CN101740353A - 切割模片接合膜和生产半导体器件的方法 - Google Patents

切割模片接合膜和生产半导体器件的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101740353A
CN101740353A CN200910224844A CN200910224844A CN101740353A CN 101740353 A CN101740353 A CN 101740353A CN 200910224844 A CN200910224844 A CN 200910224844A CN 200910224844 A CN200910224844 A CN 200910224844A CN 101740353 A CN101740353 A CN 101740353A
Authority
CN
China
Prior art keywords
active energy
adhesive layer
energy ray
sensitive adhesive
ray curable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200910224844A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101740353B (zh
Inventor
神谷克彦
大竹宏尚
松村健
村田修平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN101740353A publication Critical patent/CN101740353A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101740353B publication Critical patent/CN101740353B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B23/00—Layered products comprising a layer of cellulosic plastic substances, i.e. substances obtained by chemical modification of cellulose, e.g. cellulose ethers, cellulose esters, viscose
    • B32B23/04—Layered products comprising a layer of cellulosic plastic substances, i.e. substances obtained by chemical modification of cellulose, e.g. cellulose ethers, cellulose esters, viscose comprising such cellulosic plastic substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B25/00—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber
    • B32B25/12—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber comprising natural rubber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B25/00—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber
    • B32B25/14—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber comprising synthetic rubber copolymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B32B27/20—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using fillers, pigments, thixotroping agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B32B27/22—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using plasticisers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/281—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/285—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyethers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/286—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polysulphones; polysulfides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/34—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyamides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B32B27/365—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters comprising polycarbonates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/38—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/40—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyurethanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B29/00—Layered products comprising a layer of paper or cardboard
    • B32B29/002—Layered products comprising a layer of paper or cardboard as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
    • B32B3/08—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions characterised by added members at particular parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
    • B32B5/18—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by features of a layer of foamed material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/20—Inorganic coating
    • B32B2255/205—Metallic coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/21—Anti-static
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
    • B32B2307/306—Resistant to heat
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
    • B32B2307/306—Resistant to heat
    • B32B2307/3065—Flame resistant or retardant, fire resistant or retardant
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/514—Oriented
    • B32B2307/516—Oriented mono-axially
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/514—Oriented
    • B32B2307/518—Oriented bi-axially
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/54—Yield strength; Tensile strength
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2743—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in solid form
    • H01L2224/27436—Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01016—Sulfur [S]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01041—Niobium [Nb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
    • Y10T428/249971—Preformed hollow element-containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
    • Y10T428/249982—With component specified as adhesive or bonding agent
    • Y10T428/249984—Adhesive or bonding component contains voids

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

本发明涉及切割模片接合膜和生产半导体器件的方法。本发明涉及切割模片接合膜，其包括：具有设置于基材上的压敏粘合剂层的切割膜；和设置于所述压敏粘合剂层上的模片接合膜，其中所述切割膜的压敏粘合剂层为包含发泡剂的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层，和其中所述模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。另外，本发明提供一种用于生产半导体器件的方法，其包括使用上述切割模片接合膜。

Description

切割模片接合膜和生产半导体器件的方法
技术领域
本发明涉及切割模片接合膜，其用于在切割前，通过将用于固定芯片形工件(如半导体芯片)和电极构件的粘结剂设置在工件(如半导体晶片)上来切割所述工件。
背景技术
根据需要，通过背面研磨调节其厚度后，将形成电路图案的半导体晶片(工件)切割成半导体芯片(芯片形工件)(切割步骤)。在切割步骤中，半导体晶片通常用适度的液压(通常，约2kg/cm2)洗涤，以除去切断层(cut layer)。然后，将半导体芯片用粘结剂固定在被粘物如引线框上(安装步骤)，然后转移至接合步骤。在常规安装步骤中，已经将粘结剂施涂至引线框或半导体芯片上。然而，在该方法中，难以使得粘结剂层均匀，并且需要特殊设备和长时间来施涂粘结剂。为此原因，已经提出了切割模片接合膜，其在切割步骤中粘结保持半导体晶片，并且还赋予在安装步骤中必要的固定芯片用粘结剂层(例如，参见JP-A-60-57642)。
在JP-A-60-57642中描述的切割模片接合膜中，粘结剂层在支撑基材上形成，以使得能够将粘结剂层从支撑基材上剥离。即，制造切割模片接合膜，以使得将半导体晶片切割并通过粘结剂层保持后，通过拉伸支撑基材将各半导体芯片与粘结剂层一起剥离并单独回收，然后将其用粘结剂层固定在被粘物如引线框上。
对于该种切割模片接合膜的粘结剂层，期望以下：不发生切割失败和尺寸错误等的对半导体晶片的良好保持力，切割后半导体芯片能够与粘结剂层一体地从支撑基材上剥离的良好剥离性，以及剥离后没有粘结剂附着在半导体晶片和粘结剂层上的低污染性。然而，绝不容易良好均衡地显示这些特性。特别地，如在使用旋转圆形刮刀切割半导体晶片的方法中，在要求粘结剂层具有大保持力的情况下，难以获得满足上述特性的切割模片接合膜。
因此，为克服该问题，已经提出了多种改进方法(例如，参见JP-A-2-248064)。在JP-A-2-248064中，将可通过紫外线固化的压敏粘合剂层插入支撑基材和粘结剂层之间。在该方法中，切割后将压敏粘合剂层通过紫外线固化，以降低压敏粘合剂层与所述粘结剂层之间的粘合力，然后将所述两层彼此剥离，以促进半导体芯片的拾取。
然而，即使通过该改进的方法，有时也难以制备良好地平衡切割时的保持力与随后需要的剥离性的切割模片接合膜。例如，在获得具有10mm×10mm以上尺寸的大型半导体芯片的情况下，由于半导体芯片尺寸太大，不容易通过常规模片接合器拾取半导体芯片。
发明内容
考虑到上述问题作出本发明，其目的在于提供切割模片接合膜，其在即使切割薄工件时的保持力、在将通过切割获得的半导体芯片与模片接合膜一起一体地剥离时的剥离性和剥离后没有压敏粘合剂组分附着于半导体晶片和粘结剂层上的低污染性之间，平衡性优良。
为解决上述常规问题，本申请的发明人研究了切割模片接合膜。结果，已发现，当使用具有包含如下切割膜和模片接合膜形式的切割模片接合膜时，在用于保持薄工件以有效地切割所述工件的保持力、用于容易地将通过切割得到的半导体芯片与模片接合膜一起一体地剥离的剥离性和用于抑制或防止剥离后压敏粘合剂组分附着于半导体晶片和模片接合膜(粘结剂层)上的低污染性之间的平衡特性优异，其中所述切割膜的压敏粘合剂层由活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层构成，所述模片接合膜由环氧树脂组合物构成。如此，完成了本发明。
即，本发明涉及
切割模片接合膜，其包括：
具有设置于基材上的压敏粘合剂层的切割膜；和
设置于所述压敏粘合剂层上的模片接合膜，
其中所述切割膜的压敏粘合剂层为包含发泡剂的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层，和
其中所述模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。
如上所述，由于本发明切割模片接合膜中切割膜的压敏粘合剂层为活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层，所以切割模片接合膜具有热膨胀性和活性能量射线固化性。因此，由于热膨胀性能够实现剥离力的下降，如此使得剥离性良好并能够获得良好的拾取性。另外，由于活性能量射线固化性，能够改进低污染性。当然，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层具有压敏粘合性(保持力)，从而切割时可良好保持薄工件(半导体晶片)。另外，由于剥离后模片接合膜粘贴在半导体晶片上，在下一步骤中，可使用模片接合膜将半导体芯片粘合并固定于预定被粘物上，在所述下一步骤后，随后可通过有效地进行适当处理等生产半导体器件。
在本发明中，可适当地使用热膨胀性微球作为发泡剂。
另外，优选切割膜的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层由包含以下丙烯酸类聚合物A的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂形成，以及切割膜的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层通过活性能量射线照射固化后具有90重量％以上的凝胶分数。
丙烯酸类聚合物A：具有如下构成的丙烯酸类聚合物：由包含50重量％以上的由CH2＝CHCOOR(其中R为具有6至10个碳原子的烷基)表示的丙烯酸酯和10重量％至30重量％的含羟基单体且不包含含羧基单体的单体组合物构成的聚合物与基于含羟基单体以50mol％至95mol％的量具有自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物加成反应。
如上所述，在作为活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层基础聚合物的丙烯酸类聚合物A中，使用CH2＝CHCOOR(其中R为具有6至10个碳原子的烷基)作为单体组合物中的丙烯酸酯。因此，可防止因过大剥离力导致的拾取性下降。另外，除将含羟基单体的比例调节至10重量％至30重量％范围以外，还将具有自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物基于含羟基单体的比例调节为50mol％至95mol％的范围，并将通过活性能量射线照射固化后的凝胶分数控制为90重量％以上。从而，可有效地防止拾取性和低污染性的下降。
在本发明的切割模片接合膜中，优选切割膜的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层由以下活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂形成：包含能够形成在23℃至150℃温度范围内具有5×104Pa至1×106Pa弹性模量的活性能量射线固化型压敏粘合剂层的活性能量射线固化型压敏粘合剂和发泡剂；和优选模片接合膜在T0至T0+20℃温度范围内具有1×105Pa至1×1010Pa的弹性模量，其中T0表示切割膜的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的发泡起始温度。通过将切割膜的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的弹性模量(特别地，丙烯酸类聚合物A的弹性模量)控制在上述范围内，热膨胀性变得良好，并能够防止拾取性下降。此外，通过将模片接合膜的弹性模量控制在上述范围内，能够防止由热膨胀引起的模片接合膜与切割膜之间接触面积下降的抑制，如此可有效地降低切割膜与模片接合膜之间的接触面积。
另外，本发明提供用于生产半导体器件的方法，其包括使用上述切割模片接合膜。
本发明的切割模片接合膜在即使切割薄工件时的保持力，将通过切割得到的半导体芯片与模片接合膜一起一体地剥离时的剥离性，以及剥离后没有压敏粘合剂组分附着在半导体晶片和粘结剂层上的低污染性之间的平衡特性优异。另外，剥离后，由于模片接合膜粘贴在半导体芯片上，所述半导体芯片可在接下来的步骤中使用所述模片接合膜粘合并固定。
在切割工件时，可以以以下状态使用本发明的切割模片接合膜：预先将用于使芯片形工件如半导体芯片固定在电极构件上的粘结剂，设置在切割前的工件如半导体晶片上。通过使用本发明的切割模片接合膜，可以容易地生产其中将半导体芯片固定于电极构件上的半导体器件。
附图说明
图1为显示根据本发明一个实施方案的切割模片接合膜的横截面示意图。
图2为显示根据本发明另一个实施方案的切割模片接合膜约横截面示意图。
图3A-3E为显示其中半导体芯片通过模片接合膜安装在切割模片接合膜上的实例的横截面示意图。
附图标记说明
10，11 切割模片接合膜
1a     基材
1b     活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层
2      切割膜
3，31  模片接合膜
4      半导体晶片
5      半导体芯片
6      被粘物
7      接合导线(bonding wire)
8      密封树脂
9      垫片
具体实施方式
参考图1和2描述本发明的实施方案，但本发明不限于这些实施方案。图1为显示本发明切割模片接合膜一个实施方案的横截面示意图。图2为显示本发明切割模片接合膜另一个实施方案的横截面示意图。然而，没有给出对描述不必要的部分，以及为了容易描述，存在通过放大、缩小等显示的部分。
如图1所示，本发明的切割模片接合膜为具有如下构成的切割模片接合膜10：包含其中在基材1a上设置活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b的切割膜2，和在活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b上设置的模片接合膜3。此外，本发明的切割模片接合膜可以是具有如图2所示的如下构成的切割模片接合膜11：未在活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b的全部表面上，而仅在半导体晶片粘贴部分形成模片接合膜31。
(切割膜)
(基材)
基材具有活性能量射线透过性是重要的。基材为切割模片接合膜的强度基质。对基材没有特别限制，只要其具有活性能量射线透过性即可。其实例包括聚烯烃，如低密度聚乙烯、直链聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚物聚丙烯、嵌段共聚物聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯和聚甲基戊烯；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；离聚物树脂；乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物；乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规或交替)共聚物；乙烯-丁烯共聚物；乙烯-己烯共聚物；丙烯酸类树脂；聚氨酯；聚酯，如聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯；聚碳酸酯；聚酰亚胺；聚醚醚酮；聚醚酰亚胺；聚酰胺；全芳族聚酰胺(whole aromatic polyamides)；聚苯硫醚；芳族聚酰胺(纸)；玻璃；玻璃布；氟化树脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素树脂；硅酮树脂；金属(箔)；和纸。
另外，作为基材的材料，还可使用聚合物如上述各树脂的交联体。
可未拉伸地使用源自各所述树脂的塑料膜，或可根据需要在实施单轴或双轴拉伸处理后使用。根据通过拉伸处理等而被赋予热收缩性的树脂片，切割后通过基材的热收缩降低了活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层与模片接合膜之间的粘合面积，从而可有效地促进半导体芯片的收集。
作为基材，可使用由透明树脂形成的片、具有网状结构的片、在其上开孔的片等。
可在基材表面上实施常规使用的表面处理如化学或物理处理例如铬酸盐处理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高压电击和电离辐射处理，以及使用底漆剂(undercoating agent)(例如，稍后描述的粘性物质(tacky substance))的涂布处理，以改进与邻接层的粘合性、保持性等。
可适当地选择相同种类或不同种类的树脂，并用于形成基材，根据需要，可使用将多种树脂共混的共混树脂。此外，可在基材上设置由金属、合金及其氧化物等构成并具有厚度约30至500埃的导电性物质的气相沉积层，以赋予基材抗静电功能。基材可具有单层或者由两种或多种构成的多层的形式。
可适当地确定基材的厚度，而没有特别限制，然而，其通常为约5至200μm。
此外，在不损害本发明的优点等的范围内，基材可包含各种添加剂(着色剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等)。
(活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层)
活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层具有压敏粘合性以及活性能量射线固化性和热膨胀性，并可由活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂(组合物)形成。通过经由活性能量射线照射增大交联度，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂能够容易地降低其压敏粘合力。就此而言，在本发明中，通过使用活性能量射线照射仅对应于通过模片接合膜的半导体晶片粘贴部分的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层部分(图1中的1bA部分)，还可提供与其它部分(通过模片接合膜的半导体晶片未粘贴部分)(图1中的1bB部分)的压敏粘合力之差。
另外，通过照射图2所示粘贴模片接合膜31的部分，以预先固化活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b，能够容易地形成显著降低压敏粘合力的部分。在此情况下，由于模片接合膜31粘贴在已经通过固化降低压敏粘合力的部分上，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b的压敏粘合力降低部分(对应于图1中部分1bA的部分)与模片接合膜31之间的界面在拾取期间能够显示低污染和更易剥离(剥离性)的特性。另一方面，在活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b中，未用活性能量射线照射的部分(对应于图1中部分1bB的部分)具有足够的压敏粘合力。
如上所述，在图1所示的切割模片接合膜10的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b中，由未固化活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂形成的部分1bB粘结在模片接合膜3上，能够确保切割时的保持力。以此方式，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂能够支撑具有良好的粘附与剥离之间平衡的用于将半导体芯片固定在被粘物如基板上的模片接合膜3。在图2所示的切割模片接合膜11的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b中，对应于上述部分1bB的部分能够固定切割环。可使用由例如金属如不锈钢或树脂制成的切割环。
另外，通过向活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层施加预定的热处理，产生活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的形状变化，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层与模片接合膜之间的压敏粘合力显著下降，由此可将压敏粘合力降至几乎为零，并可赋予优异的拾取性。
作为用于形成活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂，可使用包含活性能量射线固化型压敏粘合剂和发泡剂的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂。在本发明中，作为活性能量射线固化型压敏粘合剂，可适当地使用包含以下丙烯酸类聚合物A的活性能量射线固化型压敏粘合剂。因此，作为活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂，可适当地使用包含以下丙烯酸类聚合物A的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂。
丙烯酸类聚合物A：具有以下构成的丙烯酸类聚合物：由包含50重量％以上的由CH2＝CHCOOR(其中，R为具有6至10个碳原子的烷基)表示的丙烯酸酯和10重量％至30重量％的含羟基单体且不包含含羧基单体的单体组合物组成的聚合物与基于所述含羟基单体以50mol％至95mol％的量具有自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物加成反应。
作为活性能量射线固化型压敏粘合剂(或活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂)，可适当地使用包含丙烯酸类聚合物作为基础聚合物的活性能量射线固化型压敏粘合剂(或活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂)。所述丙烯酸类聚合物的实例包括使用丙烯酸酯作为主要单体组分的那些。所述丙烯酸酯的实例包括丙烯酸烷基酯、具有芳香环的丙烯酸酯(丙烯酸芳基酯如丙烯酸苯酯等)和具有脂环烃基团的丙烯酸酯(丙烯酸环烷酯如丙烯酸环戊酯和丙烯酸环己酯、丙烯酸异冰片酯等)。丙烯酸烷基酯和丙烯酸环烷酯是合适的，特别地，可适合使用丙烯酸烷基酯。所述丙烯酸酯可单独使用，或可两种或多种组合使用。
丙烯酸烷基酯的实例包括具有包含1至30个碳原子的烷基的丙烯酸烷基酯(特别地，具有包含4至18个碳原子的烷基的丙烯酸烷基酯)，如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸仲丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸戊酯、丙烯酸异戊酯、丙烯酸己酯、丙烯酸庚酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸壬酯、丙烯酸异壬酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸异癸酯、丙烯酸十一烷酯、丙烯酸十二烷酯、丙烯酸十三烷酯、丙烯酸十四烷酯、丙烯酸十六烷酯、丙烯酸十八烷酯和丙烯酸二十烷酯。丙烯酸烷基酯可以为丙烯酸烷基酯的任意形式，如丙烯酸直链烷基酯或丙烯酸支链烷基酯。
如上所述，在以上示例的丙烯酸酯中，本发明中优选使用由化学式CH2＝CHCOOR(其中R为具有6至10个碳原子的烷基)表示的丙烯酸烷基酯(有时称作“丙烯酸C6-10烷基酯”)。当丙烯酸烷基酯的碳原子数小于6时，剥离力变得过大，存在拾取性下降的情况。另一方面，当丙烯酸烷基酯的碳原子数超过10时，与模片接合膜的粘合性下降，结果，存在切割时发生碎屑飞散(chip fly)的情况。作为丙烯酸C6-10烷基酯，特别优选具有包含8至9个碳原子的烷基的丙烯酸烷基酯。其中，最优选丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸异辛酯。
此外，在本发明中，丙烯酸C6-10烷基酯的含量基于单体组分的总量，优选为50重量％(wt％)以上，更优选70至90wt％。当丙烯酸C6-10烷基酯的含量低于50wt％时，剥离力变得过大，存在拾取性下降的情况。
丙烯酸类聚合物优选包含与上述丙烯酸酯可共聚合的含羟基单体。含羟基单体的实例包括(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯和(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯。所述含羟基单体可单独使用，或可两种或多种组合使用。
基于单体组分的总量，含羟基单体的含量优选在10wt％至30wt％范围内，更优选在15wt％至25wt％范围内。当基于单体组分总量，含羟基单体的含量低于10wt％时，存在以下情况：活性能量射线照射后交联变得不充分，从而导致拾取性下降或在具有其上粘贴的模片接合膜的半导体芯片上产生粘合剂残留物。另一方面，当基于单体组分总量，含羟基单体的含量超过30wt％时，压敏粘合剂的极性变高，其与模片接合膜的相互作用变高，从而拾取性下降。
为了改善内聚力、耐热性等目的，根据需要，丙烯酸类聚合物可包含与丙烯酸酯如丙烯酸烷基酯可共聚合的其它单体组分对应的单元。该类单体组分的实例包括甲基丙烯酸酯如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸异丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸异丁酯、甲基丙烯酸仲丁酯和甲基丙烯酸叔丁酯；含羧基单体如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；酸酐单体如马来酸酐和衣康酸酐；含磺酸基单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯；苯乙烯类单体如苯乙烯、乙烯基甲苯和α-甲基苯乙烯；烯烃或二烯烃如乙烯、丁二烯、异戊二烯和异丁烯；含卤原子单体如氯乙烯；含氟原子单体如氟化(甲基)丙烯酸酯；丙烯酰胺；和丙烯腈。可使用这些可共聚合单体组分的一种或两种以上。这些可共聚合单体的用量优选为单体组分总量的40wt％以下。然而，在含羧基单体情况下，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层与模片接合膜之间的粘合性通过羧基与模片接合膜中环氧树脂中的环氧基的反应而变高，从而在一些情况下两者的剥离性可能下降。因此，优选不使用含羧基单体。
另外，丙烯酸类聚合物优选包含具有自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物(在一些情况下称作“含双键异氰酸酯化合物”)。即，丙烯酸类聚合物优选具有如下构成：通过加成反应将含双键异氰酸酯化合物引入由包含丙烯酸酯、含羟基单体等的单体组合物构成的聚合物中。因此，丙烯酸类聚合物优选在其分子结构中具有自由基反应性碳-碳双键。从而，所述聚合物可形成通过活性能量射线照射固化的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层(紫外线固化型热膨胀性压敏粘合剂层等)，如此可降低模片接合膜与活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层之间的剥离力。
含双键异氰酸酯化合物的实例包括甲基丙烯酰基异氰酸酯、丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯和间异丙烯基-α，α-二甲基苄基异氰酸酯。含双键异氰酸酯化合物可单独使用，或可两种或多种组合使用。
含双键异氰酸酯化合物的用量基于含羟基单体优选在50至95mol％范围内，更优选在75至90mol％范围内。当含双键异氰酸酯化合物的用量基于含羟基单体低于50mol％时，存在活性能量射线照射后交联变得不充分，从而导致拾取性下降或具有在其上粘贴的模片接合膜的半导体芯片上产生粘合剂残留物的情况。
丙烯酸类聚合物如丙烯酸类聚合物A可通过聚合单一单体或两种或多种的单体混合物得到。聚合可通过例如以下任意方法进行：溶液聚合(例如，自由基聚合、阴离子聚合、阳离子聚合等)、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合和光聚合(例如，紫外线(UV)聚合等)。基于防止污染洁净被粘物的观点，低分子量物质的含量优选小。基于该观点，丙烯酸类聚合物的重均分子量优选为350,000至1,000,000，更优选约450,000至800,000。
另外，在活性能量射线固化型压敏粘合剂(或活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂)中，为了控制活性能量射线照射前的压敏粘合力和活性能量射线照射后的压敏粘合力，可任选地使用外部交联剂。作为用于外部交联法的具体方式，可提及添加所谓交联剂如多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物或三聚氰胺类交联剂，并使之反应的方法。在使用外部交联剂的情况下，所述量根据与待交联基础聚合物的余量和进一步作为压敏粘合剂的使用用途适当地确定。基于100重量份基础聚合物，外部添加剂的用量为20重量份以下，优选0.1重量份至10重量份。此外，活性能量射线固化型压敏粘合剂(或活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂)可与公知的各种添加剂如增粘剂和防老剂混合。
此外，向活性能量射线固化型压敏粘合剂(或活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂)中，可添加活性能量射线固化性组分(活性能量射线固化性单体组分、活性能量射线固化性低聚物组分等)，以控制活性能量射线照射前的压敏粘合力等。活性能量射线固化性单体组分的实例包括氨基甲酸酯单体、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯和1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。此外，活性能量射线固化性低聚物组分包括各种低聚物组分如聚氨酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类和聚丁二烯类低聚物，其分子量适当地在约100至30,000范围内。活性能量射线固化性单体组分或低聚物组分的混合量可根据活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的类型适当地确定。通常，活性能量射线固化性单体组分或低聚物组分的混合量例如为500重量份以下(例如，5至500重量份，优选40至150重量份)，基于100重量份构成活性能量射线固化型压敏粘合剂或活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂的基础聚合物如丙烯酸类聚合物。
此外，作为活性能量射线固化型压敏粘合剂(或活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂)，除上述加成型活性能量射线固化型压敏粘合剂(或活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂)之外，还可以使用将在聚合物侧链、主链或主链末端具有自由基反应性碳-碳双键的丙烯酸类聚合物用作基础聚合物的内部供给型活性能量射线固化型压敏粘合剂(或活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂)。所述内部供给型活性能量射线固化型压敏粘合剂(或活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂)不必包含作为低分子量组分的低聚物组分等，或不含大量的低聚物组分等。因此，该类压敏粘合剂是优选的，这是因为其可形成低聚物组分等不随时间在压敏粘合剂中移动的具有稳定层结构的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层。
作为具有自由基反应性碳-碳双键的聚合物，可使用分子中具有自由基反应性碳-碳双键并具有粘着性的丙烯酸类聚合物，而没有特别限制。作为该丙烯酸类聚合物(丙烯酸类聚合物A等)的基本骨架，可提及以上示例的丙烯酸类聚合物。
对将自由基反应性碳-碳双键引入丙烯酸类聚合物如丙烯酸类聚合物A中的方法没有特别限制，可采用各种方法。然而，从分子设计的观点，将自由基反应性碳-碳双键引入聚合物侧链中是容易的。例如，可提及包括以下的方法：预先使具有羟基的单体与丙烯酸类聚合物共聚合，然后进行所述聚合物与具有能够与羟基反应的异氰酸酯基团和自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物的缩合或加成反应，同时保持自由基反应性碳-碳双键的活性能量射线固化性。具有异氰酸酯基团和自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物的实例包括上述列举的那些。此外，作为丙烯酸类聚合物，可使用除以上示例的含羟基单体以外，将含羟基醚类化合物如2-羟乙基乙烯基醚、4-羟丁基乙烯基醚或二甘醇单乙烯基醚等的共聚合的聚合物等。
在内部供给型活性能量射线固化型压敏粘合剂(或活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂)中，可单独使用具有自由基反应性碳-碳双键的基础聚合物(特别地，丙烯酸类聚合物)。然而，也可在不劣化特性的水平上混合活性能量射线固化性单体组分或低聚物组分。活性能量射线固化性低聚物组分等的量通常为50重量份以下，优选在0至30重量份范围内，基于100重量份基础聚合物。
基于用活性能量射线固化的目的，在活性能量射线固化型压敏粘合剂(或活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂)中可使用光聚合引发剂。光聚合引发剂的实例包括α-酮醇类组分如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α，α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮和1-羟基环己基苯基酮；苯乙酮类化合物如甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮和2-甲基-1-[4-(甲基硫代)-苯基]-2-吗啉基丙烷-1-酮；苯偶姻醚类化合物如苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚和茴香偶姻甲醚；缩酮类化合物如苄基二甲基缩酮；芳香族磺酰氯类化合物如2-萘磺酰氯；光学活性肟类化合物如1-苯酮-1，1-丙烷二酮-2-(邻乙氧羰基)肟(1-phenone-1，1-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime)；二苯甲酮类化合物如二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸和3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮；噻吨酮类化合物如噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2，4-二氯噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮和2，4-二异丙基噻吨酮；樟脑醌；卤化酮；酰基氧化膦(acylphosphinoxide)；和酰基膦酸酯(acylphosphonate)。光聚合引发剂的混合量为例如20重量份以下(例如，0.05至20重量份)，基于100重量份构成压敏粘合剂的基础聚合物如丙烯酸类聚合物。
另外，活性能量射线固化型压敏粘合剂的实例包括橡胶类压敏粘合剂和丙烯酰类(acryl-based)压敏粘合剂，所述粘合剂包含具有两个以上不饱和键的加成聚合性化合物，光聚合性化合物如具有环氧基团的烷氧基硅烷，和光聚合引发剂如羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺和鎓盐类化合物，其公开于JP-A-60-196956中，在此引入以作参考。
活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层在活性能量射线固化后的凝胶分数优选为90重量％以上，更优选94重量％以上。当活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层在活性能量射线固化后的凝胶分数低于90重量％时，拾取性可能下降，在一些情况下可能产生在具有在其上粘贴的模片接合膜的半导体芯片上的粘合剂残留物。此外，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的凝胶分数(重量％)为活性能量射线固化后且热膨胀前活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的凝胶分数。
活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的凝胶分数可通过以下测量方法测量。
凝胶分数的测量方法
从活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层中取样约0.1g，并精确称重(样品重量)，所述压敏粘合剂层使用由NittoSeiki Co.，Ltd.生产的商品名为“UM-810”的紫外线(UV)照射装置，在300mJ/m2的紫外线照射积分光强度下进行紫外线照射(波长：365nm)(但未进行用于热膨胀的热处理)。用网状片(meshsheet)包裹后，将其在室温下浸入约50ml乙酸乙酯中1周。此后，从乙酸乙酯中取出溶剂不溶物(网状片中的内容物)，并在80℃下干燥约2小时，将所述溶剂不溶物称重(浸渍并干燥后的重量)，按照以下方程(1)计算凝胶分数(重量％)。
凝胶分数(重量％)＝{(浸渍并干燥后的重量)/(样品重量)}×100     (1)
向活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的活性能量射线照射可在粘贴切割膜和模片接合膜步骤之前至之后(粘贴步骤前、粘贴步骤期间或粘贴步骤后)的任意时间进行，或可在将半导体晶片粘贴于模片接合膜步骤之前至之后(粘贴步骤前、粘贴步骤期间或粘贴步骤后)的任意时间进行。此外，向活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的活性能量射线照射可在将活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层热膨胀的热膨胀步骤之前至之后(热膨胀步骤前、热膨胀步骤期间或热膨胀步骤后)的任意时间进行。在本发明中，基于拾取性的观点，优选在活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的热膨胀前进行活性能量射线照射。即，在通过活性能量射线照射活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的活性能量射线固化后，加热活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层，以实现热膨胀是适当的。
在上述切割步骤前(或切割步骤期间)进行活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的活性能量射线照射的情况下，以下是重要的：用活性能量射线仅照射对应于通过模片接合膜的半导体晶片粘贴部分的部分，不用活性能量射线照射通过模片接合膜的半导体晶片未粘贴部分。当如上所述不用活性能量射线照射在活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层中通过模片接合膜的半导体晶片未粘贴部分时，该部分具有足够的压敏粘合力，从而其能够粘贴于模片接合膜或切割环等上，从而当在切割步骤中切割半导体晶片时能够有效地保持半导体晶片。当然，由于通过模片接合膜的半导体晶片粘贴部分已经用活性能量射线照射，该部分可显示良好的剥离性，并且在拾取步骤中能够容易地拾取半导体芯片。
另一方面，在上述切割步骤后用活性能量射线照射活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的情况下，用活性能量射线照射的部分可以是至少包括通过模片接合膜的半导体晶片粘贴部分的部分，可以是全部表面。
活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层包含用于赋予热膨胀性的发泡剂是重要的。因此，在将被粘物(特别是多片被粘物)在任意时间通过模片接合膜粘贴在切割模片接合膜的压敏粘合面上的状态下，通过至少部分地加热切割模片接合膜，以使包含在活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层受热部分中的发泡剂发泡和/或膨胀，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层至少部分地膨胀，由于该活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的至少部分膨胀，对应于膨胀部分的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的压敏粘合面不均匀地变形，从而减小活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的压敏粘合面与其上已经粘贴被粘物的模片接合膜之间的粘合面积。从而，在不均匀变形的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的压敏粘合面与其上已粘贴被粘物的模片接合膜之间的粘合力下降，由此可从切割膜上剥离粘贴在压敏粘合面上的模片接合膜(具有其上粘贴的被粘物的模片接合膜)。在部分加热活性能量射线固化型热膨胀性粘合剂层的情况下，部分加热的部分可以是至少包含在其上通过模片接合膜粘贴待剥离或拾取的半导体芯片的部分的部分。
对在活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层中使用的发泡剂没有特别限制，可从已知的发泡剂中适当地选择。发泡剂可单独使用或可两种或多种组合使用。作为发泡剂，可适当地使用热膨胀性微球。
对热膨胀性微球没有特别限制，可从已知热膨胀性微球(各种无机热膨胀性微球、有机热膨胀性微球等)中适当地选择。作为热膨胀性微球，基于易混合操作等观点，可适当地使用微囊化发泡剂。该类热膨胀性微球的实例包括其中在具有弹性的壳中包括易于气化和膨胀的物质如异丁烷、丙烷或戊烷的微球。上述壳通常由热熔融性物质或因热膨胀破坏的物质形成。形成所述壳物质的实例包括偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯和聚砜。
热膨胀性微球可通过常规使用的方法如凝聚法或界面聚合法等生产。就此而言，作为热膨胀性微球，可使用商购可得产品，例如Matsumoto Yushi-Seiyaku Co.，Ltd.生产的商品名“Matsumoto Microsphere”系列如商品名“MatsumotoMicrosphere F30”、商品名“Matsumoto Microsphere F301D”、商品名“Matsumoto Microsphere F50D”、商品名“MatsumotoMicrosphere F501D”、商品名“Matsumoto Microsphere F80SD”和商品名“Matsumoto Microsphere F80VSD”，以及ExpancelCompany生产的商品名“051DU”、商品名“053DU”、商品名“551DU”、商品名“551-20DU”和商品名“551-80DU”。
在本发明中，作为发泡剂，还可使用除热膨胀性微球以外的发泡剂。作为这类发泡剂，发泡剂可从各种发泡剂如各种无机和有机发泡剂中适当地选择并使用。代表性无机发泡剂的实例包括碳酸铵、碳酸氢铵、亚硝酸铵、硼氢化钠和各种叠氮化物。
另外，代表性有机发泡剂的实例包括水；氯氟链烷类化合物如三氯单氟甲烷和二氯单氟甲烷；偶氮类化合物如偶氮二异丁腈、偶氮二酰胺和偶氮二羧酸钡；肼类化合物如对甲苯磺酰肼、二苯砜-3，3’-二磺酰肼、4，4’-氧双(苯磺酰肼)和烯丙基双(磺酰肼)；氨基脲类化合物如对甲苯磺酰氨基脲和4，4’-氧双(苯磺酰氨基脲)；三唑类化合物如5-吗啉基-1，2，3，4-噻三唑；N-亚硝基类化合物如N，N’-二亚硝基五亚甲基四胺和N，N’-二甲基-N，N’-二亚硝基对苯二甲酰胺。
在本发明中，由于活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的粘合力通过热处理有效且稳定地下降，优选具有适当强度的发泡剂，所述发泡剂直至体积膨胀率达到5倍以上、7倍以上，特别地10倍以上不会胀破。
发泡剂(热膨胀性微球等)的混合量可根据活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的膨胀率和粘合力的下降度适当地设定，但通常该量为例如1重量份至150重量份，优选10重量份至130重量份，进一步优选25重量份至100重量份，基于100重量份形成活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的基础聚合物。
在使用热膨胀性微球作为发泡剂的情况下，热膨胀性微球的粒径(平均粒径)可根据活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的厚度等适当地选择。热膨胀性微球的平均粒径可选自例如在100μm以下，优选80μm以下，更优选1μm至50μm，特别地1μm至30μm的范围内。热膨胀性微球的粒径可在形成热膨胀性微球的过程中控制，或可在形成后通过分级等手段来控制。热膨胀性微球优选具有均匀的粒径。
在本发明中，作为发泡剂，适合使用具有80℃至210℃，优选95℃至200℃，特别优选100℃至170℃的发泡起始温度(热膨胀起始温度，T0)的发泡剂。当发泡剂的发泡起始温度低于80℃时，在一些情况下在切割模片接合膜生产期间或其使用期间发泡剂可能受热发泡，从而操作性和生产性下降。另一方面，当发泡剂的发泡起始温度超过210℃时，要求切割膜和模片接合膜的基材具有过高的耐热性，因此考虑到操作性、生产性和成本，该情况不是优选的。此外，发泡剂的发泡起始温度(T0)对应于活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的发泡起始温度(T0)。
作为使发泡剂发泡的方法(即，使活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层热膨胀的方法)，可从已知加热和发泡方法中适当地选择并采取任意方法。
在本发明中，基于热处理前适当的粘合力与热处理后粘合力下降度之间平衡的观点，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层优选具有5×104Pa至1×106Pa，更优选5×104Pa至8×105Pa，特别优选5×104Pa至5×105Pa的在23℃至150℃温度范围内的以不含发泡剂形式的弹性模量。当不含发泡剂形式的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的弹性模量(温度：23℃至150℃)小于5×104Pa时，在一些情况下热膨胀性变差和拾取性下降。此外，当不含发泡剂形式的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的弹性模量(温度：23℃至150℃)大于1×106Pa时，在一些情况下初始粘合性变差。就此而言，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的弹性模量(Pa)为关于活性能量射线固化前活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层(不含发泡剂)的弹性模量。
不含发泡剂形式的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层对应于由活性能量射线固化型压敏粘合剂(不含发泡剂)形成的压敏粘合剂层(活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层)。因此，不含发泡剂形式的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的弹性模量可使用活性能量射线固化型压敏粘合剂(不含发泡剂)测量。就此而言，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层可由包含以下的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂形成：能够形成在23℃至150℃温度范围内其弹性模量为5×104Pa至1×106Pa的压敏粘合剂层的压敏粘合剂和发泡剂。
不含发泡剂形式的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的弹性模量如下测定。生产未添加发泡剂形式的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层(即，由不含发泡剂的活性能量射线固化型压敏粘合剂形成的活性能量射线固化型压敏粘合剂层)(样品)。然后，使用Rheometrics Co.，Ltd.生产的动态粘弹性测量装置“ARES”，在频率1Hz、升温速率5℃/min和应变0.1％(23℃)或0.3％(150℃)的条件下，以剪切模式测量样品的弹性模量，并将其作为在23℃或150℃下获得的剪切贮能弹性模量(shear storage elastic modulus)G’的值。
活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的弹性模量可通过调节经由活性能量射线固化的固化状态、压敏粘合剂的基础聚合物的种类、交联剂、添加剂等来控制。
另外，在本发明中，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层，在形成模片接合膜侧的表面上，特别是在与模片接合膜接触位点的表面上，优选具有30mJ/m2以下(例如，1mJ/m2至30mJ/m2)的表面自由能。活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的表面自由能进一步优选15mJ/m2至30mJ/m2，特别优选20mJ/m2至28mJ/m2。在活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的表面自由能超过30mJ/m2的情况下，在一些情况下活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层与模片接合膜之间粘合性增大，拾取性可能下降。就此而言，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的表面自由能(mJ/m2)为活性能量射线固化前和热膨胀前的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的表面自由能。
在本发明中，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的表面自由能是指通过分别测量水和二碘甲烷对活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层表面的接触角θ(rad)，并求解作为联立线性方程的两个方程确定的表面自由能值(γs)，所述联立线性方程使用测量值和从文献已知的值作为接触角测量液体的表面自由能值{水(色散分量(γL d)：21.8(mJ/m2)，极性分量(γL p)：51.0(mJ/m2))，二碘甲烷(色散分量(γL d)：49.5(mJ/m2)，极性分量(γL p)：1.3(mJ/m2))}以及以下方程(2a)至(2c)得到。
γs＝γs d+γs p    (2a)
γL＝γL d+γL p    (2b)
(1+cosθ)γL＝2(γs dγL d)1/2+2(γs PγL p)1/2(2c)
其中，方程(2a)至(2c)中的各符号分别如下。
θ：用水或二碘甲烷液滴测量的接触角(rad)
γs：压敏层(活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层)的表面自由能(mJ/m2)
γs d：压敏层(活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层)表面自由能中的色散分量(mJ/m2)
γs p：压敏层(活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层)表面自由能中的极性分量(mJ/m2)
γL：水或二碘甲烷的表面自由能(mJ/m2)
γL d：水或二碘甲烷表面自由能中的色散分量(mJ/m2)
γL p：水或二碘甲烷表面自由能中的极性分量(mJ/m2)
另外，水或二碘甲烷对活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的接触角通过如下测定：在JIS Z 8703所述的测试场所环境(温度：23±2℃，湿度：50±5％RH)下，将约1μL水(蒸馏水)或二碘甲烷液滴滴加至活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层表面上，并使用表面接触角计“CA-X”(由FACECompany制造)在滴加30秒后通过三点法测量角度。
活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的表面自由能可通过调节压敏粘合剂的基础聚合物的种类和添加剂等控制。
活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层可通过例如以下形成：混合活性能量射线固化型压敏粘合剂、发泡剂(热膨胀性微球等)和任选的溶剂以及其它添加剂，并利用常规使用的方法将该混合物成型为片状层。具体地，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层可例如通过如下方法形成：包括将含有活性能量射线固化型压敏粘合剂、发泡剂(热膨胀性微球等)和任选的溶剂以及其它添加剂的混合物施涂在基材或下述橡胶状有机弹性中间层上的方法；包括将上述混合物施涂在适当的隔离体如剥离纸上，以形成活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层，并将其转移(转换)至基材或橡胶状有机弹性中间层上的方法，或类似方法。
对活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的厚度没有特别限制，可根据粘合力的下降度适当地选择。例如，厚度为约5μm至300μm，优选20μm至150μm。然而，在使用热膨胀性微球作为发泡剂的情况下，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的厚度大于其中包含的热膨胀性微球的最大粒径是重要的。当活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的厚度过小时，由于热膨胀性微球的不均匀性导致表面平滑性受损，从而加热前(未发泡状态)的粘合性下降。另外，通过热处理的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的变形度很小，从而难以平稳地降低粘合力。另一方面，当活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的厚度过大时，在通过热处理膨胀或发泡后的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层中，内聚不良趋于发生，在一些情况下在被粘物上可能产生粘合剂残留物。
所述活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层可以是单层或多层。
在本发明中，在不损害本发明优点等的范围内，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层可包含各种添加剂(例如，着色剂、增稠剂、增量剂、填料、增粘剂、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等)。
活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层可通过用活性能量射线照射来固化。作为这类活性能量射线，可提及例如电离射线如α射线、β射线、γ射线、中子束和电子束以及紫外线。特别地。紫外线是合适的。当照射活性能量射线时，照射能量、照射时间和照射方法没有特别限制，可适当地选择，以能够活化光聚合引发剂以引起固化反应。在采用紫外线作为活性能量射线的情况下，当紫外线照射时，例如在300nm至400nm波长下亮度为1mW/cm2至200mW/cm2的紫外线的照射在约400mJ/cm2至4000mJ/cm2光强度下进行。另外，作为紫外线的光源，使用在180nm至460nm，优选300nm至400nm波长区域内具有光谱分布的那些。例如，可使用照射装置如化学灯、黑光灯、汞弧灯、低压汞灯、中压汞灯、高压汞灯、超高压汞灯或金属卤化物灯等。就此而言，作为紫外线光源，可使用能够产生比上述波长更长或更短的波长的电离射线的照射装置。
在本发明中，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层可通过加热来热膨胀。热处理可利用适当的加热装置如热盘、热风干燥器、近红外灯或空气干燥器进行。热处理时的加热温度可以是活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层中发泡剂(热膨胀性微球等)的发泡起始温度(热膨胀起始温度)以上。热处理条件可根据通过发泡剂(热膨胀性微球等)的种类等导致粘合面积的下降性(decreasing profile)，基材、模片接合膜等的耐热性，加热方法(热容量、加热手段等)等适当地设定。热处理的通常条件如下：100℃至250℃温度下进行1秒至90秒(热盘等)，或进行5分钟至15分钟(热风干燥器等)。热处理可根据预期使用目的在适当的阶段进行。另外，存在使用红外灯或热水作为热处理是的热源的情况。
(中间层)
本发明中，可在基材与活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层之间设置中间层。作为该中间层，可提及为了改进粘合力目的的底漆剂(undercoating agent)的涂层。另外，除底漆剂的涂层之外的中间层的实例包括为了赋予良好变形性目的的层、为了增大与被粘物(半导体晶片等)的粘合面积目的的层、为了改进粘合力目的的层、为了获得对被粘物(半导体晶片等)表面形状的良好追随能力目的的层、为了通过加热改进用于降低粘合力的处理性目的的层和为了改进加热后从被粘物(半导体晶片等)剥离性目的的层。
特别地，从赋予具有活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的切割膜以变形性和改进其加热后的剥离性的观点，优选在基材与活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层之间设置橡胶状有机弹性中间层。如上所述，通过设置橡胶状有机弹性中间层，在将切割模片接合膜粘贴在被粘物上时，切割模片接合膜的表面能够良好地追随被粘物的表面形状，从而可增大粘合面积。另外，在加热并从切割膜上剥离具有被粘物的模片接合膜时，能够高度(精确)控制活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的热膨胀，从而活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层能够沿厚度方向优先并均匀地膨胀。即，所述橡胶状有机弹性中间层可起到以下作用：当将切割模片接合膜粘接在被粘物上时，通过使表面追随被粘物表面形状来提供较大粘合面积的作用；和为了从切割膜上剥离具有被粘物的模片接合膜的目的，当通过加热使活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层发泡和/或膨胀时，通过降低沿切割膜平面方向的发泡和/或膨胀限制，促进通过活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的三维结构变化形成的波纹结构的作用。
此外，橡胶状有机弹性中间层为如上所述根据需要设置的层，其并不必需设置。从增强加工期间被粘物的固定性和加热后的剥离性的目的，优选设置橡胶状有机弹性中间层。
橡胶状有机弹性中间层优选以覆盖于活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层上的形式在基材侧设置于活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层表面上。就此而言，中间层还可作为除基材与活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层之间的中间层之外的层来设置。
橡胶状有机弹性中间层可介于基材的一面或两面上。
所述橡胶状有机弹性中间层优选由例如具有50以下，特别是40以下的根据ASTM D-2240的D型肖氏(Shore)硬度的天然橡胶、合成橡胶、或具有橡胶弹性的合成树脂形成。就此而言，即使当聚合物为基本上硬的聚合物如聚氯乙烯时，也可与共混剂如增塑剂或软化剂组合来显示橡胶弹性。该组合物也可用作橡胶状有机弹性中间层的组成材料。
橡胶状有机弹性中间层可通过形成方法形成，所述形成方法例如包括施涂包含橡胶状有机弹性层形成材料如天然橡胶、合成橡胶或具有橡胶弹性的合成树脂的涂布液的方法(涂布法)；包括在基材上粘合由橡胶状有机弹性层形成材料构成的膜或层压膜的方法(干法层压法)，在所述层压膜中预先在一层或多层活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层上形成由橡胶状有机弹性中间层组成材料构成的层；或包括将包含基材的组成材料的树脂组合物与含有橡胶状有机弹性层形成材料的树脂组合物共挤出的方法(共挤出法)。
此外，橡胶状有机弹性中间层可由包含天然橡胶、合成橡胶或具有橡胶弹性的合成树脂作为主要组分的压敏粘合性物质形成，并可由主要包含该组分的发泡膜形成。发泡可通过例如以下常规使用的方法实现：通过机械搅拌的方法、利用反应形成的气体的方法、使用发泡剂的方法、除去可溶性物质的方法、通过喷雾的方法、形成复合泡沫塑料(syntacticfoam)的方法或烧结法等。
中间层如橡胶状有机弹性中间层的厚度为例如约5μm至300μm，优选约20μm至150μm。在中间层为例如橡胶状有机弹性中间层的情况下，当橡胶状有机弹性中间层厚度过小时，不能获得加热发泡后的三维结构变化，从而在一些情况下剥离性变差。
中间层如橡胶状有机弹性中间层可以是单层，或可由两层或多层构成。另外，作为中间层如橡胶状有机弹性中间层，优选使用不抑制活性能量射线透过的层。
此外，在不损害本发明优点等的范围内，中间层可包含各种添加剂(如着色剂、增稠剂、增量剂、填料、增粘剂、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等)。
(模片接合膜)
以下是重要的：模片接合膜在加工压接于模片接合膜上的半导体晶片(例如，将其切割成芯片形式)期间具有粘合和支撑半导体晶片的功能，和当安装半导体晶片加工体时起到具有各种载体的半导体晶片(例如，切割成芯片形式的半导体芯片)加工体接合层作用的功能。特别地，作为模片接合膜，在半导体晶片加工(例如，如切割等加工)期间具有切割片不飞散的粘合性是重要的。
本发明中，模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。在树脂组合物中，环氧树脂的比例可在基于聚合物组分总量的5重量％以上，优选7重量％以上，更优选9重量％以上的范围内适当地选择。对环氧树脂比例的上限没有特别限制，可以是100重量％以下，但优选50重量％以下，更优选40重量％以下，基于聚合物组分的总量。
从包含较少腐蚀半导体元件的离子杂质等的观点，优选环氧树脂。对环氧树脂没有特别限制，只要其通常用作粘结剂组合物即可。例如，可使用双官能环氧树脂或多官能环氧树脂如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、苯酚酚醛清漆(phenol novolak)型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆(o-cresol novolak)型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂和四苯基羟基乙烷(tetraphenylolethane)型环氧树脂，或环氧树脂如乙内酰脲型环氧树脂、三缩水甘油基异氰脲酸酯型环氧树脂或缩水甘油基胺型环氧树脂。环氧树脂可单独使用，或可两种或多种组合使用。
作为环氧树脂，在以上示例的那些中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂和四苯基羟基乙烷型环氧树脂。这是因为这些环氧树脂与作为固化剂的酚醛树脂具有高反应性，且耐热性等优异。
另外，根据需要，在模片接合膜中，可组合使用其它热固性树脂或热塑性树脂。热固性树脂的实例包括酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂和热固性聚酰亚胺树脂。这些热固性树脂可单独使用，或可两种或多种组合使用。此外，优选酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂。
此外，酚醛树脂起到环氧树脂的固化剂的作用，其实例包括酚醛清漆型酚醛树脂如苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂和壬基苯酚酚醛清漆树脂；甲阶型酚醛树脂；和聚氧苯乙烯(polyoxystyrenes)如聚对氧苯乙烯。它们可单独使用，或可两种或多种组合使用。在这些酚醛树脂中，特别优选苯酚酚醛清漆树脂和苯酚芳烷基树脂。这是因为可改进半导体器件的连接可靠性。
环氧树脂与酚醛树脂的混合比优选使得例如酚醛树脂中的羟基为0.5至2.0当量，基于每当量环氧树脂组分中的环氧基团。更优选0.8至1.2当量。即，当混合比变为在该范围之外时，固化反应不能充分进行，环氧树脂固化产物的特性趋于劣化。
热塑性树脂的实例包括天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂如尼龙6和尼龙6，6、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、饱和聚酯树脂如PET和PBT、聚酰胺酰亚胺树脂和氟树脂。这些热塑性树脂可单独使用，或两种或多种组合使用。在这些热塑性树脂中，离子杂质较少、耐热性高和能够确保半导体元件可靠性的丙烯酸类树脂是特别优选的。
对丙烯酸类树脂没有特别限制，其实例包括含有一种或两种以上具有30个以下碳原子，特别是4至18个碳原子的直链或支化烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作为组分的聚合物。所述烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。
另外，对形成丙烯酸类树脂的其它单体(除具有30个以下碳原子的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯以外的单体)没有特别限制，其实例包括含羧基单体如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸(crotonic acid)；酸酐单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体如(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯和(4-羟甲基环己基)(甲基)丙烯酸酯；含磺酸单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰氨基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯(2-hydroacryloylphosphate)。
本发明中，热塑性树脂(特别是丙烯酸树脂)能够以基于聚合物组分的总量低于90重量％，例如1重量％至90重量％的比例使用。热塑性树脂如丙烯酸类树脂的比例优选为20重量％至85重量％，更优选40重量％至80重量％，基于聚合物组分总量。
由于模片接合膜的粘结剂层(由包含环氧树脂的树脂组合物组成的粘结剂层)预先交联至一定程度，优选添加与聚合物分子链末端的官能团反应的多官能化合物作为在生产粘结剂层时的交联剂。从而，改进高温下的粘合特性，并尝试改进耐热性。
这里，根据需要可将其它添加剂适当地共混入模片接合膜的粘结剂层(由包含环氧树脂的树脂组合物组成的粘结剂层)中。该类添加剂的实例包括阻燃剂、硅烷偶联剂和离子捕集剂以及着色剂、增量剂、填料、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等。阻燃剂的实例包括三氧化锑、五氧化锑和溴化环氧树脂。阻燃剂可单独使用，或可两种或多种组合使用。硅烷偶联剂的实例包括β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷和γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶联剂可单独使用，或可两种或多种组合使用。离子捕集剂的实例包括水滑石和氢氧化铋。离子捕集剂可单独使用，或可两种或多种组合使用。
模片接合膜可由包含环氧树脂的树脂组合物形成，并可具有例如仅由含环氧树脂的树脂组合物形成的粘结剂层(芯片粘结剂层)的单层组成的结构。此外，其可具有除环氧树脂之外，通过适当地组合具有不同玻璃化转变温度的热塑性树脂和具有不同热固化温度的热固性树脂的两层以上的多层结构。
此外，由于在半导体晶片的切割步骤中使用切割水，存在模片接合膜吸收水分和水分含量变为常规状态以上的情况。当具有高水分含量的模片接合膜粘合于基板等上时，存在水蒸气在固化后的步骤中累积在粘合界面上并由此产生漂移的情况。因此，通过使模片接合膜具有使用模片粘合用粘结剂层包夹具有高透湿性的芯材料的结构，在固化后的步骤中水蒸气通过所述膜扩散，由此可避免该问题。基于该观点，模片接合膜可具有在芯材料的一面或两面上形成粘结剂层的多层结构。
所述芯材料的实例包括膜(例如，聚酰亚胺膜、聚酯膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等)、用玻璃纤维或塑料无纺纤维增强的树脂基板、硅基板和玻璃基板。
模片接合膜优选具有在T0至T0+20℃温度范围内的1×105Pa至1×1010Pa的弹性模量(特别地，由包含环氧树脂的树脂组合物形成的粘结剂层的弹性模量)，其中T0表示切割膜的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的发泡起始温度(℃)。更优选地，在T0至T0+20℃温度范围内，模片接合膜的弹性模量(特别地，由含环氧树脂的树脂组合物形成的粘结剂层的弹性模量)更优选为1×105Pa至1×108Pa，特别优选1×105Pa至1×107Pa。在模片接合膜(特别地，粘结剂层)的弹性模量(温度：T0至T0+20℃)低于1×105Pa的情况下，在当通过热处理将活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层发泡并剥离时，模片接合膜可追随通过热膨胀导致的压敏粘合剂的表面形状变化，从而在一些情况下可能抑制剥离强度的下降。此外，模片接合膜的弹性模量(Pa)为通过热固化显示粘合力之前的模片接合膜的弹性模量。
模片接合膜的弹性模量通过如下方式测定：在不将模片接合膜层压在切割膜上的条件下制备模片接合膜，并使用Rheometrics Co.，Ltd.生产的动态粘弹性测量装置“SolidAnalyzer RS A2”，于规定温度(T0℃，(T0+20)℃)下，在氮气气氛中，在样品宽度10mm、样品长度22.5mm、样品厚度0.2mm、频率1Hz和升温速率10℃/分钟的条件下，以拉伸模式测量弹性模量，将其作为得到的拉伸贮能弹性模量E’的值。
此外，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的发泡起始温度(T0)是指通过热处理能够将包含发泡剂(热膨胀性微球等)的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的粘合力降至加热前粘合力的10％以下的最低热处理温度。
因此，发泡起始温度可通过测量能够将包含发泡剂(热膨胀性微球等)的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的粘合力(压敏粘合力)降至加热前粘合力的10％以下的最低热处理温度来确定。具体地，将具有宽度20mm和厚度25μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜(商品名“Lumilar S10#25”(由TorayIndustries，Inc.制造)；在一些情况下称作“PET膜”)，通过手动辊(hand roller)粘贴在切割膜的含发泡剂(热膨胀性微球等)的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层表面上，以致不夹带气泡，从而制备试验片。关于该试验片，在粘贴所述PET膜30分钟后，将该PET膜以180°剥离角度剥离，然后测量此时的压敏粘合力(测量温度：23℃，拉伸速率：300mm/min，剥离角度：180°)，并将该压敏粘合力作为“初始压敏粘合力”。另外，将通过上述方法生产的试验片放置在设定为各温度(热处理温度)的热循环干燥器中1分钟，然后从热循环干燥器中取出，随后将其放置在23℃下2小时。此后，将PET膜以180°剥离角度剥离，然后测量此时的压敏粘合力(温度：23℃，拉伸速率：300mm/min，剥离角度：180°)，并将该压敏粘合力作为“热处理后的压敏粘合力”。然后，将热处理后压敏粘合力变为初始压敏粘合力的10％以下的最低热处理温度作为发泡起始温度(T0)。
这里，模片接合膜的弹性模量可通过调节模片接合膜或压敏粘合剂层基础聚合物的种类以及交联或固化状态来控制。
对模片接合膜的厚度没有特别限制。然而，其为约5μm至100μm，优选约5μm至50μm。
切割模片接合膜的模片接合膜优选通过隔离体(图中未示出)保护。隔离体具有作为保护模片接合膜直至其实际使用的保护材料的功能。此外，当将模片接合膜转移至活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层时，隔离体可用作支撑基材。当将工件粘贴在切割模片接合膜的模片接合膜上时，剥离隔离体。作为隔离体，还可使用聚乙烯或聚丙烯膜，以及表面涂布有脱模剂(release agent)如氟类脱模剂或长链烷基丙烯酸酯类脱模剂的塑料膜(聚对苯二甲酸乙二酯)或纸。隔离体可通过常规已知方法形成。另外，对隔离体的厚度等没有特别限制。
根据本发明，可使得切割模片接合膜具有抗静电功能。由于抗静电功能，可防止在切割模片接合膜的粘贴和剥离时电路因静电能的产生而破坏，或通过静电能使工件(半导体晶片等)充电。抗静电功能的赋予可通过例如以下适当方式进行：向基材、活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层和模片接合膜中添加抗静电剂或导电性物质的方法，或在基材上设置由电荷转移配合物(complex)或金属膜等组成的导电层的方法。关于这些方法，优选难以产生具有改变半导体晶片品质风险的杂质离子的方法。为了赋予导电性和改进热传导性等的目的而共混的导电性物质(导电性填料)的实例包括球形、针状、片状金属粉末如银、铝、金、铜、镍和导电性合金；金属氧化物如氧化铝；无定形炭黑和石墨。然而，基于不具有漏电性的观点，模片接合膜优选非导电性的。
本发明的切割模片接合膜可具有适当的形式，如片状或带状。
(切割模片接合膜的生产方法)
本发明的切割模片接合膜的生产方法使用切割模片接合膜10为例描述。首先，基材1a可通过常规已知的膜生产方法形成。成膜法的实例包括压延成膜法、在有机溶剂中的流延法、在严格密闭体系中的膨胀挤出法、T-膜挤出法、共挤出法和干法层压法。
接着，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b通过以下形成：将含热膨胀性压敏粘合剂的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂组合物施涂在基材1a上，接着干燥(根据需要，在加热下交联)。施涂方法的实例包括辊涂、丝网涂布(screen coating)和凹印涂布(gravure coating)。就此而言，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂组合物的施涂可直接在基材1a上进行，以在基材1a上形成活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b，或可将活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂组合物施涂于表面已进行剥离处理的剥离纸等上，然后转移至基材1a上，从而在基材1a上形成活性能量射线固化性热膨胀性压敏粘合剂层1b。
另一方面，涂布层可通过在剥离纸上施涂用于形成模片接合膜3的形成材料以具有规定厚度，并在规定条件下进一步干燥形成。通过将该涂布层转移至活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b上，在活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b上形成模片接合膜3。模片接合膜3还可通过在活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b上直接施涂用于形成模片接合膜3的形成材料，接着在规定条件下固化，而在活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b上形成。根据本发明的切割模片接合膜10可如上所述获得。
(半导体晶片)
对半导体晶片没有特别限制，只要其为已知的或通常使用的半导体晶片即可，可从各种材料制成的半导体晶片中适当地选择。在本发明中，作为半导体晶片，可适当地使用硅晶片。
(半导体器件的生产方法)
用于生产本发明半导体器件的方法没有特别限制，只要其为使用切割模片接合膜生产半导体器件的方法即可。例如，半导体器件可在适当地剥离在模片接合膜上任选地设置的隔离体后，如下使用本发明的切割模片接合膜来生产。以下，参考图3A至3E，同时使用切割模片接合膜11为例描述所述方法。首先，将半导体晶片4压接在切割模片接合膜11中的模片接合膜31上以通过粘附和保持来固定半导体晶片(安装步骤)。在用加压装置如加压辊加压的同时进行该步骤。
接着，进行半导体晶片4的切割。随后，将半导体晶片4切割成规定尺寸并个体化(形成小片)，以生产半导体芯片5。所述切割按照常规方法例如从半导体晶片4的电路面侧进行。另外，本步骤可采取例如形成达到切割模片接合膜11的切口(slit)的称作完全切割的切割方法。对本步骤中使用的切割装置没有特别限制，可使用常规已知的装置。此外，由于半导体晶片4通过切割模片接合膜11粘合并固定，从而可抑制芯片破裂和碎屑飞散，以及还可抑制半导体晶片破损。就此而言，由于模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物形成，因此即使当将其通过切割切断时，也可抑制或防止在切断面上产生由模片接合膜的粘结剂层的粘结剂挤出。结果，可抑制或防止切断面自身的再附着(粘连(blocking))，从而可更加方便地进行以下要描述的拾取。
在切割模片接合膜扩展(expanding)的情况下，扩展可使用常规已知的扩展装置进行。所述扩展装置具有能够推动切割模片接合膜向下通过切割环的环形外环，和直径小于外环并支撑切割模片接合膜的内环。由于该扩展步骤，可以防止相邻的半导体芯片在以下要描述的拾取步骤中通过彼此接触而损坏。
进行半导体芯片5的拾取，以收集粘合并固定于切割模片接合膜11上的半导体芯片。对拾取方法没有特别限制，可采用常规已知的各种方法。其实例包括用针状物从切割模片接合膜的基材1a侧向上推动各半导体芯片5，并用拾取装置拾取推出的半导体芯片5的方法。
这里，拾取在通过用活性能量射线照射来固化活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b后，以及在通过进行规定的热处理使活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b热膨胀后进行。因此，活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层1b与模片接合膜31的压敏粘合力(粘合力)下降，半导体芯片5的剥离变得容易。结果，在不损坏半导体芯片5的情况下，拾取变得容易。对条件例如活性能量射线照射时的照射强度和照射时间以及在热处理时的加热温度和热处理时间没有特别限制，它们可根据需要适当地设定。另外，通过活性能量射线照射的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的固化可在活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层热膨胀之前和之后的任意时间进行，但考虑到拾取性，优选在通过用活性能量射线照射固化后进行通过热处理的热膨胀。此外，对可用于活性能量射线照射的照射装置没有特别限制，可提及以上示例的照射装置如化学灯、黑光灯、汞弧灯、低压汞灯、中压汞灯、高压汞灯、超高压汞灯或金属卤化物灯。通过用活性能量射线照射的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的活性能量射线固化可在拾取前的任意时间进行。另外，对可用于热处理的加热装置没有特别限制，可提及以上示例的加热装置如热盘、热风干燥器、近红外灯或空气干燥器。
拾取的半导体芯片5通过插入其间的模片接合膜31粘合并固定在被粘物6上(模片接合)。将被粘物6安装在加热垫片9上。被粘物6的实例包括引线框、TAB膜、基板和分开生产的半导体芯片。被粘物6例如可为易于变形的变形性被粘物，或难于变形的非变形性被粘物(半导体晶片等)。
可使用常规已知的基板作为所述基板。此外，可使用金属引线框如Cu引线框和42合金引线框以及由玻璃环氧树脂(glass epoxy)、BT(双马来酰亚胺-三嗪)或聚酰亚胺组成的有机基板作为引线框。然而，本发明不限于上述，包括在安装半导体元件和与半导体元件电气连接后可使用的电路基板。
由于模片接合膜31由包含环氧树脂的树脂组合物形成，因此通过热固化增强粘合力，并由此可将半导体芯片5粘合并固定在被粘物6上，以改进耐热强度。这里，可使其中半导体芯片5通过半导体晶片粘贴部分31a粘合并固定在基板上的产品进行重熔(reflow)步骤。此后，引线接合通过以下进行：用接合导线7将基板端子部(内部引线)的前端与半导体芯片5上的电极片(pad)电气连接，此外，将半导体芯片5用密封树脂8密封，接着固化该密封树脂8。从而，生产根据本实施方案的半导体器件。
实施例
以下将示例性地详细描述本发明的优选实施例。然而，除非另外说明，否则这些实施例中描述的材料和混合量等不意于限制本发明的范围，它们仅为解释性的实施例。另外，除非另外说明，否则各实施例中的份数均为重量标准。
实施例1
<切割膜的生产>
丙烯酸类聚合物X通过如下获得：将95份丙烯酸2-乙基己酯(以下在一些情况下称作“2EHA”)、5份丙烯酸2-羟乙酯(以下在一些情况下称作“HEA”)和65份甲苯装入装配有冷却管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应器中，接着在氮气流中于61℃下进行聚合处理6小时。
丙烯酸类聚合物Y通过以下获得：将24.1份2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(在一些情况下称作“MOI”)(基于HEA为90mol％)添加至100份丙烯酸类聚合物X中，接着在50℃下于空气流中进行加成反应48小时。
接着，活性能量射线固化型压敏粘合剂的压敏粘合剂溶液通过如下制备：将3份多异氰酸酯化合物(商品名“COLONATEL”，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.生产)、35份热膨胀性微球(商品名“Microsphere F-50D”，由Matsumoto Yushi-Seiyaku Co.，Ltd.生产；发泡起始温度：120℃)和5份光聚合引发剂(商品名“IRUGACURE 651”，CibaSpecialty Chemicals生产)添加至100份丙烯酸类聚合物Y中。
作为切割膜的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合片(紫外线固化型热膨胀性压敏粘合片)通过如下生产：将上述制备的压敏粘合剂溶液施涂在具有厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜(PET膜)上，并在80℃下进行热交联3分钟，从而形成具有厚度40μm的压敏粘合剂层(活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层)。
<模片接合膜的生产>
基于100份具有丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名“PARACRONW-197CM”，由Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.生产)，将59份环氧树脂1(商品名“EPICOAT 1004”，由Japan Epoxy Resins(JER)Co.，Ltd.生产)、53份环氧树脂2(商品名“EPIC OAT 827”，由Japan EpoxyResins(JER)Co.，Ltd.生产)、121份酚醛树脂(商品名“MILEXXLC-4L”，由Mitsui Chemicals，Inc.生产)、222份球状二氧化硅(商品名“SO-25R”，由Admatechs Co.，Ltd.生产)溶解在甲乙酮中，从而制备具有固体浓度为23.6重量％的粘结剂组合物溶液。
将所述粘结剂组合物溶液施涂在作为剥离衬垫(隔离体)的由在其上已进行硅酮脱模处理的具有38μm厚度的PET膜构成的脱模处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟。从而，生产具有厚度25μm的模片接合膜A。此外，通过将模片接合膜A转移至上述切割膜的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层侧上，得到根据本实施例1的切割模片接合膜。
实施例2
<模片接合膜的生产>
基于100份具有丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名“PARACRONW-197CM”，由Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.生产)，将102份环氧树脂1(商品名“EPICOAT 1004”，由Japan Epoxy Resins(JER)Co.，Ltd.生产)、13份环氧树脂2(商品名“EPICOAT 827”，由Japan EpoxyResins(JER)Co.，Ltd.生产)、119份酚醛树脂(商品名“MILEXXLC-4L”，由Mitsui Chemicals，Inc.生产)、222份球状二氧化硅(商品名“SO-25R”，由Admatechs Co.，Ltd.生产)溶解在甲乙酮中，从而制备具有固体浓度为23.6重量％的粘结剂组合物溶液。
将所述粘结剂组合物溶液施涂在作为剥离衬垫(隔离体)的由在其上已进行硅酮脱模处理的具有38μm厚度的PET膜构成的脱模处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟。从而，生产具有厚度25μm的模片接合膜B。
除了使用模片接合膜B代替模片接合膜A之外，以与实施例1相同的方式生产切割模片接合膜。
实施例3至7
除了将切割膜变为具有表1所示组成和含量的相应切割膜之外，以与实施例1相同的方式在各实施例3至7中生产切割模片接合膜。
比较例1和2
除了将切割膜变为具有表1所示组成和含量的相应切割膜之外，以与实施例1相同的方式在各比较例1和2中生产切割模片接合膜。
表1
*括号内的值表示MOI相对于HEA的mol％
*2E′太低以至不能测量
T0＝120℃
这里，表1中记载的简写含义如下。
2EHA：丙烯酸2-乙基己酯
BA：丙烯酸正丁酯
AA：丙烯酸
HEA：丙烯酸2-羟乙酯
MOI：2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯
C/L：多异氰酸酯化合物(商品名“COLONATEL”，由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.生产)
Irg651：商品名“IRUGACURE  651”，由Ciba SpecialtyChemicals生产
G’(23℃)：在23℃下切割膜中压敏粘合剂层的弹性模量
G’(150℃)：在150℃下切割膜中压敏粘合剂层的弹性模量
E’(T0)：在T0下模片接合膜的弹性模量
E’(T0+20℃)：在T0+20℃下模片接合膜的弹性模量
(评价)
关于根据实施例1至7以及比较例1和2的切割模片接合膜，通过以下评价或测量方法评价或测量各切割膜中压敏粘合剂层的表面自由能、关于各切割膜中压敏粘合剂层的弹性模量、各模片接合膜的弹性模量、各切割膜中压敏粘合剂层的凝胶分数、切割性、拾取性和污染性。评价和测量结果也记载于表1中。
<表面自由能的评价方法>
接触角θ(rad)通过如下测定：在按照JIS Z 8703的试验场所的环境(温度：23±2℃，湿度：50±5％RH)下，将约1μL水(蒸馏水)或二碘甲烷的液滴滴在各切割膜中的压敏粘合剂层(在活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层(实施例1至7)的情况下，为活性能量射线固化前和热膨胀前的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层；在热膨胀性压敏粘合剂层(比较例1)的情况下，为热膨胀前的热膨胀性压敏粘合剂层；或在活性能量射线固化型压敏粘合剂层(比较例2)的情况下，为活性能量射线固化前的活性能量射线固化型压敏粘合剂层)的表面上，使用表面接触角计“CA-X”(由FACE Company制造)在滴加30秒后通过三点法测量。切割膜中压敏粘合剂层的表面自由能(γs)通过求解作为联立线性方程的两个方程计算，所述联立线性方程利用得到的两个接触角和从文献已知的水和二碘甲烷表面自由能值以及以下方程(2a)-(2c)得到。
γs＝γs d+γs p  (2a)
γL＝γL d+γL p           (2b)
(1+cosθ)γL＝2(γs dγL d)1/2+2(γs pγL p)1/2(2c)
这里，方程(2a)-(2c)中各符号分别如下。
θ：用水或二碘甲烷液滴测量的接触角(rad)
γs：压敏层的表面自由能(mJ/m2)
γs d：在压敏层表面自由能中的色散分量(mJ/m2)
γs p：在压敏层表面自由能中的极性分量(mJ/m2)
γL：水或二碘甲烷的表面自由能(mJ/m2)
γL d：水或二碘甲烷表面自由能中的色散分量(mJ/m2)
γL p：水或二碘甲烷表面自由能中的极性分量(mJ/m2)
已知的水(蒸馏水)表面自由能值：[色散分量(γL d)：21.8(mJ/m2)，极性分量(γL p)：51.0(mJ/m2)]
已知的二碘甲烷表面自由能值：[色散分量(γL d)：49.5(mJ/m2)，极性分量(γL p)：1.3(mJ/m2)]
<切割膜的压敏粘合剂层的弹性模量测量方法>
关于切割膜的压敏粘合剂层(活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层)的弹性模量通过制备除了不包含发泡剂之外相同的压敏粘合剂层(样品)来评价或测量。弹性模量使用由Rheometrics Co.，Ltd.生产的动态粘弹性测量装置“ARES”，在频率1Hz、升温速率5℃/分钟以及应变0.1％(23℃)或0.3％(150℃)的条件下，以剪切模式测量，并作为在23℃或150℃下得到的剪切贮能弹性模量G’的值。
<模片接合膜弹性模量的测量方法>
模片接合膜的弹性模量通过如下测定并作为获得的拉伸贮能弹性模量E’的值：不将模片接合膜层压在切割膜上来制备模片接合膜，并使用由Rheometrics Co.，Ltd.生产的动态粘弹性测量装置“Solid Analyzer RS A2”，于氮气气氛中在规定温度(T0，(T0+20)℃)下，在样品宽度10mm、样品长度22.5mm、样品厚度0.2mm、频率1Hz和升温速率10℃/分钟的条件下，以拉伸模式测量弹性模量。
就此而论，T0如下测定。
通过将具有厚度25μm的PET膜借助于手动辊粘贴在切割膜的压敏粘合剂层(活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层)表面上来生产试验片，以不夹带气泡。粘贴所述PET膜30分钟后，将PET膜以180°剥离角度剥离，然后测量此时(测量温度：23℃，拉伸速率：300mm/min，剥离角度：180°)的压敏粘合力，并将该压敏粘合力作为“初始压敏粘合力”。
另外，将通过上述方法制备的试验片放置在设定为各温度(热处理温度)的热循环干燥器中1分钟，然后从热循环干燥器中取出，接着将其静置在23℃下2小时。此后，将PET膜以180°剥离角度剥离，然后测量此时(测量温度：23℃，拉伸速率：300mm/min，剥离角度：180°)的压敏粘合力，将该压敏粘合力作为“热处理后的压敏粘合力”。
将“热处理后压敏粘合力”降至“初始压敏粘合力”的10％以下时的最低热处理温度作为发泡起始温度(T0)。
根据实施例1至7和比较例1的各切割膜的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的发泡起始温度T0为120℃。由于根据比较例2的切割膜的压敏粘合剂层不包含发泡剂，因此，该剥离膜不具有发泡起始温度。然而，为比较弹性模量，认为比较例1中切割膜的发泡起始温度为120℃。所以，在此情况下，T0+20℃为140℃。
<凝胶分数的测量方法>
从活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层中取样约0.1g，并精确称重(样品重量)，所述压敏粘合剂层已使用由NittoSeiki Co.，Ltd.生产的商品名为“UM-810”的紫外线(UV)照射装置，在300mJ/m2的紫外线照射积分光强度下进行紫外线照射(波长：365nm)。用网状片(mesh sheet)包裹后，将其在室温下浸入约50ml乙酸乙酯中1周。此后，从乙酸乙酯中取出溶剂不溶物(网状片中的内容物)，并在80℃下干燥约2小时，将所述溶剂不溶物称重(浸渍并干燥后的重量)，按照以下方程(1)计算凝胶分数(重量％)。
凝胶分数(重量％)＝{(浸渍并干燥后的重量)/(样品重量)}×100        (1)
<切割性/拾取性的评价方法>
使用各实施例和比较例的切割模片接合膜，通过实际切割半导体晶片评价切割性，然后评价剥离性，分别将其作为各切割模片接合膜的切割性能和拾取性能的评价。
将半导体晶片(直径8英寸，厚度：0.6mm；硅镜面晶片)进行背面研磨处理，并使用具有厚度0.025mm的镜面晶片作为工件。从切割模片接合膜剥离隔离体后，将镜面晶片(工件)在40℃下通过辊压接合在模片接合膜上，并进一步进行切割。这里，所述切割作为完全切割进行，以成为10mm2的芯片尺寸。就此而言，半导体晶片磨削条件、粘贴条件和切割条件如下。
(半导体晶片磨削条件)
磨削装置：由DIS CO Corporation生产的商品名“DFG-8560”
半导体晶片：8英寸直径(背面磨削至厚度为0.6mm至0.025mm)
(粘贴条件)
粘贴装置：商品名“MA-3000II”，由Nitto Seiki Co.，Ltd.生产
粘贴速率：10mm/min
粘贴压力：0.15MPa
粘贴时的阶段温度：40℃
(切割条件)
切割装置：商品名“DFD-6361”，DISCO Corporation生产
切割环：“2-8-1”(由DISCO Corporation生产)
切割速率：30mm/sec
切割刮刀：
Z1；DISCO Corporation生产的“NB C-ZH226J27HAAA”
切割刮刀旋转速率：
Z1；30,000rpm
切割方法：单步切割
晶片芯片尺寸：10.0mm2
在切割中，确认镜面晶片(工件)是否牢固保持在切割模片接合膜上而未剥离以进行令人满意的切割。将良好进行切割的情况评级为“良好”，和将未良好进行切割的情况评级为“差”，如此评价切割性。
然后，使用商品名“UM-810”(Nitto Seiki Co.，Ltd.生产)作为紫外线(UV)照射装置，用紫外线(波长：365nm)在300mJ/cm2的紫外照射积分光量下从PET膜侧照射切割模片接合膜。
此后，将各切割模片接合膜放置在T0+20℃(在实施例1至7及比较例1和2中为140℃)的热盘上，以使得在基材侧的切割模片接合膜表面与热盘表面接触，并使压敏粘合剂层(活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层等)进行热处理1分钟。然后，翻转切割模片接合膜，以使得切割模片接合膜在空中倒置(以将芯片放下)，并将具有模片接合膜的芯片通过自由降落剥离。测定此时的芯片(总片数：400)剥离率(％)，以评价拾取性。因此，当剥离率越接近于100％时，拾取性越好。
<污染性(低污染性或防污性)的评价方法>
将切割模片接合膜的隔离体在洁净室中剥离，并将所述片试件(sheet piece)通过模片接合膜(压敏粘合剂层)粘贴在4英寸镜面晶片上。使之在23℃下放置1小时后，将该样品使用商品名“UM-810”(由Nitto Seiki Co.，Ltd.制造)作为紫外线(UV)照射装置在300mJ/cm2的紫外线照射积分光量下进行紫外线照射(波长：365nm)。另外，将各切割模片接合膜放置在T0+20℃(实施例1至7及比较例1和2中为140℃)热盘上，以使得切割模片接合膜的基材与热盘表面接触1分钟，从而对切割模片接合膜的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层进行热处理。然后，将所述片试件在23℃下以12m/min的剥离速率和180°剥离角度剥离。借助于由KLA-Tencor Corporation生产的商品名“SFS-6200”计数镜面晶片上具有0.28μm以上尺寸的颗粒的数量，以评价污染性(低污染性或防污性)。因此，随着该值降低，防污性越好。
如表1所示，确认根据实施例1至7的切割模片接合膜的切割性和拾取性优良，能够牢固保持被粘物如半导体晶片，可良好地进行切割。另外，确认在通过用活性能量射线如紫外线照射进行活性能量射线固化后，被粘物如半导体芯片能够在加热下通过热膨胀以优异的低污染性(防污性)容易且良好地剥离和拾取。
尽管已经参考其具体实施方案详细地描述本发明，但在不超出本发明范围内可以进行各种改进和改变，对于本领域技术人员是显而易见的。
本申请基于2008年11月26日提交的日本专利申请2008-301559，在此将其全部内容引入以作参考。

Claims (5)

1.一种切割模片接合膜，其包括：
具有设置于基材上的压敏粘合剂层的切割膜；和
设置于所述压敏粘合剂层上的模片接合膜，
其中所述切割膜的压敏粘合剂层为包含发泡剂的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层，和
其中所述模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。
2.根据权利要求1所述的切割模片接合膜，其中所述发泡剂为热膨胀性微球。
3.根据权利要求1所述的切割模片接合膜，其中所述切割膜的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层由包含丙烯酸类聚合物A的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂形成，所述丙烯酸类聚合物A为具有以下组成的丙烯酸类聚合物：由包含50重量％以上的丙烯酸酯和10重量％至30重量％的含羟基单体且不包含含羧基单体的单体组合物组成的聚合物，与基于含羟基单体以50mol％至95mol％的量具有自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物加成反应，所述丙烯酸酯由CH2＝CHCOOR表示，其中R为具有6至10个碳原子的烷基；和
其中，所述切割膜的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层具有90重量％以上的在通过活性能量射线照射固化后的凝胶分数。
4.根据权利要求1所述的切割模片接合膜，其中所述切割膜的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层由以下活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂形成：包含能够形成具有5×104Pa至1×106Pa的在23℃至150℃温度范围内弹性模量的活性能量射线固化型压敏粘合剂层的活性能量射线固化型压敏粘合剂和发泡剂；和
其中所述模片接合膜具有1×105Pa至1×1010Pa的在T0至T0+20℃温度范围内的弹性模量，其中T0表示所述切割膜的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层的发泡起始温度。
5.一种用于生产半导体器件的方法，其包括使用根据权利要求1所述的切割模片接合膜。
CN2009102248443A 2008-11-26 2009-11-26 切割模片接合膜和生产半导体器件的方法 Expired - Fee Related CN101740353B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-301559 2008-11-26
JP2008301559A JP4810565B2 (ja) 2008-11-26 2008-11-26 ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101740353A true CN101740353A (zh) 2010-06-16
CN101740353B CN101740353B (zh) 2011-12-21

Family

ID=42196695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009102248443A Expired - Fee Related CN101740353B (zh) 2008-11-26 2009-11-26 切割模片接合膜和生产半导体器件的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20100129989A1 (zh)
JP (1) JP4810565B2 (zh)
KR (1) KR20100059736A (zh)
CN (1) CN101740353B (zh)
TW (1) TWI439529B (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102373022A (zh) * 2010-07-29 2012-03-14 日东电工株式会社 半导体背面用加热剥离片集成膜、半导体元件的收集方法和半导体器件的生产方法
CN102863921A (zh) * 2011-07-06 2013-01-09 日东电工株式会社 导电性粘合带
CN103531692A (zh) * 2012-06-29 2014-01-22 日东电工株式会社 覆盖有荧光体层的led、其制造方法以及led 装置
CN105647405A (zh) * 2014-11-27 2016-06-08 日东电工株式会社 导电性膜状胶粘剂、带膜状胶粘剂的切割带和半导体装置的制造方法
CN106057722A (zh) * 2010-07-20 2016-10-26 日东电工株式会社 倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜
CN106206375A (zh) * 2015-06-01 2016-12-07 日东电工株式会社 半导体背面用薄膜及其用途
CN107892882A (zh) * 2016-10-03 2018-04-10 日东电工株式会社 切割带一体型粘接片
CN108949051A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 日东电工株式会社 切割芯片接合薄膜
CN110205043A (zh) * 2019-06-21 2019-09-06 广东硕成科技有限公司 一种半导体材料加工用切割胶带及其制备方法
CN110938394A (zh) * 2019-12-17 2020-03-31 苏州赛伍应用技术股份有限公司 一种胶黏剂及其制备方法、由其制得的胶黏剂层以及热减粘胶带
CN111051453A (zh) * 2017-08-10 2020-04-21 株式会社寺冈制作所 粘接片

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010129699A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP4728380B2 (ja) * 2008-11-26 2011-07-20 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2010129700A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP5519971B2 (ja) * 2008-11-26 2014-06-11 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
KR101351622B1 (ko) * 2010-12-29 2014-01-15 제일모직주식회사 다이싱 다이 본딩 필름
JP2012172064A (ja) * 2011-02-22 2012-09-10 Nitto Denko Corp 紫外線硬化型光学樹脂接着剤組成物
JP5828706B2 (ja) * 2011-08-03 2015-12-09 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2014070191A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Fujifilm Corp 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法。
JP6059499B2 (ja) * 2012-10-05 2017-01-11 リンテック株式会社 表面保護シート
US9484260B2 (en) * 2012-11-07 2016-11-01 Semiconductor Components Industries, Llc Heated carrier substrate semiconductor die singulation method
US9136173B2 (en) * 2012-11-07 2015-09-15 Semiconductor Components Industries, Llc Singulation method for semiconductor die having a layer of material along one major surface
WO2014133073A1 (ja) * 2013-02-28 2014-09-04 住友ベークライト株式会社 ダイシングフィルム、半導体ウエハ用ダイシングフィルム、ダイシング用基体フィルム、及び半導体チップの製造方法
KR101709689B1 (ko) * 2013-12-19 2017-02-23 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름
JP5718515B1 (ja) * 2014-01-23 2015-05-13 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法
JP6310748B2 (ja) * 2014-03-31 2018-04-11 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
DE102015204698B4 (de) * 2015-03-16 2023-07-20 Disco Corporation Verfahren zum Teilen eines Wafers
WO2018181511A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 リンテック株式会社 粘着シートの剥離方法
WO2018181510A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 リンテック株式会社 粘着シート
US10373869B2 (en) 2017-05-24 2019-08-06 Semiconductor Components Industries, Llc Method of separating a back layer on a substrate using exposure to reduced temperature and related apparatus
JP7022570B2 (ja) * 2017-11-16 2022-02-18 リンテック株式会社 基材除去方法および基材除去装置、並びに、転写方法および転写装置
JP7067904B2 (ja) * 2017-11-16 2022-05-16 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP7174518B2 (ja) * 2017-11-16 2022-11-17 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
KR102403288B1 (ko) * 2018-12-04 2022-05-30 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 리플로 대응 다이싱 테이프
JP7251898B2 (ja) * 2018-12-06 2023-04-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7246825B2 (ja) * 2018-12-06 2023-03-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7340007B2 (ja) * 2019-03-15 2023-09-06 リンテック株式会社 保護膜形成用シートおよび基板装置の製造方法
FR3095771B1 (fr) * 2019-05-06 2021-06-04 Commissariat Energie Atomique Support sacrificiel en materiau polymere biodegradable pour decouper une piece au fil a abrasif
JP2021064627A (ja) * 2019-10-10 2021-04-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR102426905B1 (ko) * 2020-12-08 2022-08-01 (주)트러스 광경화형 점착제와 열발포제를 포함하는 재박리 가능한 점착제 및 이를 포함하는 재박리 가능한 점착테이프
KR102321518B1 (ko) * 2021-02-08 2021-11-04 (주)라이타이저 감광성 수지를 이용한 led칩 전사 장치
KR102596425B1 (ko) * 2021-10-19 2023-10-31 주식회사 켐코 마이크로 led 디스플레이용 자외선 경화성 조성물 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이용 점착필름.

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4961804A (en) * 1983-08-03 1990-10-09 Investment Holding Corporation Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers and dicing method employing same
JP2678655B2 (ja) * 1989-03-20 1997-11-17 日東電工株式会社 半導体チップ固着キャリヤの製造方法及びウエハ固定部材
JP2001226650A (ja) * 2000-02-16 2001-08-21 Nitto Denko Corp 放射線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法
JP2003089777A (ja) * 2001-09-19 2003-03-28 Nitto Denko Corp 熱剥離型ダイ接着用シート、およびチップ状ワーク切断片のキャリアへの固定方法
JP2005089660A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物
JP4275522B2 (ja) * 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
KR100773634B1 (ko) * 2006-10-26 2007-11-05 제일모직주식회사 아크릴 바인더 수지조성물를 포함하는 광경화형 점착조성물및 이를 이용한 점착테이프
JP2010053346A (ja) * 2008-07-31 2010-03-11 Nitto Denko Corp 再剥離型粘着剤及び再剥離型粘着シート

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106057722B (zh) * 2010-07-20 2019-03-08 日东电工株式会社 倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜
CN106057722A (zh) * 2010-07-20 2016-10-26 日东电工株式会社 倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜
US8652938B2 (en) 2010-07-29 2014-02-18 Nitto Denko Corporation Thermally releasable sheet-integrated film for semiconductor back surface, method of collecting semiconductor element, and method of producing semiconductor device
CN102373022B (zh) * 2010-07-29 2015-05-13 日东电工株式会社 半导体背面用加热剥离片集成膜、半导体元件的收集方法和半导体器件的生产方法
CN102373022A (zh) * 2010-07-29 2012-03-14 日东电工株式会社 半导体背面用加热剥离片集成膜、半导体元件的收集方法和半导体器件的生产方法
CN102863921A (zh) * 2011-07-06 2013-01-09 日东电工株式会社 导电性粘合带
CN103531692A (zh) * 2012-06-29 2014-01-22 日东电工株式会社 覆盖有荧光体层的led、其制造方法以及led 装置
CN105647405A (zh) * 2014-11-27 2016-06-08 日东电工株式会社 导电性膜状胶粘剂、带膜状胶粘剂的切割带和半导体装置的制造方法
CN106206375A (zh) * 2015-06-01 2016-12-07 日东电工株式会社 半导体背面用薄膜及其用途
CN106206375B (zh) * 2015-06-01 2021-07-02 日东电工株式会社 半导体背面用薄膜及其用途
CN107892882A (zh) * 2016-10-03 2018-04-10 日东电工株式会社 切割带一体型粘接片
CN107892882B (zh) * 2016-10-03 2021-08-31 日东电工株式会社 切割带一体型粘接片
CN108949051A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 日东电工株式会社 切割芯片接合薄膜
CN108949051B (zh) * 2017-05-19 2022-03-22 日东电工株式会社 切割芯片接合薄膜
CN111051453A (zh) * 2017-08-10 2020-04-21 株式会社寺冈制作所 粘接片
US11781042B2 (en) 2017-08-10 2023-10-10 Teraoka Seisakusho Co., Ltd. Adhesive sheet
CN110205043A (zh) * 2019-06-21 2019-09-06 广东硕成科技有限公司 一种半导体材料加工用切割胶带及其制备方法
CN110205043B (zh) * 2019-06-21 2021-07-16 广东硕成科技有限公司 一种半导体材料加工用切割胶带及其制备方法
CN110938394A (zh) * 2019-12-17 2020-03-31 苏州赛伍应用技术股份有限公司 一种胶黏剂及其制备方法、由其制得的胶黏剂层以及热减粘胶带
CN110938394B (zh) * 2019-12-17 2021-08-10 苏州赛伍应用技术股份有限公司 一种胶黏剂及其制备方法、由其制得的胶黏剂层以及热减粘胶带

Also Published As

Publication number Publication date
TWI439529B (zh) 2014-06-01
TW201028455A (en) 2010-08-01
CN101740353B (zh) 2011-12-21
JP4810565B2 (ja) 2011-11-09
US20100129989A1 (en) 2010-05-27
JP2010129701A (ja) 2010-06-10
KR20100059736A (ko) 2010-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101740353B (zh) 切割模片接合膜和生产半导体器件的方法
CN101740352B (zh) 切割模片接合膜和生产半导体器件的工艺
CN101740351B (zh) 切割模片接合膜以及半导体器件的生产方法
CN102222634B (zh) 半导体背面用切割带集成膜
CN102373022B (zh) 半导体背面用加热剥离片集成膜、半导体元件的收集方法和半导体器件的生产方法
CN101661909B (zh) 热固化型芯片接合薄膜
CN101515564B (zh) 具备切割膜和芯片焊接膜的膜
CN102190975B (zh) 芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置
CN101645427B (zh) 切割/芯片接合薄膜
CN103140917B (zh) 切割/芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法
CN101855710B (zh) 切割/芯片接合薄膜
CN102399505B (zh) 切割/芯片接合薄膜
CN102002323B (zh) 带有切割片的胶粘薄膜及其制造方法
CN103081069B (zh) 半导体装置用薄膜以及半导体装置
CN102227482B (zh) 半导体装置制造用薄膜卷
CN102190973A (zh) 半导体装置制造用薄膜及半导体装置的制造方法
CN102220092A (zh) 半导体背面用切割带集成膜
CN101645426A (zh) 切割/芯片接合薄膜
CN101857778A (zh) 热固型芯片接合薄膜
TW201923868A (zh) 黏晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置製造方法
EP3187561B1 (en) Sealing sheet with a separator and production method for semiconductor device
JP5893250B2 (ja) チップ用保護膜形成用シート、半導体チップの製造方法および半導体装置
CN104946146A (zh) 芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法
JP2002249738A (ja) 剥離ライナー付き加熱接着シート
KR20120065892A (ko) 반도체용 접착 필름

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20111221

Termination date: 20171126

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee