块状料破碎至1.0mm以下,通过透射电镜观察该粉一次粒度在0.2~0.6μm之间,得到粉料A。
(2)将比表面积在6~15m2/g之间、纯度为4N的ITO粉,不经压制直接于400℃~900℃加热2~4小时,处理后粉料的一次粒度经透射电镜观察在30~150nm之间,得到粉料B。
(3)粉料A和粉料B按照质量比4∶6~9∶1的比例进行混合球磨,球磨溶剂采用去离子水,球磨至混合粉料比表面积为8~12m2/g时出磨,然后对球磨料浆进行喷雾造粒,得到造粒粉。
(4)对造粒粉进行模压和冷等静压成型,先对造粒粉进行模压成型,模压压力10~15MPa,保压3~5min;然后再对其进行冷等静压成型即CIP成型,成型压力为150~300Mpa,保压3~5min,得到成型坯体。
(5)将成型坯体于70~120℃加热干燥除去水分后,在常压通氧气氛下进行烧结,烧结温度为1450℃~1600℃,烧结时间为4~12小时。
2.根据权利要求1所述控制晶粒度制造ITO靶材的方法,其特征在于:所述的比表面积在15~35m2/g之间的ITO粉加热温度为1000℃~1200℃。
3.根据权利要求1所述控制晶粒度制造ITO靶材的方法,其特征在于:所述的所述的比表面积在6~15m2/g之间的ITO粉加热温度为500℃~800℃。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102013279A (zh) * | 2010-09-03 | 2011-04-13 | 大连博众应用材料有限公司 | 氧化铟锡靶材浆料的制备方法 |
CN102731067A (zh) * | 2012-07-04 | 2012-10-17 | 韶关西格玛技术有限公司 | 一种高密度ito蒸镀靶材的制备方法 |
CN102731068A (zh) * | 2012-07-04 | 2012-10-17 | 韶关西格玛技术有限公司 | 一种低密度ito蒸镀靶材的制备方法 |
CN102826856A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-12-19 | 苏州晶纯新材料有限公司 | 一种高纯低密度ito靶材及其制备方法 |
CN103465345A (zh) * | 2013-08-14 | 2013-12-25 | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 | 一种凝胶注模成型制备大规格平板ito靶材坯体的方法 |
CN105540647A (zh) * | 2015-12-24 | 2016-05-04 | 株洲冶炼集团股份有限公司 | 热喷涂法制备旋转靶用ito粉及其生产方法和应用 |
CN105712703A (zh) * | 2014-12-05 | 2016-06-29 | 广东先导稀材股份有限公司 | 高纯高密度ito靶材的制备方法 |
CN107129277A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-09-05 | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 | 一种ito废靶回收粉末制备ito靶材的方法 |
CN107443543A (zh) * | 2017-08-17 | 2017-12-08 | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 | 一种ito旋转靶的冷等静压成型及制备方法 |
CN111153700A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-15 | 欧钛鑫光电科技(苏州)有限公司 | 一种氮化物靶材的制备方法 |
CN112723863A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-04-30 | 韶关市欧莱高纯材料技术有限公司 | 一种高世代tft级细晶粒ito靶材的制造方法 |
CN113233872A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-08-10 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种非晶氧化铟钨靶材及其制备方法 |
CN113292324A (zh) * | 2021-06-18 | 2021-08-24 | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 | 一种不需要筛分的实心球形at13喷涂喂料的制备方法 |
CN115304359A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-11-08 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种无添加剂高迁移率氧化物靶材及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4734936B2 (ja) * | 2005-01-25 | 2011-07-27 | 東ソー株式会社 | Ito造粒粉末及びito焼結体並びにその製造方法 |
CN101392362A (zh) * | 2008-10-30 | 2009-03-25 | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 | 一种纳米均相ito粉制备ito靶材的方法 |
-
2009
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Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102013279B (zh) * | 2010-09-03 | 2012-02-22 | 大连博众应用材料有限公司 | 氧化铟锡靶材浆料的制备方法 |
CN102013279A (zh) * | 2010-09-03 | 2011-04-13 | 大连博众应用材料有限公司 | 氧化铟锡靶材浆料的制备方法 |
CN102731067A (zh) * | 2012-07-04 | 2012-10-17 | 韶关西格玛技术有限公司 | 一种高密度ito蒸镀靶材的制备方法 |
CN102731068A (zh) * | 2012-07-04 | 2012-10-17 | 韶关西格玛技术有限公司 | 一种低密度ito蒸镀靶材的制备方法 |
CN102731068B (zh) * | 2012-07-04 | 2014-02-12 | 韶关西格玛技术有限公司 | 一种低密度ito蒸镀靶材的制备方法 |
CN102731067B (zh) * | 2012-07-04 | 2014-04-23 | 韶关西格玛技术有限公司 | 一种高密度ito蒸镀靶材的制备方法 |
CN102826856A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-12-19 | 苏州晶纯新材料有限公司 | 一种高纯低密度ito靶材及其制备方法 |
CN102826856B (zh) * | 2012-08-21 | 2014-02-26 | 苏州晶纯新材料有限公司 | 一种高纯低密度ito靶材及其制备方法 |
CN103465345A (zh) * | 2013-08-14 | 2013-12-25 | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 | 一种凝胶注模成型制备大规格平板ito靶材坯体的方法 |
CN103465345B (zh) * | 2013-08-14 | 2016-01-27 | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 | 一种凝胶注模成型制备大规格平板ito靶材坯体的方法 |
CN105712703A (zh) * | 2014-12-05 | 2016-06-29 | 广东先导稀材股份有限公司 | 高纯高密度ito靶材的制备方法 |
CN105540647A (zh) * | 2015-12-24 | 2016-05-04 | 株洲冶炼集团股份有限公司 | 热喷涂法制备旋转靶用ito粉及其生产方法和应用 |
CN105540647B (zh) * | 2015-12-24 | 2017-04-19 | 株洲冶炼集团股份有限公司 | 热喷涂法制备旋转靶用ito粉及其生产方法和应用 |
CN107129277A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-09-05 | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 | 一种ito废靶回收粉末制备ito靶材的方法 |
CN107129277B (zh) * | 2017-04-07 | 2020-08-28 | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 | 一种ito废靶回收粉末制备ito靶材的方法 |
CN107443543A (zh) * | 2017-08-17 | 2017-12-08 | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 | 一种ito旋转靶的冷等静压成型及制备方法 |
CN111153700A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-15 | 欧钛鑫光电科技(苏州)有限公司 | 一种氮化物靶材的制备方法 |
CN112723863A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-04-30 | 韶关市欧莱高纯材料技术有限公司 | 一种高世代tft级细晶粒ito靶材的制造方法 |
CN113233872A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-08-10 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种非晶氧化铟钨靶材及其制备方法 |
CN113233872B (zh) * | 2021-04-25 | 2022-09-06 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种非晶氧化铟钨靶材及其制备方法 |
CN113292324A (zh) * | 2021-06-18 | 2021-08-24 | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 | 一种不需要筛分的实心球形at13喷涂喂料的制备方法 |
CN115304359A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-11-08 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种无添加剂高迁移率氧化物靶材及其制备方法 |
CN115304359B (zh) * | 2022-05-27 | 2023-04-07 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种无添加剂高迁移率氧化物靶材及其制备方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN101786885B (zh) | 2012-09-26 |
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