CN101595074A - 电介体瓷器及电容器 - Google Patents

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Abstract

本发明的电介体瓷器含有以钛酸钡为主成分的晶粒、和在该晶粒之间形成的晶界相，相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔，按氧化物换算的情况下，以规定的比例含有镁、钇、锰，并且，相对于钛酸钡100质量份，以氧化物换算的情况下，以规定的比例含有镱，晶粒的平均粒径为0.05～0.2μm。另外，通过将上述电介体瓷器作为电介体层适用，能够形成高电容且电容温度特性稳定的电容器。

Description

电介体瓷器及电容器
技术领域
本发明涉及利用以钛酸钡为主成分的晶粒形成的电介体瓷器和使用其的电容器。
背景技术
当前，以便携式计算机或移动电话为首的数字方式的电子设备的普及受到瞩目，在不远的将来，准备在全国展开地上数字广播。作为地上数字广播用收信机即数字方式的电子设备，有液晶显示器或等离子体显示器，但在这些数字方式的电子设备中使用大量的LSI。
因此，在构成液晶显示器或等离子体显示器等这些数字方式的电子设备的电源电路中安装有大量的旁路用电容器，但在此使用的电容器需要高的静电电容的情况下，采用高介电常数的层叠陶瓷电容器(例如，参照专利文献1)，另一方面，在低电容时也重视温度特性的情况下，采用电容变化率小的温度补偿型层叠陶瓷电容器(例如，参照专利文献2)。
【专利文献1】(日本)特开2001-89231号公报
【专利文献2】(日本)特开2001-294481号公报
然而，在专利文献1中公开的高介电常数的层叠陶瓷电容器由具有强介电性的电介体瓷器的晶粒构成，因此，相对介电常数的温度变化率大，且表示介电极化的磁滞大的不妥善情况。
另外，使用在专利文献1中公开的强介电性的电介体瓷器来形成的电容器中，在电源电路上引起电感应变的噪声容易发生，因此，成为使用于等离子体显示器等时的障碍。
另一方面，温度补偿型层叠陶瓷电容器中构成其的电介体瓷器为常介电性，因此，具有没有表示介电极化的磁滞，不引起强介电性特有的电感应变的优点，但电介体瓷器的相对介电常数低，因此，存在蓄电能力低，满足作为旁路电容器的性能的问题。
发明内容
从而，本发明的目的在于提供高介电常数且显示稳定的相对介电常数的温度特性的电介体瓷器、和使用其的电容器。
本发明的电介体瓷器，其具有：以钛酸钡为主成分的晶粒和在该晶粒之间形成的晶界相，其特征在于，相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔，以MgO换算的情况下，含有0.01～0.06摩尔的镁，以Y2O3换算的情况下，含有0.0007～0.03摩尔的钇，以MnO换算的情况下，含有0.0002～0.03摩尔的锰，并且，相对于所述钛酸钡100质量份，以Yb2O3换算的情况下，含有3.6～52.1质量份的镱，所述晶粒的平均粒径为0.05～0.2μm。
进而，相对于所述钛酸钡100质量份，以SiO2换算的情况下，含有0.73～6.3质量份的硅，以B2O3换算及以Li2O换算的情况下，总计含有0.31～2.1质量份的硼及锂中的至少一种。
另外，本发明的电容器包括电介体层、和导体层的层叠体，上述电介体层包括所述电介体瓷器。
本发明的电介体瓷器与以往的具有强介电性的电介体瓷器相比，相对介电常数的温度变化率小，另外，与以往的具有常介电性的电介体瓷器相比为高介电常数。进而，本发明的电介体瓷器显示稳定的相对介电常数的温度特性，并且，自发极化变小。
本发明的电容器通过将上述电介体瓷器作为电介体层来适用，能够形成比以往的电容器更高电容且电容温度特性稳定的电容器。因此，在将该电容器使用于电源电路的情况下，能够抑制电感应变引起的噪声的产生。
附图说明
图1是表示本发明的电容器的一例的剖面示意图。
图2是在实施例I中得到的电介体瓷器(试料No.I-4)的X射线衍射图。
图3是表示关于在实施例I中得到电介体瓷器(试料No.I-4)的相对介电常数的变化率的图表。
图4是表示关于在实施例I中得到的电介体瓷器(试料No.I-4)求出的介电极化(V-Q)特性的图表。
图5是在实施例II中得到的电介体瓷器(试料No.II-4)的X射线衍射图。
图6是表示关于在实施例II中得到的电介体瓷器(试料No.II-4)的相对介电常数的变化率的图表。
图7是关于在实施例II中得到的电介体瓷器(试料No.II-4)求出的介电极化(V-Q)特性的图表。
图8是在实施例III中得到的电介体瓷器(试料No.III-4)的X射线衍射图的代表例。
图9是表示关于在实施例III中得到的电介体瓷器(试料No.III-4)的相对介电常数的变化率的图表。
图10是关于在实施例III中得到的电介体瓷器(试料No.III-4)求出的介电极化(V-Q)特性的图表。
具体实施方式
<第一实施方式>
该实施方式的电介体瓷器以钛酸钡为主成分，在其中含有镁、钇、锰及镱，那些含量相对于钡1摩尔，以MgO换算的情况下，含有0.01～0.06摩尔的镁，以Y2O3换算的情况下，含有0.0007～0.03摩尔的钇，以MnO换算的情况下，含有0.0002～0.03摩尔的锰。进而，本发明的电介体瓷器中，相对于所述钛酸钡100质量份，以Yb2O3换算的情况下，含有3.6～52.1质量份的镱。
另外，在本实施方式的电介体瓷器中，构成电介体瓷器的晶粒的平均粒径为0.05～0.2μm。
在上述组成及粒径的范围的情况下，具有：能够将室温(25℃)下的相对介电常数设为250以上，将125℃下的相对介电常数设为230以上，将25℃～125℃之间的相对介电常数的温度系数((ε125-ε25)/ε2 5(125-25))的绝对值设为1000×10-6/℃以下，能够形成介电极化中的磁滞小的电介体瓷器的优点。
就这样的本发明的电介体瓷器来说，在结晶结构为正方晶系且显示强介电性的钛酸钡中固溶了镁、钇、锰及镱，并且，通过将以钛酸钡为主成分的晶粒的平均粒径设为特定范围，能够使该晶粒的结晶结构以立方晶系为主体。由此，正方晶系的结晶结构引起的强介电性降低，能够提高常介电性，能够通过增加常介电性而降低自发极化。
另外，通过将以钛酸钡为主成分的晶粒的结晶结构设为以立方晶系为主体的结晶结构，表示相对介电常数的变化率的曲线在-55℃～125℃的温度范围内平坦，介电极化的磁滞均变小。因此，即使相对介电常数为250以上，也能够得到相对介电常数的温度系数小的电介体瓷器。
即，在上述范围内，在钛酸钡中以规定量含有镁、钇、锰的情况下，形成为具有显示室温(25℃)以上的居里温度，相对介电常数的温度系数显示正的值的介电特性的电介体瓷器，但在显示这样的介电特性的电介体瓷器中进而含有Yb2O3的情况下，本发明的效果进一步放大显现，能够减小相对介电常数的温度系数，能够使温度特性平坦化。还有，该电介体瓷器成为表示相对介电常数的变化率的曲线在-55℃～125℃的温度范围内以室温为中心具有两个峰的瓷器。
在此，镱具有抑制以钛酸钡为主成分的晶粒的粗大化的作用，相对于钛酸钡100质量份，以Yb2O3换算的情况下，含有镱3.6～52.1质量份。
即，因为相对于钛酸钡100质量份的Yb2O3的含量少于3.6质量份时，电介体瓷器的相对介电常数高，但在介电极化中不能减小磁滞，另一方面，相对于钛酸钡100质量份的Yb2O3的含量大于52.1质量份时，25℃下的相对介电常数低于250，另外，125℃下的相对介电常数小于230，进而，相对介电常数的温度系数也以绝对值大于1000×10-6/℃。
另外，镁、钇、锰的含量相对于钡1摩尔，以MgO换算的情况下，含有镁0.01～0.06摩尔，以Y2O3换算的情况下，含有钇0.0007～0.03摩尔，以MnO换算的情况下，含有锰0.0002～0.03摩尔。
即，相对于钡1摩尔的镁的含量在以MgO换算的情况下少于0.01摩尔或大于0.06摩尔时，电介体瓷器的相对介电常数的温度系数变大。另外，相对于钡1摩尔的钇的含量在以Y2O3换算的情况下少于0.0007摩尔，或大于0.03时摩尔，电介体瓷器的相对介电常数高，但在介电极化中具有磁滞，另外，相对介电常数的温度系数变大。进而，相对于钡1摩尔的锰的含量在以MnO换算的情况下少于0.0002摩尔或大于0.03摩尔时，电介体瓷器的相对介电常数的温度系数变大。
进而，该实施方式的例子的电介体瓷器的以钛酸钡为主成分的晶粒的平均粒径为0.05～0.2μm。
即，通过将以钛酸钡为主成分的晶粒的平均粒径设为0.05～0.2μm，以钛酸钡为主成分的晶粒成为以立方晶系为主体的结晶结构，介电极化的磁滞小，能够显示接近常介电性的特性。相对于此，以钛酸钡为主成分的晶粒的平均粒径小于0.05μm的情况下，取向极化的作用消失，因此，电介体瓷器的相对介电常数降低，另一方面，晶粒的平均粒径大于0.2μm的情况下，在利用X射线衍射的测定中，显示正方晶系的结晶相，处于电介体瓷器的相对介电常数的温度系数变大的倾向。
还有，以立方晶系为主体的结晶结构是指：立方晶系钛酸钡的最强的峰即(110)面的衍射峰的强度比异相(異相)衍射峰的强度大的状态。
另外，在电场-介电极化特性中，能够在0V将表示介电极化的磁滞的极化电荷设为20nC/cm2以下的方面来说，晶粒的平均粒径更优选0.14～0.18μm。
另外，作为优选的镱、镁、钇及锰的含量，相对于钡1摩尔的镁在以MgO换算的情况下含有0.017～0.023摩尔，钇在以Y2O3换算的情况下含有0.0015～0.01摩尔，锰在以MnO换算的情况下含有0.01～0.013摩尔，进而，相对于钛酸钡100质量份，镱在以Yb2O3换算的情况下含有6.3～15.6质量份的范围，并且，相对于钡1摩尔的钛比为0.97～0.98为佳。该范围的电介体瓷器能够使25℃下的相对介电常数为587以上，125℃下的相对介电常数为495以上，相对介电常数的温度系数的绝对值为469×10-6/℃以下。
其次，说明该实施方式的例子的电介体瓷器的制法。首先，作为原材料粉末，使用纯度均为99％以上的BaCO3粉末和TiO2粉末、MgO粉末、Y2O3粉末及MnCO3粉末。将这些原材料粉末相对于构成钛酸钡的钡1摩尔，分别按如下比例来配合，即：MgO为0.01～0.06摩尔，Y2O3为0.0007～0.03摩尔，MnO为0.0002～0.03摩尔。
其次，湿式混合上述原材料粉末的混合物，将其干燥后，在温度900～1100℃下准烧成，并粉碎。此时，准烧成粉末的结晶结构以立方晶系为主体。通过作为准烧成粉末，使用立方晶系的粉末，使其粒生长为适当的粒径(平均粒径0.05～0.2μm)，能够在电介体瓷器中形成以立方晶系为主体的晶粒，由此，能够容易地形成维持了接近常介电性的相对介电常数的温度特性的高介电常数的电介体瓷器。
其次，向该准烧成粉末100质量份中以3.5～50质量份混合Yb2O3粉末。然后，将混合粉末成形为片状(ペレツト状)，在常压下，在1300℃～1500℃的温度范围中进行烧成，由此能够得到本实施方式的电介体瓷器。
还有，烧成可以在大气中或还原气氛中进行。在这种情况下，在烧成温度低于1300℃的情况下，抑制晶粒的粒生长和致密化，因此，密度变低。另一方面，在烧成温度高于1500℃的情况下，晶粒可能过度进行粒生长。
图1是表示本发明的电容器的例子的剖面示意图。使用上述实施方式的例子的电介体瓷器，能够形成以下所示的电容器。
使用了上述实施方式的例子的电介体瓷器的电容器在电容器主体10的两端部设置有外部电极12。电容器主体10是电介体层13和作为内部电极层的导体层14交替地层叠而形成。在此的电介体层13由上述电介体瓷器形成。导体层14的材料从即使高度层叠化也能够抑制制造成本的方面来说，优选Ni或Cu等贱金属，尤其，从实施与构成电容器的电介体层13的同时烧成的方面来说，更优选Ni。该导体层14的厚度按平均优选1μm以下。
另外，在制作这样的电容器的情况下，将上述混合粉末成形为印刷电路基板，并且，配制成为导体层的导体糊剂，在所述印刷电路基板的表面印刷后，层叠而形成层叠体。然后，在层叠体的端面进而印刷导体糊剂而烧成，形成外部电极12，由此能够得到电容器。
<第二实施方式>
该实施方式的例子的电介体瓷器以钛酸钡为主成分，在其中含有镁、钇、锰、镱、硅、硼及/或锂，其含量相对于钡1摩尔，以MgO换算的情况下，含有0.01～0.06摩尔的镁，以Y2O3换算的情况下，含有0.0007～0.03摩尔的钇，以MnO换算的情况下，含有0.0002～0.03摩尔的锰，进而，相对于所述钛酸钡100质量份，以Yb2O3换算的情况下，含有3.6～52.1质量份的镱，以SiO2换算的情况下，含有0.73～6.3质量份的硅，以B2O3换算及Li2O换算的情况下，总计含有0.31～2.1质量份的硼及锂中的至少一种。
在此，硼在单独以B2O3换算的情况下，含有0.31～2.1质量份也可，锂在单独以LiO2换算的情况下，含有0.31～2.1质量份也可。另外，混合使用硼和锂的情况下，这些的以氧化物换算的情况下的总量为0.31～2.1质量份为佳。
在该电介体瓷器中，构成电介体瓷器的晶粒的平均粒径为0.05～0.2μm。
该实施方式的电介体瓷器在钛酸钡中固溶有镁、钇、锰及镱，在晶界相中含有硅、及硼及/或锂。
在上述范围中，相对于钛酸钡，以规定量含有镁、钇、锰的情况下，形成为具有显示室温(25℃)以上的居里温度，相对介电常数的温度系数显示正的值的介电特性的电介体瓷器，但在显示这样的介电特性的电介体瓷器中进而含有Yb2O3、SiO2、及B2O3及/或Li2O的情况下，本发明的效果进一步放大显现，能够减小相对介电常数的温度系数，能够使温度特性平坦化。还有，表示相对介电常数的变化率的曲线在-55℃～125℃的温度范围内，以室温为中心，具有两个峰。
另外，通过含有SiO2和B2O3及/或Li2O，能够液相烧结，能够进行低温(1150～1300℃)下的烧结。
在此，钇、硅、硼及/或锂的各氧化物具有抑制以钛酸钡为主成分的晶粒的粗大化的作用，相对于钛酸钡100质量份，以Yb2O3换算的情况下，含有3.6～52.1质量份的镱，以SiO2换算的情况下，含有0.73～6.3质量份的硅，以B2O3换算的情况下及以Li2O换算的情况下，总计含有0.31～2.1质量份的硼及锂中的至少一种。
即，因为相对于钛酸钡100质量份的镱的含量在以Yb2O3换算的情况下少于3.6质量份时，电介体瓷器的相对介电常数高，但相对介电常数的温度系数大，另一方面，相对于钛酸钡100质量份的镱的含量在以Yb2O3换算的情况下多于52.1质量份时，25℃下的相对介电常数低于220，另外，125℃下的相对介电常数小于200。
另外，因为相对于钛酸钡100质量份的硅的含量在以SiO2换算的情况下少于0.73质量份时，或硼及锂中的至少一种的含量在以B2O3换算的情况下及以Li2O换算的情况下，按总计少于0.31质量份时，在低温(1150～1300℃)下的烧成中不能实现电介体瓷器的致密化，相对介电常数可能变低。另一方面，相对于钛酸钡100质量份的含量在以SiO2换算的情况下多于6.3质量份或硼及锂中的至少一种的含量在以B2O3换算的情况下及以Li2O换算的情况下，按总计多于2.1质量份时，电介体瓷器的相对介电常数可能降低，并且，相对介电常数的温度系数可能变大。
在含有硼的电介体瓷器的情况下，优选作为镱、镁、钇、锰、硅及硼的含量，相对于钡1摩尔的镁在以MgO换算的情况下为0.017～0.06摩尔，钇在以Y2O3换算的情况下为0.0015～0.01摩尔，锰在以MnO换算的情况下为0.01～0.013摩尔的比例，且相对于钛酸钡100质量份，镱在以Yb2O3换算的情况下为6.3～15.6质量份，硅在以SiO2换算的情况下为0.73～3.13质量份，硼在以B2O3换算的情况下为0.31～1.04质量份的范围，并且，相对于钡1摩尔的钛比为0.97～0.98为佳。
另外，在含有锂的电介体瓷器的情况下，优选作为镱、镁、钇、锰、硅及锂的含量，相对于钡1摩尔的镁在以MgO换算的情况下为0.017～0.06摩尔，钇在以Y2O3换算的情况下为0.0015～0.01摩尔，锰在以MnO换算的情况下为0.01～0.03摩尔的比例，进而，相对于钛酸钡100质量份，镱在以Yb2O3换算的情况下为6.3～15.6质量份，硅在以SiO2换算的情况下为0.73～3.13质量份，锂在以Li2O换算的情况下为0.31～1.04质量份的范围，并且，相对于钡1摩尔的钛比为0.97～0.98为佳。
这些范围的电介体瓷器可以使25℃下的相对介电常数为400以上，使125℃下的相对介电常数为380以上，使相对介电常数的温度系数的绝对值为700×10-6/℃以下。
其次，说明该实施方式的例子的电介体瓷器的制法。首先，作为原材料粉末，使用纯度均为99％以上的BaCO3粉末、TiO2粉末、MgO粉末、Y2O3粉末及MnCO3粉末。将这些原材料粉末相对于构成钛酸钡的钡1摩尔，配合MgO0.01～0.06摩尔，配合Y2O30.0007～0.03摩尔，配合MnCO30.005～0.03摩尔。
其次，湿式混合上述原材料粉末的混合物，将其干燥后，在温度900～1100℃的温度范围内准烧成，并粉碎。此时，通过使准烧成粉末的结晶结构以立方晶系为主体地进行粒生长，能够得到维持了接近常介电性的相对介电常数的温度特性的高介电常数的电介体瓷器。
其次，相对于该准烧成粉末100质量份，将Yb2O3粉末以3.5～50质量份的比例，将SiO2粉末以0.7～6.0质量份的比例，将B2O3及/或Li2O以0.3～2.0质量份的比例混合。在此，通过将SiO2和B2O3及/或Li2O以上述范围添加，能够使以钛酸钡为主成分的晶粒液相烧结，能够进行低温下的烧成。通常，在液相烧结时，陶瓷粒子容易粒生长，但通过上述组成，能够抑制液相烧结时的粒生长。还有，通过将混合粉末成形为片状，在1150℃～1300℃的温度范围内进行烧成，能够得到该实施方式的例子的电介体瓷器。还有，烧成是可以在大气中或还原气氛中进行。在此，烧成温度根据SiO2或B2O3及/或Li2O的添加量而变化，但烧成温度低于1150℃的情况下，不能充分地致密化，电介体瓷器的密度低，另一方面，烧成温度高于1300℃的情况下，晶粒可能过度粒生长。
除此之外与第一实施方式的电介体瓷器的制法相同，可以与第一实施方式的电介体瓷器相同地制造第二实施方式的电介体瓷器。
另外，该第二实施方式的例子的电容器中作为电介体层，使用该第二实施方式的例子的电介体瓷器以外，与图1所示的第一实施方式的电容器相同。即，作为电介体层13，适用显示高介电常数且稳定的相对介电常数的温度特性，且自发极化小的第二实施方式的例子的电介体瓷器，由此能够形成比以往的电容器高电容且电容温度特性稳定的电容器。因此，在电源电路中使用了该电容器的情况下，能够抑制电感应变引起的噪声的发生。还有，导体层14的材料从即使高层叠化也能够抑制制造成本的方面来说，优选Ni或Cu等贱金属，尤其，从实现与构成本发明的电容器的电介体层13同时烧成的方面来说，更优选Ni。该导体层14的厚度按平均优选1μm以下。这样的电容器可以与第一实施方式的例子相同地制作。
以下，举出实施例，详细说明本发明的电介体瓷器及电容器。还有，本发明不仅限定于以下的实施例。
【实施例】
(实施例I)
如下所述地制作电介体瓷器。首先，准备纯度均为99.9％的BaCO3粉末、TiO2粉末、MgO粉末、Y2O3粉末、MnCO3粉末，按表1所示的比例调合，配制混合粉末。表1所示的量是相当于所述元素的氧化物换算量的量。
其次，在1000℃下准烧成混合粉末后，粉碎准烧成粉末。然后，相对于准烧成粉末100质量份，按表1所示的比例混合纯度99.9％的Yb2O3粉末。然后，将混合粉末进行造粒，制作直径16.5mm、厚度1mm的形状的片。
其次，将各10个各组成的片在大气中，在表1所示的温度下烧成。电介体瓷器的平均粒径是对电介体瓷器的截断面进行抛光后，使用扫描型电子显微镜，拍摄内部组织的照片，其次，对在所述照片中映出的晶粒的轮廓进行图像处理，将各粒子视为圆，求出其直径，将其平均化而求出的。照片的倍率设为约30000倍，将约10cm×15cm作为观察区域，观察的区域在各试料中为3处，并求出其平均值。
在烧成的试料的表面印刷铟·镓的导体层。就作为制作的电介体瓷器的这些试料来说，使用LCR测量仪4284A(西雷特帕卡德公司制)，在频率1.0kHz、输入信号电平1.0V下测定静电电容，由试料的直径和厚度及导体层的面积算出相对介电常数。试料数为各10个。另外，在25～125℃的范围内测定相对介电常数的温度系数。
另外，通过介电极化的测定，对得到的电介体瓷器求出电感应变的大小。在这种情况下，用将电压在±1250V的范围内变化时的、0V下的电荷量(残留极化)的值评价极化电荷。另外，使用X射线衍射(2θ＝20～60°、Cu-Kα)，进行结晶相的同定(同定)。另外，试料的组成分析是利用ICP分析及原子吸光分析来进行。在这种情况下，将得到的电介体瓷器与硼酸和碳酸钠混合，将熔融物溶解于盐酸，首先，利用原子吸光分析进行含于电介体瓷器中的元素的定性分析，其次，关于特定的各元素，将稀释了标准液的液体作为标准试料，经过ICP发光光谱分析，进行定量化。另外，将各元素的价数作为周期表所示的价数，求出氧量。
表1中示出配制组成、准烧成粉末的平均粒径及烧成温度。另一方面，表2中示出烧成后的晶粒的平均粒径和特性的结果。在此，表1中的Yb2O3的添加量是相对于准烧成粉末100质量份的比例。表2中的Yb2O3的含量是相对于电介体瓷器中的钛酸钡100质量份的比例。另外在表2中，在相对介电常数的温度变化的曲线的栏中未标注○的表示未显示两个峰的试料，在极化电荷的栏中未标注○的表示极化电荷不是20nC/cm2以下的试料。
【表1】
Figure A20088000338400161
＊标记表示本发明的范围外的试料。
Figure A20088000338400171
Figure A20088000338400181
从表2的结果明确可知，就作为本发明的电介体瓷器的试料No.I-2～8、11～15、18～21、23～27、29、30、32及35来说，25℃下的相对介电常数均为252以上，125℃下的相对介电常数均为230以上，25～125℃下的相对介电常数的温度系数的绝对值均为976×10-6/℃以下。
尤其，MgO为0.017～0.023摩尔，Y2O3为0.0015～0.01摩尔，MnO为0.01～0.013摩尔，相对于作为主成分的钛酸钡100质量份的Yb2O3的含量为6.3～15.6质量份，相对于钡1摩尔的钛比为0.97～0.98的试料No.I-4～6、12～14、19、20、25及29中，25℃下的相对介电常数为587以上，125℃下的相对介电常数为495以上，相对介电常数的温度系数的绝对值为469×10-6/℃以下，表示相对介电常数的变化率的曲线在-55℃～125℃的温度范围中具有两个峰，且在介电极化的测定中未发现大的磁滞。就未发现磁滞的试料来说，极化电荷在0V中为20nC/cm2以下。
将从这些试料选择的试料No.I-4的电介体瓷器的X射线衍射图示出在图2中，将相同试料的相对介电常数的变化示出在图3中，将介电极化(V-Q)特性示出在图4中。
即，试料No.I-4的电介体瓷器如图2～图4所示，结晶结构以立方晶系为主体，另外，相对介电常数的温度特性以25℃为中心具有两个峰，相对介电常数的温度系数小，进而，电场-介电极化特性的磁滞小。
另外，关于相对于钡1摩尔，以MgO换算的情况下含有0.01～0.06摩尔的镁，以Y2O3换算的情况下含有0.0007～0.03摩尔的钇，以MnO换算的情况下含有0.005～0.03摩尔的锰，进而，相对于钛酸钡100质量份，以Yb2O3换算的情况下含有3.6～52.1质量份的镱，构成电介体瓷器的晶粒的平均粒径为0.05～0.2μm的本发明的范围的其他试料也确认到，结晶结构以立方晶系为主体，另外为高介电常数且相对介电常数的温度系数小。
相对于此，本发明的范围外的试料不满足：25℃下的相对介电常数为250以上，相对介电常数的温度系数的绝对值为1000×10-6/℃以下中的任一个特性。
(实施例II)
如下所述地制作电介体瓷器。首先，准备纯度均为99.9％的BaCO3粉末、TiO2粉末、MgO粉末、Y2O3粉末、MnCO3粉末，按表3所示的比例调合，配制混合粉末。
其次，在1000℃下准烧成混合粉末而制作准烧成粉末后，粉碎得到的准烧成粉末。然后，相对于准烧成粉末100质量份，按表3所示的比例混合纯度99.9％的Yb2O3粉末、SiO2粉末及B2O3粉末。然后，将混合粉末进行造粒，制作直径16.5mm、厚度1mm的形状的片。
其次，将各10个各组成的片在H2-N2的混合气体气氛中，在表3所示的温度下烧成。电介体瓷器的平均粒径是对电介体瓷器的截断面进行抛光后，使用扫描型电子显微镜，拍摄内部组织的照片，对在所述照片中映出的晶粒的轮廓进行图像处理，将各粒子视为圆，求出其直径，将其平均化而求出的。照片的倍率设为约30000倍，将约10cm×15cm作为观察区域，观察的区域在各试料中为3处，并求出其平均值。
另外，在烧成后的试料的表面印刷铟·镓的导体层，使用LCR测量仪4284A，在频率1.0kHz、输入信号电平1.0V下测定静电电容，由试料的直径和厚度及导体层的面积算出相对介电常数。另外，在25～125℃的范围内测定相对介电常数的温度系数。在这些测定中，试料数为各10个，求出其平均值。
另外，通过介电极化的测定，对得到的电介体瓷器求出电感应变的大小。在这种情况下，用将电压在±1250V的范围内变化时的、0V下的电荷量(残留极化)的值评价极化电荷。另外，试料的组成分析是利用ICP分析及原子吸光分析来进行。在这种情况下，将得到的电介体瓷器与硼酸和碳酸钠混合，将熔融物溶解于盐酸，首先，利用原子吸光分析进行含于电介体瓷器中的元素的定性分析，其次，关于特定的各元素，将稀释了标准液的液体作为标准试料，经过ICP发光光谱分析，进行定量化。另外，将各元素的价数作为周期表所示的价数，求出氧量。
表3中示出配制组成、准烧成粉末的平均粒径及烧成温度，表4中示出烧成后的晶粒的平均粒径和特性的测定结果。
在此，在表4中，在相对介电常数的温度变化的曲线的栏中未标注○的表示未显示两个峰的试料。在极化电荷的栏中未标注○的表示极化电荷不是20nC/cm2以下的试料。
Figure A20088000338400211
Figure A20088000338400221
Figure A20088000338400231
从表4的结果明确可知，就作为本发明的电介体瓷器的试料No.II-2～8、11～15、18～22、24～28、30、31、34～38、40及47来说，25℃下的相对介电常数均为220以上，125℃下的相对介电常数均为200以上，25～125℃下的相对介电常数的温度系数的绝对值均为1000×10-6/℃以下。
尤其，MgO为0.017～0.06摩尔，Y2O3为0.0015～0.01摩尔，MnO为0.01～0.013摩尔，相对于作为主成分的钛酸钡100质量份的Yb2O3的含量为6.3～15.6质量份，以SiO2换算的情况下硅为0.73～3.13质量份，以B2O3换算的情况下硼为0.31～1.04质量份，相对于钡1摩尔的钛比为0.97～0.98的试料No.II-4～6、12～14、19、20、26、30及34～36中，25℃下的相对介电常数为400以上，125℃下的相对介电常数为380以上，相对介电常数的温度系数的绝对值为700×10-6/℃以下，表示相对介电常数的变化率的曲线在-55℃～125℃的温度范围中具有两个峰，且在介电极化的测定中未发现大的磁滞。就未发现磁滞的试料来说，极化电荷在0V中为20nC/cm2以下。
将从这些试料选择的试料No.II-4的电介体瓷器的X射线衍射图示出在图5中，将相同试料的相对介电常数的变化示出在图6中，将相同试料的电场-介电极化特性示出在图7中。
即，试料No.II-4的电介体瓷器如图5～图7所示，结晶结构以立方晶系为主体，另外，相对介电常数的温度特性以25℃为中心具有两个峰，相对介电常数的温度系数小，进而，电场-介电极化特性的磁滞小。
另外，关于相对于钡1摩尔，镁在以MgO换算的情况下为0.01～0.06摩尔，钇在以Y2O3换算的情况下为0.0007～0.03摩尔，锰在以MnO换算的情况下为0.005～0.03摩尔，进而，相对于所述钛酸钡100质量份，镱在以Yb2O3换算的情况下为3.6～52.1质量份，硅在以SiO2换算的情况下为0.73～6.3质量份，硼在以B2O3换算的情况下为0.31～2.1质量份，构成电介体瓷器的晶粒的平均粒径为0.05～0.2μm的本发明的范围的其他试料也确认到，结晶结构以立方晶系为主体，另外为高介电常数且相对介电常数的温度系数小。
相对于此，本发明的范围外的试料不满足：25℃下的相对介电常数为220以上，相对介电常数的温度系数的绝对值为1000×10-6/℃以下中的任一个特性。
(实施例III)
如下所述地制作电介体瓷器。首先，准备纯度均为99.9％的BaCO3粉末、TiO2粉末、MgO粉末、Y2O3粉末、MnCO3粉末，按表5所示的比例调合，配制混合粉末。
其次，在1000℃下准烧成混合粉末而制作准烧成粉末后，粉碎得到的准烧成粉末。然后，相对于准烧成粉末100质量份，按表5所示的比例混合纯度99.9％的Yb2O3粉末、SiO2粉末及Li2O粉末。然后，将混合粉末进行造粒，制作直径16.5mm、厚度1mm的形状的片。
其次，将各10个各组成的片在H2-N2的混合气体气氛中，在表5所示的温度下烧成。电介体瓷器的平均粒径是对电介体瓷器的截断面进行抛光后，使用扫描型电子显微镜，拍摄内部组织的照片，对在所述照片中映出的晶粒的轮廓进行图像处理，将各粒子视为圆，求出其直径，将其平均化而求出的。照片的倍率设为约30000倍，在照片上，将约10cm×15cm作为观察区域，观察的区域在各试料中为3处，并求出其平均值。
另外，在烧成后的试料的表面印刷铟·镓的导体层，使用LCR测量仪4284A，在频率1.0kHz、输入信号电平1.0V下测定静电电容，由试料的直径和厚度及导体层的面积算出相对介电常数。另外，在25～125℃的范围内测定相对介电常数的温度系数。在这些测定中，试料数为各10个，求出其平均值。
另外，通过介电极化的测定，对得到的电介体瓷器求出电感应变的大小。在这种情况下，用将电压在±1250V的范围内变化时的、0V下的电荷量(残留极化)的值评价极化电荷。另外，试料的组成分析是利用ICP分析及原子吸光分析来进行。在这种情况下，将得到的电介体瓷器与硼酸和碳酸钠混合，将熔融物溶解于盐酸，首先，利用原子吸光分析进行含于电介体瓷器中的元素的定性分析，其次，关于特定的各元素，将稀释了标准液的液体作为标准试料，经过ICP发光光谱分析，进行定量化。另外，将各元素的价数作为周期表所示的价数，求出氧量。
表5中示出配制组成、准烧成粉末的平均粒径及烧成温度，表6中示出烧成后的晶粒的平均粒径和特性的结果。
在此，在表6中，在相对介电常数的温度变化的曲线的栏中未标注○的表示未显示两个峰的试料。在极化电荷的栏中未标注○的表示极化电荷不是20nC/cm2以下的试料。
【表5】
Figure A20088000338400281
Figure A20088000338400301
Figure A20088000338400311
从表6的结果明确可知，就作为本发明的电介体瓷器的试料No.III-2～8、11～15、18～22、24～28、30、31、34～38、40及47来说，25℃下的相对介电常数均为220以上，125℃下的相对介电常数均为200以上，25～125℃下的相对介电常数的温度系数的绝对值均为1000×10-6/℃以下。
尤其，MgO为0.017～0.06摩尔，Y2O3为0.0015～0.01摩尔，MnO为0.01～0.03摩尔，相对于作为主成分的钛酸钡100质量份的Yb2O3的含量为6.3～15.6质量份，以SiO2换算的情况下硅为0.73～3.13质量份，以Li2O换算的情况下锂为0.31～1.04质量份，相对于钡1摩尔的钛比为0.97～0.98的试料No.III-4～6、12～14、19～22、26～28、30及34～36中，25℃下的相对介电常数为400以上，125℃下的相对介电常数为380以上，相对介电常数的温度系数的绝对值为700×10-6/℃以下，表示相对介电常数的变化率的曲线在-55℃～125℃的温度范围中具有两个峰，且在介电极化的测定中未发现大的磁滞。就未发现磁滞的试料来说，极化电荷在0V中为20nC/cm2以下。
将从这些试料选择的试料No.III-4的电介体瓷器的X射线衍射图示出在图8中，将相同试料的相对介电常数的变化示出在图9中，将相同试料的电场-介电极化特性示出在图10中。
即，试料No.III-4的电介体瓷器如图8～图10所示，结晶结构以立方晶系为主体，另外，相对介电常数的温度特性以25℃为中心具有两个峰，相对介电常数的温度系数小，进而，电场-介电极化特性的磁滞小。
另外，关于相对于钡1摩尔，镁在以MgO换算的情况下为0.01～0.06摩尔，钇在以Y2O3换算的情况下为0.0007～0.03摩尔，锰在以MnO换算的情况下为0.005～0.03摩尔，相对于所述钛酸钡100质量份，镱在以Yb2O3换算的情况下为3.6～52.1质量份，硅在以SiO2换算的情况下为0.73～6.3质量份，锂在以Li2O换算的情况下为0.31～2.1质量份，构成电介体瓷器的晶粒的平均粒径为0.05～0.2μm的本发明的范围的其他试料也确认到，结晶结构以立方晶系为主体，另外为高介电常数且相对介电常数的温度系数小。
另外，关于在试料No.III-5的组成中，将Li2O的量的一半置换为B2O3而配制，在相同的温度下制作的电介体瓷器，晶粒的平均粒径、25℃及125℃下的相对介电常数也相同，另外，在相对介电常数的温度变化的曲线中具有两个极大峰，极化电荷为20nC/cm2以下。
相对于此，在本发明的范围外的试料中，25℃下的相对介电常数小于200，或介电极化有磁滞，相对介电常数的温度系数的绝对值为1095×10-6/℃以上。

Claims (10)

1.一种电介体瓷器，其特征在于，
其具有以钛酸钡为主成分的晶粒和在该晶粒之间形成的晶界相，
相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔，以MgO换算的情况下，含有0.01～0.06摩尔的镁，以Y2O3换算的情况下，含有0.0007～0.03摩尔的钇，以MnO换算的情况下，含有0.0002～0.03摩尔的锰，并且，
相对于所述钛酸钡100质量份，以Yb2O3换算的情况下，含有3.6～52.1质量份的镱，
所述晶粒的平均粒径为0.05～0.2μm。
2.根据权利要求1所述的电介体瓷器，其中，
相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔，以MgO换算的情况下，含有0.017～0.023摩尔的所述镁，以Y2O3换算的情况下，含有0.0015～0.01摩尔的所述钇，以MnO换算的情况下，含有0.01～0.013摩尔的所述锰，并且，相对于所述钛酸钡100质量份，以Yb2O3换算的情况下，含有6.3～15.6质量份的所述镱，
相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔的钛比为0.97～0.98。
3.根据权利要求1所述的电介体瓷器，其中，
相对于所述钛酸钡100质量份，进而以SiO2换算的情况下，含有0.73～6.3质量份的硅，以B2O3换算及以Li2O换算的情况下，总计含有0.31～2.1质量份的硼及锂中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的电介体瓷器，其中，
相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔，以MgO换算的情况下，含有0.017～0.06摩尔的所述镁，以Y2O3换算的情况下，含有0.0015～0.01摩尔的所述钇，以MnO换算的情况下，含有0.01～0.013摩尔的所述锰，并且，相对于所述钛酸钡100质量份，以Yb2O3换算的情况下，含有6.3～15.6质量份的所述镱，
进而，相对于所述钛酸钡100质量份，以SiO2换算的情况下，含有0.73～3.13质量份的硅，以B2O3换算的情况下，含有0.31～1.04质量份的硼，
相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔的钛比为0.97～0.98。
5.根据权利要求1所述的电介体瓷器，其中，
相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔，以MgO换算的情况下，含有0.017～0.06摩尔的所述镁，以Y2O3换算的情况下，含有0.0015～0.01摩尔的所述钇，以MnO换算的情况下，含有0.01～0.03摩尔的所述锰，并且，相对于所述钛酸钡100质量份，以Yb2O3换算的情况下，含有6.3～15.6质量份的所述镱，
进而，相对于所述钛酸钡100质量份，以SiO2换算的情况下，含有0.73～3.13质量份的硅，以Li2O换算的情况下，含有0.31～1.04质量份的锂，
相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔的钛比为0.97～0.98。
6.一种电容器，其包括电介体层和导体层的层叠体，其特征在于，
构成所述电介体层的电介体瓷器由以钛酸钡为主成分的晶粒和在该晶粒之间形成的晶界相构成，
相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔，以MgO换算的情况下，含有0.01～0.06摩尔的镁，以Y2O3换算的情况下，含有0.0007～0.03摩尔的钇，以MnO换算的情况下，含有0.0002～0.03摩尔的锰，并且，
相对于所述钛酸钡100质量份，以Yb2O3换算的情况下，含有3.6～52.1质量份的镱，且所述晶粒的平均粒径为0.05～0.2μm。
7.根据权利要求6所述的电容器，其中，
相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔，以MgO换算的情况下，含有0.017～0.023摩尔的所述镁，以Y2O3换算的情况下，含有0.0015～0.01摩尔的所述钇，以MnO换算的情况下，含有0.01～0.013摩尔的所述锰，并且，相对于所述钛酸钡100质量份，以Yb2O3换算的情况下，含有6.3～15.6质量份的所述镱，且相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔的钛比为0.97～0.98。
8.根据权利要求6所述的电容器，其中，
相对于所述钛酸钡100质量份，进而以SiO2换算的情况下，含有0.73～6.3质量份的硅，以B2O3换算及以Li2O换算的情况下，总计含有0.31～2.1质量份的硼及锂中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的电容器，其中，
相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔，以MgO换算的情况下，含有0.017～0.06摩尔的所述镁，以Y2O3换算的情况下，含有0.0015～0.01摩尔的所述钇，以MnO换算的情况下，含有0.01～0.013摩尔的所述锰，并且，相对于所述钛酸钡100质量份，以Yb2O3换算的情况下，含有6.3～15.6质量份的所述镱，
进而，相对于所述钛酸钡100质量份，以SiO2换算的情况下，含有0.73～3.13质量份的硅，以B2O3换算的情况下，含有0.31～1.04质量份的硼，
相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔的钛比为0.97～0.98。
10.根据权利要求8所述的电容器，其中，
相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔，以MgO换算的情况下，含有0.017～0.06摩尔的所述镁，以Y2O3换算的情况下，含有0.0015～0.01摩尔的所述钇，以MnO换算的情况下，含有0.01～0.03摩尔的所述锰，并且，相对于所述钛酸钡100质量份，以Yb2O3换算的情况下，含有6.3～15.6质量份的所述镱，
进而，相对于所述钛酸钡100质量份，以SiO2换算的情况下，含有0.73～3.13质量份的硅，以Li2O换算的情况下，含有0.31～1.04质量份的锂，
相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔的钛比为0.97～0.98。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106876135A (zh) * 2015-12-11 2017-06-20 株式会社村田制作所 层叠陶瓷电容器及其制造方法
CN110066172A (zh) * 2019-05-31 2019-07-30 太原师范学院 一种正温度系数陶瓷介质材料及其制备方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008114619A1 (ja) * 2007-03-16 2008-09-25 Kyocera Corporation 誘電体磁器およびコンデンサ
JP5025570B2 (ja) * 2008-04-24 2012-09-12 京セラ株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP5295082B2 (ja) * 2009-06-25 2013-09-18 京セラ株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP4877367B2 (ja) * 2009-07-22 2012-02-15 株式会社村田製作所 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
JP5289239B2 (ja) * 2009-08-27 2013-09-11 京セラ株式会社 誘電体磁器およびコンデンサ
JP5312275B2 (ja) * 2009-09-28 2013-10-09 京セラ株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP5295083B2 (ja) * 2009-11-27 2013-09-18 京セラ株式会社 積層セラミックコンデンサ
KR101070095B1 (ko) * 2009-12-10 2011-10-04 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
KR20110072938A (ko) * 2009-12-23 2011-06-29 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
JP5409443B2 (ja) * 2010-03-03 2014-02-05 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP5146852B2 (ja) * 2010-03-05 2013-02-20 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
KR101792268B1 (ko) * 2012-03-13 2017-11-01 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자 부품
