CN101685826B - 一种具有二极管驱动器的存储阵列及其制造方法 - Google Patents

一种具有二极管驱动器的存储阵列及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101685826B
CN101685826B CN2009101302991A CN200910130299A CN101685826B CN 101685826 B CN101685826 B CN 101685826B CN 2009101302991 A CN2009101302991 A CN 2009101302991A CN 200910130299 A CN200910130299 A CN 200910130299A CN 101685826 B CN101685826 B CN 101685826B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
diode
storage medium
interlayer hole
contact surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2009101302991A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101685826A (zh
Inventor
龙翔澜
杨明
汤玛斯D·汉普
毕平·拉詹德南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qimonda AG
Macronix International Co Ltd
International Business Machines Corp
Original Assignee
Qimonda AG
Macronix International Co Ltd
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qimonda AG, Macronix International Co Ltd, International Business Machines Corp filed Critical Qimonda AG
Publication of CN101685826A publication Critical patent/CN101685826A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101685826B publication Critical patent/CN101685826B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices

Abstract

本发明公开了一种具有二极管驱动器的存储阵列及其制造方法。该制造方法是由一结构开始，一般包含介电填充材料，并具有导线形成在其较低的部位上，以及一牺牲层形成于其上表面之上。在该填充材料中形成二极管，每一二极管具有与该导线相同导电类型的一轻掺杂第一材料层；一相反导电类型的一重掺杂第二材料层；以及一导电覆盖层。在该二极管上形成自动对准介层孔。在该自动对准介层孔内的自动对准及自我置中间隔物定义孔洞且露出该导电覆盖层。沉积存储材料至该孔洞，使该存储材料与该导电覆盖层相接触。在该存储材料的上部位形成一顶电极。

Description

一种具有二极管驱动器的存储阵列及其制造方法
技术领域
本发明是有关于使用相变化存储材料，像是硫属化物与其它可编程电阻材料的高密度存储装置，以及制造此类装置的制造方法。
背景技术
可编程电阻材料，包含以相变化为基础材料，已经运用于非易失随机存取存储单元中。相变化材料，诸如硫属化物材料等，可施加适当的电流以在结晶态与非晶态之间转换相态而应用于集成电路之中。大致为非晶态者较大致为结晶态者具有较高的电阻率，由此即可感知数据。
相变化材料可在存储单元的主动区域中，于大致为结晶固态相的第一结构与大致为非晶固态相的第二结构之间进行转换。『非晶』是指相较于单晶而言，较无固定晶向的结构，例如较结晶相具有更高的电阻率等特性。『结晶』则指相对于非晶结构而言，较有固定晶向的结构，例如较非晶相具有更低的电阻率等特性。通常而言，可于完全非晶态与完全结晶态之间，利用电流变换相变化材料的相态。非晶态与结晶态转换所影响的其它材料性质，包括原子排列、自由电子密度、与活化能。此种材料可转换为两种相异的固态相，亦可转换为两种固态相的组合，故可于完整非晶相与完整结晶相之间，形成灰阶地带，材料的电性亦将随之转换。
非晶态转换至结晶态的过程，通常采用较低的操作电压，其电流需足以将相变化材料的温度提升至相变化温度与熔点之间。由结晶态转换为非晶态的过程，则通常需要较高的操作电压；此后称此过程为『复位』(reset)。因为此一过程需要一短时间且高密度的电流脉冲，以熔化或破坏结晶结构，随后快速冷却相变化材料，经淬火处理，将至少一部分的相变化结构稳定为非晶态。此一过程，通过复位电流将相变化材料由结晶态转变为非晶态，而吾人希望尽量降低复位电流的强度。为降低复位电流的强度，可降低存储单元中主动区域的大小。降低主动区域大小的技术，包含降低电极与相变化材料的接触区域面积，因此可在主动区域中获得较高的电流密度，而以较小的电流绝对值通过相变化材料元件。
此领域发展的一种方法是致力于在一集成电路结构上形成微小孔洞，并使用微量可编程的电阻材料填充这些微小孔洞。致力于此等微小孔洞的专利包括：于1997年11月11日公告的美国专利第5,687,112号“MultibitSingle Cell Memory Element Having Tapered Contact”、发明人为Ovshinky；于1998年8月4日公告的美国专利第5,789,277号“Method of MakingChalogenide[sic]Memory Device”、发明人为Zahorik等；于2000年11月21日公告的美国专利第6,150,253号“Controllable Ovonic Phase-ChangeSemiconductor Memory Device and Methods of Fabricating the Same”、发明人为Doan等。
另一种发展中的存储单元结构，亦称为伞状结构，其是因为其典型结构中底部电极上的主动区域的形状而得名。该种结构是形成小电极区域，使之与较大区域的相变化材料接触，同时通常利用较大的电极与相变化材料的另一面接触。电流由小接触区域流向大接触区域者，可用作存储单元的读取、设定、与复位操作。小电极区域可将电流密度集中于接触点上，因此相变化材料中的主动区域可限制在接近于接触点的小区域中。举例而言，参见Ann et al.，“Highly reliable 50nm contact cell technology for 256MbPRAM”，VLSI Technology 2005 Digest of Technical Papers，第98-99页，2005年6月4日；Denison，国际公开号WO2004/055916A2“Phase ChangeMemory and Method Therefore”，公开日期2004年7月1日；以及Song etal.，美国专利申请公开号US 2005/0263829A1，“Semiconductor DevicesHaving Phase Change Memory Cells，Electronic Systems Employing the Sameand Methods of Fabricating the Same”，公开日期2005年12月1日。
在制造非常小尺寸的结构上的另一问题是对准方面。当该结构是使用分离的光刻工艺来制造，该结构的尺寸或至少对他们之一，必须足够大的以允许在光刻工艺上对准方面的容忍度。然而这些需求会限制该存储单元在设计上的弹性，以及造成该存储单元在效能上有差异。
以相变化材料为基础的一种自动对准非易失存储装置，请参见于2003年06月17日申请的美国专利第6,579,760号“Self-Aligned ProgrammablePhase Change Memory”、发明人为Hsiang-Lan Lung。该存储结构可在一集成电路上一非常小块的区域上制造。举例来说，在该存储阵列中每一存储单元所需的面积约为4F2，其中F等于在该工艺中的最小线宽。因此若工艺具有0.1微米的最小线宽，则该存储单元面积约为0.04微米平方。
存储单元包含二极管存取装置及一相变化材料层所形成的一材料叠层，是被定义在位线和字线之间，并在自动对准工艺中具有由该位线及字线的线宽所定义的尺寸。然而该字线及位线的该尺寸仍相当的大，例如当跟一孔洞型存储单元中一孔洞的大小比较时。因此，需要提供一种高密度阵列技术并使用自动对准技术，以提供非常小孔洞的形成。
因此，需要提供一种用来制造具有自动对准及自动收敛来控制该孔洞存储单元的该临界尺寸的存储单元结构的方法，而该存储单元可与高密度集成电路存储装置相互搭配。
发明内容
本发明公开一种存储阵列，包含：一结构包括介电填充材料并具有导线在其一较低部位上，在一实施例中是安置如字线。在该结构中，多个介层孔是位在对应该导线上。一孔洞型存储元件形成于每一介层孔内并包含一二极管耦接于一对应的导线在该衬底中，且存储材料是与该二极管上的一接点表面所接触。举例来说，每一二极管具有一第一导电类型的一第一半导体层，一第二导电类型的一第二半导体层，及一导电覆盖层，其中该二极管并无完全地填充该介层孔。一孔洞位于该每一介层孔内，而该介层孔是由一位于该介层孔的内侧壁的间隔物所定义，该间隔物在该介层孔的置中定义出一自我置中开口且露出该二极管的该接点表面。位在该介层孔中央的该自我置中开口内的存储材料与该导电覆盖层相接触。可选择地，多条位线覆盖于该顶电极且连接该存储单元至该阵列的行上。替代地，该顶电极包含该位线本身的部位，在该阵列中沿着一行方向，与该介层孔内的存储材料相接触。
本发明公开一种用来制造一存储阵列的方法，该方法基本上包含以下步骤：
提供一结构包含介电填充材料并在其一较低部位上具有导线；
形成多个二极管于该介电填充材料并耦接至该结构中对应的导线，而自动对准介层孔于该二极管之上；
形成多个间隔物位于该介层孔的内侧壁，每一间隔物在该介层孔的置中定义出一自我置中开口且露出该二极管；
沉积存储材料以填充该自我置中开口，使其与该二极管相接触；
形成一顶电极与该存储材料相接触。
本发明公开一结构，一般包含介电填充材料，并在其较低的部位上具有导线，以及一牺牲层形成于其上表面之上。硅栓塞形成在该结构中。首先，由该栓塞移除硅至一深度，举例来说，移至大约该结构的一半厚度，因此形成一凹部。然后在该硅栓塞中形成二极管，每一二极管具有与该导线相同导电类型的一轻掺杂第一材料层；一相反导电类型的一重掺杂第二材料层；以及一导电覆盖层。通过刻蚀介电材料来下切该牺牲层的一刻蚀步骤来扩大该凹部的体积。沉积一填充层至该下切的凹部，因此在其中新形成一空孔。刻蚀该填充层而穿透该空孔并在该导电覆盖层旁的该凹部内以定义出自动对准间隔物。继续刻蚀以露出在该间隔物置中的该导电覆盖层。沉积存储材料以填充该凹部，使该存储材料与该导电覆盖层相接触。最后，在该存储材料的上部位形成一顶电极。
在其它实施例中，使用掺杂的半导体层沉积而不是注入一半导体栓塞来形成该二极管。
举凡本发明的目的及优点等将可透过下列说明所附图式获得充分了解。
附图说明
图1是本发明的一存储阵列的一方块图。
图2是本发明的一存储阵列的概要图。
图3是本发明的一存储阵列。
图4a至图4h绘示图3存储阵列工艺的一实施例。
图5绘示图3存储阵列工艺的另一实施例。
【主要元件符号说明】
10集成电路
11存储阵列
12字线(或列)译码器
13、34、35字线
14位线(或行)译码器及驱动器
15、36、37位线
16总线
17感测放大器/数据输入结构
18数据总线
19数据输入线
20其它电路
21数据输出线
22控制器
23偏压调整状态机构
24、25、26、27存取二极管
28、29、30、31相变化元件
100阵列
102导电层
103导线
104介电填充材料
105存储元件
106轻掺杂N型材料层(N-层)
108重掺杂P型材料层(P+层)
110导电覆盖层
112间隔物
114存储材料层
116顶电极
118牺牲层
120介层孔
121硅栓塞
122浅沟道隔离结构
123空孔
124填充材料
126位线
128凹部
226突出
316位线
具体实施方式
本发明的下述实施方式一般将参照特定结构实施例及方法。将为吾人所了解的本发明创作并未受限于其详细描述内容特别是对于所接露的实施例及方法，同时本发明亦可使用其它特征、元件、方法、和实施例来实施。本发明所述的较佳实施例并不局限其范围，而由权利要求范围中定义。熟习此项技艺的人士亦可了解本发明实施方式中的各种等同变化。像是在各实施例中所使用的元件是共同地参考类似的元件编号。
在此所使用的方位描述，以「上」、「下」、「左」、「右」描述并以各图式中个别的结构作为参照。相似地，「厚度」是指垂直尺寸，而「宽度」是指水平尺寸。而这些方向在电路操作或其它相关的方位上并无限制，如同熟习本项技艺的人士所知晓。
后续的发明说明将参照至图1至图5。
请参照图1，其是显示依据本发明一实施例的一集成电路10的简化方块图。该集成电路10包括一存储阵列11，其是使用了自我置中孔洞相变化存储单元。该存储单元被安置于具有柱状二极管存取装置以及在该二极管上具有填充存储材料自动对准孔洞的一交点阵列上。一字线(或列)译码器12具有读取、设置、复位模式是耦接至在该存储阵列中11沿着列安置的多个字线13。一位线(或行)译码器及驱动器14是耦接至在该存储阵列中11沿着行安置的多个位线15，以读取、设置、复位至存储阵列11中的该相变化存储单元。地址是经由一总线16而提供至一字线译码器及驱动器12与一位线译码器14。在方块17中的感测放大器与数据输入结构，包含该读取、设置、复位模式的电流源，是经由一数据总线18而耦接至位线译码器14。数据是从集成电路10的输入/输出端、或集成电路内部与外部的其它数据来源，而经由数据输入线19以将数据传输至方块17中的数据输入结构。在所述实施例中，其它电路20是包括于此集成电路10中，例如一泛用目的处理器或特定目的应用电路、或可提供单芯片系统功能的模块组合其是由系统于单芯片的存储阵列所支持。数据是从方块17中的感测放大器、经由数据输出线21、而传输至集成电路10的输入/输出端或其它位于集成电路10内部或外部的数据目的地。
在本实施例中所使用的控制器，使用了偏压调整状态机构22，并控制了偏压调整供应电压及电流源23的应用，例如读取、编程、擦除、擦除确认与编程确认电压或用以该字线及位线的电流，及使用一存取控制流程来控制该字线/源极线操作。该控制器22可利用特殊目的逻辑电路而应用，如熟习该项技艺者所熟知。在替代实施例中，控制器22包括了通用目的处理器，其可使于同一集成电路，以执行一计算机程序而控制装置的操作。在又一实施例中，控制器22是由特殊目的逻辑电路与通用目的处理器组合而成。
如图2所示，阵列11的每个存储单元包括了一个存取二极管。四个存取二极管是以标号24、25、26、27显示的，而四个相变化元件是以标号28、29、30、31显示的。多条字线13(包括字线34与35)是沿着第一方向平行地延伸。字线34、35是与字线译码器12进行电性沟通。该二极管24、26的阴极(或可替代地使用阳极)是连接至一共同字线(例如字线34)，而二极管25、27的阴极(或可替代地使用阳极)是连接至一共同字线35。多条位线15(包括位线36、37)中，位线36是连接到相变化元件28、29的一端。特别地，相变化元件28是连接于二极管24的阳极与位线36之间，而相变化元件29是连接于二极管24的阳极与位线36之间。相似地，相变化元件30是连接于二极管26的阳极与位线37之间，而相变化元件37是连接于二极管27的阳极与位线37之间。需要注意的是，在图中为了方便起见，仅绘示四个存储单元，在实际应用中，阵列11可包括上千个至上百万个此种存储单元。同时，亦可使用其它阵列结构，例如将相变化存储元件连接到源极。
该存储单元的实施例，包括相变化存储材料，包含硫属化物材料与其它材料。硫属化物包括下列四元素的任一个：氧(O)、硫(S)、硒(Se)、以及碲(Te)，形成元素周期表上第VIA族的部分。硫属化物包括将一硫属元素与一更为正电性的元素或自由基结合而得。硫属化合物合金包括将硫属化合物与其它物质如过渡金属等结合。一硫属化合物合金通常包括一个以上选自元素周期表第IVA族的元素，例如锗(Ge)以及锡(Sn)。通常，硫属化合物合金包括下列元素中一个以上的复合物：锑(Sb)、镓(Ga)、铟(In)、以及银(Ag)。许多以相变化为基础的存储材料已经被描述于技术文件中，包括下列合金：镓/锑、铟/锑、铟/硒、锑/碲、锗/碲、锗/锑/碲、铟/锑/碲、镓/硒/碲、锡/锑/碲、铟/锑/锗、银/铟/锑/碲、锗/锡/锑/碲、锗/锑/硒/碲、以及碲/锗/锑/硫。在锗/锑/碲合金家族中，可以尝试大范围的合金成分。此成分可以下列特征式表示：TeaGebSb100-(a+b)，其中a与b代表了所组成元素的原子总数为100％时，各原子的百分比。
一位研究员描述了最有用的合金为，在沉积材料中所包含的平均碲浓度远低于70％，典型地低于60％，并在一般型态合金中的碲含量范围从最低23％至最高58％，且最佳是介于48％至58％的碲含量。锗的浓度高于约5％，且其在材料中的平均范围是从最低8％至最高30％，一般是低于50％。最佳地，锗的浓度范围是介于8％至40％。在此成分中所剩下的主要成分则为锑。(Ovshinky‘112专利，栏10～11)由另一研究者所评估的特殊合金包括Ge2Sb2Te5、GeSb2Te4、以及GeSb4Te7。(Noboru Yamada，”Potentialof Ge-Sb-Te Phase-change Optical Disks for High-Data-Rate Recording”，SPIE v.3109，pp.28-37(1997))更一般地，过渡金属如铬(Cr)、铁(Fe)、镍(Ni)、铌(Nb)、钯(Pd)、铂(Pt)、以及上述的混合物或合金，可与锗/锑/碲结合以形成一相变化合金其包括有可编程的电阻性质。可使用的存储材料的特殊范例，是如Ovshinsky‘112专利中栏11-13所述，其范例在此被列入参考。
相变化合金能在此单元主动通道区域内依其位置顺序于材料为一般非晶状态的第一结构状态与为一般结晶固体状态的第二结构状态之间切换。这些材料至少为双稳定态。此词汇「非晶」是用以指称一相对较无次序的结构，其较之一单晶更无次序性，而带有可检测的特征如较之结晶态更高的电阻值。此词汇「结晶态」是用以指称一相对较有次序的结构，其较之非晶态更有次序，因此包括有可检测的特征例如比非晶态更低的电阻值。典型地，相变化材料可电切换至完全结晶态与完全非晶态之间所有可检测的不同状态。其它受到非晶态与结晶态的改变而影响的材料特中包括：原子次序、自由电子密度、以及活化能。此材料可切换成为不同的固态、或可切换成为由两种以上固态所形成的混合物，提供从非晶态至结晶态之间的灰阶部分。此材料中的电性质亦可能随之改变。
相变化合金可通过施加一电脉冲而从一种相态切换至另一相态。先前观察指出，一较短、较大幅度的脉冲倾向于将相转换材料的相态改变成大体为非晶态。一较长、较低幅度的脉冲倾向于将相转换材料的相态改变成大体为结晶态。在较短、较大幅度脉冲中的能量，够大因此足以破坏结晶结构的键能，同时时间够短，因此可以防止原子再次排列成结晶态。合适的曲线是取决于经验或模拟，特别是针对一特定的相变化合金。在本文中所公开的该相变化材料并通常被称为GST，可理解的是亦可以使用其它类型的相变化材料。在本发明中用来所实施的相变化只读存储器(PCRAM)是Ge2Sb2Te5。
代表的硫属化物材料可整理如下：GexSbyTez，其中x∶y∶z＝2∶2∶5。其它成分为x：0～5；y：0～5；z：0～10。
在掺杂方面，以二氧化硅、氮、硅、钛或其它元素掺杂的GeSbTe亦可被使用。
硫属化物及其它相变化材料掺杂杂质来修饰导电性、转换温度、熔点及使用在掺杂硫属化物存储元件的其它特性。使用在掺杂硫属化物代表性的杂质包含氮、硅、氧、二氧化硅、氮化硅、铜、银、金、铝、氧化铝、钽、氧化钽、氮化钽、钛、氧化钛。可参见美国专利第6,800,504号专利及美国专利申请号第2005/0029502号专利。
可以利用PVD溅射或磁控(Magnetron)溅射方式，其反应气体为氩气、氮气、及/或氦气、压力为1mTorr至100mTorr。此沉积步骤一般是于室温下进行。一长宽比为1～5的准直器(collimater)可用以改良其注入表现。为了改善其注入表现，亦可使用数十至数百伏特的直流偏压。另一方面，同时合并使用直流偏压以及准直器亦是可行的。
有时需要在真空中或氮气环境中进行一沉积后退火处理，以改良硫属化物材料的结晶态。此退火处理的温度典型地是介于100℃至400℃，而退火时间则少于30分钟。
该硫属化物材料的厚度取决于该存储单元结构的设计。一般来说，一硫属化物材料具有高于8nm的厚度可具有一相变化特性，使得该材料具有至少两种稳定电阻状态。可预期的是某些材料亦适于更小的厚度。
依据本发明的一实施例的一存储阵列可参见于图3。需注意的是该图绘示一阵列中的两个邻接元件，而图标中并没有这些元件需要连接至其它电路的该等元件，也没有显示其可以嵌入的半导体芯片。熟习本项技艺的人士将会了解该阵列可放大至数以亿计或更多的元件，就如同实际所绘示，该字线、该位线及相关装置全是依据传统或在本项现有技艺的技术内。
该阵列100包含一导电层102，而在该图式的上部位绘示可分为作为本实施例中字线的导线103。在其它实施例中可安置该阵列使得该导线作为位线。在下述中所讨论，两个存储元件105由上方的该对应导线开始延伸并位在介层孔内且由介电填充材料104所围绕。每一存储元件105连续地由下至上包含该导电层102、一轻掺杂N型材料层(N-层)106、一重掺杂P型材料层(P+层)108、一导电覆盖层110、间隔物112、一存储材料层114、一顶电极116及一位线316。在本存储阵列中，该导电层102在一平行的方向延伸至该字线，下述的该字线方向是指一方向平行延伸于本图式的平面。然而垂直于该字线方向(图式平面)的该方向是位线方向。该阵列及个别存储元件相关尺寸及材料将于下方的工艺中讨论。导电覆盖层110是由一金属硅化物所形成，在一实施例中包含硅化钛其它的亦可包含钨、钴、镍、钽硅化物，选自这些邻接材料相容的材料。该导电覆盖层借着提供比起在该二极管内该半导体材料来得更具导电性的一接点表面，来帮助维持影响该存储材料层的该电场的一致性。
必须注意的是该N-层及P+层定义一二极管，而其作为一存取装置以驱动该存储单元。美国专利申请号第11/736,440号以”4F2 Self align sidewall active phase change memory”为题，以及第11/777,392号以”4F2Selfalign fin bottom electrode FET drive phase change memory”为题，均为本案申请人所拥有，其公开并要求保护相变化存储单元阵列，但此二件申请案及其它装置使用晶体管做该存取装置。在此，二极管驱动器及该自动对准工艺的结合降低了使用额外的掩模的需求因而简化制造步骤的。对完全自动对准的工艺亦减低了该阵列在对准上的需求因而增加该阵列的密度。该存储单元的所得阵列是一无接点电极阵列，是指其排除了额外光刻步骤的需要，以产生对该存取晶体管的漏极终端的额外的接点。对于额外接点需求上的排除可帮助缩小整个存储单元的大小。而在大小上的降低更包含了该驱动器元件是采用一垂直二极管而非一晶体管方面。
上述该二极管位于该存储材料层114，而在绘示实施例中是由上述所公开的一硫属化物所形成。间隔物112是由一绝缘材料所形成，像是氮化硅，留下该存储材料一相对上比较小的剖面部位并与该导电覆盖层110接触。这样的设计集中电流在该存储材料的一相对地较小的部位，通过焦耳热而产生一快速温度的上升，更产生一快速相变化。一电极116及位线316接触该存储元件。
图4a至图4h绘示图3的工艺实施例。本工艺由形成一结构101所开始，如图4a绘示。图4a包含该结构的顶剖面视图及前剖面视图，分别沿着A-A平面及B-B平面。必须注意的是该顶视图(前剖面视图，即B-B平面)为了清晰的目的并未显示该介电填充材料104。该字线的方向是左右方向，平行于该图式纸张方向，而该位线方向是垂直于该前视及上下方向，亦即在顶视时，平行于该图式纸张。
如图中所示，该结构的最下层是一导电层102。该层是被一在该字线方向并向上延伸该结构深度的浅沟道隔离结构(STI)122所一分为二，使得该导电层被分为导电字线103。该浅沟道是由现有技艺的图案化刻蚀工艺所形成，并以介电填充材料来填充，像是二氧化硅。介层孔120形成于该结构由该导线完全地延伸至于该结构，一般为圆形，如先前技艺中所实施的方式。而在该介层孔120的较佳宽度或直径是接近该所使用工艺的最小特征尺寸，一般是一最小光刻特征尺寸来产生该开口。再使用一般光刻技术上该介层孔120的宽度或直径可约为90nm，一般约有5％-10％的误差也大概就是4.5nm至9nm。
这些介层孔以硅来填充并以合适的沉积技术或在位成长技术来形成硅栓塞121。在该结构顶部位形成一牺牲层118，较佳地以氮化硅或类似材料来形成。该牺牲层材料是特别的选自对该等材料及该介电填充材料选择性刻蚀能力。
图4b至图4h着重于单一存储元件并清楚地绘示该工艺步骤。可理解的是这些步骤对于在该阵列中所有的元件执行相同作用。
一开始请参见图4b，回刻蚀该硅栓塞121，留下一凹部128延伸至，像是在该介层孔约一半位置，或者是一般来说会更深，至足以支持下述工艺的一深度。在此步骤可以使用任何较佳地移除硅而不移除氮化硅或该介电填充材料的刻蚀化学方法。接着进行硅栓塞工艺以形成一二极管，如图4c所绘示，通过该离子杂质的注入来形成一N-层106及一P+层108。该二极管在厚度上可为200nm位于该导线上方。通过一硅化物工艺来形成该导电覆盖层110，且可为约20nm厚。在本发明所使用的该厚度尺寸是指图4b的垂直方向，由该导电层至该存储单元的上方边缘，反之亦然。
在本工艺另一实施例，该二极管是借着沉积合适的掺杂多晶硅层在一连续层形成该N-层及P+层。举例来说，在一工艺中，使用一化学气相沉积工艺来沉积一第一掺杂多晶硅层，接着通过一回刻蚀工艺来刻蚀至该介层孔内一选定的深度，接着使用一化学气相沉积工艺来沉积一第二掺杂多晶硅层。再通过一回刻蚀工艺来刻蚀至该介层孔内一第二深度。
接下来，靠着下切工艺位于该牺牲层下方的该介电填充材料来挖大该凹部128，如图4d所示，像是使用稀释的氢氟酸溶液慢慢地移除该介电填充材料的二氧化硅，而留下氮化硅牺牲层118。在此操作中是使用一等向刻蚀剂较佳地刻蚀该介电填充材料的氧化物，由该氮化硅层的边缘回切可得该凹部的该侧壁119。请参见本案申请人所申请的美国专利申请案第11/855,979号专利”Phase Change Memory Cell in Vai Array withSelf-Aligned，Self-Converged Bottom Electrode and method forManufacturing”，申请日2007年9月14日。
该下切(undercutting)工艺是于该起始部位以形成一『主洞』(keyhole)结构，请参见图4e。该结构是由一填充材料124(像是非晶硅或其它材料)的化学气相沉积造成，在该上开口及该下开口区间的侧壁上以实质相同的速率使用可成长该硅层的一工艺，而产生一空孔(void)123，在内部被填充之前该开口顶部关闭时。被选来作为刻蚀化学以及在高比例介层孔内具有成长固定层能力的其它材料亦可用做该填充材料124。依据所使用的材料和沉积位置，像是原子层沉积、物理气相沉积、低压化学气相沉积(LPCVD)或高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)工艺亦可以用来沉积该填充材料124。
该填充沉积步骤在该填充材料124内产生一自动对准空孔123。该空孔123的侧面尺寸或宽度主要是由该牺牲层118的突出尺寸以及在该下开口和上开口区间内沉积率的变异所控制，并不受到形成该开口的光刻工艺影响。
该空孔123加速该多余的硅层后续的刻蚀以形成氮化硅间隔物112，如图4f所示。一非等向性刻蚀工艺较佳地刻蚀硅至完全地移除该多余的硅层，而留下该间隔物112。该空孔123允许穿透渗入该硅层中间，以产生该间隔物112而不是一般传统刻蚀工艺中所形成的阶层结构。形成该空孔123的工艺会产生被该间隔物112所定义的开口的自我置中及自动对准。必须注意的是在本发明工艺中导致在该空孔123的位置上会有较小的变异程度是源自于该工艺自动对准的本质。这也可以发现在存储单元与存储单元之间，对于该空孔123宽度在位置上变异小于该介层孔120宽度的变异。
图4g绘示一实施例是存储材料114、及该顶电极116的沉积以形成存储元件115，而该顶电极116是填充该存储材料114的一凹部。而图3是绘示该顶电极116的另外一种配置方式。必须注意的是比起该导电覆盖层110及该顶电极116的大小，该间隔物112在该存储材料114的底部提供一相对地较小的接触区域。在尺寸上的差异使得集中电流在位于间隔物间该存储材料的该部位，而其交替地增加该材料的相变化或电阻变化。在沉积工艺上可使用传统的化学气相沉积或物理气相沉积步骤。在沉积工艺之后接下来使用一化学机械抛光法，来平面化该存储材料114，如图3所示。如图3所示，在平面化该存储材料之后，沉积一顶电极材料及一位线材料并图案化以形成位线。替代地，例如当使用物理气相沉积来沉积该存储材料114，会形成一酒杯型存储元件，如图4g所示。接着，形成该顶电极116，填充在该酒杯型存储材料的凹部。平面化该所得结构的该上表面。在所述的实施例中该顶电极材料是氮化钛，而其它实施例亦可使用其它类似材料，像是氮化钽。替代地，该顶电极层可为氮化钛铝或氮化钽铝，或其可包含一种或更多材料是选自于：钛、钨、钼、铝、钽、铜、铂、铱、镧、镍、钌及其合金。
最后，在图4h，通过沉积及图案化步骤来形成位线126以提供该结构顶部的一系列连结，并垂直于该字线。形成该位线可以采用各种可用于该电路的金属材料，像是铜或铝。一类似位线结构如图3所示。
该工艺最后一步骤的一替代实施例，如图5所示。本工艺是由上述沉积该存储材料114之后的工艺所分出。而不是形成一分离的顶电极，而实施一化学机械抛光平坦化至该元件的该顶表面且较佳地实施一刻蚀步骤以回刻蚀在该介层孔上部位的该存储材料。接着，在该存储单元的顶部位沉积该位线126。在该沉积步骤时，该位线与该存储材料直接接触并具有一突出226延伸至在回刻蚀之后剩下的该顶表面上的任何凹部。
本发明已参照特定示范实施例来加以描述。所做各种的修饰、替代、及改变均不脱离本发明的精神范畴。因此，所有此等替换方式及修改样式亦落在本发明于随附权利要求范围及其均等物所界定的范畴之中。
上述中涵盖的任何及所有专利、专利申请及纸本文件均引用作为参考文献。

Claims (16)

1.一种存储阵列，其特征在于，包含：
一结构包含介电填充材料并在其下部具有导线；
多个二极管，在该多个二极管中每一二极管具有一第一导电类型的一第一半导体层，耦接至在该结构中的一对应的导线，一第二导电类型的一第二半导体层，以及该第二半导体层上的一接点表面；
介层孔位于该介电填充材料内，并对准及覆盖于该多个二极管中的部分二极管之上；
间隔物位于该介层孔的内侧壁并与部分的二极管相接触，每一间隔物在该介层孔的置中定义出一自我置中开口且露出该部分二极管的该接点表面；
存储材料位于该自我置中开口内并在该部分二极管的该接点表面上方，该存储材料与该接点表面接触；以及
一顶电极与该存储材料相接触。
2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，该存储材料与该接点表面接触的部位小于该存储材料与该顶电极接触的部位的剖面面积。
3.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，该二极管厚度为200nm。
4.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，该第一导电类型是n型。
5.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，该第一导电类型是P型。
6.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，该二极管包含一导电覆盖材料层于该第二半导体层之上，以及该接点表面位于该导电覆盖材料层。
7.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，该二极管包含一金属硅化物层位于该第二半导体层之上，以及该接点表面位于该金属硅化物层。
8.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，该自我置中开口宽度在位置上的变异小于该介层孔宽度的变异。
9.一种用来制造一存储阵列的方法，其特征在于，该方法包含：
提供一结构包含介电填充材料并在其下部具有导线；
形成多个二极管，在该多个二极管中每一二极管具有一第一导电类型的一第一半导体层，耦接至在该结构中一对应的导线，一第二导电类型的一第二半导体层，以及该第二半导体层上的一接点表面；
形成介层孔位于该介电填充材料内，并对准及覆盖于该多个二极管的部分二极管；
形成间隔物位于该介层孔的内侧壁并与部分二极管相接触，每一间隔物在该介层孔的置中定义出一自我置中开口且露出该部分二极管的该接点表面；
沉积存储材料位于该自我置中开口内并在该部分二极管的该接点表面上方，该存储材料与该接点表面接触；以及
形成一顶电极与该存储材料相接触。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该形成该多个二极管于该介层孔内包含：
在该介电填充材料内形成开口，并露出在该结构中对应的导线；
以半导体材料部分地填充该开口，留下该介层孔；
注入掺杂物于该半导体材料内以定义一第一导电类型的一第一层以及一第二导电类型的一第二层；
形成多个导电覆盖于该半导体材料之上，而该接点表面是位在该导电覆盖。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，该部分地填充步骤包含沉积半导体材料于该开口之内，并回刻蚀所沉积在所述开口之内的半导体材料。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该形成该多个二极管于该介层孔内包含：
在该介电填充材料内形成开口，并露出在该结构中对应的导线；
沉积一第一半导体材料层于具有一第一导电类型的该开口，回刻蚀该第一半导体材料层于该开口内，沉积一第二半导体材料层于具有一第二导电类型的该开口，回刻蚀该第二半导体材料层于该开口内；
形成多个导电覆盖于该第二半导体材料层之上，而该接点表面是位在该导电覆盖。
13.根据权利要求10或12所述的方法，其特征在于，该导电覆盖包含金属硅化物层。
14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该形成多个间隔物包含提供一牺牲层于该介电填充材料之上；以及在形成该二极管之后选择性刻蚀该介电填充材料以形成由该牺牲层至该开口的突出；以一填充材料填充该开口当形成该开口内形成置中空孔时；非等向刻蚀该填充材料以形成该间隔物。
15.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该沉积存储材料包含：
填充该自我置中开口，以及形成存储材料侧壁层在该介层孔的顶部位；
沉积顶电极材料于该存储材料上并填充该介层孔的剩余部位；
由该介层孔外侧区域移除该存储材料及该顶电极材料并提供一平面表面；
形成位线并在该平面表面与该顶电极接触。
16.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该沉积存储材料包含：
填充该自我置中开口且至少部分地填充该介层孔的顶部位；
回刻蚀该存储材料以在该介层孔内留下凹部；
沉积顶电极材料在该凹部内的该存储材料之上并填充该介层孔的剩余部位；
由该介层孔外侧区域移除该顶电极材料并提供一平面表面；
形成位线并在该平面表面与该顶电极接触。
CN2009101302991A 2008-03-31 2009-03-31 一种具有二极管驱动器的存储阵列及其制造方法 Active CN101685826B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/060,075 2008-03-31
US12/060,075 US8030634B2 (en) 2008-03-31 2008-03-31 Memory array with diode driver and method for fabricating the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101685826A CN101685826A (zh) 2010-03-31
CN101685826B true CN101685826B (zh) 2011-12-14

Family

ID=41115707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101302991A Active CN101685826B (zh) 2008-03-31 2009-03-31 一种具有二极管驱动器的存储阵列及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8030634B2 (zh)
CN (1) CN101685826B (zh)
TW (1) TWI384664B (zh)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8987702B2 (en) 2007-05-01 2015-03-24 Micron Technology, Inc. Selectively conducting devices, diode constructions, constructions, and diode forming methods
US8120951B2 (en) 2008-05-22 2012-02-21 Micron Technology, Inc. Memory devices, memory device constructions, constructions, memory device forming methods, current conducting devices, and memory cell programming methods
US20100019215A1 (en) * 2008-07-22 2010-01-28 Macronix International Co., Ltd. Mushroom type memory cell having self-aligned bottom electrode and diode access device
KR20100043470A (ko) * 2008-10-20 2010-04-29 주식회사 하이닉스반도체 상변화 메모리 소자의 하부 전극 콘택 구조 및 그 제조 방법
KR20100055102A (ko) * 2008-11-17 2010-05-26 삼성전자주식회사 가변 저항 메모리 장치, 그것의 제조 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템
US8692310B2 (en) 2009-02-09 2014-04-08 Spansion Llc Gate fringing effect based channel formation for semiconductor device
US8283202B2 (en) 2009-08-28 2012-10-09 International Business Machines Corporation Single mask adder phase change memory element
US8283650B2 (en) 2009-08-28 2012-10-09 International Business Machines Corporation Flat lower bottom electrode for phase change memory cell
US8012790B2 (en) * 2009-08-28 2011-09-06 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polishing stop layer for fully amorphous phase change memory pore cell
US8129268B2 (en) 2009-11-16 2012-03-06 International Business Machines Corporation Self-aligned lower bottom electrode
US7943420B1 (en) 2009-11-25 2011-05-17 International Business Machines Corporation Single mask adder phase change memory element
US8513722B2 (en) 2010-03-02 2013-08-20 Micron Technology, Inc. Floating body cell structures, devices including same, and methods for forming same
US9608119B2 (en) 2010-03-02 2017-03-28 Micron Technology, Inc. Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures
US9646869B2 (en) 2010-03-02 2017-05-09 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices including a diode structure over a conductive strap and methods of forming such semiconductor devices
US8288795B2 (en) 2010-03-02 2012-10-16 Micron Technology, Inc. Thyristor based memory cells, devices and systems including the same and methods for forming the same
US8507966B2 (en) 2010-03-02 2013-08-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor cells, arrays, devices and systems having a buried conductive line and methods for forming the same
JP5543819B2 (ja) 2010-03-26 2014-07-09 株式会社東芝 抵抗変化素子、メモリセルアレイ、及び抵抗変化装置
US8310864B2 (en) * 2010-06-15 2012-11-13 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned bit line under word line memory array
JP2012028686A (ja) * 2010-07-27 2012-02-09 Nitto Denko Corp 発光装置の検査方法および発光装置の検査後の処理方法
US8395935B2 (en) * 2010-10-06 2013-03-12 Macronix International Co., Ltd. Cross-point self-aligned reduced cell size phase change memory
CN102487068B (zh) * 2010-12-02 2015-09-02 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 相变存储器制造方法
US8598621B2 (en) 2011-02-11 2013-12-03 Micron Technology, Inc. Memory cells, memory arrays, methods of forming memory cells, and methods of forming a shared doped semiconductor region of a vertically oriented thyristor and a vertically oriented access transistor
US8952418B2 (en) 2011-03-01 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Gated bipolar junction transistors
US8519431B2 (en) 2011-03-08 2013-08-27 Micron Technology, Inc. Thyristors
US8772848B2 (en) 2011-07-26 2014-07-08 Micron Technology, Inc. Circuit structures, memory circuitry, and methods
JP5611903B2 (ja) * 2011-08-09 2014-10-22 株式会社東芝 抵抗変化メモリ
US20140301137A1 (en) * 2011-10-20 2014-10-09 SK Hynix Inc. Phase-change memory device having phase-change region divided into multi layers and operating method thereof
WO2014070682A1 (en) * 2012-10-30 2014-05-08 Advaned Technology Materials, Inc. Double self-aligned phase change memory device structure
US9412790B1 (en) * 2012-12-04 2016-08-09 Crossbar, Inc. Scalable RRAM device architecture for a non-volatile memory device and method
US9117748B2 (en) * 2013-01-31 2015-08-25 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including a phase change material
US9793255B2 (en) 2013-01-31 2017-10-17 Infineon Technologies Ag Power semiconductor device including a cooling material
US10833175B2 (en) * 2015-06-04 2020-11-10 International Business Machines Corporation Formation of dislocation-free SiGe finFET using porous silicon
US10424619B2 (en) * 2016-01-13 2019-09-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same
US20190115392A1 (en) * 2017-10-16 2019-04-18 International Business Machines Corporation Access device and phase change memory combination structure in backend of line (beol)
US10971546B2 (en) 2019-08-16 2021-04-06 International Business Machines Corporation Crosspoint phase change memory with crystallized silicon diode access device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6579760B1 (en) * 2002-03-28 2003-06-17 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned, programmable phase change memory
CN1533606A (zh) * 2002-02-22 2004-09-29 ض� 相变存储器单元的双沟槽隔离结构及其制造方法
CN1790726A (zh) * 2004-11-10 2006-06-21 三星电子株式会社 包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器

Family Cites Families (256)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3271591A (en) 1963-09-20 1966-09-06 Energy Conversion Devices Inc Symmetrical current controlling device
US3530441A (en) 1969-01-15 1970-09-22 Energy Conversion Devices Inc Method and apparatus for storing and retrieving information
IL61678A (en) 1979-12-13 1984-04-30 Energy Conversion Devices Inc Programmable cell and programmable electronic arrays comprising such cells
US4452592A (en) 1982-06-01 1984-06-05 General Motors Corporation Cyclic phase change coupling
JPS60137070A (ja) 1983-12-26 1985-07-20 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4719594A (en) 1984-11-01 1988-01-12 Energy Conversion Devices, Inc. Grooved optical data storage device including a chalcogenide memory layer
US4876220A (en) 1986-05-16 1989-10-24 Actel Corporation Method of making programmable low impedance interconnect diode element
JP2685770B2 (ja) 1987-12-28 1997-12-03 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JP2606857B2 (ja) 1987-12-10 1997-05-07 株式会社日立製作所 半導体記憶装置の製造方法
US5534712A (en) 1991-01-18 1996-07-09 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable memory elements characterized by reduced current and improved thermal stability
US5166758A (en) 1991-01-18 1992-11-24 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable phase change memory
US5177567A (en) 1991-07-19 1993-01-05 Energy Conversion Devices, Inc. Thin-film structure for chalcogenide electrical switching devices and process therefor
JP2825031B2 (ja) 1991-08-06 1998-11-18 日本電気株式会社 半導体メモリ装置
US5166096A (en) 1991-10-29 1992-11-24 International Business Machines Corporation Process for fabricating self-aligned contact studs for semiconductor structures
JPH05206394A (ja) 1992-01-24 1993-08-13 Mitsubishi Electric Corp 電界効果トランジスタおよびその製造方法
US5958358A (en) 1992-07-08 1999-09-28 Yeda Research And Development Co., Ltd. Oriented polycrystalline thin films of transition metal chalcogenides
JP2884962B2 (ja) 1992-10-30 1999-04-19 日本電気株式会社 半導体メモリ
US5515488A (en) 1994-08-30 1996-05-07 Xerox Corporation Method and apparatus for concurrent graphical visualization of a database search and its search history
US5785828A (en) 1994-12-13 1998-07-28 Ricoh Company, Ltd. Sputtering target for producing optical recording medium
US5831276A (en) 1995-06-07 1998-11-03 Micron Technology, Inc. Three-dimensional container diode for use with multi-state material in a non-volatile memory cell
US5789758A (en) 1995-06-07 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Chalcogenide memory cell with a plurality of chalcogenide electrodes
US5879955A (en) 1995-06-07 1999-03-09 Micron Technology, Inc. Method for fabricating an array of ultra-small pores for chalcogenide memory cells
US6420725B1 (en) 1995-06-07 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming an integrated circuit electrode having a reduced contact area
US5869843A (en) 1995-06-07 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Memory array having a multi-state element and method for forming such array or cells thereof
US5837564A (en) 1995-11-01 1998-11-17 Micron Technology, Inc. Method for optimal crystallization to obtain high electrical performance from chalcogenides
KR0182866B1 (ko) 1995-12-27 1999-04-15 김주용 플래쉬 메모리 장치
US5687112A (en) 1996-04-19 1997-11-11 Energy Conversion Devices, Inc. Multibit single cell memory element having tapered contact
US6025220A (en) 1996-06-18 2000-02-15 Micron Technology, Inc. Method of forming a polysilicon diode and devices incorporating such diode
US5866928A (en) 1996-07-16 1999-02-02 Micron Technology, Inc. Single digit line with cell contact interconnect
US5814527A (en) 1996-07-22 1998-09-29 Micron Technology, Inc. Method of making small pores defined by a disposable internal spacer for use in chalcogenide memories
US5985698A (en) 1996-07-22 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Fabrication of three dimensional container diode for use with multi-state material in a non-volatile memory cell
US5789277A (en) 1996-07-22 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Method of making chalogenide memory device
US5998244A (en) 1996-08-22 1999-12-07 Micron Technology, Inc. Memory cell incorporating a chalcogenide element and method of making same
US5688713A (en) 1996-08-26 1997-11-18 Vanguard International Semiconductor Corporation Method of manufacturing a DRAM cell having a double-crown capacitor using polysilicon and nitride spacers
US6147395A (en) 1996-10-02 2000-11-14 Micron Technology, Inc. Method for fabricating a small area of contact between electrodes
US6087674A (en) 1996-10-28 2000-07-11 Energy Conversion Devices, Inc. Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material
US5716883A (en) 1996-11-06 1998-02-10 Vanguard International Semiconductor Corporation Method of making increased surface area, storage node electrode, with narrow spaces between polysilicon columns
US6015977A (en) 1997-01-28 2000-01-18 Micron Technology, Inc. Integrated circuit memory cell having a small active area and method of forming same
US5952671A (en) 1997-05-09 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Small electrode for a chalcogenide switching device and method for fabricating same
US6031287A (en) 1997-06-18 2000-02-29 Micron Technology, Inc. Contact structure and memory element incorporating the same
US5933365A (en) 1997-06-19 1999-08-03 Energy Conversion Devices, Inc. Memory element with energy control mechanism
US5902704A (en) 1997-07-02 1999-05-11 Lsi Logic Corporation Process for forming photoresist mask over integrated circuit structures with critical dimension control
US6768165B1 (en) 1997-08-01 2004-07-27 Saifun Semiconductors Ltd. Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping
US6969866B1 (en) 1997-10-01 2005-11-29 Ovonyx, Inc. Electrically programmable memory element with improved contacts
US7023009B2 (en) 1997-10-01 2006-04-04 Ovonyx, Inc. Electrically programmable memory element with improved contacts
US6617192B1 (en) 1997-10-01 2003-09-09 Ovonyx, Inc. Electrically programmable memory element with multi-regioned contact
FR2774209B1 (fr) 1998-01-23 2001-09-14 St Microelectronics Sa Procede de controle du circuit de lecture d'un plan memoire et dispositif de memoire correspondant
US6087269A (en) 1998-04-20 2000-07-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making an interconnect using a tungsten hard mask
US6372651B1 (en) 1998-07-17 2002-04-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method for trimming a photoresist pattern line for memory gate etching
US6141260A (en) 1998-08-27 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Single electron resistor memory device and method for use thereof
US6351406B1 (en) 1998-11-16 2002-02-26 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US6034882A (en) 1998-11-16 2000-03-07 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US6483736B2 (en) 1998-11-16 2002-11-19 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
JP2000164830A (ja) 1998-11-27 2000-06-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置の製造方法
US6291137B1 (en) 1999-01-20 2001-09-18 Advanced Micro Devices, Inc. Sidewall formation for sidewall patterning of sub 100 nm structures
US6245669B1 (en) 1999-02-05 2001-06-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High selectivity Si-rich SiON etch-stop layer
US6750079B2 (en) 1999-03-25 2004-06-15 Ovonyx, Inc. Method for making programmable resistance memory element
EP1760797A1 (en) 1999-03-25 2007-03-07 OVONYX Inc. Electrically programmable memory element with improved contacts
US6943365B2 (en) 1999-03-25 2005-09-13 Ovonyx, Inc. Electrically programmable memory element with reduced area of contact and method for making same
US6177317B1 (en) 1999-04-14 2001-01-23 Macronix International Co., Ltd. Method of making nonvolatile memory devices having reduced resistance diffusion regions
US6077674A (en) 1999-10-27 2000-06-20 Agilent Technologies Inc. Method of producing oligonucleotide arrays with features of high purity
US6326307B1 (en) 1999-11-15 2001-12-04 Appllied Materials, Inc. Plasma pretreatment of photoresist in an oxide etch process
US6314014B1 (en) 1999-12-16 2001-11-06 Ovonyx, Inc. Programmable resistance memory arrays with reference cells
US6576546B2 (en) 1999-12-22 2003-06-10 Texas Instruments Incorporated Method of enhancing adhesion of a conductive barrier layer to an underlying conductive plug and contact for ferroelectric applications
TW586154B (en) 2001-01-05 2004-05-01 Macronix Int Co Ltd Planarization method for semiconductor device
US6444557B1 (en) 2000-03-14 2002-09-03 International Business Machines Corporation Method of forming a damascene structure using a sacrificial conductive layer
US6420216B1 (en) 2000-03-14 2002-07-16 International Business Machines Corporation Fuse processing using dielectric planarization pillars
US6888750B2 (en) 2000-04-28 2005-05-03 Matrix Semiconductor, Inc. Nonvolatile memory on SOI and compound semiconductor substrates and method of fabrication
US6420215B1 (en) 2000-04-28 2002-07-16 Matrix Semiconductor, Inc. Three-dimensional memory array and method of fabrication
US6501111B1 (en) 2000-06-30 2002-12-31 Intel Corporation Three-dimensional (3D) programmable device
US6440837B1 (en) 2000-07-14 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Method of forming a contact structure in a semiconductor device
US6563156B2 (en) 2001-03-15 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Memory elements and methods for making same
US6567293B1 (en) 2000-09-29 2003-05-20 Ovonyx, Inc. Single level metal memory cell using chalcogenide cladding
US6339544B1 (en) 2000-09-29 2002-01-15 Intel Corporation Method to enhance performance of thermal resistor device
US6429064B1 (en) 2000-09-29 2002-08-06 Intel Corporation Reduced contact area of sidewall conductor
US6555860B2 (en) 2000-09-29 2003-04-29 Intel Corporation Compositionally modified resistive electrode
KR100382729B1 (ko) * 2000-12-09 2003-05-09 삼성전자주식회사 반도체 소자의 금속 컨택 구조체 및 그 형성방법
US6569705B2 (en) 2000-12-21 2003-05-27 Intel Corporation Metal structure for a phase-change memory device
US6627530B2 (en) 2000-12-22 2003-09-30 Matrix Semiconductor, Inc. Patterning three dimensional structures
US6271090B1 (en) 2000-12-22 2001-08-07 Macronix International Co., Ltd. Method for manufacturing flash memory device with dual floating gates and two bits per cell
TW490675B (en) 2000-12-22 2002-06-11 Macronix Int Co Ltd Control method of multi-stated NROM
US6534781B2 (en) 2000-12-26 2003-03-18 Ovonyx, Inc. Phase-change memory bipolar array utilizing a single shallow trench isolation for creating an individual active area region for two memory array elements and one bipolar base contact
KR100625129B1 (ko) 2001-01-30 2006-09-18 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법
KR100400037B1 (ko) * 2001-02-22 2003-09-29 삼성전자주식회사 콘택 플러그를 구비하는 반도체 소자 및 그의 제조 방법
US6487114B2 (en) 2001-02-28 2002-11-26 Macronix International Co., Ltd. Method of reading two-bit memories of NROM cell
US6596589B2 (en) 2001-04-30 2003-07-22 Vanguard International Semiconductor Corporation Method of manufacturing a high coupling ratio stacked gate flash memory with an HSG-SI layer
US6730928B2 (en) 2001-05-09 2004-05-04 Science Applications International Corporation Phase change switches and circuits coupling to electromagnetic waves containing phase change switches
US6514788B2 (en) 2001-05-29 2003-02-04 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Method for manufacturing contacts for a Chalcogenide memory device
DE10128482A1 (de) * 2001-06-12 2003-01-02 Infineon Technologies Ag Halbleiterspeichereinrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung
US6589714B2 (en) 2001-06-26 2003-07-08 Ovonyx, Inc. Method for making programmable resistance memory element using silylated photoresist
US6774387B2 (en) 2001-06-26 2004-08-10 Ovonyx, Inc. Programmable resistance memory element
US6613604B2 (en) 2001-08-02 2003-09-02 Ovonyx, Inc. Method for making small pore for use in programmable resistance memory element
US6511867B2 (en) 2001-06-30 2003-01-28 Ovonyx, Inc. Utilizing atomic layer deposition for programmable device
US6673700B2 (en) 2001-06-30 2004-01-06 Ovonyx, Inc. Reduced area intersection between electrode and programming element
US6605527B2 (en) 2001-06-30 2003-08-12 Intel Corporation Reduced area intersection between electrode and programming element
US6643165B2 (en) * 2001-07-25 2003-11-04 Nantero, Inc. Electromechanical memory having cell selection circuitry constructed with nanotube technology
US6737312B2 (en) 2001-08-27 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Method of fabricating dual PCRAM cells sharing a common electrode
US6709958B2 (en) 2001-08-30 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Integrated circuit device and fabrication using metal-doped chalcogenide materials
US6507061B1 (en) 2001-08-31 2003-01-14 Intel Corporation Multiple layer phase-change memory
US6586761B2 (en) 2001-09-07 2003-07-01 Intel Corporation Phase change material memory device
US6861267B2 (en) 2001-09-17 2005-03-01 Intel Corporation Reducing shunts in memories with phase-change material
US7045383B2 (en) * 2001-09-19 2006-05-16 BAE Systems Information and Ovonyx, Inc Method for making tapered opening for programmable resistance memory element
US6566700B2 (en) 2001-10-11 2003-05-20 Ovonyx, Inc. Carbon-containing interfacial layer for phase-change memory
US6800563B2 (en) 2001-10-11 2004-10-05 Ovonyx, Inc. Forming tapered lower electrode phase-change memories
US6791859B2 (en) * 2001-11-20 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Complementary bit PCRAM sense amplifier and method of operation
US6545903B1 (en) 2001-12-17 2003-04-08 Texas Instruments Incorporated Self-aligned resistive plugs for forming memory cell with phase change material
US6512241B1 (en) 2001-12-31 2003-01-28 Intel Corporation Phase change material memory device
US6867638B2 (en) 2002-01-10 2005-03-15 Silicon Storage Technology, Inc. High voltage generation and regulation system for digital multilevel nonvolatile memory
JP3948292B2 (ja) 2002-02-01 2007-07-25 株式会社日立製作所 半導体記憶装置及びその製造方法
US6972430B2 (en) 2002-02-20 2005-12-06 Stmicroelectronics S.R.L. Sublithographic contact structure, phase change memory cell with optimized heater shape, and manufacturing method thereof
US7122281B2 (en) 2002-02-26 2006-10-17 Synopsys, Inc. Critical dimension control using full phase and trim masks
JP3796457B2 (ja) 2002-02-28 2006-07-12 富士通株式会社 不揮発性半導体記憶装置
CN100514695C (zh) 2002-03-15 2009-07-15 阿克松技术公司 微电子可编程构件
CN1639868A (zh) 2002-04-09 2005-07-13 松下电器产业株式会社 非易失性存储器及其制造方法
US6864500B2 (en) 2002-04-10 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Programmable conductor memory cell structure
US6605821B1 (en) 2002-05-10 2003-08-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Phase change material electronic memory structure and method for forming
US6864503B2 (en) 2002-08-09 2005-03-08 Macronix International Co., Ltd. Spacer chalcogenide memory method and device
US6850432B2 (en) 2002-08-20 2005-02-01 Macronix International Co., Ltd. Laser programmable electrically readable phase-change memory method and device
JP4133141B2 (ja) 2002-09-10 2008-08-13 株式会社エンプラス 電気部品用ソケット
JP4190238B2 (ja) * 2002-09-13 2008-12-03 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性半導体記憶装置
US20060163554A1 (en) * 2002-10-11 2006-07-27 Koninklijke Philips Electronics N.C. Electric device comprising phase change material
US6992932B2 (en) 2002-10-29 2006-01-31 Saifun Semiconductors Ltd Method circuit and system for read error detection in a non-volatile memory array
JP4928045B2 (ja) 2002-10-31 2012-05-09 大日本印刷株式会社 相変化型メモリ素子およびその製造方法
US6791102B2 (en) 2002-12-13 2004-09-14 Intel Corporation Phase change memory
US6744088B1 (en) 2002-12-13 2004-06-01 Intel Corporation Phase change memory device on a planar composite layer
US6815266B2 (en) 2002-12-30 2004-11-09 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration, Inc. Method for manufacturing sidewall contacts for a chalcogenide memory device
EP1439583B1 (en) 2003-01-15 2013-04-10 STMicroelectronics Srl Sublithographic contact structure, in particular for a phase change memory cell, and fabrication process thereof
DE602004020186D1 (de) 2003-01-31 2009-05-07 Nxp Bv Mram-architektur für niedrige stromaufnahme und hohe selektivität
KR100486306B1 (ko) 2003-02-24 2005-04-29 삼성전자주식회사 셀프 히터 구조를 가지는 상변화 메모리 소자
US7115927B2 (en) * 2003-02-24 2006-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase changeable memory devices
US6936544B2 (en) 2003-03-11 2005-08-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of removing metal etching residues following a metal etchback process to improve a CMP process
KR100504698B1 (ko) * 2003-04-02 2005-08-02 삼성전자주식회사 상변화 기억 소자 및 그 형성 방법
KR100979710B1 (ko) 2003-05-23 2010-09-02 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자 및 제조방법
US20060006472A1 (en) * 2003-06-03 2006-01-12 Hai Jiang Phase change memory with extra-small resistors
US7067865B2 (en) * 2003-06-06 2006-06-27 Macronix International Co., Ltd. High density chalcogenide memory cells
US6838692B1 (en) * 2003-06-23 2005-01-04 Macronix International Co., Ltd. Chalcogenide memory device with multiple bits per cell
US7132350B2 (en) * 2003-07-21 2006-11-07 Macronix International Co., Ltd. Method for manufacturing a programmable eraseless memory
US20050018526A1 (en) * 2003-07-21 2005-01-27 Heon Lee Phase-change memory device and manufacturing method thereof
KR100615586B1 (ko) 2003-07-23 2006-08-25 삼성전자주식회사 다공성 유전막 내에 국부적인 상전이 영역을 구비하는상전이 메모리 소자 및 그 제조 방법
US7893419B2 (en) * 2003-08-04 2011-02-22 Intel Corporation Processing phase change material to improve programming speed
US6815704B1 (en) 2003-09-04 2004-11-09 Silicon Storage Technology, Inc. Phase change memory device employing thermally insulating voids
US6927410B2 (en) 2003-09-04 2005-08-09 Silicon Storage Technology, Inc. Memory device with discrete layers of phase change memory material
US20050062087A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Yi-Chou Chen Chalcogenide phase-change non-volatile memory, memory device and method for fabricating the same
DE10345455A1 (de) * 2003-09-30 2005-05-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen einer Hartmaske und Hartmasken-Anordnung
US6910907B2 (en) 2003-11-18 2005-06-28 Agere Systems Inc. Contact for use in an integrated circuit and a method of manufacture therefor
KR100558548B1 (ko) 2003-11-27 2006-03-10 삼성전자주식회사 상변화 메모리 소자에서의 라이트 드라이버 회로 및라이트 전류 인가방법
US6937507B2 (en) 2003-12-05 2005-08-30 Silicon Storage Technology, Inc. Memory device and method of operating same
US7928420B2 (en) * 2003-12-10 2011-04-19 International Business Machines Corporation Phase change tip storage cell
US7291556B2 (en) 2003-12-12 2007-11-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for forming small features in microelectronic devices using sacrificial layers
KR100569549B1 (ko) 2003-12-13 2006-04-10 주식회사 하이닉스반도체 상 변화 저항 셀 및 이를 이용한 불휘발성 메모리 장치
US7038230B2 (en) * 2004-01-06 2006-05-02 Macronix Internation Co., Ltd. Horizontal chalcogenide element defined by a pad for use in solid-state memories
JP4124743B2 (ja) 2004-01-21 2008-07-23 株式会社ルネサステクノロジ 相変化メモリ
KR100564608B1 (ko) 2004-01-29 2006-03-28 삼성전자주식회사 상변화 메모리 소자
US6936840B2 (en) 2004-01-30 2005-08-30 International Business Machines Corporation Phase-change memory cell and method of fabricating the phase-change memory cell
US7858980B2 (en) * 2004-03-01 2010-12-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Reduced active area in a phase change memory structure
JP4529493B2 (ja) * 2004-03-12 2010-08-25 株式会社日立製作所 半導体装置
KR100598100B1 (ko) * 2004-03-19 2006-07-07 삼성전자주식회사 상변환 기억 소자의 제조방법
DE102004014487A1 (de) * 2004-03-24 2005-11-17 Infineon Technologies Ag Speicherbauelement mit in isolierendes Material eingebettetem, aktiven Material
KR100532509B1 (ko) * 2004-03-26 2005-11-30 삼성전자주식회사 ＳｉＧｅ를 이용한 트렌치 커패시터 및 그 형성방법
US7482616B2 (en) * 2004-05-27 2009-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices having phase change memory cells, electronic systems employing the same and methods of fabricating the same
KR100647218B1 (ko) * 2004-06-04 2006-11-23 비욘드마이크로 주식회사 고집적 상변화 메모리 셀 어레이 및 이를 포함하는 상변화메모리 소자
US6977181B1 (en) 2004-06-17 2005-12-20 Infincon Technologies Ag MTJ stack with crystallization inhibiting layer
US7359231B2 (en) 2004-06-30 2008-04-15 Intel Corporation Providing current for phase change memories
KR100657897B1 (ko) * 2004-08-21 2006-12-14 삼성전자주식회사 전압 제어층을 포함하는 메모리 소자
US7365385B2 (en) 2004-08-30 2008-04-29 Micron Technology, Inc. DRAM layout with vertical FETs and method of formation
KR100610014B1 (ko) 2004-09-06 2006-08-09 삼성전자주식회사 리키지 전류 보상 가능한 반도체 메모리 장치
US7443062B2 (en) * 2004-09-30 2008-10-28 Reliance Electric Technologies Llc Motor rotor cooling with rotation heat pipes
KR100626388B1 (ko) * 2004-10-19 2006-09-20 삼성전자주식회사 상변환 메모리 소자 및 그 형성 방법
DE102004052611A1 (de) * 2004-10-29 2006-05-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer mit einem Füllmaterial mindestens teilweise gefüllten Öffnung, Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle und Speicherzelle
US7364935B2 (en) * 2004-10-29 2008-04-29 Macronix International Co., Ltd. Common word line edge contact phase-change memory
US20060108667A1 (en) * 2004-11-22 2006-05-25 Macronix International Co., Ltd. Method for manufacturing a small pin on integrated circuits or other devices
US7202493B2 (en) * 2004-11-30 2007-04-10 Macronix International Co., Inc. Chalcogenide memory having a small active region
KR100827653B1 (ko) * 2004-12-06 2008-05-07 삼성전자주식회사 상변화 기억 셀들 및 그 제조방법들
US7220983B2 (en) * 2004-12-09 2007-05-22 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned small contact phase-change memory method and device
TWI260764B (en) * 2004-12-10 2006-08-21 Macronix Int Co Ltd Non-volatile memory cell and operating method thereof
US20060131555A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Micron Technology, Inc. Resistance variable devices with controllable channels
US20060138467A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 Hsiang-Lan Lung Method of forming a small contact in phase-change memory and a memory cell produced by the method
JP4646634B2 (ja) 2005-01-05 2011-03-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7419771B2 (en) * 2005-01-11 2008-09-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming a finely patterned resist
US7214958B2 (en) 2005-02-10 2007-05-08 Infineon Technologies Ag Phase change memory cell with high read margin at low power operation
US7229883B2 (en) 2005-02-23 2007-06-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Phase change memory device and method of manufacture thereof
JP2006244561A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Renesas Technology Corp 半導体装置
US7154774B2 (en) 2005-03-30 2006-12-26 Ovonyx, Inc. Detecting switching of access elements of phase change memory cells
US7488967B2 (en) * 2005-04-06 2009-02-10 International Business Machines Corporation Structure for confining the switching current in phase memory (PCM) cells
US7166533B2 (en) 2005-04-08 2007-01-23 Infineon Technologies, Ag Phase change memory cell defined by a pattern shrink material process
KR100675279B1 (ko) * 2005-04-20 2007-01-26 삼성전자주식회사 셀 다이오드들을 채택하는 상변이 기억소자들 및 그제조방법들
KR100668846B1 (ko) 2005-06-10 2007-01-16 주식회사 하이닉스반도체 상변환 기억 소자의 제조방법
US7514367B2 (en) * 2005-06-17 2009-04-07 Macronix International Co., Ltd. Method for manufacturing a narrow structure on an integrated circuit
US7696503B2 (en) 2005-06-17 2010-04-13 Macronix International Co., Ltd. Multi-level memory cell having phase change element and asymmetrical thermal boundary
US8237140B2 (en) * 2005-06-17 2012-08-07 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned, embedded phase change RAM
US7534647B2 (en) * 2005-06-17 2009-05-19 Macronix International Co., Ltd. Damascene phase change RAM and manufacturing method
US7321130B2 (en) * 2005-06-17 2008-01-22 Macronix International Co., Ltd. Thin film fuse phase change RAM and manufacturing method
US7598512B2 (en) * 2005-06-17 2009-10-06 Macronix International Co., Ltd. Thin film fuse phase change cell with thermal isolation layer and manufacturing method
US7514288B2 (en) * 2005-06-17 2009-04-07 Macronix International Co., Ltd. Manufacturing methods for thin film fuse phase change ram
US7238994B2 (en) * 2005-06-17 2007-07-03 Macronix International Co., Ltd. Thin film plate phase change ram circuit and manufacturing method
US7651906B2 (en) * 2005-06-20 2010-01-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated circuit devices having a stress buffer spacer and methods of fabricating the same
US20060289848A1 (en) * 2005-06-28 2006-12-28 Dennison Charles H Reducing oxidation of phase change memory electrodes
US7309630B2 (en) 2005-07-08 2007-12-18 Nanochip, Inc. Method for forming patterned media for a high density data storage device
US7345907B2 (en) * 2005-07-11 2008-03-18 Sandisk 3D Llc Apparatus and method for reading an array of nonvolatile memory cells including switchable resistor memory elements
US20070037101A1 (en) * 2005-08-15 2007-02-15 Fujitsu Limited Manufacture method for micro structure
US7615770B2 (en) * 2005-10-27 2009-11-10 Infineon Technologies Ag Integrated circuit having an insulated memory
US7417245B2 (en) * 2005-11-02 2008-08-26 Infineon Technologies Ag Phase change memory having multilayer thermal insulation
US7397060B2 (en) * 2005-11-14 2008-07-08 Macronix International Co., Ltd. Pipe shaped phase change memory
US20070111429A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Macronix International Co., Ltd. Method of manufacturing a pipe shaped phase change memory
US7394088B2 (en) * 2005-11-15 2008-07-01 Macronix International Co., Ltd. Thermally contained/insulated phase change memory device and method (combined)
US7450411B2 (en) * 2005-11-15 2008-11-11 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory device and manufacturing method
US7635855B2 (en) * 2005-11-15 2009-12-22 Macronix International Co., Ltd. I-shaped phase change memory cell
US7786460B2 (en) * 2005-11-15 2010-08-31 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory device and manufacturing method
US7414258B2 (en) * 2005-11-16 2008-08-19 Macronix International Co., Ltd. Spacer electrode small pin phase change memory RAM and manufacturing method
US7829876B2 (en) * 2005-11-21 2010-11-09 Macronix International Co., Ltd. Vacuum cell thermal isolation for a phase change memory device
US7449710B2 (en) 2005-11-21 2008-11-11 Macronix International Co., Ltd. Vacuum jacket for phase change memory element
US7507986B2 (en) * 2005-11-21 2009-03-24 Macronix International Co., Ltd. Thermal isolation for an active-sidewall phase change memory cell
US7479649B2 (en) 2005-11-21 2009-01-20 Macronix International Co., Ltd. Vacuum jacketed electrode for phase change memory element
US7599217B2 (en) * 2005-11-22 2009-10-06 Macronix International Co., Ltd. Memory cell device and manufacturing method
US7688619B2 (en) * 2005-11-28 2010-03-30 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell and manufacturing method
US7459717B2 (en) * 2005-11-28 2008-12-02 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell and manufacturing method
US7605079B2 (en) * 2005-12-05 2009-10-20 Macronix International Co., Ltd. Manufacturing method for phase change RAM with electrode layer process
US7642539B2 (en) * 2005-12-13 2010-01-05 Macronix International Co., Ltd. Thin film fuse phase change cell with thermal isolation pad and manufacturing method
US7531825B2 (en) * 2005-12-27 2009-05-12 Macronix International Co., Ltd. Method for forming self-aligned thermal isolation cell for a variable resistance memory array
US8062833B2 (en) * 2005-12-30 2011-11-22 Macronix International Co., Ltd. Chalcogenide layer etching method
US7292466B2 (en) * 2006-01-03 2007-11-06 Infineon Technologies Ag Integrated circuit having a resistive memory
US7595218B2 (en) 2006-01-09 2009-09-29 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive RAM and manufacturing method
US20070158632A1 (en) * 2006-01-09 2007-07-12 Macronix International Co., Ltd. Method for Fabricating a Pillar-Shaped Phase Change Memory Element
US7560337B2 (en) 2006-01-09 2009-07-14 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive RAM and manufacturing method
US7741636B2 (en) 2006-01-09 2010-06-22 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive RAM and manufacturing method
US7825396B2 (en) 2006-01-11 2010-11-02 Macronix International Co., Ltd. Self-align planerized bottom electrode phase change memory and manufacturing method
US7351648B2 (en) 2006-01-19 2008-04-01 International Business Machines Corporation Methods for forming uniform lithographic features
US7432206B2 (en) 2006-01-24 2008-10-07 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned manufacturing method, and manufacturing method for thin film fuse phase change ram
US7456421B2 (en) 2006-01-30 2008-11-25 Macronix International Co., Ltd. Vertical side wall active pin structures in a phase change memory and manufacturing methods
US7956358B2 (en) 2006-02-07 2011-06-07 Macronix International Co., Ltd. I-shaped phase change memory cell with thermal isolation
US7426134B2 (en) 2006-02-24 2008-09-16 Infineon Technologies North America Sense circuit for resistive memory
US7910907B2 (en) 2006-03-15 2011-03-22 Macronix International Co., Ltd. Manufacturing method for pipe-shaped electrode phase change memory
US20070235811A1 (en) 2006-04-07 2007-10-11 International Business Machines Corporation Simultaneous conditioning of a plurality of memory cells through series resistors
US7928421B2 (en) 2006-04-21 2011-04-19 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell with vacuum spacer
US20070249090A1 (en) 2006-04-24 2007-10-25 Philipp Jan B Phase-change memory cell adapted to prevent over-etching or under-etching
US8129706B2 (en) 2006-05-05 2012-03-06 Macronix International Co., Ltd. Structures and methods of a bistable resistive random access memory
US7608848B2 (en) 2006-05-09 2009-10-27 Macronix International Co., Ltd. Bridge resistance random access memory device with a singular contact structure
US7423300B2 (en) 2006-05-24 2008-09-09 Macronix International Co., Ltd. Single-mask phase change memory element
US7696506B2 (en) 2006-06-27 2010-04-13 Macronix International Co., Ltd. Memory cell with memory material insulation and manufacturing method
US7663909B2 (en) 2006-07-10 2010-02-16 Qimonda North America Corp. Integrated circuit having a phase change memory cell including a narrow active region width
US7785920B2 (en) 2006-07-12 2010-08-31 Macronix International Co., Ltd. Method for making a pillar-type phase change memory element
US7542338B2 (en) 2006-07-31 2009-06-02 Sandisk 3D Llc Method for reading a multi-level passive element memory cell array
US7684225B2 (en) 2006-10-13 2010-03-23 Ovonyx, Inc. Sequential and video access for non-volatile memory arrays
US20080225489A1 (en) 2006-10-23 2008-09-18 Teledyne Licensing, Llc Heat spreader with high heat flux and high thermal conductivity
US20080101110A1 (en) 2006-10-25 2008-05-01 Thomas Happ Combined read/write circuit for memory
US20080137400A1 (en) 2006-12-06 2008-06-12 Macronix International Co., Ltd. Phase Change Memory Cell with Thermal Barrier and Method for Fabricating the Same
US20080165569A1 (en) 2007-01-04 2008-07-10 Chieh-Fang Chen Resistance Limited Phase Change Memory Material
US7515461B2 (en) 2007-01-05 2009-04-07 Macronix International Co., Ltd. Current compliant sensing architecture for multilevel phase change memory
US20080164453A1 (en) 2007-01-07 2008-07-10 Breitwisch Matthew J Uniform critical dimension size pore for pcram application
US7440315B2 (en) 2007-01-09 2008-10-21 Macronix International Co., Ltd. Method, apparatus and computer program product for stepped reset programming process on programmable resistive memory cell
US7456460B2 (en) 2007-01-29 2008-11-25 International Business Machines Corporation Phase change memory element and method of making the same
US7535756B2 (en) 2007-01-31 2009-05-19 Macronix International Co., Ltd. Method to tighten set distribution for PCRAM
US7701759B2 (en) 2007-02-05 2010-04-20 Macronix International Co., Ltd. Memory cell device and programming methods
US7463512B2 (en) 2007-02-08 2008-12-09 Macronix International Co., Ltd. Memory element with reduced-current phase change element
US8138028B2 (en) 2007-02-12 2012-03-20 Macronix International Co., Ltd Method for manufacturing a phase change memory device with pillar bottom electrode
US8008643B2 (en) 2007-02-21 2011-08-30 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell with heater and method for fabricating the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1533606A (zh) * 2002-02-22 2004-09-29 ض� 相变存储器单元的双沟槽隔离结构及其制造方法
US6579760B1 (en) * 2002-03-28 2003-06-17 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned, programmable phase change memory
CN1790726A (zh) * 2004-11-10 2006-06-21 三星电子株式会社 包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器

Also Published As

Publication number Publication date
TW201010152A (en) 2010-03-01
US8030634B2 (en) 2011-10-04
TWI384664B (zh) 2013-02-01
CN101685826A (zh) 2010-03-31
US20090242865A1 (en) 2009-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101685826B (zh) 一种具有二极管驱动器的存储阵列及其制造方法
CN101504967B (zh) 中心加热相变化存储器结构及其制造方法
CN101345251B (zh) 位于半导体衬底之上的存储单元阵列及其制造方法
CN101290948B (zh) 存储器结构及其制造方法以及存储单元阵列的制造方法
CN100463209C (zh) 具有真空夹层的相变存储器元件
CN101872838B (zh) 具有埋入相变化区域的存储单元及其制造方法
CN101197317B (zh) 具有热障的相变化存储单元及其制造方法
CN101159312B (zh) 具有向周围延伸的存储元件的存储单元器件
CN101685827B (zh) 一种存储装置及其制造方法
CN100583484C (zh) 管状电极相变化存储器的制造方法
CN101236985B (zh) 一种具有共平面电极表面的存储单元装置及其制造方法
CN102522374B (zh) 一种具有柱状底电极相变化存储装置及其制造方法
CN101145599B (zh) 具有宽广相变化元素与小面积电极接点的存储器装置
CN100544051C (zh) 用以形成可变电阻存储阵列中的自对准热绝缘单元的方法
US8067761B2 (en) Self-aligned memory cells and method for forming
CN100593866C (zh) 隔离片电极小管脚相变随机存取存储器及其制造方法
CN100544016C (zh) 具有绝热衬垫的薄膜保险丝相变化单元及其制造方法
CN101237026B (zh) 一种存储装置及其制造方法
CN100563040C (zh) 相变化存储单元及其制造方法
CN101840928B (zh) 带有自对准存储元件的多晶硅柱双极晶体管
CN101083298B (zh) 具有缩减活性面积及接触面积的电阻式随机存取存储单元
CN101013736A (zh) 管型相变存储器
CN1971960A (zh) 相变存储器元件的真空包覆电极
CN101197318A (zh) 制造存储单元的自对准空洞及底电极的方法
CN102290428A (zh) 一种存储装置及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant