JP4748055B2 - レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4748055B2 JP4748055B2 JP2006352683A JP2006352683A JP4748055B2 JP 4748055 B2 JP4748055 B2 JP 4748055B2 JP 2006352683 A JP2006352683 A JP 2006352683A JP 2006352683 A JP2006352683 A JP 2006352683A JP 4748055 B2 JP4748055 B2 JP 4748055B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- underlayer film
- resist underlayer
- resist
- composition
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
まず、本発明のレジスト下層膜形成用組成物の実施形態について説明する。本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、下記式(1)で表される(A)フラーレン誘導体化合物と、(B)溶剤と、を含有する組成物である。
本発明のレジスト下層膜形成用組成物に用いられる(A)フラーレン誘導体化合物は、フラーレン骨格に、四つのt−ブトキシカルボニルピペラジン基が結合し、更にこのフラーレン骨格にエポキシドが形成されたフラーレン誘導体化合物である。このような(A)フラーレン誘導体化合物は、フラーレンとt−ブトキシカルボニルピペラジンとを反応させて得ることができる。
本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、(B)溶剤を含有するものである。(B)溶剤は、上記した(A)フラーレン誘導体化合物を溶解し得るものである。例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類;トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル等のトリエチレングリコールジアルキルエーテル類;
本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、本発明における所期の効果を損なわない限り、必要に応じて、(C)酸発生剤を含有していてもよい。
本発明の下層膜用組成物は、本発明における所期の効果を損なわない限り、必要に応じて、(D)架橋剤を含有していてもよい。この(D)架橋剤は、得られるレジスト下層膜と、その上に形成されるレジスト被膜との間のインターミキシングを防止し、更にはレジスト下層膜におけるクラックの発生を防止する作用を有する成分である。
本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、本発明における所期の効果を損なわない限り、必要に応じて、(E)熱硬化性樹脂を更に含有していてもよい。
本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、本発明における所期の効果を損なわない限り、必要に応じて、放射線吸収剤、界面活性剤等の各種の(F)他の添加剤を含有していてもよい。
次に、本発明のレジスト下層膜の形成方法の実施形態について説明する。本発明のレジスト下層膜の形成方法は、これまでに説明した本発明のレジスト下層膜形成用組成物を被加工基板上に塗布し、塗布したレジスト下層膜形成用組成物を被加工基板とともに不活性ガス雰囲気下で焼成することにより、被加工基板上にレジスト下層膜を形成するものである。本発明のレジスト下層膜の形成方法によれば、エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて、下層膜パターンが折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能なレジスト下層膜を形成することができる。
次に、本発明のパターン形成方法の実施形態について説明する。本発明のパターン形成方法は、これまでに説明した本発明のレジスト下層膜形成用組成物を被加工基板上に塗布してレジスト下層膜を形成する工程(1)と、得られたレジスト下層膜上に、レジスト組成物を塗布してレジスト被膜を形成する工程(2)と、得られたレジスト被膜に、フォトマスクを透過させることにより選択的に放射線を照射してレジスト被膜を露光する工程(3)と、露光したレジスト被膜を現像して、レジストパターンを形成する工程(4)と、レジストパターンをマスク(エッチングマスク)として、レジスト下層膜及び被加工基板をドライエッチングしてパターンを形成する工程(5)と、を備えたパターン形成方法である。
本発明のパターン形成方法の工程(1)では、上記した本発明のレジスト下層膜形成用組成物を用いて、被加工基板上にレジスト下層膜を形成する。これにより、被加工基板上にレジスト下層膜が形成されたレジスト下層膜付き基板を得ることができる。
本発明のパターン形成方法の工程(2)では、レジスト組成物を用いて、工程(1)にて得られたレジスト下層膜上にレジスト被膜を形成する。なお、上記したように、レジスト下層膜上に中間層を更に形成した場合には、レジスト下層膜及び/又は中間層上にレジスト被膜を形成する。
本発明のパターン形成方法の工程(3)では、工程(2)において得られたレジスト被膜に、フォトマスクを透過させることにより選択的に放射線を照射してレジスト被膜を露光する。
本発明のパターン形成方法の工程(4)では、工程(3)において露光したレジスト被膜を現像して、レジストパターンを形成する。
本発明のパターン形成方法の工程(5)では、工程(4)にて形成したレジストパターンをマスク(エッチングマスク)として、レジスト下層膜及び被加工基板をドライエッチングしてパターンを形成する。なお、レジスト下層膜上に中間層を形成した場合には、レジスト下層膜及び被加工基板とともに中間層もドライエッチングする。
本実施例及び比較例に用いるレジスト下層膜形成用組成物(U−1〜U−10)に用いた、(A)フラーレン誘導体化合物、(A’)比較例用フラーレン誘導体化合物、(B)溶剤、(C)酸発生剤、(D)架橋剤の詳細を下記に示す。
(A)フラーレン誘導体化合物;下記式(2)で表されるフラーレン誘導体化合物(フロンティアカーボン社製、商品名「nanon spectra J201」)
(A’−1)比較例用フラーレン誘導体化合物;下記式(3)及び(4)で表されるフラーレン誘導体化合物(フロンティアカーボン社製、商品名「nanon spectra E910」)
(B−1)溶剤;プロピレングリコールモノメチルアセテート
(B−2)溶剤;シクロヘキサノン
(C−1)酸発生剤;ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート(ミドリ化学社製、商品名「BBI−109」)
(C−2)酸発生剤;下記式(6)で表される酸発生剤(チバスペシャリティケミカル社製、商品名「CGI−1397」)
(D−1)架橋剤;下記式(8)で表される架橋剤(日本カーバイド工業社製、商品名「MX−279」)
(A)フラーレン誘導体化合物10質量部、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート[(C−1)酸発生剤]0.2質量部、及びテトラメトキシメチルグリコールウリル[(D−1)架橋剤]0.1質量部を、プロピレングリコールモノメチルアセテート[(B−1)溶剤]89.7質量部に溶解させた後、この溶液を孔径0.1μmのメンブランフィルターでろ過して、レジスト下層膜形成用組成物(U−1)を調製した。表1にレジスト下層膜形成用組成物(U−1)の配合処方を示す。
(A)フラーレン誘導体化合物、(B)溶剤、(C)酸発生剤及び(D)架橋剤の種類と使用量とを表1のようにしたこと以外は、上記したレジスト下層膜形成用組成物(U−1)の調整と同様の方法によってレジスト下層膜形成用組成物(U−2)〜(U−5)を調整した。
(A)フラーレン誘導体化合物の変わりに(A’)比較例用フラーレン誘導体化合物を用い、(B)溶剤、(C)酸発生剤及び(D)架橋剤の種類と使用量とを表1のようにしたこと以外は、上記したレジスト下層膜形成用組成物(U−1)の調整と同様の方法によってレジスト下層膜形成用組成物(U−6)〜(U−9)を調整した。
レジスト下層膜形成用組成物(U−10)として、JSR社製のレジスト下層膜形成用組成物(商品名「NFC CT08」)を用いた。
(実施例1)
被加工基板上に、上記したレジスト下層膜形成用組成物(U−1)をスピンコート法により塗布し、大気雰囲気にて、250℃/60sの条件で焼成(ベーク)してレジスト下層膜を形成し、被加工基板上にレジスト下層膜が形成されたレジスト下層膜付き基板(実施例1)を得た。表2に、使用したレジスト下層膜形成用組成物の種類と、焼成条件、及び焼成雰囲気を示す。なお、本実施例においては、被加工基板として、シリコンウェハとTEOS基板の2種類の被加工基板を用い、それぞれの被加工基板上にレジスト下層膜を形成して、2種類のレジスト下層膜付き基板を得た。なお、TEOS基板には、厚さ600nmのレジスト下層膜を形成した。
実施例1と同様に、シリコンウェハとTEOS基板の2種類の被加工基板を用い、表2に示すレジスト下層膜形成用組成物(U−1)〜(U−10)をスピンコート法により塗布し、表2に示す焼成条件、及び焼成雰囲気で焼成を行い、それぞれの被加工基板上にレジスト下層膜を形成して、2種類のレジスト下層膜付き基板を得た。
実施例1〜17及び比較例1〜7にて得られたレジスト下層膜付き基板のレジスト下層膜の各種評価を行うため、以下のように、ArF用ポジ型レジスト組成物を調製した。
還流管を装着したセパラブルフラスコに、窒素気流下で、8−メチル−8−t−ブトキシカルボニルメトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン〔単量体(イ)〕29質量部、8−メチル−8−ヒドロキシテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン〔単量体(ロ)〕10質量部、無水マレイン酸〔単量体(ハ)〕18質量部、2,5−ジメチル−2,5−ヘキサンジオールジアクリレート4質量部、t−ドデシルメルカプタン1質量部、アゾビスイソブチロニトリル4質量部及び1,2−ジエトキシエタン60質量部を仕込み、攪拌しつつ70℃で6時間重合した。その後、反応溶液を大量のn−ヘキサン/i−プロピルアルコール(質量比=1/1)混合溶媒中に注いで、反応溶液中の樹脂を凝固させた。凝固した樹脂を前記混合溶媒で数回洗浄した後、真空乾燥して、前記単量体(イ)、(ロ)及び(ハ)のそれぞれに由来する下記式(a)、(b)及び(c)で表される繰り返し単位(a)、(b)及び(c)を有する樹脂を得た(収率60質量%)。なお、この樹脂は、繰り返し単位(a)、(b)及び(c)のモル比が64:18:18であり、重量平均分子量(Mw)が27000であった。
実施例1〜17及び比較例1〜7にて得られたレジスト下層膜付き基板を用いて、レジスト下層膜の元素組成の測定、膜硬化性、エッチング耐性及び曲がり耐性の評価を行った。結果を表3に示す。
被加工基板としてシリコンウェハを用いた各レジスト下層膜付き基板のレジスト下層膜の、炭素、水素、酸素、及び窒素の含有量(質量%)を測定した。それぞれの含有量の測定は、ジェイ・サイエンス社製の有機元素分析装置(商品名「CHNコーダー JM10」)を用いた。
被加工基板としてシリコンウェハを用いた各レジスト下層膜付き基板のレジスト下層膜を、プロピルグリコールモノメチルエーテルアセテートに室温で1分間浸漬して、浸漬前後の膜厚変化率(膜厚変化率=(浸漬前の膜厚−浸漬後の膜厚)/浸漬前の膜厚×100)を、分光エリプソメーターUV1280E(KLA−TENCOR社製)を用いて測定して評価した。膜厚変化率が0%の場合を「〇」とし、膜厚変化率が0%を超えた場合を「×」とした。
被加工基板としてシリコンウェハを用いた各レジスト下層膜付き基板を、エッチング装置(神鋼精機社製、商品名「EXAM」)を使用して、CF4/Ar/O2(CF4:40mL/min、Ar:20mL/min、O2:5mL/min;圧力:20Pa;RFパワー:200W;処理時間:40秒;温度:15℃)でレジスト下層膜をエッチング処理し、エッチング処理前後のレジスト下層膜の膜厚を測定して、エッチングレートを算出し、エッチング耐性を評価した。なお、このエッチングレートの算出に際しては、JSR社製のレジスト下層膜形成用組成物(商品名「NFC CT08」)により、基準レジスト下層膜を形成して行った。評価基準は、上記した基準レジスト下層膜に比べてエッチングレートが、−10%以下の場合を「◎」、−10%を超え、0%以下の場合を「○」、0%を超え、+10%以下の場合を「△」とした。
各実施例及び比較例にて得られた、被加工基板としてTEOS基板を用いた各レジスト下層膜付き基板を用い、このレジスト下層膜(膜厚600nm)上に3層レジストプロセス用中間層組成物溶液(JSR社製、商品名「NFC SOG080」)をスピンコートし、200℃で60秒間、更に300℃で60秒間ホットプレート上にて加熱して、膜厚50nmの中間層を形成した。次に、この中間層上に、上記したArF用レジスト組成物の調製にて得られたArF用レジスト組成物溶液をスピンコートし、130℃のホットプレート上で90秒間プレベークして、膜厚200nmのフォトレジスト膜(レジスト被膜)を形成した。
表3に示すように、実施例1〜17においては、曲がり耐性が全て「○」であった。更に、エッチング耐性においても評価が「◎」であった。一方、比較例1〜7においては、曲がり耐性が全て「×」であり、更に、エッチング耐性においても評価が「〇」又は「×」であり、レジスト下層膜として必要な機能を全て満たしていないことが確認できた。更に実施例7〜10は200℃で60sの焼成条件でも膜硬化性については良好な結果を得ることができたが、比較例6及び7は上記条件よりも高温又は長時間の条件であっても(具体的には、比較例6は250℃で60s、比較例7は200℃で300s)膜硬化性が得られない(即ち、膜厚変化率が0%を超える)ことが確認できた。この原因としては、実施例の(A)フラーレン誘導体化合物には、フラーレン骨格にエポキシドが形成されているため、このエポキシドによって低温での架橋が容易に行えたものと推定される。
Claims (6)
- 下記式(1)で表される(A)フラーレン誘導体化合物と、(B)溶剤と、を含有するレジスト下層膜形成用組成物。
- 更に(C)酸発生剤を含有する請求項1に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 更に(D)架橋剤を含有する請求項1又は2に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 更に(E)熱硬化性樹脂を含有する請求項1〜3のいずれか一項に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載のレジスト下層膜形成用組成物を被加工基板上に塗布し、塗布した前記レジスト下層膜形成用組成物を前記被加工基板とともに不活性ガス雰囲気下で焼成することにより、前記被加工基板上にレジスト下層膜を形成するレジスト下層膜の形成方法。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載のレジスト下層膜形成用組成物を被加工基板上に塗布してレジスト下層膜を形成する工程(1)と、
得られた前記レジスト下層膜上に、レジスト組成物を塗布してレジスト被膜を形成する工程(2)と、
得られた前記レジスト被膜に、フォトマスクを透過させることにより選択的に放射線を照射して前記レジスト被膜を露光する工程(3)と、
露光した前記レジスト被膜を現像して、レジストパターンを形成する工程(4)と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記レジスト下層膜及び前記被加工基板をドライエッチングしてパターンを形成する工程(5)と、を備えたパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006352683A JP4748055B2 (ja) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006352683A JP4748055B2 (ja) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008164806A JP2008164806A (ja) | 2008-07-17 |
JP4748055B2 true JP4748055B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=39694424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006352683A Active JP4748055B2 (ja) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4748055B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8268402B2 (en) | 2006-12-27 | 2012-09-18 | Frontier Carbon Corporation | Fullerene film and fullerene polymer both produced from fullerene derivative and processes for producing these |
KR101423059B1 (ko) | 2007-04-06 | 2014-07-25 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 레지스트 하층막 형성 조성물 |
JP2009161510A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | アミノ化フラーレン |
JP5350718B2 (ja) * | 2007-12-20 | 2013-11-27 | 三菱商事株式会社 | アミノ化フラーレン |
JP5360062B2 (ja) * | 2008-08-20 | 2013-12-04 | 富士通株式会社 | 電子線レジスト増感膜形成用材料、並びに半導体装置の製造方法 |
WO2010021030A1 (ja) | 2008-08-20 | 2010-02-25 | 富士通株式会社 | レジスト増感膜形成用材料、半導体装置の製造方法、半導体装置、及び磁気ヘッド |
WO2010101161A1 (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | 三菱化学株式会社 | フラーレン膜の製造方法およびフラーレン膜 |
JP5068831B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2012-11-07 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法 |
JP5895602B2 (ja) * | 2012-03-01 | 2016-03-30 | 三菱商事株式会社 | 架橋性フラーレン組成物 |
US10551737B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-02-04 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Method for forming resist underlayer film |
CN112119133B (zh) * | 2018-02-25 | 2022-05-24 | 亚历克斯·P·G·罗宾逊 | 硬掩模组合物 |
WO2019208212A1 (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターン形成方法 |
JP2023128578A (ja) | 2022-03-03 | 2023-09-14 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用組成物、パターン形成方法、及び化合物 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002088075A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-27 | Eiichi Nakamura | アミノ化フラーレン誘導体 |
JP4134760B2 (ja) * | 2003-03-04 | 2008-08-20 | Jsr株式会社 | 反射防止膜形成組成物および反射防止膜 |
JP4496432B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2010-07-07 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
US8663905B2 (en) * | 2006-11-20 | 2014-03-04 | Jsr Corporation | Pattern-forming method |
-
2006
- 2006-12-27 JP JP2006352683A patent/JP4748055B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008164806A (ja) | 2008-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5035252B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 | |
JP4748055B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 | |
JP5195478B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、及びパターン形成方法 | |
JP4877101B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 | |
JP5136407B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 | |
JP4910168B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 | |
JP5257009B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜の形成方法、及びパターン形成方法 | |
JP5376015B2 (ja) | レジスト下層膜形成方法及びそれに用いるレジスト下層膜用組成物並びにパターン形成方法 | |
WO2009119201A1 (ja) | レジスト下層膜及びレジスト下層膜形成用組成物並びにレジスト下層膜形成方法 | |
JP4134760B2 (ja) | 反射防止膜形成組成物および反射防止膜 | |
JP5229044B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、及びパターン形成方法 | |
JPWO2010122948A1 (ja) | Euvリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 | |
JP4639915B2 (ja) | レジスト下層膜用組成物 | |
JP4892670B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物 | |
JP5040839B2 (ja) | レジスト下層膜形成組成物 | |
JP5251433B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 | |
JP4433933B2 (ja) | 感放射線性組成物およびハードマスク形成材料 | |
WO2012147210A1 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 | |
JP2005241963A (ja) | 反射防止膜形成用組成物および反射防止膜 | |
JP5229025B2 (ja) | パターン形成方法及び平坦化膜形成用組成物 | |
JPWO2007148763A1 (ja) | 下層膜形成用組成物及びデュアルダマシン構造の形成方法 | |
JPH06130667A (ja) | 感放射線性組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090706 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110412 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110419 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110502 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4748055 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |