CN101370904A - 有机金属配合物 - Google Patents

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CN101370904A CNA2007800028005A CN200780002800A CN101370904A CN 101370904 A CN101370904 A CN 101370904A CN A2007800028005 A CNA2007800028005 A CN A2007800028005A CN 200780002800 A CN200780002800 A CN 200780002800A CN 101370904 A CN101370904 A CN 101370904A
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S·W·舒伊
J·A·梅罗
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Abstract

本发明涉及有机金属配合物和含该配合物的电子器件。所述配合物具有式MYnZ，其中，n是1，2或3；M是+2，+3或+4氧化态的金属，Y选自8－羟基喹啉根或取代的8－羟基喹啉根，Z是酚根。至少一个Y是具有以下结构式(III)的取代的8－羟基喹啉根：（如图）式中：R1和R2在各自存在时是相同或不同的，各自代表选自下组的一个或多个取代基：H、烷基、氟代烷基、芳基、氟代芳基、烷基芳基、烷氧基、芳氧基、氟代烷氧基、氟代芳氧基、杂烷基、氟代杂烷基、杂芳基、氟代杂芳基、杂烷基芳基、杂烷氧基、杂芳氧基、氟代杂烷氧基、氟代杂芳氧基、溶剂增溶性基团、以及Tg增高性基团，其中，R1和R2中至少一个是溶剂增溶性基团或Tg增高性基团；和R3选自下组：H、烷基和取代的烷基。

Description

有机金属配合物
相关申请的交叉参考
根据35U.S.C.§119(e)，本申请要求于2006年1月24日提交的美国临时申请No.60/761,524的优先权，该临时申请的全文通过参考结合于本文。
背景信息
发明领域
本发明一般涉及有机电子器件和材料以及它们的制造方法。
背景技术
有机电子器件定义为一类包含有机活性层的产品。这类器件将电能转化为辐射，通过电子方法检测信号，将辐射转化为电能，或包括一个或多个有机半导体层。有机发光二极管(OLED)是一种包含能电致发光的有机层的有机电子器件。某些OLED中，这些活性有机层包含简单的有机分子、共轭的聚合物或有机金属配合物。这些活性有机层可以夹在电接触层之间。当在电接触层上施加电压时，发射性有机层发射光。由OLED中的光活性有机层发射光的方式例如可以用于电显示器和微电子器件中。在许多情况下，优选的低成本的可放大规模的器件制造方法包括采用旋涂、喷墨和其他技术由液体沉积各种有机层材料。沉积后进行干燥，以去除所有的溶剂。这些处理步骤可能导致材料发生相间隔离和/或结晶。
因此，仍希望开发能适合用于各种沉积技术来制造有机电子器件的活性材料。
发明概述
提供具有下式的有机金属配合物：
MYnZ
式中：
n是1，2或3；
M是+2，+3或+4氧化态的金属；
Y在各自存在时是相同或不同的，选自下组：8-羟基喹啉根或取代的8-羟基喹啉根；和
Z是酚根；
其中，至少一个Y是具有以下结构式的取代的8-羟基喹啉根：
Figure A200780002800D00071
式中：
R1和R2在各自存在时是相同或不同的，各自代表选自下组的一个或多个取代基：H、烷基、氟代烷基、芳基、氟代芳基、烷基芳基、烷氧基、芳氧基、氟代烷氧基、氟代芳氧基、杂烷基、氟代杂烷基、杂芳基、氟代杂芳基、杂烷基芳基、杂烷氧基、杂芳氧基、氟代杂烷氧基、氟代杂芳氧基、氰基、二烷基胺、二芳基胺、卤化物、溶剂增溶性基团、以及Tg增高性基团，其中，R1和R2中至少一个是溶剂增溶性基团或Tg增高性基团；和
R3选自下组：H、烷基和取代的烷基。
还提供包含至少一个活性层的电子器件，该活性层包含至少一种如上所述的配合物。
还提供一种包含光活性层和阴极的电子器件，该电子器件还包含上述的配合物，所述配合物是在选自以下的一个层中：光活性层以及在光活性层和阴极之间的层。
前面的概括性描述和下面的详细描述都只是对本发明的示例和说明，不构成对本发明的限制，本发明由所附权利要求书限定。
附图简述
参照附图说明实施方式，以更好地理解本文所述的观念。
图1是有机电子器件(有机发光二极管的例子)的示意图。
附图以举例方式提供，并不意图构成对本发明的限制。本领域技术人员应理解，为了简化和清楚起见对各物件进行图示，这些物件不必按比例绘制。例如，附图中某些物件的尺寸可以相对其它物件放大，有助于更好理解这些实施方式。
发明详述
在一个实施方式中，提供有机金属配合物。所述配合物具有下式：
MYnZ
式中：
n是1，2或3；
M是+2，+3或+4氧化态的金属；
Y在各自存在时是相同或不同的，选自下组：8-羟基喹啉根和取代的8-羟基喹啉根；和
Z是酚根；
其中，至少一个Y是具有以下结构式的取代的8-羟基喹啉根：
式中：
R1和R2在各自存在时是相同或不同的，各自代表选自下组的一个或多个取代基：H、烷基、氟代烷基、芳基、氟代芳基、烷基芳基、烷氧基、芳氧基、氟代烷氧基、氟代芳氧基、杂烷基、氟代杂烷基、杂芳基、氟代杂芳基、杂烷基芳基、杂烷氧基、杂芳氧基、氟代杂烷氧基、氟代杂芳氧基、氰基、二烷基胺、二芳基胺、卤化物、溶剂增溶性基团、以及Tg增高性基团，其中，R1和R2中至少一个是溶剂增溶性基团或Tg增高性基团；和
R3选自下组：H、烷基和取代的烷基。
在一个实施方式中，M是选自下组的金属：Al，Zn，Zr，In和Ga。在一个实施方式中，M是Al。
在另一个实施方式中，R1和R2中至少一个是烷基。在一个方面，烷基具有1-6个碳原子。
在另一个实施方式中，R1和R2中至少一个是烷基芳基。在一个方面，烷基具有1-6个碳原子。
在另一个实施方式中，Z是具有以下结构式I或II的酚根：
Figure A200780002800D00091
式中，R4和R5各自独立地选择，各自是选自下组的一个或多个取代基：H、烷基、取代的烷基、芳基、取代的芳基、F、CN、溶剂增溶性基团和Tg增高性基团。
在另一个实施方式中，R4是有1-6个碳原子的烷基。
在一个实施方式中，提供包含至少一种上述配合物的组合物。
在另一个实施方式中，所述组合物还包含溶剂。在另一个实施方式中，溶剂选自下组：苯、烷基取代的苯、氟代烷基取代的苯、烷氧基取代的苯、卤素取代的苯、卤代烷烃、烷基或芳基酯、烷基或芳基酮等。(如，甲苯、三氟甲苯、氯苯、苯甲醚、乙酸乙酯、环戊酮。)
在另一个实施方式中，所述组合物还包含光活性材料。在另一个实施方式中，光活性材料包含有机金属配合物。
在另一个实施方式中，所述组合物还包含电荷输运材料。在另一个实施方式中，电荷输运材料选自下组：三芳基胺、三芳基甲烷、N-取代的咔唑等。
在一个实施方式中，提供包含活性层的电子器件，所述活性层包含至少一种上述的配合物。
在另一个实施方式中，活性层可以是光活性层和/或电荷输运层。
在一个实施方式中，活性层是电子输运层。
在一个实施方式中，活性层是空穴阻挡(hole-blocking)层。
在一个实施方式中，活性层可以包含一种以上的上述配合物。
在一个实施方式中，提供一种包含光活性层和阴极的电子器件，该电子器件还包含上述的配合物，所述配合物是在选自以下的一个层中：光活性层以及在光活性层和阴极之间的层。
上面已描述了许多方面和实施方式，这些方面和实施方式只是举例，不构成限制。本领域技术人员在阅读本说明书后，应能理解不偏离本发明范围的其他方面和实施方式也是可能的。
由下面的详细描述以及由权利要求书，可以清楚地了解任何一个或多个实施方式的其他特征和益处。以下详细描述中首先提出对术语的定义和说明，然后是有机金属配合物，组合物，器件，最后是实施例。
1.术语的定义和说明
在提出下面描述的实施方式的细节之前，定义或说明一些术语。
术语“活性材料”表示能以电子方式实施器件操作的材料。活性材料的例子包括但是不限于：光活性材料，以及传导、注入或阻挡电荷的材料，所述电荷可以是带负电荷的电子或带正电荷的空穴。
术语“烷基”表示源自脂族烃的基团，可以是直链、支链或环状基团，可以未被取代或被取代。
术语“烷基芳基”表示同时具有烷基和芳基部分的基团。
术语“烷氧基”表示通过氧原子连接的烷基。
术语“芳基”表示源自芳烃的基团，可以未被取代或被取代。
术语“芳氧基”表示通过氧原子连接的芳基。
术语“缓冲层”用来表示导电层或半导体层，在有机电子器件中可能具有一种或多种功能，包括但不限于：下层平面化，电荷输运和/或电荷注入性质，如氧或金属离子的杂质的清除，以及促进或提高有机电子器件的性能的其他方面。“缓冲材料”是适合用作缓冲层的材料。
术语“电荷输运”指层、材料、元件或结构时，该术语用来表示具有以下性质的层、材料、元件或结构，即这些层、材料、元件或结构能以相对高效和低的电荷损失促进电荷迁移通过所述层、材料、元件或结构的厚度。
术语“环金属化”表示一种有机金属配合物中至少一个配体在两个位置与一个金属配位，与该金属形成5-或6-元环，与金属结合的一个点是通过直接键合与该配体的碳原子相连。
术语“电致发光”指材料或层时，用来表示这种材料或层能响应从中通过的电流或响应强电场而发射光。
术语“电子输运”指层、材料、元件或结构时，该术语是用来表示具有以下性质的层、材料、元件或结构，即这些层、材料、元件或结构能以相对高效和低的电荷损失促进负电荷迁移通过所述层、材料、元件或结构的厚度。
术语“空穴阻挡”指层、材料、元件或结构时，该术语是用来表示具有以下性质的层、材料、元件或结构，即这些层、材料、元件或结构能阻挡正电荷迁移通过所述层、材料、元件或结构的厚度。
术语“空穴输运”指层、材料、元件或结构时，该术语是用来表示具有以下性质的层、材料、元件或结构，即这些层、材料、元件或结构能以相对高效和低的电荷损失促进正电荷迁移通过所述层、材料、元件或结构的厚度。
术语“8-羟基喹啉根”表示源自化合物8-羟基喹啉的配体，其中，羟基上的氢被除去，氧与金属配位。术语“层”可与术语“膜”互换使用，表示覆盖所需区域的涂层。该区域可大至整个器件或特定功能区域，如实际可视的显示器，或小至简单的亚像素。可采用任何常规沉积技术(包括气相沉积和液相沉积)来形成膜。
术语“液体”表示包括简单的液体材料、液体材料的组合，它们可以是溶液、分散体、悬浮体和乳液。
术语“液相沉积”表示一种由液体组合物形成膜的方法。液相沉积技术包括但不限于，连续的液体沉积技术，如：旋涂、凹版涂布、幕涂、浸涂、缝型模头涂布、喷涂、辊涂和连续喷嘴涂布；以及不连续的沉积技术，例如喷墨印刷、凹版印刷、胶版印刷和丝网印刷。
术语“有机电子器件”用来表示包括一层或多层半导体层或材料的器件。有机电子器件包括但不限于：(1)将电能转换成辐射的器件(例如发光二极管、发光二极管显示器、二极管激光器或发光板)，(2)采用电子方法检测信号的器件(例如光电检测器、光电导管、光敏电阻器、光控开关、光电晶体管、光电管、红外(IR)检测器或生物传感器)，(3)将辐射转换成电能的器件(例如光伏器件或太阳能电池)，和(4)包括一个或多个具有一个或多个有机半导体层的电子部件的器件(例如晶体管或二极管)。
术语“有机金属配合物”指一种化合物，其中的金属原子或离子与至少一种金属化合物或离子配位。在一个实施方式中，有至少一个金属—碳配位键。
术语“酚化合物”指具有OH取代基的芳香族化合物。术语“酚根”指源自酚化合物的配体，其中，OH取代基上的H已被除去，0与金属配位。
术语“发磷光的”指一种电致发光的材料，这种材料的激发态寿命大于50纳秒和/或通过具有自旋三线态特性的配合物的激发态衰减发生发射而返回具有自旋单线态特性的基态。
术语“光活性”指一种材料，该材料通过施加的电压被活化时发光(如在发光二极管或化学电池中)或者响应辐射能并在施加偏压或没有偏压的条件下产生信号(如在光电检测器中)。
术语“溶剂”指能溶解或分散一种或多种其他物质的液体物质。
术语“溶剂增溶性”表示，相对于没有溶剂增溶性取代基的材料，能提高该材料在至少一种有机溶剂中的溶解度或分散性的取代基。在该材料是金属配合物中的配体的情况下，该溶剂增溶性取代基提高衍生该配体的未配位的母体化合物的溶解度或分散性。
术语“Tg增高性”指能提高一种材料的玻璃化转变温度的取代基。换句话说，具有Tg增高性取代基的化合物的Tg高于没有该Tg增高性取代基的化合物的Tg。在该材料是金属配合物中的配体的情况下，该Tg增高性取代基提高衍生该配体的未配位的母体化合物的Tg。
前缀“杂”表示一个或多个碳原子已被不同原子替代。前缀“氟代”表示一个或多个氢原子已被氟原子替代。
本文中所用“Y”和“Z”意指在金属配合物上的配体。
本文中所用的术语“包括”、“包含”、“具有”、“有”或它们的任意其他变体，是意图包括非排它性的包含。例如，包含一系列要素的过程、方法、制件或设备并不一定只限于那些要素，而是还可以包括没有明确列出的或者这些过程、方法、制件或设备所固有的其他要素。而且，除非明确说明意思相反，否则，“或”表示“包含或”而非“异或”。例如，以下任何一条件都满足条件A或B：A为真(或存在)且B为假(或不存在)，A为假(或不存在)且B为真(或存在)，以及A和B都为真(或存在)。
同样，使用“一个”或“一种”描述本发明的要素和组分。这种做法只是为了方便，赋予本发明的普遍性含义。这种描述应当理解为包括一个(种)或至少一个(种)，单数也包括复数的情况，除非很明显其另有表示。
元素周期表中对应于列的族的编号使用“新命名法”(New Notation)约定，参见CRC Handbook of Chemistry and Physics，第81版(2000-2001)。
除非另外定义，本文中所使用的所有技术和科学术语具有本发明所属领域普通技术人员通常所理解的同样含义。虽然在本发明的实施或测试中可以采用类似于或等同于本文所述的那些方法和材料，但是，下面描述了合适的方法和材料。本文中述及的所有出版物、专利申请、专利和其他文献都全文参考结合于本文。在抵触的情况下，以本说明书(包括定义)为准(will control)。此外，材料、方法和例子都只是说明性的，并不构成限制。
对本文中没有描述的内容，有关具体材料、处理操作和电路的许多细节是常规的并可以在有关有机发光二极管显示器、光电检测器、光生伏打和半导体元件领域的教科书和其他来源中找到。
2.有机金属配合物
所述有机金属配合物具有下式：
MYnZ
式中：
n是1，2或3；
M是+2，+3或+4氧化态的金属；
Y在各自存在时是相同或不同的，选自下组：8-羟基喹啉根和取代的8-羟基喹啉根；和
Z是酚根。
M是+2，+3或+4氧化态的金属。“n”可以是1，2或3，取决于M的氧化态，选择n，使整体配合物是电中性的。在一个实施方式中，M是Al，Zn，Zr，In或Ga。在一个实施方式中，M是Al，n为2。
Y是8-羟基喹啉根或是取代的8-羟基喹啉根配体。至少一个Y是具有以下结构式的取代的8-羟基喹啉根：
Figure A200780002800D00131
应理解，在上述结构式中有三个R1基团和两个R2基团，其中，R1和R2是H或如上所述的取代基。
R1和R2中至少一个是溶剂增溶性基团或Tg增高性基团。合适的溶剂增溶性基团的例子包括但不限于：有6-20个碳原子的芳基、有4-20个碳原子的杂芳基、有1-10个碳原子的烷基、有1-10个碳原子的氟代烷基。
合适的Tg增高性基团的例子包括但不限于：有6-20个碳原子的芳基、有4-20个碳原子的杂芳基、有1-10个碳原子的烷基。
在一个实施方式中，R1和R2中至少一个是有1-6个碳原子的烷基。在一个实施方式中，R1和R2中的一个是有1-6个碳原子的烷基，另一个是H。
在一个实施方式中，R1和R2中至少一个是烷基芳基，其中的烷基有1-6个碳原子，其余是H。在一个实施方式中，R3是烷基。在一个实施方式中，R3是有1-3个碳原子的烷基。
在一个实施方式中，R1和R2中的一个是有1-6个碳原子的烷基，R3是有1-3个碳原子的烷基。
Z是酚根。在一个实施方式中，Z是具有以下结构式I或II的酚根：
Figure A200780002800D00141
应理解，在上面的结构式中有五个R4基团，其中，R4是H或如上所述的取代基。在结构式(I)中，有四个R5基团，其中，R5是H或如上所述的取代基。在结构式(II)中，有六个R5基团，其中，R5是H或如上所述的取代基。
在一个实施方式中，至少一个R4是溶剂增溶性基团。在一个实施方式中，具有结构式(I)的配体的母体化合物在甲苯中的溶解度大于1.9重量％。在一个实施方式中，甲苯中的溶解度大于2.0重量％。在一个实施方式中，具有结构式(II)的配体的母体化合物在甲苯中的溶解度大于1.3重量％。在一个实施方式中，甲苯中的溶解度大于1.5重量％。合适的溶剂增溶性基团的例子是上面针对R1和R2讨论的那些基团。
在一个实施方式中，至少一个R4是Tg增高性基团。在一个实施方式中，具有结构式(I)的配体的母体化合物的Tg高于103℃。在一个实施方式中，Tg高于105℃。在一个实施方式中，具有结构式(II)的配体的母体化合物的Tg高于112℃。在一个实施方式中，Tg高于115℃。合适的Tg增高性基团的例子是上面针对R1和R2讨论的那些基团。
在一个实施方式中，R4是烷基。在一个实施方式中，R4是有1-6个碳原子的烷基。在一个实施方式中，Z是酚根，其结合有电荷输运组分作为其结构的部分。电荷输运组分的例子包括但不限于：三芳基胺、三芳基甲烷、咔唑等。
3.组合物
在一个实施方式中，提供包含至少一种上述配合物的组合物。
在一个实施方式中，该组合物还包含至少一种有机溶剂。合适的溶剂是能充分溶解、分散或乳化材料从而能形成整体膜的那些溶剂。适合于一种特定化合物或相关一类化合物的溶剂可以由本领域的技术人员方便地确定。溶剂可以是相对极性的，如C1-C20的醇、醚和酸酯，或可以是相对非极性的，如C1-C12的烷烃或芳族化合物，如甲苯、二甲苯、三氟甲苯等。适合用于制备包含新颖配合物的组合物的其他液体(其可以是本文中所述的溶液或分散体)包括但不限于：氯化烃(如二氯甲烷、氯仿、氯苯)，芳烃(如，取代或未取代的甲苯或二甲苯，包括三氟甲苯)，极性溶剂(如四氢呋喃(THF)、N-甲基吡咯烷酮(NMP))，酯(如乙酸乙酯)，醇(如异丙醇)，酮(如环戊酮)，以及它们的混合物。
一个实施方式中，溶剂是芳族有机溶剂。在一个实施方式中，溶剂选自下组：甲苯、苯甲醚、三氟甲苯、氯苯、二氯苯、二甲苯、乙酸乙酯、1，2-二氯乙烷、四氢呋喃、环戊酮。在一个实施方式中，溶剂选自下组：甲苯和苯甲醚。也可以使用两种或更多种溶剂的混合物。
在一个实施方式中，所述组合物还包含光活性材料。在一个实施方式中，光活性材料是有机金属配合物。在一个实施方式中，光活性材料是发磷光的电致发光的发射剂。在一个实施方式中，光活性材料是铱或铂的环金属化的配合物。
