CN101563652A - 抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有在富勒烯骨架中至少键合有一个氨基的(A)氨基化富勒烯和(B)溶剂，蚀刻耐性优异，且在干蚀刻工艺中下层膜图案难以折曲，可以将抗蚀剂图案忠实地、再现性良好地转印在被加工基板上。

Description

抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法
技术领域
本发明涉及适合于使用各种放射线的光刻工艺中的微细加工、尤其是高集成电路元件的制造的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。更详细地说，涉及蚀刻耐性优异、且在干蚀刻工艺中，下层膜图案难以折曲，可以将抗蚀剂图案忠实地、再现性良好地转印在被加工基板上的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。
背景技术
在半导体装置的制造工艺中，往往包含在硅晶片上堆积很多物质作为被加工膜，并将其进行图案形成得到所期待的图案的工序。在被加工膜的图案形成过程中，首先一般是将被称为抗蚀剂的感光性物质堆积在被加工膜上而形成抗蚀剂膜，在该抗蚀剂膜的规定区域实施曝光。
然后，通过显影处理将抗蚀剂膜的曝光部或未曝光部除去从而形成抗蚀剂图案，进而，将该抗蚀剂图案作为蚀刻掩模对被加工膜进行干蚀刻。
在这种工艺中，作为用于对抗蚀剂膜实施曝光的曝光光源，使用ArF准分子激光等紫外光。现在，对大规模集成电路(LSI)的微细化的要求也日益增高，有时必需的析像度在曝光光的波长以下。
像这样在析像度达到曝光光的波长以下时，曝光量裕度、焦点裕度等曝光工艺裕度变得不足。为了弥补这种曝光工艺裕度的不足，使抗蚀剂膜的膜厚变薄从而使析像性提高的方法是有效的，但是另一方面，却难以保证被加工膜的蚀刻所必需的抗蚀剂膜厚。
由于这种情况，对下述工艺进行了研究，即，在被加工膜上形成抗蚀剂下层膜(以下有时简称为“下层膜”)，将抗蚀剂图案暂且转印到下层膜而形成下层膜图案后，使用该下层膜图案作为蚀刻掩模转印在被加工膜上的工艺。在这种工艺中，作为下层膜优选由具有蚀刻耐性的材料形成。
例如，作为形成这种下层膜的材料，提出了因吸收蚀刻中的能量，具有蚀刻耐性而为人所知的含苯环的树脂、尤其是含热固化苯酚酚醛清漆的组合物、含有具有苊骨格的聚合物的组合物等(例如，参照专利文献1及2)。
此外，作为形成下层膜的材料，还提出了含有具有芳基的特定富勒烯类的组合物，所述芳基是具有或不具有酚羟基的碳原子数6～16的芳基。(例如参照专利文献3)
专利文献1：日本特开2001-40293号公报
专利文献2：日本特开2000-143937号公报
专利文献3：日本特开2006-227391号公报
发明内容
然而，伴随着蚀刻图案的进一步微细化，抗蚀剂下层膜的过度蚀刻成为很大的问题，要求进一步提高蚀刻耐性。此外，伴随着该蚀刻图案的进一步微细化，下层膜图案的纵横比(图案宽(线宽)与下层膜图案的膜厚之比)增高，在蚀刻被加工基板时还会产生下层膜图案折曲之类的问题。
例如，专利文献3中记载的组合物，由于作为下层膜图案弯曲耐性弱，因此在蚀刻被加工基板时下层膜图案发生折曲，无法将抗蚀剂图案忠实地转印在被加工基板上。
本发明鉴于上述这样的现有技术的问题而完成，提供一种可适合于使用各种放射线的光刻工艺中的微细加工，蚀刻耐性优异，尤其是在干蚀刻工艺中下层膜图案难以折曲，可以将抗蚀剂图案忠实地、再现性良好地转印在被加工基板上的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。
本发明人等为了开发出这种抗蚀剂下层膜形成用组合物而反复进行了潜心研究，结果发现，由含有特定的氨基化富勒烯的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的抗蚀剂下层膜，比以往的抗蚀剂下层膜的蚀刻耐性优异，且在被加工基板蚀刻时，下层膜图案不发生折曲，从而完成了本发明。具体来讲，根据本发明，提供以下的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。
[1]一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有在富勒烯骨架中键合有氨基的(A)氨基化富勒烯和(B)溶剂。
[2]根据上述[1]所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，还含有(C)酸发生剂。
[3]根据上述[1]所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，还含有(D)交联剂。
[4]根据上述[1]所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，还含有(E)热固化性树脂。
[5]一种抗蚀剂下层膜的形成方法，将上述[1]～[4]中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在被加工基板上，将已涂布的上述抗蚀剂下层膜形成用组合物与上述被加工基板一起在惰性气体氛围下煅烧，从而在上述被加工基板上形成抗蚀剂下层膜。
[6]一种图案形成方法，具备下列工序：在被加工基板上涂布上述[1]～[4]中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，从而形成抗蚀剂下层膜的工序(1)；在所得的上述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂组合物，从而形成抗蚀剂被膜的工序(2)；透过光掩模，对所得的上述抗蚀剂被膜选择性地照射放射线，从而将上述抗蚀剂被膜曝光的工序(3)；将曝光后的上述抗蚀剂被膜进行显影，从而形成抗蚀剂图案的工序(4)；及将上述抗蚀剂图案作为掩模，对所述抗蚀剂下层膜和所述被加工基板进行干蚀刻，从而形成图案的工序(5)。
根据本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物，可以形成蚀刻耐性优异、且在被加工基板蚀刻时，下层膜图案不发生折曲的抗蚀剂下层膜。特别是蚀刻耐性优异的抗蚀剂下层膜，在干蚀刻工艺中，具有精密的图案转印性能和良好的蚀刻选择性，抗蚀剂下层膜的过度蚀刻少，可以将抗蚀剂图案再现性良好地、忠实地转印在被加工基板上。
此外，在被加工基板蚀刻时，由于下层膜图案不发生折曲，因此可以期待在光刻工艺的微细加工、尤其是高集成电路元件的制造中成品率提高。
此外，本发明的抗蚀剂下层膜的形成方法，使用上述本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在被加工基板上可以形成蚀刻耐性优异、且被加工基板蚀刻时下层膜图案不发生折曲的抗蚀剂下层膜。此外，本发明的图案形成方法，在干蚀刻工艺中，能够将抗蚀剂图案再现性良好地、忠实地转印在被加工基板上。
附图说明
图1是使用实施例9的抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成的抗蚀剂下层膜图案的剖面的扫描型电子显微镜照片。
图2是使用比较例3的抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成的抗蚀剂下层膜图案的剖面的扫描型电子显微镜照片。
符号说明
1：抗蚀剂下层膜图案
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明，但是本发明不限于以下的实施方式。即，应理解为在不脱离本发明主旨的范围内，基于本领域技术人员公知的常识，对以下的实施方式施以适当变更、改良等而得到的内容也属于本发明的范围。
[1]抗蚀剂下层膜形成用组合物：
首先，对本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物的实施方式进行说明。本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物是含有在富勒烯骨架中键合有氨基的(A)氨基化富勒烯、和(B)溶剂的组合物。
根据本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物，可以形成蚀刻耐性优异、且在被加工基板蚀刻时下层膜图案不发生折曲的抗蚀剂下层膜(以下有时简称为“下层膜”)。尤其是在干蚀刻工艺中，具有精密的图案转印性能和良好的蚀刻选择性，抗蚀剂下层膜的过度蚀刻少，可以将抗蚀剂图案再现性良好地、忠实地转印在被加工基板上。
此外，由于在被加工基板蚀刻时下层膜图案不发生折曲，因此可以期待在光刻工艺的微细加工、尤其是高集成电路元件的制造中成品率提高。
如上述地，为了使抗蚀剂下层膜的耐久性提高、且使得下层膜图案不发生折曲，提高抗蚀剂下层膜的碳含量、降低氢含量是有效的。本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物，例如与仅含有富勒烯衍生物的公知抗蚀剂下层膜形成用组合物相比，可以使抗蚀剂下层膜的碳含量增加，且使氢含量减少。
具体来讲，本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物由于含有上述(A)氨基化富勒烯，因此在形成抗蚀剂下层膜时，实质上使抗蚀剂下层膜的碳含量减少且使氢含量增加的氨基发生分解，从而可以使抗蚀剂下层膜的碳含量增加，且使氢含量减少。
本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物含有(A)氨基化富勒烯和(B)溶剂，但还可以含有(C)酸发生剂。通过进一步含有这种(C)酸发生剂，可以在包括常温的较低温度下促进(A)氨基化富勒烯的氨基的分解，能够良好地形成碳含量高、且氢含量低的抗蚀剂下层膜。
此外，本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物还可以含有(D)交联剂。这种(D)交联剂可以防止所得的抗蚀剂下层膜与形成于其上的抗蚀剂被膜之间的互混(インタ一ミキング)，进而防止抗蚀剂下层膜的断裂的发生。
此外，本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物还可以含有(E)热固化性树脂。对于这种(E)热固化性树脂而言，通过加热，(E)热固化性树脂固化，从而不溶于溶剂，可以防止所得的抗蚀剂下层膜与形成于其上的抗蚀剂被膜之间的互混。
[1-1](A)氨基化富勒烯：
本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物中使用的(A)氨基化富勒烯，是在富勒烯骨架上键合有氨基作为取代基的富勒烯衍生物。换言之，所谓氨基化富勒烯，只要氨基在富勒烯骨架上取代即可，还可以具有其他的取代基，此外，还可以是利用富勒烯骨架中的双键的衍生物。
作为上述其他的取代基，可以举出羟基、环氧基、氟原子、氯原子、溴原子、烷基、芳基、烷氧基等。这种(A)氨基化富勒烯例如可以通过使富勒烯和仲胺反应而得到。
本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物中使用的(A)氨基化富勒烯，可以通过使用至今报道过的合成氨基化富勒烯的方法来生成。例如，作为氨基化富勒烯的合成法，可以举出通过胺类的直接加成反应来合成氨基化富勒烯的方法。
例如，上述合成方法例如公开在Schick，G.；Kampe，K，-D.；Hirsch，A.J.Chem.Soc.，Chem.Commun.1995，2023-2024.、Fred Wudl，Angew.Chem.Int.Ed.Engl.，30，1991，1309-1310.中。此外，也公开在特开2002-88075号公报、永岛英夫“别册化学C60-富勒烯的化学”p116-124(化学同人平成5年4月30日发行)等中。
这里，所谓“富勒烯”，是指碳原子以球状或橄榄球状配置而形成的闭壳状的碳团簇(carbon cluster)。其碳原子数通常是60以上120以下。作为具体例，可以举出C60(所谓巴克明斯特·富勒烯，buckminsterfullerene)、C70、C76、C78、C82、C84、C90、C94、C96及更高次的碳团簇。其中，作为构成在本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物中使用的(A)氨基化富勒烯的富勒烯，从容易获得的角度出发，优选C60、C70。
合成(A)氨基化富勒烯时使用的仲胺，是将氨的两个氢原子以有机基团取代而得的化合物，通式用NHR1R2表示(其中，R1R2各自独立地表示任意有机基团，可以相同也可以不同，还可以相互结合形成含有氮原子(N)的杂环)。
应说明的是，在R1和R2未结合的情况下，R1和R2通常是具有或不具有取代基的烃基，其碳原子数为1～15。具体而言，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基、环丙基、环戊基、环己基、苯基、苄基、苯乙基及这些烃基具有取代基的基团等。
R1和R2所具有的取代基，只要包括取代基的碳原子数在内的R1和R2的碳原子数为1～15，则没有特别限定，可以是任意的取代基。具体而言，可以举出甲氧基、苯氧基等烷氧基；三甲基甲硅烷氧基等甲硅烷氧基；叔丁氧基羰基、苄氧基羰基等烷氧基羰基；乙酰基、苯甲酰基等酰基；亚乙二氧基等缩酮基；四氢吡喃氧基等乙缩醛基等。此外，还可以举出(叔丁基二甲基甲硅烷基氧基)甲基等、具有上述取代基的烷基、芳基、芳烷基来作为上述R1和R2的取代基。
进而，将R1和R2结合而形成含有N的杂环的情况用R1-R2进行说明，该R1-R2通常是碳原子数3～6的二价有机基团，在R1-R2链内可以含有氧、氮、硫等杂原子。
其中，作为杂环，优选形成至少含有一个仲氮原子的4～7元环的杂环。作为R1和R2结合时的NHR1R2的具体例，可以举出下述式(1-1)～(1-13)。应说明的是，在该下述式(1-1)～(1-13)中，还可以在杂环上具有上述取代基。
Figure A20078004697100091
(其中，上述式(1-8)～(1-13)中的X表示上述R1和R2所具有的取代基，X为多个的情况下，X可以相同或者互不相同)
本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物中使用的(A)氨基化富勒烯可以通过使这种富勒烯与仲胺利用上述的合成方法等反应而得到。作为(A)氨基化富勒烯优选的富勒烯和仲胺的组合，作为富勒烯优选是C60，作为仲胺优选是叔丁氧基羰基哌嗪、二苄胺、吗啉等因热、酸等能够容易地分解的化合物。
作为上述的、因热而能够容易地分解的仲胺，优选在350℃以下的温度可以分解的仲胺，更优选在250℃以下的温度可以分解的仲胺。此外，因酸而能够容易地分解的上述仲胺的酸度，通常是pH6以下，优选pH2以下。
如上所述，使用因热、酸等能够容易地分解的仲胺而合成的(A)氨基化富勒烯，在形成抗蚀剂下层膜时，在实质上降低抗蚀剂下层膜的碳含量、且提高氢含量的氨基发生分解，从而可以提高抗蚀剂下层膜的碳含量，并降低氢含量。
[1-2](B)溶剂：
本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物含有(B)溶剂。(B)溶剂是能够溶解上述(A)氨基化富勒烯的溶剂。可以列举例如乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单正丙基醚、乙二醇单正丁基醚等乙二醇单烷基醚类；乙二醇单甲基醚乙酸酯、乙二醇单乙基醚乙酸酯、乙二醇单正丙基醚乙酸酯、乙二醇单正丁基醚乙酸酯等乙二醇单烷基醚乙酸酯类；二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇二正丙基醚、二乙二醇二正丁基醚等二乙二醇二烷基醚类；三乙二醇二甲基醚、三乙二醇二乙基醚等三乙二醇二烷基醚类；
丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚、丙二醇单正丙基醚、丙二醇单正丁基醚等丙二醇单烷基醚类；丙二醇二甲基醚、丙二醇二乙基醚、丙二醇二正丙基醚、丙二醇二正丁基醚等丙二醇二烷基醚类；丙二醇单甲基醚乙酸酯、丙二醇单乙基醚乙酸酯、丙二醇单正丙基醚乙酸酯、丙二醇单正丁基醚乙酸酯等丙二醇单烷基醚乙酸酯类；
乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丙酯、乳酸异丙酯、乳酸正丁酯、乳酸异丁酯等乳酸酯类；甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸正丙酯、甲酸异丙酯、甲酸正丁酯、甲酸异丁酯、甲酸正戊酯、甲酸异戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸异丙酯、乙酸正丁酯、乙酸异丁酯、乙酸正戊酯、乙酸异戊酯、乙酸正己酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸正丙酯、丙酸异丙酯、丙酸正丁酯、丙酸异丁酯、丁酸甲酯、丁酸乙酯、丁酸正丙酯、丁酸异丙酯、丁酸正丁酯、丁酸异丁酯等脂肪族羧酸酯类；
羟基乙酸乙酯、2-羟基-2-甲基丙酸乙酯、3-甲氧基-2-甲基丙酸甲酯、2-羟基-3-甲基丁酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基丙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基丁酸酯、乙酰乙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯等其他酯类；甲苯、二甲苯等芳香烃类；甲基乙基酮、甲基正丙基酮、甲基正丁基酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、环己酮等酮类；N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺类；γ-丁内酯等内酯类等，它们可以适当选择而使用。
在这些(B)溶剂中，优选丙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚乙酸酯、乳酸乙酯、乙酸正丁酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、2-庚酮、环己酮、γ-丁内酯等。(B)溶剂可以单独使用或2种以上混合使用。
对(B)溶剂的使用量没有特别限制，但例如优选以使得本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物的固体成分浓度为5～80质量％而含有(B)溶剂。此外，更优选本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物的固体成分浓度为5～40质量％，特别优选为10～30质量％。抗蚀剂下层膜形成用组合物的固体成分浓度为5～80质量％时，可以在被加工基板上良好地涂敷抗蚀剂下层膜形成用组合物。
[1-3](C)酸发生剂
本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物，只要不损害本发明所期待的效果，根据需要还可以含有(C)酸发生剂。
该(C)酸发生剂是通过曝光或加热而产生酸的成分。作为通过曝光而产生酸的酸发生剂(以下，称为“光致酸发生剂”)，可以列举例如二苯基碘鎓三氟甲烷磺酸盐、二苯基碘鎓九氟正丁烷磺酸盐、二苯基碘鎓芘磺酸盐、二苯基碘鎓正十二烷基苯磺酸盐、二苯基碘鎓10-樟脑磺酸盐、二苯基碘鎓萘磺酸盐、二苯基碘鎓六氟锑酸盐、双(4-叔丁基苯基)碘鎓三氟甲烷磺酸盐、双(4-叔丁基苯基)碘鎓九氟正丁烷磺酸盐、双(4-叔丁基苯基)碘鎓正十二烷基苯磺酸盐、双(4-叔丁基苯基)碘鎓10-樟脑磺酸盐、双(4-叔丁基苯基)碘鎓萘磺酸盐、双(4-叔丁基苯基)碘鎓六氟锑酸盐、三苯基锍三氟甲烷磺酸盐、三苯基锍九氟正丁烷磺酸盐、三苯基锍正十二烷基苯磺酸盐、三苯基锍萘磺酸盐、三苯基锍10-樟脑磺酸盐、三苯基锍六氟锑酸盐、4-羟基苯基-苯基-甲基锍对甲苯磺酸盐、4-羟基苯基-苄基-甲基锍对甲苯磺酸盐；
环己基-甲基-2-氧环己基锍三氟甲烷磺酸盐、2-氧环己基二环己基锍三氟甲烷磺酸盐、2-氧环己基二甲基锍三氟甲烷磺酸盐、1-萘基二甲基锍三氟甲烷磺酸盐、1-萘基二乙基锍三氟甲烷磺酸盐、4-氰基-1-萘基二甲基锍三氟甲烷磺酸盐、4-氰基-1-萘基二乙基锍三氟甲烷磺酸盐、4-硝基-1-萘基二甲基锍三氟甲烷磺酸盐、4-硝基-1-萘基二乙基锍三氟甲烷磺酸盐、4-甲基-1-萘基二甲基锍三氟甲烷磺酸盐、4-甲基-1-萘基二乙基锍三氟甲烷磺酸盐、4-羟基-1-萘基二甲基锍三氟甲烷磺酸盐、4-羟基-1-萘基二乙基锍三氟甲烷磺酸盐；
1-(4-羟基萘-1-基)四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐、1-(4-甲氧基萘-1-基)四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐、1-(4-乙氧基萘-1-基)四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐、1-(4-甲氧基甲氧基萘-1-基)四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐、1-(4-乙氧基甲氧基萘-1-基)四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐、1-〔4-(1-甲氧基乙氧基)萘-1-基〕四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐、1-〔4-(2-甲氧基乙氧基)萘-1-基〕四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐、1-(4-甲氧基羰氧基萘-1-基)四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐、1-(4-乙氧基羰氧基萘-1-基)四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐、1-(4-正丙氧基羰氧基萘-1-基)四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐；
1-(4-异丙氧基羰氧基萘-1-基)四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐、1-(4-正丁氧基羰氧基萘-1-基)四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐、1-(4-叔丁氧基羰氧基萘-1-基)四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐、1-〔4-(2-四氢呋喃氧基)萘-1-基〕四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐、1-〔4-(2-四氢吡喃氧基)萘-1-基〕四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐、1-(4-苄氧基)四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐、1-(萘基乙酰甲基)四氢噻吩鎓三氟甲烷磺酸盐等鎓盐系光致酸发生剂类；
苯基双(三氯甲基)-均三嗪、4-甲氧基苯基双(三氯甲基)-均三嗪、1-萘基双(三氯甲基)-均三嗪等含卤化合物系光致酸发生剂类；1，2-二叠氮萘醌-4-磺酰氯、1，2-二叠氮萘醌-5-磺酰氯、2，3，4，4′-四羟基二苯甲酮的1，2-二叠氮萘醌-4-磺酸酯或1，2-二叠氮萘醌-5-磺酸酯等的重氮酮化合物系光致酸发生剂类；4-三苯酰甲基砜、
Figure A20078004697100131
基苯酰甲基砜、双(苯基磺酰基)甲烷等砜化合物系光致酸发生剂类；苯偶姻甲苯磺酸盐、连苯三酚的三(三氟甲烷磺酸盐)、硝基苄基-9，10-二乙氧基蒽-2-磺酸盐、三氟甲烷磺酰基二环[2，2，1]庚-5-烯-2，3-二碳二亚胺、N-羟基琥珀酰亚胺三氟甲烷磺酸盐、1，8-萘二甲酰亚胺三氟甲烷磺酸盐等磺酸化合物系光致酸发生剂类等。
在这些光致酸发生剂中，优选二苯基碘鎓三氟甲烷磺酸盐、二苯基碘鎓九氟正丁烷磺酸盐、二苯基碘鎓芘磺酸盐、二苯基碘鎓正十二烷基苯磺酸盐、二苯基碘鎓10-樟脑磺酸盐、二苯基碘鎓萘磺酸盐、双(4-叔丁基苯基)碘鎓三氟甲烷磺酸盐、双(4-叔丁基苯基)碘鎓九氟正丁烷磺酸盐、双(4-叔丁基苯基)碘鎓正十二烷基苯磺酸盐、双(4-叔丁基苯基)碘鎓10-樟脑磺酸盐、双(4-叔丁基苯基)碘鎓萘磺酸盐等。这些光致酸发生剂可以单独或2种以上混合使用。
此外，作为通过加热而产生酸的酸发生剂(以下，称为“热致酸发生剂”)，可以列举例如2，4，4，6-四溴环己二烯酮、苯偶姻甲苯磺酸盐、2-硝基苄基甲苯磺酸盐、烷基磺酸盐类等。这些热致酸发生剂可以单独或2种以上混合使用。此外，作为(C)酸发生剂，可以并用光致酸发生剂和热致酸发生剂。
本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物，通过含有这种光致酸发生剂、热致酸发生剂等(C)酸发生剂，可以在包括常温的较低温度下促进(A)氨基化富勒烯的氨基的分解，能够有效地获得碳含量高、且氢含量低的抗蚀剂下层膜。
(C)酸发生剂的配合量相对于上述(A)氨基化富勒烯100质量份，优选为100质量份以下、更优选0.1～30质量份，特别优选0.1～10质量份。通过如此构成，可以良好地获得上述效果。
[1-4](D)交联剂
本发明的抗蚀剂下层膜用组合物，只要不损害本发明所期待的效果，根据需要还可以含有(D)交联剂。该(D)交联剂是具有如下作用的成分：防止所得的抗蚀剂下层膜与形成于其上的抗蚀剂被膜之间的互混，进而防止抗蚀剂下层膜的断裂的发生。
作为此种(D)交联剂，可以使用多核酚类、各种市售的固化剂。作为上述多核酚类，可以列举例如4，4′-联苯二酚、4，4′-亚甲基双酚、4，4′-乙叉基双酚、双酚A等双核酚类；4，4′，4″-甲叉基三酚、4，4′-〔1-{4-(1-[4-羟基苯基]-1-甲基乙基)苯基}乙叉基〕双酚等三核酚类；酚醛清漆等多酚类等。
在这些多核酚类中，可以列举4，4′-〔1-{4-(1-[4-羟基苯基]-1-甲基乙基)苯基}乙叉基〕双酚、酚醛清漆等。这些多核酚类可以单独使用或2种以上混合使用。
此外，作为上述固化剂，可以列举例如2，3-亚苄基二异氰酸酯、2，4-亚苄基二异氰酸酯、3，4-亚苄基二异氰酸酯、3，5-亚苄基二异氰酸酯、4，4′-二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、1，4-环己烷二异氰酸酯等二异氰酸酯类；以下商品名的Epicoat 812、Epicoat 815、Epicoat 826、Epicoat 828、Epicoat 834、Epicoat 836、Epicoat 871、Epicoat 1001、Epicoat 1004、Epicoat 1007、Epicoat 1009、Epicoat 1031(以上，YukaShell Epoxy公司制)，Araldite 6600、Araldite 6700、Araldite 6800、Araldite 502、Araldite 6071、Araldite 6084、Araldite 6097、Araldite6099(以上，Ciba-Geigy公司制)、DER331、DER332、DER333、DER661、DER644、DER667(以上，DOW CHEMICAL公司制)等环氧化合物；Cymel300、Cymel301、Cymel303、Cymel350、Cymel370、Cymel771、Cymel325、Cymel327、Cymel703、Cymel712、Cymel701、Cymel272、Cymel202、Mycoat506、Mycoat 508(以上，Mitsui Cyanamid公司制)等蜜胺系固化剂；Cymel 1123、Cymel 1123-10、Cymel 1128、Mycoat 102、Mycoat 105、Mycoat 106、Mycoat 130(以上，Mitsui Cyanamid公司制)等苯并胍胺系固化剂；Cymel 1170、Cymel 1172(以上，Mitsui Cyanamid公司制)、Nikalac N-2702(三和化学公司制)等甘脲系固化剂等。在这些固化剂中，优选蜜胺系固化剂、甘脲系固化剂等。
另外，这些固化剂可以单独或2种以上混合使用。此外，作为(D)交联剂，也可以并用多核酚类和固化剂。
(D)交联剂的配合量相对于上述(A)氨基化富勒烯100质量份，优选为100质量份以下，更优选1～50质量份，特别优选1～20质量份。通过如此构成，可以有效地防止所得的抗蚀剂下层膜与形成于其上的抗蚀剂被膜之间的互混，进而可以防止抗蚀剂下层膜的断裂的发生。
[1-5](E)热固化性树脂：
本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物，只要不损害本发明所期待的效果，根据需要还可以含有(E)热固化性树脂。
作为(E)热固化性树脂，可以使用各种热固化性树脂。(E)热固化性树脂通过加热而固化，从而不溶于溶剂，是具有防止所得抗蚀剂下层膜与形成于其上的抗蚀剂被膜之间的互混的作用的成分。
作为此种(E)热固性树脂，可以列举例如丙烯酸系树脂类(热固化丙烯酸系树脂类)、酚醛树脂类、尿素树脂类、蜜胺树脂类、氨基系树脂类、芳香烃树脂类、环氧树脂类、醇酸树脂类等。在这些热固性树脂中，优选尿素树脂类、蜜胺树脂类、芳香烃树脂类等。
(E)热固性树脂的配合量相对于上述(A)氨基化富勒烯100质量份，优选为20质量份以下，更优选1～10质量份。通过如此构成，可以有效防止所得的抗蚀剂下层膜与形成于其上的抗蚀剂被膜之间的互混。
[1-6](F)其他的添加剂：
本发明的抗蚀剂下层膜用组合物，只要不损害本发明所期待的效果，根据需要还可以含有放射线吸收剂、表面活性剂等各种(F)其他的添加剂。
作为上述放射线吸收剂，可以列举例如油溶性染料、分散染料、碱性染料、次甲基系染料、吡唑系染料、咪唑系染料、羟基偶氮系染料等染料类；红木素(ビクシン)衍生物、降红木素(ノルビクシンnorbixin)、茋、4，4′-二氨基茋衍生物、香豆素衍生物、吡唑啉衍生物等荧光增白剂类；羟基偶氮系染料、商品名“TINUVIN 234”、“TINUVIN 1130”(以上由Ciba-Geigy公司制)等紫外线吸收剂类；蒽衍生物、蒽醌衍生物等芳香族化合物等。另外，这些放射线吸收剂可以单独或2种以上混合使用。
放射线吸收剂的配合量相对于上述(A)氨基化富勒烯100质量份，优选为100质量份以下，更优选1～50质量份。
此外，上述表面活性剂是具有改良涂布性、条痕、润湿性、显影性等的作用的成分。作为此种表面活性剂，可以列举例如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油基醚、聚氧乙烯正辛基苯基醚、聚氧乙烯正壬基苯基醚、聚乙二醇二月桂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯等非离子系表面活性剂，以下商品名的KP341(信越化学工业公司制)、POLYFLOW No.75、POLYFLOW No.95(以上，共荣社油脂化学工业公司制)，FTOP EF101、FTOP EF204、FTOP EF303、FTOP EF352(以上，Tohkem Products公司制)，MEGAFAC F171、MEGAFAC F172、MEGAFAC F173(以上，大日本油墨化学工业公司制)，Fluorad FC430、Fluorad FC431、Fluorad FC135、Fluorad FC93(以上，住友3M公司制)，Asahi Guard AG710、SURFLON S382、SURFLON SC101、SURFLONSC102、SURFLON SC103、SURFLON SCl04、SURFLON SC105、SURFLON SC106(以上，旭硝子公司制)等。这些表面活性剂可以单独或2种以上混合使用。
表面活性剂的配合量相对于上述(A)氨基化富勒烯100质量份，优选为15质量份以下，更优选0.001～10质量份。
进而，本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物，除了含有上述的放射线吸收剂、表面活性剂以外，还可以进一步含有例如保存稳定剂、消泡剂、粘接助剂等其他的添加剂。
[2]抗蚀剂下层膜的形成方法：
下面，对本发明的抗蚀剂下层膜的形成方法的实施方式进行说明。本发明的抗蚀剂下层膜的形成方法如下，即，通过将上述说明的本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在被加工基板上，将已涂布的抗蚀剂下层膜形成用组合物与被加工基板一起在惰性气体氛围下煅烧，由此在被加工基板上形成抗蚀剂下层膜。
根据本发明的抗蚀剂下层膜的形成方法，可以形成蚀刻耐性优异，且在干蚀刻工艺中下层膜图案难以折曲，可以将抗蚀剂图案忠实地、再现性良好地转印在被加工基板上的抗蚀剂下层膜。
作为本发明的抗蚀剂下层膜的形成方法中使用的被加工基板，可以使用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、聚硅氧烷等绝缘膜；以下的BlackDiamond(AMAT公司制)、SILK(Dow chemical公司制)、LKD5109(JSR公司制)(全部为商品名)等用低介质常数绝缘膜被覆而得到的晶片等层间绝缘膜。此外，作为该被加工基板，还可以使用布线沟槽(trench)、插销沟槽(通孔)等图案化的基板。
对于在被加工基板上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物的方法没有特别限制，可以举出例如旋涂法等。
在本发明的抗蚀剂下层膜的形成方法中，通过将上述的抗蚀剂下层膜形成用组合物(具体而言，是利用抗蚀剂下层膜形成用组合物在被加工基板上形成的涂膜)与被加工基板一起在惰性气体氛围下煅烧而固化，从而在被加工基板上形成抗蚀剂下层膜。
这里，所谓惰性气体是指氮气、氩气、氦气、氙气、氪气中的任一种。通过在惰性气体氛围下形成抗蚀剂下层膜，可以防止抗蚀剂下层膜中的氧含量的增加，由此可以使抗蚀剂下层膜的蚀刻耐性进一步提高。
本发明的抗蚀剂下层膜的形成方法中的煅烧温度没有特别限定，但是优选为90～550℃，更优选90～450℃，特别优选90～300℃。抗蚀剂下层膜形成用组合物含有热致酸发生剂时，即使是例如90～150℃左右也可以使涂膜充分地固化。
对于利用本发明的抗蚀剂下层膜的形成方法形成的抗蚀剂下层膜的膜厚没有特别限制，但优选100～20000nm。
此外，在本发明的抗蚀剂下层膜的形成方法中，还可以进一步包含将利用抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的涂膜经曝光而进行固化的工序。曝光中使用的放射线，例如在下层膜形成用组合物中进一步含有(C)酸发生剂的情况下，根据该(C)酸发生剂的种类，从可见光、紫外线、远紫外线、X射线、电子束、γ射线、分子射线、离子束等中适当选择。抗蚀剂下层膜形成用组合物含有光致酸发生剂时，即使是常温也可以充分地使涂膜固化。
[3]图案形成方法：
下面，对本发明的图案形成方法的实施方式进行说明。本发明的图案形成方法具有如下工序：在被加工基板上涂布至此说明的本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物，从而形成抗蚀剂下层膜的工序(1)；在所得的抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂组合物，从而形成抗蚀剂被膜的工序(2)；透过光掩模，对所得的抗蚀剂被膜选择性地照射放射线，从而将抗蚀剂被膜曝光的工序(3)；将曝光后的抗蚀剂被膜进行显影，从而形成抗蚀剂图案的工序(4)；以及将抗蚀剂图案作为掩模(蚀刻掩模)，对抗蚀剂下层膜和被加工基板进行干蚀刻，从而形成图案的工序(5)。
根据本发明的图案形成方法，在干蚀刻工艺中，可以将抗蚀剂图案再现性良好且忠实地转印在被加工基板上。以下，对本发明的图案形成方法中的各工序进行更加具体的说明。
[3-1]工序(1)
在本发明的图案形成方法的工序(1)中，使用上述本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在被加工基板上形成抗蚀剂下层膜。由此，可以获得在被加工基板上形成有抗蚀剂下层膜的带抗蚀剂下层膜的基板。
作为被加工基板，可以使用例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、聚硅氧烷等绝缘膜；以下的Black Diamond(AMAT公司制)、SILK(Dowchemical公司制)、LKD5109(JSR公司制)(全部是商品名)等用低介质常数绝缘膜被覆而得到的晶片等层间绝缘膜：。此外，作为该被加工基板，还可以使用布线沟槽(trench)、插销沟槽(通孔)等图案化的基板。
对于在被加工基板上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物的方法没有特别限制，可以举出例如旋涂法等。抗蚀剂下层膜形成用组合物由于可以填充被加工基板的沟，因此在后述的蚀刻工序时，可以将规定的图案在被加工基板上图案化。
抗蚀剂下层膜可以通过将在被加工基板上涂布上述抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成的涂膜进行曝光及加热中至少一者而固化，由此形成。曝光中使用的放射线，例如在抗蚀剂下层膜形成用组合物中进一步含有(C)酸发生剂的情况下，根据该(C)酸发生剂的种类，从可见光、紫外线、远紫外线、X射线、电子束、γ射线、分子射线、离子束等中适当选择。抗蚀剂下层膜形成用组合物含有光致酸发生剂时，即使是常温也可以充分地使涂膜固化。
此外，在对涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成的涂膜进行加热时的温度，没有特别限定，但是优选为90～550℃，更优选90～450℃，特别优选90～300℃。抗蚀剂下层膜形成用组合物含有热致酸发生剂时，即使是例如90～150℃左右也可以使涂膜充分地固化。
此外，在对涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成的涂膜进行曝光或加热时，没有特别限定，但是优选在惰性气体氛围下进行。这里，所谓惰性气体是指氮气、氩气、氦气、氙气、氪气中的任一种。通过在惰性气体氛围下形成抗蚀剂下层膜，可以防止抗蚀剂下层膜中的氧含量的增加，由此可以使抗蚀剂下层膜的蚀刻耐性进一步提高。
对在该工序(1)中形成的抗蚀剂下层膜的膜厚没有特别限制，但优选100～20000nm。
此外，本发明的图案形成方法，在该工序(1)之后，根据需要还可以进一步具备在抗蚀剂下层膜上进一步形成中间层的工序(1’)。该中间层在抗蚀剂图案形成的过程中进一步补充抗蚀剂下层膜、抗蚀剂被膜所具有的功能，从而获得它们所不具备的功能，因此是赋予所需规定功能的层。
该中间层可以使用有机化合物、无机氧化物来形成。作为有机化合物，可以使用例如Brewer Science公司制造的以“DUV-42”、“DUV-44”、“ARC-28”、“ARC-29”等商品名出售的材料、Rohm&Haas公司制造的以“AR-3”、“AR-19”等商品名出售的材料等。此外，作为无机氧化物，可以使用例如JSR公司制造的以“NFC SOG01”、“NFCSOG04”等商品名出售的材料、利用CVD法形成的聚硅氧烷、氧化钛、氧化铝、氧化钨等。
用于形成中间层的方法没有特别限制，但可以举出例如涂布法、CVD法等。在这些方法中，优选涂布法。使用涂布法的情况下，在形成抗蚀剂下层膜后，可以连续地形成中间层。
此外，对中间层的膜厚也没有特别限制，可以根据中间层所要求的功能来适当地选择，但是例如在普通的光刻工艺中，优选中间层的膜厚为10～3000nm，更优选20～300nm。在中间层的膜厚小于10nm时，在抗蚀剂下层膜的蚀刻中途，有时中间层会被削减而消失。另一方面，在超过3000nm时，将抗蚀剂图案转印到中间层上时，有时加工转换差会增大。
[3-2]工序(2)：
本发明的图案形成方法的工序(2)中，使用抗蚀剂组合物，在工序(1)中得到的抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂被膜。应说明的是，如上所述，在抗蚀剂下层膜上进一步形成中间层的情况下，在抗蚀剂下层膜、中间层上形成抗蚀剂被膜。
作为在该工序(2)中使用的抗蚀剂组合物，可以举出例如含有光致酸发生剂的正型或负型的化学增幅型抗蚀剂组合物、包含碱可溶性树脂和二叠氮醌系感光剂的正型抗蚀剂组合物、包含碱可溶性树脂和交联剂的负型抗蚀剂组合物等作为优选例。
此外，对抗蚀剂组合物的固体成分浓度没有特别限制，但例如优选5～50质量％。作为抗蚀剂组合物，可以优选使用利用孔径0.2μm左右的过滤器过滤而得到的组合物。此外，在本发明的图案形成方法中，作为这种抗蚀剂组合物，还可以直接使用市售的抗蚀剂组合物。
对于涂布抗蚀剂组合物的方法没有特别限制，例如可以通过旋涂法等以往的方法进行涂布。此外，在涂布抗蚀剂组合物时，对涂布的抗蚀剂组合物的量进行调整，以使得所得的抗蚀剂被膜达到规定的膜厚。
抗蚀剂被膜可以通过对涂布上述抗蚀剂组合物而形成的涂膜进行预烘焙，从而使涂膜中的溶剂(即，抗蚀剂组合物中所含的溶剂)挥发而形成。预烘培时的温度根据使用的抗蚀剂组合物的种类等适当调整，优选30～200℃左右，更优选50～150℃。
[3-3]工序(3)：
本发明的图案形成方法的工序(3)中，透过光掩模，对在工序(2)中得到的抗蚀剂被膜选择性地照射放射线，从而将抗蚀剂被膜曝光。
作为在工序(3)中使用的放射线，根据抗蚀剂组合物中使用的酸发生剂的种类，从可见光线、紫外线、远紫外线、X射线、电子束、γ射线、分子射线、离子束等中适当选择，但优选远紫外线，尤其可以举出KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)、F2准分子激光(波长157nm)、Kr2准分子激光(波长147nm)、ArKr准分子激光(波长134nm)、远紫外线(波长13nm等)等作为优选例。此外，对于曝光的方法没有特别限制，可以根据以往公知的图案形成中使用的方法来进行。
[3-4]工序(4)：
在本发明的图案形成方法的工序(4)中，将在工序(3)中曝光的抗蚀剂被膜显影，形成抗蚀剂图案。
在显影中使用的显影液可以根据所使用的抗蚀剂组合物的种类适当选择。在使用正型化学增幅型抗蚀剂组合物、含有碱可溶性树脂的正型抗蚀剂组合物的情况下，可以列举例如氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、硅酸钠、偏硅酸钠、氨、乙基胺、正丙基胺、二乙基胺、二正丙基胺、三乙基胺、甲基二乙基胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、吡咯、哌啶、胆碱、1，8-二氮杂二环[5.4.0]-7-十一碳烯、1，5-二氮杂二环[4.3.0]-5-壬烯等的碱性水溶液。此外，可以在这些碱性水溶液中添加适量的水溶性有机溶剂，例如甲醇、乙醇等醇类、表面活性剂。
在使用负型化学增幅型抗蚀剂组合物、含有碱可溶性树脂的负型抗蚀剂组合物的情况下，可以使用氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、硅酸钠、偏硅酸钠、氨水等无机碱类；乙基胺、正丙基胺等伯胺类；二乙基胺、二正丁基胺等仲胺类；三乙基胺、甲基二乙基胺等叔胺类；二甲基乙醇胺、三乙醇胺等乙醇胺类；四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、胆碱等季铵盐；吡咯、哌啶等环状胺类等碱类的水溶液等。
在工序(4)中，在用上述显影液进行显影后，通过洗涤、干燥，可以形成对应于上述的光掩模的规定抗蚀剂图案。
此外，在该工序(4)中，为了使析像度、图案轮廓、显影性等提高，在进行显影之前(即，在进行工序(3)中的曝光之后)，优选进行后烘焙。该后烘焙的温度根据使用的抗蚀剂组合物的种类等适当调整，优选50～200℃左右，更优选80～150℃。
[3-5]工序(5)：
在本发明的图案形成方法的工序(5)中，将在工序(4)中形成的抗蚀剂图案作为掩模(蚀刻掩模)，对抗蚀剂下层膜及被加工基板进行干蚀刻，从而形成图案。应说明的是，在抗蚀剂下层膜上形成中间层的情况下，也将中间层与抗蚀剂下层膜及被加工基板一起进行干蚀刻。
干蚀刻可以利用公知的干蚀刻装置进行。此外，作为干蚀刻时的气体源，根据被蚀刻膜的元素组成而异，可以使用O2、CO、CO2等含氧原子的气体；He、N2、Ar等惰性气体；Cl2、BCl4等氯系气体；H2、NH4的气体等。此外，这些气体还可以混合使用。
本发明的图案形成方法中使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物，由于含有由碳含量基本上为100质量％的富勒烯和因热、酸等而比较容易分解的仲胺而形成的(A)氨基化富勒烯，所以在形成上述工序(1)的抗蚀剂下层膜时，可以形成抗蚀剂下层膜中的碳含量高、氢含量低的抗蚀剂下层膜。因此，抗蚀剂下层膜的蚀刻耐性优异，且在被加工基板蚀刻时的下层膜图案不发生折曲。
在本发明的图案形成方法中，通过适当进行以上说明的工序(1)～(5)，可以形成用于规定的基板加工的图案。
实施例
以下，基于实施例具体说明本发明，但本发明并不限于这些实施例。应说明的是，实施例、比较例中的“份”和“％”只要没有特别说明均为质量基准。
[1]抗蚀剂下层膜形成用组合物的制备：
本实施例和比较例中使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物(U-1～U-9)中使用的、(A)氨基化富勒烯、(A’)比较例用富勒烯衍生物、(B)溶剂、(C)酸发生剂、(D)交联剂的详细内容如下。
<(A)氨基化富勒烯>
(A-1)氨基化富勒烯：(A-1)氨基化富勒烯通过以下的方法来合成。首先，在安装有回流管的可拆分烧瓶中，在氮气流下，装入市售的富勒烯(富勒烯C60)10质量份和叔丁氧基羰基哌嗪400质量份，不断搅拌并在60℃聚合2天。然后，在反应溶液中加入甲基异丁基酮，将不溶成分滤出。用水洗涤滤液直到水变为中性，将甲基异丁基酮进行真空干燥，得到由下述式(2)表示的(A-1)氨基化富勒烯。
Figure A20078004697100231
(A-2)氨基化富勒烯：使用吗啉代替叔丁氧基羰基哌嗪，除此之外，通过采用与上述的(A-1)氨基化富勒烯同样的合成法，得到由下述式(3)表示的(A-2)氨基化富勒烯。
Figure A20078004697100241
<(A’)比较例用富勒烯衍生物>
(A’-1)比较例用富勒烯衍生物：(A’-1)比较例用富勒烯衍生物通过以下的方法来合成。首先在具备温度计的可拆分烧瓶中，在氮气流下，装入4-羟基甲基苯乙烯1质量份、富勒烯(富勒烯C60)8质量份、甲苯86.5质量份和偶氮双异丁腈4.3质量份，边搅拌边在80℃聚合24小时。然后，将反应溶液用滤纸过滤，浓缩滤液，使得到的固体物质再次溶解于2-庚酮中。
接着，将不溶物再次用滤纸过滤，使滤液在大量的己烷中再沉淀，经过滤、干燥，得到(A’-1)比较例用富勒烯衍生物。此外，该(A’-1)比较例用富勒烯衍生物可以根据例如Macromolecules 1996，29，3826-3830中记载的方法来合成。
<(B)溶剂>
(B-1)溶剂：丙二醇单甲基乙酸酯
(B-2)溶剂：环己酮
<(C)酸发生剂>
(C-1)酸发生剂：双(4-叔丁基苯基)碘鎓九氟正丁烷磺酸盐(MidoriKagaku公司制，商品名“BBI-109”)
(C-2)酸发生剂：由下述式(4)表示的酸发生剂(Ciba SpecialChemical公司制，商品名“CGI-1397”)
Figure A20078004697100251
(C-3)酸发生剂：由下述式(5)表示的酸发生剂(Ciba SpecialChemical公司制，商品名“CGI-1905”)
Figure A20078004697100252
<(D)交联剂>
(D-1)交联剂：由下述式(6)表示的交联剂(Nippon Carbide Industries公司制，商品名“MX-279”)
Figure A20078004697100261
[1-1]抗蚀剂下层膜形成用组合物(U-1)的制备：
将(A-1)氨基化富勒烯10质量份、双(4-叔丁基苯基)碘鎓九氟正丁烷磺酸盐[(C-1)酸发生剂]0.2质量份、以及四甲氧基甲基甘脲[(D-1)交联剂]0.1质量份溶解于丙二醇单甲基乙酸酯[(B-1)溶剂]89.7质量份中。用孔径0.1μm的膜滤器过滤该溶液，制备抗蚀剂下层膜形成用组合物(U-1)。表1中示出抗蚀剂下层膜形成用组合物(U-1)的配合处方。
表1
Figure A20078004697100271
[1-2]抗蚀剂下层膜形成用组合物(U-2)～(U-5)的制备：
(A)氨基化富勒烯、(B)溶剂、(C)酸发生剂和(D)交联剂的种类及使用量如表1所示，除此之外，采用与上述的抗蚀剂下层膜形成用组合物(U-1)的制备同样的方法，制备抗蚀剂下层膜形成用组合物(U-2)～(U-5)。
[1-3]抗蚀剂下层膜形成用组合物(U-6)～(U-8)的制备：
使用(A，)比较例用富勒烯衍生物代替(A)氨基化富勒烯，(B)溶剂、(C)酸发生剂和(D)交联剂的种类及使用量如表1所示，除此之外，采用与上述的抗蚀剂下层膜形成用组合物(U-1)的制备同样的方法，制备抗蚀剂下层膜形成用组合物(U-6)～(U-8)。
[1-4]抗蚀剂下层膜形成用组合物(U-9)的制备：
作为抗蚀剂下层膜形成用组合物(U-9)，使用JSR公司制的抗蚀剂下层膜形成用组合物(商品名“NFC CT08”)。
[2]抗蚀剂下层膜的形成：
(实施例1)
将上述的抗蚀剂下层膜形成用组合物(U-1)采用旋涂法涂布在被加工基板上，在大气气氛下，在300℃/60s的条件下进行煅烧(烘焙)而形成抗蚀剂下层膜，得到在被加工基板上形成有抗蚀剂下层膜的带抗蚀剂下层膜的基板(实施例1)。表2中示出所使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物的种类、煅烧条件、及煅烧气氛。
此外，本实施例中，作为被加工基板，使用硅晶片和TEOS基板这两种被加工基板，在每个被加工基板上形成抗蚀剂下层膜，得到两种带抗蚀剂下层膜的基板。此外，在TEOS基板上形成了厚度600nm的抗蚀剂下层膜。
表2
  抗蚀剂下层膜形成用组合物 煅烧条件 煅烧气氛
  实施例1   U-1   300℃/60s   大气
  实施例2   U-2   300℃/60s   大气
  实施例3   U-3   300℃/60s   大气
  实施例4   U-4   300℃/60s   大气
  实施例5   U-5   300℃/60s   大气
  实施例6   U-1   250℃/60s   大气
  实施例7   U-2   250℃/60s   大气
  实施例8   U-3   250℃/60s   大气
  实施例9   U-4   250℃/60s   大气
  实施例10   U-5   250℃/60s   大气
  实施例11   U-1   300℃/60s   氮
  实施例12   U-2   300℃/60s   氮
  实施例13   U-3   300℃/60s   氮
  实施例14   U-4   300℃/60s   氮
  实施例15   U-5   300℃/60s   氮
  实施例16   U-4   350℃/300s   氮
  实施例17   U-4   400℃/300s   氮
  比较例1   U-6   300℃/60s   大气
  比较例2   U-7   300℃/60s   大气
  比较例3   U-8   300℃/60s   大气
  比较例4   U-9   300℃/60s   大气
  比较例5   U-6   300℃/60s   氮
(实施例2～17及比较例1～5)
与实施例1同样，使用硅晶片和TEOS基板这两种被加工基板，将表2所示的抗蚀剂下层膜形成用组合物(U-1)～(U-9)采用旋涂法进行涂布，在表2所示的煅烧条件和煅烧气氛下进行煅烧，在每个被加工基板上形成抗蚀剂下层膜，得到两种带抗蚀剂下层膜的基板。
[3]抗蚀剂下层膜的评价：
为了对实施例1～17及比较例1～5中得到的带抗蚀剂下层膜的基板的抗蚀剂下层膜进行各种评价，如下所示，制备了ArF用正型抗蚀剂组合物。
[3-1]ArF用抗蚀剂组合物的制备：
在氮气流下，在安装有回流管的可拆分烧瓶中装入8-甲基-8-叔丁氧基羰基甲氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯(单体(1))29质量份、8-甲基-8-羟基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯(单体(2))10质量份、马来酸酐(单体(3))18质量份、2，5-二甲基-2，5-己二醇二丙烯酸酯4质量份、叔十二烷基硫醇1质量份、偶氮双异丁腈4质量份及1，2-二乙氧基乙烷60质量份，不断搅拌并在70℃聚合6小时。
然后，将反应溶液注入大量的正己烷/异丙醇(质量比＝1/1)混合溶剂中，使反应溶液中的树脂凝固。将凝固的树脂用上述混合溶剂洗涤数次后，进行真空干燥，得到具有分别来源于上述单体(1)、(2)及(3)的下述式(a)、(b)和(c)所示重复单元(a)、(b)和(c)的树脂(收率60质量％)。此外，该树脂中的重复单元(a)、(b)和(c)的摩尔比为64∶18∶18，且重均分子量(Mw)为27000。
Figure A20078004697100301
然后，将所得的树脂80质量份、1-(4-甲氧基萘-1-基)四氢噻吩鎓九氟正丁烷磺酸盐1.5质量份及三正辛基胺0.04质量份溶解于丙二醇单甲基醚乙酸酯533质量份中，制备ArF用抗蚀剂组合物。
[3-2]性能评价：
使用实施例1～17及比较例1～5中得到的带抗蚀剂下层膜的基板，进行抗蚀剂下层膜元素组成的测定、蚀刻耐性及弯曲耐性的评价。结果示于表3。
表3
  碳含量(质量％)   氢含量(质量％)   氧含量(质量％)   氮含量(质量％)   蚀刻耐性   弯曲耐性
  实施例1   86.0   1.8   10.8   1.4   ◎   ○
  实施例2   87.2   1.2   9.8   1.8   ◎   ○
  实施例3   87.8   1.4   8.8   2.0   ◎   ○
  实施例4   88.0   1.0   9.1   1.9   ◎   ○
  实施例5   88.0   0.8   9.2   2.0   ◎   ○
  实施例6   84.9   2.4   10.8   1.9   ◎   ○
  实施例7   85.8   2.2   10.0   2.0   ◎   ○
  实施例8   86.5   2.3   9.2   2.0   ◎   ○
  实施例9   86.9   2.0   9.1   2.0   ◎   ○
  实施例10   86.5   2.5   8.8   2.2   ◎   ○
  实施例11   90.8   1.5   4.4   3.3   ◎   ○
  实施例12   93.3   0.2   3   3.5   ◎   ○
  实施例13   91.5   0.6   4.1   3.8   ◎   ○
  实施例14   93.0   0.5   2.7   3.8   ◎   ○
  实施例15   92.0   0.8   4   3.2   ◎   ○
  实施例16   94.5   0.4   2.5   2.6   ◎   ○
  实施例17   97.0   0.0   0.6   2.4   ◎   ○
  比较例1   87.0   6.5   5.8   0.7   ○   ×
  比较例2   86.5   6.5   6.0   1   △   ×
  比较例3   85.6   5.6   7.0   1.8   △   ×
  比较例4   87.3   6.0   4.5   2.2   ○   ×
  比较例5   87.2   7.0   5.0   0.8   △   ×
抗蚀剂下层膜元素组成的测定方法、蚀刻耐性及弯曲耐性的评价方法如下。
<抗蚀剂下层膜的元素组成>
对作为被加工基板使用了硅晶片的各带抗蚀剂下层膜的基板的抗蚀剂下层膜中的碳、氢、氧及氮的含量(质量％)进行了测定。各自的含量测定使用J-Science公司制的有机元素分析装置(商品名“CHN coderJM10”)。
<蚀刻耐性>
对作为被加工基板使用了硅晶片的各带抗蚀剂下层膜的基板，使用蚀刻装置(神钢精机公司制，商品名“EXAM”)，在CF4/Ar/O2(CF4：40mL/min、Ar：20mL/min、O2：5mL/min；压力：20Pa；RF功率：200W；处理时间：40秒；温度：15℃)下对抗蚀剂下层膜进行蚀刻处理，测定蚀刻处理前后的抗蚀剂下层膜的膜厚，计算蚀刻比率，对蚀刻耐性进行评价。
应说明的是，在计算该蚀刻比率时，利用JSR公司制的抗蚀剂下层膜形成用组合物(商品名“NFC CT08”)形成基准抗蚀剂下层膜来进行。评价基准是，与上述的基准抗蚀剂下层膜相比，将蚀刻比率为-10％以下的情况作为“◎”，将蚀刻比率超过-10％且为0％以下的情况作为“○”，将蚀刻比率超过0％且为+10％以下的情况作为“△”。
<弯曲耐性>
使用在各实施例和比较例中得到的、作为被加工基板使用了TEOS基板的各带抗蚀剂下层膜的基板，在该抗蚀剂下层膜(膜厚600nm)上旋涂3层抗蚀剂工艺用中间层组合物溶液(JSR公司制，商品名“NFCSOG080”)，在热板上于200℃加热60秒，然后在300℃加热60秒，形成膜厚50nm的中间层。
然后，在该中间层上旋涂在上述的ArF用抗蚀剂组合物的制备中得到的ArF用抗蚀剂组合物溶液，在130℃的热板上预烘培90秒，形成膜厚200nm的光刻膜(抗蚀剂被膜)。
然后，使用NIKON公司制ArF准分子激光曝光装置(透镜开口数0.78，曝光波长193nm)，通过掩模图案，仅曝光最佳曝光时间。然后，在130℃的加热板上后烘培90秒后，使用2.38质量％浓度的四甲基氢氧化铵水溶液，在25℃显影1分钟，水洗、干燥，得到ArF用正型抗蚀剂图案。
将形成的抗蚀剂图案，使用干蚀刻法，图案转印在中间层上，从而形成中间层图案，将该中间层图案作为掩模，使用干蚀刻法，图案转印在抗蚀剂下层膜上，从而在抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂下层膜图案。
进而，将该抗蚀剂下层膜图案作为掩模，在TEOS基板上以CF4/Ar/O2形成深达300nm的图案。为了对弯曲耐性进行评价，用扫描型电子显微镜观察下层膜图案形状，评价弯曲耐性。评价基准为，将下层膜图案形状没有弯曲的情况评价为“○”，将下层膜图案的形状有弯曲的情况评价为“×”。
这里，图1是使用实施例9的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的抗蚀剂下层膜图案的剖面的扫描型电子显微镜照片，图2是使用比较例3的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的抗蚀剂下层膜图案的剖面的扫描型电子显微镜照片。图1所示的实施例9的抗蚀剂下层膜图案1没有弯曲，正常地形成了图案，但是图2所示的比较例3的抗蚀剂下层膜图案1能够确认有弯曲。
[4]考察
如表3所示，在实施例1～17中，弯曲耐性全部为“○”。进而，蚀刻耐性的评价也全部为“◎”。另一方面，在比较例1～5中，弯曲耐性全部为“×”，进而，在蚀刻耐性中，比较例2、3和5的评价是“△(蚀刻比率与基准抗蚀剂下层膜相比为+10％以下)”，可以确认不满足作为抗蚀剂下层膜所必需的功能。
作为得到这种结果的原因，可以认为是由各个抗蚀剂下层膜中的碳含量和氢含量所引起的。例如，抗蚀剂下层膜的氢含量在3质量％以下的各实施例(具体而言，氢含量为0.0～2.5质量％)的弯曲耐性为“○”，但另一方面，抗蚀剂下层膜的氢含量超过5质量％的各比较例(具体而言，氢含量为5.6～7.6％)的弯曲耐性为“×”。
此外，实施例1～17的抗蚀剂下层膜由于在所使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物中含有(A)氨基化富勒烯，因此可以认为，在形成抗蚀剂下层膜时，来源于氢原子的氨基发生分解，结果是形成的抗蚀剂下层膜中的氢含量减少了。
此外，各实施例和比较例的碳含量(质量％)均为同等程度，但由于氢的分子量最小，因此可以认为，在以抗蚀剂下层膜中的原子数进行换算时，各实施例的抗蚀剂下层膜中的碳的含有比例相对地增多，与各比较例的抗蚀剂下层膜相比，实施例的抗蚀剂下层膜的蚀刻耐性提高了。
由以上内容可以确认，利用含有(A)氨基化富勒烯的本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的抗蚀剂下层膜，具有良好的蚀刻耐性和弯曲耐性。
根据本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物，可以形成蚀刻耐性优异、且被加工基板蚀刻时下层膜图案不发生折曲的抗蚀剂下层膜，所以可以极为理想地使用在光刻工艺中的微细加工中。尤其是在干蚀刻工艺中，具有精密的图案转印性能及良好的蚀刻选择性，抗蚀剂下层膜的过度蚀刻变少，可以将抗蚀剂图案再现性良好地、忠实地转印到被加工基板上。
此外，由于在被加工基板蚀刻时下层膜图案不发生折曲，因此可以期待在光刻工艺中的微细加工、尤其是高集成电路元件的制造中成品率提高。
此外，本发明的抗蚀剂下层膜的形成方法和图案形成方法，在光刻工艺、尤其是高集成电路元件的制造用工艺中极为有用。

Claims (6)

1、一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，含有在富勒烯骨架中至少键合有一个氨基的(A)氨基化富勒烯和(B)溶剂。
2、根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，还含有(C)酸发生剂。
3、根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，还含有(D)交联剂。
4、根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，还含有(E)热固化性树脂。
5、一种抗蚀剂下层膜的形成方法，其特征在于，将上述权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在被加工基板上，将已涂布的所述抗蚀剂下层膜形成用组合物与所述被加工基板一起在惰性气体氛围下煅烧，从而在所述被加工基板上形成抗蚀剂下层膜。
6、一种图案形成方法，其特征在于，具备下列工序：
在被加工基板上涂布权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，从而形成抗蚀剂下层膜的工序(1)；
在所得的所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂组合物，从而形成抗蚀剂被膜的工序(2)；
透过光掩模，对所得的所述抗蚀剂被膜选择性地照射放射线，从而将所述抗蚀剂被膜曝光的工序(3)；
将曝光后的所述抗蚀剂被膜进行显影，从而形成抗蚀剂图案的工序(4)；及
将所述抗蚀剂图案作为掩模，对所述抗蚀剂下层膜和所述被加工基板进行干蚀刻，从而形成图案的工序(5)。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104159956A (zh) * 2012-02-10 2014-11-19 伯明翰大学 旋涂硬掩模材料
CN104838315A (zh) * 2012-12-14 2015-08-12 日产化学工业株式会社 包含含有羰基的多羟基芳香环酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
CN107407883A (zh) * 2015-03-11 2017-11-28 日产化学工业株式会社 抗蚀剂下层膜的形成方法
CN104854205B (zh) * 2012-12-18 2018-12-28 日产化学工业株式会社 含有多环芳香族乙烯基化合物的自组装膜的下层膜形成用组合物
CN109562944A (zh) * 2016-05-25 2019-04-02 亚历克斯·菲利普·格雷厄姆·罗宾逊 硬掩模组合物

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8268402B2 (en) 2006-12-27 2012-09-18 Frontier Carbon Corporation Fullerene film and fullerene polymer both produced from fullerene derivative and processes for producing these
JP4748055B2 (ja) * 2006-12-27 2011-08-17 Ｊｓｒ株式会社 レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
US8361694B2 (en) 2007-04-06 2013-01-29 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist underlayer film forming composition
JP5350718B2 (ja) * 2007-12-20 2013-11-27 三菱商事株式会社 アミノ化フラーレン
WO2010101161A1 (ja) * 2009-03-03 2010-09-10 三菱化学株式会社 フラーレン膜の製造方法およびフラーレン膜
JP5068828B2 (ja) 2010-01-19 2012-11-07 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法
JP5068831B2 (ja) * 2010-02-05 2012-11-07 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法
JP5395012B2 (ja) 2010-08-23 2014-01-22 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、フラーレン誘導体
US8513133B2 (en) * 2011-03-31 2013-08-20 Jsr Corporation Composition for forming resist underlayer film and method for forming pattern
US8658050B2 (en) 2011-07-27 2014-02-25 International Business Machines Corporation Method to transfer lithographic patterns into inorganic substrates
KR101956925B1 (ko) * 2011-09-30 2019-03-11 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법, 및 패턴 형성 방법
SG10201607603VA (en) 2011-10-10 2016-11-29 Brewer Science Inc Spin-on carbon compositions for lithographic processing
WO2013054702A1 (ja) * 2011-10-12 2013-04-18 Jsr株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、その製造方法、パターン形成方法及びレジスト下層膜
KR101779884B1 (ko) * 2011-10-20 2017-09-19 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 레지스트 하층막 형성조성물용 첨가제 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성조성물
JP6132105B2 (ja) * 2012-05-07 2017-05-24 日産化学工業株式会社 レジスト下層膜形成組成物
KR20160040466A (ko) * 2013-05-22 2016-04-14 알렉스 필립 그레이엄 로빈손 풀러렌

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2814165B2 (ja) 1992-06-30 1998-10-22 日本石油株式会社 感光材料
US5561026A (en) 1992-06-30 1996-10-01 Nippon Oil Co., Ltd. Photosensitive materials comprising fullerene
JPH0943839A (ja) 1995-05-25 1997-02-14 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 反射防止膜形成用組成物
KR960042220A (ko) 1995-05-25 1996-12-21 마쯔모또 에이찌 반사 방지막 형성용 조성물
JP3928278B2 (ja) 1998-11-16 2007-06-13 Ｊｓｒ株式会社 反射防止膜形成組成物
JP4288776B2 (ja) 1999-08-03 2009-07-01 Ｊｓｒ株式会社 反射防止膜形成組成物
JP2001215694A (ja) * 2000-01-28 2001-08-10 Sony Corp 反射防止膜形成用組成物および半導体装置の製造方法
JP2001272788A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Toshiba Corp 下層膜溶液材料及びこの下層膜溶液材料を用いたパターン形成方法
JP2002088075A (ja) 2000-09-07 2002-03-27 Eiichi Nakamura アミノ化フラーレン誘導体
WO2004048462A1 (ja) * 2002-11-28 2004-06-10 Jsr Corporation 光硬化性樹脂組成物、それを用いた医療用具およびその製造方法
JP2004177772A (ja) 2002-11-28 2004-06-24 Jsr Corp 光硬化性組成物およびその用途
JP2004264384A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物および液晶表示素子
JP4134760B2 (ja) * 2003-03-04 2008-08-20 Ｊｓｒ株式会社 反射防止膜形成組成物および反射防止膜
JP4098128B2 (ja) 2003-03-14 2008-06-11 日本電信電話株式会社 感光性組成物およびその硬化方法
JP2006199674A (ja) * 2004-05-17 2006-08-03 Mitsubishi Chemicals Corp アミノ化フラーレンの製造方法
GB0420702D0 (en) * 2004-09-17 2004-10-20 Univ Birmingham Use of methanofullerene derivatives as resist materials and method for forming a resist layer
JP4496432B2 (ja) 2005-02-18 2010-07-07 信越化学工業株式会社 フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104159956A (zh) * 2012-02-10 2014-11-19 伯明翰大学 旋涂硬掩模材料
CN104838315A (zh) * 2012-12-14 2015-08-12 日产化学工业株式会社 包含含有羰基的多羟基芳香环酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
CN104838315B (zh) * 2012-12-14 2019-06-07 日产化学工业株式会社 包含多羟基芳香环酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜组合物
CN104854205B (zh) * 2012-12-18 2018-12-28 日产化学工业株式会社 含有多环芳香族乙烯基化合物的自组装膜的下层膜形成用组合物
CN107407883A (zh) * 2015-03-11 2017-11-28 日产化学工业株式会社 抗蚀剂下层膜的形成方法
CN109562944A (zh) * 2016-05-25 2019-04-02 亚历克斯·菲利普·格雷厄姆·罗宾逊 硬掩模组合物
CN109562944B (zh) * 2016-05-25 2022-09-09 亚历克斯·菲利普·格雷厄姆·罗宾逊 硬掩模组合物

Also Published As

Publication number Publication date
TW200837501A (en) 2008-09-16
TWI539238B (zh) 2016-06-21
KR20090082266A (ko) 2009-07-29
US20100081082A1 (en) 2010-04-01
US8663905B2 (en) 2014-03-04
JP5035252B2 (ja) 2012-09-26
WO2008062888A1 (fr) 2008-05-29
EP2087404A4 (en) 2010-12-29
JPWO2008062888A1 (ja) 2010-03-04
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