CN101490210A - 荧光体、其制备方法和发光装置 - Google Patents

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Abstract

一种荧光体,表示为M1(x1) M2(x2)M312 (O,N)16,其中M1表示一种或多种选自Li、Mg、Ca、Sr、Ba,、Y、La、Gd和Lu的金属元素,M2表示一种或多种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb和Er的金属元素,M3表示一种或多种选自Si、Ge、Sn、B、Al、Ga和In的金属元素,且x1和x2满足0<x1、x2<2和0<x1+x2<2。荧光体可以是包含5质量%或更低量的Sr和Ba中的至少一种的基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体。每种荧光体的制备方法包括在1600至2200℃的非氧化气氛下烧制荧光体的原材料混合物。通过将每种荧光体与发光装置结合何以提供发光设备。

Description

荧光体、其制备方法和发光装置
相关申请的交叉引用
本申请是基于35 U.S.C.§111(a)提交的申请,基于35 U.S.C.§111(b),要求基于35 U.S.C.§119(e)的2006年7月18日提交的日本专利申请第2006-195415号的权利
技术领域
本发明涉及由稀土元素进行光学活化的基于氧氮化物的荧光体(phosphor)。更特别地,本发明涉及这样的荧光体,其能够增加具有以蓝光发光二极管(蓝光LED)或紫外光发光二极管(紫外光LED)作为光源的白光发光二极管(白光LED)的亮度,或者实现具有以无机EL作为光源的白色电致发光(EL)。
背景技术
发光二极管(LED)是将p-型半导体和n-型半导体连接而获得的固态半导体发光装置。由于具有例如长寿命、耐撞性、低耗电性和高可靠性,以及其允许较小的尺寸、厚度和重量的优点,LED已经在各种设备作为光源使用。特别地,已经将白光LED用作需要可靠性的防灾灯具、希望尺寸和重量较小的车辆内照明器具和液晶背光源,和必须能视觉识别的用于显示火车目的地的铁路信息板。也可预期其在普通家用照明中的应用。
当电流以正向通过直接跃迁半导体形成的p-n结时,所产生的电子和空穴的再结合使p-n结发出具有符合半导体禁带宽度的峰值波长的光。由于LED的发射光谱通常具有的峰值波长的窄半值宽度,所获得的白光LED的发射光颜色仅取决于关于光混合颜色的原则。
其次,EL表示通过电场激发所诱导的光的发射。由于EL灯发射与视觉角度无关的均匀的光并展现出优越的耐撞性,其被希望越来越多地应用在移动电话和个人电脑的平板显示器领域,和以光表面发射为特征的普通电灯器具领域。
现在,在下文中以白LED为参考具体地描述从LED得到白色的方法。此外对于EL,也使用相同的方法。
已知的方法包括:(1)将分别发射红色光(R)、绿色光(G)和蓝色光(B)的三种LED组合并混合这些LED光的方法,(2)将发射紫外线的紫外光LED和受紫外线激发分别发射R、G和B荧光的三种荧光体组合,并混合由荧光体发射的三种颜色的荧光的方法,和(3)将发射蓝光的蓝光LED和由蓝光激发发射具有与蓝光的附加互补色相关的黄色荧光的荧光体组合,并混合蓝光LED的光和由荧光体发射的黄光。
使用多个LED获得指定发射颜色的方法需要适于调节单个LED电流的特殊电路以达到平衡不同的颜色的目的。相反,组合LED和荧光体以获得指定发射颜色的方法的优点在于不需要此类电路且降低LED的费用。因此,迄今为止已经提出多种关于以具有LED作为光源的荧光体的建议。
例如,现已公开了向YAG氧化物基质晶体(以组合物公式(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12表示)掺杂Ce得到的YAG荧光体(参见Takashi Mukai等,Applied Physics,VoL 68,No.2(1999),pp.152-155)。此文献中描述的要点是在基于InGaN的蓝光LED芯片表面涂覆YAG荧光体薄层从而混合从蓝光LED发射的蓝光和具有550nm峰值波长且由蓝光激发从YAG荧光体发射的荧光并得到白光。
此外,已经公开了通过将发光装置(例如能够发射紫外线的氮化物基化合物半导体)和由紫外线激发而发光的荧光体组合得到的白光LED。可用于此处的荧光体,即发射蓝光的(Sr,Ca,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu、发射绿光的3(Ba,Mg,Mn)0.8Al2O3:Eu和发射红光的Y2O2S:Eu也已经公开(参见JP-A2002-203991)。已经提出基于α-硅铝氧氮陶瓷(α-sialon)的荧光体(参见日本专利第3668770号)。此处,α-硅铝氧氮陶瓷中具有以固体溶液形式掺杂的Ca或Y。
基于YAG的荧光体通常的缺点在于当受激发的波长超过近紫外区时其光谱强度显著降低。
其次,人们认为通过在基于InGaN的蓝光LED的芯片表面上涂覆基于YAG氧化物形成的荧光体所获得的白光LED难以获得高亮度,因为作为荧光体的基于YAG氧化物的激发能和作为光源的蓝光LED的激发能不一致,且激发能不能充分转换。
此外,人们认为将发光装置(例如能够发射紫外线的氮化物基化合物半导体)和由紫外线激发且能够发光的荧光体组合而形成白光LED时,此类白光LED难以获得高亮度的白色光,这是由于作为红色光组分的荧光体混合比例因为其发光效率显著低于其它荧光体的增加的问题。
本发明的一个目的是提供荧光体,其具有进一步开发更先进的基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体),和提供使用所述荧光体的发光装置,其中所述荧光体能够增加具有以蓝光LED或紫外光LED作为光源的白光LED的亮度或实现具有以EL发光装置作为光源的白色EL。
出于上述目的,本发明人已经进行了深入研究并因此使本发明达到完美。
发明内容
本发明的第一方面提供了表示为M1(x1)M2(x2)M312(O,N)16的荧光体,其中M1表示选自由Li、Mg、Ca、Sr、Ba,、Y、La、Gd和Lu组成的组中的一种或多种金属元素,M2表示选自由Ce、Pr、Eu、Tb、Yb和Er组成的组中的一种或多种金属元素,M3表示选自由Si、Ge、Sn、B、Al、Ga和In组成的组中的一种或多种金属元素,且x1和x2满足0<x1、x2<2和0<x1+x2<2。
本发明的第二方面提供了基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体,其包含5质量%或更低量的Sr和Ba中的至少一种。
在包含本发明的第二方面的本发明的第三方面中,基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体包含Eu。
在包含第一至第三方面中任一方面的本发明的第四方面中,荧光体的平均粒子直径是50μm或更小。
本发明的第五方面还提供了用于制备第一方面的荧光体的方法,包括在1600至2200℃的非氧化气氛下烧制(firing)荧光体的原材料混合物。
在包含第五方面的本发明的第六方面中,在存在碳或含碳化合物的条件下实现烧制。
在包含第五或第六方面的本发明的第七方面中,原材料混合物已经加入到作为种子而预先合成的目标荧光体粉末中。
在包含第五至第七方面中任一方面的本发明的第八方面中,预先将原材料混合物填充(packed)在由氧化铝、氧化钙、氧化镁、石墨或氮化硼制成的坩埚中。
在包含第八方面的本发明的第九方面中,以占坩埚20容积%或更多的量预先填充原材料混合物。
在包含第五至第九方面中任一方面的本发明的第十方面中,原材料混合物是是混合物或双化合物,其选自由金属、硅化物、氧化物、碳酸盐、氮化物、氧氮化物、氯化物、氟化物、氧氟化物、氢氧化物、草酸盐、硫酸盐、硝酸盐、有机金属化合物和通过加热能够形成氧化物、氮化物和氧氮化物的化合物组成的组。
本发明的第十一方面还提供了用于制备第二方面的基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体的方法,其包括在1600至2200℃的非氧化气氛下烧制荧光体的原材料混合物。
在包含第十一方面的本发明的第十二方面中,在存在碳或含碳化合物的条件下实现烧制。
在包含第十一或第十二方面的本发明的第十三方面中,原材料已经加入到作为种子而预先合成的目标荧光体粉末中。
在包含第十一至第十三方面中任一方面的本发明的第十四方面中,预先将原材料混合物填充在由氧化铝、氧化钙、氧化镁、石墨或氮化硼制成的坩埚中。
在包含第十四方面的本发明的第十五方面中,以占坩埚20容积%或更多的量预先填充原材料混合物。
在包含第十一至第十五方面中任一方面的本发明的第十六方面中,原材料混合物是混合物或双化合物,其选自由金属、硅化物、氧化物、碳酸盐、氮化物、氧氮化物、氯化物、氟化物、氧氟化物、氢氧化物、草酸盐、硫酸盐、硝酸盐、有机金属化合物和通过加热能够形成氧化物、氮化物和氧氮化物的化合物组成的组。
本发明的第十七方面还提供了将第一至第四方面中任一方面荧光体和发光装置组合的发光设备。
在包含第十七方面的本发明的第十八方面中,发光装置是基于氮化物的半导体发光装置,且具有250nm至500nm的发射波长。
在包含第十七或第十八方面的本发明的第十九方面中,发光装置是EL发光装置且具有250nm至500nm的发射波长。
因为本发明的荧光体具有从紫外辐射延伸到近紫外辐射和从近紫外辐射伸到可见光辐射的宽范围吸收谱带,可以有效地将其应用到使用紫外光LED或蓝光LED的白光LED产品和使用EL的白光EL产品中。此外,因为其强的吸收谱带,所以荧光体可以增强LED和EL的亮度。
具体实施方案
本发明的荧光体的第一个形式是这样的荧光体,即其由如下通式的基于氧氮化物的化合物所形成,其基于这样的α-硅铝氧氮陶瓷化合物,其为基于氧氮化物的化合物,并通过对其金属元素进行替换和扩大而衍生出的:
M1(x1)M2(x2)M312(O,N)16(其中M1表示一种或多种选自Li、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Gd和Lu的金属元素,M2表示一种或多种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb和Er的金属元素,M3表示一种或多种选自Si、Ge、Sn、B、Al、Ga和In的金属元素,且x1和x2满足0<x1、x2<2和0<x1+x2<2)。
在公式中,M1优选是Li、Mg、Ca、Sr和Ba。M1元素对控制发射波长作出贡献。当荧光体的发射峰更偏向于短波长一侧时,富含Li和Mg的组合物证明是有利的,而当荧光体的发射峰更偏向于长波长一侧时,富含Ca的组合物证明是有利的。当使用Ca时可以获得最高的发射强度。Sr和Ba可以有效地提高发射强度。
M2是对光发射有贡献的元素。优选至少包含Eu的元素。M2的量(基于M1和M2总量的原子比)的范围是0.5%至8%,且更优选的范围是2%至5%。如果M2的量低于0.5%,化合物将仅获得低发射强度,这是因为参与光发射的离子的数目很少。如果量超过8%,发射效率将会降低,这是因为激发能的反复迁移(recurrent migration)。
M1和M2中各自的术语x1和x2均大于0且小于2,且其总和也大于0且小于2。总和优选是0.5或更大,这是因为如果总数过小,化合物无论在发射波长还是发射强度上都会缺乏。要求总和小于2,优选是1.5或更小,这是因为如果总数过大,发射波长将会过于靠近长波长侧且斯托克斯损耗将会降低发射强度。
M3对于氧和氮是电中性的,考虑到M1和M2的种类和x1和x2的值(关于以氧化物或氮化物形式被包含的金属,金属原子的总化合价和氧和氮的总化合价相等)。另外,M3优选是Al和Si。
本发明的荧光体的第二个形式是基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体,其包含5质量%或更低量的Sr和Ba中的至少一种。
所述至少一种Sr和Ba的存在形式是不清楚的。当α-硅铝氧氮陶瓷中包含微量的一种或两种时,包含Sr和Ba中一种或两种的第二相以结晶物质或非结晶物质形式被包含在基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体中的情况是可以想象的。
本发明的基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体包含Sr和Ba中一种或两种。其量(当二者都包含时是总量)是5质量%或更少。
基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体的特征是包含5质量%或更低量的两种元素Sr和Ba中的一种或两种。如果两种元素Sr和Ba中的一种或两种的含量超过5质量%,则这种过量将不利于获得足够的发射强度。更优选地,两种元素Sr和Ba中的一种或两种的含量是2质量%或更低。在两种元素Sr和Ba之间,Ba比Sr更优选。
通过包含两种元素Sr和Ba中的一种或两种,基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体能够显著地提高发射强度。虽然不一定十分清楚发射强度提高的基本原理,但是可以假定的将其解释为两种元素Sr和Ba中的一种或两种的加入促进了发光离子的扩散,增强了组合物的均一性并促进了晶粒的生长,或将其解释为包含具有相对较大离子半径的微量元素Sr和Ba可以稳定α-硅铝氧氮陶瓷的晶体结构并使得损害发射强度的晶体缺陷难以形成。
上述通式的荧光体和基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体优选具有50μm或更小的平均粒子直径。更优选地,平均粒子直径的范围是在1μm和20μm之间。如果平均粒子直径达不到1μm,则将会导致表面积的增大并因此降低发射强度。如果其超过50μm,则将会导致接收激发射线的效率的降低和透射光比率的降低,并因此降低发射强度。此处所述的粒子直径根据激光方法测定。
出于制备上述通式的荧光体和本发明所预期的基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体的目的,可以把构成荧光体的金属元素、其氧化物、氮化物和氧氮化物、或通过通过加热能够形成氧化物、氮化物和氧氮化物的化合物用作原材料混合物。
首先,将描述用于上述通式的荧光体的原材料。
作为包含M1的原材料化合物,可以使用简单物质、两种或多种组分物质的混合物和双化合物,其选自金属Li、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Gd和Lu;其硅化物、氧化物、碳酸盐、氮化物、氧氮化物、氯化物和氟化物;和其氧氟化物、氢氧化物、草酸盐、硫酸盐、硝酸盐和有机金属化合物。具体地,可以使用至少一种化合物、两种或多种化合物的混合物、双化合物、固体溶液和混合的晶体,其选自:锂、镁、钙、锶、钡、钇、镧、钆、钌;硅化锂、硅化镁、硅化钙、硅化锶、硅化钡、硅化钇、硅化镧、硅化钆、硅化钌;氧化锂、氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡、氧化钇、氧化镧、氧化钆、氧化钌;碳酸锂、碳酸镁、碳酸钙、碳酸锶、碳酸钡、碳酸钇、碳酸镧、碳酸钆、碳酸钌;碳酸锂、碳酸镁、碳酸钙、碳酸锶、碳酸钡、碳酸钇、碳酸镧、碳酸钆、碳酸钌;氮化锂、氮化镁、氮化钙、氮化锶、氮化钡、氮化钇、氮化镧、氮化钆、氮化钌;氧氮化锂、氧氮化镁、氧氮化钙、氧氮化锶、氧氮化钡、氧氮化钇、氧氮化镧、氧氮化钆、氧氮化钌;氯化锂、氯化镁、氯化钙、氯化锶、氯化钡、氯化钇、氯化镧、氯化钆、氯化钌;氟化锂、氟化镁、氟化钙、氟化锶、氟化钡、氟化钇、氟化镧、钆、钌;氧氟化锂、氧氟化镁、氧氟化钙、氧氟化锶、氧氟化钡、氧氟化钇、氧氟化镧、氧氟化钆、氧氟化钌;氢氧化锂、氢氧化镁、氢氧化钙、氢氧化锶、氢氧化钡、氢氧化钇、氢氧化镧、氢氧化钆、氢氧化钌;草酸锂、草酸镁、草酸钙、草酸锶、草酸钡、草酸钇、草酸镧、草酸钆、草酸钌;硫酸锂、硫酸镁、硫酸钙、硫酸锶、硫酸钡、硫酸钇、硫酸镧、硫酸钆、硫酸钌;硝酸锂、硝酸镁、硝酸钙、硝酸锶、硝酸钡、硝酸钇、硝酸镧、硝酸钆、硝酸钌;乙酸锂、乙酸镁、乙酸钙、乙酸锶、乙酸钡、乙酸钇、乙酸镧、乙酸钆、乙酸钌;甲氧基锂、二甲氧基镁、二甲氧基钙、二甲氧基锶、二甲氧基钡、三甲氧基钇、三甲氧基镧、三甲氧基钆、三甲氧基钌;乙氧基锂、二乙氧基镁、二乙氧基钙、二乙氧基锶、二乙氧基钡、三乙氧基钇、三乙氧基镧、三乙氧基钆、三乙氧基钌;丙氧基锂、二丙氧基镁、二丙氧基钙、二丙氧基锶、二丙氧基钡、三丙氧基钇、三丙氧基镧、三丙氧基钆、三丙氧基钌;丁氧基锂、二丁氧基镁、二丁氧基钙、二丁氧基锶、二丁氧基钡、三丁氧基钇、三丁氧基镧、三丁氧基钆、三丁氧基钌;双(新戊酰甲酸基)锂、双(二新戊酰甲酸基)镁、双(二新戊酰甲酸基)钙、双(二新戊酰甲酸基)锶、双(二新戊酰甲酸基)钡、双(三新戊酰甲酸基)钇、双(三新戊酰甲酸基)镧、双(三新戊酰甲酸基)钆和双(三新戊酰甲酸基)钌。
在这些化合物中,经验证优选碳酸盐或氢氧化物,且经验证特别优选碳酸盐。
作为包含M2的原材料化合物,可以使用简单物质、两种或多种物质的混合物和双化合物,其选自金属Ce、Pr、Eu、Tb、Yb和Er;其硅化物、氧化物、碳酸盐、氮化物、氧氮化物、氯化物和氟化物;和其氧氟化物、氢氧化物、草酸盐、硫酸盐、硝酸盐和有机金属化合物。具体地,可以使用至少一种化合物、两种或多种化合物的混合物、双化合物、固体溶液和混合的晶体,其选自:铈、镨、铕、铽、镱、铒;硅化铈、硅化镨、硅化铕、硅化铽、硅化镱、硅化铒;氧化铈、氧化镨、氧化铕、氧化铽、氧化镱、氧化铒;碳酸铈、碳酸镨、碳酸铕、碳酸铽、碳酸镱、碳酸铒;氮化铈、氮化镨、氮化铕、氮化铽、氮化镱、氮化铒;氧氮化铈、氧氮化镨、氧氮化铕、氧氮化铽、氧氮化镱、氧氮化铒;氯化铈、氯化镨、氯化铕、氯化铽、氯化镱、氯化铒;氟化铈、氟化镨、氟化铕、氟化铽、氟化镱、氟化铒;氧氟化铈、氧氟化镨、氧氟化铕、氧氟化铽、氧氟化镱、氧氟化铒;氢氧化铈、氢氧化镨、氢氧化铕、氢氧化铽、氢氧化镱、氢氧化铒;草酸铈、草酸镨、草酸铕、草酸铽、草酸镱、草酸铒;硫酸铈、硫酸镨、硫酸铕、硫酸铽、硫酸镱、硫酸铒;硝酸铈、硝酸镨、硝酸铕、硝酸铽、硝酸镱、硝酸铒;乙酸铈、乙酸镨、乙酸铕、乙酸铽、乙酸镱、乙酸铒;三甲氧基铈、三甲氧基镨、三甲氧基铕、三甲氧基铽、三甲氧基镱、三甲氧基铒;三乙氧基铈、三乙氧基镨、三乙氧基铕、三乙氧基铽、三乙氧基镱、三乙氧基铒;三丙氧基铈、三丙氧基镨、三丙氧基铕、三丙氧基铽、三丙氧基镱、三丙氧基铒;三丁氧基铈、三丁氧基镨、三丁氧基铕、三丁氧基铽、三丁氧基镱、三丁氧基铒;双(三新戊酰甲酸基)铈、双(三新戊酰甲酸基)镨、双(三新戊酰甲酸基)铕、双(三新戊酰甲酸基)镱和双(三新戊酰甲酸基)铒。
在这些化合物中,经验证优选氧化物、碳酸盐或氢氧化物且经验证特别优选氧化物。
作为包含M3的原材料化合物,可以使用简单物质、两种或多种物质的混合物和双化合物,其选自金属Si、Ge、Sn、B、Al、Ga和In;氧化物、碳酸盐、氮化物、氧氮化物、氯化物和氟化物;和其氧氟化物、氢氧化物、草酸盐、硫酸盐、硝酸盐和有机金属化合物。具体地,可以使用至少一种化合物、两种或多种化合物的混合物、双化合物、固体溶液和混合的晶体,其选自如下化合物:硅、锗、锡、硼、铝、镓、铟;氧化硅、氧化锗、氧化锡、氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟;氮化硅、氮化锗、氮化锡、氮化硼、氮化铝、氮化镓、氮化铟;氧氮化硅、氧氮化锗、氧氮化锡、氧氮化硼、氧氮化铝、氧氮化镓和氧氮化铟。
作为用于氧化硅的原材料化合物,可以使用氧化硅或通过加热能够形成氧化硅的化合物。例如,可以使用至少一种选自二氧化硅、一氧化硅、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四丁氧基硅烷和三(二甲基氨基)硅烷的化合物。可以使用两种或多种这些化合物的混合物、固体溶液或混合的晶体。
作为用于氮化硅的原材料化合物,可以使用氮化硅或通过加热能够形成氮化硅的化合物。例如,可以使用至少一种选自硅二酰亚胺和聚硅氮烷的化合物。此外,可以通过如下方法获得与此选择相同的结果,即将至少一种选自硅、二氧化硅、一氧化硅、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四丁氧基硅烷和三(二甲基氨基)硅烷的化合物与碳或通过加热能够形成碳的化合物进行混合,并在氮或包含氮的非氧化气氛下加热得到的混合物。当原材料是固体物质时,优选其是粉末状。虽然对原材料的晶粒大小没有限制,具有微结构的原材料有利于获得极佳的反应性。原材料的纯度优选是90%或更多。
作为用于基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体的原材料,可以使用与前述通式中有关M3描述相同的化合物,其选自金属Si和Al、其氧化物、氮化物和氧氮化物。同样对于Sr和Ba,可以使用与前述通式中有关M3描述的Sr和Ba金属和其全部化合物。当基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体优选包含金属和M1和M2的化合物时,可以将其作为用于M1和M2的化合物的原材料。
作为用于前述通式的荧光体和基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体的部分原材料混合物,可以使用选自用以下通式表示的化合物。通式是(M4)(M3)6N7O2、(M4)(M3)3N2O3、(M4)3(M3)2N2O4、(M4)(M3)2N2O2、(M4)2(M3)3N4O2、(M4)2(M3)3N2O5和(M4)(M3)2N3(其中M4表示选自由Li、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Gd、Lu、Ce、Pr、Eu、Tb、Yb和Er组成的组的一种或多种金属元素,且M3表示选自由Si、Ge、Sn、B、Al、Ga和In组成的组的一种或多种金属元素)。
更具体地,可以提及(M5)AlSi5N7O2、(M5)Al2SiN2O3、3(M5)O·Si2N2O、(M5)O·Si2N2O、2(M5)O·Si3N4、2(M5)O·Si2N2O·SiO2和(M5)AlSiN3(其中M5表示选自由Mg、Ca、Sr和Ba组成的组的一种或多种金属元素)。特别地,当M5是Ba时,原材料混合物优选是BaAlSi5N7O2。当预先合成这些化合物,根据场合要求对其进行处理例如粉碎,并将其用作部分原材料混合物时,此过程有利于提高原材料化合物的均一性,确保在低温下目标荧光体的产量并能够使生产的荧光体具有增强的发射强度。当在烧制期间产生具有这些化合物组合物的液相时,其会对发射强度的提高产生有利的影响,这是因为其促进发光离子的扩散,增强组合物的均一性并使晶粒的生长。当把这些化合物以添加剂的形式加入到用于基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体或前述通式的荧光体的原材料中时,或当将其制成具有类似以添加剂形式进行添加而混合的组分的组合物时,有可能获得由出现在这些荧光体和这些化合物之间的混合相所形成的荧光体。毫无疑问可以通过选择这些化合物的合成条件来获得相同的效果,以便化合物可以形成中间产物。
对本发明的氧氮化物荧光体的制备方法不需要特别地限制,可以采用固相方法、液相方法或蒸气相方法。在固相方法的情况中,可以提及如下方法。
首先,以指定的比例称量原材料化合物并将其混合。可以使用球磨机来实现混合。尽管球磨机混合可以干式工艺中完成,其也可以在使用乙醇、丙酮、丁醇、己烷或水的湿式工艺中完成。出于突出原材料粉末反应性的目的,湿式混合工艺比干式混合工艺更优选。当进行湿式混合时,将由此获得的混合浆料干燥并随后根据场合要求粉碎或分级。
在这里,可以在需要时向原材料化合物中加入熔剂(flux)以用于其随后的混合物。碱金属的卤化物或碱土金属的卤化物可被用作为熔剂。其加入量的范围是每100质量份的用于荧光体的原材料加入0.01至20质量份。
在需要时可以将预先合成的荧光体粉末作为种子加入并与原材料化合物进行混合。所要加入的种子的量的范围是每100质量份的用于荧光体的原材料加入1至50质量份种子。因为种子的加入促进合成反应,所以其使合成能够在低温下进行并允许生成具有高结晶度的荧光体,并由此提高发射强度。
将原材料混合物填充在由氧化铝、氧化钙、氧化镁、石墨或氮化硼制成的坩埚中,并将其在1600至2200℃的真空或非氧化气氛下烧制数小时。在需要时可以在非氧化气氛中压制。此处所用的术语“非氧化气氛”是指氮、氢、氨、氩或其混合物。烧制的条件最好是氮的压力超过0.5MPa且小于1MPa,且温度的范围是1800至2050℃。
其次,坩埚中填充原材料混合物的量优选是所用坩埚的20容积%或更多。如果量少于20容积%,不仅有害于经济性,而且会导致形成原材料混合物的元素例如铕的挥发,并阻碍获得具有所期望质量或性能的荧光体。
在本发明的荧光体中,当铕具有正二价时其显示出极佳的发射。因为用作原材料的氧化铕中的铕是三价态,所以在烧制过程中需要将其还原。二价和三价的比例优选是二价的量尽可能的大。全部铕中二价的比例优选是50%或更多,且更优选80%或更多。在本发明的荧光体中,因为是通过在二价碱土金属的位点进行替换将铕加入,所以残余的三价铕会打破电荷的平衡并由此导致发射强度的降低。另外,可以根据
Figure A200780027166D0016190815QIETU
光谱的分析测定二价铕和三价铕的比例。
当在碳或含碳化合物存在下进行原材料混合物的烧制时,可以迅速地进行氧化铕的还原。不必对此处所用的碳或含碳化合物进行特别地限制,其可以是无定形碳、石墨或碳化硅。优选地,但其是无定形碳或石墨。例如,可以提及碳黑、石墨粉末、活性碳、碳化硅粉末和其制备产物和烧结产物。它们总是能够产生类似的效果。关于在烧制期间造成上述存在的模式,可以想到使用由碳或含碳化合物制成的坩埚的情况,造成碳或含碳化合物安置在由碳或含碳化合物之外的材料制成的坩埚的内部或外部的情况,和使用加热元件或由碳或含碳化合物制成的绝热元件的情况。这些安置方法总是能够产生类似的效果。当把例如粉状的碳包含在原材料混合物中并在氮气氛下烧制时,其存在引起烧制进行的碳或含碳化合物的合适量与原材料混合物中氧化铕近似等摩尔。另外,碳或含碳化合物甚至对于Ce都有相同的效果。
将烧制产物冷却,随后根据场合要求如用球磨对其进行分散和粉碎处理,另外根据场合要求对其进行酸处理和清洗处理,并通过固液分离、干燥、压碎和分级的步骤以获得本发明的荧光体。
对于酸处理,使用选自无机酸例如氢氟酸、硫酸、磷酸、盐酸、硝酸或其水溶液中的至少一种。
本发明的荧光体可以有效地被紫外线或范围是250nm至500nm的可见光所激发,因此其可以被有效地应用在使用紫外光LED或蓝光LED的白光LED产品中和使用EL发光装置作为光源的白光EL产品中。
可以将作为本发明优选实施方案的荧光体和半导体发光装置或在250nm至500nm波长范围内产生发射的EL发光装置组合来构建发光装置。可以提及各种半导体例如ZnSe和GaN,和EL发光装置作为此情况中可利用的发光装置。
虽然只要其发射光谱从250nm延伸至500nm,即可长期地使用所述发光装置,但是从效率的角度优选使用的LED是基于氮化镓的化合物半导体。通过MOCVD法或HVPE法在基底上形成基于氮化物的化合物半导体来获得LED发光装置,优选使用InαAlβGa1-α-βN的发光层(其中0≤α、0≤β、α+β≤1)。作为半导体的构造,可以提及同质结构(homostructure)、异质结构(heterostructure)或具有MIS结、PIN结或p-n结的双异质结构。可以根据半导体层的材料和其混合晶体的程度对发射波长作出各种选择。可以在单量子阱结构或多量子阱结构中形成半导体活化层,即能够产生量子效应的薄膜。
即使当发光装置是EL装置时,只要其发射光谱从250nm延伸至500nm,就可以长期地使用。因此,无机和有机EL装置总是可用的。
当发光装置是无机EL时,其可以是包括薄膜形式、分散形式、直流电驱动形式和交流电驱动形式等形式中的任何形式。虽然没有必要特别地限制参与EL发射的荧光体,为了确保使用便利性,其优选是基于硫化物。
当发光装置是有机EL时,其可以是包括层积形式、掺杂形式、低分子形式和高分子形式等形式中的任何形式。
安置在发光装置上的荧光体层可以具有至少一中沉积在单层或多个薄层状的层积层中的荧光体,或具有如混合状沉积在单层中的多个荧光体。关于在发光装置上安置荧光体层的形式,可以提及使荧光体在涂覆在发光装置表面的涂覆元件(coating member)中混合的形式、使荧光体在成型元件(molding member)中的混合的形式、使荧光体在涂覆在成型元件的涂覆元件中混合的形式和在LED灯或EL灯的发光一侧前面安置来自于混合荧光体所得的半透明板的形式。
此外,荧光体允许向发光装置上的成型元件中加入至少一种荧光体。可以将由一种或多种前述荧光体形成的荧光体层安置在发光二极管外。关于将荧光体层安置在发光二极管外侧的形式,可以提及将层形式中的荧光体应用到发光二极管成型元件的外表面的形式、制备使荧光体分散在橡胶、树脂、弹性体或低熔点玻璃的模制体(例如帽)和用模制体涂覆LED的形式,和将模制体以平板的形式成型并将平板安置在LED或EL发光装置前面的形式。
成型元件允许包含扩散剂,所述扩散剂包括氧化钛;氮化钛;氧化钛;氮化钽;氧化铝;氧化硅;钛酸钡;氧化锗;云母;六边形的氮化硼;涂覆有氧化钛、氧化铝、氧化硅、钛酸钡、氧化锗或六边形的氮化硼的白色粉末的云母;和涂覆有氧化钛、氧化铝、氧化硅、钛酸钡或氧化锗的白色粉末的六边形的氮化硼。
现在,在下文中将通过参考实施例对本发明进行描述。然而本发明不受这些具体实施例的限制。在以下实施例中,使用日本JASCO公司的产品(所售产品代码是FP-6500)来测定所报道的发射光谱。
实施例1:
作为用于形成荧光体的原材料,通过以下方法获得原材料混合物,其中准确地称量0.80g的氧化铕粉末、70.36g的氮化硅粉末、15.32g的氮化铝粉末、11.71g的碳酸钙粉末和1.80g的碳酸钡粉末,在球磨机中使用乙醇通过湿式工艺将它们均匀地混合,并将所得的浆料干燥和压碎。随后以约占坩埚80容积%将由此获得的原材料混合物填充在由六边形的氮化硼制成的坩埚中,将其置于由石墨制成的绝热元件和由石墨制成的加热元件所形成的烧制炉中,在0.8MPa的氮气压力和1950℃的温度下烧制两小时。通过球磨机将随后获得的烧制产物压碎并分级以获得具有平均粒子直径是11.5μm的荧光体。当通过高频感应耦合等离子体(ICP)发射光谱对荧光体进行分析时,发现Ba的浓度是1.1质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致以组分相检测到α-硅铝氧氮陶瓷。当在380nm的激发下使荧光体发光时,认为其发出黄光。
实施例2:
当在450nm的激发下使由实施例1中获得的荧光体发光时,认为其发出黄色光。这种发射的强度被当作是100。
实施例3:
以29质量%的比例将由实施例1中获得的荧光体和硅氧烷树脂混合,并使用热压使所得混合物在帽形状中成型。当把帽置于具有380nm发射波长的近紫外线LED的外侧并允许其发光时,观察到其产生黄光。在60℃的温度和90%的RH(相对湿度)的条件下即使在500小时发光后,由于荧光体其仍没有显示出明显的变化。
实施例4:
当把通过将实施例1中获得的8.1质量%的荧光体和9.2质量%的作为蓝光发射荧光体的Sr5(PO4)3Cl:Eu以所述顺序与硅氧烷树脂混合,并将所得混合物安装在近紫外发光装置上所制备的白光LED与通过将45.8质量%的作为红光发射荧光体的Y2O2S:Eu、3.8质量%的作为蓝光发射荧光体的Sr5(PO4)3Cl:Eu和3.4质量%的作为绿光发射荧光体的BaMg2Al16O27:Eu,Mn以所述顺序与硅氧烷树脂混合,并将所得混合物安装在近紫外发光装置上所制备的白光LED进行比较时,使用实施例1中获得的荧光体和作为蓝光发射荧光体的Sr5(PO4)3Cl:Eu的白光LED所获得的白光具有的亮度是其它白光LED的2.7倍。
实施例5:
当通过将19.1质量%的实施例1中获得的荧光体和硅氧烷树脂混合,并将所得混合物安装在450nm蓝光发射装置上时,由白光LED发出的白光具有63lm/W的发射效率。
实施例6:
作为用于形成荧光体的原材料,通过以下方法获得荧光体粉末,其中准确地称量0.73g的氧化铕粉末、68.46g的氮化硅粉末、14.72g的氮化铝粉末、10.64g的碳酸钙粉末和5.45g的碳酸钡粉末,并按照实施例1的步骤对其进行处理。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是93。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是3.4质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例7:
作为用于形成荧光体的原材料,通过以下方法获得荧光体粉末,其中准确地称量0.78g的氧化铕粉末、69.78g的氮化硅粉末、15.14g的氮化铝粉末、11.39g的碳酸钙粉末和2.92g的碳酸钡粉末,并按照实施例1的步骤对其进行处理。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是98。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是1.8质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例8:
作为用于形成荧光体的原材料,通过以下方法获得荧光体粉末,其中准确地称量0.81g的氧化铕粉末、69.62g的氮化硅粉末、16.90g的氮化铝粉末、11.77g的碳酸钙粉末和0.90g的碳酸钡粉末,并按照实施例1的步骤对其进行处理。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是100。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是0.54质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例9:
作为用于形成荧光体的原材料,通过以下方法获得荧光体粉末,其中准确地称量0.83g的氧化铕粉末、71.14g的氮化硅粉末、15.57g的氮化铝粉末、12.15g的碳酸钙粉末和0.31g的碳酸钡粉末,并按照实施例1的步骤对其进行处理。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是99。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是0.18质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例10:
作为用于形成荧光体的原材料,通过以下方法获得荧光体粉末,其中准确地称量0.84g的氧化铕粉末、71.22g的氮化硅粉末、15.60g的氮化铝粉末、12.19g的碳酸钙粉末和0.16g的碳酸钡粉末,并按照实施例1的步骤对其进行处理。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是97。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是0.092质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例11:
作为用于形成荧光体的原材料,按照实施例1的步骤获得荧光体粉末,其中准确地称量0.80g的氧化铕粉末、70.36g的氮化硅粉末、15.32g的氮化铝粉末、11.71g的碳酸钙粉末和1.80g的碳酸钡粉末,将它们在1900℃的温度下烧制,通过球磨机将得到的烧制产物压碎并分级,和获得具有平均粒子直径是3.8μm的荧光体。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是98。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是1.2质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS67-9891Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)和JCPDS 68-1640 BaAlSi5N7O2的衍射图。
实施例12:
作为用于形成荧光体的原材料,按照实施例1的步骤获得荧光体粉末,其中准确地称量0.80g的氧化铕粉末、70.36g的氮化硅粉末、15.32g的氮化铝粉末、11.71g的碳酸钙粉末和1.80g的碳酸钡粉末,将它们在2000℃的温度下烧制,通过球磨机将得到的烧制产物压碎并分级,和获得具有平均粒子直径是3.8μm的荧光体。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是103。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是0.92质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例13:
作为用于形成荧光体的原材料,通过以下方法获得荧光体粉末,其中准确地称量0.81g的氧化铕粉末、70.68g的氮化硅粉末、15.39g的氮化铝粉末、11.77g的碳酸钙粉末和1.35g的碳酸锶粉末,并按照实施例1的步骤对其进行处理。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是98。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Sr浓度是0.69质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例14:
作为用于形成荧光体的原材料,通过以下方法获得荧光体粉末,其中准确地称量0.80g的氧化铕粉末、70.52g的氮化硅粉末、15.36g的氮化铝粉末、11.74g的碳酸钙粉末、0.67g的碳酸锶粉末和0.90g的碳酸钡粉末,并按照实施例1的步骤对其进行处理。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是99。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Sr浓度是0.33质量%和Ba浓度是0.45质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891 Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例15:
作为用于形成荧光体的原材料,通过以下方法获得荧光体粉末,其中准确地称量0.80g的氧化铕粉末、70.36g的氮化硅粉末、15.32g的氮化铝粉末、11.71g的碳酸钙粉末、1.80g的碳酸钡粉末和对实施例1中获得的荧光体粉末进一步粉碎和分级得到的具有2.1μm平均粒子直径的10g荧光体粉末,并按照实施例1的步骤对其进行处理。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是105。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是0.97质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891 Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例16:
作为用于形成荧光体的原材料,通过以下方法获得原材料混合物,其中准确地称量0.80g的氧化铕粉末、70.36g的氮化硅粉末、15.32g的氮化铝粉末、11.71g的碳酸钙粉末和1.80g的碳酸钡粉末,在球磨机中使用乙醇通过湿式工艺将它们均匀地混合,并将所得的浆料干燥和压碎。随后以约占坩埚80容积%将由此获得的原材料混合物填充在由六边形的氮化硼制成的坩埚中,将其置于由石墨制成的绝热元件和由石墨制成的加热元件所形成的烧制炉中,在0.8MPa的氮气压力和1950℃的温度下烧制0.5小时。在球磨机中将获得的烧制产物压碎并分级以获得具有平均粒子直径是1.3μm的荧光体。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是98。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是1.2质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例17:
作为用于形成荧光体的原材料,按照实施例1的步骤获得荧光体粉末,其中准确地称量0.80g的氧化铕粉末、70.36g的氮化硅粉末、15.32g的氮化铝粉末、11.71g的碳酸钙粉末和1.80g的碳酸钡粉末,将它们在2050℃的温度下烧制,通过球磨机将得到的烧制产物压碎并分级,和获得具有平均粒子直径是14.3μm的荧光体。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是100。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是0.73质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891 Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例18:
作为用于形成荧光体的原材料,按照实施例1的步骤获得荧光体粉末,其中准确地称量0.80g的氧化铕粉末、70.36g的氮化硅粉末、15.32g的氮化铝粉末、11.71g的碳酸钙粉末和1.80g的碳酸钡粉末,将它们在2100℃的温度下烧制,通过球磨机将得到的烧制产物压碎并分级,和获得具有平均粒子直径是23.2μm的荧光体。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是94。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是0.53质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891 Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例19:
作为用于形成荧光体的原材料,通过以下方法获得原材料混合物,其中准确地称量0.80g的氧化铕粉末、70.36g的氮化硅粉末、15.32g的氮化铝粉末、11.71g的碳酸钙粉末和1.80g的碳酸钡粉末,在球磨机中使用乙醇通过湿式工艺将它们均匀地混合,并将所得的浆料干燥和压碎。随后以约占坩埚80容积%将由此获得的原材料混合物填充在由六边形的氮化硼制成的坩埚中,将其置于由石墨制成的绝热元件和由石墨制成的加热元件所形成的烧制炉中,在0.8MPa的氮气压力和2000℃的温度下烧制24小时。在球磨机中将获得的烧制产物压碎并分级以获得具有平均粒子直径是47.1μm的荧光体。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是98。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是0.47质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例20:
作为用于形成荧光体的原材料,通过以下方法获得原材料混合物,其中准确地称量0.80g的氧化铕粉末、70.36g的氮化硅粉末、15.32g的氮化铝粉末、11.71g的碳酸钙粉末和1.80g的碳酸钡粉末,在球磨机中使用乙醇通过湿式工艺将它们均匀地混合,并将所得的浆料干燥和压碎。随后按照实施例1的步骤获得荧光体粉末,即以约占坩埚40容积%将原材料混合物填充在由六边形的氮化硼制成的坩埚中。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是95。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是1.1质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891 Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例21:
作为用于形成荧光体的原材料,通过以下方法获得原材料混合物,其中准确地称量0.80g的氧化铕粉末、70.36g的氮化硅粉末、15.32g的氮化铝粉末、11.71g的碳酸钙粉末和1.80g的碳酸钡粉末,在球磨机中使用乙醇通过湿式工艺将它们均匀地混合,并将所得的浆料干燥和压碎。随后按照实施例1的步骤获得荧光体粉末,即以约占坩埚20容积%将原材料混合物填充在由六边形的氮化硼制成的坩埚中。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是81。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是0.9质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891 Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例22:
作为用于形成荧光体的原材料,通过以下方法获得原材料混合物,其中准确地称量0.80g的氧化铕粉末、70.36g的氮化硅粉末、15.32g的氮化铝粉末、11.71g的碳酸钙粉末和1.80g的碳酸钡粉末,在球磨机中使用乙醇通过湿式工艺将它们均匀地混合,并将所得的浆料干燥和压碎。随后按照实施例1的步骤获得荧光体粉末,其中将原材料混合物填充在由高纯度氧化铝耐火材料制成的坩埚中。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是92。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是1.1质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS67-9891 Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例23:
作为用于形成荧光体的原材料,通过以下方法获得原材料混合物,其中准确地称量0.80g的氧化铕粉末、70.36g的氮化硅粉末、15.32g的氮化铝粉末、11.71g的碳酸钙粉末和1.80g的碳酸钡粉末,在球磨机中使用乙醇通过湿式工艺将它们均匀地混合,并将所得的浆料干燥和压碎。随后按照实施例1的步骤获得荧光体粉末,即在1900℃的温度下烧制由此获得的原材料混合物,以约占坩埚80容积%将所获得的烧制产物填充在由六边形的氮化硼制成的坩埚中,将此坩埚置于由石墨制成的样品箱中,并使用由氧化铝耐火材料制成的绝热元件和由亚铬酸镧制成的加热元件所形成的烧制炉烧制坩埚中的样品。当在450nm的激发下使随后获得的荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是94。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是1.2质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891 Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例24:
作为用于形成荧光体的原材料,按照实施例1的步骤获得荧光体粉末,其中准确地称量0.84g的氧化铕粉末、71.26g的氮化硅粉末、15.61g的氮化铝粉末、12.22g的碳酸钙粉末和0.078g的碳酸钡粉末。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是90。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是0.046质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891 Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例25:
作为用于形成荧光体的原材料,按照实施例1的步骤获得荧光体粉末,其中准确地称量0.66g的氧化铕粉末、64.96g的氮化硅粉末、18.55g的氮化铝粉末、9.65g的碳酸钙粉末和6.17g的碳酸钡粉末。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是90。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是4.0质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891 Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例26:
作为用于形成荧光体的原材料,按照实施例1的步骤获得荧光体粉末,其中准确地称量0.84g的氧化铕粉末、71.30g的氮化硅粉末、15.62g的氮化铝粉末和12.24g的碳酸钙粉末,使用球磨机将所得到的烧制产物压碎并分级,因此获得具有平均粒子直径是3.2μm的荧光体。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是66。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是0质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891 Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)的衍射图。
实施例27:
作为用于形成荧光体的原材料,按照实施例1的步骤获得荧光体粉末,其中准确地称量0.80g的氧化铕粉末、70.36g的氮化硅粉末、15.32g的氮化铝粉末、11.71g的碳酸钙粉末和1.80g的碳酸钡粉末,并在1800℃下将它们进行烧制。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是67。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是1.3质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)和JCPDS 68-1640 BaAlSi5N7O2的衍射图。
实施例28:
作为用于形成荧光体的原材料,按照实施例1的步骤获得荧光体粉末,其中准确地称量0.71g的氧化铕粉末、62.88g的氮化硅粉末、15.43g的氮化铝粉末、10.36g的碳酸钙粉末和10.61g的碳酸钡粉末。当在450nm的激发下使此荧光体发光时,其显示出黄光的发射。基于实施例1的荧光体,发射强度是63。当通过高频ICP发射光谱对此荧光体进行分析时,发现其具有的Ba浓度是7.1质量%。通过粉末X-射线衍射方法对相同样品的分析导致检测出符合JCPDS 67-9891 Ca0.67(Si10Al2)(N15.3O0.7)和JCPDS68-1640 BaAlSi5N7O2的衍射图。
实施例29:
通过将实施例1中获得的荧光体和YAG:Ce荧光体分别以20质量%的比例与硅氧烷树脂混合,并将所得的混合物分别安装在450nm蓝光发射EL装置上来制备白光EL灯。通过使用实施例1中获得的荧光体制备的白光EL灯的亮度是使用YAG:Ce荧光体制备的白光EL灯的亮度的1.4倍。
工业实用性:
白光可以通过本发明的荧光体和蓝光发射二极管的结合产生,且其可以作为用于照明的光源或用于显示器的光源。

Claims (19)

1、一种荧光体,表示为M1(x1)M2(x2)M312(O,N)16,其中M1表示一种或多种选自Li、Mg、Ca、Sr、Ba,、Y、La、Gd和Lu组成的组的金属元素,M2表示一种或多种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb和Er组成的组的金属元素,M3表示一种或多种选自Si、Ge、Sn、B、Al、Ga和In组成的组的金属元素,且x1和x2满足0<x1、x2<2和0<x1+x2<2。
2、一种基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体,包含5质量%或更低量的Sr和Ba中的至少一种。
3、根据权利要求2的基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体,其中其包含Eu。
4、根据权利要求1至3中任一项的荧光体,其中其具有的平均粒子直径是50μm或更小。
5、一种方法,用于制备根据权利要求1的荧光体,包括在1600至2200℃的非氧化气氛下烧制荧光体的原材料混合物。
6、根据权利要求5的方法,其中在碳或含碳化合物存在下烧制。
7、根据权利要求5或6的方法,其中原材料混合物已经加入到作为种子的预先合成的目标荧光体粉末中。
8、根据权利要求5至7中任一项的方法,其中预先将原材料混合物填充在由氧化铝、氧化钙、氧化镁、石墨或氮化硼制成的坩埚中。
9、根据权利要求8的方法,其中以占坩埚20容积%或更多的量预先填充原材料混合物。
10、根据权利要求5至9中任一项的方法,其中原材料混合物是混合物或双化合物,选自金属、硅化物、氧化物、碳酸盐、氮化物、氧氮化物、氯化物、氟化物、氧氟化物、氢氧化物、草酸盐、硫酸盐、硝酸盐、有机金属化合物和通过加热能够形成氧化物、氮化物和氧氮化物的化合物组成的组。
11、一种方法,用于制备根据权利要求2的基于α-硅铝氧氮陶瓷的荧光体,包括在1600至2200℃的非氧化气氛下烧制荧光体的原材料混合物。
12、根据权利要求11的方法,其中在碳或含碳化合物存在下实现烧制。
13、根据权利要求11或12的方法,其中原材料混合物已经加入到作为种子的预先合成的目标荧光体粉末中
14、根据权利要求11至14中任一项的方法,其中预先将原材料混合物填充在由氧化铝、氧化钙、氧化镁、石墨或氮化硼制成的坩埚中。
15、根据权利要求14的方法,其中以占坩埚20容积%或更多的量预先填充原材料混合物。
16、根据权利要求11至15中任一项的方法,其中原材料混合物是混合物或双化合物,选由金属、硅化物、氧化物、碳酸盐、氮化物、氧氮化物、氯化物、氟化物、氧氟化物、氢氧化物、草酸盐、硫酸盐、硝酸盐、有机金属化合物和通过加热能够形成氧化物、氮化物和氧氮化物的化合物组成的组。
17、一种发光设备,其结合了根据权利要求1至4中任一项的荧光体和发光装置。
18、根据权利要求17的发光设备,其中发光装置是基于氮化物的半导体发光装置且具有250nm至500nm的发射波长。
19、根据权利要求17或18的发光设备,其中发光装置是EL发光装置且具有250nm至500nm的发射波长。
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