CN102584205A - 一种钇钡铜氧靶材的制造方法 - Google Patents

一种钇钡铜氧靶材的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102584205A
CN102584205A CN2012100399879A CN201210039987A CN102584205A CN 102584205 A CN102584205 A CN 102584205A CN 2012100399879 A CN2012100399879 A CN 2012100399879A CN 201210039987 A CN201210039987 A CN 201210039987A CN 102584205 A CN102584205 A CN 102584205A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sintering
copper oxide
pressure
barium copper
yttrium barium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012100399879A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102584205B (zh
Inventor
钟小亮
王广欣
王树森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SUZHOU JC MATERIALS TECHNOLOGY LLC
Original Assignee
SUZHOU JC MATERIALS TECHNOLOGY LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SUZHOU JC MATERIALS TECHNOLOGY LLC filed Critical SUZHOU JC MATERIALS TECHNOLOGY LLC
Priority to CN 201210039987 priority Critical patent/CN102584205B/zh
Publication of CN102584205A publication Critical patent/CN102584205A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102584205B publication Critical patent/CN102584205B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本发明涉及一种钇钡铜氧靶材的制造方法, 其包括 1 )、将 Y 2O3 BaO CuO 按一定比例(原子比比例为 Y:Ba:Cu =1:2:3 )混合均匀得混合粉末, Y 2O3 BaO CuO 的一次粒度为 100~300nm ,纯度大于 99.9wt% ;( 2 )、对混合粉末进行四柱液压机冷压压制成型,冷压压力为 200~300MPa ;( 3 )、将混合体放入氧气常压烧结炉中,在 800~950 烧结,烧结完毕,冷却到常温取出,破碎成 -300 目的粉末;( 4 )、将粉末用四柱液压机冷压压制成型为坯件,冷压压力为 30~50MPa ;( 5 )、对坯件进行冷等静压加工,压力为 200~300MPa ;( 6 )、将坯件置于炉中进行烧结。本发明制造出的钇钡铜氧靶材,其晶粒尺寸细小且致密度高

Description

一种钇钡铜氧靶材的制造方法
技术领域
本发明涉及一种钇钡铜氧靶材的制造方法,其特别用于高温超导薄膜的制造。
背景技术
随着高温超导薄膜电子器件的迅速发展,对于超导薄膜材料的质量要求越来越高。国内外发展最好并获得成功应用的是钇系和铊系外延薄膜,铊系材料因存在多相共存且铊元素有毒性易挥发,使其应用受到限制。YBCO薄膜由于表面平整,取向排列好,结构完整,易获得较高的Jc而发展很快。
在YBCO薄膜的应用中,要得到良好的性能,必须使薄膜具有正确的组分、晶体结构以及晶体取向。目前YBCO薄膜的制备方法主要有:磁控溅射法、脉冲激光沉积(PLD)法、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法、电泳沉积法、溶胶-凝胶(Sol-Gel)法和金属有机沉积法(MOD)等。目前发展较成熟,应用较多的有磁控溅射法、脉冲激光沉积法、溶胶-凝胶法和金属有机沉积法等。
磁控溅射法的特点是维持放电所需靶电压低,易于控制等离子体,沉积速率高,薄膜致密性好,衬底温度低,可获得高质量外延薄膜,被世界各国广泛采用。对于磁控溅射法而言,制备正确组分、晶体结构和晶体取向,并且高纯、致密的靶材,尤为重要,只有拥有高品质的靶材才能获得预期的薄膜。
目前,钇钡铜氧靶材的生产方法主要有普通烧结法、热等静压法、热压法和压力烧结四种,具体如下:
1、普通烧结法:一般采用冷压或冷等静压加烧结的方法制备。冷压过程中,为了增强素坯的成型性,会在其中加入0.5%~2%的粘结剂,压制压力不能太大,因为需要留出足够的通道让粘结剂排出,但粘结剂依然会有残留,增加了靶材的杂质含量。冷等静压则可获得致密度较高的素坯,由于素坯的相对密度为50%~70%,在靶材烧结完成后,靶材的相对密度只能达到70%~90%。
2、热等静压法:该方法能够在压力100MPa以上,烧结温度为600℃~1500℃烧结靶材,得到相对密度为98%~100%的靶材。但该方法工艺过程较复杂,主要包括:粉末前处理、制作包套、装炉烧结、去除包套、后续加工等,而且各个步骤的完成要求较高,如果靶材较小,后续加工的加工量较大,则原材料利用率较低,且成本较高。
3、热压法:该方法可使用难熔金属模具、陶瓷模具或石墨模具,在真空或其他气氛保护下进行烧结,一般烧结压力为20~80MPa,可以得到相对密度为98%~100%的靶材。该方法生产成本较低,工艺过程较为简单,主要包括:装料、烧结、脱模、后续加工等,而且各个步骤控制较为简单,产品的品质稳定,能够获得接近产品要求尺寸的半成品。
4、常压气氛烧结法:该方法一般用于生产陶瓷靶材,在气氛保护的条件下进行烧结,烧结方式为阶段性升压升温。该生产方法成本较低,工艺过程可控,主要步骤包括:液压压制、冷等静压压制、阶段性烧结、降温控制、后续加工等,各步骤的操作简单,核心技术为烧结工艺。
中国发明专利CN101492291A公开了一种YBCO超导薄膜靶材的制备方法,其作法是:A、YBCO超导相粉末的制备;B、压片:将A步制备的粉末,置于磨具中,在压机上用20~30MPa的压力压制片;将压制得到的片放在橡胶包套里,于150~200MPa的压强下进行冷等静压,得到超导片材;C、片材的烧结:将B步得到的超导片材在箱式烧结炉中烧结20~30小时,烧结温度为850~960℃;D、渗氧:将C得到的超导片材放在管式炉里,在温度450~500℃下,渗氧处理2~3小时。该方法的特点在于能获得具有超导相结构的YBCO靶材,但制备的靶材致密度较差,且工艺过程较为复杂。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种改进的钇钡铜氧靶材的制造方法。
为解决以上技术问题,本发明采取如下技术方案:
一种钇钡铜氧靶材的制备方法,包括依次进行的以下步骤:
(1)、将Y 2 O 3 、BaO、CuO按一定比例(原子比比例为Y:Ba:Cu=1:2:3)混合均匀得混合粉末,Y 2 O 3 、BaO及CuO的一次粒度为100~300nm,纯度大于99.9wt%;
(2)、对混合粉末进行四柱液压机冷压压制成型,冷压压力为200~300MPa;
(3)、将冷压后的混合体放入氧气常压烧结炉中,在800~950℃下烧结,烧结时间为10~20小时,烧结完毕,冷却到常温取出,破碎成-300目,即得钇钡铜氧超导相粉末;
(4)、将钇钡铜氧超导相粉末四柱液压机冷压压制成型为坯件,冷压压力为30~50MPa;
(5)、对坯件进行冷等静压加工,压力为200~300MPa;
(6)、将坯件置于炉中进行烧结,烧结时,炉内真空度为10 -4 ~10 -3 Pa,首先以50~300℃/h的速率将温度升至600℃~800℃,保温4~24小时后,充入氧气,然后再以100~400℃/h的速率将温度升至850℃~950℃,保温4~24小时后降至常温,即得所述钇钡铜氧靶材,降温速率为20~100℃/h。
优选地,Y 2 O 3 、BaO及CuO的一次粒度为100~200nm。
根据本发明,步骤(2)中,冷压压力优选为200~250MPa,步骤(3)中烧结温度优选为850~900℃,烧结时间优选为12~20小时,步骤(6)中,第一次升温速率优选为100~200℃/h,第二次升温速率优选为150~250℃/h,降温速率优选为20~50℃/h。
由于上述技术方案的运用,本发明与现有技术相比具有下列优点和效果:
由于在阶段性烧结工艺中,充入了氧气,避免了环境烧结过程中引入杂质,也使靶材更加高致密化。按照本发明的制备方法制备出的钇钡铜氧靶材,其晶粒尺寸细小且致密度高。在适当条件下,溅射这些靶材能获得性能优良的薄膜,从而提高钇钡铜氧薄膜的超导性能。
附图说明
图1为根据本发明方法制造的钇钡铜氧靶材的扫描电镜图。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明作进一步详细的说明,但本发明不限于以下实施例。
一种钇钡铜氧靶材的制备方法,包括依次进行的以下步骤:
(1)、将Y 2 O 3 、BaO、CuO按原子比Y:Ba:Cu=1:2:3比例混合均匀得混合粉末,Y 2 O 3 、BaO及CuO的一次粒度为100~200nm,纯度大于99.9wt%;
(2)、对混合粉末进行四柱液压机冷压压制成型,冷压压力为250MPa;
(3)、将冷压后的混合体放入氧气常压烧结炉中,在900℃下烧结,烧结时间为12小时,烧结完毕,冷却到常温取出,破碎成-300目,即得钇钡铜氧超导相粉末;
(4)、将钇钡铜氧超导相粉末四柱液压机冷压压制成型为坯件,冷压压力为40MPa;
(5)、对坯件进行冷等静压加工,压力为250MPa;
(6)、将坯件置于炉中进行烧结,烧结时,炉内真空度为10 -4 ~10 -3 Pa,首先以100℃/h的速率将温度升至800℃,保温6小时后,充入氧气,然后再以200℃/h的速率将温度升至900℃,保温6小时后降至常温,即得所述钇钡铜氧靶材,降温速率为50℃/h。
对上述制备的钇钡铜氧靶材进行扫描电镜分析,图1是扫描电镜图,从中可见,钇钡铜氧靶材的晶粒尺寸比较细小且致密度高,相对密度约为99.6%。
使用上述靶材通过磁控溅射的方式制备超导薄膜,制备的薄膜测试结果和主要工艺参数如下:
溅射电流:0.4A
基片温度:750℃
溅射时间:20小时
Tc:90K
ΔTc=0.5K
Rs=2.46mΩ
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内

Claims (2)

1. 一种钇钡铜氧靶材的制备方法,其特征在于:包括依次进行的以下步骤:
(1)、将Y2O3、BaO、CuO按一定比例(原子比比例为Y:Ba:Cu=1:2:3)混合均匀得混合粉末,Y2O3、BaO及CuO的一次粒度为100~300nm,纯度大于99.9wt%;
(2)、对混合粉末进行四柱液压机冷压压制成型,冷压压力为200~300MPa;
(3)、将冷压后的混合体放入氧气常压烧结炉中,在800~950℃下烧结,烧结时间为10~20小时,烧结完毕,冷却到常温取出,破碎成-300目,即得钇钡铜氧超导相粉末;
(4)、将钇钡铜氧超导相粉末四柱液压机冷压压制成型为坯件,冷压压力为30~50MPa;
(5)、对坯件进行冷等静压加工,压力为200~300MPa;
(6)、将坯件置于炉中进行烧结,烧结时,炉内真空度为10-4~10-3Pa,首先以50~300℃/h的速率将温度升至600℃~800℃,保温4~24小时后,充入氧气,然后再以100~400℃/h的速率将温度升至850℃~950℃,保温4~24小时后降至常温,即得所述钇钡铜氧靶材,降温速率为20~100℃/h。
2. 根据权利要求1所述的钇钡铜氧靶材的制备方法,其特征在于:Y2O3、BaO及CuO的一次粒度为100~200nm。
CN 201210039987 2012-02-21 2012-02-21 一种钇钡铜氧靶材的制造方法 Expired - Fee Related CN102584205B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201210039987 CN102584205B (zh) 2012-02-21 2012-02-21 一种钇钡铜氧靶材的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201210039987 CN102584205B (zh) 2012-02-21 2012-02-21 一种钇钡铜氧靶材的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102584205A true CN102584205A (zh) 2012-07-18
CN102584205B CN102584205B (zh) 2013-07-10

Family

ID=46473545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201210039987 Expired - Fee Related CN102584205B (zh) 2012-02-21 2012-02-21 一种钇钡铜氧靶材的制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102584205B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103396114A (zh) * 2013-07-18 2013-11-20 陕西师范大学 简化制备单畴ybco超导块材的方法
JP2016188392A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 株式会社フジクラ 酸化物超電導薄膜作製用ターゲットおよび酸化物超電導線材の製造方法
CN106187100A (zh) * 2015-05-04 2016-12-07 清华大学 溅射靶及其制备方法
CN110373594A (zh) * 2019-07-11 2019-10-25 赖松平 摩擦润滑用钇钡铜氧-铜高温超导复合材料的制备方法
CN111943674A (zh) * 2020-07-30 2020-11-17 上海交通大学 一种大直径稀土钡铜氧化物超导靶材及其制备方法
CN116023127A (zh) * 2022-12-28 2023-04-28 松山湖材料实验室 Ybco靶材的制造方法及靶材模具

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN87105026A (zh) * 1987-06-25 1988-03-16 东北工学院 钇钡铜氧系超导材料的制取方法
CN1033918A (zh) * 1988-01-01 1989-07-12 中南工业大学 液氮温区的超导磁屏蔽筒及其制造方法
CN102249661A (zh) * 2011-06-22 2011-11-23 苏州晶纯新材料有限公司 一种磷酸锂靶材及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN87105026A (zh) * 1987-06-25 1988-03-16 东北工学院 钇钡铜氧系超导材料的制取方法
CN1033918A (zh) * 1988-01-01 1989-07-12 中南工业大学 液氮温区的超导磁屏蔽筒及其制造方法
CN102249661A (zh) * 2011-06-22 2011-11-23 苏州晶纯新材料有限公司 一种磷酸锂靶材及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《大学物理实验》 20111231 张逸民等 "固相反应法制备高温超导材料YBCO实验的研究 第1-5页 1-2 第24卷, 第6期 *
张逸民等: ""固相反应法制备高温超导材料YBCO实验的研究", 《大学物理实验》 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103396114A (zh) * 2013-07-18 2013-11-20 陕西师范大学 简化制备单畴ybco超导块材的方法
CN103396114B (zh) * 2013-07-18 2014-12-24 陕西师范大学 简化制备单畴ybco超导块材的方法
JP2016188392A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 株式会社フジクラ 酸化物超電導薄膜作製用ターゲットおよび酸化物超電導線材の製造方法
CN106187100A (zh) * 2015-05-04 2016-12-07 清华大学 溅射靶及其制备方法
CN106187100B (zh) * 2015-05-04 2019-02-12 清华大学 溅射靶及其制备方法
CN110373594A (zh) * 2019-07-11 2019-10-25 赖松平 摩擦润滑用钇钡铜氧-铜高温超导复合材料的制备方法
CN111943674A (zh) * 2020-07-30 2020-11-17 上海交通大学 一种大直径稀土钡铜氧化物超导靶材及其制备方法
CN111943674B (zh) * 2020-07-30 2021-11-16 上海交通大学 一种大直径稀土钡铜氧化物超导靶材及其制备方法
CN116023127A (zh) * 2022-12-28 2023-04-28 松山湖材料实验室 Ybco靶材的制造方法及靶材模具

Also Published As

Publication number Publication date
CN102584205B (zh) 2013-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102584205B (zh) 一种钇钡铜氧靶材的制造方法
JP2022531868A (ja) ハイエントロピー希土類高靭性タンタル酸塩セラミックス及びその製造方法
KR101695578B1 (ko) 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃, 및 그 제조 방법
WO2014097963A1 (ja) 酸化亜鉛系透明導電膜
CN108218419B (zh) 一种铟锡氧化物陶瓷靶材的制备方法
CN102534333A (zh) 一种制备细晶高致密度tzm合金的方法
CN105906338A (zh) 一种高密度igzo旋转靶材的制造方法
CN101492291B (zh) 一种ybco超导薄膜靶材的制备方法
CN111116194B (zh) 一种超高密度细晶ito靶材的生产方法
CN103805952A (zh) 一种大尺寸高纯钨靶材及其生产方法
CN108950347B (zh) 一种MgAgSb系热电材料的制备方法
CN112111719B (zh) 一种钨钛硅合金溅射靶材及其制备方法
CN102187009A (zh) ZnO-Ga2O3系溅射靶用烧结体及其制造方法
CN105525267A (zh) 一种磁控溅射法制备涂层导体Y1-XRExBCO超导层的方法
JP6144858B1 (ja) 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにそれらの製造方法
JP2013001919A (ja) In2O3−ZnO系スパッタリングターゲット及び酸化物導電膜
JP6254308B2 (ja) 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにそれらの製造方法
CN104831352A (zh) 一种高纯高致密(LaxSm1-x)B6多晶阴极材料及其制备方法
CN114182123A (zh) 一种快速制备Nb3Al超导体的方法
CN102992771A (zh) 一种二硼化镁基超导块材的制造方法
CN109949998B (zh) 一种超薄型单畴熔融织构高温超导块材的制备方法
CN111943674B (zh) 一种大直径稀土钡铜氧化物超导靶材及其制备方法
CN108516802A (zh) 一种三氧化二铋增韧的氧化铅陶瓷及其制备方法
CN111793823B (zh) 高纯度六硼化钆多晶及其制备方法
CN117051369B (zh) 一种掺铌钛酸锶靶材的制备方法、靶材及磁控溅射薄膜

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130710

Termination date: 20160221

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee