CN105525267A - 一种磁控溅射法制备涂层导体Y1-XRExBCO超导层的方法 - Google Patents

一种磁控溅射法制备涂层导体Y1-XRExBCO超导层的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105525267A
CN105525267A CN201610037521.3A CN201610037521A CN105525267A CN 105525267 A CN105525267 A CN 105525267A CN 201610037521 A CN201610037521 A CN 201610037521A CN 105525267 A CN105525267 A CN 105525267A
Authority
CN
China
Prior art keywords
bco
superconducting layer
magnetron sputtering
oxygen
coating conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610037521.3A
Other languages
English (en)
Inventor
何茂赟
刘胜利
王海云
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Post and Telecommunication University
Nanjing University of Posts and Telecommunications
Original Assignee
Nanjing Post and Telecommunication University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Post and Telecommunication University filed Critical Nanjing Post and Telecommunication University
Priority to CN201610037521.3A priority Critical patent/CN105525267A/zh
Publication of CN105525267A publication Critical patent/CN105525267A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
    • H01B12/02—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines characterised by their form
    • H01B12/06—Films or wires on bases or cores
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

本发明提供一种涂层导体Y1-xRExBCO超导层的生长方法，具体涉及一种利用磁控溅射法在铝酸镧(LAO)基片上制备Y1-xRExBCO超导层的方法，有效克服YBCO超导层的厚度效应，提高超导载流能力。先用Sm或者Gd部分代替Y制备Y1-xRExBCO磁控溅射靶材，然后再将反应室抽真空至真空度小于等于5×10-4Pa，将LAO基片加热至600～700℃，20～30分钟后充入氩气和氧气至腔体气压稳定在30～60Pa，氧气氩气比例为1:2～1:3，以Y1-xRExBCO为靶材，开始溅射。溅射结束后，降温至400～450℃并充入氧气至气压维持在700～750mbar，进行40～80分钟退火处理。镀膜结束，将温度降至室温，得到LAO基带上生长的Y1-xRExBCO超导层。利用该方法能生产出Y1-xRExBCO超导层的厚度达到3μm的涂层导体。

