CN101740529A - 散热材料、电子器件以及电子器件的制造方法 - Google Patents

散热材料、电子器件以及电子器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种散热材料、电子器件以及电子器件的制造方法，其中的电子器件包括发热体(54)、散热器(58)和设置在发热体(54)与散热器(58)之间的散热材料(56)，所述散热材料包括多个碳原子的线性结构(12)和由热塑树脂形成的填充层(14)，所述填充层设置在多个线性结构(12)之间。

Description

散热材料、电子器件以及电子器件的制造方法
技术领域
在此处讨论的实施例涉及一种散热材料，更具体地涉及一种包括碳原子的线性结构的散热材料，以及一种使用这种散热材料的电子器件及所述电子器件的制造方法。
背景技术
用于服务器和个人电脑等的CPU(中央处理器)中的电子部件需要有效地散发由半导体元件产生的热。为此需使用如下的结构，即，由高导热性材料(例如铜等)构成的传热器设置在半导体元件上，该半导体元件上设有热界面材料。
热界面材料本身需要为高导热性的材料，此外还需要具有如下的特性，即，所述材料能与发热源和传热器表面的微小凹凸部分大面积地接触。目前，通常采用PCM(相变材料)、铟等作为热界面材料。
尽管PCM可与微小凹凸部分良好地接触，但是其导热性差(约1W/m·K～5W/m·K)。为了使PCM具有有效的导热性，膜的厚度必须薄。由于热膨胀系数的不同会在发热源与传热器之间产生间隙，且使膜变薄的程度非常有限，因此难以针对间隙吸收凹凸部分。
最近对稀有金属需求的大量增加使得铟的价格升高，因此期望出现比铟更便宜的替代材料。在物理特性方面，铟的导热性(约50W/m·K)不能说很高。因此，期望出现导热性更高的材料以有效地散发由半导体元件产生的热。
在这样的背景下，以碳纳米管为代表的碳原子的线性结构由于其较高的导热性(其导热性比PCM和铟的导热性高)而闻名。碳纳米管不仅具有很高的导热性(约1500W/m·K)，而且具有优良的柔韧性和耐热性。碳纳米管作为散热材料具有很大的潜力。
在所提出的使用碳纳米管作为导热片的方案中，导热片可具有分散在树脂中的碳纳米管，以及导热片可具有在衬底上取向且生长的碳纳米管，所述碳纳米管埋置在树脂中。
以下为本发明的现有技术的示例：日本特开平专利公报第2005-150362号、日本特开平专利公报第2006-147801号和日本特开平专利公报第2006-290736号。
然而，传统的使用碳纳米管的散热材料不能够充分利用碳纳米管的高导热性。
发明内容
因此，根据实施例的方案，本发明的目的在于提供一种使用碳原子的线性结构的、高导热性和高导电性的散热材料，以及使用这种散热材料的电子器件和所述电子器件的制造方法。
根据实施例的一个方案，提供一种散热材料，其包括多个碳原子的线性结构和由热塑树脂形成的填充层，所述填充层设置在多个线性结构之间。
根据实施例的另一方案，提供一种电子器件，其包括发热体、散热器和设置在发热体与散热器之间的散热材料，所述散热材料包括多个碳原子的线性结构和由热塑树脂形成的填充层，所述填充层设置在多个线性结构之间。
根据实施例的又一方案，提供一种电子器件的制造方法，所述方法包括：在发热体与散热器之间设置散热材料，所述散热材料包括多个碳原子的线性结构和由热塑树脂形成的填充层，填充层设置在多个线性结构之间；加热散热材料以熔化热塑树脂；以及冷却散热材料以固化热塑树脂。
根据实施例的再一方案，提供一种散热构件，其包括散热器和形成于散热器上的散热材料，所述散热材料包括多个碳原子的线性结构和由热塑树脂形成的填充层，所述填充层设置在多个线性结构之间。
通过在权利要求书中特别指出的构件和组合可以实现并获得实施例的目的和优点。
应该理解的是，先前的概述和以下的详述均为示例性和说明性的，并且，如所声明的，并不对实施例进行限制。
附图说明
图1A和图1B为示出了根据第一实施例的碳纳米管片的结构的示意性剖视图；
图2A-图2C和图3A-图3C为示出了根据第一实施例的碳纳米管片的制造方法的剖视图；
图4为示出了根据第二实施例的碳纳米管片的结构的示意性剖视图；
图5A-图5C为示出了根据第二实施例的碳纳米管片的制造方法的剖视图；
图6-图8为示出了根据第二实施例的碳纳米管片的制造方法的立体图；
图9A和图9B为示出了根据第三实施例的碳纳米管片的结构的立体图；
图10A-图10B、图11A-图11B、图12和图13为示出了根据第三实施例的碳纳米管片的制造方法的立体图；
图14为示出了根据第三实施例的另一示例的碳纳米管片的制造方法的立体图；
图15A和图15B为示出了根据第四实施例的碳纳米管片的结构的立体图；
图16A-图16B、图17A-图17B、图18A-图18B和图19为示出了根据第四实施例的碳纳米管片的制造方法的立体图；
图20为示出了根据第五实施例的电子器件的结构的示意性剖视图；
图21A-图21D为示出了根据第五实施例的电子器件的制造方法的剖视图；
图22A和图22B为示出了根据第五实施例的电子部件的结构的示意性剖视图；
图23为示出了根据第六实施例的电子器件的结构的示意性剖视图；
图24A-24B为示出了根据第六实施例的电子器件的制造方法的剖视图；以及
图25为示出了根据第七实施例的电子器件的结构的立体图。
具体实施方式
[第一实施例]
参照图1A至图3C描述根据第一实施例的碳纳米管片和该碳纳米管片的制造方法。
图1A和图1B为示出了根据本实施例的碳纳米管片的结构的示意性剖视图。图2A-图3C为示出了根据本实施例的碳纳米管片的制造方法的剖视图。
首先，参照图1A和图1B描述根据本实施例的碳纳米管片的结构。图1A为示出了根据本实施例的碳纳米管片的第一示例的结构的视图。图1B为示出了根据本实施例的碳纳米管片的第二示例的结构的视图。
如图1A和图1B所示，根据本实施例的碳纳米管片包括多个相互间隔设置的碳纳米管12。热塑树脂材料形成的填充层14形成在碳纳米管12之间的间隙中并且支撑所述碳纳米管12。根据本实施例的碳纳米管片10具有片状结构，并且碳纳米管12沿着该碳纳米管片的膜厚度方向取向，即沿着与该碳纳米管片的表面相交的方向取向。
碳纳米管12可以为单壁碳纳米管或多壁碳纳米管。碳纳米管12的密度不需特别地限定，但是考虑到散热性和导电性，所述碳纳米管12的密度可优选设定为不小于约1×1010根管/cm2。
可以根据碳纳米管片10的应用确定碳纳米管12的长度。碳纳米管12的长度不需特别地限定，但是优选地，该长度值可设定为约5-500μm。当碳纳米管片10用作形成于发热源(例如半导体元件)与散热构件(例如传热器)之间的热界面材料时，碳纳米管12的长度优选地不小于可填充到至少发热源和散热构件的凹凸部分的长度。
如图1A和图1B所示，根据本实施例的碳纳米管片10的至少一端是露出的。在图1A所示的碳纳米管片中，碳纳米管12的一端是露出的。在图1B所示的碳纳米管片中，碳纳米管12的两端均是露出的。
因此，当碳纳米管片10与散热器或发热体接触时，碳纳米管12与散热器或发热体直接接触，由此可以大幅地增加导热效率。还具有导电性的碳纳米管12的两端均是露出的，以用作穿过该碳纳米管片的互连体。也就是说，根据本实施例的碳纳米管片10不仅可以用作导热片，而且可以用作竖直的互连片。
填充层14由热塑树脂形成。热塑树脂根据温度在液态与固态之间可逆地改变相态。不需具体限定为热塑树脂，只要其在室温下为固态并且可通过加热改变至液态、通过冷却返回至固态，且具有粘性即可。
这种热塑树脂例如为下述的热熔树脂。例如可以使用来自Henkel日本株式会社的“Micromelt 6239”(软化温度：140℃)作为聚酰胺基热熔树脂。例如可以使用来自Nogawa化学株式会社的“DH598B”(软化温度：133℃)作为聚酯基热熔树脂。例如可以使用来自Nogawa化学株式会社的“DH1222B”作为聚氨酯基热熔树脂。例如可以使用来自Matsumura石油株式会社的“EP-90”(软化温度：148℃)作为聚烯烃基热熔树脂。例如可以使用来自Nogawa化学株式会社的“DA5124B”(软化温度：105℃)作为乙烯共聚物热熔树脂。例如可以使用来自Yokohama橡胶株式会社的“M-6250”(软化温度：125℃)作为SBR基热熔树脂。例如可以使用来自Sumitomo 3M株式会社的“31247”(软化温度：104℃)作为EVA基热熔树脂。例如可以使用来自Yokohama橡胶株式会社的“M-6158”作为丁基橡胶基热熔树脂。
可以根据碳纳米管片10的应用、基于热塑树脂的熔化温度来选择形成填充层14的热塑树脂。优选的是，热塑树脂的熔化温度的下限值高于在操作中加热温度的上限值。这是因为当热塑树脂在操作中熔化时，存在碳纳米管片10可能变形的风险，可能会破坏碳纳米管12的取向，因此会降低导热性。热塑树脂的熔化温度的上限值低于发热体和散热器的热阻温度的下限值。根据本实施例的碳纳米管片10优选在与散热器和发热体接触之后回流(reflow)。这是因为当热塑树脂的熔化温度高于热阻温度时，在不损坏发热体和/或散热器的情况下难以回流。以下将详细描述碳纳米管片10的回流。
例如，当碳纳米管片10用于电子器件(例如CPU等)的散热时，考虑到在操作中CPU的发热温度的上限为125℃，并且CPU电子元件的耐热温度约为250℃，因此，熔化温度约为125℃～250℃的热塑树脂是适宜的。例如当用于汽车发动机的排气系统等，考虑到尽管取决于部件，发热温度约为500℃～800℃，但是，熔化温度约为600℃～900℃的热塑树脂也是适宜的。
可以根据需要在填充层14中混合分散添加剂。例如可以考虑高导热性的物质和高导电性的物质作为添加剂。高导热性的添加剂混合分散在填充层14部分，由此可以提高填充层14部分的导热性，并且可以整体提高碳纳米管片10的导热性。当碳纳米管片用作导电片时，高导电性的添加剂混合分散在填充层14部分中，由此可以整体提高碳纳米管片10的导电性。碳纳米管、金属材料、氮化铝、硅、氧化铝、石墨、富勒烯(fullerene)等可以用作高导热性的材料。碳纳米管、金属材料等可以用作高导电性的材料。
随后，参照图2A-图3C描述根据本实施例的碳纳米管片的制造方法。
首先，准备衬底30，以用作用于形成碳纳米管片10的基底(图2A)。衬底30可以为诸如硅衬底等的半导体衬底，诸如氧化铝(蓝宝石)衬底、氧化镁衬底、玻璃衬底等的绝缘衬底，金属衬底等。衬底30可以为形成有薄膜的衬底。例如，可以使用厚度约为300nm的氧化硅膜的硅衬底。
在碳纳米管12生长之后使衬底30剥离。为此目的，优选地，衬底30在碳纳米管12的生长温度下不变形。此外，优选地，衬底30的至少与碳纳米管接触的表面是由可使该表面易于从碳纳米管12剥离的材料形成的。还优选的是，衬底30由可相对于碳纳米管12选择性蚀刻的材料形成。
随后，通过例如溅射方法在衬底30上形成例如厚度为2.5nm的Fe(铁)膜，以形成Fe的催化剂金属膜32(图2B)。催化剂金属膜32并不必需形成在整个衬底30上，而是可以通过例如剥离的方法在衬底30的预定区域上选择性地形成。
除了Fe之外，催化剂金属还可以为Co(钴)、Ni(镍)、Au(金)、Ag(银)、Pt(铂)或包含它们中的至少之一的合金。除了金属膜之外，可以使用预先利用DMA(差式迁移分析仪)等方法控制尺寸而制备的金属微粒作为催化剂。在这种情况下，金属的规格可以与薄膜的规格相同。
由Mo(钼)、Ti(钛)、Hf(铪)、Zr(锆)、Nb(铌)、V(钒)、TaN(氮化钽)、TiSix(硅化钛)、Al(铝)、Al2O3(氧化铝)、TiOx(氧化钛)、Ta(钽)、W(钨)、Cu(铜)、Au(金)、Pt(铂)、Pd(钯)、TiN(氮化钛)等以及包含它们中的至少之一的合金制成的膜可以形成这些催化剂金属的基底膜。例如，可以使用Fe(2.5nm)/Al(10nm)的层结构、Co(2.6nm)/TiN(5nm)的层结构等。当使用金属微粒时，例如可以使用Co(平均直径：3.8nm)/TiN(5nm)等的层结构。
随后，通过例如热丝CVD方法在衬底30上以催化剂金属膜32作为催化剂使碳纳米管12生长。碳纳米管12的生长条件例如为：乙炔-氩气混合气体(分压比：1∶9)作为原料气，成膜室中的气体总压力为1kPa，热丝温度为1000℃，生长时间段为25分钟。因此，可以生长3-6层(平均约4层壁)、直径为4nm～8nm(平均为6nm)的多壁碳纳米管。也可以通过其它的成膜工艺，例如热CVD方法、远程等离子CVD方法等生长碳纳米管。碳纳米管可以生长为单壁。除了乙炔之外，还可以使用烃类(例如甲烷、乙烯等)或醇类(例如乙醇、甲醇等)作为碳原料。
碳纳米管12的长度可以根据碳纳米管片10的应用而确定，而不需对其进行特别限制，但是碳纳米管的长度值可以优选设定为约5μm～500μm。当将碳纳米管片10用作待形成于发热源(例如半导体元件)与散热构件(例如传热器)之间的热界面材料时，碳纳米管12的长度优选地至少可填充发热源和散热构件的表面中的凹凸部分。
因此，在衬底30上形成沿衬底的垂直方向取向(竖直取向)的多个碳纳米管12(图2C)。在上述生长条件下形成的碳纳米管12的表面密度约为1×1011根管/cm2。这相当于在衬底30的10％的表面面积的区域中形成有碳纳米管12。
接着，在衬底30上生长的碳纳米管12上安装加工成膜的热塑树脂(热塑树脂膜34)(图3A)。热塑树脂膜的膜厚度根据碳纳米管12的长度适当地设定。例如，当形成图1A的碳纳米管片10时，形成的热塑树脂膜34的厚度优选为约等于碳纳米管12的长度，例如约为5μm～500μm。当形成图1B的碳纳米管片10时，热塑树脂膜34的厚度形成为优选略小于碳纳米管12的长度，例如约为4μm～400μm。
热塑树脂膜34的热塑树脂例如可以为下述的热熔树脂。例如可以使用Henkel日本株式会社的“Micromelt 6239”(软化温度：140℃)作为聚酰胺基热熔树脂。例如可以使用Nogawa化学株式会社的“DH598B”(软化温度：133℃)作为聚酯基热熔树脂。例如可以使用Nogawa化学株式会社的“DH1222B”作为聚氨酯基热熔树脂。例如可以使用Matsumura石油株式会社的“EP-90”(软化温度：148℃)作为聚烯烃基热熔树脂。例如可以使用Nogawa化学株式会社的“DA5124B”(软化温度：105℃)作为乙烯共聚物热熔树脂。例如可以使用Yokohama橡胶株式会社的“M-6250”(软化温度：125℃)作为SBR基热熔树脂。例如可以使用Sumitomo 3M株式会社的“31247”(软化温度：104℃)作为EVA基热熔树脂。例如可以使用Yokohama橡胶株式会社的“M-6158”作为丁基橡胶基热熔树脂。
在此，以加工厚度为100μm的Henkel日本株式会社的“Micromelt 6239”的热塑树脂膜34作为一个示例进行描述。“Micromelt 6239”是熔化温度为135℃～145℃且熔化时粘度为5.5Pa.s～8.5Pa.s(225℃)的热熔树脂。
随后，以例如195℃的温度加热安装有热塑树脂膜34的衬底30。因此，热塑树脂膜34的热塑树脂熔化并且逐渐渗透到碳纳米管12之间的间隙中。由此使得热塑树脂膜34渗透至这样的程度，即，热塑树脂膜34并未到达衬底30的表面上。
热塑树脂预先被处理成膜状，由此可以通过膜的厚度来控制填充量。因此，通过控制加热温度和加热时间段可以控制填充材料，使其不会向下渗透至衬底30。
停止使热塑树脂膜34渗透以使得热塑树脂膜34并未到达衬底30，从而可以从衬底30容易地剥离碳纳米管片10。在使碳纳米管片10容易地从衬底30上剥离的情况下，热塑树脂膜34可能向下渗透至衬底30。
通过加热处理时间段的控制可以控制渗透到碳纳米管12之间间隙中的热塑树脂膜34的膜厚度。例如，对于在上述条件下生长长度为100μm的碳纳米管12时，在195℃的温度下进行加热处理1分钟，由此热塑树脂膜34可以渗透至使得热塑树脂膜34并未到达衬底30上的程度。
优选的是，热塑树脂膜34的加热时间段适当地设定为对应于碳纳米管12的长度、熔化的热塑树脂的粘度、热塑树脂膜34的膜厚度等，由此热塑树脂膜34渗透至使得该膜34不会到达衬底30上的程度。
适宜地，热塑树脂的形状预先处理成膜状，热塑树脂也可以被处理成颗粒状或杆状。
随后，在热塑树脂膜34已经渗透至预定位置之后，冷却热塑树脂膜34至室温以固化热塑树脂膜34。因此，形成填充层14，该填充层由热塑树脂膜34的热塑树脂形成且填充在碳纳米管12之间的间隙中。
随后，将碳纳米管12和填充层14从衬底30上剥离，并且获得根据本实施例的碳纳米管片(图3C)。通过形成如上所述并未到达衬底30的填充层14(热塑树脂膜34)，碳纳米管12与衬底30之间的连接变弱，并且碳纳米管12和填充层14可以容易地从衬底30上剥离。
当制作图1B所示的碳纳米管片时，使用厚度小于碳纳米管12的长度的热塑树脂膜34，并且热塑树脂膜34渗透到直至露出碳纳米管12的上端。
如上所述，根据本实施例，热塑树脂用作支撑碳纳米管的填充层的材料，由此可以容易地形成具有可以回流的填充层并且具有较小的接触热阻的碳纳米管片。通过加热处理温度和加热处理时间段的控制可以容易地控制填充材料的渗透量。因此，可以容易地露出碳纳米管的端部。此外，可以容易地从衬底上剥离碳纳米管片。
[第二实施例]
参照图4至图8描述根据第二实施例的碳纳米管片和该碳纳米管片的制造方法。本实施例中与图1A至图3C中示出的根据第一实施例的碳纳米管片和该碳纳米管片的制造方法中的构件相同的构件以相同的附图标记表示，并且不再赘述或简化对它们的描述。
图4为示出了根据本实施例的碳纳米管片的结构的示意性剖视图。图5A-图5C为示出了根据本实施例的碳纳米管片的制造方法的剖视图。图6-图8为示出了根据本实施例的碳纳米管片的制造方法的剖视图。
首先，参照图4描述根据本实施例的碳纳米管片的结构。
如图4所示，除了本实施例中在碳纳米管12的一端形成有涂膜16之外，根据本实施例的碳纳米管片10与根据图1所示的第一实施例的碳纳米管片10相同。
形成涂膜16的材料无需进行特别地限制，只要形成涂膜16的材料的导热性比填充层14的构成材料的导热性更高即可。对于用于导电应用的碳纳米管片10而言，可以使用例如金属、合金等的导电材料。而对于涂膜16的构成材料而言，例如可以使用铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)等。涂膜16并不必需具有单一层的结构，而是可以具有两层或三层或更多层的多层结构，例如可以为钛(Ti)和金(Au)等的层结构。
涂膜16的厚度无需进行特别地限制，只要涂膜不干涉制造工艺中热塑树脂膜34的渗透即可。优选地，可以根据热塑树脂膜34的渗透性、碳纳米管片10的所需特性、涂膜16的构成材料等适当地确定涂膜16的膜厚度。
设置高导热性的涂膜16，由此与不设置涂膜16的情形相比可以增加碳纳米管片10与安装体(散热器、发热体)的接触面积。这减小了碳纳米管12与安装体之间的接触热阻，并且可以增加碳纳米管片10的导热性。当碳纳米管片10用作导电片时，可以增加导电性。
在图4中，在图1A所示的碳纳米管片10的碳纳米管12的一端形成有涂膜16。此外也可以在碳纳米管12的另一端形成涂膜16。在图1B所示的碳纳米管片的碳纳米管12的一端或两端可以形成有涂膜16。
随后，参照图5A至图8描述根据本实施例的碳纳米管片的制造方法。
首先，例如以与图2A至图2C所示的根据第一实施例的碳纳米管片的制造方法相同的方式，在衬底30上生长碳纳米管12。
在图1A至图5C中，为简化图形以简单的柱形示出碳纳米管12，但是由于早期生长中的分散等，碳纳米管12并非始终生长为理想的柱形。碳纳米管12通常以膜厚度方向取向，但是如图6所示，碳纳米管12可以相对于衬底30的垂直方向倾斜，并且碳纳米管12的长度可以不同。
随后，通过例如蒸发法在碳纳米管12上沉积约300nm厚的Au(金)膜以形成Au的涂膜16(图5A)。还可以通过其它的成膜方法(例如溅射方法等)形成涂膜16，只要所述方法不损伤碳纳米管12即可。
无需对形成涂膜16的材料进行特别地限制，只要形成涂膜16的材料的导热性比填充层14的构成材料的导热性高即可。当碳纳米管片10用于导电时可以使用导电材料，例如金属、合金等。例如可以使用铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)等作为涂膜16的构成材料。涂膜16并非必须具有单一层的结构，而是可以具有两层或三层或更多层的多层结构，例如钛(Ti)和金(Au)等的层结构。
如图7例示，涂膜16形成为在生长的早期覆盖各个碳纳米管12的前端。随着生长的膜厚度的增加，形成在彼此相邻的各个碳纳米管12前端的涂膜16连接起来。因此，如图8例示，涂膜16形成为捆束多个碳纳米管12的前端。随着涂膜16的生长的膜厚度的增加，涂膜16在与该碳纳米管片表面平行的二维方向上完全地连接起来，并且涂膜16成为没有间隙的整体膜。
优选地，考虑到用于形成填充层14的热塑树脂膜34的渗透性等，对应于碳纳米管12的直径和密度适当地设定涂膜16的膜厚度。
例如，当碳纳米管12的直径为10nm，表面密度为1×1011cm-2时，彼此相邻的碳纳米管12之间的间隙约为50nm。在这种情况下，为了通过涂膜16连接彼此相邻的碳纳米管12，形成的涂膜16的膜厚度至少超过间隙的一半或更多，即，涂膜的膜厚度优选形成为约25nm或更大。当涂膜16太厚时，涂膜成为没有间隙的理想的膜，但这样降低了热塑树脂膜34的渗透性。优选地，根据热塑树脂膜34的渗透性设定涂膜16的膜厚度的上限。鉴于此，对于上述情况的碳纳米管12，涂膜16的膜厚度优选设定为约25-1000nm。
随后，以例如与图3A和图3B所示的根据第一实施例的碳纳米管片的制造方法相同的方式，热塑树脂膜34渗透至碳纳米管12的间隙中并且形成填充层14(图5B)。
涂膜16的膜厚度无需形成为足以连接彼此相邻的碳纳米管12，但是需要具有捆束多个碳纳米管12的效果(参见图8)。因此，当热塑树脂膜34渗透到碳纳米管12之间的间隙时，可防止碳纳米管12彼此分离。而且，使热能够横向传导。
随后，将碳纳米管12、涂膜16和填充层14从衬底30上剥离，并获得根据本实施例的碳纳米管片(图5C)。
随后，根据需要在碳纳米管12的已经从衬底30上剥离的端部形成与涂膜16相同的涂膜(未示出)。
如上所述，根据本实施例，热塑树脂用作支撑碳纳米管的填充层的材料，由此可以容易地形成具有可以回流的填充层以及具有较小的接触热阻的碳纳米管片。通过加热处理温度和加热处理时间段的控制可以容易地控制填充材料的渗透量。因此，可以容易地露出碳纳米管的端部。此外，可以从衬底上容易地剥离该碳纳米管片。由导热性比填充层的导热性高的材料构成的涂膜形成在碳纳米管的端部，由此可以大幅降低与安装体之间的接触热阻。
[第三实施例]
参照图9A至图14描述根据第三实施例的碳纳米管片和该碳纳米管片的制造方法。本实施例中与图1A至图8中示出的根据第一实施例和第二实施例的碳纳米管片以及该碳纳米管片的制造方法中的构件相同的构件以相同的附图标记表示，并且不再赘述或简化对它们的描述。
图9A和图9B为示出了根据本实施例的碳纳米管片的结构的立体图。图10A-图13为示出了根据本实施例碳纳米管片的制造方法的立体图。图14为示出了根据本实施例的另一示例的碳纳米管片的制造方法的立体图。
首先，参照图9A和图9B描述根据本实施例的碳纳米管片的结构。图9A示出了根据本实施例的碳纳米管片的第一示例，且图9B示出了根据本实施例的碳纳米管片的第二示例。
如图9A和图9B所示，根据本实施例的碳纳米管片10与根据第一实施例和第二实施例的碳纳米管片的相同之处在于，多个碳纳米管12相互之间间隔开，并且热塑树脂的填充层14埋置在所述间隙中。
根据本实施例的碳纳米管片10包括多个碳纳米管12a和多个碳纳米管12b。多个碳纳米管12a的位于碳纳米管片10的一侧表面(如附图所示的上表面)上的端部具有涂膜16a。另一方面，多个碳纳米管12b的位于碳纳米管片10的另一侧表面(如附图所示的下表面)上的端部具有涂膜16b。
图9A所示的第一示例的碳纳米管片10与图9B所示的第二示例的碳纳米管片10彼此的不同之处在于涂膜16a、16b的厚度。也就是说，在图9A所示的第一示例的碳纳米管片10中，如参照图7描述过的，涂膜16a、16b形成为分别覆盖碳纳米管12a的端部和碳纳米管12b的端部。在图9B所示的第二示例的碳纳米管片10中，如参照图8描述过的，涂膜16a、16b形成为分别捆束多个碳纳米管12a的端部和多个碳纳米管12b的端部。
填充材料14和涂膜16的构成材料与根据第一实施例或第二实施例的碳纳米管片的填充材料14和涂膜16的构成材料相同。
随后，参照图10A至图13描述根据本实施例的碳纳米管片的制造方法。在此将描述图9B所示的第二示例的碳纳米管片的制造方法，但是除了涂膜16的厚度不同之外，图9A所示的第一示例的碳纳米管片的制造方法与第二示例的碳纳米管片的制造方法相同。
首先，以例如与图2A至图2C所示的根据第一实施例的碳纳米管片的制造方法相同的方式，在衬底30a上生长多个碳纳米管12a(图10A)。
随后，以例如与图5A所示的根据第二实施例的碳纳米管片的制造方法相同的方式，在碳纳米管12a上形成有涂膜16a(图10B)。
随后，以例如与图5B所示的根据第二实施例的碳纳米管片的制造方法相同的方式，热塑树脂膜34渗透在碳纳米管12a之间以形成热塑树脂材料的填充层14a(图11A)。在图11A中，热塑树脂膜34(填充层14)向下渗透至衬底30，但是如第一实施例和第二实施例所述，其可以渗透至热塑树脂膜34并未到达衬底30a的程度。
随后，从衬底30a上剥离填充层14a和形成有涂膜16a的碳纳米管12a，并且形成碳纳米管片10a(图11B)。碳纳米管片10a与根据第二实施例的碳纳米管片10相同。
通过上述工序，除了碳纳米管片10a之外，还需制备包括埋置在填料层14b中的碳纳米管12b的碳纳米管片10b，所述碳纳米管12b上形成有涂膜16b。
随后，碳纳米管片10a和碳纳米管片10b的未形成有涂膜16a、16b的表面相互叠置(图12)。
随后，在载荷下加热碳纳米管片10a和碳纳米管片10b的层体。例如，当使用Henkel日本株式会社的“Micromelt 6239”作为形成填充层14a、14b的热塑树脂时，在10N/cm2的压力下以195℃加热该层体。因此，填充层14a、14b熔化且液化以成一体，碳纳米管12a插入碳纳米管12b之间的间隙中并且碳纳米管12b插入碳纳米管12a之间的间隙中。
随后，将层体冷却至室温以固化填充层14a、14b(以下称为填充层14)。
由此，形成具有埋置在填充层14中的碳纳米管12a和碳纳米管12b的碳纳米管片10，其中在碳纳米管12a上形成有涂膜16a，在碳纳米管12b上形成有涂膜16b(图13)。
碳纳米管12a、12b的表面密度根据碳纳米管的生长条件而改变。例如，即使当碳纳米管12的表面密度形成为约1×1012cm-2时，通过根据本实施例的碳纳米管片的制造方法仍然可以使碳纳米管12的表面密度加倍。因此，可以大幅提高碳纳米管片的导热性和散热效率。
通过叠置更多的碳纳米管片，可以进一步增加碳纳米管的表面密度。
例如，如图14所示，在上述的碳纳米管片10a、10b之间，可以夹置具有埋置在填充层14c中的碳纳米管12c的碳纳米管片10c、和具有埋置在填充层14d中的碳纳米管12d的碳纳米管片10d。因此，可以使碳纳米管的表面密度增加四倍。可以对应于所需的导热性和散热效率适当地设定待叠置的碳纳米管片的数目。
当叠置三个或更多个碳纳米管片时，所有的这些碳纳米管片无需即刻一体化。例如，在图14的示例中，可将碳纳米管片10a和碳纳米管片10c一体化，以及将碳纳米管片10b和碳纳米管片10d一体化，随后再一体化上述两个被一体化的碳纳米管片。或者，可以使碳纳米管片10a和碳纳米管片10c一体化，接着使碳纳米管片10d与上述被一体化的两个片一体化，再使碳纳米管片10b与上述被一体化的三个片一体化。
碳纳米管片10c、10d的端部可以不具有涂膜，以便于使碳纳米管12c、12d插入到其他片的碳纳米管之间的间隙中。例如可以通过与根据第一实施例的碳纳米管片的制造方法相同的工序来制造碳纳米管片10c、10d。
如上所述，根据本实施例，具有支撑碳纳米管且由热塑树脂形成的填充层的多个碳纳米管片相互叠置，并且通过热处理被一体化，由此可以大幅提高碳纳米管的表面密度。从而可以大幅提高该碳纳米管片的导热性。
[第四实施例]
参照图15A至图19描述根据第四实施例的碳纳米管片和该碳纳米管片的制造方法。本实施例中的与根据图1A至图14中示出的第一实施例至第三实施例的碳纳米管片以及该碳纳米管片的制造方法中的构件相同的构件以相同的附图标记表示，并且不再赘述或简化对它们的描述。
图15A和图15B为示出了根据本实施例的碳纳米管片的结构的立体图。图16A-16B、图17A-17B、图18A-18B和图19为示出了根据本实施例的碳纳米管片的制造方法的立体图。
首先，参照图15A和图15B描述根据本实施例的碳纳米管片的结构。图15A示出了根据本实施例的碳纳米管片的第一示例，且图15B示出了根据本实施例的碳纳米管片的第二示例。
如图15A和图15B所示，根据本实施例的碳纳米管片10与根据第一实施例至第三实施例的碳纳米管片的相同之处在于，多个碳纳米管12相互间隔开，并且热塑树脂的填充层14埋置在所述间隙中。
在根据本实施例的碳纳米管片10中，填充层14由填充层14A、14B和14C的层体形成。在碳纳米管12的两端形成有涂膜16。
填充层14A、14C由与形成根据第一实施例至第三实施例的碳纳米管片的填充层14的热塑树脂相同的热塑树脂形成。涂膜16的构成材料与根据第一实施例至第三实施例的碳纳米管片的涂膜16的构成材料相同。
无需对填充层14B的材料进行特别地限制，只要该材料在埋置碳纳米管12时具有液态特性即可。例如，可以将丙烯树脂、环氧树脂、硅酮树脂、聚酰亚胺树脂等用作有机填充材料。可以使用例如SOG(旋涂玻璃)的旋制绝缘膜的成分作为无机填充材料。也可以使用金属材料，例如铟、焊料、金属印膏(例如银膏)等。还可以使用导电聚合物，例如聚苯胺、聚烯烃等。
可以在填充层14B中根据需要混合分散添加剂。例如可以考虑高导热性的物质和高导电性的物质作为添加剂。高导热性的添加剂混合分散在填充层14B部分，由此可以提高填充层14B部分的导热性，并且可以整体提高碳纳米管片10的导热性。当碳纳米管片用作导电片时，高导电性的添加剂混合分散在填充层14B部分中，由此可以整体提高碳纳米管片10的导电性。碳纳米管、金属材料、氮化铝、硅、氧化铝、石墨、富勒烯等可以用作高导热性的材料。碳纳米管、金属材料等可以用作高导电性的材料。
填充层14由高导热性材料形成，由此可以整体提高该片的导热性。然而，热塑树脂的导热性通常至多为0.1W/m·K，并且由热塑树脂形成的整个填充层14对于热传导基本上没有帮助。考虑到在操作中的粘附和界面耐热性，由一些高导热性材料(例如导电聚合物)取代热塑树脂来形成填充层14B，并且由热塑树脂形成填充层14A、14C，由此可以整体提高该碳纳米管片的导热性。
图15A所示的第一示例的碳纳米管片与图15B所示的第二示例的碳纳米管片10彼此的不同之处在于涂膜16的厚度。也就是说，在图15A所示的第一示例的碳纳米管片10中，如参照图7所描述过的，涂膜16形成为覆盖各个碳纳米管12的前端。在图15B所示的第二示例的碳纳米管片10中，如参照图8描述过的，涂膜16形成为捆束多个碳纳米管12的前端。
随后，参照图16A至图19描述根据本实施例的碳纳米管片的制造方法。在此将描述图15B所示的第二示例的碳纳米管片的制造方法，然而，除了涂膜16的厚度不同之外，图15A所示的第一示例的碳纳米管片的制造方法与第二示例的碳纳米管片的制造方法相同。
首先，以例如与图2A至图2C所示的根据第一实施例的碳纳米管片的制造方法相同的方式，在衬底30上形成多个碳纳米管12(图16A)。
接下来，以例如与图5A所示的根据第二实施例的碳纳米管片的制造方法相同的方式，在碳纳米管12的一端上形成有涂膜16(图16B)。
接下来，除了衬底30之外，准备另一衬底40。
随后，通过例如旋涂法将例如6μm厚的光刻胶膜涂覆至衬底40。无需对衬底40进行特别地限制，但是衬底可以为例如蓝宝石衬底等。可以形成由能对填充层14B选择性蚀刻的其他材料构成的膜来代替光刻胶膜42。
随后，在衬底40的已经涂覆光刻胶膜42的表面上，衬底30与碳纳米管12的表面安装在一起，涂膜16形成于碳纳米管12的与衬底30相对的表面，并固化光刻胶膜42。由此，由涂膜16覆盖的碳纳米管12的端部被光刻胶膜42覆盖。
随后，从碳纳米管12上剥离衬底30。因此，形成有涂膜16的碳纳米管12转移至衬底40(图17A)。
随后，以例如与图5A所示的根据第二实施例的碳纳米管片的制造方法相同的方式，在碳纳米管12的另一端上形成有涂膜16(图17B)。
随后，通过例如旋涂法涂覆待成为填充层14B的填充材料。此时，涂覆溶液的粘度和旋涂机的旋转次数需适当地设定，以使得涂膜16上的填充材料的厚度至多为数十纳米。
无需特别地限制待成为填充层14B的填充材料，只要可以随后固化填充材料即可。例如，可以将丙烯酸树脂、环氧树脂、硅酮树脂、聚酰亚胺树脂等用作有机填充材料，可以使用例如SOG(旋涂玻璃)的旋制绝缘膜的成分作为无机填充材料。也可以使用金属材料，例如铟、焊料、金属印膏(例如银膏)等。还可以使用导电聚合物，例如聚苯胺、聚烯烃等。这里使用硅基树脂用作待成为填充层14B的填充材料。
随后，通过热处理、UV射线等固化填充材料，并且形成填充层14B(图18A)。
随后，通过例如有机溶剂选择性除去光刻胶膜42，以从衬底40上剥离埋在填充层14B中并且在端部形成有涂膜16的碳纳米管12(图18B)。此时，碳纳米管12的已被光刻胶膜42覆盖的一端不会被填充层14B覆盖。
随后，以例如与图5B所示的根据第二实施例的碳纳米管片的制造方法相同的方式，在填充层14B的两个表面上形成热塑树脂材料的填充层14A、14C。
由此形成了根据本实施例的碳纳米管片10，该碳纳米管片10的形成有涂膜16的碳纳米管12埋置在填充层14A、14B、14C的层体构成的填充层14中(图19)。
如上所述，根据本实施例，热塑树脂层设置在支撑碳纳米管的填充层的表面上，由此可以制造与安装体的接触热阻较小的碳纳米管片。
[第五实施例]
参照图20至图22B描述根据第五实施例的电子器件和该电子器件的制造方法。本实施例中与图1A至图19中示出的根据第一实施例至第四实施例的碳纳米管片以及所述碳纳米管片的制造方法中相同的构件以相同的附图标记表示，并且不再赘述或简化对它们的描述。
图20为示出了根据本实施例的电子器件的结构的示意性剖视图。图21A-图21D为示出了根据本实施例的电子器件的制造方法的剖视图。图22A和图22B为示出了根据第五实施例的电子部件的结构的示意性剖视图。
在本实施例中，对将根据第一至第四实施例的碳纳米管片用作导热片的电子器件以及所述电子器件的制造方法进行描述。
首先，参照图20描述根据本实施例的电子器件的结构。
在例如多层级互连衬底等的电路衬底50上安装有例如CPU等的半导体元件54。半导体元件54通过例如焊料凸点等的凸出电极52电连接至电路衬底50上。
在半导体元件54上，用于散发来自半导体元件54的热的散热器58形成为覆盖半导体元件54。在半导体元件54与散热器58之间形成根据第一实施例至第四实施例中的任一实施例的碳纳米管片56。散热器58通过例如有机密封剂60粘附至电路衬底50上。
因此，在根据本实施例的电子器件中，根据第一实施例至第四实施例的碳纳米管片设置在半导体元件54与散热器58之间，即设置在发热体与散热器之间。
如上所述，根据第一至第四实施例的碳纳米管片具有沿该碳纳米管片的厚度方向取向的碳纳米管12，并且垂直于平面的导热性很高。根据第二实施例至第四实施例的碳纳米管片具有位于碳纳米管12的一端或两端的涂膜16，由此可以大幅地降低接触热阻。
因此，所述碳纳米管片用作形成于半导体元件54与散热器58之间的导热片，由此由半导体元件54产生的热可以垂直地有效传递至散热器58，并且可以提高散热效率。由此可以提高电子器件的可靠性。
碳纳米管片56具有支撑碳纳米管12的、由热塑树脂材料形成的填充层的表面。因此，可以提高碳纳米管片56与半导体元件54和散热器58的粘附性，并且可以提高碳纳米管片56的导热性。
随后，参照图21A-图21D描述根据本实施例的电子器件的制造方法。
半导体元件54通过凸出电极52安装在电路衬底50上(图21A)。在本实施例的附图中，为了使根据本实施例的电子器件的效果可以理解，强调了半导体元件54的表面和散热器58的表面的彼此相对的凹凸部分。
随后，在安装于电路衬底50上的半导体元件54上安装有根据第一实施例至第四实施例中的任一实施例所述的碳纳米管片56(图21B)。在本实施例的附图中，使用根据第一实施例的碳纳米管片，但是也可以使用根据第二至第四实施例的碳纳米管片。
随后，用于固定散热器58的有机密封剂60涂覆至电路衬底50上，并且散热器58安装在安装有碳纳米管片56的半导体元件54上(图21C)。
随后，在对散热器58施加载荷的情况下，对散热器进行加热处理以使碳纳米管片56回流。对于具有由Henkel日本株式会社的“Micromelt 6239”等构成的填充层14的碳纳米管片56而言，可以在0.25MPa载荷下以195℃进行加热处理10分钟。
加热处理使形成碳纳米管片56的热塑树脂熔化并液化，以使碳纳米管片56沿半导体元件和散热器58的表面中的凹凸部分变形。填充层14很少限制碳纳米管片54中的碳纳米管12，并且碳纳米管12的端部与半导体元件54和散热器58直接接触。此时，弹性且柔软材料的碳纳米管12可以根据半导体元件54和散热器58中的凹凸部分弯曲。因此，更多的碳纳米管12与半导体元件54和散热器58直接接触，由此可以大幅降低碳纳米管片56与半导体元件54和散热器58之间的接触热阻。
此时载荷可以处于下述载荷范围中，即，使得碳纳米管片56沿着存在于半导体元件54和散热器58的表面中的凹凸部分变形，以与它们充分接触。加热处理的温度和时间段可以在下述范围中选择，即，使得存在于半导体元件54与散热器58之间的界面中的热塑树脂熔化且流动，以形成这样的表面状态，即，使得碳纳米管12的端部与半导体元件54和散热器58直接接触。
随后，将电子器件冷却至室温，以在通过有机密封剂60将散热器58固定至电路衬底50的同时固化填充层14的热塑树脂。此时，热塑树脂具有粘性并且可以通过碳纳米管片56将半导体元件54和散热器58彼此牢固地粘附。因此，即使在电子器件已经冷却至室温之后，仍然可以保持碳纳米管片56与半导体元件54和散热器58之间的较低的接触热阻。
一旦固化填充层14，具有由不同于热塑树脂的材料形成的填充层14的碳纳米管片不具有粘附性，并且碳纳米管片与半导体元件54和散热器仅通过压接触被粘附。即使当半导体元件54和散热器58压接触时，碳纳米管12的端部也不能与半导体元件54和散热器58直接接触。一种办法是预先露出碳纳米管12的端部，但是很难在充分确保碳纳米管12与填充层14之间的选择性的同时单独蚀刻填充层14。因此，不能充分降低半导体元件54与散热器58之间的接触热阻。
在上述示例中，碳纳米管片56和散热器58制备为独立的电子部件，但是也可以在散热器58的内表面中预先形成碳纳米管片56。在这种情况下，如图22A例示的，形成有填充层14的碳纳米管片56的表面可以粘附至散热器58的内表面。或者，如图22B例示的，碳纳米管片56的露出碳纳米管12的表面可以粘附至散热器58的内表面。
图22A中例示的电子部件可通过下述步骤来制造，即，独立地制造碳纳米管片56和散热器58、随后在散热器58的内表面上安装碳纳米管片56、在根据需要施加载荷的情况下进行加热处理以粘附碳纳米管片56。对于碳纳米管片56而言，图22A的电子部件不仅可采用根据第一或第二实施例的碳纳米管片，而且可采用根据第三和第四实施例的碳纳米管片。
通过将散热器58用作衬底30，以例如与根据第一或第二实施例的碳纳米管片的制造方法相同的方式来制造图22B中的电子部件。
如上所述，根据本实施例，根据第一至第四实施例的碳纳米管片设置在半导体元件与散热器之间，由此可以大幅提高它们之间的导热性。因此，可以提高由半导体元件产生的热的散热效率，并且可以提高电子器件的可靠性。
[第六实施例]
参照图23至图24B描述根据第六实施例的电子器件和所述电子器件的制造方法。图1A至图19中示出的根据第一实施例至第四实施例的碳纳米管片和所述碳纳米管片的制造方法，以及图20至图22B所示的根据第五实施例的电子器件和该电子器件的制造方法以相同的附图标记表示，并且不再赘述或简化对它们的描述。
图23为示出了根据本实施例的电子器件的结构的示意性剖视图。图24A-图24B为示出了根据本实施例的电子器件的制造方法的剖视图。
首先，参照图23描述根据本实施例的电子器件的结构。
如图23所示，根据本实施例的电子器件对应于根据第五实施例的电子器件，该电子器件具有设置在半导体元件54与散热器58之间的根据第三实施例的碳纳米管片56。
随后，参照图24A和24B描述根据本实施例的电子器件的制造方法。
首先，以例如与图10A至图11B所示的根据第三实施例的碳纳米管片的制造方法相同的方式，制备具有碳纳米管12a的碳纳米管片10a和具有碳纳米管12b的碳纳米管片10b，该碳纳米管12a上形成有涂膜16a且该碳纳米管12a埋置在填充层14a中，该碳纳米管12b上形成有涂膜16b且该碳纳米管12b埋置在填充层14b中。
随后，以例如与图21A所示的根据第五实施例的电子器件的制造方法相同的方式，在具有凸出电极52的电路衬底50上安装半导体元件54。
随后，碳纳米管片10b粘附至半导体元件54的上表面。碳纳米管片10a粘附至散热器58的内表面。通过将碳纳米管片10a、10b安装在半导体元件54和热扩散器58上并随后根据需要在载荷下进行加热处理，将碳纳米管片10a、10b粘附至半导体元件54和散热器58上。
随后，用于固定散热器58的有机密封剂60涂覆至电路衬底30，并且随后粘附有碳纳米管片10a的散热器58安装在粘附碳纳米管片10b的半导体元件54上(图24A)。
随后，以例如与图12和图13所示的根据第三实施例的碳纳米管片的制造方法相同的方式，在载荷下对散热器58进行加热处理。因此，填充层14a、14b熔化且液化，并成为一体，并且碳纳米管12a和碳纳米管12b相互插入到碳纳米管12b之间的间隙中和碳纳米管12a之间的间隙中。因此，在半导体元件54与散热器58之间形成有根据第三实施例的碳纳米管片56。
碳纳米管片56形成的同时碳纳米管片56在半导体元件54和散热器58中根据半导体元件54和散热器58的表面中的凹凸部分变形。而且，填充层14很少限制碳纳米管片56中的碳纳米管12a、12b，并且碳纳米管12a、12b的端部与半导体元件54和散热器58直接接触(这与形成涂膜16a、16b的情况相同)。因此，可以大幅降低碳纳米管片56与半导体元件54和散热器58之间的接触热阻。
此时载荷可以处于这样的载荷范围内，即，使碳纳米管片10a、10b一体化，并且碳纳米管片56沿存在于半导体元件54和散热器58的表面中的凹凸部分变形，以形成充分的接触。加热处理的温度和时间段在下述范围中选择，即，使得存在于半导体元件54与散热器58之间的界面中的热塑树脂熔化且流动，以使碳纳米管12的端部与半导体元件54和散热器58直接接触。
随后，电子器件冷却至室温以固化填充层14的热塑树脂并通过有机密封剂60将散热器58固定至电路衬底50。此时，热塑树脂具有粘性以由此通过碳纳米管片56将半导体元件54和散热器58彼此牢固地粘附。因此，即使在冷却至室温之后，仍然可以保持碳纳米管片56与半导体元件54和散热器58之间的较低的接触热阻。
如上所述，根据本实施例，根据第三实施例的碳纳米管片设置在半导体元件与热扩散器之间，由此可以大幅提高它们之间的导热性。因此，可以增加由半导体元件产生的热的散热效率，并且可以提高电子器件的可靠性。
[第七实施例]
参照图25描述根据第七实施例的电子器件。
图25为示出了根据本实施例的电子器件的结构的立体图。
在本实施例中，对使用根据第一至第四实施例的碳纳米管片作为导热片(并且也用作导电片)的电子器件进行描述。
如图25所示，用于例如无线通信基站中的HPA(高功率放大器)120内置于封装件122中并且接合至封装件122后表面上的散热片124上。由HPA 120产生的热通过封装件122的后表面散发至散热片124。封装件122也用作接地(地面)并且必须电连接至散热片124。为此目的，良好的电导体和热导体优选用于封装件122与散热片124之间的连接。
如在第一至第四实施例中所描述的，根据第一至第四实施例的碳纳米管片使得碳纳米管12或其上形成有涂膜16的碳纳米管12可以与发热体或散热器直接接触。也就是说，根据第一至第四实施例的碳纳米管片不仅可以用作散热片，还可以用作导电片。
因此，如图25所示，根据第一至第四实施例中的任一实施例的碳纳米管片126用于封装件122与散热片124之间的接合，由此封装件122和散热片124可以彼此电连接。由HPA 120产生的热可以有效地传递至散热片124，由此可以提高散热效率。从而可以大幅提高电子器件的可靠性。
可以例如与根据第五或第六实施例的电子器件的制造方法相同的方式制造根据本实施例的电子器件。
如上所述，根据本实施例，根据第一至第四实施例的碳纳米管片设置在HPA的封装件与散热片之间，由此可以大幅提高它们之间的导热性。因此，可以提高由HPA产生的热的散热效率。由此可以提高电子器件的可靠性。HPA和用作接地的散热片可以彼此电连接。
[变型实施例]
上述实施例可以涵盖其它多种变型。
例如，在上述实施例中，通过使用碳纳米管的碳纳米管片示例了使用碳原子的线性结构的片状结构，但是使用碳原子线性结构的片状结构不限于此。作为碳原子的线性结构，除了碳纳米管之外，还可以列举出碳纳米线、碳棒和碳纤维。除了与碳纳米管尺寸不同之外，这些线性结构与碳纳米管均相同。所述实施例可适用于使用这些线性结构的片状结构。
在上述实施例中描述的构成材料和制作条件并非必要的，而是可以根据目的等适当地变化。
碳纳米管片的应用不限于在上述实施例中所描述的。所描述的碳纳米管片可作为导热片适用于例如CPU、无线通信基站的高功率放大器、用于无线通信终端的高功率放大器、用于电动机的高功率开关、服务器、个人电脑等的散热片。通过利用碳纳米管的高容许电流密度特性，碳纳米管片可以适用于竖直的互连片和使用竖直的互连片的各种应用场合。
在此处叙述的所有示例和条件语句旨在教示的目的，以帮助读者理解本发明和发明人提出的观点从而改进现有技术，并且意在解释为不对这些特别描述的示例和条件进行限制，而且本说明书中这些示例的组合也不涉及表明本发明的优劣。尽管已经详细描述了本发明的实施例，应该理解的是在不脱离本发明的精神和保护范围的情况下可以对本发明进行多种改变、替换和变型。

Claims (20)

1.一种散热材料，包括：
多个碳原子的线性结构；以及
由热塑树脂形成的填充层，所述填充层设置在所述多个线性结构之间。
2.根据权利要求1所述的散热材料，还包括：
涂膜，其形成于所述多个线性结构的至少一端并且由导热性比所述热塑树脂的导热性更高的材料形成。
3.根据权利要求1或2所述的散热材料，其中
所述热塑树脂根据温度在液态与固态之间进行状态改变。
4.根据权利要求3所述的散热材料，其中
当所述热塑树脂的状态从液态改变至固态时具有粘性。
5.根据权利要求1或2所述的散热材料，其中
所述填充层包括：由所述热塑树脂形成的第一层，设置在所述第一层上且由不同于所述热塑树脂的材料形成的第二层，以及设置在所述第二层上且由热塑层形成的第三层。
6.根据权利要求1或2所述的散热材料，其中
所述多个线性结构沿所述填充层的膜厚度方向取向。
7.根据权利要求1或2所述的散热材料，其中
所述多个线性结构的至少一端从所述填充层露出。
8.一种电子器件，包括：
发热体；
散热器；以及
散热材料，设置在所述发热体与所述散热器之间，并包括多个碳原子的线性结构和由热塑树脂形成的填充层，所述填充层设置在所述多个线性结构之间。
9.根据权利要求8所述的电子器件，其中
所述散热材料还包括涂膜，所述涂膜形成在所述多个线性结构的至少一端并且由导热性比所述热塑树脂的导热性更高的材料形成。
10.根据权利要求8或9所述的电子器件，其中
所述热塑树脂的熔点温度高于所述散热器的发热温度并且低于所述发热体和所述散热器的耐热温度。
11.根据权利要求8或9所述的电子器件，其中
所述多个线性结构沿所述填充层的膜厚度方向取向。
12.根据权利要求8或9所述的电子器件，其中
所述发热体和所述散热器通过所述热塑树脂粘附至所述散热材料上。
13.一种电子器件的制造方法，所述方法包括：
在发热体与散热器之间设置散热材料，所述散热材料包括多个碳原子的线性结构和由热塑树脂形成的填充层，所述填充层设置在所述多个线性结构之间；
加热所述散热材料以熔化所述热塑树脂；以及
冷却所述散热材料以固化所述热塑树脂。
14.根据权利要求13所述的电子器件的制造方法，其中
在熔化所述热塑树脂的过程中，通过以高于所述发热体的发热温度且低于所述发热体和所述散热器的耐热温度的温度加热所述散热材料，来熔化所述热塑树脂。
15.根据权利要求13或14所述的电子器件的制造方法，其中
所述热塑树脂为这样一种材料，即当所述材料的状态从液态改变至固态时所述材料具有粘性，并且当所述散热材料冷却时将所述散热材料粘附至所述发热体或所述散热器。
16.根据权利要求13或14所述的电子器件的制造方法，其中
所述在发热体与散热器之间设置散热材料的步骤包括：在所述散热器上生长多个线性结构，并且使所述热塑树脂渗透在所述多个线性结构之间以形成所述填充层。
17.根据权利要求13或14所述的电子器件的制造方法，其中
所述在发热体与散热器之间设置散热材料的过程中，在所述发热体与所述散热器之间设置多个所述散热材料，以及
在熔化所述热塑树脂的过程中，所述多个散热材料的多个线性结构相互插置到所述多个线性结构之间。
18.根据权利要求17所述的电子器件的制造方法，其中
将所述多个散热材料中的至少一个散热材料预先粘附至所述发热体或所述散热器。
19.根据权利要求13或14中任一项所述的电子器件的制造方法，其中
在熔化所述热塑树脂的过程中，以高于所述发热体的发热温度且低于所述发热体和所述散热器的耐热温度的温度熔化所述热塑树脂。
20.一种散热构件，包括：
散热器；以及
散热材料，形成于所述散热器上并且包括多个碳原子的线性结构和由热塑树脂形成的填充层，所述填充层设置在所述多个线性结构之间。
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