CN101609832A - 显示装置及其制造方法、以及半导体器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示装置及其制造方法、以及半导体器件及其制造方法，其中，该显示装置包括基板上的源电极/漏电极、像素电极、绝缘的分隔壁层、沟道区半导体层。源电极/漏电极和像素电极形成在基板上并彼此接触。绝缘的分隔壁层形成在基板上，并设置有延伸至源电极和漏电极之间的第一开口以及形成在像素电极之上并延伸至像素电极的第二开口。沟道区半导体层形成于第一开口的底部上。绝缘膜形成在分隔壁层上以覆盖包括沟道区半导体层的第一开口。定向膜从绝缘膜上方覆盖第一开口并从像素电极上方覆盖第二开口。通过本发明，可以提高具有像素电极的显示装置的图像质量。

Description

显示装置及其制造方法、以及半导体器件及其制造方法
相关申请的交叉引用
本发明包含于2008年6月17日向日本专利局提交的日本优先专利申请JP 2008-157489的主题，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及具有由精细图样化的薄膜制成的半导体层的半导体器件、这种半导体器件的制造方法、使用这种半导体器件的显示装置以及这种显示装置的制造方法。
背景技术
薄膜晶体管(TFT)被广泛用作电子电路中的像素晶体管，尤其是用在有源矩阵驱动的平板显示单元中。近来，使用有机材料作为半导体层来用于具有较小厚度的半导体器件已引起了注意。在使用有机材料作为半导体层的半导体器件情况下，这种层可以以低于使用无机材料作为半导体层的半导体器件的温度形成。因此，这种有机薄膜晶体管的优势在于，可以生成具有大面积的薄膜晶体管，并且有机薄膜晶体管可形成在具有弱耐热性的柔性基板(例如，塑料基板)上。从实现多功能器件和降低成本的观点来看，有机薄膜晶体管是很有前途的。
为了图样化由有机材料制成的半导体层，执行使用印刷法、金属掩膜等真空沉积处理。除此之外，还执行其他处理，包括在光致光致抗蚀图样上形成有机材料层之后通过剥离(lift-off)技术选择性地去除光致光致抗蚀图样上侧的有机半导体层部分的处理以及使用光致抗蚀图样作为掩膜的图样蚀刻半导体层的处理。
然而，使用印刷法、掩膜等的真空沉积处理具有限定有限图样的缺点。具体地，在使用金属掩膜的气相沉积处理的情况下，难以在大面积基板上以良好的定位精度来形成图样。此外，在使用光致光致抗蚀图样的处理的情况下，用于去除光致光致抗蚀图样的抗蚀剂去除溶液也会损坏有机半导体层，并引起有机半导体层中漏电流的增加、电子迁移率的降低以及阈值电压改变的问题。
因此，已提出了形成半导体层的另一种处理。该处理包括以下步骤：在其上将形成半导体层的基板上用大量步骤形成分隔壁层(经图案化的绝缘层)；以及从分隔壁层上方沉积半导体层。因此，半导体层被图样化为由下部和上部的两部分组成，这两部分通过上述步骤分离。换句话说，例如，源电极/漏电极被图样化形成在覆盖栅电极的栅极绝缘膜上，然后，在源电极/漏电极上形成分隔壁层。接下来，从分隔壁层上方沉积半导体层。半导体层的一部分被置于分隔壁层的上部上。另一方面，半导体的其余部分与这部分分离，并在分隔壁层下设置作为源电极/漏电极之间的沟道区域的半导体层(参见日本未审查专利申请公开第2000-269504A号，尤其是图1和图6及其相关描述；以及Stijn De Vusser等人的“Integrated shadowmask method for patterning small molecule organic semiconductor”(Applied Physics Letters 88，2006，美国物理协会，2006，103501-1～103501-3))。
此外，在使用具有上述半导体层的薄膜晶体管作为像素晶体管的液晶显示装置的情况下，像素电极在栅电极上被形成与源电极/漏电极同一层的部分或与它们不同层的部分同时连接至源电极/漏电极。此后，以上述类似的方式，形成在源电极/漏电极和像素电极上分隔壁层，然后半导体层被形成为源电极/漏电极之间的沟道区域。随后，定向膜经由绝缘保护膜从上述这些层的上方形成，使得这些层可覆盖定向膜(参见日本未审查专利申请公开第2000-269504A，尤其是图1和图6)。
发明内容
然而，在日本未审查专利申请公开号第2000-269504A号所披露的液晶显示装置中，分隔壁层和半导体层如上所述堆叠在像素电极上。因此，显示光在穿过半导体层和分隔壁层之后被显示。这意味着所传送的光由于半导体层和分隔壁层的存在而被着色，从而影响了图像的色彩质量。
此外，即使连接至薄膜晶体管的像素电极延伸到保护膜外侧，但由于整个半导体层都存在于保护层下，所以难以确保像素电极之间的绝缘性。
因此，期望提供一种具有良好图像质量的显示装置和这种显示装置的制造方法，其中，该显示装置包括半导体层，该半导体层通过从分隔壁层上方沉积来制备并被精细地图样化，同时能够在不影响半导体层的情况下图样化形成像素电极。此外，还期望提供一种半导体器件及这种半导体器件的制造方法，其中，半导体器件适合用作该这种显示装置的驱动基板(例如，背板或所谓的底板)。
为了响应这些需要，根据本发明实施例的显示装置包括以下部件。即，形成在基板上的源电极和漏电极。形成在基板上并与源电极或漏电极接触的像素电极。绝缘的分隔壁层形成在基板上，并具有延伸至源电极与漏电极之间的第一开口以及形成在像素电极上并延伸至像素电极的第二开口。此外，沟道区半导体层形成在第一开口的底部上。在分隔壁层上形成绝缘膜，以覆盖包括沟道区半导体层的第一开口。此外，定向膜从绝缘膜上方覆盖第一开口，以及从像素电极上方覆盖第二开口。
换句话说，显示装置包括薄膜晶体管和连接至薄膜晶体管的像素电极，它们形成并配置在基板上。此外，绝缘的分隔壁层形成在其上形成有薄膜晶体管的源电极/漏电极和像素电极的这种基板上。分隔壁层设置有位于对应于薄膜晶体管的沟道区的位置的第一开口和露出形成像素电极的区域的第二开口。第一开口的底部设置有构成薄膜晶体管的有源层的沟道区半导体层，同时从该处去除第二开口底部上的半导体层。
由于如上所述构造的显示装置设置有形成在分隔壁层中的第一开口的底部上的沟道区半导体层，所以这种沟道区半导体层可通过从分隔壁层上方沉积半导体层而精细分离并图样化。此外，除第一开口之外，分隔壁层还设置有第二开口，形成像素电极的区域从第二开口露出，并且从该处去除第二开口中的半导体层。因此，从像素电极反射的光或穿过像素电极的光可以被取出而不受半导体层和分隔壁层的影响。
根据本发明的另一个实施例的显示装置制造方法包括以下步骤。在基板上形成薄膜晶体管的源电极/漏电极，同时像素电极连接至源电极/漏电极。在基板上形成绝缘的分隔壁层，其中，分隔壁层具有延伸至源电极和漏电极之间的第一开口以及形成在像素电极的中心并延伸至像素电极的第二开口。此外，沟道区半导体层由第一开口底部上的半导体构成。
此外，根据本发明的又一个实施例，提供了一种适合用作上述显示装置的驱动基板(背板)的半导体器件以及这种半导体器件的制造方法。例如，在本实施例中，导电图样被形成为上述像素电极。
根据本发明的任一个实施例，沟道区半导体层通过从分隔壁层上方沉积而精细分离并图样化。因此，可以获得不受分隔壁层和残留在其顶部上的半导体层的影响的像素电极。此外，可以提高具有像素电极的显示装置的图像质量。
附图说明
图1是根据本发明的第一～第四实施例以及第八实施例中的任一个的使用底栅型薄膜晶体管的显示装置中对应于一个像素的部分驱动侧基板的示意性平面图；
图2是用于示出根据第一实施例的显示装置的沿图1中的线II-II线截取的截面图；
图3是示出根据第一实施例的显示装置的制造方法的截面图，其中，图3A～图3E分别示出了相应的步骤；
图4是根据本发明的第二实施例的对应于一个像素的部分显示装置的截面图；
图5是根据本发明的第三实施例的对应于一个像素的部分显示装置的截面图；
图6是根据本发明的第四实施例的对应于一个像素的部分显示装置的截面图；
图7是根据本发明的第五～第七实施例以及第八实施例中的任一个的使用底栅型薄膜晶体管的显示装置的对应于一个像素的部分驱动侧基板的示意性平面图；
图8是根据本发明的第五实施例的对应于一个像素的部分显示装置的截面图；
图9是根据第五实施例的显示装置制造方法的截面图，其中，图9A～图9E分别示出了相应的步骤；
图10是根据本发明的第六实施例的对应于一个像素的部分显示装置的截面图；
图11是根据本发明的第七实施例的对应于一个像素的部分显示装置的截面图；
图12是根据本发明的第八实施例的使用顶栅型薄膜晶体管的显示装置的对应于一个像素的部分驱动侧基板的示意性平面图；
图13是根据本发明第八实施例的对应于一个像素的部分显示装置的截面图；
图14是示出了根据第八实施例的显示装置的制造方法的截面图，其中，图14A～图14E分别示出了相应的步骤；
图15是根据本发明的第九实施例的IPS模式显示装置的对应于一个像素的部分驱动侧基板的示意性平面图；以及
图16是根据本发明的第九实施例的显示装置的对应于一个像素的部分驱动侧基板的平面示意图。
具体实施方式
下面，将参照附图详细描述本发明的实施例。在以下描述中，本发明的实施例将应用于有源矩阵型液晶显示装置，但不限于此。
<第一实施例>
参照图1和图2，描述了根据本发明的第一实施例的显示装置。图1是根据本发明实施例的显示装置1-1的、对应于一个像素的部分驱动侧基板的示意性平面图。此处，将底栅型薄膜晶体管用作用于像素驱动的薄膜晶体管Tr。此外，图2是沿图1中的线II-II的截面图。
在如图所示的显示装置1-1中，对可见光具有透明性(下文称作“透光性”)的基板3上的第一层包括沿水平方向排列于其上的扫描线5和共用线7。薄膜晶体管Tr的栅电极5g由朝共用线7的每条扫描线5形成，并沿垂直方向延伸。此外，每条共用线7的中间部分被图样化为电容元件Cs的下电极7c。
透光的栅极绝缘膜9(仅在图2中示出)形成在基板3上，从而覆盖了扫描线5和共用线7。
基板3上的第二层形成在栅极绝缘膜9上，并包括由光学透明的透射导电材料制成的透射显示电极11并形成为像素电极。此处，透射显示电极11在每个像素的大面积上形成。
此外，多个信号线13(仅在图1中示出)被配置在栅极绝缘膜9上，沿垂直于扫描线5和共用线7的方向延伸。像素被设置在扫描线5和信号线13之间的相交处。在每个像素中，形成了透射显示电极11。
从每条信号线13，薄膜晶体管Tr的一个源电极/漏电极13sd沿水平方向朝向栅电极5g的一侧延伸。位于栅电极5g相对侧的另一个源电极/漏电极13sd还用作电容元件Cs的上电极并通过栅极绝缘膜9延伸到下电极7c的上方。因此，这些堆叠的部分构成了电容元件Cs。此外，还用作电容元件Cs的上电极的源电极/漏电极的端部被叠加在透射显示电极11的端部，以与其直接接触。更具体地，如图所示，源电极/漏电极13sd的端部可以设置在透射显示电极11的端部上或相反。
此外，绝缘分隔壁层15形成在其上已形成有透射显示电极11、信号线13和源电极/漏电极13sd的基板3的上侧。分隔壁层15具有第一开口15a，处于对应于薄膜晶体管Tr的沟道部分的位置或源电极/漏电极13sd之间的栅电极5g上的位置。除第一开口15a以外，分隔壁层15在透射显示电极11上方还具有宽第二开口15b。只要第二开口15b与第一开口15a分开，则第二开口15b可以是任意尺寸和形状，即使其延伸到对应于透射显示电极11的区域外部。
此处，重要的是分隔壁层15将稍后描述的半导体层17划分为分别位于分隔壁层15上部和下部的两部分。这种分隔壁层15具有充分大于半导体层17的厚度的膜厚。此外，第一开口15a和第二开口15b的侧壁是垂直的，或者更优选是倾斜的，使得每一开口朝向开口上侧变窄以形成倒锥形开口。
如图所示，这个分隔壁层15可具有(在截面中)有基本一致的倾斜角的倒锥形侧壁。在由堆叠层构成的分隔壁层15中，开口可随着其接近下部膜而变宽。此外，在如下所述通过在分隔壁层15的上部和下部之间沉积半导体层17来使它们彼此分离的情况下，只有分隔壁层15的上部可以倒锥形状形成。
构成薄膜晶体管Tr的有源层的沟道区半导体层17ch形成在分隔壁层15的第一开口15a的底部上。此外，薄膜晶体管Tr由栅电极5g、通过栅极绝缘膜9排列在栅电极5g两侧的源电极/漏电极13sd以及堆叠在栅电极5g上同时与源电极/漏电极13sd接触的沟道区半导体层17ch构成。
沟道区半导体层17ch是从分隔壁层15上部形成并在第一开口15a底部被图样化的半导体层17(仅在图2中示出)，同时与分隔壁层15上的半导体层17的另一部分分离。此外，在第二开口15b底部上，半导体层17并没有形成在透明显示电极11上或从其大范围被去除。所以，透明显示电极11可以大范围地从半导体层17中露出。
在其上如上所述形成有沟道区半导体层17ch、分隔壁层15和透射显示电极11的基板3上，进一步经由绝缘膜19(仅在图2中示出)在基板3上形成定向膜21。
优选地。绝缘膜19是沟道区半导体层17ch的保护膜，但是其在透射显示电极11上的部分被去除了。然而，当绝缘膜19由透明材料制成时，透射显示电极11也可以被绝缘膜19所覆盖。换句话说，绝缘膜19形成在分隔壁层15上并覆盖包括沟道区半导体层17ch的第一开口15a。定向膜21还被形成为可以用作保护膜以从绝缘膜19的顶部覆盖第一开口15a并从透射显示电极11的顶部覆盖第二开口15b。
此外，在显示装置的上述结构中，堆叠在透射显示电极11和基板3上的任意层都应该是尽可能具有良好可见光透射性的层。
另一方面，相对基板31(仅在图2中示出)被配置为面向驱动基板3侧，其中，透射显示电极11如上所述形成。相对基板31由透光材料制成并具有由透射导电材料制成的光学透明的共用电极33(对于所有像素是共用的)，同时以覆盖该共用电极33的状态形成定向膜35。此外，液晶层LC和隔离物(未示出)被设置在基板3的定向膜21与相对基板31的定向膜35之间。此外，附加的定向板(未示出)被分别配置在基板3的外侧和相对基板31的外侧上。因此，构成了显示装置1-1。
在这种显示装置1-1中，通过偏光板从基板3入射的光可以透过透射显示电极11并到达液晶层LC。然后，只有处于特定偏振状态的光才能够穿过相对基板31侧的偏振板并被取出作为显示光，其中，特定偏振状态是通过根据施加给透射显示电极和共用电极33的电压的状态穿过以预定方向定向的液晶层LC而引起的。
现在，参照图3来描述如上所述构造的显示装置1-1的制造方法。图3A～图3E是对应于方法的各个步骤的截面图。
首先，如图3A所示，制备透光的基板3。基板3可由任何材料制成，例如塑料或玻璃，但不限于此。可选地，其可以是覆盖有绝缘保护膜的玻璃或塑料基板，优选地，是具有良好可见光透射率(80％～90％以上)的基板。此外，当此处制造的显示装置是柔性显示器时，优选地是塑料基板。
与配线、扫描线和共用线(未示出)一起，第一层部件，即栅电极5g和下电极7c形成在基板3上。可以执行这些电极和配线的形成而不依赖于任何具体技术和任何具体材料。可以对其应用任何技术和材料。例如，可优选采用光刻法以更精细地形成电极和配线。在这种情况下，将通过光刻法形成的光致光致抗蚀图样作为掩模来使形成的电极材料层经受锥形图样蚀刻。电极材料层的实例包括铝(Al)膜、金(Au)膜、包含金(Au)膜和铬(Cr)膜的堆叠膜、银(Ag)膜、钯(Pd)膜以及这些膜的堆叠膜。
接下来，透光的栅极绝缘膜9形成在基板3上，同时覆盖栅电极5g、下电极7c等。栅极绝缘膜9可使用任意技术和材料来形成。例如，栅极绝缘膜9由无机材料(例如，氧化硅或氮化硅)或有机材料(例如，聚乙烯苯酚或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))制成，但不限于此。
接下来，在栅极绝缘膜9上形成由透射导电材料制成的具有透光性的透射显示电极11的图案作为第二层的一部分。该透射显示电极11可使用任意技术和材料来形成。透射导电材料的实例包括氧化物薄膜，例如，氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)。可选地，可以使用任意有机物质，例如PEDOT：聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)和PSS：聚(4-苯乙烯磺酸酯)。然而，当使用这种有机物质时，优选地，有机物质的上表面覆盖有薄无机物质(分隔壁层)，因为要防止有机物质在随后的蚀刻步骤中被破坏。
随后，源电极/漏电极13sd和配线(未示出)在栅极绝缘膜9上被形成为第二层的一部分。这些电极和配线可使用任意技术和材料来形成。例如，它们可以以类似于形成处于第一层的栅电极5g和下电极7c的方式形成。因此，电容元件Cs由位于下电极7c与一个源/漏电极13sd之间的栅极绝缘膜9构成。
接下来，如图3B所示，在其上形成有透射显示电极11和源电极/漏电极13sd的栅极绝缘膜9上形成具有第一开口15a和第二开口15b的分隔壁层15。开口15a和15b的每一个都具有倒锥形的壁。此外，开口15a和15b分别形成在与上面参照图1和图2描述的位置相同的位置上。换句话说，第一开口15a形成在栅电极5g上，以及第二开口15b大面积地形成在透射显示电极11上。形成分隔壁层15的方法实例包括使用感光树脂的光图样化来形成的方法以及通过结合绝缘膜的形成及其蚀刻来形成的方法。绝缘膜的实例包括树脂膜(例如，PMMA膜)和无机绝缘膜(例如，氮化硅(SiNx)膜和氧化硅(SiOx)膜)。
另外，例如，为了形成具有开口15a和15b(具有倒锥形侧壁，其中，它们的倾斜角几乎一致)的分隔壁层15，可以使用光敏树脂在适当调节的曝光条件下执行光刻。这样的光刻形成了具有开口15a和15b(具有倒锥形截面轮廓的侧壁)的分隔壁层15。还可以通过类似方法来形成具有多层结构的分隔壁层15。例如，为了使用光敏树脂形成这样的分隔壁层15，可以使作为第一层的下层膜的感光度与设置在第一层上的第二层的膜的感光度彼此不同。可选地，第一层可使用光敏树脂来形成，而第二层可使用能够选择性地图样化第一层的光敏树脂的材料来形成。另外，当绝缘膜的形成与其蚀刻相结合时，可给予第一层与第二层之间的蚀刻选择性。
如图3C所示，在形成该分隔壁层15之后，从分隔壁层15上方沉积半导体层17。因此，作为半导体层17的沟道区半导体层17ch形成在第一开口15a的底部上，同时与分隔壁层15上的另一半导体层17分离。
此处，例如，可通过真空蒸镀在基板3的整个表面上沉积半导体层17。从而，半导体层17设置在第二开口15b的底部，以与设置在分隔壁层15上的半导体层17分离。
该半导体层17由有机半导体制成，例如，并五苯、噻吩低聚物(诸如六噻吩)或聚噻吩。当采用诸如喷墨法的方法(通过该方法可以同时执行膜的图样化和形成)时，半导体层17可以选择性地仅形成在分隔壁层15中的第一开口15a的底面上，并且得到的半导体层17可被用作沟道区半导体层17ch。
因此，制备了底栅型底接触的薄膜晶体管Tr。在该薄膜晶体管Tr中，源电极/漏电极13sd形成在覆盖栅电极5g的栅绝缘膜9上。另外，设置沟道区半导体层17ch以从源电极/漏电极13sd上方堆叠在栅电极5g上。在该薄膜晶体管Tr中，一个源电极/漏电极13sd用作电容元件Cs的上电极并连接至透射显示电极11。
随后，如图3D所示，沉积绝缘膜19以覆盖分隔壁层15和半导体层17。绝缘膜19可以形成为如图所示不嵌入分隔壁层15的阶梯部分或者形成为具有平坦表面的平坦化膜。另外，当绝缘膜19具有不规则表面时，优选地，开口15a和15b的侧壁具有一般的锥形截面轮廓而不是倒锥形截面轮廓。另外，该绝缘膜19可具有单层结构或堆叠结构。
该绝缘膜19由氮化硅、氧化硅、丙烯酸树脂(例如，聚对位二甲苯、聚乙烯醇、聚乙烯苯酚或PMMA)等制成。
接下来，通过从透射显示电极11图样去除绝缘膜19，来使半导体层17在分隔壁层15的第二开口15b的底部处露出来。此处，可以预先通过印刷法等形成绝缘膜19，以使其在透射显示电极11上大面积地开口。
然后，通过从对应于第二开口15b底部的透射显示电极11去除半导体层17，使透射显示电极11从第二开口15b的底部露出来。在这种情况下，使用在绝缘膜19的图样去除中所使用的光致抗蚀图样或者与绝缘膜19自身一起蚀刻来执行半导体层17的去除。
随后，如图3E所示，从基板3的上方沉积定向膜21来覆盖透射显示电极11。结果，完成了驱动侧基板3(即，显示装置的底板)。
此后，如图2所示，由透射导电材料制成的共用电极33和定向膜35一个接一个地形成在由透明材料制成的相对基板31上。然后，基板3和相对基板31被配置为彼此面对，同时定向膜21和定向膜35彼此面对。在基板3和31之间设置隔离物(未示出)，然后引入液晶层LC并密封于其间。从而，完成了透明液晶显示装置1-1。
在上述第一实施例中，沟道区半导体层17ch通过从分隔壁层15的上方进行沉积而形成在第一开口15a的底部上同时与分隔壁层15上的半导体层17分离。因此，沟道区半导体层17ch可与半导体层17彼此分离并被精细图样化。此外，第二开口15b与第一开口15a一起形成在分隔壁层15中，并露出形成透射显示电极11的区域。从其去除形成在第二开口15b底部上的半导体层17。因此，可以取出穿过透射显示电极11的光而不受到半导体层17和分隔壁层15的影响。
结果，虽然沟道区半导体层17ch通过从分隔壁层15的上方沉积而被良好地隔离和图样化，但是也能够获得显示光而不受分隔壁层15和其顶部剩余的半导体层17的任何影响。因此，可以提高具有透射显示电极11的显示装置1-1的图像质量。
<第二实施例>
图4是根据本发明第二实施例的显示装置1-2的示意性截面图，其对应于沿图1中的线II-II的截面。除绝缘膜具有双层结构之外，图中所示的显示装置1-2具有与图2所示第一实施例的显示装置相同的结构部件。换句话说，形成为沟道区半导体层17ch的保护层的绝缘膜19被设置为保护绝缘膜19-1。此外，在保护绝缘膜19-1上形成平坦化绝缘膜19-2以在透射显示电极11上做一个开口。此外，在这个平坦化绝缘膜19-2上形成定向膜21。
在制造如上所述构造的显示装置1-2的方法中，执行与图3A～图3D所示第一实施例相同的那些过程，直至在透射显示电极11上去除半导体层17。此后，可以在基板3上形成平坦化绝缘膜19-2，然后对平坦化绝缘膜19-2进行图样形成开口以露出透射显示电极1，然后可在其上形成定向膜21。不具体限制形成平坦化绝缘膜19-2的方法。平坦化绝缘膜19-2可通过印刷法等来形成，以预先执行开口的图样形成来露出透射显示电极11。
根据上述第二实施例，在形成在分隔壁层15中的第一开口15a的底部上形成沟道区半导体层17ch。此外，用于露出形成透射显示电极11的区域的第二开口15b被形成在分隔壁层15中，然后从其去除形成在第二开口15b的底部的半导体层17。结果，显示装置1-2能够获得显示光而不受分隔壁层15和其顶部剩余的半导体层17的任何影响，同时具有良好的沟道区半导体层17ch。
<第三实施例>
图5是根据本发明第三实施例的显示装置1-3的示意性截面图，其对应于沿图1中的线II-II的截面。除透射显示电极11被包括在与栅电极5g和下电极7c相同的第一层中之外，图中所示的显示装置1-3具有与图2所示第一实施例的显示装置相同的结构部件。
换句话说，除栅电极5g和下电极7c之外，基板3上的第一层还包括透射显示电极11。此外，在形成在栅电极5g顶部上的栅极绝缘膜9中形成开口9a，并且开口9a在透射显示电极上被广泛地开口。开口9a允许栅极绝缘膜9上的源电极/漏电极13sd连接至透射显示电极11。
如上所述构造的显示装置的制造方法包括：首先在基板3上形成栅电极5g和下电极7c，然后形成由透射导电材料制成的透射显示电极11。栅电极5g和下电极7c分别均可以由透射导电材料制成。在这种情况下，栅电极5g、下电极7c和透射显示电极11可在同一步骤中形成。
此外，形成栅极绝缘膜9，然后在栅极绝缘膜9中形成开口9a。开口9a在透射显示电极11上被广泛地开口。随后，在栅极绝缘膜9上形成连接至透射显示电极11的源电极/漏电极13sd。
可执行随后的步骤，直至通过与上面参照图3B～3E描述的过程相同的那些过程形成定向膜21。
根据上述第三实施例，在形成在分隔壁层15中的第一开口15a的底部上形成沟道区半导体层17ch。此外，在分隔壁层15中形成露出形成透射显示电极11的区域的第二开口15b。此外，从该处去除形成在第二开口15b的底部的半导体层17。因此，如第一实施例，显示装置1-2能够获得显示光而不受分隔壁层15和保留在其顶部的半导体层17的任何影响，同时具有良好的沟道区半导体层17ch。
<第四实施例>
图6是根据本发明第四实施例的显示装置1-4的示意性截面图，其对应于沿图1中的线II-II的截面。图中所示的显示装置1-4是根据第二和第三实施例的显示装置的结构组合。换句话说，除绝缘膜的双层结构之外，显示装置1-4还包括与图5所示第三实施例的显示装置相同的部件。
换句话说，形成为沟道区半导体层17ch的保护层的绝缘膜19被设置作为保护绝缘膜19-1。此外，在保护绝缘膜19-1上形成平坦化绝缘膜19-2，以在透射显示电极11上得到一个开口。此外，在该平坦化绝缘膜19-2上形成定向膜21。
根据上述第四实施例，在形成在分隔壁层15中的第一开口15a的底部上形成沟道区半导体层17ch。此外，在分隔壁层15中形成露出形成透射显示电极11的区域的第二开口15b。
此外，形成在第二开口15b的底部的半导体层17从那里被去除。如第一实施例，即便包括良好的沟道区半导体层17ch，显示装置1-4也能够获得显示光而不受分隔壁层15和保留在其顶部的半导体层17的任何影响。
<第五实施例>
图7是根据本发明第五实施例的半透射/半反射液晶显示装置的、对应于一个像素的驱动侧基板的一部分的示意性平面图。此外，图8是根据本发明第五实施例的显示装置1-5的、对应于沿图7中的线VIII-VIII截取的截面的示意性截面图。
除与透射显示电极11一起形成反射像素电极以及用于安装该反射像素电极23的附加结构之外，图中所示的显示装置1-5具有与图2所示第一实施例的显示装置相同的结构部件。
换句话说，在第五实施例中，分隔壁层具有对应于薄膜晶体管Tr的沟道区的第一开口15a、用于露出透射显示电极11的第二开口15b以及延伸至构成电容元件Cs的源电极/漏电极13sd的第三开口15c。如前述任意一个实施例，具有三个开口15a、15b和15c的分隔壁层15被用作沟道区半导体层17ch的保护膜的绝缘膜19所覆盖。此处，绝缘膜19优选地被设置为平坦化膜等。
此外，在第三开口15c中，在覆盖分隔壁层15的绝缘膜19和半导体层中形成延伸至构成电容元件Cs的源电极/漏电极13sd的连接孔19a。连接孔19a被形成为保持对分隔壁层15上的半导体层17的绝缘性。
在绝缘膜19的一部分上形成反射像素电极23以避开第二开口15b并在第三开口15c中连接至连接孔19a底部上的源电极/漏电极13sd。因此，反射像素电极23通过源电极/漏电极13sd连接至透射显示电极11并且能够接收与施加给透射显示电极11的电位相等的电位。
此外，反射像素电极23被配置在分隔壁层15以及覆盖该分隔壁层15的绝缘膜19上，并且被设计为具有不同于透射显示电极11的高度。反射像素电极23的高度与形成透射显示电极11的透射显示部与形成反射像素电极23的反射显示部之间的液晶层LC的单元间隙值相对应。此外，可通过分隔壁层15以及覆盖该层15的绝缘膜19来调节反射像素电极23的高度。此外，绝缘膜19可形成为如图所示不嵌入分隔壁层15的阶梯部分中或者可形成为具有平坦表面的平坦化膜。
此外，形成定向膜21以覆盖上述透射显示电极11和反射像素电极23。
在该显示装置1-5中，形成透射显示电极的透射显示部接收通过偏光板从基板3入射的光。随后，如第一实施例，光穿过透射显示电极11并延伸至液晶层LC。然后，只有处于特定偏振状态的光才能够穿过相对基板31侧的偏振板并且可以取出作为显示光，其中，特定偏振状态通过根据施加给透射显示电极和共用电极33的电压的状态穿过以预定方向定向的液晶层LC所引起。
相反，配置有反射像素电极23的反射显示部接收通过偏光板从相对基板31入射的光。随后，光穿透液晶层LC并在反射像素电极23上反射，然后再次穿过液晶层LC。在这种情形下，只有处于特定偏振状态的光才能够再次穿过相对基板31侧的偏振板并且可以取出作为显示光，其中，特定偏振状态通过根据施加给透射显示电极23和共用电极33的电压的状态反复地穿过以预定方向定向的液晶层LC所引起。
现在，参照图9描述如上所述构造的显示装置1-5的制造方法。图9A～9E是对应于方法的各个步骤的截面图。
首先，如图9A所示，执行与第一实施例相同的那些步骤，直至在基板3上形成栅电极5g和下电极7c并被栅极绝缘膜9覆盖，在其上形成透射显示电极11，并形成源电极/漏电极13sd。
接下来，如图9B所示，在其上形成有透射显示电极11和源/漏电极13sd的栅极绝缘膜9中形成第一开口15a、第二开口15b和第三开口15c。这些开口15a、15b和15c具有倒锥形截面轮廓的侧壁。此外，以上面参照图7和图8描述的类似方式形成并定位各个开口15a、15b和15c。换句话说，在栅电极5g上形成第一开口15a，在透射显示电极11上的一个广泛区域上形成第二开口15b，以及在构成电容元件Cs的源电极/漏电极13sd上形成第三开口15c。此外，形成这种分隔壁层15的方法与第一实施例类似。
在形成上述分隔壁层15之后，如图9C所示，从分隔壁层15的上方沉积半导体层17。因此，组成半导体层17的沟道区半导体层17ch形成在第一开口15a的底部上，以与设置在分隔壁层15上的半导体层17分离。以与第一实施例类似的方式执行半导体层17的形成。
随后，如图9D所示，形成绝缘膜19以覆盖分隔壁层15和半导体层17。此处，绝缘膜19优选被形成为平坦化膜。接下来，通过从透射显示电极11图样去除绝缘膜19来使半导体层17在分隔壁层15的第二开口15b的底部露出。此外，在这种情况下，在分隔壁层15的第三开口15c底部上的绝缘膜19从那里被去除，然后形成连接孔19a以在连接孔19a的底部露出半导体层17。
以与第一实施例类似的方式执行这种绝缘膜19的形成。可选地，绝缘膜19可通过印刷法等来形成，以预先具有连接孔19a同时在透射显示电极11上被广泛地开口。此外，绝缘膜19可以被设置为回流膜(reflow film)。在这种情况下，可以在已经具有连接孔19a的绝缘膜19上执行回流处理。因此，连接孔19a的开口边缘部19a可以被修圆，并且防止接下来形成的反射像素电极被逐步切割。此外，绝缘膜19可以如图所示被形成为不嵌入分隔壁层15的阶梯部分中或者可以被形成为具有平坦平面的平坦化膜。
然后，通过从对应于第二开口15b的底部的透射显示电极11去除半导体层17以使透射显示电极11从第二开口15b的底部露出，同时去除连接孔19a的底部上的半导体层17以露出源电极/漏电极13sd。
随后，如图9E所示，通过连接孔19a连接源电极/漏电极13sd的反射像素电极23形成在绝缘膜19上。接下来，从基板3的上方设置定向膜21以覆盖透射显示电极11和反射像素电极23。结果，得到了驱动侧基板3(即，显示装置的底板)。
此后，如图8所示，在由透明材料制成的相对基板31上逐个地形成由透射导电材料制成的共用电极33和定向膜35。然后，使基板3和相对基板31配置为相互面对，同时使定向膜21和定向膜35相互面对。在基板3与31之间设置隔离物(未示出)，然后在其中引入并密封液晶层LC。由此，得到了半透射/半反射液晶显示装置1-5。
即使在上述第五实施例的半透射/半反射显示装置1-5的情况下，也在形成在分隔壁层15中的第一开口15a的底部上形成沟道区半导体层17ch。此外，用于露出形成透射显示电极11的区域的第二开口15b形成在分隔壁层15中，然后从该处去除形成在第二开口15b的底部上的半导体层17。如第一实施例，在该透射显示部中，显示装置1-5能够获得显示光而不受分隔壁层15和保留在其顶部的半导体层17的任何影响，同时具有良好的沟道区半导体层17ch。此外，反射像素电极23从半导体层17的上方引出。因此，即使在反射显示的情况下也能不受半导体层17的影响而获得显示光。
此外，反射像素电极23和透射显示电极11可以在去除了第二绝缘膜19-2的部分上相互直接连接。在这种情况下，没有必要在分隔壁层15中形成第三开口15c。此外，没有必要在绝缘膜19中形成连接孔19a。
<第六实施例>
图10是根据本发明第六实施例的显示装置1-6的示意性截面图，其对应于沿图7中的线VIII-VIII的截面。除绝缘膜具有双层结构之外，图中所示的显示装置1-6具有与图8所示第五实施例的显示装置相同的结构部件。
换句话说，形成为沟道区半导体层17ch的第一保护层的绝缘膜19被设置为第一绝缘膜19-1。此外，以覆盖绝缘膜19-1和透射显示电极11上的开口的形状形成绝缘膜19-2。形成第二绝缘膜19-2以覆盖形成在第一绝缘膜19-1中的开口的内壁。绝缘膜19-1和19-2可以如图所示被形成为不嵌入由分隔壁层15引起的阶梯部分或者可以被形成为具有平坦平面的平坦化膜。此外，在第二绝缘膜19-2中形成第二连接孔19-2a。第二连接孔19-2a在形成在第一绝缘膜19-1中的连接孔19a中到达源电极/漏电极13sd。
此外，通过第二连接孔19-2a连接至源电极/漏电极13sd的反射像素电极23形成在第二绝缘膜19-2上。
在如上所述构造的显示装置1-6的情况下，如第五实施例的半透射/半反射显示装置1-5，显示装置1-6能够获得显示光而不受透射显示部和反射显示部中的每一个的半导体层17的任何影响，同时具有良好的沟道区半导体层17ch。
此外，绝缘膜19-1和19-2分别具有堆叠结构。因此，能够缓和由用于图案化沟道区半导体层17ch的分隔壁层15引起的任何阶梯部分，或者第一绝缘膜19-1的连接孔19a的上边缘能够被第二绝缘膜19-2覆盖同时修圆边缘。因此，可以防止形成在其上部的反射像素电极23被逐步切割。
此外，可以从透射显示电极11去除第二绝缘膜19-2。在这种情况下，第二绝缘膜19-2可以是不透光的。此外，在这种情况下，反射像素电极23和透射显示电极11可以在去除了第二绝缘膜19-2的部分上相互直接连接。只要反射像素电极23和透射显示电极11相互直接连接，就没有必要在分隔壁层15中形成第三开口15c。同样，没有必要在绝缘膜19中形成连接孔19a。
<第七实施例>
图11是根据本发明第七实施例的显示装置1-7的示意性截面图。除了在第一绝缘膜19-1与第二绝缘膜19-2之间配置了遮蔽层25之外，图中所示的显示装置1-7具有与图10所示第六实施例的显示装置相同的结构部件。
换句话说，遮蔽层25由导电材料制成，并在遮蔽层25被堆叠在沟道区半导体层17ch上方的位置设置在第一绝缘膜19-1与第二绝缘膜19-2之间。
制造具有这种遮蔽层25的显示装置的方法包括以下步骤：在形成第一绝缘膜19-1之后但在形成第二绝缘膜19-2之前在第一绝缘膜19-1上形成遮蔽层25。例如，可以以类似于形成栅电极5g和下电极7c的方式执行形成这种遮蔽层25的方法，但没有对其进行具体限制。
在上述第七实施例中，除第六实施例的有利效果之外，还形成了设置在反射像素电极23与沟道区半导体层17ch之间的遮蔽层25。因此，反射像素电极23的电位不会影响沟道区半导体层17ch，使得能够防止所谓的背沟道效应。因此，本实施例的显示装置1-7能够发挥减小薄膜晶体管Tr的工作电压的有利效果。
<第八实施例>
图12是根据本发明第八实施例的显示装置1-8的对应于一个像素的部分驱动侧基板的示意性平面图。此处，采用了顶栅型薄膜晶体管Tr’作为像素驱动薄膜晶体管。另外，图13是根据本发明第八实施例的显示装置1-8的、对应于沿图12中的线XIII-XIII的截面的示意性截面图。与先前的实施例相同的部件分配有相同的参考标号，并省略对共有结构的描述。
在图中所示的显示装置1-8中，驱动侧基板3上的第一层包括透射显示电极11和垂直方向上进行配线的多条信号线13。对于每条信号线13，薄膜晶体管Tr的一个源/漏电极13sd在水平方向上延伸。另外，第一层包括面向第一个源电极/漏电极并用作电容元件的下电极的另一个源电极/漏电极13sd。源/漏电极13sd的末端设置透射显示电极11的末端上，使得它们可以直接连接至透射显示电极11。另外，在透射显示电极11和源电极/漏电极13sd的堆叠状态下，如图所示，源电极/漏电极13sd的末端可设置在透射显示电极11的末端上或相反。
另外，如第一实施例的绝缘分隔壁层15形成在如上所述形成有透射显示电极11，信号线13和源电极/漏电极13sd的基板3的上侧。绝缘分隔壁层15包括与第一实施例类似的第一开口15a和第二开口15b。另外，还形成有延伸至构成电容元件Cs的源电极/漏电极13c的第三开口15c。
换句话说，第一开口15a位于对应于薄膜晶体管Tr’的沟道区域的位置或源电极/漏电极13sd之间的位置。建立第二开口15b使得可以广泛地执行透射显示电极11顶部的开口。第三开口15c形成在延伸至薄膜晶体管Tr’的一个源电极/漏电极13sd的、位于构造电容元件Cs的下电极的一侧。
另外，如第一实施例，如下所述，分隔壁层15具有足够的膜厚来将半导体层17中分隔壁层15的上部的一部分与其下部的另一部分分离。垂直设置开口15a、15b和15c的侧壁。更优选地，这些侧壁的每一个都具有倒锥形截面轮廓，其中，开口的直径朝向开口的顶部逐渐减小。
构成薄膜晶体管Tr’的有源层的沟道区半导体层17ch形成在分隔壁层15的第一开口15a的底部。沟道区半导体层17ch是从分隔壁层15的上部形成并形成在第一开口15a的底部，同时与分隔壁层15上的另一个半导体层17分离的半导体层17(仅在图13中示出)。另外，第二开口15b底部的透射显示电极11上的半导体层17被那里被广泛去除，以从半导体层17中广泛露出透射显示电极11。另外，半导体层17形成在第三开口15c底部的源/漏电极13sd上。
然后，形成栅极绝缘膜9(仅在图13中示出)以覆盖上述沟道区半导体层17ch和第三开口15c中的半导体层17。从该处去除透射显示电极11上的栅极绝缘膜9。
另外，在栅极绝缘膜9上，仅在图12中示出的扫描线5和共用线7在与信号线13垂直的水平方向上进行配线。另外，像素分别被设置在扫描线5和信号线13之间的相交处。在每个像素中，放置透射显示电极11。从每条扫描线5，薄膜晶体管Tr’的栅电极5g延伸至其覆盖位于源电极/漏电极13sd之间的沟道区半导体层17c的位置。另外，顶栅型薄膜晶体管Tr’由一对源电极/漏电极13sd、形成在这些源电极/漏电极13sd上的沟道区半导体层17c和通过栅极绝缘膜9形成在沟道区半导体层17ch上的栅电极5g构成。
另外，每条共用线7的中间部分图样化为构成电容元件Cs的上电极7c’。配置上电极以通过栅极绝缘膜9使其设置在用作下电极的源电极/漏电极13sd上。另外，在第三开口15c的底部，电容元件Cs由设置在用作下电极的源电极/漏电极13sd和下电极7c’之间的栅极绝缘膜9和半导体层17构成。
另外，在其上形成有栅电极5g和上电极7c’的基板上，通过绝缘膜19(仅在图13中示出)形成定向膜21。因此，构成驱动侧基板3的上部。优选地，绝缘膜19是沟道区半导体层17ch的保护膜，但是其在透射显示电极11上的部分被去除。然而，当绝缘膜19由透明材料制成时，透射显示电极11也可以被绝缘膜19所覆盖。换句话说，绝缘膜19形成在分隔壁层15上，并覆盖包含沟道区半导体层17ch的第一开口15a。另外，绝缘膜19可以形成为如图所示具有平坦表面的平坦化膜，或者被形成为不嵌入分隔壁层15的阶梯部分。还形成定向膜21以使其可以用作用于从绝缘膜19的顶部覆盖第一开口15a以及用于从透射显示电极11的顶部覆盖第二开口15b的保护膜。
另一方面，如第一实施例的相对基板31(仅在图13中示出)被配置为面对驱动基板3的一侧，其中，如上所述形成透射显示电极11。即，相对基板31由透光材料制成。在面对透射显示电极11的相对基板31的表面上，形成由透射导电材料制成的透光共用电极33。该电极33对所有像素是共用的。相反，以覆盖该共用电极33的状态形成定向膜35。另外，液晶层LC和隔离物(未示出)被设置在基板3的定向膜21和相对基板31的定向膜35之间。
以此方式，构成了显示装置1-8。显示装置1-8可以执行如第一实施例的执行透射显示。
现在，参照图14描述制造如上所述构造的显示装置1-8的方法。图14A～图14E是对应于该方法的各个步骤的截面图。
首先，如图14A所示，制备透光基板3，然后在其上部上形成透射显示电极11。另外，除源电极/漏电极13sd之外，在基板3上对信号线进行配线。以类似于第一实施例的方式执行这些电极和配线的形成，并且可以应用使用任何技术和材料，但并不限于此。
接下来，如图14B所示，在其上形成有透射显示电极11和源电极/漏电极13sd的基板3上形成分隔壁层15。分隔壁层15包括第一开口15a、第二开口15b和第三开口15c，每个开口都具有倒锥形截面轮廓。另外，所形成的开口15a、15b和15c的位置与上面参照图12和图13描述的类似。这些开口以类似于第一实施例的方式来形成。
随后，如图14C所示，在分隔壁层15上方沉积半导体层17。因此，由半导体层17组成的沟道区半导体层17ch形成在第一开口15a的底部，从而与设置在分隔壁层15上的半导体层17分离。另外，这种半导体层17的形成方法可以类似于第一实施例的方法。
随后，如图14D所示，形成绝缘膜9以覆盖分隔壁层15和半导体层17。栅极绝缘膜9以与第一实施例类似的方式形成。接下来，通过对透射显示电极11上的栅极绝缘膜9进行图样去除，在分隔壁层15的第二开口15b底部露出半导体层17。
此处，可以预先通过印刷法等形成栅极绝缘膜9以使其在透射显示电极11上被大面积的开口。
接下来，使用用于栅电极膜9的图样去除的光致抗蚀图样或将栅极绝缘膜9本身作为掩膜，利用在第二开口15b底部上从透射显示电极11上去除半导体层17，透射显示电极11从第二开口15b的底部露出。
此后，如图14E所示，除栅电极5g和上电极7c’的形成之外，扫描线和共用配线也形成在栅极绝缘膜9上。可使用任意技术和材料来执行这些电极和配线的形成。
从而，获得了顶栅/底接触型薄膜晶体管Tr’。这种薄膜晶体管Tr’包括通过栅极绝缘膜9形成在沟道区半导体层17ch上的栅电极5g，其中，形成沟道区半导体层17ch以在一对源电极/漏电极13sd上方延伸。另外，获得电容元件Cs。电容元件Cs由设置在用作下电极的源电极/漏电极13sd与第三开口15c的底部的上电极7c’之间的栅极绝缘膜9和半导体层17。
此后，绝缘膜19被形成在基板3上，同时覆盖栅电极5g和下电极7c。该绝缘膜19被形成为允许透射显示电极11广泛露出的形状。可以执行这种绝缘膜19的形成，使得将绝缘膜19沉积在基板3上，然后在分隔壁层15的第二开口15b的底部执行透射显示电极11上的绝缘膜19的图样去除。可选地，可以采用印刷法等，以预先在透射显示电极11上作出较宽的开口。另外，绝缘膜19可以形成为具有图中所示平坦表面的平坦化膜，或者被形成为不嵌入分隔壁层15的阶梯部分。另外，当绝缘膜19具有不规则表面时，优选地，使开口15a和15b的侧壁具有一般锥形截面轮廓而不是倒锥形截面轮廓。另外，该绝缘膜19可具有单层结构或多层结构。
这种绝缘膜19由氮化硅、氧化硅、丙烯酸树脂(例如，聚对位二甲苯、聚乙烯醇、聚乙烯苯酚或PMMA)等制成。
此后，从基板3的上方设置定向膜21，从而完成驱动侧基板3(即，显示装置的底板)。
随后，如图13所示，由透射导电材料制成的共用电极33和定向膜35一个接一个地形成在由透明材料制成的相对基板31上。然后，基板3和相对基板31被配置为彼此面对，同时定向膜21和定向膜35彼此面对。然后，在基板3和31之间设置隔离物(未示出)，然后引入液晶层LC，使用顶栅型晶体管完成透射型液晶显示装置1-8。
根据上述第八实施例，在形成在分隔壁层15中的第一开口15a的底部上形成沟道区半导体层17ch。另外，露出形成透射显示电极11的区域的第二开口15b形成在分隔壁层15中。另外，从该处去除形成在第二开口15b底部上的半导体层17。因此，如第一实施例，显示装置1-8可以获得显示光而不受分隔壁层15和保留在其上的半导体层17的影响，同时具有良好的沟道区半导体层17ch。
<第九实施例>
图15是根据本发明第九实施例的显示装置1-9的对应于一个像素的部分驱动侧基板的示意性平面图。显示装置1-9是使用顶栅型薄膜晶体管Tr’作为像素驱动薄膜晶体管Tr的IPS(平面内切换)的液晶显示装置。另外，图16是根据本发明第九实施例的显示装置1-9的对应于图15中的线XVI-XVI的截面的示意性截面图。对与先前实施例相同的部件分配相同的参考标号，并省略对共有结构的描述。
图中所示的显示装置1-9具有与第一实施例的显示装置1-1相同的结构部件，除了透射显示电极11和共用电极33包括在同一层中，并且没有在相对基板31上形成任何共用电极33。另外，连接至共用电极33的共用配线7a可形成在基板3上，与用作电容元件Cs的下电极7c的共用配线7分离。在这种情况下，例如，共用配线7a包括在与栅电极5g和用作电容元件Cs的下电极7c的共用配线7相同的层中。
换句话说，在根据本发明第九实施例的覆盖栅电极5g和电容元件的下电极7c的栅极绝缘膜9上，透射显示电极11和共用电极33以并行配置交替地进行配线，即，所谓的梳状配置。另外，共用电极33通过形成在栅极绝缘膜9中的连接孔9a(仅在图15中示出)连接至共用配线7a，其中，共用配线7a形成在与栅电极5g和用作电容元件Cs的下电极7c的共用配线7相同的层中。
另外，形成在分隔壁层15中的第二开口15b被成形为使其可以在透射显示电极11和共用电极33上被大面积地开口。
在如上所述构造的显示装置中，当液晶层LC的定向在施加在透射显示电极11与共用电极33之间的横向电场中变为预定状态时，通过偏光板从基板3入射并穿过液晶层LC的光可以在穿过相对基板31上的偏光板之后被取出作为显示光。
在制造如上所述构造的显示装置1-9的方法中，除了在形成透射显示电极11之前在栅极绝缘膜中形成连接孔9a的附加步骤以外，执行与图3所示第一实施例相同的处理。形成连接孔9a以到达栅极绝缘膜9中的共用配线7。另外，可通过与图样化透射显示电极11相同的步骤来执行共用电极33的图样化。
如上所述构造的IPS型显示装置1-9包括形成在分隔壁层15中的第一开口15a底部上的沟道区半导体层17ch。另外，露出形成透射显示电极11的区域的第二开口15b形成在分隔壁层15中。另外，形成在第二开口15b底部上的半导体层17被从那里去除。因此，如第一实施例，显示装置可以获得显示光而不受半导体层17的影响，同时具有良好的沟道区半导体层17ch。
另外，第九实施例的显示装置的结构可通过与第五或第六实施例的结合而被设置为半透射/半反射型显示装置。另外，第九实施例的显示装置1-9的结构可通过与第八实施例的结合而设置有顶栅型薄膜晶体管。
另外，通过在位于低于梳状透射显示电极11的层中的栅绝缘极9下方设置共用电极33，第九实施例的显示装置109可构成为FFS(边缘电场转换)模式的液晶显示装置。在这种情况下，共用电极33可以形成在相对于第二开口15b的整个表面上。显示装置的这种结构也可以获得类似的效果。
另外，第一～第九实施例的显示装置可设置有透射显示电极11来作为反射像素电极。即使在这种情况下，反射像素电极上的分隔壁层15和半导体层17也可以从那里去除。因此，从相对基板31入射的光可以在反射像素电极上被反射并取出作为显示光，而不受分隔壁层15和半导体层17的影响。
本领域的技术人员应理解，根据设计要求和其他因素，可以有多种修改、组合、再组合和改进，均应包含在本发明的权利要求或等同物的范围之内。

Claims (19)

1.一种显示装置，包括：
源电极和漏电极，形成在基板上；
像素电极，形成在所述基板上，并与所述源电极或所述漏电极接触；
绝缘的分隔壁层，形成在所述基板上，并具有延伸至所述源电极和所述漏电极之间的第一开口以及形成于所述像素电极上并延伸至所述像素电极的第二开口；
沟道区半导体层，形成在所述第一开口的底部上；
绝缘膜，形成在所述分隔壁层上，以覆盖包括所述沟道区半导体层的所述第一开口；以及
定向膜，从所述绝缘膜上方覆盖所述第一开口并从所述像素电极上方覆盖所述第二开口。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中
在所述分隔壁层的上部上形成由与所述沟道区半导体层的材料相同的材料制成的半导体层。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中
所述沟道区半导体层由有机材料制成。
4.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
面向所述基板的相对基板和设置在所述基板与所述相对基板之间的液晶层。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中
所述薄膜晶体管是底栅型晶体管，并且
在所述基板与所述沟道区半导体层之间按从所述基板开始的顺序形成栅电极和栅极绝缘膜。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中
所述像素电极是透射显示电极，并且
在所述分隔壁层的上层上，反射像素电极通过所述绝缘膜电连接至所述透射显示电极。
7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：
第三开口，形成在所述分隔壁层之中，并延伸至所述源电极或所述漏电极；以及
连接孔，延伸至所述第三开口的内侧中的所述源电极或所述漏电极，至少形成在所述绝缘膜中，其中
所述反射像素电极通过在所述连接孔的底部露出的所述源电极或所述漏电极连接至所述透射显示电极。
8.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：
第三开口，延伸至所述源电极或所述漏电极，形成在所述分隔壁层中；以及
半导体层，放置在所述第三开口的底部上，并由与所述沟道区半导体层的材料相同的材料制成，其中
在所述绝缘膜和放置在所述第三开口的底部上的所述半导体层中形成连接孔，其中，所述连接孔延伸至在所述第三开口的内侧中的所述源电极或所述漏电极，同时与所述分隔壁层上的所述半导体层绝缘，以及
所述反射像素电极通过在所述连接孔的底部露出的所述源电极或所述漏电极连接至所述透射显示电极。
9.根据权利要求6所述所述的显示装置，其中，
参照所述分隔壁层的高度，调节所述反射像素电极相对于所述透射显示电极的位置高度的位置高度。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中
所述薄膜晶体管是顶栅型晶体管；并且
在所述沟道区半导体层上通过栅极绝缘膜形成栅电极。
11.一种显示装置制造方法，包括以下步骤：
在基板上形成薄膜晶体管的源电极/漏电极，同时形成连接至所述源电极/漏电极的像素电极；
在所述基板上形成绝缘的分隔壁层，其中，所述分隔壁层具有延伸至所述源电极与所述漏电极之间的第一开口以及位于所述像素电极上并延伸至所述像素电极的第二开口；以及
在所述第一开口的底部上形成由半导体层构成的沟道区半导体层。
12.根据权利要求11所述的显示装置制造方法，其中
所述形成沟道区半导体层的步骤包括：从所述分隔壁层上方沉积半导体层，以在所述第一开口的底部上形成由所述半导体层形成的沟道区半导体层，从而与所述分隔壁层的上部分离。
13.根据权利要求12所述的显示装置制造方法，其中
所述形成沟道区半导体层的步骤包括：从所述分隔壁层上方沉积半导体层，以在所述第一开口的底部上形成由所述半导体层形成的沟道区半导体层，从而与所述分隔壁层的上部分离；以及
在所述第二开口的底部上形成由与所述沟道区半导体层的材料相同的材料制成的半导体层，其中
在所述形成沟道区半导体层的步骤之后，执行从所述第二开口的底部去除所述半导体层的步骤。
14.根据权利要求11所述的显示装置制造方法，其中，
所述形成沟道区半导体层的步骤包括：采用仅在所述第一开口的底部选择性地制备含有半导体材料的溶液的技术，在所述第一开口的底部上形成由所述半导体层构成的沟道区半导体层。
15.一种半导体器件，包括：
源电极和漏电极，位于基板上；
导电图案，形成在所述基板上，并与所述源电极或所述漏电极接触；
绝缘的分隔壁层，具有延伸至所述源电极和所述漏电极之间的第一开口以及位于所述导电图案的中心并延伸至所述导电图案的第二开口；
沟道区半导体层，形成在所述第一开口的底部上；
绝缘膜，形成在所述分隔壁层上，以覆盖包括所述沟道区半导体层的所述第一开口；以及
定向膜，从所述绝缘膜的上方覆盖所述第一开口并从所述导电图案上方覆盖所述第二开口。
16.一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：
在基板上形成薄膜晶体管的源电极/漏电极，同时形成连接至所述源电极/漏电极的像素电极；
在所述基板上形成绝缘的分隔壁层，其中，所述分隔壁层具有延伸至所述源电极和所述漏电极之间的第一开口以及位于导电图案的中心并延伸至所述导电图案的第二开口；以及
在所述第一开口的底部上形成由半导体层形成的沟道区半导体层。
17.根据权利要求16所述的半导体器件制造方法，其中，
所述形成沟道区半导体层的步骤包括：从所述分隔壁层上方沉积半导体层，以在所述第一开口的底部上形成由所述半导体层形成的沟道区半导体层，从而与所述分隔壁层的上部分离。
18.根据权利要求17所述的半导体器件制造方法，其中
所述形成沟道区半导体层的步骤包括：
从所述分隔壁层上方沉积半导体层，以在所述第一开口的底部上形成由所述半导体层形成的沟道区半导体层，从而与所述分隔壁层的上部分离；以及
在所述第二开口的底部上形成由与所述沟道区半导体层的材料相同的材料制成的半导体层，其中
在所述形成沟道区半导体层的步骤之后，执行从所述第二开口的底部去除所述半导体层的步骤。
19.根据权利要求16所述的半导体器件制造方法，其中，
所述形成沟道区半导体层的步骤包括：
采用仅在所述第一开口的底部选择性地制备含有半导体材料的溶液的技术，
在所述第一开口的底部上形成由所述半导体层构成的沟道区半导体层。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103543566A (zh) * 2012-07-16 2014-01-29 元太科技工业股份有限公司 像素结构及其制造方法
CN108803161A (zh) * 2018-06-29 2018-11-13 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置
CN109920814A (zh) * 2019-03-12 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制造方法、显示装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009021477A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置およびその製造方法
JP2013050509A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 液晶表示装置
KR101876540B1 (ko) 2011-12-28 2018-07-10 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법
CN102655155B (zh) * 2012-02-27 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和显示装置
CN102789106B (zh) * 2012-04-24 2015-01-07 京东方科技集团股份有限公司 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置
CN103996683B (zh) * 2014-05-29 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置
CN104485338B (zh) * 2014-12-15 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及制作方法、液晶显示面板和反射式液晶显示器
CN105301833A (zh) * 2015-12-02 2016-02-03 上海天马微电子有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法以及液晶显示面板
CN105824162B (zh) * 2016-06-01 2020-09-01 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
JP6824058B2 (ja) * 2017-02-08 2021-02-03 株式会社ジャパンディスプレイ タッチセンサ内蔵表示装置
CN112117333A (zh) * 2020-09-24 2020-12-22 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3625598B2 (ja) * 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
US6369410B1 (en) * 1997-12-15 2002-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
JP2000269504A (ja) 1999-03-16 2000-09-29 Hitachi Ltd 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
JP4781518B2 (ja) 1999-11-11 2011-09-28 三星電子株式会社 反射透過複合形薄膜トランジスタ液晶表示装置
KR100366768B1 (ko) * 2000-04-19 2003-01-09 삼성전자 주식회사 배선의 접촉부 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2002269504A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Konica Corp 電子カード発行システム及び電子カード発行方法
JP4841751B2 (ja) * 2001-06-01 2011-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 有機半導体装置及びその作製方法
CN100378551C (zh) * 2001-10-22 2008-04-02 三星电子株式会社 液晶显示器及其制造方法
KR100925452B1 (ko) * 2002-08-14 2009-11-06 삼성전자주식회사 Ｏｃｂ 모드 액정 표시 장치 그 구동 방법
JP3923462B2 (ja) * 2003-10-02 2007-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
US7273773B2 (en) * 2004-01-26 2007-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing thereof, and television device
US7223641B2 (en) * 2004-03-26 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, liquid crystal television and EL television
US8040469B2 (en) * 2004-09-10 2011-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same
US7470604B2 (en) * 2004-10-08 2008-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
CN100416389C (zh) * 2004-11-29 2008-09-03 友达光电股份有限公司 液晶显示装置及其制造方法
KR101125254B1 (ko) * 2004-12-31 2012-03-21 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법과, 그를 이용한 액정 패널 및 그 제조 방법
KR101209046B1 (ko) * 2005-07-27 2012-12-06 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조방법
EP1995787A3 (en) * 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
EP1832915B1 (en) * 2006-01-31 2012-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with improved contrast
WO2007148601A1 (ja) * 2006-06-19 2007-12-27 Panasonic Corporation 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびにそれを用いた電子機器
KR101414125B1 (ko) * 2006-10-12 2014-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조 방법 및 에칭장치
US7767595B2 (en) * 2006-10-26 2010-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI318010B (en) * 2006-11-09 2009-12-01 Au Optronics Corp Pixel structure and fabricating method thereof

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103543566A (zh) * 2012-07-16 2014-01-29 元太科技工业股份有限公司 像素结构及其制造方法
CN103543566B (zh) * 2012-07-16 2016-09-21 元太科技工业股份有限公司 像素结构及其制造方法
US9684216B2 (en) 2012-07-16 2017-06-20 E Ink Holdings Inc. Pixel structure and fabrication method thereof
CN108803161A (zh) * 2018-06-29 2018-11-13 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置
CN109920814A (zh) * 2019-03-12 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制造方法、显示装置
US11239214B2 (en) 2019-03-12 2022-02-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof, and display device
CN109920814B (zh) * 2019-03-12 2022-10-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制造方法、显示装置

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US20120034723A1 (en) 2012-02-09
EP2136244A1 (en) 2009-12-23
US20120190145A1 (en) 2012-07-26
US8383468B2 (en) 2013-02-26

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