在一个实施方式中，所述组合物还包含电荷输运材料。在一个实施方式中，电荷输运材料是空穴输运材料。合适的空穴输运材料的例子包括但不限于以下讨论的那些。在一个实施方式中，电荷输运材料选自下组：N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-[1，1’-联苯]-4，4’-二胺(TPD)、4，4’，4”-三(N，N-二苯基-氨基)-三苯胺(TDATA)、4，4’，4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(mTDATA)、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-[1，1’-联苯]-4，4’-二胺(NPB)、2，2-二-(4-(4’，4”-二-二苯基氨基)三苯胺)-六氟丙烷(材料A)，或者这些物质的聚合物形式，如聚-(4-六氟异亚丙基-NPB)。
在一个实施方式中，所述组合物包含至少一种上述的配合物、至少一种有机溶剂和至少一种光活性材料。
在一个实施方式中，所述组合物包含至少一种上述的配合物、至少一种有机溶剂、至少一种光活性材料和至少一种电荷输运材料。
所述组合物可以包含另外的材料，如加工助剂等。
4.电子器件
再参见图1，图1示出示例的有机电子器件100。该器件100包括基片105、第一电接触层110、光活性层140和第二电接触层170。可以存在或者不存在的其他层包括缓冲层120、空穴输运层130、电子输运层150、电子注入层160和包封层180。在一些实施方式中，基片105与第二电接触170相邻，而且包封层与第一电接触层110相邻。
基片105可以是刚性或挠性的，例如是玻璃、陶瓷、金属或塑料。施加电压时，发射的光通过基片105是可见的。
第一电接触层110设置在基片105上。为说明目的，层110是阳极层。阳极层可作为衬料设置，该层是能有效注入正电荷载流子的电极。阳极可以由例如包括或包含金属、混合金属、合金、金属氧化物或混合的金属氧化物的材料制成。阳极可以包含导电聚合物、聚合物掺混物或聚合物混合物。合适的金属包括第11族金属、第4，5和6族的金属以及第8-10族的过渡金属。如果阳极是透光的，则一般使用第12，13和14族金属的混合金属氧化物，如氧化铟-锡。阳极还可以包含有机材料，尤其是导电聚合物，如聚苯胺，包括在自然(Nature)，第357卷，第477-479页(1992年6月11日)的“由可溶性导电聚合物制备的挠性发光二极管(Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer)中所述的示例的材料。”阳极和阴极中至少一个应至少是部分透明的，从而可以观察到产生的光。
任选的缓冲层120可以沉积在阳极层110上，而后者有时称作“空穴注入接触层”。缓冲材料可以是聚合物、低聚物或小分子，并且可以是溶液、分散体、悬浮体、乳液、胶态混合物，或其他组合物的形式。在其他实施方式中，电荷输运材料是空穴输运材料或电子输运材料。用于层120的电荷输运材料的例子例如由Y.Wang总结在Kirk Othmer，Encyclopedia of Chemical Technology，第18卷，837-860(第4版，1996)中。电荷输运的“小”分子以及低聚物和聚合物都可以使用。电荷输运分子包括但不限于：N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-[1，1’-联苯]-4，4’-二胺(TPD)、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-[1，1’-联苯]-4，4’-二胺(NPB)、1，1-二[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(4-甲基苯基)-N，N’-二(4-乙基苯基)-[1，1’-(3，3’-二甲基)联苯]-4，4’-二胺(ETPD)、四(3-甲基苯基)-N，N，N’，N’-2，5-苯二胺(PDA)、a-苯基-4-N，N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、对-(二乙基氨基)苯甲醛二苯腙(DEH)、三苯胺(TPA)、二[4(N，N-二乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[对-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[对-(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)、1，2-反-二(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)、N，N，N’，N’-四(4-甲基苯基)-(1，1’-联苯)-4，4’-二胺(TTB)；4，4’，4”-三(N，N-二苯基氨基)-三苯胺(TDATA)、4，4’，4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(mTDATA)；和卟啉化合物，如铜酞菁。有用的电荷输运聚合物包括但不限于：聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚硅烷、聚噻吩、聚苯胺和聚吡咯。导电聚合物类都是有用的。还可以通过将如上述那些电荷输运部分掺杂到聚合物(如聚苯乙烯和聚碳酸酯)中来获得电荷输运聚合物。
在一个实施方式中，缓冲层120包含导电聚合物以及形成胶体的聚合物酸的配合物。这种材料已在公开的美国专利申请2004/0254297和2004/0127637中描述。
任选的空穴输运层130可以由上面对缓冲层120所述的任何材料制成。
在一个实施方式中，空穴输运层130包含可交联的聚合物材料。可交联的聚合物材料可以含有空穴输运部分，如三芳基胺基团、咔唑基团、噁二唑基团等。
有机层140可沉积在存在时的缓冲层120或空穴输运层130上，或者沉积在第一电接触层110上。在一些实施方式中，有机层140可以是许多包含各种组分的不连续层。依据器件的应用，有机层140可以是通过施加的电压活化的发光层(如在发光二极管或发光电化学电池中)，或是响应辐射能并在施加偏置电压或没有施加偏置电压条件下产生信号的材料层(如在光电检测器中)。
可以使用任何有机电致发光(EL)材料作为光活性材料(如在层130中)。这类材料包括但不限于：荧光染料、小分子有机荧光化合物、发荧光和磷光的金属配合物、共轭聚合物，以及它们的混合物。荧光染料的例子包括但不限于：芘、苝、红荧烯，以及它们的衍生物和它们的混合物。金属配合物的例子包括但不限于：金属螯合的类喔星化合物，如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)；环金属化(cyclometalated)的铱、锇、铼和铂的电致发光化合物，例如Petrov等在公开的PCT申请WO 02/02714中揭示的铱与苯基吡啶、苯基喹啉或苯基嘧啶配体的配合物，例如在公开的申请US 2001/0019782、EP 1191612、WO 02/15645和EP1191614中所述的有机金属配合物；以及它们的混合物。Thompson等在美国专利6303238、Burrows和Thompson在公开的PCT申请WO 00/70655和WO 01/41512中描述了包含带电荷的基质材料和金属配合物的电致发光发射层。共轭聚合物的例子包括但不限于：聚(亚苯基亚乙烯基)、聚芴、聚(螺二芴)、聚噻吩、聚(对-亚苯基)、它们的共聚物、和它们的混合物。
在所述器件的一个实施方式中，光活性材料可以是有机金属配合物。在另一个实施方式中，光活性材料是铱、锇、铼或铂的环金属化的配合物。也可以使用其他有用的光活性材料。Petrov等在公开的PCT申请WO 02/02714中揭示了铱与苯基吡啶、苯基喹啉、苯基异喹啉或苯基嘧啶配体的配合物作为电致发光化合物。例如公开的申请US 2001/0019782、EP 1191612、WO 02/15645和EP 1191614中描述了其它有机金属配合物。Burrows和Thompson在公开的PCT申请WO 00/70655和WO 01/41512中描述了具有一层掺杂了铱的金属配合物的聚乙烯基咔唑(PVK)的活性层的电致发光器件。Thompson等在美国专利6,303,238中，Bradley等在Synth.Met.(2001)，116(1-3)，379-383中，以及Campbell等在Phys.Rev.B，Vol.65085210中描述了包含带电荷的基质材料和发磷光的铂配合物的电致发光发射层。
在一个实施方式中，层140包含具有本文所述的式MYnZ的化合物。在一个实施方式中，层140包含具有本文所述的式MYnZ的化合物，还包含有机金属发射性材料，如上面所述的那些材料。
任选的电子输运层150和电子注入层160一般包含电子输运材料。电子输运材料的例子包括但不限于：金属螯合的类喔星化合物，例如二(2-甲基-8-喹啉)(对-苯基-苯酚)铝(III)(BAIQ)和三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)；吡咯化合物，例如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)、和1，3，5-三(苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBI)；喹喔啉衍生物，例如2，3-二(4-氟苯基)喹喔啉；菲咯啉衍生物，例如9，10-二苯基菲咯啉(DPA)和2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(DDPA)；以及它们的混合物。电子注入层160也可以是无机材料。可以使用含Li化合物和其他化合物，如LiF和Li2O。
在一个实施方式中，层150包含具有本文所述的式MYnZ的化合物。
第二电接触层170设置在有机层140或者任选层150或160上。为说明目的，层170是阴极层。
阴极层可作为衬料或作为膜设置。阴极可以是功函数低于阳极的任何金属或非金属。用于阴极的材料的例子包括：第1族的碱金属(特别是锂)、第2族的(碱土)金属、第12族的金属，包括稀土元素和镧系以及锕系。可以使用如铝、铟、钙、钡、钐、镁以及它们的组合之类的材料。
包封层170设置在接触层160上，以防止水和氧之类的不希望的组分进入器件100中。这些组分对有机层130具有有害作用。在一个实施方式中，包封层170是阻挡层或膜。在一个实施方式中，包封层是玻璃或金属盖。
应当理解，所述器件100可以包括其他层，尽管这些层在图中未示出。可使用本领域已知的或未知的其他层。另外，上述层中的任何层都可以包括两个或更多个亚层，或者可以形成叠层结构。或者，可以对阳极层110、缓冲层120、电荷输运层130、电子输运层150和160、阴极层170和其他层中的一些或全部层进行处理，具体来说是进行表面处理，从而增大电荷载流子的输运效率或者所述器件的其他物理性质。对各组分层材料的选择优选是通过权衡为器件提供高器件效率和器件操作寿命的考虑因素、制造时间和复杂性因素、以及本领域技术人员考虑的其他因素这些目标而确定的。将会理解，确定最佳组分、组分结构和组成特性是本领域技术人员的常规工作。
在一个实施方式中，不同的层具有以下厚度范围。阳极110，500-5000埃，在一个实施方式中为1000-2000埃；缓冲层120和空穴输运层130，50-2000埃，在一个实施方式中为200-1000埃；光活性层140，10-2000埃，在一个实施方式中为100-1000埃；层150和160，50-2000埃，在一个实施方式中为100-1000埃；阴极170，200-10000埃，在一个实施方式中为300-5000埃。各层的相对厚度可以影响OLED器件中电子-空穴复合区的位置，从而影响所述器件的发射光谱。因此，应当对电子输运层的厚度进行选择，使得电子-空穴复合区位于发光层中。需要的层厚度比值取决于所使用材料的确切性质。
在工作中，对器件100施加来自适当电源(未描绘)的电压。因此，电流通过器件100的各层。电子进入有机聚合物层释放出光子。在一些称为“有源矩阵OLED显示器”的OLED中，单独沉积的光活性有机膜可以独立地因为电流通过而激发，导致各个像素发光。在一些称为“无源矩阵OLED显示器”的OLED中，沉积的光活性有机膜可以通过电接触层的行和列而激发。
包含本文所述的配合物的器件可以采用各种技术制造。这些技术非限制性地包括气相沉积技术、液体沉积技术、热转印技术。
实施例
实施例1
实施例1说明使用2-甲基-5-叔丁基-8-羟基喹啉制备增溶的Al配合物。所述Al配合物具有以下结构：
Figure A200780002800D00201
1a制备取代的8-羟基喹啉母体化合物：
Figure A200780002800D00211
向一个500mL的烧瓶中加入15.0克2-氨基-4-叔丁基苯酚(奥尔德里奇公司(Aldrich))和75ml乙酸。在形成的经过搅拌的悬浮液中加入5.85克4-叔丁基-2-硝基苯酚和150ml浓HCl。加热该反应混合物至80℃，在30分钟内加入15.03克巴豆醛(奥尔德里奇公司)。将形成的反应混合物加热至130℃保持16小时。冷却反应混合物至室温，将该反应混合物倒入150ml冷水之中，用15％ NaOH中和，产生棕褐色沉淀。通过萃取将该棕褐色沉淀收集到乙酸乙酯中。萃取物用硫酸钠干燥，过滤并浓缩为固体。将该固体悬浮于150mL二氯甲烷中，经过过滤，去除未反应的苯胺。将滤液浓缩为油状物，该油状物通过柱色谱、用50％氯仿/己烷，然后用100％氯仿洗脱进行纯化，获得所需产物(1.27克)，为棕褐色固体。
1b制备源自1a的配体的铝配合物
在手套箱中，在搅拌条件下，在100mL RB烧瓶中，将1a中制得的0.6克喹啉母体化合物溶于25mL甲苯。在快速搅拌条件下，用注射器加入0.74mL 1.9M三乙基铝的甲苯溶液(奥尔德里奇公司)。有许多的泡沫，必须慢慢添加，以防泡沫溢流。使溶液在一个加热套中回流，溶液变为透明黄色。在加热和搅拌条件下，加入0.24克4-苯基苯酚(奥尔德里奇公司)的固体。溶液变为透明黄色，搅拌该溶液，并用空气冷凝器进行回流0.5小时，然后冷却至室温。在持续搅拌条件下添加己烷，产生淡柠檬黄色的沉淀物，通过过滤收集，用甲醇和己烷洗涤并抽吸干燥，获得1.0克产物。在二氯甲烷中的1-H nmr谱图表明期望的产物被少量的次要同质异构材料污染。在制造器件之前使该材料在高真空条件下升华。该化合物在甲苯中具有提高的溶解度，为>1.9重量％，增高的Tg约为135℃。
Figure A200780002800D00221
产物1b的1-H nmr谱图
Figure A200780002800D00222
产物1b的1-H nmr谱图(芳香区)
实施例2
实施例2说明使用2-甲基-5-(4-叔丁基苯基)-8-羟基喹啉制备增溶的Al配合物。所述Al配合物具有以下结构：
Figure A200780002800D00231
2a制备8-羟基喹啉母体化合物：
Figure A200780002800D00232
向2升的烧瓶中加入38.4克8-羟基喹哪啶(奥尔德里奇公司)，17.24克咪唑(奥尔德里奇公司)和500毫升无水二氯甲烷。在氮气中搅拌该溶液，以完全溶解试剂。在30分钟内，在该溶液中分小批量加入40.0克叔丁基二甲基氯甲硅烷。添加完毕后，加入另外50毫升二氯甲烷，在氮气气氛中搅拌反应混合物16小时。将反应混合物转移到1升的分液漏斗中，用100毫升0.1m HCl、100毫升水、100毫升盐水洗涤，然后用MgSO4干燥。过滤和浓缩该溶液，并在高真空条件下进行干燥，获得8-叔丁基二甲基甲硅烷氧基喹哪啶(化合物2i)67.0克(97％)，为深黄色油状物，该产物可以直接用于下一步骤。
向500毫升的烧瓶中加入400毫升二氯甲烷和31.5克8-叔丁基二甲基甲硅烷氧基喹哪啶。剧烈搅拌该混合物，同时滴加溶解在20毫升二氯甲烷中的33.14克溴(奥尔德里奇公司)。由TLC(5:95的乙酸乙酯：己烷)监测反应进程。发现，原料被全部消耗。通过添加200毫升饱和硫代硫酸钠(奥尔德里奇公司)除去过量的溴。分离有机层，用150ml水、150ml盐水洗涤，然后用MgSO4干燥。滤除盐后，浓缩滤液至油状物，该油状物通过柱色谱、用20％二氯甲烷/己烷洗脱进行纯化，获得26.04克5-溴-8-叔丁基二甲基甲硅烷氧基喹哪啶(化合物2ii)，为黄色油状物。
在手套箱中，在一个500毫升的烧瓶中称量8.0克的5-溴-8-叔丁基二甲基甲硅烷氧基喹哪啶，1.31克Pd(PPh3)4(奥尔德里奇公司)和0.732克溴化四丁铵(奥尔德里奇公司)。在该烧瓶中加入200ml无水脱气的甲苯，然后加入4.45克4-叔丁基苯基硼酸(奥尔德里奇公司)。在该烧瓶上封盖，取出放置在通风橱中，置于氮气气氛中。在该混合物中加入200毫升的1M碳酸钠溶液，将形成的混合物加热至90℃保持20小时。冷却该反应混合物至室温，进行相分离。每次用100毫升水洗涤有机相两次，用硫酸钠干燥。过滤后，去除溶剂，获得黄色油状物。使用30％二氯甲烷的己烷溶液作为洗脱液，通过从硅胶柱洗脱对粗产物进行纯化。合并含产物的馏分，并浓缩获得6.7克所需产物，5-(4-叔丁基-苯基)-2-甲基-8-叔丁基二甲基甲硅烷氧基喹啉(化合物2iii)，为淡黄色油状物。
向一个300毫升的烧瓶中加入6.7克5-(4-叔丁基-苯基)-2-甲基-8-叔丁基二甲基甲硅烷氧基喹啉和100毫升无水THF。在氮气气氛下搅拌该混合物的同时，在30分钟内分五份加入13.5毫升三氢氟化三乙胺(奥尔德里奇公司)。在室温下搅拌该反应混合物2小时，在真空条件下去除溶剂。通过硅胶色谱、首先用15％二氯甲烷的己烷溶液进行洗脱，对产生的油状物进行纯化，然后用50％二氯甲烷的己烷溶液洗脱收集产物，获得4.33克所需产物喹哪啶2a，为无色固体。
2b制备源自2a的母体化合物的铝配合物
在手套箱中，在搅拌条件下，在100毫升的RB烧瓶中，将2.91克喹哪啶2a溶解于10毫升甲苯中。在快速搅拌条件下，用注射器加入2.65毫升1.9M三乙基铝的甲苯溶液(奥尔德里奇公司)。有许多的泡沫，必须慢慢添加，以防泡沫溢流。溶液成为透明的亮黄色。使溶液在一个加热套中回流，溶液保持透明黄色。加入0.85克4-苯基苯酚固体(奥尔德里奇公司)，对该透明溶液进行加热和搅拌。用空气冷凝器，使溶液回流30分钟，然后冷却。加入甲醇，以消耗全部过量的AlEt3。然后，在真空条件下蒸发溶液至干，获得黄色玻璃状的产物。从二氯甲烷/甲醇重结晶，产生亮黄色粉末的产物。二氯甲烷中的1-H nmr谱图显示该材料含有少量相关的同质异构化合物。在OLED器件中进行评价之前，该材料在高真空条件下升华。该化合物在甲苯中的溶解度提高，为>2.8重量％，Tg增高为约170℃。
产物2b的1-H nmr谱图
Figure A200780002800D00252
产物2b的1-H nmr谱图(芳香区)
实施例3制备源自2a的母体化合物的铝配合物
实施例3说明使用2-甲基-5-(4-叔丁基苯基)-8-羟基喹啉制备增溶的Al配合物。所述Al配合物具有以下结构：
在手套箱中，在搅拌条件下，在100毫升的RB烧瓶中，将2.91克喹哪啶2a
Figure A200780002800D00261
溶解于10毫升甲苯中。在快速搅拌条件下，用注射器加入2.65毫升1.9M三乙基铝的甲苯溶液(奥尔德里奇公司)。有许多的泡沫，必须慢慢添加，以防泡沫溢流。溶液成为透明的亮黄色。使溶液在一个加热套中回流，溶液保持透明黄色。加入1.10克6-苯基-2-萘酚固体，对透明溶液进行加热和搅拌。用空气冷凝器，使溶液回流30分钟，然后冷却。加入甲醇，以消耗全部过量的AlEt3。然后，在真空条件下蒸发溶液至干，获得黄色玻璃状的产物。从甲苯/甲醇重结晶，获得3.5克为淡黄色晶体的产物。二氯甲烷中的1-H nmr谱图显示该材料含有少量相关的同质异构化合物。在OLED器件中进行评价之前，该材料在高真空条件下升华。该化合物在甲苯中具有提高的溶解度，为>2.0重量％，Tg增高为约166℃。
产物3的1-H nmr谱图
Figure A200780002800D00271
产物3的1-H nmr谱图(芳香区)
实施例4
实施例4说明使用2-甲基-5-异丁基-8-羟基喹啉制备增溶的Al配合物。所述Al配合物具有以下结构：
Figure A200780002800D00272
4a制备取代的8-羟基喹啉母体化合物：
Figure A200780002800D00273
在手套箱中，搅拌条件下，在配有温度计和回流冷凝器的250毫升双口烧瓶中，加入10.0克5-溴-8-[叔丁基二甲基甲硅烷氧基喹哪啶(在上面实施例2a制备的化合物2ii)和0.2克[1.3-二(二苯基膦基)丙烷]-二氯合镍(dichloronickel)(II)(奥尔德里奇公司)。添加75毫升无水脱气THF后，密封该烧瓶，并从干燥箱中取出。在冰浴中冷却的同时，在15分钟内加入17.75毫升2.0M溴化异丁基镁的THF溶液(奥尔德里奇公司)。添加完毕，去除冷却，搅拌反应混合物30分钟。然后，当TLC分析(5％EtOAc/己烷)显示起始的溴化物被消耗时，加热该混合物至60℃保持90分钟。冷却反应混合物至室温，并通过加入10mL 1MHCl进行猝灭。该混合物用50毫升盐水稀释，并萃取到乙醚(350毫升)中和。合并的醚层用5％ NaHCO3和盐水洗涤，然后用硫酸钠干燥，浓缩为棕色油状物。通过用2％ EtOAc的己烷溶液从硅胶柱洗脱进行纯化。合并产物馏分，获得8.0克毫升油状物，该油状物可以用于下一步骤。
向8.0克上述油状物在80毫升无水THF中的溶液中分四份加入20毫升三氢氟化三乙基胺(奥尔德里奇公司)。搅拌该混合物2小时，在此期间原料被消耗。在真空条件下去除溶剂，获得5.0克黄色油状物。使用制备型HPLC，在C-18柱上，用5-100％梯度的乙腈，以20毫升/分钟流速，进行25分钟的洗脱，对油状物进行纯化。合并的产物进行浓缩，并在高真空条件下干燥，获得1.2克所需产物，5-异丁基-8-羟基喹哪啶，为黄色固体。
4b制备源自4a的母体化合物的铝配合物
在手套箱中，在搅拌条件下，在100毫升的RB烧瓶中，将1.20克喹哪啶4a溶于10毫升甲苯中。在快速搅拌条件下，用注射器加入1.47毫升1.9M三乙基铝的甲苯溶液(奥尔德里奇公司)。有许多的泡沫，必须慢慢添加，以防泡沫溢流。溶液成为透明的亮黄色。使溶液在一个加热套中回流，溶液保持透明黄色。加入0.61克6-苯基-2-萘酚固体，对透明溶液进行加热和搅拌。用空气冷凝器，使溶液回流30分钟，然后冷却。加入甲醇，以消耗全部过量的AlEt3。然后，在真空条件下蒸发溶液至干，获得黄色油状玻璃状的产物。从二氯甲烷/己烷重结晶，获得1.2克为淡黄色片状晶体的产物。二氯甲烷中的1-H nmr谱图显示该材料含有少量相关的同质异构化合物。在OLED器件中进行评价之前，该材料在高真空条件下升华。该化合物在甲苯中具有提高的溶解度，为>2.0重量％，Tg为约103℃。
Figure A200780002800D00291
产物4b的1-H nmr谱图
Figure A200780002800D00292
产物4b的1-H nmr谱图(芳香区)
实施例5
实施例5证明通过液体处理方法的器件制造，以及随后的器件表征。
OLED器件通过组合液体处理方法和热蒸发技术进行制造。使用来自Thin FilmDevices，Inc的经过图案化的涂覆有氧化铟锡(ITO)的玻璃基片。这些ITO基片是基于涂覆了1400的ITO的Corning 1737玻璃，该基片的薄层电阻为30Ω/平方，透光率为80％。将经过图案化的ITO基片在洗涤剂的水溶液中进行超声清洗，用蒸馏水进行漂洗。然后将经过图案化的ITO基片在丙酮中进行超声清洗，用异丙醇漂洗，在氮气流中干燥。
在将要制造器件之前，用O2等离子体对清洁的经过图案化的ITO基片处理5分钟。冷却后，立刻将缓冲材料(缓冲剂1)的水分散体旋涂在ITO表面上。用潮湿的棉签将阴极引线擦拭干净，然后，基片在空气中于130℃烘烤7分钟。冷却后，用0.4％(w/v)的空穴输运剂1的甲苯溶液旋涂基片，用潮湿的棉签将阴极引线擦拭干净，然后，基片在氩气气氛中烘烤30分钟。冷却后，在基片上旋涂发射层材料的甲苯溶液。发射层包含红色发射剂、如本文所述的配合物以及次要材料，材料A。用甲苯润湿的棉签将阴极接触件擦拭干净，基片在氩气气氛中烘烤30分钟。对基片进行掩蔽，并置于真空室中。泵抽至3×10-7托压力后，通过热蒸发沉积ZrQ电子输运层，然后是LiF电子注入层。然后，在真空条件下改变掩模，通过热蒸发沉积Al阴极层。真空室向氩气放空，用玻璃盖、干燥剂和UV固化树脂包封器件。
通过测量以下特性表征OLED样品：(1)电流-电压(I-V)曲线，(2)电致发光辐射与电压的关系，和(3)电致发光光谱与电压的关系。这三种测量均同时进行，并由计算机控制。器件在一定电压下的电流效率由LED的电致发光辐射除以使该器件运行所需的电流密度来确定。电流效率的单位是cd/A。功率效率是电流效率除以操作电压。单位是Im/W。
制造器件时所用的材料如下：
缓冲剂1是聚(3，4-二氧噻吩)和聚合物氟化磺酸的水分散体。可采用类似于公开的美国专利申请第2004/0254297号中实施例3所述的过程，制备该材料。
空穴输运剂1是一种可交联的聚合物材料。
材料A
Figure A200780002800D00301
红色发射剂1：
Figure A200780002800D00311
ZrQ：四-(8-羟基喹啉)锆
器件的结构和层厚度如下。
实施例5.1
ITO
缓冲剂1(20纳米)
空穴输运剂1(20纳米)，于195℃烘烤。
[实施例1的材料：材料A(4:1)]红色发射剂1(92:8)(55纳米)，于90℃烘烤
ZrQ(20纳米)
LiF(0.5纳米)
A1(100纳米)
实施例5.2
ITO
缓冲剂1(20纳米)
空穴输运剂1(20纳米)，于195℃烘烤。
[实施例2的材料：材料A(4:1)]红色发射剂1(92:8)(55纳米)，于90℃烘烤
ZrQ(20纳米)
LiF(0.5纳米)
Al(100纳米)
表I.器件表征数据
 
500尼特下的电流效率cd/A 500尼特下的功率效率Im/W 色坐标(x，y)
实施例5.1 8.7 4.0 (0.68，0.31)
实施例5.2 9.5 4.0 (0.68，0.31)
应理解，为清楚起见，在单独的各实施方式的以上和以下内容中描述的本发明的一些特征还可以合并在单个的实施方式中提供。反之，在单个实施方式的内容中简短描述的本发明的各特征也可以单独提供或以任何子组合的形式提供。此外，关于在各范围中列出的值则包括在所述范围之内的每一个值。

Claims (21)

1.一种有机金属配合物，该有机金属配合物具有下式：
MYnZ
式中：
n是1，2或3；
M是+2，+3或+4氧化态的金属；
Y在各自存在时是相同或不同的，选自下组：8-羟基喹啉根和取代的8-羟基喹啉根；和
Z是酚根；
其中，至少一个Y是具有以下结构式的取代的8-羟基喹啉根：
Figure A200780002800C00021
式中：
R1和R2在各自存在时是相同或不同的，各自代表选自下组的一个或多个取代基：H、烷基、氟代烷基、芳基、氟代芳基、烷基芳基、烷氧基、芳氧基、氟代烷氧基、氟代芳氧基、杂烷基、氟代杂烷基、杂芳基、氟代杂芳基、杂烷基芳基、杂烷氧基、杂芳氧基、氟代杂烷氧基、氟代杂芳氧基、氰基、二烷基胺、二芳基胺、卤化物、溶剂增溶性基团、以及Tg增高性基团，其中，R1和R2中至少一个是溶剂增溶性基团或Tg增高性基团；和
R3选自下组：H、烷基和取代的烷基。
2.如权利要求1所述的配合物，其特征在于，M选自下组：Al，Zn，Zr，In和Ga。
3.如权利要求1所述的配合物，其特征在于，M是Al。
4.如权利要求1所述的配合物，其特征在于，R1和R2中至少一个是烷基。
5.如权利要求4所述的配合物，其特征在于，R1和R2中至少一个是有1-6个碳原子的烷基。
6.如权利要求1所述的配合物，其特征在于，R1和R2中至少一个是烷基芳基。
7.如权利要求6所述的配合物，其特征在于，R1和R2中至少一个是烷基芳基，其中的烷基有1-6个碳原子。
8.如权利要求1所述的配合物，其特征在于，所述Z具有以下结构式I或II：
Figure A200780002800C00031
式中，R4和R5各自独立地选择，各自是选自下组的一个或多个取代基：H、烷基、取代的烷基、芳基、取代的芳基、F、CN、溶剂增溶性基团和Tg增高性基团。
9.如权利要求8所述的配合物，其特征在于，R4是有1-6个碳原子的烷基。
10.一种组合物，包含至少一种具有下式的配合物：
MYnZ
式中：
n是1，2或3；
M是+2，+3或+4氧化态的金属；
Y在各自存在时是相同或不同的，选自下组：8-羟基喹啉根和取代的8-羟基喹啉根；和
Z是酚根；
其中，至少一个Y是具有以下结构式的取代的8-羟基喹啉根：
Figure A200780002800C00032
式中：
R1和R2在各自存在时是相同或不同的，各自代表选自下组的一个或多个取代基：H、烷基、氟代烷基、芳基、氟代芳基、烷基芳基、烷氧基、芳氧基、氟代烷氧基、氟代芳氧基、杂烷基、氟代杂烷基、杂芳基、氟代杂芳基、杂烷基芳基、杂烷氧基、杂芳氧基、氟代杂烷氧基、氟代杂芳氧基、氰基、二烷基胺、二芳基胺、卤化物、溶剂增溶性基团、以及Tg增高性基团，其中，R1和R2中至少一个是溶剂增溶性基团或Tg增高性基团；和
R3选自下组：H、烷基和取代的烷基。
11.如权利要求10所述的组合物，其特征在于，M选自下组：Al，Zn，Zr，In和Ga。
12.如权利要求10所述的组合物，其特征在于，R1和R2中至少一个是烷基。
13.如权利要求10所述的组合物，其特征在于，该组合物还包含至少一种有机溶剂。
14.如权利要求13所述的组合物，其特征在于，所述溶剂选自下组。
15.如权利要求10所述的组合物，其特征在于，该组合物还包含电荷输运材料。
16.如权利要求10所述的组合物，其特征在于，所述电荷输运材料选自下组[？]。
17.如权利要求15所述的组合物，其特征在于，所述组合物还包含光活性材料。
18.如权利要求17所述的组合物，其特征在于，所述光活性材料是有机金属配合物。
19.一种包含活性层的电子器件，所述活性层包含具有下式的有机金属配合物：
MYnZ
式中：
n是1，2或3；
M是+2，+3或+4氧化态的金属；
Y在各自存在时是相同或不同的，选自下组：8-羟基喹啉根和取代的8-羟基喹啉根；和
Z是酚根；
其中，至少一个Y是具有以下结构式的取代的8-羟基喹啉根：
Figure A200780002800C00051
式中：
R1和R2在各自存在时是相同或不同的，各自代表选自下组的一个或多个取代基：H、烷基、氟代烷基、芳基、氟代芳基、烷基芳基、烷氧基、芳氧基、氟代烷氧基、氟代芳氧基、杂烷基、氟代杂烷基、杂芳基、氟代杂芳基、杂烷基芳基、杂烷氧基、杂芳氧基、氟代杂烷氧基、氟代杂芳氧基、氰基、二烷基胺、二芳基胺、卤化物、溶剂增溶性基团、以及Tg增高性基团，其中，R1和R2中至少一个是溶剂增溶性基团或Tg增高性基团；和
R3选自下组：H、烷基和取代的烷基。
20.如权利要求19所述的电子器件，其特征在于，所述活性层是光活性层。
21.如权利要求19所述的电子器件，其特征在于，所述活性层是电子输运层。
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