JP2009300903A - 表示装置およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板3上に設けられたソース電極13sdおよびドレイン電極13sdと、基板3上に設けられソース電極13sdまたはドレイン電極13sdに接する透過表示用電極(画素電極)11と、ソース電極13sdおよびドレイン電極13sdに達する第1開口15aを有し、かつ、透過表示用電極11の中央部に透過表示用電極11に達する第2開口15bを有して基板3上に設けられた絶縁性の隔壁層15と、第1開口15aの底部に形成されたチャネル部半導体層17chと、チャネル部半導体層17chを含む第1開口15aを覆うように隔壁層15上に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜の上から第1開口15aを覆い、かつ、透過表示用電極11の上から第2開口15bを覆う保護膜とを有する構成とする。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明を適用した表示装置1aにおける駆動側基板の1画素分の概略平面図であり、画素駆動用の薄膜トランジスタTrとしてボトムゲート型の薄膜トランジスタを用いたものである。また図2は、第1実施形態の表示装置1-1の概略断面図であり、図1におけるA−A’断面に対応する。
図4は、第2実施形態の表示装置1-2の概略断面図であり、図1におけるA−A’断面に対応する。この図に示す表示装置1-2が、図2を用いて説明した第1実施形態の表示装置と異なるところは、絶縁膜を2層構造としたところにあり、他の構成は同様であることとする。
図5は、第3実施形態の表示装置1-3の概略断面図であり、図1におけるA−A’断面に対応する。この図に示す表示装置1-3が、図2を用いて説明した第1実施形態の表示装置と異なるところは、透過表示用電極11が、ゲート電極5gおよび下部電極7cと同一の第1層目に設けられているところにあり、他の構成は同様であることとする。
図6は、第4実施形態の表示装置1-4の概略断面図であり、図1におけるA−A’断面に対応する。この図に示す表示装置1-4は、第2実施形態と第3実施形態とを組み合わせたものであり、図5を用いて説明した第3実施形態の表示装置と異なるところは、絶縁膜を2層構造としたところにあり、他の構成は同様であることとする。
図7は、本発明を適用した表示装置1bにおける駆動側基板の1画素分の概略平面図であり、半透過半反射型の液晶表示装置である。また図8は、第5実施形態の表示装置1-5の概略断面図であり、図7におけるA−A’断面に対応する。
図10は、第6実施形態の表示装置1-6の概略断面図であり、図7におけるA−A’断面に対応する。この図に示す表示装置1-6が、図8を用いて説明した第5実施形態の表示装置と異なるところは、絶縁膜を2層構造としたところにあり、他の構成は同様であることとする。
図11は、第7実施形態の表示装置1-7の概略断面図である。この図に示す表示装置1-7が、図10を用いて説明した第6実施形態の表示装置と異なるところは、第1絶縁膜19-1と第2絶縁膜19-2との間にシールド層25が配置されているところにあり、他の構成は同様であることとする。
図12は、本発明を適用した第8実施形態の表示装置1-8における駆動側基板の1画素分の概略平面図であり、画素駆動用の薄膜トランジスタとしてトップゲート型の薄膜トランジスタTr’を用いたものである。また図13は、第8実施形態の表示装置1-8の概略断面図であり、図12におけるA−A’断面に対応する。尚、先の実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を行う。
図15は、本発明を適用した第9実施形態の表示装置1-9における駆動側基板の1画素分の概略平面図であり、画素駆動用の薄膜トランジスタとしてボトムゲート型の薄膜トランジスタTrを用いたIPS(In-Plane-Switching)モードの液晶表示装置である。また図16は、第9実施形態の表示装置1-9の概略断面図であり、図15におけるA−A’断面に対応する。尚、先の実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を行う。
Claims (19)
- 基板上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記基板上に設けられ前記ソース電極または前記ドレイン電極に接する画素電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極間に達する第1開口を有し、かつ、前記画素電極上に前記画素電極に達する第2開口を有して前記基板上に設けられた絶縁性の隔壁層と、
前記第1開口の底部に形成されたチャネル部半導体層と、
前記チャネル部半導体層を含む前記第1開口を覆うように前記隔壁層上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上から前記第1開口を覆い、かつ、前記画素電極の上から第2開口を覆う配向膜と
を有する表示装置。 - 請求項1記載の表示装置において、
前記隔壁層の上部には前記チャネル部半導体層と同一材料からなる半導体層が設けられている表示装置。 - 請求項1記載の表示装置において、
前記チャネル部半導体層は有機材料からなる表示装置。 - 請求項1記載の表示装置において、
前記基板に対向するように設けられた対向基板を有し、
前記基板と、当該対向基板との間に、液晶層が挟持されている表示装置。 - 請求項1記載の表示装置において、
前記薄膜トランジスタはボトムゲート型であり、
前記基板と前記チャネル部半導体層との間には、当該基板側から順にゲート電極およびゲート絶縁膜が設けられている表示装置。 - 請求項1記載の表示装置において、
前記画素電極は透過表示用電極であり、
前記隔壁層の上層には前記透過表示用電極に電気的に接続された反射画素電極が絶縁膜を介して設けられている表示装置。 - 請求項6記載の表示装置において、
前記隔壁層には、前記ソース電極または前記ドレイン電極に達する第3開口が設けられ、
少なくとも前記絶縁膜には前記第3開口の内側において前記ソース電極または前記ドレイン電極に達する接続孔が設けられ、
前記反射画素電極は、前記接続孔の底部に露出する前記ソース電極または前記ドレイン電極を介して前記透過表示用電極に接続されている表示装置。 - 請求項6記載の表示装置において、
前記隔壁層には、前記ソース電極または前記ドレイン電極に達する第3開口が設けられ、
前記第3開口の底部には前記チャネル部半導体層と同一材料からなる半導体層を有し、
前記絶縁膜、および前記第3開口の底部に設けられた半導体層には、前記隔壁上の半導体層に対して絶縁性を保った状態で、当該第3開口の内側において前記ソース電極または前記ドレイン電極に達する接続孔が設けられ、
前記反射画素電極は、前記接続孔の底部に露出する前記ソース電極または前記ドレイン電極を介して前記透過表示用電極に接続されている表示装置。 - 請求項6記載の表示装置において、
前記透過表示用電極の高さ位置に対する前記反射画素電極の高さ位置が、前記隔壁層の高さによって調整されている表示装置。 - 請求項1記載の表示装置において、
前記薄膜トランジスタはトップゲート型であり、
前記チャネル部半導体層上には、ゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられている表示装置。 - 基板上に薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極を形成すると共に、当該ソース/ドレイン電極に接続された画素電極を形成する工程と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極間に達する第1開口を有し、かつ、前記画素電極上に前記画素電極に達する第2開口を有する絶縁性の隔壁層を前記基板上に形成する工程と、
前記第1開口の底部に当該半導体層からなるチャネル部半導体層を形成する工程と、