Description

一种磁控溅射法制备涂层导体Y1-XRExBCO超导层的方法
技术领域
本发明属于超导层制备领域，具体涉及磁控溅射法制备涂层导体YBCO领域。
背景技术
随着现代化社会的发展，各行业用电需求的增加，我们对传输电缆的要求越来越高，但是现在的传输电缆普遍都会在传输过程中消耗掉大量的电能，造成不必要的浪费。如果使用超导带材来传输，则不仅可以避免电能的损失，而且还可以节省大量金属材料。
当今超导带材的研究热点在基于YBCO(钇钡铜氧)体系的第二代高温超导带材，目前制备第二代Y系高温超导带材的主要方法是涂层导体的方法，涂层导体的最底层为基带，然后是缓冲层、超导涂层和稳定层。但是基于YBCO体系的涂层导体存在厚度效应，即当其厚度大于一定值(约1μm)时临界电流密度、甚至临界电流出现减少的现象,这使人们试图通过增加厚度来提高超导载流能力的设想难于实现。研究发现，随着YBCO薄膜厚度的增加，其膜内应力也会随之变化。其中压应力有利于维持c轴取向的生长,但是随着厚度的增加这种压应力会慢慢被释放掉，所以维持膜内压应力是解决厚度效应的一个有效办法。常见的REBCO涂层导体中，GdBCO和SmBCO的晶格常数都要大于YBCO的晶格常数，若使用稀土元素Gd3+或者Sm3+部分替代钇位，则YBCO就会对GdBCO或者SmBCO产生这种压应力，从而维持c轴取向生长，保持较高载流能力，有效克服厚度效应。
磁控溅射技术是在涂层导体的制备过程中一个比较有效的方法，具有沉积速度快，基材温度低，对膜层损伤小等特点，而且溅射所得的薄膜与基片结合较好，而且膜的纯度高，同时易于实现工业化。
发明内容
根据以上技术背景，本发明的目的在于提供一种低成本，高效率，有利于工业化生产高质量Y1-xRExBCO涂层导体的方法，采用磁控溅射技术，通过较大离子半径的Sm3+或者Gd3+部分替代Y3+位的方法制备Y1-xRExBCO磁控溅射的靶材，然后溅射成膜，再进行退火处理，最后可得到厚度为3.0μm的高载流能力的涂层导体。
为了实现上述发明目的，本发明采用以下技术方案：
步骤1：氧化钇、氧化钐、氧化钡、氧化铜或氧化钇、氧化钆、氧化钡和氧化铜四种金属氧化物粉末按照金属阳离子摩尔比：Y:RE:Ba:Cu＝1-x:x:2:3的比例混合在一起利用球形研磨机研磨5～10小时，其中RE是Gd或者Sm，0.1≦x≦0.6；
步骤2：对粉末进行压缩成型，采用干压成型工艺，使用的磨具规格为直径5cm，成型压力为8～14kg/cm2；
步骤3：压制好的块状样品放入炉中,以10℃/min的速率升温到850～900℃，并保持此温度24小时,然后以10℃/min的速率升到1050～1100℃保持1小时,然后再以2℃/min的速度降温到950℃，然后自然降温得到块状Y1-xRExBCO靶材；
步骤4：对铝酸镧(LAO)基片进行清洁处理；
步骤5：对磁控溅射腔体抽真空至真空度小于等于5×10-4Pa，将金属基带加热至600℃～700℃，20～30分钟后充入氩气和氧气至腔体，气压稳定在30～60Pa，氧气氩气比例为1:2～1:3，以Y1-xRExBCO为靶材，开始溅射4～12小时以上；
步骤6：溅射结束后，降温至400～450℃并充入氧气，气压维持在700～750mbar，进行40～80分钟退火处理。镀膜结束，将温度降至室温，得到具有立方织构氧化物隔离层的金属基带上生长的Y1-xRExBCO超导层。
本发明提供一种磁控溅射法制备涂层导体Y1-xRExBCO超导层的方法，其优点在于：
1、在原来制备YBCO靶材的基础上，用Sm离子或者Gd离子部分替代Y离子，可以改变膜内剩余应力，从而达到有效克服厚度效应的目的，实现涂层导体的高载流能力
2、采用磁控溅射技术生长Y1-xRExBCO超导层具有较高的生长速率，能够降低生产成本；
3、采用磁控溅射技术生长Y1-xRExBCO超导层工艺简单、生产过程中工艺参数容易控制。
附图说明
图1:Y1-xRExBCO涂层导体超导层XRD衍射图
图2:Jc和Ic随厚度变化图像
具体实施方式
实例1
本实施例为在铝酸镧(LAO)基片上制备厚度为1μm的Y1-xRExBCO超导层。采用常规的磁控溅射沉积工艺，在磁控溅射设备中进行。具体工艺如下：
(1)、氧化钇、氧化钆、氧化钡、氧化铜四种金属氧化物粉末按照金属阳离子摩尔比：Y:Gd:Ba:Cu＝0.9:0.1:2:3的比例混合在一起利用球形研磨机研磨5小时；
(2)、采用干压成型工艺对粉末进行压缩成型，使用的磨具规格为直径5cm，成型压力为8～14kg/cm2；
(3)、压制好的块状样品放入炉中,以10℃/min的速率升温到850～900℃，并保持此温度24小时,然后以10℃/min的速率升到1050～1100℃保持1小时,然后再以2℃/min的速度降温到950℃，然后自然降温得到块状Y1-xRExBCO靶材；
(4)、对铝酸镧(LAO)基片进行清洁处理；
(5)、对磁控溅射腔体抽真空至真空度小于等于5×10-4Pa，将金属基带加热至600℃～700℃，20～30分钟后充入氩气和氧气至腔体气压稳定在30～60Pa，氧气氩气比例为1:2～1:3，以Y1-xRExBCO为靶材，溅射4小时；
(6)、溅射结束后，降温至400～450℃并充入氧气至气压维持在700～750mbar，进行40～80分钟退火处理。镀膜结束，将温度降至室温，得到具有立方织构氧化物隔离层的金属基带上生长的Y1-xRExBCO超导层。
实例2
本实施例为在铝酸镧(LAO)基片上制备厚度为2μm的Y1-xRExBCO超导层。采用常规的磁控溅射沉积工艺，在磁控溅射设备中进行。具体工艺如下：
(1)、氧化钇、氧化钆、氧化钡、氧化铜四种金属氧化物粉末按照金属阳离子摩尔比：Y:Gd:Ba:Cu＝0.7:0.3:2:3的比例混合在一起利用球形研磨机研磨7小时；
(2)、重复实施例1中的步骤(2)；
(3)、重复实施例1中的步骤(3)；
(4)、重复实施例1中的步骤(4)；
(5)、对磁控溅射腔体抽真空至真空度小于等于5×10-4Pa，将金属基带加热至600℃～700℃，20～30分钟后充入氩气和氧气至腔体气压稳定在30～60Pa，氧气氩气比例为1:2～1:3，以Y1-xRExBCO为靶材，溅射8小时；
(6)、重复实施例1中的步骤(6)；
实例3
本实施例为在铝酸镧(LAO)基片上制备厚度为3μm的Y1-xRExBCO超导层。采用常规的磁控溅射沉积工艺，在磁控溅射设备中进行。具体工艺如下：
(1)、氧化钇、氧化钆、氧化钡、氧化铜四种金属氧化物粉末按照金属阳离子摩尔比：Y:Gd:Ba:Cu＝0.4:0.6:2:3的比例混合在一起利用球形研磨机研磨9小时；
(2)、重复实施例1中的步骤(2)；
(3)、重复实施例1中的步骤(3)；
(4)、重复实施例1中的步骤(4)；
(5)、对磁控溅射腔体抽真空至真空度小于等于5×10-4Pa，将金属基带加热至600℃～700℃，20～30分钟后充入氩气和氧气至腔体气压稳定在30～60Pa，氧气氩气比例为1:2～1:3，以Y1-xRExBCO为靶材，溅射12小时；
(6)、重复实施例1中的步骤(6)；
实例4
本实施例为在铝酸镧(LAO)基片上制备厚度为1μm的Y1-xRExBCO超导层。采用常规的磁控溅射沉积工艺，在磁控溅射设备中进行。具体工艺如下：
(1)、氧化钇、氧化钐、氧化钡、氧化铜四种金属氧化物粉末按照金属阳离子摩尔比：Y:Sm:Ba:Cu＝0.9:0.1:2:3的比例混合在一起利用球形研磨机研磨5小时；
(2)、重复实施例1中的步骤(2)；
(3)、重复实施例1中的步骤(3)；
(4)、重复实施例1中的步骤(4)；
(5)、重复实施例1中的步骤(5)；
(6)、重复实施例1中的步骤(6)；
实例5
本实施例为在铝酸镧(LAO)基片上制备厚度为2μm的Y1-xRExBCO超导层。采用常规的磁控溅射沉积工艺，在磁控溅射设备中进行。具体工艺如下：
(1)、氧化钇、氧化钆、氧化钡、氧化铜四种金属氧化物粉末按照金属阳离子摩尔比：Y:Sm:Ba:Cu＝0.7:0.3:2:3的比例混合在一起利用球形研磨机研磨7小时；
(2)、重复实施例1中的步骤(2)；
(3)、重复实施例1中的步骤(3)；
(4)、重复实施例1中的步骤(4)；
(5)、重复实施例2中的步骤(5)；
(6)、重复实施例1中的步骤(6)；
实例5
本实施例为在铝酸镧(LAO)基片上制备厚度为3μm的Y1-xRExBCO超导层。采用常规的磁控溅射沉积工艺，在磁控溅射设备中进行。具体工艺如下：
(1)、氧化钇、氧化钆、氧化钡、氧化铜四种金属氧化物粉末按照金属阳离子摩尔比：Y:Sm:Ba:Cu＝0.4:0.6:2:3的比例混合在一起利用球形研磨机研磨9小时；
(2)、重复实施例1中的步骤(2)；
(3)、重复实施例1中的步骤(3)；
(4)、重复实施例1中的步骤(4)；
(5)、重复实施例3中的步骤(5)；
(6)、重复实施例1中的步骤(6)；
根据本发明技术方案所得的Y1-xRExBCO超导层，如图1所示的XRD图谱，可以看出REBO超导层具有很好的c轴取向；
根据本发明还能得到厚度大于2μm的Y1-xRExBCO涂层导体，该涂层导体是现有技术所没有，其优点在于随着超导层厚度的增加，Y1-xRExBCO超导层具有很好的c轴取向和双轴织构水平，因此其临界电流密度没有明显的降低。，如图2所示，因此，该涂层导体能够通过增加厚度实现超导载流能力的增加，有效克服YBCO超导带材的厚度效应。

Claims (7)

1.一种磁控溅射法制备涂层导体Y1-xRExBCO超导层的方法，其特征在于，方法的步骤如下：
步骤1：氧化钇、氧化钐、氧化钡和氧化铜或氧化钇、氧化钆、氧化钡和氧化铜四种金属氧化物粉末按照金属阳离子摩尔比：Y:RE:Ba:Cu＝1-x:x:2:3的比例混合在一起研磨；
步骤2：对粉末进行压缩成型；
步骤3：压制好的块状样品放入炉中,以5℃/min的速率升温到850～900℃，并保持此温度24小时,然后以5℃/min的速率升到1050～1100℃保持1小时,然后再以2℃/min的速度降温到950℃，然后自然降温得到块状Y1-XREXBCO靶材；
步骤4：对铝酸镧(LAO)基片进行清洁处理；
步骤5：对磁控溅射腔体抽真空至真空度小于等于5×10-4Pa，将LAO基片加热至600℃～700℃，20～30分钟后充入氩气和氧气至腔体气压稳定在30～60Pa，以Y1-XREXBCO为靶材，开始溅射4～12小时以上；
步骤6：溅射结束后，降温至400～450℃并充入氧气，进行40～80分钟退火处理。镀膜结束，将温度降至室温，得到LAO基片上生长的Y1-XREXBCO超导层。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射法制备涂层导体Y1-XREXBCO超导层的方法，其特征在于，步骤1中四种金属阳离子浓度摩尔比为Y:RE:Ba:Cu＝1-x:x:2:3，其中RE是Gd或者Sm，0.1≦x≦0.6；
3.根据权利要求1所述的磁控溅射法制备涂层导体Y1-XREXBCO涂层导体的方法，其特征在于，步骤6中Y1-XREXBCO超导涂层的厚度为3μm。
4.根据权利要求1所述的磁控溅射法制备涂层导体Y1-XREXBCO超导层的方法，其特征在于，步骤2中对粉末进行压缩成型的方法是采用干压成型工艺。
5.根据权利要求4所述的磁控溅射法制备涂层导体Y1-XREXBCO超导层的方法，其特征在于，干压成型使用的磨具规格为直径5cm，成型压力为8～14kg/cm2。
6.根据权利要求1所述的磁控溅射法制备涂层导体Y1-XREXBCO超导层的方法，其特征在于，步骤5中氧气氩气比例为1:2～1:3。
7.根据权利要求1所述的磁控溅射法制备涂层导体Y1-XREXBCO超导层的方法，其特征在于，步骤6中充入氧气后的气压维持在700～750mbar。
CN201610037521.3A 2016-01-20 2016-01-20 一种磁控溅射法制备涂层导体Y1-XRExBCO超导层的方法 Pending CN105525267A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610037521.3A CN105525267A (zh) 2016-01-20 2016-01-20 一种磁控溅射法制备涂层导体Y1-XRExBCO超导层的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610037521.3A CN105525267A (zh) 2016-01-20 2016-01-20 一种磁控溅射法制备涂层导体Y1-XRExBCO超导层的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105525267A true CN105525267A (zh) 2016-04-27

Family

ID=55767784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610037521.3A Pending CN105525267A (zh) 2016-01-20 2016-01-20 一种磁控溅射法制备涂层导体Y1-XRExBCO超导层的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105525267A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106282923A (zh) * 2016-08-31 2017-01-04 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司 高温超导薄膜制备方法
CN112962075A (zh) * 2021-02-04 2021-06-15 西南交通大学 一种三靶共溅射制备第二代高温超导带材的方法
RU2767282C1 (ru) * 2020-11-03 2022-03-17 Санам Ко., Лтд. Сверхпроводящий провод и способ его формирования
KR20220059886A (ko) * 2020-11-03 2022-05-10 주식회사 서남 초전도 와이어 및 그 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103614697A (zh) * 2013-11-08 2014-03-05 南京邮电大学 一种涂层导体DyBCO超导层的生长方法及DyBCO涂层导体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103614697A (zh) * 2013-11-08 2014-03-05 南京邮电大学 一种涂层导体DyBCO超导层的生长方法及DyBCO涂层导体

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LINFEI LIU ETAL: ""fabrication of thick rebco-coated conductors with high performance on metal tapes by pulsed laser deposition process", 《J SUPERCOND NOV MAGN》 *
郭青蔚等: "YBCO高温超导靶材制备工艺研究", 《稀有金属》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106282923A (zh) * 2016-08-31 2017-01-04 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司 高温超导薄膜制备方法
CN106282923B (zh) * 2016-08-31 2017-07-18 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司 高温超导薄膜制备方法
RU2767282C1 (ru) * 2020-11-03 2022-03-17 Санам Ко., Лтд. Сверхпроводящий провод и способ его формирования
KR20220059886A (ko) * 2020-11-03 2022-05-10 주식회사 서남 초전도 와이어 및 그 제조 방법
KR102577735B1 (ko) * 2020-11-03 2023-09-14 주식회사 서남 초전도 와이어 및 그 제조 방법
CN112962075A (zh) * 2021-02-04 2021-06-15 西南交通大学 一种三靶共溅射制备第二代高温超导带材的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103526297B (zh) 一种制备拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜的方法
CN103184513B (zh) 高温超导薄膜的制备方法
CN101456726B (zh) 一种制备高临界电流密度钇钡铜氧超导薄膜的方法
CN105525267A (zh) 一种磁控溅射法制备涂层导体Y1-XRExBCO超导层的方法
CN103985479A (zh) 一种低成本高温超导涂层导体带材的制备方法
JP3089294B2 (ja) 超電導テープ材の製造方法
CN103203913A (zh) 高温超导薄膜
CN102925985B (zh) 基于双层碳化硅支架批量生长rebco高温超导块体的方法
CN110373717B (zh) 一种利用组分分层控制法生长rebco高温超导块材的方法
CN101319379A (zh) 45°稀土钡铜氧薄膜籽晶高速生长超导块材的方法
CN103086709B (zh) 钇钡铜氧超导薄膜的制备方法
CN1905081A (zh) 一种具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体及制备方法
WO2004059752A1 (fr) Procede d'amelioration de surface utilise dans la fabrication de dispositifs supraconducteurs a haute temperature
US7871663B1 (en) Minute doping for YBCO flux pinning
CN102569636B (zh) 一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜的方法
CN101649451A (zh) MOD法在双轴织构NiW合金上制备镧锶钴氧导电薄膜
CN103014861B (zh) 宝塔形大尺寸rebco高温超导块体的制备方法
US20110045984A1 (en) Superconductive Compositions with Enhanced Flux Pinning
Zhang et al. Tunable Density of FeSe $ _ {1-x} $ Te $ _x $ Targets With High Pressure Sintering
CN103243383B (zh) 一种冷速控制高温超导块体材料的生长方法
CN1258618C (zh) 一种在金属基底上形成织构外延膜的方法
CN102723141B (zh) 一种高温超导涂层导体Gd1-xCaxBiO3缓冲层及其制备方法
CN100368597C (zh) 在无织构的金属基带上制备ybco高温超导薄膜的方法
CN103614697A (zh) 一种涂层导体DyBCO超导层的生长方法及DyBCO涂层导体
CN118308692A (zh) 一种在金属软基带上制备(Cu,C)Ba2Can-1CunO2n+3超导薄膜的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160427