CN101671171A - 等离子体处理装置用陶瓷 - Google Patents

等离子体处理装置用陶瓷 Download PDF

Info

Publication number
CN101671171A
CN101671171A CN200910174366A CN200910174366A CN101671171A CN 101671171 A CN101671171 A CN 101671171A CN 200910174366 A CN200910174366 A CN 200910174366A CN 200910174366 A CN200910174366 A CN 200910174366A CN 101671171 A CN101671171 A CN 101671171A
Authority
CN
China
Prior art keywords
weight
plasma
ceramics
pottery
treatment apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN200910174366A
Other languages
English (en)
Inventor
渡边敬祐
村田征隆
松本慎太郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Covalent Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Covalent Materials Corp filed Critical Covalent Materials Corp
Publication of CN101671171A publication Critical patent/CN101671171A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
    • C04B35/505—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds based on yttrium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3229—Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6582—Hydrogen containing atmosphere
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
    • C04B2235/6584—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage below that of air
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明涉及等离子体处理装置用陶瓷。本发明提供对于卤类腐蚀性气体、等离子体等的耐腐蚀性优异，实现低电阻化，且即使在卤等离子体工序中也可以抑制该陶瓷的构成原料引起的杂质金属污染，可以适合用于半导体、液晶制造用的等离子体处理装置的构成部件中的等离子体处理装置用陶瓷。使用向氧化钇中添加相对于氧化钇为3重量％～30重量％的二氧化铈、相对于氧化钇为3重量％～50重量％的五氧化铌，并在还原氛围气体中烧结而成的开孔率为1.0％以下的陶瓷。

Description

等离子体处理装置用陶瓷
技术领域
本发明涉及等离子体处理装置用陶瓷，该陶瓷适合用在用于制造半导体或液晶的蚀刻器(エツチヤ一)、CVD装置等等离子体处理装置的构成部件中。
背景技术
半导体制造装置中，以等离子体工艺为主流的蚀刻工序、CVD成膜工序、除去抗蚀剂的灰化工序中的装置的部件暴露在反应性高的氟、氯等卤类腐蚀性气体中。
因此，上述工序中，暴露在卤等离子体中的部件使用高纯度氧化铝、氮化铝、氧化钇、YAG等陶瓷。
其中，等离子体处理装置中，作为对卤素气体等腐蚀性气体或等离子体的耐腐蚀性高的材料，特别是使用氧化钇或YAG等陶瓷，例如，广泛使用在铝或氧化铝陶瓷上形成氧化钇喷镀膜而成的部件等表面的耐腐蚀性提高的部件。
氧化钇与氟气反应，主要生成YF3(熔点1152℃)，此外与氯类气体反应生成YCl3(熔点680℃)。这些卤化物，和通过与迄今半导体制造装置部件中使用的材质即石英玻璃、氧化铝、氮化铝等反应生成的SiF4(熔点-90℃)、SiCl4(熔点-70℃)、AlF3(熔点1040℃)、AlCl3(熔点178℃)等卤化物相比，熔点高。因此，氧化钇即使在暴露在卤类腐蚀性气体或其等离子体中的情况下，也表现出稳定的高耐腐蚀性。
但是，通常的陶瓷由于体积电阻率都高、为1014Ω·cm以上，容易带电，所以存在吸引反应产物、成为产生颗粒的原因，或引起异常放电等问题。
对此，为了降低氧化钇陶瓷的体积电阻率，认为存在添加金属或表现出导电性的氧化钛、氧化钨等金属氧化物，氮化钛等金属氮化物，碳化钛、碳化钨、碳化硅等金属碳化物等的方法(例如参照日本特开2007-217217号公报)。
但是，添加有上述金属的陶瓷，耐等离子性差。此外，用作等离子体处理装置的部件时，含有在半导体制造工序中形成污染源的元素，所以在某些使用条件也存在不优选的情况。
进一步地，近年来，随着装置的高性能化和微细化，高真空高密度等离子体的使用得到发展，耐等离子体性或抑制污染物的要求也进一步严格。
金属元素的污染物是可以在半导体中形成污染源的物质，其影响程度根据元素不同而不同。例如，Zr、Ta等，容许范围为1011个原子/cm2数量级以下，Na、Mg、Ca、Ti、Fe、Ni、Cu、Zn、Al等，容许范围为1010个原子/cm2数量级以下。Y(钇)因工艺不同，有时为规定元素，或有时变成仅Y特别多的趋势而不优选。
发明内容
本发明是为了解决上述技术问题而提出的，其目的在于，提供下述等离子体处理装置用陶瓷，其对卤类腐蚀性气体、等离子体等的耐腐蚀性优异，实现低电阻化，且即使在卤等离子体工艺中也可以抑制因该陶瓷的构成原料引起的杂质金属污染，可以适合用在用于制造半导体、液晶等的等离子体处理装置的构成部件中。
本发明涉及的等离子体处理装置用陶瓷的特征在于，是向氧化钇中添加相对于氧化钇为3重量％～30重量％的二氧化铈、相对于氧化钇为3重量％～50重量％的五氧化铌，并在还原氛围气体中烧制(焼成)而成的陶瓷，开孔率为1.0％以下。
如此，通过向氧化钇陶瓷中添加二氧化铈和五氧化铌，可以维持耐等离子体性，同时实现低电阻化，且可以抑制因该陶瓷的构成原料引起的杂质金属污染。
上述陶瓷优选在25℃下的体积电阻率为5×1011Ω·cm以下。
若为这种低电阻陶瓷，则可以更有效地抑制因等离子体工艺中的带电所导致的颗粒的产生。
本发明涉及的等离子体处理装置用陶瓷，由于对卤类气体或它们的等离子体等的耐腐蚀性优异，实现低电阻化，且即使在卤等离子体工艺中也可以因抑制该陶瓷的构成原料引起的杂质污染，所以可以适合用于半导体或液晶等的制造工序中的等离子体处理装置的构成部件中，并且可以有助于提高后续步骤中制造的半导体芯片等的成品率。
具体实施方式
以下对本发明进行更具体的说明。
本发明涉及的等离子体处理装置用陶瓷的特征在于，是向氧化钇中添加二氧化铈和五氧化铌，并在还原氛围气体中烧制而成的陶瓷，开孔率为1.0％以下。
上述二氧化铈的添加量相对于氧化钇为3重量％～30重量％，此外，上述五氧化铌的添加量相对于氧化钇为3重量％～50重量％。
即，本发明涉及的陶瓷是向具有耐等离子体性的氧化钇中添加规定量的二氧化铈(CeO2)和五氧化铌(Nb2O5)而成的陶瓷烧结体。
为了得到耐等离子体性优异的陶瓷，添加到氧化钇中的添加剂不能损害氧化钇具有的优异的耐等离子体性或含有半导体制造上不好的杂质元素。
具体地说，K、Na等碱金属元素，Ni、Cu、Fe等重金属为半导体的污染物质，所以不优选。
与此相对地，添加二氧化铈和五氧化铌实现氧化钇陶瓷的体积电阻率的降低，此外，即使在卤等离子体工艺中，在抑制因该陶瓷的构成原料引起的杂质金属污染方面也是有效的。
此外，通过添加氧化钇和五氧化铌，在卤等离子体工艺中，可以抑制对于被处理半导体的Y的突出的污染，此外，还可以控制Y、Ce和Nb各污染物的量。
上述五氧化铌的添加量相对于氧化钇为3重量％～50重量％。
上述添加量超过50重量％时，耐等离子体性显著降低，在用于等离子体处理装置的部件中时，因陶瓷的消耗所导致的颗粒的产生增多。
另一方面，上述添加量小于3重量％时，不能充分得到体积电阻率的降低效果。
上述添加量若为15重量％以上，则由于在X射线衍射测定(XRD)中检出Nb的峰、促进体积电阻率的降低，所以更优选。
此外，通过向上述陶瓷中添加二氧化铈，烧制时控制粒子生长，降低熔点，可以得到致密的烧结体。
上述二氧化铈的添加量优选为3重量％～30重量％。
上述添加量小于3重量％时，不能充分得到通过添加上述二氧化铈实现的效果。
另一方面，上述添加量超过30重量％时，不能得到控制粒子生长的效果，在陶瓷中产生二氧化铈的偏析，该偏析部易被等离子体选择性地蚀刻，导致耐等离子体性的降低。
本发明涉及的陶瓷例如通过在氢气氛围气体或含5vol％氢气的氮气氛围气体等还原氛围气体中烧制来得到。
通过在还原氛围气体中的烧制，五氧化铌在烧制中被还原，以金属铌的形式存在于烧制体中，有助于低电阻化。
此外，上述陶瓷优选开孔率为1.0％以下。
上述开孔率超过1.0％时，将该陶瓷用于等离子体处理装置的部件中时，加速因气孔所导致的蚀刻的进行，易产生颗粒。
此外，上述陶瓷优选在25℃下的体积电阻率为5×1011Ω·cm以下。
上述体积电阻率超过5×1011Ω·cm时，该陶瓷易带电，在用于等离子体处理装置的部件中时，难以防止等离子体处理装置中等离子体的产生被阻碍或不均匀，此外还不能充分抑制颗粒的产生。
上述本发明涉及的陶瓷可以通过向纯度为99％以上的氧化钇粉末中添加相对于上述氧化钇粉末为3重量％～30重量％的纯度为99％以上的二氧化铈粉末、相对于上述氧化钇粉末为3重量％～50重量％的纯度为99％以上的五氧化铌粉末，成型后，在还原氛围气体中烧制来得到。具体的制造方法如下述实施例所述。
作为本发明涉及的陶瓷的组成成分的氧化钇、二氧化铈和五氧化铌各原料都优选使用纯度为99％以上的高纯度的粉末。
纯度小于99％时，不能得到充分致密化的陶瓷，此外，在用于等离子体处理装置的部件中时，有可能因原料中的杂质导致颗粒的产生。
而且，根据需要，还可以往上述原料粉末中添加粘合剂等烧结助剂。
此外，烧制温度优选为1600～1900℃，更优选为1700～1850℃。
上述烧制温度小于1600℃时，在陶瓷中残留许多气孔，不能得到充分致密化的烧结体。
另一方面，烧制温度超过1900℃时，易引起晶粒的异常粒子生长，强度降低。
如此得到的本发明涉及的等离子体处理装置用氧化钇陶瓷，由于耐等离子体性优异、因该部件的破损或腐蚀所导致的粒子的产生得到抑制、并且实现低电阻化，所以可以特别适合用于半导体晶片表面的成膜工序等中使用CCl4、BCl3、HBr、CF4、C4F8、NF3、SF6等卤化物等离子气体、腐蚀性强的ClF3自清洁气体的装置部件，或使用N2或O2的易被溅射性高的等离子体蚀刻的部件中。
以下，基于实施例对本发明进行更具体的说明，但是本发明不被下述实施例所限定。
[实施例1]
在搅拌的同时将纯度为99.9％的氧化钇粉末(平均粒径1～10μm)分散在纯水中，添加纯度为99.9％的二氧化铈(CeO2)粉末(平均粒径0.5～2.0μm)3重量％和纯度为99.9％的五氧化铌(Nb2O5)粉末(平均粒径0.3～3.0μm)4重量％，用球磨机混合搅拌5小时进行均匀分散，制备浆料。
将该浆料用喷雾干燥器造粒，将得到的造粒粉末通过冷静液压(冷間静水压)加压(CIP)以1.5t/cm2加压成型。
将得到的成型体在氢气氛围气体中，于1750℃进行烧制，得到陶瓷烧制体。
[实施例2～6、比较例1～6]
二氧化铈添加量、五氧化铌添加量、烧制氛围气体为下述表1的实施例2～6、比较例1～6所示的条件，除此之外与实施例1同样地进行，制造陶瓷烧制体。
[表1]
  CeO2添加量(wt％)  Nb2O5添加量(wt％)   烧制氛围气体
 实施例1   3   4   氢气
 实施例2   16   17   氢气
 实施例3   29   11   氢气
 实施例4   15   7   氢气
 实施例5   18   40   氢气
 实施例6   25   48   氢气
 比较例1   10   2   氢气
 比较例2   5   55   氢气
 比较例3   20   20   氢气
 比较例4   2   5   氢气
 比较例5   35   10   氢气
 比较例6   16   17   大气
对于上述实施例和比较例中得到的烧结体，通过下述所示的方法进行各种物性评价。
开孔率测定根据JIS R1634进行。
电阻率测定根据JIS C 2141、在室温(25℃)下进行。
进一步地，用上述烧制体制造喷淋板(シヤワ一プレ一ト)，使用该喷淋板，用RIE方式的蚀刻装置(使用气体：CF4、O2)，进行直径8英寸的硅晶片的等离子体处理后，检测晶片上的Y、Ce和Nb的污染物，测定其量。
测定通过ICP-MS进行，此外，通过XRD确认Nb相。
这些测定结果如表2所示。
[表2]
Figure A20091017436600091
由表2可知，本发明涉及的陶瓷(实施例1～6)开孔率低，体积电阻率也降低。进一步地，用于等离子体处理装置的部件中时，耐等离子体性优异，Y、Ce和Nb各污染物也得到抑制。

Claims (2)

1.等离子体处理装置用陶瓷，其特征在于，是向氧化钇中添加相对于氧化钇为3重量％～30重量％的二氧化铈、相对于氧化钇为3重量％～50重量％的五氧化铌，并在还原氛围气体中烧制而成的陶瓷，开孔率为1.0％以下。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置用陶瓷，其特征在于，在25℃下的体积电阻率为5×1011Ω·cm以下。
CN200910174366A 2008-09-12 2009-09-11 等离子体处理装置用陶瓷 Pending CN101671171A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008234552 2008-09-12
JP2008234552A JP2010064937A (ja) 2008-09-12 2008-09-12 プラズマ処理装置用セラミックス

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101671171A true CN101671171A (zh) 2010-03-17

Family

ID=42007744

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910174366A Pending CN101671171A (zh) 2008-09-12 2009-09-11 等离子体处理装置用陶瓷

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20100069227A1 (zh)
JP (1) JP2010064937A (zh)
KR (1) KR20100031463A (zh)
CN (1) CN101671171A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014084334A1 (ja) * 2012-11-29 2014-06-05 京セラ株式会社 静電チャック
CN110386817A (zh) * 2019-08-21 2019-10-29 重庆臻宝实业有限公司 抗等离子体腐蚀陶瓷及制备方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5526098B2 (ja) * 2011-09-30 2014-06-18 コバレントマテリアル株式会社 耐食性部材及びその製造方法
JP6526568B2 (ja) * 2013-11-29 2019-06-05 株式会社東芝 プラズマ装置用部品およびその製造方法
KR20220131949A (ko) * 2020-01-23 2022-09-29 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 챔버 컴포넌트들을 위한 이트륨 알루미늄 코팅

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100599998B1 (ko) * 2003-02-17 2006-07-13 도시바세라믹스가부시키가이샤 산화이트륨 소결체 및 그 제조방법
US7696117B2 (en) * 2007-04-27 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus which reduce the erosion rate of surfaces exposed to halogen-containing plasmas
US8367227B2 (en) * 2007-08-02 2013-02-05 Applied Materials, Inc. Plasma-resistant ceramics with controlled electrical resistivity
KR20090093819A (ko) * 2008-02-28 2009-09-02 코바렌트 마테리얼 가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치에 이용되는 소결체 및 부재
WO2010024353A1 (ja) * 2008-08-28 2010-03-04 Toto株式会社 耐蝕性部材およびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014084334A1 (ja) * 2012-11-29 2014-06-05 京セラ株式会社 静電チャック
CN110386817A (zh) * 2019-08-21 2019-10-29 重庆臻宝实业有限公司 抗等离子体腐蚀陶瓷及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010064937A (ja) 2010-03-25
KR20100031463A (ko) 2010-03-22
US20100069227A1 (en) 2010-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI724150B (zh) 經氟化釔噴塗的塗層、用於彼之噴塗材料、及含該噴塗塗層的耐腐蝕性塗層
JP5047741B2 (ja) 耐プラズマ性セラミックス溶射膜
JP4548887B2 (ja) 耐食性セラミック部材およびその製造方法
JP2009068067A (ja) 耐プラズマ性セラミックス溶射膜
JP5004573B2 (ja) 半導体製造装置用耐食性部材およびその製造方法
CN101671171A (zh) 等离子体处理装置用陶瓷
JPWO2005009919A1 (ja) Ｙ２ｏ３質焼結体、耐食性部材およびその製造方法並びに半導体・液晶製造装置用部材
JP4683783B2 (ja) 半導体製造装置用耐プラズマ部材の製造方法
WO2009133638A1 (ja) イットリア焼結体およびプラズマプロセス装置用部材
JP4854420B2 (ja) アルミナ質焼結体、これを用いた処理装置用部材と処理装置、試料処理方法、およびアルミナ質焼結体の製造方法
WO2012165334A1 (ja) ＣａＦ２多結晶体、フォーカスリング、プラズマ処理装置及びＣａＦ２多結晶体の製造方法
JP4798693B2 (ja) プラズマ処理装置用イットリアセラミックス部品及びその製造方法
JP3618048B2 (ja) 半導体製造装置用部材
JPH11310451A (ja) プラズマ耐食性に優れたアルミナセラミックス材料およびその製造方法
JP3706488B2 (ja) 耐食性セラミック部材
JP2006199562A (ja) 耐食性部材およびそれを用いた半導体・液晶製造装置用部材
JP5137358B2 (ja) アルミナ質焼結体、これを用いた処理装置用部材と処理装置、試料処理方法、およびアルミナ質焼結体の製造方法
JP4368021B2 (ja) 耐蝕性セラミックス材料
JP2009234877A (ja) プラズマ処理装置用部材
WO2019022244A1 (ja) プラズマ処理装置用部材
KR20090101245A (ko) 세라믹 부재 및 내식성 부재
JP3716386B2 (ja) 耐プラズマ性アルミナセラミックスおよびその製造方法
JP3769416B2 (ja) プラズマ処理装置用部材
JP3732966B2 (ja) 耐食性部材
JP2007223828A (ja) イットリアセラミックス焼結体およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20100317