JP3526066B2 - アルミキレート錯体及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
アルミキレート錯体及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子の注入によって発
光する有機化合物のエレクトロルミネッセンスを利用し
て、かかる有機化合物を層状に形成した発光層を備えた
有機エレクトロルミネッセンス素子、並びに有機化合物
の発光層や正孔輸送層、電子輸送層あるいはレーザ用色
素、光電変換素子、光−光変換素子に用い得る有用かつ
新規なアルミキレート錯体に関する。
光する有機化合物のエレクトロルミネッセンスを利用し
て、かかる有機化合物を層状に形成した発光層を備えた
有機エレクトロルミネッセンス素子、並びに有機化合物
の発光層や正孔輸送層、電子輸送層あるいはレーザ用色
素、光電変換素子、光−光変換素子に用い得る有用かつ
新規なアルミキレート錯体に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の有機エレクトロルミネッセンス
素子として、図１に示すように、陰極である金属電極１
と陽極である透明電極２との間に、互いに積層された有
機蛍光体薄膜（発光層）３及び有機正孔輸送層４が配さ
れた２層構造のものが知られている。また、図２に示す
ように、金属電極１と透明電極２との間に互いに積層さ
れた有機電子輸送層５、発光層３及び有機正孔輸送層４
が配された３層構造のものも知られている。ここで、有
機正孔輸送層４は陽極から正孔を注入させ易くする機能
と電子をブロックする機能とを有し、有機電子輸送層５
は陰極から電子を注入させ易くする機能を有している。
素子として、図１に示すように、陰極である金属電極１
と陽極である透明電極２との間に、互いに積層された有
機蛍光体薄膜（発光層）３及び有機正孔輸送層４が配さ
れた２層構造のものが知られている。また、図２に示す
ように、金属電極１と透明電極２との間に互いに積層さ
れた有機電子輸送層５、発光層３及び有機正孔輸送層４
が配された３層構造のものも知られている。ここで、有
機正孔輸送層４は陽極から正孔を注入させ易くする機能
と電子をブロックする機能とを有し、有機電子輸送層５
は陰極から電子を注入させ易くする機能を有している。
【０００３】これら有機エレクトロルミネッセンス素子
において、透明電極２の外側にはガラス基板６が配され
ている。金属電極１から注入された電子と透明電極２か
ら注入された正孔との再結合によって、励起子が生じ、
この励起子が放射失活する過程で光を放ち、この光が透
明電極２及びガラス基板６を介して外部に放出される。
において、透明電極２の外側にはガラス基板６が配され
ている。金属電極１から注入された電子と透明電極２か
ら注入された正孔との再結合によって、励起子が生じ、
この励起子が放射失活する過程で光を放ち、この光が透
明電極２及びガラス基板６を介して外部に放出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、青色発光をなす
有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層として、化
学式（３）〜（７）で示される化合物等が用いられるこ
とが知られている。しかし、これ等の化合物を用いた有
機エレクトロルミネッセンス素子は輝度、寿命、発光効
率の点で未だ十分満足しうるものではない。
有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層として、化
学式（３）〜（７）で示される化合物等が用いられるこ
とが知られている。しかし、これ等の化合物を用いた有
機エレクトロルミネッセンス素子は輝度、寿命、発光効
率の点で未だ十分満足しうるものではない。
【０００５】
【化７】
【０００６】よって、本発明の目的は、高輝度で寿命、
効率も優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、並び
に有機エレクトロルミネッセンス素子あるいはレーザ用
色素、光電変換素子、光−光変換素子において有用かつ
新規な化合物を提供することにある。
効率も優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、並び
に有機エレクトロルミネッセンス素子あるいはレーザ用
色素、光電変換素子、光−光変換素子において有用かつ
新規な化合物を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のアルミキレート
錯体は、下記の一般式（１）、
錯体は、下記の一般式（１）、
【０００８】
【化８】
【０００９】（上記式（１）中、Ｒ1及びＲ2は、独立
に、水素原子（但しＲ1及びＲ2が同時に水素原子である
場合を除く）、炭素数１〜８のアルキル基を表し、Ａ
は、置換若しくは未置換のフェニレン基又は置換若しく
は未置換のビフェニレン基からなる連結基、又は下記式
（２）で表される連結基、
に、水素原子（但しＲ1及びＲ2が同時に水素原子である
場合を除く）、炭素数１〜８のアルキル基を表し、Ａ
は、置換若しくは未置換のフェニレン基又は置換若しく
は未置換のビフェニレン基からなる連結基、又は下記式
（２）で表される連結基、
【００１０】
【化９】
【００１１】（上記式（２）中、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5及びＲ6
は、独立に、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭
素数１〜５のアルコキシ基、アリル基、ハロゲン原子、
水酸基を表し、Ｘは−ＣＲ7Ｒ8−（Ｒ7及びＲ8は、独立
に、水素原子、フェニル基、炭素数１〜８のアルキル基
を表す）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＳＯ2−、−
ＣＯＯＣＨ2−を表す）を表す）で示される物質であ
る。
は、独立に、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭
素数１〜５のアルコキシ基、アリル基、ハロゲン原子、
水酸基を表し、Ｘは−ＣＲ7Ｒ8−（Ｒ7及びＲ8は、独立
に、水素原子、フェニル基、炭素数１〜８のアルキル基
を表す）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＳＯ2−、−
ＣＯＯＣＨ2−を表す）を表す）で示される物質であ
る。
【００１２】更に詳しくは、Ｒ1，Ｒ2における炭素数１
〜８のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シク
ロヘキシル基があげられ、またＡにおける置換若しくは
未置換のフェニレン基、ビフェニレン基としては、フェ
ニレン基、２−メチルフェニレン基、２−プロピルフェ
ニレン基、２−エチルフェニレン基、２−ブチルフェニ
レン基、２−ｔ−ブチルフェニレン基、２−クロロフェ
ニレン基、２−ブロモフェニレン基、２−シアノフェニ
レン基、２−メトキシフェニレン基、２−エトキシフェ
ニレン基、２−プロポキシフェニレン基、２−ブトキシ
フェニレン基、２−ｔ−ブトキシフェニレン基、２−メ
トキシカルボニルフェニレン基、２−エトキシカルボニ
ルフェニレン基、２，５−ジメチルフェニレン基、２，
５−ジエチルフェニレン基、２，５−ジプロピルフェニ
レン基、２，５−ジブチルフェニレン基、２，５−ジ−
ｔ−ブチルフェニレン基、２，５−ジクロロフェニレン
基、２，５−ジブロモフェニレン基、２，５−ジメトキ
シフェニレン基、２，５−ジエトキシフェニレン基、
２，５−ジプロポキシフェニレン基、２，５−ジブトキ
シフェニレン基、２，５−ジ−ｔ−ブトキシフェニレン
基、ビフェニレン基、３，３’−ジメチルビフェニレン
基、３，３’−ジエチルビフェニレン基、３，３’−ジ
プロピルビフェニレン基、３，３’−ジブチルビフェニ
レン基、３，３’−ジ−ｔ−ブチルビフェニレン基、
３，３’−ジクロロビフェニレン基、３，３’−ジブロ
モフェニレン基、３，３’−ジメトキシカルボニルビフ
ェニレン基、３，３’−ジエトキシカルボニルビフェニ
レン基、３，３’−ジメトキシビフェニレン基、３，
３’−ジエトキシビフェニレン基、３，３’−ジ−ｔ−
ブトキシビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラ
メチルビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラエ
チルビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラプロ
ピルビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラブチ
ルビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラ−ｔ−
ブチルビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラク
ロロビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラブロ
モビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラメトキ
シカルボニルビフェニレン基、３，３’，５，５’−テ
トラエトキシカルボニルビフェニレン基、３，３’，
５，５’−テトラメトキシビフェニレン基、３，３’，
５，５’−テトラエトキシビフェニレン基、３，３’，
５，５’−テトラブトキシビフェニレン基、３，３’，
５，５’−テトラ−ｔ−ブトキシビフェニレン基があげ
られる。
〜８のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シク
ロヘキシル基があげられ、またＡにおける置換若しくは
未置換のフェニレン基、ビフェニレン基としては、フェ
ニレン基、２−メチルフェニレン基、２−プロピルフェ
ニレン基、２−エチルフェニレン基、２−ブチルフェニ
レン基、２−ｔ−ブチルフェニレン基、２−クロロフェ
ニレン基、２−ブロモフェニレン基、２−シアノフェニ
レン基、２−メトキシフェニレン基、２−エトキシフェ
ニレン基、２−プロポキシフェニレン基、２−ブトキシ
フェニレン基、２−ｔ−ブトキシフェニレン基、２−メ
トキシカルボニルフェニレン基、２−エトキシカルボニ
ルフェニレン基、２，５−ジメチルフェニレン基、２，
５−ジエチルフェニレン基、２，５−ジプロピルフェニ
レン基、２，５−ジブチルフェニレン基、２，５−ジ−
ｔ−ブチルフェニレン基、２，５−ジクロロフェニレン
基、２，５−ジブロモフェニレン基、２，５−ジメトキ
シフェニレン基、２，５−ジエトキシフェニレン基、
２，５−ジプロポキシフェニレン基、２，５−ジブトキ
シフェニレン基、２，５−ジ−ｔ−ブトキシフェニレン
基、ビフェニレン基、３，３’−ジメチルビフェニレン
基、３，３’−ジエチルビフェニレン基、３，３’−ジ
プロピルビフェニレン基、３，３’−ジブチルビフェニ
レン基、３，３’−ジ−ｔ−ブチルビフェニレン基、
３，３’−ジクロロビフェニレン基、３，３’−ジブロ
モフェニレン基、３，３’−ジメトキシカルボニルビフ
ェニレン基、３，３’−ジエトキシカルボニルビフェニ
レン基、３，３’−ジメトキシビフェニレン基、３，
３’−ジエトキシビフェニレン基、３，３’−ジ−ｔ−
ブトキシビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラ
メチルビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラエ
チルビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラプロ
ピルビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラブチ
ルビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラ−ｔ−
ブチルビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラク
ロロビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラブロ
モビフェニレン基、３，３’，５，５’−テトラメトキ
シカルボニルビフェニレン基、３，３’，５，５’−テ
トラエトキシカルボニルビフェニレン基、３，３’，
５，５’−テトラメトキシビフェニレン基、３，３’，
５，５’−テトラエトキシビフェニレン基、３，３’，
５，５’−テトラブトキシビフェニレン基、３，３’，
５，５’−テトラ−ｔ−ブトキシビフェニレン基があげ
られる。
【００１３】又、式（２）であらわされる連結基の
Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6における炭素数１〜８のアルキル基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基が、
炭素数１〜５のアルコキシ基としては、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ
基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基があげられる。
更にＸのＲ7，Ｒ8における炭素数１〜８のアルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基があげ
られる。
Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6における炭素数１〜８のアルキル基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基が、
炭素数１〜５のアルコキシ基としては、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ
基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基があげられる。
更にＸのＲ7，Ｒ8における炭素数１〜８のアルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基があげ
られる。
【００１４】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子は、陽極、有機化合物を含有する正孔輸送層、
有機化合物を含有する発光層及び陰極が順に積層された
有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光
層が上記一般式（１）で示されるアルミキレート錯体を
含有することを特徴とする。さらに、本発明の有機エレ
クトロルミネッセンス素子は、陽極、有機化合物を含有
する発光層、有機化合物を含有する電子輸送層及び陰極
が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子で
あって、前記電子輸送層が上記一般式（１）で示される
アルミキレート錯体からなることを特徴とする。
ンス素子は、陽極、有機化合物を含有する正孔輸送層、
有機化合物を含有する発光層及び陰極が順に積層された
有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光
層が上記一般式（１）で示されるアルミキレート錯体を
含有することを特徴とする。さらに、本発明の有機エレ
クトロルミネッセンス素子は、陽極、有機化合物を含有
する発光層、有機化合物を含有する電子輸送層及び陰極
が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子で
あって、前記電子輸送層が上記一般式（１）で示される
アルミキレート錯体からなることを特徴とする。
【００１５】またさらに、本発明の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子は、陽極、有機化合物を含有する正孔輸
送層、有機化合物を含有する発光層、有機化合物を含有
する電子輸送層及び陰極が順に積層された有機エレクト
ロルミネッセンス素子であって、前記発光層及び前記電
子輸送層の少なくとも１つが前記式（１）で示されるア
ルミキレート錯体を含むことを特徴とする。
ネッセンス素子は、陽極、有機化合物を含有する正孔輸
送層、有機化合物を含有する発光層、有機化合物を含有
する電子輸送層及び陰極が順に積層された有機エレクト
ロルミネッセンス素子であって、前記発光層及び前記電
子輸送層の少なくとも１つが前記式（１）で示されるア
ルミキレート錯体を含むことを特徴とする。
【００１６】
【実施例】以下に、本発明による実施例を図面を参照し
つつ詳細に説明する。本発明者は、前記した目的を達成
すべく鋭意検討を重ねた結果、上記アルミキレート錯体
を合成し、これを発光層、電子輸送層等の有機機能層に
用いることで、高輝度で寿命、効率の優れた有機エレク
トロルミネッセンス素子が得られることを見い出し、本
発明を完成させた。
つつ詳細に説明する。本発明者は、前記した目的を達成
すべく鋭意検討を重ねた結果、上記アルミキレート錯体
を合成し、これを発光層、電子輸送層等の有機機能層に
用いることで、高輝度で寿命、効率の優れた有機エレク
トロルミネッセンス素子が得られることを見い出し、本
発明を完成させた。
【００１７】上記式（１）で表されるアルミキレート錯
体は、例えば一般的にエーテル系、アルコール系、セル
ソルブ系等の有機溶媒中、例えばジエチルエーテル、エ
タノール、エチレングリコール中で式（８）で表される
置換キノリノール誘導体、アルミニウムイソプロポキシ
ド、及び式（９）で表されるフェノール系化合物、ジヒ
ドロキシベンゼン系化合物又はジヒドロキシビフェニー
ル系化合物の一種を攪拌下にて混合し、温度３０〜１２
０℃好ましくは使用される溶媒の還流温度にて３〜１２
時間反応させ、析出する固型物を濾別することで得られ
る。
体は、例えば一般的にエーテル系、アルコール系、セル
ソルブ系等の有機溶媒中、例えばジエチルエーテル、エ
タノール、エチレングリコール中で式（８）で表される
置換キノリノール誘導体、アルミニウムイソプロポキシ
ド、及び式（９）で表されるフェノール系化合物、ジヒ
ドロキシベンゼン系化合物又はジヒドロキシビフェニー
ル系化合物の一種を攪拌下にて混合し、温度３０〜１２
０℃好ましくは使用される溶媒の還流温度にて３〜１２
時間反応させ、析出する固型物を濾別することで得られ
る。
【００１８】
【化１０】
【００１９】（上記式（８）中、Ｒ1及びＲ2は、前記と
同じ意味を表す）
同じ意味を表す）
【００２０】
【化１１】
【００２１】（上記式（９）中、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5及びＲ6
は、前記と同じ意味を表す）使用する式（８）で表され
る置換キノリノール誘導体は、アルミニウムイソプロポ
キシドに対し１〜３倍のモル比、好ましくは１．８〜
２．２倍のモル比であり、また、式（９）で表されるフ
ェノール系化合物は、アルミニウムイソプロポキシドに
対し、０．４〜１．５倍のモル比、好ましくは０．５〜
１．０倍のモル比で使用される。
は、前記と同じ意味を表す）使用する式（８）で表され
る置換キノリノール誘導体は、アルミニウムイソプロポ
キシドに対し１〜３倍のモル比、好ましくは１．８〜
２．２倍のモル比であり、また、式（９）で表されるフ
ェノール系化合物は、アルミニウムイソプロポキシドに
対し、０．４〜１．５倍のモル比、好ましくは０．５〜
１．０倍のモル比で使用される。
【００２２】また、使用する溶媒の量はアルミニウムイ
ソプロポキシドに対し重量比で２０〜５０倍の量好まし
くは３０〜４０倍の量で使用される。更に上記操作で得
られた式（１）の固型物を精製するには、アセトン等の
有機溶媒、水による繰り返し洗浄、さらにクロロホル
ム、塩化メチレン等の溶媒での抽出、再結晶等更には昇
華精製等により行うことができる。
ソプロポキシドに対し重量比で２０〜５０倍の量好まし
くは３０〜４０倍の量で使用される。更に上記操作で得
られた式（１）の固型物を精製するには、アセトン等の
有機溶媒、水による繰り返し洗浄、さらにクロロホル
ム、塩化メチレン等の溶媒での抽出、再結晶等更には昇
華精製等により行うことができる。
【００２３】以下の上記式（１）で表されるアルミキレ
ート錯体の具体例としては、下記化学式（22）〜（44）
で表される化合物が挙げられるが、これらに限定されな
い。
ート錯体の具体例としては、下記化学式（22）〜（44）
で表される化合物が挙げられるが、これらに限定されな
い。
【００２４】
【化１２】
【００２５】
【化１３】
【００２６】
【化１４】
【００２７】
【化１５】
【００２８】
【化１６】
【００２９】
【化１７】
【００３０】次に上記アルミキレート錯体の具体的化合
物の合成例を以下に示す。 （合成例１）エタノール４０ml中に、２−メチル−８−
キノリノール1.8ｇ（0.011モル）とアルミニウムイソプ
ロポキシド１．０ｇ（0.005モル）及び４，４'−ジヒド
ロキシジフェニル−２，２−プロパン1.14ｇ（0.005モ
ル）を室温にて加え攪拌混合し、還流温度で６時間反応
させ、析出した固型物を濾別した。その後、アセトン４
０ml、蒸留水４０mlで洗浄し、乾燥することで式（22）
の化合物1.8ｇを得た。（mp＝294℃、Ｅmax＝480nm) （合成例２）ジエチルエーテル４０ml中に、２−メチル
−８−キノリノール1.6ｇ（0.010モル）とアルミニウム
イソプロポキシド1.0ｇ（0.005モル）及び４，４'−ジ
ヒドロキシジフェニル−スルホン1.25ｇ（0.005モル）
を室温にて加え攪拌混合し、還流温度で６時間反応さ
せ、析出した固型物を濾別した。その後、アセトン４０
ml、蒸溜水４０mlで洗浄し、乾燥することで式（23）の
化合物2.2ｇを得た。（mp＝345℃、Ｅmax＝472nm） （合成例３）ジエチルエーテル４０ml中に、２−メチル
−８−キノリノール1.6ｇ（0.010モル）とアルミニウム
イソプロポキシド1.0ｇ（0.005モル）及び４，４'−ジ
ヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルジフェ
ニル−スルホン0.76ｇ（0.0025モル）を室温にて加え攪
拌混合し、還流温度で８時間反応させ、析出した固型物
を濾別した。その後、アセトン４０ml、蒸溜水４０mlで
洗浄し、乾燥することで式（24）の化合物2.0ｇを得
た。（mp＝346℃、Ｅmax＝479nm） （他の合成例）以下の表１〜表２に示すように、合成例
３における４，４'−ジヒドロキシ−３，３’，５，
５’−テトラメチルジフェニル−スルホンの代わりに、
上記式（９）に示す種々のジヒドロキシ化合物を用い、
かつ、２−メチル−８−キノリノールの代わりに種々の
置換８−キノリノール化合物を用い、合成例３同様の操
作をすることで、表に示される様な前記式の番号に示す
種々のアルミキレート錯体を得る。
物の合成例を以下に示す。 （合成例１）エタノール４０ml中に、２−メチル−８−
キノリノール1.8ｇ（0.011モル）とアルミニウムイソプ
ロポキシド１．０ｇ（0.005モル）及び４，４'−ジヒド
ロキシジフェニル−２，２−プロパン1.14ｇ（0.005モ
ル）を室温にて加え攪拌混合し、還流温度で６時間反応
させ、析出した固型物を濾別した。その後、アセトン４
０ml、蒸留水４０mlで洗浄し、乾燥することで式（22）
の化合物1.8ｇを得た。（mp＝294℃、Ｅmax＝480nm) （合成例２）ジエチルエーテル４０ml中に、２−メチル
−８−キノリノール1.6ｇ（0.010モル）とアルミニウム
イソプロポキシド1.0ｇ（0.005モル）及び４，４'−ジ
ヒドロキシジフェニル−スルホン1.25ｇ（0.005モル）
を室温にて加え攪拌混合し、還流温度で６時間反応さ
せ、析出した固型物を濾別した。その後、アセトン４０
ml、蒸溜水４０mlで洗浄し、乾燥することで式（23）の
化合物2.2ｇを得た。（mp＝345℃、Ｅmax＝472nm） （合成例３）ジエチルエーテル４０ml中に、２−メチル
−８−キノリノール1.6ｇ（0.010モル）とアルミニウム
イソプロポキシド1.0ｇ（0.005モル）及び４，４'−ジ
ヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルジフェ
ニル−スルホン0.76ｇ（0.0025モル）を室温にて加え攪
拌混合し、還流温度で８時間反応させ、析出した固型物
を濾別した。その後、アセトン４０ml、蒸溜水４０mlで
洗浄し、乾燥することで式（24）の化合物2.0ｇを得
た。（mp＝346℃、Ｅmax＝479nm） （他の合成例）以下の表１〜表２に示すように、合成例
３における４，４'−ジヒドロキシ−３，３’，５，
５’−テトラメチルジフェニル−スルホンの代わりに、
上記式（９）に示す種々のジヒドロキシ化合物を用い、
かつ、２−メチル−８−キノリノールの代わりに種々の
置換８−キノリノール化合物を用い、合成例３同様の操
作をすることで、表に示される様な前記式の番号に示す
種々のアルミキレート錯体を得る。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】
【表３】
【００３４】
【表４】
【００３５】
【表５】
【００３６】
【表６】
【００３７】一方、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の構造は、図１及び図２に示した構造の有機エ
レクトロルミネッセンス素子と同様であって、図１に示
すように、一対の金属陰極１と透明陽極２との間に発光
層３及び正孔輸送層４を薄膜として積層、成膜した２層
構造、または、図２に示すように、一対の金属陰極１と
透明陽極２との間に電子輸送層５、発光層３及び正孔輸
送層４を順に成膜した３層構造としても良い。いずれの
層構造の場合でも、上記式（１）で表されるアルミキレ
ート錯体は少なくとも発光層及び電子輸送層の何れかに
含有されればよい。かかるアルミキレート錯体は電子を
輸送する能力を有しているからである。
ンス素子の構造は、図１及び図２に示した構造の有機エ
レクトロルミネッセンス素子と同様であって、図１に示
すように、一対の金属陰極１と透明陽極２との間に発光
層３及び正孔輸送層４を薄膜として積層、成膜した２層
構造、または、図２に示すように、一対の金属陰極１と
透明陽極２との間に電子輸送層５、発光層３及び正孔輸
送層４を順に成膜した３層構造としても良い。いずれの
層構造の場合でも、上記式（１）で表されるアルミキレ
ート錯体は少なくとも発光層及び電子輸送層の何れかに
含有されればよい。かかるアルミキレート錯体は電子を
輸送する能力を有しているからである。
【００３８】さらに、これら２層又は３層構造の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の発光層には上記式（１）
で表されるアルミキレート錯体をホスト物質として、他
の有機化合物をゲスト物質としてドープしても良い。な
お、これら発光層部分の膜厚は１μｍ以下に設定され
る。また、いずれの層構造の場合でも、電極１、２につ
いて一方が透明であればよい。例えば陰極１には、アル
ミニウム、マグネシウム、インジウム、銀、リチウム、
ストロンチウム又は各々の合金等の仕事関数が小さな金
属からなり厚さが約100〜5000Å程度のものを用い得
る。また、例えば陽極２には、インジウムすず酸化物
（以下、ＩＴＯともいう）等の仕事関数の大きな導電性
材料からなり厚さが1000〜3000Å程度で、又は金で厚さ
が800〜1500Å程度のものを用い得る。なお、金を電極
材料として用いた場合には、電極は半透明の状態とな
る。
レクトロルミネッセンス素子の発光層には上記式（１）
で表されるアルミキレート錯体をホスト物質として、他
の有機化合物をゲスト物質としてドープしても良い。な
お、これら発光層部分の膜厚は１μｍ以下に設定され
る。また、いずれの層構造の場合でも、電極１、２につ
いて一方が透明であればよい。例えば陰極１には、アル
ミニウム、マグネシウム、インジウム、銀、リチウム、
ストロンチウム又は各々の合金等の仕事関数が小さな金
属からなり厚さが約100〜5000Å程度のものを用い得
る。また、例えば陽極２には、インジウムすず酸化物
（以下、ＩＴＯともいう）等の仕事関数の大きな導電性
材料からなり厚さが1000〜3000Å程度で、又は金で厚さ
が800〜1500Å程度のものを用い得る。なお、金を電極
材料として用いた場合には、電極は半透明の状態とな
る。
【００３９】具体的に、２層又は３層構造の有機エレク
トロルミネッセンス素子の発光層又は電子輸送層には、
具体的には上記式（22）〜（44）で表される化合物を含
む上記式（１）のアルミキレート錯体が用いられる。ま
た、有機正孔輸送層４には、例えば下記化学式(10)のト
リフェニルアミン誘導体、更に下記化学式(11)〜(21)の
ＣＴＭ（Carrier Transport Materials）として知られ
る化合物を用い得る。
トロルミネッセンス素子の発光層又は電子輸送層には、
具体的には上記式（22）〜（44）で表される化合物を含
む上記式（１）のアルミキレート錯体が用いられる。ま
た、有機正孔輸送層４には、例えば下記化学式(10)のト
リフェニルアミン誘導体、更に下記化学式(11)〜(21)の
ＣＴＭ（Carrier Transport Materials）として知られ
る化合物を用い得る。
【００４０】
【化１８】
【００４１】
【化１９】
【００４２】
【化２０】
【００４３】また、上記式（１）で表されるアルミキレ
ート錯体を発光層に用いるとき、電子輸送層には、下記
化学式(45)のＡｌｑ3も用いられ得る。
ート錯体を発光層に用いるとき、電子輸送層には、下記
化学式(45)のＡｌｑ3も用いられ得る。
【００４４】
【化２１】
【００４５】また、式（１）で表わされるアルミキレー
ト錯体がホスト物質として発光層として用いられる場合
には、他の有機化合物をゲスト物質として、発光層中に
含ませることの出来る蛍光色素としては、下記化学式(4
6)で表わされるペリレン等が用いられ得る。
ト錯体がホスト物質として発光層として用いられる場合
には、他の有機化合物をゲスト物質として、発光層中に
含ませることの出来る蛍光色素としては、下記化学式(4
6)で表わされるペリレン等が用いられ得る。
【００４６】
【化２２】
【００４７】（実施例１）膜厚1500ÅのＩＴＯからなる
陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法
によって真空度１．０×１０-5Torr以下で積層させた。
まず、ＩＴＯ上に、正孔輸送層として膜厚 500Åの上記
化学式(10)のトリフェニルアミン誘導体の薄膜を形成し
た。次に発光層として、上記化学式(22)のアルミキレー
ト錯体を360Åの厚さに成膜した。最後に陰極金属とし
て、膜厚1100Åのマグネシウム−銀合金を成膜した。
陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法
によって真空度１．０×１０-5Torr以下で積層させた。
まず、ＩＴＯ上に、正孔輸送層として膜厚 500Åの上記
化学式(10)のトリフェニルアミン誘導体の薄膜を形成し
た。次に発光層として、上記化学式(22)のアルミキレー
ト錯体を360Åの厚さに成膜した。最後に陰極金属とし
て、膜厚1100Åのマグネシウム−銀合金を成膜した。
【００４８】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１６Ｖ印加時
に、0.53A/cm2の電流が流れ、波長490nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.199、ｙ＝0.362）で2870cd/m2の青色発光を得た。 （実施例２）発光層として、上記化学式(22)のアルミキ
レート錯体を 480Åの厚さに成膜した以外は、実施例１
と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製
した。
ネッセンス素子においては、両電極間に１６Ｖ印加時
に、0.53A/cm2の電流が流れ、波長490nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.199、ｙ＝0.362）で2870cd/m2の青色発光を得た。 （実施例２）発光層として、上記化学式(22)のアルミキ
レート錯体を 480Åの厚さに成膜した以外は、実施例１
と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製
した。
【００４９】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１６Ｖ印加時
に、0.32A/cm2の電流が流れ、波長500nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.215、ｙ＝0.416）で4780cd/m2の青緑色発光を得
た。 （実施例３）発光層として、上記化学式(31)のアルミキ
レート錯体を 400Åの厚さに成膜した以外は、実施例１
と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製
した。
ネッセンス素子においては、両電極間に１６Ｖ印加時
に、0.32A/cm2の電流が流れ、波長500nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.215、ｙ＝0.416）で4780cd/m2の青緑色発光を得
た。 （実施例３）発光層として、上記化学式(31)のアルミキ
レート錯体を 400Åの厚さに成膜した以外は、実施例１
と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製
した。
【００５０】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１５Ｖ印加時
に、0.40A/cm2の電流が流れ、波長500nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.241、ｙ＝0.468）で3370cd/m2の青緑色発光を得
た。 （実施例４）発光層として、上記化学式(26)のアルミキ
レート錯体を 240Åの厚さに成膜した以外は、実施例１
と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製
した。
ネッセンス素子においては、両電極間に１５Ｖ印加時
に、0.40A/cm2の電流が流れ、波長500nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.241、ｙ＝0.468）で3370cd/m2の青緑色発光を得
た。 （実施例４）発光層として、上記化学式(26)のアルミキ
レート錯体を 240Åの厚さに成膜した以外は、実施例１
と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製
した。
【００５１】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１６Ｖ印加時
に、0.39A/cm2の電流が流れ、波長485nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.201、ｙ＝0.353）で184cd/m 2の青緑色発光を得た。 （実施例５）発光層として、上記化学式(27)のアルミキ
レート錯体を 670Åの厚さに成膜した以外は、実施例１
と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製
した。
ネッセンス素子においては、両電極間に１６Ｖ印加時
に、0.39A/cm2の電流が流れ、波長485nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.201、ｙ＝0.353）で184cd/m 2の青緑色発光を得た。 （実施例５）発光層として、上記化学式(27)のアルミキ
レート錯体を 670Åの厚さに成膜した以外は、実施例１
と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製
した。
【００５２】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に２０Ｖ印加時
に、1.70A/cm2の電流が流れ、波長510nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.249、ｙ＝0.482）で2390cd/m2の青緑色発光を得
た。 （実施例６）発光層として、上記化学式(22)のアルミキ
レート錯体を 120Åの厚さに成膜し、その上に電子輸送
層として上記化学式(45)のＡｌｑ3を210Åの厚さに成膜
した以外は、実施例１と同様にして有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を作製した。
ネッセンス素子においては、両電極間に２０Ｖ印加時
に、1.70A/cm2の電流が流れ、波長510nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.249、ｙ＝0.482）で2390cd/m2の青緑色発光を得
た。 （実施例６）発光層として、上記化学式(22)のアルミキ
レート錯体を 120Åの厚さに成膜し、その上に電子輸送
層として上記化学式(45)のＡｌｑ3を210Åの厚さに成膜
した以外は、実施例１と同様にして有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を作製した。
【００５３】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１２Ｖ印加時
に、0.70A/cm2の電流が流れ、波長490nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.203、ｙ＝0.374）で5460cd/m2の青色発光を得た。 （実施例７）発光層として、上記化学式(22)のアルミキ
レート錯体を 200Åの厚さに成膜した以外は、実施例６
と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製
した。
ネッセンス素子においては、両電極間に１２Ｖ印加時
に、0.70A/cm2の電流が流れ、波長490nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.203、ｙ＝0.374）で5460cd/m2の青色発光を得た。 （実施例７）発光層として、上記化学式(22)のアルミキ
レート錯体を 200Åの厚さに成膜した以外は、実施例６
と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製
した。
【００５４】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１３Ｖ印加時
に、0.49A/cm2の電流が流れ、波長495nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.212、ｙ＝0.391）で6480cd/m2の青色発光を得た。 （実施例８）発光層として、上記化学式(31)のアルミキ
レート錯体を150Åの厚さに成膜し、その上に電子輸送
層として上記化学式(45)のＡｌｑ3を200Åの厚さに成膜
した以外は、実施例６と同様にして有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を作製した。
ネッセンス素子においては、両電極間に１３Ｖ印加時
に、0.49A/cm2の電流が流れ、波長495nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.212、ｙ＝0.391）で6480cd/m2の青色発光を得た。 （実施例８）発光層として、上記化学式(31)のアルミキ
レート錯体を150Åの厚さに成膜し、その上に電子輸送
層として上記化学式(45)のＡｌｑ3を200Åの厚さに成膜
した以外は、実施例６と同様にして有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を作製した。
【００５５】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１６Ｖ印加時
に、0.66A/cm2の電流が流れ、波長500nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.246、ｙ＝0.470）で2320cd/m2の青緑色発光を得
た。 （実施例９）発光層として、上記化学式(26)のアルミキ
レート錯体を100Åの厚さに成膜し、その上に電子輸送
層として上記化学式(45)のＡｌｑ3を300Åの厚さに成膜
した以外は、実施例６と同様にして有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を作製した。
ネッセンス素子においては、両電極間に１６Ｖ印加時
に、0.66A/cm2の電流が流れ、波長500nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.246、ｙ＝0.470）で2320cd/m2の青緑色発光を得
た。 （実施例９）発光層として、上記化学式(26)のアルミキ
レート錯体を100Åの厚さに成膜し、その上に電子輸送
層として上記化学式(45)のＡｌｑ3を300Åの厚さに成膜
した以外は、実施例６と同様にして有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を作製した。
【００５６】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１６Ｖ印加時
に、0.61A/cm2の電流が流れ、波長510nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.268、ｙ＝0.511）で978cd/m 2の緑色発光を得た。 （実施例１０）発光層として、上記化学式(27) のアル
ミキレート錯体を 250Åの厚さに成膜し、その上に電子
輸送層として上記化学式(45)のＡｌｑ3を200Åの厚さに
成膜した以外は、実施例６と同様にして有機エレクトロ
ルミネッセンス素子を作製した。
ネッセンス素子においては、両電極間に１６Ｖ印加時
に、0.61A/cm2の電流が流れ、波長510nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.268、ｙ＝0.511）で978cd/m 2の緑色発光を得た。 （実施例１０）発光層として、上記化学式(27) のアル
ミキレート錯体を 250Åの厚さに成膜し、その上に電子
輸送層として上記化学式(45)のＡｌｑ3を200Åの厚さに
成膜した以外は、実施例６と同様にして有機エレクトロ
ルミネッセンス素子を作製した。
【００５７】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１３Ｖ印加時
に、0.49A/cm2の電流が流れ、波長495nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.230、ｙ＝0.456）で3610cd/m2の青緑色発光を得
た。 （実施例１１）発光層として、ホスト物質である上記化
学式(22)のアルミキレート錯体とゲスト物質である上記
化学式(46)のペリレンとを異なる蒸着源から体積比アル
ミキレート錯体：ペリレン＝260:1.2で260Åの厚さに成
膜した以外は、実施例１と同様にして有機エレクトロル
ミネッセンス素子を作製した。
ネッセンス素子においては、両電極間に１３Ｖ印加時
に、0.49A/cm2の電流が流れ、波長495nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.230、ｙ＝0.456）で3610cd/m2の青緑色発光を得
た。 （実施例１１）発光層として、ホスト物質である上記化
学式(22)のアルミキレート錯体とゲスト物質である上記
化学式(46)のペリレンとを異なる蒸着源から体積比アル
ミキレート錯体：ペリレン＝260:1.2で260Åの厚さに成
膜した以外は、実施例１と同様にして有機エレクトロル
ミネッセンス素子を作製した。
【００５８】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１８Ｖ印加時
に、0.69A/cm2の電流が流れ、波長455nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.167、ｙ＝0.227）で3210cd/m2の純度の高い青色発
光を得た。 （実施例１２）発光層として、ホスト物質である上記化
学式(22)のアルミキレート錯体とゲスト物質である上記
化学式(46)のペリレンとを異なる蒸着源から体積比アル
ミキレート錯体：ペリレン＝390:1.8で390Åの厚さに成
膜した以外は、実施例１と同様にして有機エレクトロル
ミネッセンス素子を作製した。
ネッセンス素子においては、両電極間に１８Ｖ印加時
に、0.69A/cm2の電流が流れ、波長455nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.167、ｙ＝0.227）で3210cd/m2の純度の高い青色発
光を得た。 （実施例１２）発光層として、ホスト物質である上記化
学式(22)のアルミキレート錯体とゲスト物質である上記
化学式(46)のペリレンとを異なる蒸着源から体積比アル
ミキレート錯体：ペリレン＝390:1.8で390Åの厚さに成
膜した以外は、実施例１と同様にして有機エレクトロル
ミネッセンス素子を作製した。
【００５９】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１９Ｖ印加時
に、0.65A/cm2の電流が流れ、波長455nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.169、ｙ＝0.261）で4300cd/m2の純度の高い青色発
光を得た。 （実施例１３）発光層として、ホスト物質である上記化
学式(22)のアルミキレート錯体とゲスト物質である上記
化学式(46)のペリレンとを異なる蒸着源から体積比アル
ミキレート錯体：ペリレン＝300:1.6で300Åの厚さに成
膜し、その上に電子輸送層として上記化学式(45)のＡｌ
ｑ3を130Åの厚さに成膜し、最後に陰極金属として膜厚
1000Åのアルミニウム−リチウム合金を成膜した以外
は、実施例１と同様にして有機エレクトロルミネッセン
ス素子を作製した。
ネッセンス素子においては、両電極間に１９Ｖ印加時
に、0.65A/cm2の電流が流れ、波長455nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.169、ｙ＝0.261）で4300cd/m2の純度の高い青色発
光を得た。 （実施例１３）発光層として、ホスト物質である上記化
学式(22)のアルミキレート錯体とゲスト物質である上記
化学式(46)のペリレンとを異なる蒸着源から体積比アル
ミキレート錯体：ペリレン＝300:1.6で300Åの厚さに成
膜し、その上に電子輸送層として上記化学式(45)のＡｌ
ｑ3を130Åの厚さに成膜し、最後に陰極金属として膜厚
1000Åのアルミニウム−リチウム合金を成膜した以外
は、実施例１と同様にして有機エレクトロルミネッセン
ス素子を作製した。
【００６０】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１７Ｖ印加時
に、0.81A/cm2の電流が流れ、波長455nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.167、ｙ＝0.227）で10300cd/m2の純度の高い青色発
光を得た。 （実施例１４）発光層として、ホスト物質である上記化
学式(22)のアルミキレート錯体とゲスト物質である上記
化学式(46)のペリレンとを異なる蒸着源から体積比アル
ミキレート錯体：ペリレン＝390:2.2で390Åの厚さに成
膜し、その上に電子輸送層として上記化学式(45)のＡｌ
ｑ3を220Åの厚さに成膜した以外は、実施例１３と同様
にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
ネッセンス素子においては、両電極間に１７Ｖ印加時
に、0.81A/cm2の電流が流れ、波長455nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.167、ｙ＝0.227）で10300cd/m2の純度の高い青色発
光を得た。 （実施例１４）発光層として、ホスト物質である上記化
学式(22)のアルミキレート錯体とゲスト物質である上記
化学式(46)のペリレンとを異なる蒸着源から体積比アル
ミキレート錯体：ペリレン＝390:2.2で390Åの厚さに成
膜し、その上に電子輸送層として上記化学式(45)のＡｌ
ｑ3を220Åの厚さに成膜した以外は、実施例１３と同様
にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
【００６１】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１６Ｖ印加時
に、0.63A/cm2の電流が流れ、波長455nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.194、ｙ＝0.318）で10540cd/m2の青色発光を得た。
また、この素子を真空中で初期輝度を300cd/m2にし、一
定電流１１mA/cm2で連続駆動試験を行ったところ、６５
時間後に半減した。
ネッセンス素子においては、両電極間に１６Ｖ印加時
に、0.63A/cm2の電流が流れ、波長455nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931)：ｘ
＝0.194、ｙ＝0.318）で10540cd/m2の青色発光を得た。
また、この素子を真空中で初期輝度を300cd/m2にし、一
定電流１１mA/cm2で連続駆動試験を行ったところ、６５
時間後に半減した。
【００６２】（比較例１）発光層として、上記化学式
（４）の化合物を 150Åの厚さに成膜し、その上に電子
輸送層として上記化学式(45)のＡｌｑ3を 400Åの厚さ
に成膜した以外は、実施例６と同様にして有機エレクト
ロルミネッセンス素子を作製した。
（４）の化合物を 150Åの厚さに成膜し、その上に電子
輸送層として上記化学式(45)のＡｌｑ3を 400Åの厚さ
に成膜した以外は、実施例６と同様にして有機エレクト
ロルミネッセンス素子を作製した。
【００６３】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１４Ｖ印加時
に、0.37A/cm2の電流が流れ、波長480nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931):x=0.
175、y=0.213)で1050cd/m2の青色発光を得た。また、こ
の素子を真空中で初期輝度を４０cd/m2にし、一定電流
6.2mA/cm2で連続駆動試験を行ったところ、3.5分後に半
減した。これに対し、上記実施例では、発光層に本発明
のアルミキレート錯体を用いることで輝度、発光効率と
りわけ寿命が著しく向上している。
ネッセンス素子においては、両電極間に１４Ｖ印加時
に、0.37A/cm2の電流が流れ、波長480nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931):x=0.
175、y=0.213)で1050cd/m2の青色発光を得た。また、こ
の素子を真空中で初期輝度を４０cd/m2にし、一定電流
6.2mA/cm2で連続駆動試験を行ったところ、3.5分後に半
減した。これに対し、上記実施例では、発光層に本発明
のアルミキレート錯体を用いることで輝度、発光効率と
りわけ寿命が著しく向上している。
【００６４】（実施例１５）膜厚1500ÅのＩＴＯからな
る陽極が形成されたガラス基板上に各薄膜を真空蒸着法
によって真空度1.0×10-5Torr以下で積層させた。ま
ず、ＩＴＯの上に、正孔輸送層として膜厚500Åの上記
化学式(10)のトリフェニルアミン誘導体の薄膜を形成し
た。次に発光層として、上記化学式（６）の１，１，
４，４−テトラフェニル-１，３−ブタジエンを230Åの
厚さに成膜し、その上に電子輸送層として上記化学式(2
2)のアルミキレート錯体を300Åの厚さに成膜した。最
後に陰極金属として、膜厚1100Åのマグネシウム−銀合
金を成膜した。
る陽極が形成されたガラス基板上に各薄膜を真空蒸着法
によって真空度1.0×10-5Torr以下で積層させた。ま
ず、ＩＴＯの上に、正孔輸送層として膜厚500Åの上記
化学式(10)のトリフェニルアミン誘導体の薄膜を形成し
た。次に発光層として、上記化学式（６）の１，１，
４，４−テトラフェニル-１，３−ブタジエンを230Åの
厚さに成膜し、その上に電子輸送層として上記化学式(2
2)のアルミキレート錯体を300Åの厚さに成膜した。最
後に陰極金属として、膜厚1100Åのマグネシウム−銀合
金を成膜した。
【００６５】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１４Ｖ印加時に
0.37Ａ／cm2の電流が流れ、波長470nmにピークをもつ発
光スペクトル(色純度:ＣＩＥ色度座標(1931):ｘ＝0.15
6、ｙ＝0.185）で1890 cd/m2の１，１，４，４−テトラ
フェニル-１，３−ブタジエンからの青色発光を得たこ
とから、本発明のアルミキレート錯体が電子輸送材料と
して良好に機能していることを確認した。また、この素
子を真空中で初期輝度を４０cd/m2にし、一定電流５．
８mA／cm2で連続駆動試験を行ったところ、５０時間後
に半減した。
ネッセンス素子においては、両電極間に１４Ｖ印加時に
0.37Ａ／cm2の電流が流れ、波長470nmにピークをもつ発
光スペクトル(色純度:ＣＩＥ色度座標(1931):ｘ＝0.15
6、ｙ＝0.185）で1890 cd/m2の１，１，４，４−テトラ
フェニル-１，３−ブタジエンからの青色発光を得たこ
とから、本発明のアルミキレート錯体が電子輸送材料と
して良好に機能していることを確認した。また、この素
子を真空中で初期輝度を４０cd/m2にし、一定電流５．
８mA／cm2で連続駆動試験を行ったところ、５０時間後
に半減した。
【００６６】また、本発明のアルミキレート錯体は成膜
性に秀れ、成膜面は平滑であるため、結晶性の高い１，
１，４，４−テトラフェニル−１．３−ブタジエンの上
に成膜することで陰極も平滑に成膜され、均一な発光面
が得られた。 （比較例２）発光層として、上記化学式（６）の化合物
を360Åの厚さに成膜し、その上に電子輸送層として下
記化学式(47)のＢｕ−ＰＢＤを200Åの厚さに成膜した
以外は、実施例１と同様にして有機エレクトロルミネッ
センス素子を作製した。
性に秀れ、成膜面は平滑であるため、結晶性の高い１，
１，４，４−テトラフェニル−１．３−ブタジエンの上
に成膜することで陰極も平滑に成膜され、均一な発光面
が得られた。 （比較例２）発光層として、上記化学式（６）の化合物
を360Åの厚さに成膜し、その上に電子輸送層として下
記化学式(47)のＢｕ−ＰＢＤを200Åの厚さに成膜した
以外は、実施例１と同様にして有機エレクトロルミネッ
センス素子を作製した。
【００６７】
【化２３】
【００６８】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１３Ｖ印加時
に、0.12A/cm2の電流が流れ、波長465nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931):x=0.
168、y=0.218)で1281cd/m2の青色発光を得た。また、こ
の素子を真空中で初期輝度を４０cd/m2にし、一定電流
3.2mA/cm2で連続駆動試験を行ったところ、４分後に半
減した。これに対し、実施例１５では、電子輸送層に本
発明のアルミキレート錯体を用いることで輝度、発光効
率とりわけ寿命が著しく向上している。
ネッセンス素子においては、両電極間に１３Ｖ印加時
に、0.12A/cm2の電流が流れ、波長465nmにピークをもつ
発光スペクトル（色純度：ＣＩＥ色度座標（1931):x=0.
168、y=0.218)で1281cd/m2の青色発光を得た。また、こ
の素子を真空中で初期輝度を４０cd/m2にし、一定電流
3.2mA/cm2で連続駆動試験を行ったところ、４分後に半
減した。これに対し、実施例１５では、電子輸送層に本
発明のアルミキレート錯体を用いることで輝度、発光効
率とりわけ寿命が著しく向上している。
【００６９】（比較例３）電子輸送層としての上記化学
式(22)のアルミキレート錯体を用いなかった以外は実施
例１５と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子
を作製した。
式(22)のアルミキレート錯体を用いなかった以外は実施
例１５と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子
を作製した。
【００７０】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１１Ｖ印加時に
0.076Ａ／cm2の電流が流れたのみで波長470ｎｍにピー
クを持つ３９cd/m2の青色発光を得た。また、更に電圧
を上げるとこの素子は破壊した。これに対し、実施例１
５では、電子輸送層に本発明のアルミキレート錯体を用
いることで、輝度、発光効率、寿命ともに著しく向上し
ている。
ネッセンス素子においては、両電極間に１１Ｖ印加時に
0.076Ａ／cm2の電流が流れたのみで波長470ｎｍにピー
クを持つ３９cd/m2の青色発光を得た。また、更に電圧
を上げるとこの素子は破壊した。これに対し、実施例１
５では、電子輸送層に本発明のアルミキレート錯体を用
いることで、輝度、発光効率、寿命ともに著しく向上し
ている。
【００７１】またこの素子は化学式（６）の１，１，
４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエンの結晶性
の高さ故に陰極が平滑に成膜できず発光面は不均一であ
った。この様に、結晶性の高い物質を発光層に用いると
きに、本発明のアルミキレート錯体を電子輸送層に用い
ることで、大きな特性改善効果が得られる。 （実施例１６）膜厚1500ÅのＩＴＯからなる陽極が形成
されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法によって真
空度１．０×10-5Torr以下で積層させた。
４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエンの結晶性
の高さ故に陰極が平滑に成膜できず発光面は不均一であ
った。この様に、結晶性の高い物質を発光層に用いると
きに、本発明のアルミキレート錯体を電子輸送層に用い
ることで、大きな特性改善効果が得られる。 （実施例１６）膜厚1500ÅのＩＴＯからなる陽極が形成
されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法によって真
空度１．０×10-5Torr以下で積層させた。
【００７２】まず、ＩＴＯ上に、発光層として、下記化
学式(48)の化合物を450Åの厚さに成膜し、次に電子輸
送層として上記化学式(22)のアルミキレート錯体を300
Åの厚さに成膜した。最後に陰極金属として、膜厚1100
Åのマグネシウム−銀合金を成膜した。
学式(48)の化合物を450Åの厚さに成膜し、次に電子輸
送層として上記化学式(22)のアルミキレート錯体を300
Åの厚さに成膜した。最後に陰極金属として、膜厚1100
Åのマグネシウム−銀合金を成膜した。
【００７３】
【化２４】
【００７４】上記のように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、両電極間に１５Ｖ印加時
に、０．２７A/cm2の電流が流れ、141cd/m2の黄色発光
を得た。
ネッセンス素子においては、両電極間に１５Ｖ印加時
に、０．２７A/cm2の電流が流れ、141cd/m2の黄色発光
を得た。
【００７５】（比較例４）電子輸送層として、上記化学
式(47)のＢｕ−ＰＢＤを300Åの厚さに成膜した以外
は、実施例１６と同様にして有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を作成した。有機エレクトロルミネッセンス素
子においては、両電極間に電圧を印加しても、1cd/m2の
黄色発光を得ただけであった。
式(47)のＢｕ−ＰＢＤを300Åの厚さに成膜した以外
は、実施例１６と同様にして有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を作成した。有機エレクトロルミネッセンス素
子においては、両電極間に電圧を印加しても、1cd/m2の
黄色発光を得ただけであった。
【００７６】このように、発光層と電子輸送層の二層構
造の場合、本発明のアルミキレート錯体を電子輸送層に
用いることで、極めて大きな特性改善効果が得られる。
造の場合、本発明のアルミキレート錯体を電子輸送層に
用いることで、極めて大きな特性改善効果が得られる。
【００７７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による有機
エレクトロルミネッセンス素子においては、有機化合物
からなり互いに積層された電子輸送層、発光層及び正孔
輸送層が陰極及び陽極間に配された構成の有機エレクト
ロルミネッセンスであって、電子輸送層又は発光層が上
記化学式（１）のアルミキレート錯体を含む薄膜からな
るので、効率良く高輝度で長期間に亘って青色発光させ
ることができる。
エレクトロルミネッセンス素子においては、有機化合物
からなり互いに積層された電子輸送層、発光層及び正孔
輸送層が陰極及び陽極間に配された構成の有機エレクト
ロルミネッセンスであって、電子輸送層又は発光層が上
記化学式（１）のアルミキレート錯体を含む薄膜からな
るので、効率良く高輝度で長期間に亘って青色発光させ
ることができる。
【図１】 有機エレクトロルミネッセンス素子の概略構
造図である。
造図である。
【図２】 有機エレクトロルミネッセンス素子の概略構
造図である。
造図である。
【符号の説明】
１ 金属電極（陰極）
２ 透明電極（陽極）
３ 発光層
４ 有機正孔輸送層
５ 有機電子輸送層
６ ガラス基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 山村 重夫
東京都北区志茂３丁目26番８号日本化薬
株式会社 化学品研究所内
(56)参考文献 特開 平５−198377（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−198378（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−214332（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−258859（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−172751（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05B 33/14
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (6)
- 【請求項１】下記の一般式（１）で示されるアルミキレ
ート錯体 【化１】 （上記式（１）中、Ｒ1及びＲ2は、独立に、水素原子
（但しＲ1及びＲ2が同時に水素原子である場合を除
く）、炭素数１〜８のアルキル基を表し、Ａは、下記式
（２）で表される連結基、 【化２】 （上記式（２）中、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5及びＲ6は、独立に、
水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜５の
アルコキシ基、アリル基、ハロゲン原子、水酸基を表
し、Ｘは−ＣＲ7Ｒ8−（Ｒ7及びＲ8は、独立に、水素原
子、フェニル基、炭素数１〜８のアルキル基を表す）、
−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＳＯ2−、−ＣＯＯＣＨ2
−を表す）を表す）。 - 【請求項２】陽極、有機化合物を含有する正孔輸送層、
有機化合物を含有する発光層及び陰極が順に積層された
有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光
層が下記一般式（１）で示されるアルミキレート錯体、 【化３】 （上記式（１）中、Ｒ1及びＲ2は、独立に、水素原子
（但しＲ1及びＲ2が同時に水素原子である場合を除
く）、炭素数１〜８のアルキル基を表し、Ａは、下記式
（２）で表される連結基、 【化４】 （上記式（２）中、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5及びＲ6は、独立に、
水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜５の
アルコキシ基、アリル基、ハロゲン原子、水酸基を表
し、Ｘは−ＣＲ7Ｒ8−（Ｒ7及びＲ8は、独立に、水素原
子、フェニル基、炭素数１〜８のアルキル基を表す）、
−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＳＯ2−、−ＣＯＯＣＨ2
−を表す）を表す）を含有することを特徴とする有機エ
レクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項３】前記陰極及び前記発光層間に有機化合物を
含有する電子輸送層が配されることを特徴とする請求項
２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項４】陽極、有機化合物を含有する発光層、有機
化合物を含有する電子輸送層及び陰極が順に積層された
有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記電子
輸送層が下記一般式（１）で示されるアルミキレート錯
体、 【化５】 （上記式（１）中、Ｒ1及びＲ2は、独立に、水素原子
（但しＲ1及びＲ2が同時に水素原子である場合を除
く）、炭素数１〜８のアルキル基を表し、Ａは、下記式
（２）で表される連結基、 【化６】 （上記式（２）中、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5及びＲ6は、独立に、
水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜５の
アルコキシ基、アリル基、ハロゲン原子、水酸基を表
し、Ｘは−ＣＲ7Ｒ8−（Ｒ7及びＲ8は、独立に、水素原
子、フェニル基、炭素数１〜８のアルキル基を表す）、
−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＳＯ2−、−ＣＯＯＣＨ2
−を表す）を表す）からなることを特徴とする有機エレ
クトロルミネッセンス素子。 - 【請求項５】前記陽極及び前記発光層間に有機化合物を
含有する正孔輸送層が配されることを特徴とする請求項
４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項６】前記発光層が、前記アルミキレート錯体の
発光波長帯と重なる吸収波長帯を有する蛍光物質を含む
ことを特徴とする請求項２または３記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29075193A JP3526066B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | アルミキレート錯体及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29075193A JP3526066B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | アルミキレート錯体及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07138266A JPH07138266A (ja) | 1995-05-30 |
| JP3526066B2 true JP3526066B2 (ja) | 2004-05-10 |
Family
ID=17760064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29075193A Expired - Fee Related JP3526066B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | アルミキレート錯体及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3526066B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
| TW528789B (en) * | 2000-12-22 | 2003-04-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent device comprising an electroluminescent material of at least two metal chelates |
| KR100488495B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2005-05-11 | 동아대학교 산학협력단 | 나프타퀸논유도체와 나프타센디온유도체를 이용한전자발광물질의 제조방법 |
| US8470208B2 (en) * | 2006-01-24 | 2013-06-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Organometallic complexes |
| DE102013013876A1 (de) * | 2013-08-20 | 2015-03-12 | Merck Patent Gmbh | Metallkomplexe |
-
1993
- 1993-11-19 JP JP29075193A patent/JP3526066B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH07138266A (ja) | 1995-05-30 |
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