を行う表示装置の製造方法。 - 請求項11に記載の表示装置の製造方法において、
前記チャネル半導体層を形成する工程は、前記隔壁層の上部からの半導体層の成膜により、当該隔壁層の上部とは分断された状態で前記第1開口の底部に当該半導体層からなるチャネル部半導体層を形成する表示装置の製造方法。 - 請求項12記載の表示装置の製造方法において、
前記チャネル部半導体層を形成する工程は、前記隔壁層の上部からの半導体層の成膜により、当該隔壁層の上部とは分断された状態で前記第1開口の底部に当該半導体層からなるチャネル部半導体層を形成すると供に、第2の開口の底部に前記チャネル部半導体層と同一材料からなる半導体層を形成し、
前記チャネル部半導体層を形成する工程の後に前記第2の開口の底部から前記半導体層を除去する工程を行う表示装置の製造方法。 - 請求項11記載の表示装置の製造方法において、
前記チャネル半導体層を形成する工程は、半導体材料が含まれた溶液を第1開口底部のみに選択的に形成する方法により前記第1開口の底部に当該半導体層からなるチャネル部半導体層を形成する表示装置の製造方法。 - 基板上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記基板上に設けられ前記ソース電極または前記ドレイン電極に接する導電性パターンと、
前記ソース電極および前記ドレイン電極間に達する第1開口を有し、かつ、前記導電性パターンの中央部に前記導電性パターンに達する第2開口を有して前記基板上に設けられた絶縁性の隔壁層と、
前記第1開口の底部に形成されたチャネル部半導体層と、
前記チャネル部半導体層を含む前記第1開口を覆うように前記隔壁層上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上から前記第1開口を覆い、かつ、前記導電性パターンの上から第2開口を覆う配向膜と
を有する半導体装置。 - 基板上に薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極を形成すると共に、当該ソース/ドレイン電極に接続された導電性パターンを形成する工程と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極間に達する第1開口を有し、かつ、前記画素電極の中央部に前記画素電極に達する第2開口を有する絶縁性の隔壁層を前記基板上に形成する工程と、
前記第1開口の底部に当該半導体層からなるチャネル部半導体層を形成する工程と、
を行う半導体装置の製造方法。 - 請求項16に記載の表示装置の製造方法において、
前記チャネル半導体層を形成する工程は、前記隔壁層の上部からの半導体層の成膜により、当該隔壁層の上部とは分断された状態で前記第1開口の底部に当該半導体層からなるチャネル部半導体層を形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項17記載の表示装置の製造方法において、
前記チャネル部半導体層を形成する工程は、前記隔壁層の上部からの半導体層の成膜により、当該隔壁層の上部とは分断された状態で前記第1開口の底部に当該半導体層からなるチャネル部半導体層を形成すると供に、第2の開口の底部に前記チャネル部半導体層と同一材料からなる半導体層を形成し、
前記チャネル部半導体層を形成する工程の後に前記第2の開口の底部から前記半導体層を除去する工程を行う半導体装置の製造方法。 - 請求項16記載の表示装置の製造方法において、
前記チャネル半導体層を形成する工程は、半導体材料が含まれた溶液を第1開口底部のみに選択的に形成する方法により前記第1開口の底部に当該半導体層からなるチャネル部半導体層を形成する半導体装置の製造方法。
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KR1020090045892A KR20090131245A (ko) | 2008-06-17 | 2009-05-26 | 표시 장치 및 그 제조 방법, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
TW098117862A TWI389320B (zh) | 2008-06-17 | 2009-05-27 | 顯示裝置及其製造方法,及半導體裝置及其製造方法 |
US12/485,582 US8063405B2 (en) | 2008-06-17 | 2009-06-16 | Display device and manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof |
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US13/276,907 US8168484B2 (en) | 2008-06-17 | 2011-10-19 | Display device and manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof |
US13/440,648 US8383468B2 (en) | 2008-06-17 | 2012-04-05 | Display device and manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015520940A (ja) * | 2012-04-24 | 2015-07-23 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 有機薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法、並びに表示装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009021477A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置およびその製造方法 |
JP2013050509A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | 液晶表示装置 |
KR101876540B1 (ko) | 2011-12-28 | 2018-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법 |
CN102655155B (zh) * | 2012-02-27 | 2015-03-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和显示装置 |
TWI477867B (zh) | 2012-07-16 | 2015-03-21 | E Ink Holdings Inc | 畫素結構及其製造方法 |
CN103996683B (zh) * | 2014-05-29 | 2015-02-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 |
CN104485338B (zh) * | 2014-12-15 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及制作方法、液晶显示面板和反射式液晶显示器 |
CN105301833A (zh) * | 2015-12-02 | 2016-02-03 | 上海天马微电子有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制作方法以及液晶显示面板 |
CN105824162B (zh) * | 2016-06-01 | 2020-09-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
JP6824058B2 (ja) * | 2017-02-08 | 2021-02-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチセンサ内蔵表示装置 |
CN108803161B (zh) * | 2018-06-29 | 2021-07-09 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置 |
CN109920814B (zh) | 2019-03-12 | 2022-10-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及制造方法、显示装置 |
CN112117333A (zh) * | 2020-09-24 | 2020-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002269504A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Konica Corp | 電子カード発行システム及び電子カード発行方法 |
JP2007036259A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
WO2007148601A1 (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Panasonic Corporation | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびにそれを用いた電子機器 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3625598B2 (ja) * | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US6369410B1 (en) * | 1997-12-15 | 2002-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device |
JP2000269504A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置 |
JP4781518B2 (ja) | 1999-11-11 | 2011-09-28 | 三星電子株式会社 | 反射透過複合形薄膜トランジスタ液晶表示装置 |
KR100366768B1 (ko) * | 2000-04-19 | 2003-01-09 | 삼성전자 주식회사 | 배선의 접촉부 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
JP4841751B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2011-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機半導体装置及びその作製方法 |
CN100378551C (zh) * | 2001-10-22 | 2008-04-02 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器及其制造方法 |
KR100925452B1 (ko) * | 2002-08-14 | 2009-11-06 | 삼성전자주식회사 | Ocb 모드 액정 표시 장치 그 구동 방법 |
JP3923462B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2007-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
CN100533808C (zh) * | 2004-01-26 | 2009-08-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制造方法以及电视设备 |
US7223641B2 (en) * | 2004-03-26 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, liquid crystal television and EL television |
US8040469B2 (en) * | 2004-09-10 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same |
US7470604B2 (en) * | 2004-10-08 | 2008-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
CN100416389C (zh) * | 2004-11-29 | 2008-09-03 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
KR101125254B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법과, 그를 이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
EP1770788A3 (en) * | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
EP1832915B1 (en) * | 2006-01-31 | 2012-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with improved contrast |
KR101414125B1 (ko) * | 2006-10-12 | 2014-07-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조 방법 및 에칭장치 |
US7767595B2 (en) * | 2006-10-26 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
TWI318010B (en) * | 2006-11-09 | 2009-12-01 | Au Optronics Corp | Pixel structure and fabricating method thereof |
-
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-
2012
- 2012-04-05 US US13/440,648 patent/US8383468B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002269504A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Konica Corp | 電子カード発行システム及び電子カード発行方法 |
JP2007036259A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
WO2007148601A1 (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Panasonic Corporation | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびにそれを用いた電子機器 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015520940A (ja) * | 2012-04-24 | 2015-07-23 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 有機薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法、並びに表示装置 |
Also Published As
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