JP5516763B2 (ja) * 2013-01-09 2014-06-11 株式会社村田製作所 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
JP6137147B2 (ja) * 2014-11-28 2017-05-31 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法
JP7005852B2 (ja) * 2017-11-01 2022-01-24 サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． 誘電体磁器組成物、キャパシタ、及び、多層積層セラミックキャパシタ

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1238533A (zh) * 1998-05-12 1999-12-15 株式会社村田制作所 介电陶瓷组合物和层状陶瓷电容器
JP2004210604A (ja) * 2003-01-06 2004-07-29 Murata Mfg Co Ltd 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ
JP2005289737A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 National Institute Of Advanced Industrial & Technology チタン酸バリウム微粒子及びその製造方法
CN1770341A (zh) * 2004-10-27 2006-05-10 京瓷株式会社 电介质瓷器及叠层陶瓷电容器以及它们的制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61111957A (ja) 1984-11-02 1986-05-30 堺化学工業株式会社 セラミック誘電体の製造方法
JPH0785460B2 (ja) * 1986-04-29 1995-09-13 京セラ株式会社 積層型磁器コンデンサ
JPH0825795B2 (ja) * 1986-10-21 1996-03-13 京セラ株式会社 非還元性誘電体磁器組成物
JP3878778B2 (ja) 1999-07-21 2007-02-07 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物および電子部品
JP3642282B2 (ja) 2000-02-09 2005-04-27 松下電器産業株式会社 誘電体磁器組成物とこれを用いた積層セラミックコンデンサ
JP2004203626A (ja) 2002-10-29 2004-07-22 Kyocera Corp 誘電体組成物
JP3874278B2 (ja) * 2002-12-25 2007-01-31 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物、電子部品およびこれらの製造方法
KR100837025B1 (ko) 2004-08-27 2008-06-10 쇼와 덴코 가부시키가이샤 바륨 칼슘 티타네이트, 이의 제조 방법 및 캐패시터
JP5089870B2 (ja) 2004-08-27 2012-12-05 昭和電工株式会社 チタン酸バリウムカルシウムおよびその製造方法ならびにコンデンサ
JP4937522B2 (ja) * 2005-04-04 2012-05-23 Ｔｄｋ株式会社 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
TW201245098A (en) * 2007-09-28 2012-11-16 Tdk Corp Dielectric ceramic composition and electronic device
JP5025570B2 (ja) * 2008-04-24 2012-09-12 京セラ株式会社 積層セラミックコンデンサ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1238533A (zh) * 1998-05-12 1999-12-15 株式会社村田制作所 介电陶瓷组合物和层状陶瓷电容器
JP2004210604A (ja) * 2003-01-06 2004-07-29 Murata Mfg Co Ltd 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ
JP2005289737A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 National Institute Of Advanced Industrial & Technology チタン酸バリウム微粒子及びその製造方法
CN1770341A (zh) * 2004-10-27 2006-05-10 京瓷株式会社 电介质瓷器及叠层陶瓷电容器以及它们的制造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106876135A (zh) * 2015-12-11 2017-06-20 株式会社村田制作所 层叠陶瓷电容器及其制造方法
CN106876135B (zh) * 2015-12-11 2018-11-09 株式会社村田制作所 层叠陶瓷电容器及其制造方法
CN110066172A (zh) * 2019-05-31 2019-07-30 太原师范学院 一种正温度系数陶瓷介质材料及其制备方法
CN110066172B (zh) * 2019-05-31 2021-09-03 太原师范学院 一种正温度系数陶瓷介质材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101595074B (zh) 2012-11-21
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