CN101356298A - 成膜装置的排气系统结构、成膜装置和排出气体的处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的成膜装置(100)具有处理容器(11)，向处理容器(11)内供给TiCl4气体和NH3气体，利用CVD在配置于处理容器(11)内的基板(W)上形成TiN膜。在处理容器(11)中设置有排气系统结构(300)。该排气系统结构(300)包括：排出处理容器(11)内的排出气体的排气管(51)；设置于排气管(51)上用于捕捉排出气体中的副产物的捕集结构(54)；和加热反应气体供给机构(60)，在对用于与排出气体中的成分反应得到规定副产物的反应气体进行加热后的状态下，向排出气体中供给该反应气体。从加热反应气体供给机构(60)供给NH3气体作为加热反应气体，生成NH4Cl作为副产物。

Description

成膜装置的排气系统结构、成膜装置和排出气体的处理方法
技术领域
本发明涉及利用CVD形成规定的膜的成膜装置的排气系统结构、具有这种排气系统结构的成膜装置、和排出气体的处理方法。
背景技术
在半导体装置的制造过程中，对作为被处理基板的半导体晶片进行成膜处理、改性处理、氧化扩散处理、蚀刻处理等各种处理。
其中，作为成膜处理，多数采用CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相积淀)法，该方法在收纳有半导体晶片的腔室内导入规定的处理气体，利用化学反应形成规定的膜。在CVD法中，在作为被处理基板的半导体晶片上使处理气体发生反应而成膜，但是此时，有助于反应的处理气体为10％左右，大部分的处理气体未反应。
这种未反应的气体，通过在腔室内、或向排气管中导入与其反应的气体，在流经排气管的途中发生反应而形成副产物，与生成TiN时所形成的副产物一起流动。但是因为这种副产物一旦被冷却，就会使配管堵塞，或使真空泵破损，所以通常在从腔室延伸的配管上设置有捕集机构，由此捕捉副产物。
但是，虽然期望利用捕集机构，以容易捕捉且其结构较稳定的化合物的状态进行捕捉，但是按照成膜处理时的各处理气体的流量比生成的副产物未必就是所期望的化合物。对于该问题，专利文献1中公开了下述的技术，直接向捕集机构或者向其上游侧的配管中导入与从腔室排出的杂质气体反应的气体，使其反应形成能够被捕集的副产物。
专利文献1：日本专利特开2001-214272号公报
但是，即使是在理论上通过导入规定的反应气体生成容易捕集的所期望的稳定副产物的情况下，实际上也存在未发生充分的反应，生成不稳定的副产物，或生成配合物等不确定结构的副产物的情况。在这种情况下，由于难于利用捕集器捕捉，存在需要使捕集器大型化、或因反应生成物的生成状态(密度等)的不同而造成捕集机构的堵塞时期的不同等的担心。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种能够稳定地捕捉所期望的高密度副产物的成膜装置的排气系统结构、具有这种排气系统结构的成膜装置和排出气体的处理方法。
为了解决上述课题，本发明为一种成膜装置的排气系统结构，其为向处理容器内供给处理气体、利用CVD在配置于处理容器内的基板上形成膜的成膜装置的排气系统结构，其特征在于，包括：与上述处理容器连接、排出处理容器内的排出气体的排气管；设置于上述的排气管上、用于捕捉排出气体中的副产物的捕集机构；和加热反应气体供给机构，在对用于与上述排出气体中的成分反应生成规定的副产物的反应气体进行加热后的状态下，向排出气体中供给该反应气体。
本发明的成膜装置的排气系统结构，其特征在于：向处理容器内供给作为处理气体的TiCl4气体和NH3气体，利用CVD在配置于处理容器内的基板上形成TiN膜，同时从上述加热反应气体供给机构供给作为加热反应气体的NH3气体，生成作为上述副产物的NH4Cl。
本发明的成膜装置的排气系统结构，其特征在于：作为上述加热反应气体的NH3气体在加热至170℃以上的状态下被供给。
本发明的成膜装置的排气系统结构，其特征在于：上述加热反应气体供给机构，通过配管向上述排气管的上述捕集机构的上游侧供给被加热的反应气体。
本发明的成膜装置的排气系统结构，其特征在于：上述加热反应气体供给机构，通过配管向上述捕集机构供给被加热的反应气体。
本发明的成膜装置的排气系统结构，其特征在于：上述加热反应气体供给机构包括对反应气体进行加热的反应气体加热部。上述反应气体加热部包括在其中对反应气体进行加热的加热容器、和配置于上述加热容器内的经过绕线加工的发热体。
本发明的成膜装置的排气系统结构，其特征在于：在上述处理容器的入口侧，连接有不通过上述处理容器而对处理气体进行排气的旁路配管。
本发明的成膜装置的排气系统结构，其特征在于：还包括加热混合容器，对在上述旁路配管中流通的处理气体和从上述加热反应气体供给机构供给的加热反应气体进行加热混合。
本发明为一种成膜装置，用于在基板上形成膜，其特征在于，包括：配置有基板的处理容器；向配置有基板的处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；向上述处理气体提供能量而在基板上发生成膜反应的单元；和从上述处理容器排出排出气体，并对排出气体进行处理的排气系统结构。上述排气系统结构包括：排出上述处理容器内的排出气体的排气管；设置于上述排气管上、用于捕捉排出气体中的副产物的捕集机构；和加热反应气体供给机构，在对用于与上述排出气体中的成分反应生成规定的副产物的反应气体进行加热后的状态下，向排出气体中供给该反应气体。
本发明的成膜装置，其特征在于：处理气体供给机构向配置有基板的处理容器内供给作为处理气体的TiCl4气体和NH3气体，设置有用于在配置于处理容器内的基板上发生成膜反应而形成TiN膜的对基板进行加热的单元，从上述加热反应气体供给机构供给作为加热反应气体的NH3气体，生成作为上述副产物的NH4Cl。
本发明为一种排出气体的处理方法，该方法为向处理容器内供给处理气体、利用CVD在配置于处理容器内的基板上形成膜的成膜装置的排出气体的处理方法，其特征在于：将上述处理容器内的排出气体排出至与处理容器连接的排气管，向在该排气管中流通的排出气体中供给被加热的反应气体，进行与排出气体中的规定成分之间形成规定的副产物的反应，由捕集机构捕集形成的副产物。
本发明的排出气体的处理方法，其特征在于：向处理容器内供给作为处理气体的TiCl4气体和NH3气体，利用CVD在配置于处理容器内的基板上形成TiN膜，同时向在该排气管中流通的排出气体中供给被加热的作为反应气体的NH3气体，进行与排出气体中的TiCl4之间形成作为副产物的NH4Cl的反应，由捕集机构捕集形成的作为副产物的NH4Cl。
本发明为一种计算机能够读取的存储介质，存储有由计算机执行控制程序的软件，其特征在于：上述控制程序执行时，由计算机控制成膜装置，实施排出气体的处理方法。该排出气体的处理方法为，向处理容器内供给处理气体、利用CVD在配置于处理容器内的基板上形成膜的成膜装置的排出气体的处理方法，该排出气体的处理方法中，将上述处理容器内的排出气体排出至与处理容器连接的排气管，向在该排气管中流通的排出气体中供给被加热的反应气体，进行与排出气体中的规定成分之间形成规定的副产物的反应，由捕集机构捕集形成的副产物。
本发明为一种计算机程序，其为使计算机发挥功能的计算机程序，其特征在于，该计算机程序由计算机控制成膜装置，实施排出气体的处理方法。该排出气体的处理方法为，向处理容器内供给处理气体、利用CVD在配置于处理容器内的基板上形成膜的成膜装置的排出气体的处理方法，该排出气体的处理方法中，将上述处理容器内的排出气体排出至与处理容器连接的排气管，向在该排气管中流通的排出气体中供给被加热的反应气体，进行与排出气体中的规定成分之间形成规定的副产物的反应，由捕集机构捕集形成的副产物。
根据本发明，在对用于与排出气体中的成分进行反应生成规定的副产物的反应气体进行加热的状态下向排出气体中供给，因此，能够提高生成该副产物的反应的反应性，使反应充分进行，并能够仅生成稳定副产物，并被捕集机构捕捉。因此，能够抑制不确定因素高的副产物的生成，提高捕捉效率。
特别在作为处理气体使用TiCl4气体和NH3气体，作为加热反应气体供给机构向排气管中供给NH3气体的情况下，作为副产物，能够生成密度高且稳定的NH4Cl。因为该副产物容易捕捉、不易造成捕集机构堵塞时期的不同等，所以能够不使捕集机构大型化即可高效地进行捕捉。
附图说明
图1为表示具有本发明一个实施方式的排气系统结构的成膜装置的示意图。
图2为表示用于图1所示的成膜装置的排气系统中的加热反应气体供给机构的示意图。
图3为表示将用于图1所示的成膜装置的排气系统中的捕集机构部分切去的立体图。
图4为表示图1所示的成膜装置的排气系统中的加热反应气体供给机构的连接形式的其它例的示意图。
图5为表示在图1所示的成膜装置的排气系统中使在旁路配管中流通的处理气体和加热反应气体在加热混合室内混合的例子的示意图。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。在本实施方式中，以利用CVD在作为被处理基板的半导体晶片(以下略写为晶片)的表面上形成TiN膜的装置为例进行说明。
图1为表示具有本发明的一个实施方式的排气系统结构的成膜装置的示意图。
该成膜装置100大致分为成膜处理部200和排气系统300。
成膜处理部200具有由铝或铝合金(例如JIS A5052)构成的大致呈圆筒状的腔室(处理容器)11。在腔室11的内部，用于水平地支承作为被处理基板的晶片W的基座12以由设置在其中央下部的圆筒状的支承部件13支承的状态配置。基座12中埋设有加热器14，该加热器14将作为被处理基板的晶片W加热至规定的温度。
在腔室11的上部设置有作为气体喷出部件的喷头20。该喷头20呈圆盘状，内部设有气体扩散空间21，下部形成有多数的气体喷出孔22。另外，在其上部中央设置有气体供给口23。
在腔室11底壁的中央部，形成有圆形的孔31。在腔室11的底壁，设置有以覆盖该孔31的方式向下方突出的排气室32。在排气室32的底面形成有排气口33。另外，在腔室11的侧壁形成有用于搬入搬出晶片W的搬入搬出口35，利用闸阀36可以开关该搬入搬出口35。
上述喷头20上连接有通过配管41供给用于成膜的处理气体的处理气体供给系统40。在该配管41的途中设置有开关阀42。处理气体供给系统40，具有用于分别供给TiCl4气体、NH3气体、N2气体等的多个气体供给源，可以利用质量流量控制器等流量控制装置对其进行流量控制，并通过配管41和喷头20向腔室11内供给。其中，为方便起见，配管41仅用1根表示，但也可以利用单独的配管供给各气体。
另一方面，排气系统300具有与上述排气口33连接的排气管51。该排气管51可以使用不锈钢制的内径为5～10cm左右的排气管。在该排气管51上，从上游侧依次设置有开关阀52、压力调整阀53、用于捕捉排出气体中的反应副产物的捕集机构54、用于对腔室11进行排气的真空泵55、和用于完全除去残存于排出气体中的杂质的除害装置56。其中，在图1中，压力调整阀53也可以设置于捕集器54与真空泵55之间。由此，向压力调整阀53内附着的反应副产物减少，所以能够延长压力调整阀53的维护周期。
连接有旁路配管58，使得连接上述配管41中的开关阀42的上游部分和上述排气管51中的压力调整阀53的近距离的下游部分。该旁路配管58中设置有开关阀29。该旁路配管58用于使气体流量稳定时等流通的处理气体不经腔室11而直接向排气管51排出。
在排气管51中的捕集机构54的上游侧部分，通过喷嘴62连接有从加热反应气体供给机构60相连的配管61。在加热反应气体供给配管61中，设置有质量流量控制器等流量控制器63和开关阀64。而且，从加热反应气体供给机构60，经过加热反应气体供给配管61和喷嘴62，向在排气管51中流通的未反应的处理气体和副产物中供给已被加热的反应气体，由此，可以生成利用捕集机构54容易捕捉且稳定的密度高的副产物。在本实施方式的情况下，作为这种已被加热的反应气体，典型地供给被加热的NH3气体。
如图2所示，该加热反应气体供给机构60，包括反应气体供给源65和反应气体加热部66，反应气体加热部66包括加热反应气体的气体加热容器67和配置于其中的发热体68。该发热体68，为绕线加工为特殊形状使其发热面积显著增大的发热体，可以将供给至气体加热容器67的反应气体瞬时加热。发热体68上连接有电源69，通过控制该电源69的输出，将反应气体加热至预期的温度。此时，从能够可靠地进行预期的反应的观点出发，加热反应气体的温度优选为170℃以上。并且，从设备上和安全上等观点出发，优选为400℃以下。进一步优选为200～350℃。并且，在处理气体供给系统40含有反应气体的情况下，还可以省略反应气体供给源65，从处理气体供给系统供给反应气体。
如图3的放大图所示，上述捕集机构54具有圆筒形的筐体71。在筐体71的侧壁上部，设置有排出气体导入部72和排出气体排出部73。在筐体71的排出气体排出部73一侧，以相对筐体71偏心的状态形成有圆筒形的冷却室74，在筐体71内，冷却室74与其外侧在筐体71的底部连通。在筐体71内的冷却室74的外侧部分，以水平状态沿高度方向安装有数片具有多个气体通过孔75a的捕捉板75。另一方面，在冷却室74内，也以水平状态沿高度方向安装有数片具有多个气体通过孔76a的捕捉板76。在冷却室74内，以贯通数片捕捉板76的方式设置有冷却水配管77，通过在该冷却水配管77内流通冷却水，将捕捉板76冷却。并且，在筐体71的外侧，设置有与冷却水配管77连接的冷却水供给管78a和冷却水排出管78b。
在该捕集机构54中，从上述排出气体导入部72导入筐体71内的排出气体，通过捕捉板75的气体通过孔75a导向下方，在筐体71的底部到达冷却室74，在冷却室74中，通过从下方冷却的捕捉板76的气体通过孔76a，从排出气体排出部73排出。由此，副产物被捕捉板75、76捕捉。此时，因为利用冷却水冷却捕捉板76，所以能够提高捕捉效率。
在配管41、旁路配管58、排气管51上，如图中的虚线所示，分别缠绕有带形加热器81、82、83。由此将其分别加热至规定的温度，防止气体成分在管内凝结。并且，在加热反应气体供给配管61上也缠绕有带形加热器84。由此，防止从加热反应气体供给机构60供给的加热反应气体的温度下降。
成膜装置100的构成部构成为，与由微处理机(计算机)构成的过程控制器110连接并被控制。并且过程控制器110与用户界面111连接，该用户界面111由工序管理者为管理成膜装置100而进行命令输入操作等的键盘、可视化显示过程控制器110的工作情况的显示器等构成。此外，过程控制器110与存储部112连接，存储部112中存储有用于在过程控制器110的控制下实现在成膜装置100中实施的各种处理的控制程序、和用于根据处理条件对蚀刻装置100的各构成部实施处理的程序即方案。方案可以存储于硬盘或半导体存储器中，也可以在收容于CDROM、DVD等便携式存储介质中的状态下安装在存储部112的规定位置。还可以从其他装置通过例如专用线路，适当传送方案。并且，根据需要，根据来自用户界面111的指令等，从存储部112调出任意的方案，由过程控制器110执行，由此，在过程控制器110的控制下，进行利用成膜装置100的预期的处理。
下面，对于如上所述构成的成膜装置100的处理动作进行说明。
首先，使排气系统300动作，将腔室11内抽真空，然后，将晶片W搬入腔室11内，载置于基座12上。然后，利用加热器14将晶片W加热至规定的温度。在该状态下，从处理气体供给系统40，以规定的流量供给TiCl4气体、NH3气体、N2气体，最初在旁路配管58内流动，进行提前送气，待流量稳定后，切换至配管41，通过喷头20向腔室11内供给，同时，使压力调整阀53动作，使腔室11内保持为规定的压力。在该状态下，在载置于基座12上并保持为规定温度的晶片W上，TiCl4气体与NH3气体发生反应，在晶片W表面上堆积TiN膜。
在如此供给TiCl4气体、NH3气体、N2气体形成TiN膜的情况下，排出气体通过排气管51排气。在这种情况下，在反应中消耗的处理气体为10％左右，大部分的处理气体未反应。这种未反应的处理气体，通过在腔室11内、或向排气管中导入与其反应的气体，在流经排气管51的途中发生反应而形成副产物，与生成TiN时所形成的副产物一起在排气管51中流动。
此时，在腔室11内和排气管51中，如果能够发生下述(1)式的反应，作为副产物主要生成NH4Cl，则能够作为利用捕集机构54容易捕捉且密度高、稳定的副产物进行捕捉。即，在本实施方式中，NH4Cl为应利用捕集机构54捕捉的副产物。
6TiCl4+32NH3→6TiN+24NH4Cl+N2    (1)
另一方面，在形成TiN膜时，因为向腔室11导入大致等量的作为处理气体的TiN4气体和NH3气体，用于发生上述(1)式的反应，NH3气体不足。因此，本实施方式中，从加热反应气体供给机构60向配管51供给已被加热的NH3气体，以补充NH3气体，使得发生上述(1)式的反应。此时NH3气体的供给量可以设定为根据(1)式用于成膜的NH3流量的4倍左右的流量。
在这种情况下，如果导入仍处于常温状态的NH3气体，则虽然捕集机构54的捕捉率提高，但是上述(1)式的反应不能充分地发生，作为不确定要素，生成根据下述(2)式生成的配合物(TiCl4·4NH3)。因为该TiCl4·4NH3难于被捕集机构54捕捉，所以不得不使捕集机构54大型化。并且，因为TiCl4·4NH3的密度小且体积大，所以如果形成较多的该配合物，则有时还会导致捕集机构54提早堵塞。而且，因为该TiCl4·4NH3的生成量不确定，所以导致捕集机构堵塞时期不同。
TiCl4+4NH3→TiCl4·4NH3    (2)
对于产生这种不妥的原因进行了深入研究，结果判定其原因为，在仅向排气管51导入NH3气体的情况下，用于进行上述(1)式反应的热量不足。并且发现，为了抑制上述(2)式的反应，而使(1)式的反应处于优势，只要加热NH3气体并向排气管51供给即可。
因此，在本实施方式中，从加热反应气体供给机构60向排气管51供给已被加热的NH3气体，抑制上述(2)式的反应，并利用捕集机构54捕捉以根据上述(1)式生成的NH4Cl为主体的副产物。从切实地进行上述(1)式的反应的观点出发，此时的NH3气体的温度优选为170℃以上。此外，从设备上和安全上等的观点出发，优选为400℃以下。在捕集机构54中，由捕捉板75、76捕捉副产物，但是因为捕捉板76在冷却室74内被冷却，所以NH4Cl气体由此而被冷却，能够更好地维持捕捉效率。
这里，TiCl4·4NH3为TiCl4上配位结合有4个NH3的配合物。因为NH4Cl是化学结合力更强的以离子键结合的盐，所以通过抑制作为不确定要素的TiCl4·4NH3的生成并生成以NH4Cl为主体的副产物，能够得到密度高且稳定、容易捕捉的副产物。并且，还可以减少捕集机构54的堵塞时间不同的担心。因此，不需使捕集机构54大型化，即能够可靠且高效地捕捉副产物，并能够显著地延长捕集机构54的维护周期。此外，在使平均维护周期相等的情况下，能够使捕集机构54小型化。
此外，作为捕集机构54，使用与现有技术使用的相同的装置进行实验，结果能够使副产物的体积为1/3左右，使捕集机构54的维护周期延长3倍。
如上所述操作，由捕集机构54捕捉副产物后的残余的排出气体经过真空泵55，送至除害装置56，在其中杂质成分被完全除去。然而，通过根据上述(1)式进行反应，能够利用捕集机构54同时捕捉TiN和NH4Cl，而N2为无害气体成分，所以能够大量减少不能利用捕集机构54捕捉的有害杂质成分的量，能够减轻除害装置56的负担。因此，还能够实现除害装置56的运转费用的减少和寿命的延长。
因为通过配管61供给从加热反应气体供给机构60供给的被加热的NH3气体，所以存在到达排气管51时温度降低的担忧，但是通过利用带形加热器84对配管61进行加热，能够抑制NH3气体的温度降低，以预期的温度进行供给。
在本实施方式中，向排气管51中导入如此被加热的NH3气体，所以反应性高。因此，在向排气管51供给被加热的NH3气体时，仅将喷嘴62插入排气管51即可。并且，因为这种反应性很高，可以如图4所示，在捕集机构54上设置气体导入口79，将配管61与其连接，直接向捕集机构54导入被加热的NH3气体。
另外，还可以如图5所示，在配管61的途中设置加热混合容器85，将旁路配管58与其连接，以代替将旁路配管58与配管51直接相连。由此，可以使流经旁路配管58的处理气体与被加热的NH3气体加热混合，然后流入排气管51。由此能够进一步提高流经旁路配管58的处理气体的捕捉效率。
并且，本发明不限于上述实施方式，可以进行各种变形。例如，在上述实施方式中，以使用TiCl4气体、NH3气体形成TiN膜的情况为例进行说明，但不局限于此，可以适用于以下例示的各种成膜处理。
(1)在使用TiCl4气体、H2气体形成Ti膜时应用本发明的情况下，HCl为应捕捉的副产物，通过向排出气体中供给作为加热反应气体的经过加热的H2，能够稳定地捕捉HCl。
(2)在使用WF6气体和SiH4气体作为原料形成W膜时应用本发明的情况下，SiF4、HF为应捕捉的副产物，通过向排出气体中供给作为加热反应气体的经过加热的SiH4气体，能够稳定地捕捉SiF4、HF。
(3)在以WF6气体和SiH2Cl2气体作为原料形成W膜时应用本发明的情况下，SiF4、HF、HCl、Cl2等为应捕捉的副产物，通过向排出气体中供给作为加热反应气体的经过加热的SiH2Cl2气体，能够稳定地捕捉SiF4、HF、HCl、Cl2等。
(4)在使用Ta(OC2H5)气体形成作为高介电常数材料的Ta2O5膜的情况下，通过向排出气体中供给作为加热反应气体的经过加热的水蒸气或经过加热的O2气体，能够稳定地捕捉组成不能确定但密度高的固态物。
另外，在上述实施方式中，通过在气体加热容器67中配置被绕线加工为特殊形状显著增大发热面积的发热体68，使NH3气体在其中通过，从而进行作为反应气体的NH3气体的加热，以该情况为例进行了说明，但本发明并不局限于此，可以广泛采用现有已知的气体加热方法。
并且，捕集机构54的结构也没有特别限定，只要是一直以来使用的结构的捕集机构即可适用。
还有，在上述实施方式中，作为被处理基板，以半导体晶片进行例示，但是本发明并不局限于此，还可以应用于以液晶显示装置(LCD)为代表的平板显示(FPD)用的玻璃基板等、以及其它基板。

Claims (14)

1.一种成膜装置的排气系统结构，其为向处理容器内供给处理气体、利用CVD在配置于处理容器内的基板上形成膜的成膜装置的排气系统结构，其特征在于，包括：
与所述处理容器连接、排出处理容器内的排出气体的排气管；
设置于所述排气管上、用于捕捉排出气体中的副产物的捕集机构；和
加热反应气体供给机构，在对用于与所述排出气体中的成分反应生成规定副产物的反应气体进行加热后的状态下，向排出气体中供给该反应气体。
2.如权利要求1所述的成膜装置的排气系统结构，其特征在于：
向处理容器内供给作为处理气体的TiCl4气体和NH3气体，利用CVD在配置于处理容器内的基板上形成TiN膜，同时，
从所述加热反应气体供给机构供给作为加热反应气体的NH3气体，生成作为所述副产物的NH4Cl。
3.如权利要求2所述的成膜装置的排气系统结构，其特征在于：
作为所述加热反应气体的NH3气体在加热至170℃以上的状态下被供给。
4.如权利要求1所述的成膜装置的排气系统结构，其特征在于：
所述加热反应气体供给机构，通过配管向所述排气管的所述捕集机构的上游侧供给被加热的反应气体。
5.如权利要求1所述的成膜装置的排气系统结构，其特征在于：
所述加热反应气体供给机构，通过配管向所述捕集机构供给被加热的反应气体。
6.如权利要求1所述的成膜装置的排气系统结构，其特征在于：
所述加热反应气体供给机构包括对反应气体进行加热的反应气体加热部，所述反应气体加热部包括在其中对反应气体进行加热的加热容器、和配置于所述加热容器内的经过绕线加工的发热体。
7.如权利要求1所述的成膜装置的排气系统结构，其特征在于：
在所述处理容器的入口侧，连接有不通过所述处理容器而对处理气体进行排气的旁路配管。
8.如权利要求7所述的成膜装置的排气系统结构，其特征在于：
还包括加热混合容器，对在所述旁路配管中流通的处理气体和从所述加热反应气体供给机构供给的加热反应气体进行加热混合。
9.一种成膜装置，用于在基板上形成膜，其特征在于，包括：
配置有基板的处理容器；
向配置有基板的处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；
向所述处理气体提供能量而在基板上发生成膜反应的单元；和
从所述处理容器排出排出气体，并对排出气体进行处理的排气系统结构，其中，所述排气系统结构包括：
排出所述处理容器内的排出气体的排气管；
设置于所述排气管上、用于捕捉排出气体中的副产物的捕集机构；和
加热反应气体供给机构，在对用于与所述排出气体中的成分反应生成规定副产物的反应气体进行加热后的状态下，向排出气体中供给该反应气体。
10.如权利要求9所述的成膜装置，其特征在于：
处理气体供给机构向配置有基板的处理容器内供给作为处理气体的TiCl4气体和NH3气体，
设置有用于在配置于处理容器内的基板上发生成膜反应而形成TiN膜的对基板进行加热的单元，
从所述加热反应气体供给机构供给作为加热反应气体的NH3气体，生成作为所述副产物的NH4Cl。
11.一种排出气体的处理方法，其为向处理容器内供给处理气体、利用CVD在配置于处理容器内的基板上形成膜的成膜装置的排出气体的处理方法，其特征在于：
将所述处理容器内的排出气体排出至与处理容器连接的排气管，
向在该排气管中流通的排出气体中供给被加热的反应气体，进行与排出气体中的规定成分之间形成规定的副产物的反应，
由捕集机构捕集形成的副产物。
12.如权利要求11所述的排出气体的处理方法，其特征在于：
向处理容器内供给作为处理气体的TiCl4气体和NH3气体，利用CVD在配置于处理容器内的基板上形成TiN膜，同时，
向在该排气管中流通的排出气体中供给被加热的作为反应气体的NH3气体，进行与排出气体中的TiCl4之间形成作为副产物的NH4Cl的反应，
由捕集机构捕集形成的作为副产物的NH4Cl。
13.一种计算机能够读取的存储介质，存储有由计算机执行控制程序的软件，其特征在于：
所述控制程序执行时，由计算机控制成膜装置，实施排出气体的处理方法，
该排出气体的处理方法为，向处理容器内供给处理气体、利用CVD在配置于处理容器内的基板上形成膜的成膜装置的排出气体的处理方法，该排出气体的处理方法中，
将所述处理容器内的排出气体排出至与处理容器连接的排气管，
向在该排气管中流通的排出气体中供给被加热的反应气体，进行与排出气体中的规定成分之间形成规定副产物的反应，
由捕集机构捕集形成的副产物。
14.一种计算机程序，其为使计算机发挥功能的计算机程序，其特征在于：
该计算机程序由计算机控制成膜装置，实施排出气体的处理方法，
该排出气体的处理方法为，向处理容器内供给处理气体、利用CVD在配置于处理容器内的基板上形成膜的成膜装置的排出气体的处理方法，该排出气体的处理方法中，
将所述处理容器内的排出气体排出至与处理容器连接的排气管，
向在该排气管中流通的排出气体中供给被加热的反应气体，进行与排出气体中的规定成分之间形成规定副产物的反应，
由捕集机构捕集形成的副产物。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110387537A (zh) * 2018-04-20 2019-10-29 北京北方华创微电子装备有限公司 一种原子层沉积设备及气体传输方法
CN110729166A (zh) * 2019-09-23 2020-01-24 长江存储科技有限责任公司 存储器的制作设备及制作方法
CN114107949A (zh) * 2020-08-25 2022-03-01 韩华株式会社 配备有自由基部的基板处理装置

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007197302A (ja) * 2005-12-28 2007-08-09 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法および製造装置
JP5036354B2 (ja) 2006-04-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法
US9157152B2 (en) * 2007-03-29 2015-10-13 Tokyo Electron Limited Vapor deposition system
JP5133013B2 (ja) * 2007-09-10 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法
JP5233734B2 (ja) * 2008-02-20 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置、成膜装置及び成膜方法
JP5281146B2 (ja) * 2009-03-13 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、トラップ装置、基板処理装置の制御方法及びトラップ装置の制御方法
JP2010225640A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び排気方法
JP5254279B2 (ja) * 2010-06-29 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及び基板処理装置
JP5837351B2 (ja) 2010-08-05 2015-12-24 株式会社荏原製作所 排気系システム
US8241596B2 (en) * 2010-12-31 2012-08-14 Mks Instruments, Inc. High-efficiency, hot trap apparatus and method
US20120304930A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Gregory Scott Verdict Chamber exhaust in-situ cleaning for processing apparatuses
JP5728341B2 (ja) * 2011-09-13 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 排気トラップ
JP6054695B2 (ja) * 2011-11-25 2016-12-27 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5877702B2 (ja) * 2011-12-14 2016-03-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法
KR101427726B1 (ko) * 2011-12-27 2014-08-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US20140196664A1 (en) * 2013-01-17 2014-07-17 Air Products And Chemicals, Inc. System and method for tungsten hexafluoride recovery and reuse
TWI588286B (zh) * 2013-11-26 2017-06-21 烏翠泰克股份有限公司 經改良的電漿強化原子層沉積方法、周期及裝置
US9240308B2 (en) * 2014-03-06 2016-01-19 Applied Materials, Inc. Hall effect enhanced capacitively coupled plasma source, an abatement system, and vacuum processing system
CN106224740A (zh) * 2016-08-28 2016-12-14 关宝强 一种显示器支架
JP6851173B2 (ja) * 2016-10-21 2021-03-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
GB2569120B (en) * 2017-12-05 2021-02-10 Edwards Ltd Thermal management method and apparatus
JP7094172B2 (ja) 2018-07-20 2022-07-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、原料供給装置及び成膜方法
WO2020163074A1 (en) * 2019-02-05 2020-08-13 Applied Materials, Inc. Multi channel splitter spool
EP3957777A4 (en) * 2019-04-15 2022-12-28 NuFlare Technology, Inc. DEVICE FOR EPITACTIC GROWING OF SIC
KR102226528B1 (ko) * 2019-08-08 2021-03-11 주식회사 미래보 반도체 공정의 반응부산물 포집장치
JP6928052B2 (ja) * 2019-10-11 2021-09-01 ミラエボ カンパニー リミテッド 冷却流路を備えた半導体プロセスの反応副産物捕集装置
KR20210063493A (ko) 2019-11-21 2021-06-02 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 장치의 제조 설비
KR102466189B1 (ko) * 2020-08-25 2022-11-10 주식회사 한화 수소 라디칼을 이용한 기판 처리장치
KR102311939B1 (ko) * 2021-04-28 2021-10-13 주식회사 미래보 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치
KR102311930B1 (ko) * 2021-04-28 2021-10-13 주식회사 미래보 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치
DE102022102768A1 (de) 2022-02-07 2023-08-10 Stephan Wege Symmetrischer Prozessreaktor

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60183004A (ja) 1984-03-02 1985-09-18 Hitachi Ltd 液体金属用ベ−パトラック
JPH01312833A (ja) * 1988-06-09 1989-12-18 Nec Corp 気相成長装置
JP2581955B2 (ja) 1988-07-11 1997-02-19 富士写真フイルム株式会社 半導体デバイスの熱処理装置
JP3067312B2 (ja) * 1991-09-27 2000-07-17 松下電器産業株式会社 薄膜形成装置
JPH073464A (ja) 1993-06-17 1995-01-06 Sony Corp 排ガス処理装置
JP3024449B2 (ja) * 1993-07-24 2000-03-21 ヤマハ株式会社 縦型熱処理炉及び熱処理方法
JPH0766124A (ja) 1993-08-24 1995-03-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 分子線エピタキシャル装置
US5610739A (en) * 1994-05-31 1997-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display unit with a plurality of subpixels
JPH10301112A (ja) * 1997-04-24 1998-11-13 Sanyo Electric Co Ltd 反射型液晶表示装置
KR100354904B1 (ko) * 1998-05-19 2002-12-26 삼성전자 주식회사 광시야각액정표시장치
KR100283511B1 (ko) * 1998-05-20 2001-03-02 윤종용 광시야각 액정 표시장치
US6335776B1 (en) * 1998-05-30 2002-01-01 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device having an auxiliary electrode formed on the same layer as the pixel electrode
US20030101938A1 (en) * 1998-10-27 2003-06-05 Applied Materials, Inc. Apparatus for the deposition of high dielectric constant films
JP2000173925A (ja) * 1998-12-02 2000-06-23 Toshiba Corp 半導体製造装置
JP2000250436A (ja) * 1999-02-26 2000-09-14 Nec Corp 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法
JP4599701B2 (ja) * 1999-11-24 2010-12-15 東京エレクトロン株式会社 成膜装置の排気系構造及び不純物ガスの除去方法
US6773687B1 (en) * 1999-11-24 2004-08-10 Tokyo Electron Limited Exhaust apparatus for process apparatus and method of removing impurity gas
JP4252702B2 (ja) * 2000-02-14 2009-04-08 株式会社荏原製作所 反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法
DE60139937D1 (de) * 2000-07-05 2009-10-29 Rolic Ag Elektrooptisches element und vorrichtung, welche nematische flüssigkristalle verwenden
TW588171B (en) * 2001-10-12 2004-05-21 Fujitsu Display Tech Liquid crystal display device
JP4551049B2 (ja) * 2002-03-19 2010-09-22 三菱電機株式会社 表示装置
JP4342200B2 (ja) * 2002-06-06 2009-10-14 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4248306B2 (ja) * 2002-06-17 2009-04-02 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR101026810B1 (ko) * 2003-12-30 2011-04-04 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치
US8017658B2 (en) * 2004-04-15 2011-09-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Synthesis of hydrocarbons via catalytic reduction of CO2
JP4041821B2 (ja) * 2004-04-23 2008-02-06 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4394512B2 (ja) * 2004-04-30 2010-01-06 富士通株式会社 視角特性を改善した液晶表示装置
JP2005340283A (ja) * 2004-05-24 2005-12-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
EP1798591B1 (en) * 2004-10-06 2013-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
KR101237182B1 (ko) * 2004-12-21 2013-03-04 코닝 인코포레이티드 편광 제품 및 이의 제조방법
JP4829501B2 (ja) * 2005-01-06 2011-12-07 シャープ株式会社 液晶表示装置
US7455720B2 (en) * 2005-02-16 2008-11-25 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for preventing products of TiCL4 and NH3 or other feed gas reactions from damaging vacuum pumps in TiN or other deposition systems
US8189151B2 (en) * 2005-05-13 2012-05-29 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US7995177B2 (en) * 2005-06-09 2011-08-09 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP5036354B2 (ja) 2006-04-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法
CN101416105B (zh) * 2006-04-04 2011-04-13 夏普株式会社 液晶显示装置
EP2051133B1 (en) * 2006-07-14 2012-11-14 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
WO2008069181A1 (ja) * 2006-12-05 2008-06-12 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
KR100922355B1 (ko) * 2008-03-07 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 전자 영상 기기

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110387537A (zh) * 2018-04-20 2019-10-29 北京北方华创微电子装备有限公司 一种原子层沉积设备及气体传输方法
CN110387537B (zh) * 2018-04-20 2021-10-15 北京北方华创微电子装备有限公司 一种原子层沉积设备及气体传输方法
CN110729166A (zh) * 2019-09-23 2020-01-24 长江存储科技有限责任公司 存储器的制作设备及制作方法
CN114107949A (zh) * 2020-08-25 2022-03-01 韩华株式会社 配备有自由基部的基板处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007300074A (ja) 2007-11-15
US20090191109A1 (en) 2009-07-30
US8147786B2 (en) 2012-04-03
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JP5036354B2 (ja) 2012-09-26
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