CN104681464B - 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，即使在使用了缓冲空间的枚叶式装置中，也会抑制缓冲空间的副产物的产生。为了解决上述课题，提供一种衬底处理装置，具有：处理室，其具有载置部，该载置部具有供衬底载置的载置面；喷头，其具有缓冲室且设置在上述处理室的上游；气体供给系统，其经由上述喷头的缓冲室交替地向上述处理室供给至少两种气体；和加热部，其在从上述气体供给系统供给气体的期间，以第1温度对缓冲室进行加热，而且以比上述第1温度高的温度对上述处理室进行加热。

Description

衬底处理装置及半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。
背景技术
近年来，闪存等半导体器件具有高集成化的倾向。伴随于此，图案尺寸显著地微细化。在形成这些图案时，作为制造工序的一个工序，存在实施在衬底上进行氧化处理或氮化处理等规定处理的工序的情况。
作为形成上述图案的方法之一，存在在电路间形成槽并在该槽中形成覆膜(linerfilm)和布线的工序。随着近年来的微细化，该槽构成为具有高横纵比。
在形成覆膜等时，谋求即使在槽的上部侧面、中部侧面、下部侧面、底部，也形成膜厚没有偏差的良好的阶梯覆盖(step coverage)的膜。其原因在于，通过形成良好的阶梯覆盖的膜，能够使半导体器件的特性在槽间均匀，由此，能够抑制半导体器件的特性偏差。
为了对该高横纵比的槽进行处理，尝试了对气体加热来进行处理和使气体成为等离子体状态来进行处理，但难以形成具有良好的阶梯覆盖性的膜。
作为形成上述膜的方法，存在交替地供给至少两种处理气体并使这些气体发生反应来形成膜的交替供给法。交替供给法是使原料气体和反应气体在衬底表面上发生反应的方法，但在该方法中，为了使原料气体和反应气体在衬底表面以外的部分不发生反应，期望在供给各气体的期间具有用于除去残留气体的吹扫工序。
另外，为了提高半导体器件的成品率，需要使衬底表面上的膜特性均匀，因此，在形成薄膜时，对衬底面内均匀地供给气体。为了实现均匀地供给气体，开发出能够从衬底的处理面均匀地供给气体的枚叶式装置。在该枚叶式装置中，为了更均匀地供给气体，例如在衬底上设有具有缓冲空间的喷头。
发明内容
在使用该枚叶式装置来形成膜时，通过使至少两种气体在衬底上方或衬底表面上发生反应来形成膜。但是，在该装置的情况下，考虑到由于经由缓冲空间来供给两种气体，所以残留气体会在缓冲空间内发生反应而在缓冲空间内产生副产物。所产生的副产物会对衬底的特性带来不良影响。另外，存在处理工序数多而生产率低的问题。
因此，本发明的目的在于提供一种生产率高且能够形成特性良好的膜的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。
根据本发明的一个方案，提供一种衬底处理装置，具有：处理室，其具有载置部，该载置部具有供衬底载置的载置面；喷头，其具有缓冲室且设置在上述处理室的上游；气体供给系统，其经由上述喷头的缓冲室交替地向上述处理室供给至少两种气体；和加热部，其在从上述气体供给系统供给气体的期间，以第1温度对缓冲室进行加热，而且以比上述第1温度高的第2温度对上述处理室进行加热。
而且，提供一种半导体器件的制造方法，包括以下工序：衬底载置工序，将衬底载置到内置于处理室中的载置部的载置面上；和成膜工序，以第1温度对喷头的缓冲室进行加热，而且以比上述第1温度高的温度对上述处理室进行加热，并且，经由上述喷头交替地向上述处理室供给至少两种气体，在上述衬底上形成膜。
发明效果
根据本发明，提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，即使在使用了具有缓冲空间的喷头的枚叶装置中，也能够抑制缓冲空间的副产物的产生。
附图说明
图1是本发明的实施方式的衬底处理装置的剖视图。
图2是表示本发明的实施方式的衬底处理工序的流程图。
图3是说明本发明的实施方式的成膜工序的气体供给时间的说明图。
图4是表示本发明的实施方式的成膜工序的流程图。
图5是表示本发明的实施方式的喷头的排气工序的流程图。
图6是说明本发明的实施方式的分散板加热部的说明图。
图7是本发明的实施方式的公共气体供给管的剖视图。
图8是本发明的实施方式的气体引导件的说明图。
附图标记说明
100…处理装置
200…晶片
210…衬底载置部
220…第1排气系统
230…喷头
243…第1气体供给系统
244…第2气体供给系统
245…第3气体供给系统
260…控制器
具体实施方式
＜本发明的第1实施方式＞
(1)衬底处理装置的结构
以下，使用图1至图3说明本发明的第1实施方式的衬底处理装置。图1是本实施方式的衬底处理装置的剖视图。
以下，基于附图说明本发明的一个实施方式。
(1)衬底处理装置的结构
首先，说明本发明的一个实施方式的衬底处理装置。
说明本实施方式的处理装置100。衬底处理装置100是用于形成薄膜的装置，如图1所示，构成为枚叶式衬底处理装置。
如图1所示，衬底处理装置100具有处理容器202。处理容器202构成为例如横截面呈圆形且扁平的密闭容器。另外，处理容器202的侧壁和底壁由例如铝(Al)或不锈钢(SUS)等金属材料构成。在处理容器202内形成有对作为衬底的硅片等晶片200进行处理的处理室201、搬送空间203。处理容器202由上部容器202a和下部容器202b、作为顶壁部的喷头230构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设有分隔板204。将由上部处理容器202a及喷头230围成的空间且比分隔板204位于上方的空间称作处理室空间，将由下部容器202b围成的空间且比分隔板位于下方的空间称作搬送空间。将由上部处理容器202a及喷头230构成且包围处理空间的结构称作处理室201。而且，将包围搬送空间的结构称作处理室内搬送室203。在各构造之间设有用于将处理容器202内气密地密封的O型环208。
在下部容器202b的侧面上设有与闸阀205相邻的衬底搬入搬出口206，晶片200经由衬底搬入搬出口206而在与未图示的搬送室之间移动。在下部容器202b的底部设有多个顶升销207。而且，下部容器202b接地。
支承晶片200的衬底支承部(也称作衬底载置部)210以位于处理室201内的方式构成。衬底支承部210主要具有：载置晶片200的载置面211；将载置面211持为表面的载置台212；和内置于衬底载置台212的、对晶片进行加热的作为加热源的衬底载置台加热部213(也称作第1加热部)。在衬底载置台212上，在与顶升销207对应的位置上分别设有供顶升销207贯穿的贯穿孔214。
衬底载置台212被轴217所支承。轴217贯穿处理容器202的底部，而且在处理容器202的外部与升降机构218连接。使升降机构218工作而使轴217及支承台212升降，由此，能够使载置在衬底载置面211上的晶片200升降。此外，由于轴217下端部周围被波纹管219所覆盖，所以能够将处理容器202内保持气密。
衬底载置台212在搬送晶片200时，以使衬底载置面211位于衬底搬入搬出口206的位置(晶片搬送位置)的方式下降至衬底支承台，在处理晶片200时，如图1所示，上升至晶片200在处理室201内的处理位置(晶片处理位置)。
具体而言，在使衬底载置台212下降至晶片搬送位置时，顶升销207的上端部从衬底载置面211的上表面突出，顶升销207从下方支承晶片200。另外，在使衬底载置台212上升至晶片处理位置时，顶升销207从衬底载置面211的上表面收回，衬底载置面211从下方支承晶片200。此外，顶升销207由于与晶片200直接接触，所以期望由例如石英或氧化铝等材质形成。
(气体导入口)
在设于处理室201上部的后述的喷头230的上表面(顶壁)上，设有用于向处理室201内供给各种气体的气体导入口241。关于与气体导入口241连接的气体供给系统的结构，将在后叙述。
(喷头)
在气体导入口241与处理室201之间，设有与处理室201连通的作为气体分散机构的喷头230。即，在处理室201的上游方向上设有喷头230。气体导入口241与喷头230的盖231连接。从气体导入口241导入的气体经由设置在盖231上的孔231a而供给到喷头230的缓冲室232内的缓冲空间中。即，从缓冲室232来看，盖231设置在气体供给方向的上游。缓冲室232由盖231的下端部和后述的分散板234的上端形成。即，从缓冲室来看，分散板234设置在气体供给方向下游(在此为处理室方向)。
喷头的盖231由具有导电性/热传导性的金属形成，用作在缓冲室232内的缓冲空间或处理室201内生成等离子体的电极。在盖231与上部容器202a之间设有绝缘块233，将盖231与上部容器202a之间绝缘。而且，在喷头的盖231上设有盖加热部231c(也称作第2加热部)，对缓冲室232的环境气体和后述的气体引导件235进行加热。
喷头230在缓冲室232内的空间与处理室201的处理空间之间具有用于使从气体导入口241导入的气体分散的分散板234。在分散板234上设有多个贯穿孔234a。分散板234以与衬底载置面211相对的方式配置。分散板具有设有贯穿孔234a的凸状部、和设置在凸状部周围的凸缘部，凸缘部支承在绝缘块233上。而且，在贯穿孔234a周围，具有圆周状的分散板加热器234b(也称作第3加热部)。分散板加热器234b对分散板进行加热，从而对缓冲室232内的环境气体和处理室201的环境气体的温度带来影响。
另外，由于在分散板234与衬底之间存在处理室的空间，所以晶片200通过来自分散板234的辐射而被间接加热。另一方面，由于晶片200载置在衬底载置台212上，所以衬底载置台加热部213通过传导对晶片200直接加热。因此，在对晶片200进行加热时，基于衬底载置台加热部213进行的加热与基于分散板加热部234b进行的加热相比占据主导地位。因此，在对晶片200的温度进行控制时，优先控制衬底载置台加热部213。
在缓冲室232中设有形成所供给的气体的气流的气体引导件235。气体引导件235呈圆锥形状，以孔231a为顶点且随着趋向于分散板234方向而直径扩大。气体引导件235的下端的水平方向的直径与贯穿孔234a的组的最外周相比，更形成于外周。气体引导件235与盖231连接，通过盖加热部231c而被加热，进而对缓冲室内的环境气体进行加热。
在缓冲室232的上方，经由喷头用排气孔231b而连接有排气管236。在排气管236上，按顺序串联连接有切换排气的通/断的阀237、将排气缓冲室232内控制成规定压力的APC(Auto Pressure Controller)等压力调整器238、真空泵239。
排气孔231b构成为，由于位于气体引导件235的上方，所以在后述的喷头排气工序中以如下方式使气体流动。从孔231a供给的非活性气体通过气体引导件235而分散，并向缓冲室232的空间中央及下方流动。然后在气体引导件235的端部折回，并从排气孔231b排气。
此外，将排气管236、阀237、压力调整器238总括地称为第1排气系统。
(供给系统)
在与喷头230的盖231连接的气体导入孔241上，连接有公共气体供给管242。在公共气体供给管242上，设有对公共气体供给管242进行加热的公共气体供给管加热器242a(也称作第4加热部)，构成为对从公共气体供给管242的内侧通过的气体进行加热。在向缓冲室232供给之前，通过公共气体供给管加热器242a事先对气体进行加热，由此，能够容易地使气体温度上升至不会附着作为副产物的反应阻碍物的温度。在公共气体供给管242上连接有第1气体供给管243a、第2气体供给管244a、第3气体供给管245a。第2气体供给管244a经由远程等离子体单元244e而与公共气体供给管242连接。
主要从包含第1气体供给管243a的第1气体供给系统243供给含第1元素气体，且主要从包含第2气体供给管244a的第2气体供给系统244供给含第2元素气体。从包含第3气体供给管245a的第3气体供给系统245，在对晶片进行处理时主要供给非活性气体，在对处理室进行清洗时主要供给清洗气体。
(第1气体供给系统)
在第1气体供给管243a上，从上游方向按顺序设有第1气体供给源243b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)243c、及作为开闭阀的阀243d。
含有第1元素的气体(以下，称为“含第1元素气体”)经由质量流量控制器243c、阀243d、公共气体供给管242，而从第1气体供给管243a向喷头230供给。
含第1元素气体是原料气体、即处理气体之一。
在此，第1元素是例如钛(Ti)。即，含第1元素气体是例如含钛气体。作为含钛气体，能够使用例如TiCl4气体。此外，含第1元素气体在常温常压下可以是固体、液体及气体的任一种。在含第1元素气体于常温常压下为液体的情况下，只要在第1气体供给源232b与质量流量控制器243c之间设置未图示的气化器即可。在此作为气体进行说明。
此外，也可以使用含硅气体。作为含硅气体，能够使用例如作为有机硅材料的六甲基二硅烷(C6H19NSi2，简称：HMDS)或三甲硅烷基胺((SiH3)3N，简称：TSA)、BTBAS(SiH2(NH(C4H9))2(双叔丁基氨基硅烷)气体等。这些气体作为前驱体(precursor)而作用。
在第1气体供给管243a的比阀243d靠下游侧的位置连接有第1非活性气体供给管246a的下游端。在第1非活性气体供给管246a上，从上游方向按顺序连接有非活性气体供给源246b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)246c、及作为开闭阀的阀246d。
在此，非活性气体为例如氮气(N2)。此外，作为非活性气体，除N2气体以外，还能够使用例如氦气(He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)等稀有气体。
非活性气体经由质量流量控制器246c、阀246d、第1气体供给管243a，而从第1非活性气体供给管246a向喷头230内供给。非活性气体在后述的薄膜形成工序(S104)中作为载气或稀释气体而作用。
主要通过第1气体供给管243a、质量流量控制器243c、阀243d而构成含第1元素气体供给系统243(也称作含钛气体供给系统)。
另外，主要通过第1非活性气体供给管246a、质量流量控制器246c及阀246d而构成第1非活性气体供给系统。此外，可以考虑将非活性气体供给源246b、第1气体供给管243a包含于第1非活性气体供给系统。
而且，可以考虑将第1气体供给源243b、第1非活性气体供给系统包含于含第1元素气体供给系统。
(第2气体供给系统)
在第2气体供给管244a的下游设有远程等离子体单元244e。在上游，从上游方向按顺序设有第2气体供给源244b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)244c、及作为开闭阀的阀244d。
含有第2元素的气体(以下，称为“含第2元素气体”)经由质量流量控制器244c、阀244d、远程等离子体单元244e、公共气体供给管242，而从第2气体供给管244a向喷头230内供给。含第2元素气体通过远程等离子体单元244e而成为等离子体状态，并被照射于晶片200上。
含第2元素气体是处理气体之一。此外，可以认为含第2元素气体是反应气体或改性气体。
在此，含第2元素气体含有与第1元素不同的第2元素。作为第2元素，是例如氧(O)、氮(N)、碳(C)中的任一种。在本实施方式中，含第2元素气体是例如含氮气体。具体而言，作为含氮气体而使用氨气(NH3)。
主要通过第2气体供给管244a、质量流量控制器244c、阀244d而构成含第2元素气体供给系统244(也称作含氮气体供给系统)。
另外，在第2气体供给管244a的比阀244d靠下游侧的位置，连接有第2非活性气体供给管247a的下游端。在第2非活性气体供给管247a上，从上游方向按顺序设有非活性气体供给源247b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)247c、及作为开闭阀的阀247d。
非活性气体经由质量流量控制器247c、阀247d、第2气体供给管244a、远程等离子体单元244e，而从第2非活性气体供给管247a向喷头230内供给。非活性气体在后述的成膜工序(也称作薄膜形成工序)(S104)中作为载气或稀释气体而作用。
主要通过第2非活性气体供给管247a、质量流量控制器247c及阀247d而构成第2非活性气体供给系统。此外，可以考虑将非活性气体供给源247b、第2气体供给管244a、远程等离子体单元244e包含于第2非活性气体供给系统。
而且，可以考虑将第2气体供给源244b、远程等离子体单元244e、第2非活性气体供给系统包含于含第2元素气体供给系统244。
(第3气体供给系统)
在第3气体供给管245a上，从上游方向按顺序设有第3气体供给源245b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)245c、及作为开闭阀的阀245d。
作为吹扫气体的非活性气体经由质量流量控制器245c、阀245d、公共气体供给管245，而从第3气体供给管245a向喷头230供给。
在此，非活性气体是例如氮气(N2)。此外，作为非活性气体，除N2气体以外，也能够使用例如氦气(He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)等稀有气体。
在第3气体供给管245a的比阀245d靠下游侧的位置，连接有清洗气体供给管248a的下游端。在清洗气体供给管248a上，从上游方向按顺序设有清洗气体供给源248b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)246c、及作为开闭阀的阀246d。
主要通过第3气体供给管245a、质量流量控制器245c、阀245d而构成第3气体供给系统245。
另外，主要通过清洗气体供给管248a、质量流量控制器248c及阀248d而构成清洗气体供给系统。此外，可以考虑将清洗气体供给源248b、第3气体供给管245a包含于清洗气体供给系统。
而且，可以考虑将第3气体供给源245b、清洗气体供给系统包含于第3气体供给系统245。
在衬底处理工序中，非活性气体经由质量流量控制器245c、阀245d、公共气体供给管242，而从第3气体供给管245a向喷头230内供给。另外，在清洗工序中，清洗气体经由质量流量控制器248c、阀248d、公共气体供给管242，而从第3气体供给管245a向喷头230内供给。
从非活性气体供给源245b供给的非活性气体在后述的薄膜形成工序(S104)中，作为对残留于处理室201和喷头230内的气体进行吹扫的吹扫气体而作用。另外，在清洗工序中，也可以作为清洗气体的载气或稀释气体而作用。
从清洗气体供给源248b供给的清洗气体，在清洗工序中，作为将附着在喷头230或处理室201上的副产物等除去的清洗气体而作用。
在此，清洗气体是例如三氟化氮(NF3)气体。此外，作为清洗气体，也可以使用例如氟化氢(HF)气体、三氟化氯(ClF3)气体、氟气(F2)等，另外也可以将它们组合使用。
(第2排气系统)
在处理室201(上部容器202a)的内壁侧面上设有对处理室201的环境气体进行排气的排气口221。在排气口221上连接有排气管222，在排气管222上，按顺序串联连接有将处理室201内控制成规定压力的APC(Auto Pressure Controller)等压力调整器223、真空泵224。主要通过排气口221、排气管222、压力调整器223、真空泵224而构成第2排气系统(排气管路)220。
(等离子体生成部)
在喷头的盖231上连接有匹配器251、高频电源252。通过用高频电源252、匹配器251来调整阻抗，而在喷头230、处理室201中生成等离子体。
(控制器)
衬底处理装置100具有控制衬底处理装置100的各部分的动作的控制器260。控制器260至少具有运算部261及存储部262。控制器260根据上级控制器或使用者的指示而从存储部调出衬底处理装置的程序或控制方案(recipe)，并根据其内容来控制各结构。这些程序记录在硬盘或闪存等记录介质中。
(2)衬底处理工序
接下来，参照图2、图3、图4、图5，说明使用作为衬底处理装置100的衬底处理装置100在晶片200上形成薄膜的工序。图2、图3、图4、图5是本发明的实施方式的衬底处理工序的流程图。此外，在以下的说明中，通过控制器260来控制构成衬底处理装置100的各部分的动作。
使用图2、图3、图4、图5，说明衬底处理工序的概略情况。图2是表示本实施方式的衬底处理工序的流程图。图3、图4是说明图5的成膜工序的详细情况的流程图。
在此，说明作为含第1元素气体而使用TiCl4气体、作为含第2元素气体而使用氨气(NH3)、且在晶片200上作为薄膜而形成氮化钛(TiN)膜的例子。另外，例如，也可以在晶片200上预先形成规定的膜。另外，也可以在晶片200或规定的膜上预先形成规定的图案。
(衬底搬入、载置工序S102)
在处理装置100中，使衬底载置台212下降至晶片200的搬送位置，由此，使顶升销207贯穿衬底载置台212的贯穿孔214。其结果为，顶升销207成为比衬底载置台212表面仅突出规定高度的状态。接着，将闸阀205打开，使用未图示的晶片移载机，将晶片200(处理衬底)搬入到处理室内，并将晶片200移载到顶升销207上。由此，晶片200以水平姿势支承在从衬底载置台212的表面突出的顶升销207上。
在将晶片200搬入到处理容器202内之后，使晶片移载机向处理容器202外部退避，将闸阀205关闭而将处理容器202内密闭。然后，通过使衬底载置台212上升，将晶片200载置到设置于衬底载置台212的衬底载置面211上。
此外，在将晶片200搬入到处理容器202内时，优选通过排气系统对处理容器202内进行排气，并从非活性气体供给系统向处理容器202内供给作为非活性气体的N2气体。即，优选通过使真空泵224工作并将APC阀223打开而对处理容器202内进行排气，并在该状态下，至少将第3气体供给系统的阀245d打开，从而向处理容器202内供给N2气体。由此，能够抑制微粒(particle)向处理容器202内的侵入或微粒向晶片200上的附着。另外，真空泵224至少在从衬底搬入、载置工序(S102)开始到后述的衬底搬出工序(S106)结束为止的期间，始终为工作状态。
在将晶片200载置到衬底载置台212上时，向埋入于衬底载置台212内部的加热器213及/或分散板加热器234b供给电力，将晶片200的表面控制成规定温度。晶片200的温度为例如室温以上、500℃以下，优选为室温以上、400℃以下。此时，根据通过基于由未图示的温度传感器检测出的温度信息而控制向加热器213的通电情况来调整加热器213的温度。
(成膜工序S104)
接下来，进行成膜工序S104。说明成膜工序S104的基本流程，关于本实施方式的特征部分，将在后详细说明。
在成膜工序S104中，经由喷头230的缓冲室232向处理室201内供给TiCl4气体。从供给TiCl4气体开始经过规定时间后，停止TiCl4气体的供给，通过吹扫气体将TiCl4气体从缓冲室232、处理室201排出。
在将TiCl4气体排出后，经由缓冲室232向处理室201内供给等离子体状态的氨气。氨气与形成在晶片200上的含钛膜发生反应而形成氮化钛膜。在经过规定时间后，停止氨气的供给，通过吹扫气体将氨气从喷头230、处理室201排出。
在成膜工序104中，通过重复以上步骤，形成期望膜厚的氮化钛膜。
(衬底搬出工序S106)
接下来，使衬底载置台212下降，使晶片200支承在从衬底载置台212的表面突出的顶升销207上。然后，将闸阀205打开，使用晶片移载机将晶片200向处理容器202外部搬出。然后，在衬底处理工序结束的情况下，停止从第3气体供给系统向处理容器202内供给非活性气体。
(处理次数判断工序S108)
在将衬底搬出后，判断薄膜形成工序是否达到了规定次数。若判断成达到了规定次数，则向清洗工序转移。若判断成没有达到规定次数，则开始等待中的下一晶片200的处理，因此向衬底搬入、载置工程S102转移。
(清洗工序110)
若在处理次数判断工序S108中判断成薄膜形成工序达到了规定次数，则进行清洗工序。在此，将清洗气体供给系统的阀248d打开，经由喷头230向处理室201供给清洗气体。
在喷头230、处理室201内充满了清洗气体后，通过高频电源252施加电力并且通过匹配器251使阻抗匹配，在喷头230、处理室201中生成清洗气体的等离子体。所生成的清洗气体等离子体将附着在喷头230、处理室201内的壁上的副产物除去。
接着，使用图4说明成膜工序S104的详细情况。
(第1处理气体供给工序S202)
在本实施方式的加热部即盖加热部231c、分散板加热部234b、衬底载置台加热部213既已接通的状态下开始处理。具体而言，通过盖加热部231c对缓冲室232内的环境气体进行加热，通过分散板加热部234b对分散板234(包括分散板234的晶片相对面、贯穿孔234a在内)和晶片200进行加热，并通过衬底载置台加热部213对衬底载置部211的晶片200进行加热。
此时，通过加热部(盖加热部231c、分散板加热部234b、衬底载置台加热部213)的协同作业，控制成使缓冲室232内的环境气体的温度比晶片200的温度低。更优选的是，使晶片温度为能够实现成膜处理的温度、例如所供给的气体发生反应的温度以上，并使缓冲室内部的温度为气体不会发生反应的温度。而且，期望使缓冲室的温度为不会附着副产物的程度的温度以上。
更具体而言，为了控制缓冲室232的缓冲空间的温度，对盖加热部231c和分散板加热部234b进行控制。在该控制中，使缓冲室232的缓冲空间的温度为，在气体引导件235或分散板234的缓冲室侧面上不会附着副产物那样的温度以上，而且低于所供给的气体会附着在缓冲室232的内壁或气体引导件235上的温度、低于所供给的气体会发生热分解的温度、或低于所供给的至少两种气体会发生反应而形成膜时的反应温度。在此所说的副产物是指，例如NH3与残留在缓冲室中的TiCl4发生反应而生成的氯化铵(NH4Cl)。在氯化铵的情况下，在150℃至160℃左右会发生附着，因此为了抑制其附着，通过气体引导件235和分散板加热部234b而控制成氯化铵不会发生附着的温度即比160℃高的温度。而且，成为所供给的TiCl4和NH3独自或其反应物不会发生附着那样的温度。例如，由于使TiCl4和NH3发生反应而形成膜的温度为310℃至450℃，所以控制成低于该温度。在此，将缓冲空间的温度称作第1温度。
接下来，为了控制晶片200的温度，对分散板加热部234b、衬底载置台加热部213进行控制。在该控制中，使晶片200的温度及处理室201的温度为促进膜处理的温度、即气体发生反应的温度。促进晶片200的膜处理的温度是指，至少两种气体在晶片200上发生反应的温度、或所供给的气体会附着在晶片200上的温度。在此，将处理室201的温度称作第2温度。
另外，由于要使处理室201的温度(晶片200的温度)比缓冲室232的温度高，所以期望盖加热部231c、衬底载置台加热部213的相对关系如下。
盖加热部231c的温度＜衬底载置台加热部213的温度
换言之言，也可以说是如下关系。
缓冲室232内的空间的温度＜处理室201内的空间的温度
在分别达到期望温度后，将阀243d打开，经由气体导入孔241、缓冲室232、多个贯穿孔234a，开始向处理室201内供给作为第1处理气体的TiCl4。而且与此同时将阀245d打开，经由气体导入孔241、缓冲室232、多个贯穿孔234a，开始向处理室201内供给作为第3处理气体的吹扫气体。在缓冲室232内通过气体引导件235使TiCl4气体均匀地分散。均匀分散的气体经由多个贯穿孔234a而均匀地供给到处理室201内的晶片200上。
在缓冲室232中，由于是所供给的第1处理气体不会附着在壁上的温度，所以抑制了第1处理气体在缓冲室232内的残留。
此时，以使第1处理气体即TiCl4气体的流量成为规定流量的方式调整质量流量控制器243c。而且，以使第3处理气体即非活性气体的流量成为规定流量的方式调整质量流量控制器245c。此外，TiCl4的供给流量为例如100sccm以上5000sccm以下。此外，也可以与TiCl4气体一起，作为载气而从第1非活性气体供给系统流出N2气体。另外，使排气泵224工作，适当调整APC阀223的阀开度，由此，使处理容器202内的压力成为规定压力。
将所供给的TiCl4气体供给到晶片200上。在晶片200表面上，通过TiCl4气体与晶片200上接触而形成作为“含第1元素层”的含钛层。
含钛层例如根据处理容器202内的压力、TiCl4气体的流量、晶片200的温度、在处理室201内的处理时间等，以规定厚度及规定分布形成。
在经过规定时间后，将阀243d关闭，停止TiCl4气体的供给。维持阀245d的打开，继续供给非活性气体。
(第1喷头排气工序S204)
在停止了TiCl4气体的供给后，将阀237打开，对喷头230内的环境气体进行排气。具体而言，对缓冲室232内的环境气体进行排气。此时，事先使真空泵239工作。关于喷头排气工序204，在后详细说明。
此时，以使缓冲室232中的从第1排气系统进行的排气流导(conductance)比经由了处理室的排气泵224的流导高的方式，控制阀237的阀开度及真空泵239。通过这样进行调整，形成从缓冲室232的中央朝向喷头排气孔231b的气流。像这样，附着在缓冲室232的壁上的气体和悬浮在缓冲空间内的气体不会进入到处理室201地被从第1排气系统排气。
(第1处理室排气工序S206)
在经过规定时间后，接着使第2排气系统的排气泵224工作，以使在处理空间中从第2排气系统进行的排气流导比经由喷头230的从第1排气系统进行的排气流导高的方式调整APC阀223的阀开度及阀237的阀开度。通过这样进行调整，能够形成经由处理室201的朝向第2排气系统的气流。因此，能够可靠地将供给到缓冲室232的非活性气体向衬底上供给，提高了衬底上的残留气体的除去效率。
在处理室排气工序中供给的非活性气体将在第1处理气体供给工序S202中未能与晶片200结合的钛成分从晶片200上除去。而且，将阀237打开，控制压力调整器238、真空泵239，将残留在喷头230内的TiCl4气体除去。在经过规定时间后，将阀237关闭而将喷头230与真空泵239之间截断。
更优选的是，期望在经过规定时间后，使第2排气系统的排气泵224继续工作并将阀237关闭。由此，经由处理室201的朝向第2排气系统的气流不会受到第1排气系统的影响，因此，能够更可靠地将非活性气体供给到衬底上，进一步提高了衬底上的残留气体的除去效率。
另外，通过在喷头排气工序S204后接着进行处理室排气工序S206，能够发现如下效果。即，由于在喷头排气工序S204中将缓冲室232内的残留物除去，所以即使在处理室排气工序S206中气流经由晶片200上，也能够防止残留气体附着在衬底上。
(第2处理气体供给工序S206)
在第1处理室排气工序后，将阀244d打开，经由气体导入孔241、缓冲室232、多个贯穿孔234a向处理室201内供给氨气。由于经由缓冲室232、贯穿孔234a向处理室供给，所以能够向衬底上均匀地供给气体。因此，能够使膜厚变得均匀。
此时，以使氨气的流量成为规定流量的方式调整质量流量控制器244c。此外，氨气的供给流量为例如100sccm以上、5000sccm以下。此外，也可以与氨气一起，作为载气而从第2非活性气体供给系统流出N2气体。另外，通过适当调整APC阀223的阀开度，使处理容器202内的压力成为规定压力。
等离子体状态的氨气被供给到晶片200上。既已形成的含钛层通过氨气的等离子体而被改性，由此，在晶片200上形成例如含有钛元素及氮元素的层。
改性层根据例如处理容器202内的压力、氨气的流量、衬底载置台212的温度、远程等离子体单元244e的电力供给情况等，以规定厚度、规定分布，氮成分等对含钛层的规定侵入深度形成。
在经过规定时间后，将阀244d关闭，停止氨气的供给。
(第2喷头排气工序S210)
在停止了氨气的供给后，将阀237打开，对喷头230内的环境气体进行排气。具体而言，对缓冲室232内的环境气体进行排气。此时，事先使真空泵239工作。关于喷头排气工序210，将在后详细说明。
以使缓冲室232中的从第1排气系统进行的排气流导比经由处理室的排气泵224的流导高的方式，控制阀237的阀开度及真空泵239。通过这样进行调整，能够形成从缓冲室232的中央朝向喷头排气孔231b的气流。由此，附着在缓冲室232的壁上的气体和悬浮在缓冲空间内的气体不会进入到处理室201地被从第1排气系统排气。
(第2处理室排气工序S212)
在经过规定时间后，使第2排气系统的排气泵224工作，并以使在处理空间中从第2排气系统进行的排气流导比经由喷头230的从第1排气系统进行的排气流导高的方式，调整APC阀223的阀开度及阀237的阀开度。通过这样进行调整，能够形成经由处理室201的朝向第2排气系统的气流。因此，能够可靠地将供给到缓冲室232的非活性气体向衬底上供给，提高了衬底上的残留气体的除去效率。
在处理室排气工序中供给的非活性气体将在第2处理气体供给工序S206中未能与晶片200结合的氨气成分从晶片200上除去。而且，将阀237打开，控制压力调整器238、真空泵239，将残留在喷头230内的氨气除去。在经过规定时间后，将阀237关闭而将喷头230与真空泵239之间切断。
更优选的是，期望在经过规定时间后，使第2排气系统的排气泵224继续工作，并将阀237关闭。由此，缓冲室内232内的残留气体和所供给的非活性气体的、经由处理室201朝向第2排气系统的流动不会受到第1排气系统的影响，因此能够更可靠地将非活性气体供给到衬底上，从而进一步提高了在衬底上未能与第1气体完全反应的残留气体的除去效率。
另外，通过在喷头排气工序S210后接着进行处理室排气工序S212，能够发现如下效果。即，由于能够在喷头排气工序S210中将缓冲室232内的残留物除去，所以即使在处理室排气工序S212中气流经由晶片200上，也能够防止残留气体附着在衬底上。
(判断工序S214)
在此期间，控制器260判断是否以规定次数实施了上述一个循环。
在没有实施规定次数时(在S214中为否的情况下)，重复第1处理气体供给工序S202、第1喷头排气工序S204、第1处理室排气工序S206、第2处理气体供给工序S208、第2喷头排气工序S210、第2处理室排气工序S212的循环。在实施了规定次数时(在S214中为是的情况下)，结束成膜工序S104。
接着，使用图5说明第1喷头排气工序S204的详细情况。第2喷头排气工序S210与第1喷头排气工序S204为相同处理，因此省略一部分说明。
但是，在本实施例的装置中，由于第1气体和第2气体经由喷头230而供给到处理室，所以在缓冲室232内残留有某一气体的情况下，气体会在缓冲室232内发生反应。考虑到由于反应而产生副产物，且其附着物会附着在缓冲室壁上。在所产生的副产物剥落而附着在晶片200上的情况下，可能会对衬底特性带来不良影响，因此需要可靠地排出附着物和残留气体。
另一方面，在缓冲室232中存在气体的滞留区域。例如是如区域232a那样，形成在盖231与分散板234凸缘之间的角状空间。这样的空间难以受到在从孔231a经由气体引导件235通向喷头排气孔231b的路径上形成的气流的影响，因此与其他部分相比气体容易滞留，容易出现气体不通畅。而且，如图2所记载那样，成为如下结构：由于加工精度而在各构造之间出现间隙，根据间隙的大小而导致气体进入该间隙。因此，气体容易残留，容易基于残留气体发生反应而产生反应产物、副产物。所产生的反应产物、副产物、残留气体会附着在滞留区域232a的壁上，即使要将其除去，也会由于在气流与附着物之间存在滞留气体而导致仅通过供给吹扫气体难以除去附着物。以下，将所产生的反应产物、副产物、残留气体的附着物称作缓冲室附着物。
因此，在本实施方式中，说明即使在气体的滞留区域中也会更可靠地将残留气体和副产物除去的方法。以下，使用图5说明喷头排气工序的详细情况。
(第1排气工序S302)
在第1处理气体供给工序S202中将阀243d关闭后(在第2喷头排气工序S210中为，在第2处理气体供给工序S208中将阀244d关闭后)，将阀237打开，将第3气体供给系统的阀245d关闭，在该状态下，对缓冲室232内的环境气体进行排气。此时，以使具有阀237的第1排气系统的流导比从多个贯穿孔234a排气的流导大的方式调整阀237的开度。
当这样进行排气时，由于不会形成从孔231a流向喷头排气孔231b的气流，所以不仅能够在缓冲室232的中心部、也能够在角部分这样的滞留区域将残留气体除去。
此外，也可以将阀245d打开来供给非活性气体。在该情况下，为能够除去滞留区域的残留气体的程度的量。
(吹扫工序S304)
在经过规定时间后，维持阀237的开度，并将第3气体供给系统的阀245d打开，向缓冲室232内供给作为吹扫气体的非活性气体。由于在缓冲室附着物所附着的壁的周围不存在滞留气体，所以所供给的非活性气体能够冲击(attack)缓冲室附着物。被冲击的缓冲室附着物从缓冲室232的壁剥落。剥落的缓冲室附着物暂时悬浮在缓冲室232内。
在吹扫工序S304中，与第1排气工序S302同样地，以使具有阀237的第1排气系统的流导比与处理室201连通的第2排气系统的流导大的方式维持阀237的开度。
此外，在第1排气工序中供给非活性气体的情况下，在吹扫工序S304中，只要与第1排气工序相比从第3气体供给系统进一步增加吹扫气体的供给量即可。
(第2排气工序S306)
在经过规定时间后，维持阀237的开度，并将第3气体供给系统的阀245d关闭。此时，与第1排气工序S302、吹扫工序S304同样地，以使具有阀237的第1排气系统的流导比与处理室201连通的第2排气系统的流导大的方式维持阀237的开度。
由此，不会形成从孔231a经由气体引导件235而流向喷头排气孔231b的气流，所以不仅是缓冲室232的中心部，即使在角部分这样的滞留区域，也能够将在吹扫工序S304中剥落的缓冲室附着物除去。另外，由于以使第1排气系统的流导比第2排气系统的流导大的方式进行控制，所以能够在吹扫工序中剥落的缓冲室附着物不会落到处理室内的晶片200上的情况下，除去缓冲室附着物。
而且，由于仅通过维持阀237的开度并控制阀245d的开闭度这样的简单动作就能够除去副产物及残留气体，所以能够提高处理生产率。
在经过规定时间后，将阀237关闭，并将阀245d打开，向第1处理室排气工序S206(或第2处理室排气工序S212)转移。
此外，在第1排气工序S302、吹扫工序S304、第2真空排气工序S306中，维持着阀237的开度，但不限于此，只要维持第1排气系统的流导比第2排气系统的流导大的状态，则也可以改变开度。在该情况下与维持开度相比虽然生产率降低，但能够实现与气体性质和副产物的粘结性相应的排气控制。
接着，使用图6(a)至图6(c)说明分散板加热部234b的其他实施例。图6是用于说明分散板加热部234b的形状和位置的说明图，是说明从衬底方向观察分散板234时的分散板234、贯穿孔234a、分散板加热部234b的位置关系的图。分散板加热部234b以避开分散板234的贯穿孔234a的方式配置。
图6(a)是将分散板加热部分别配置于内周、外周的构造。由于沿圆周方向及径向均匀地配置，所以能够沿圆周方向及径向均匀地对分散板234等进行加热。图6(b)是设有多条从外周朝向内周的加热布线的配置构造。通过成为这样的配置，能够均匀地对分散板234等的径向进行加热。图6(c)是与图6(a)同样地将分散板加热部分别配置于内周、外周的构造，但与图6(a)相比在锐角折回较少的方面不同。即，为钝角状折回。由于锐角折回较少，所以不会产生基于折回部位导致的局部加热，因此，能够更均匀地对散板234等进行加热。
接着，使用图7说明公共气体供给管242的其他实施例。图7是气体供给管242的剖视图。为了便于说明，省略了设置在气体供给管242的外周上的气体供给管加热部242a的记载。
然而，在加热气体时，由从下式(1)可知，气体从固体表面接收的热量Q与气体的接触表面积成比例。因此，在图7所示的实施例中，通过成为使气体导入管242的内周的气体接触表面积增大那样的形状，能够高效地加热气体。
【式1】
Q＝Ah(Tw-Tf)
Q:从壁面转移到气体的热量[W]
A:壁表面积[m2]
h:热传导率[W/m2K]
Tw:壁面温度[K]
Tf:气体温度[K]
图7(a)将气体供给管242作为热传导部件。通过使气体供给管242作为热传导部件，能够对从气体供给管242的内侧通过的气体进行加热。图7(b)在内侧具有多个凸形状。所供给的气体与凸形状接触。由于接触面积比图7(a)大，所以能够实现更高效的热传导。图7(c)在相对于气体的流动沿垂直的方向上设置分散板。在分散板上均匀地配置有孔，能够使所供给的气体在通过分散板时被均匀地加热。图7(d)在气体供给管242的中央设有热传导部件。在该形状的情况下，不存在阻碍气流的结构，而且供给管242与中央的热传导部件间的距离较近，因此，能够不滞留地供给被均匀加热的气体。因此，能够抑制基于残留物生产的副产物。图7(e)相对于图7(d)的结构，在中央的第1热传导部件与供给管242内周之间还追加了第2热传导部件。与图7(e)相比能够更均匀地加热。图7(f)相对于图7(d)的结构，在中央的热传导部件上设有凸形状这一点不同。通过成为能够将中央的热传导部件拆卸的结构，即使气体附着在凸形状这样的复杂结构上，也能够在拆卸后进行清洗，因此容易进行维护。
接着，使用图8说明气体引导件235的其他实施例。图8是从分散板234观察到的气体引导件235，在中央配置有设于盖部231的孔231a。气体引导件235也与上述气体供给管同样地，成为通过设置突起或槽来增大气体接触表面积而能够高效地进行加热的构造。
图8(a)设有以孔231a为中心的放射状的凸构造。从孔231a供给的气体与凸构造接触而被加热。由于凸构造与气流平行，所以不会阻碍气流。因此，残留物难以滞留，所以能够抑制例如残留的第1处理气体(例如TiCl4)和第2处理气体(例如NH3)发生反应时产生的副产物或反应阻碍物向缓冲室内壁的附着等。图8(b)设有以孔231a为中心的多个圆周状的凸构造。沿气体引导件235流动的气体通过与圆周状凸构造接触而被加热，进而形成分散板方向上的流动。因此能够更均匀地对供给到缓冲室232内的气体进行加热。图8(c)是将凸构造以孔231a为基点形成为漩涡状的结构。与图8(b)同样地，通过凸部对气体进行加热，但由于成为漩涡形状而与图8(b)的构造相比能够形成湍流，因此，能够更均匀地对供给到缓冲室232内的气体进行加热。图8(d)是使凸状为独立的点状态的构造。通过这样增大气体接触表面积，成为能够高效地进行加热的构造。
此外，在图8中，只要是能够增大与所供给的气体接触的面积那样的结构即可，也可以取代凸构造而是槽。
在上述的实施方式中，说明了作为含第1元素气体而使用含钛气体、作为含第2元素气体而使用含氮气体、且在晶片200上形成氮化钛膜的情况，但不限于此。作为含第1元素气体，也可以使用例如含硅(Si)气体、含铪(Hf)气体、含锆(Zr)气体、含钛(Ti)气体，也可以在晶片200上形成氧化铪膜(HfO膜)、氧化锆膜(ZrO膜)、氧化钛膜(TiO膜)等High-k膜等。
另外，在上述的实施方式中，经由公共气体供给管242向缓冲室供给第1气体、第2气体、第3气体，但不限于此。例如，也可以按供给的每一种气体而与喷头230连接。
另外，在上述的实施方式中，将与第1排气系统连接的喷头排气孔231b设置在喷头的盖231上，但不限于此，也可以设置在例如缓冲室的侧面。
(3)本实施方式的效果
根据本实施方式，起到以下所示的一个或多个代表性的效果。
(a)通过使晶片200的温度比缓冲室232的温度高，能够防止供给到缓冲室232的气体附着在缓冲室内壁上等，并且能够提高气体的加热效率。
(b)由于能够抑制缓冲室内的残留物，所以能够减少缓冲室内的附着物等。
(附注)
本发明还包括以下附注事项。
(附注1)
一种衬底处理装置，具有：处理室，其具有载置部，该载置部具有供衬底载置的载置面；喷头，其具有缓冲室且设置在上述处理室的上游；气体供给系统，其经由上述喷头的缓冲室交替地向上述处理室供给至少两种气体；和加热部，其在从上述气体供给系统供给气体的期间，以第1温度对缓冲室进行加热，而且以比上述第1温度高的温度对上述处理室进行加热。
(附注2)
如附注1记载的衬底处理装置，上述加热部至少具有内置于上述载置部的第1加热部、和设置在上述缓冲室的上游的第2加热部。
(附注3)
如附注2记载的衬底处理装置，上述第2加热部设置在上述喷头的盖体上。
(附注4)
如附注2或3记载的衬底处理装置，上述加热部还具有设置在缓冲室的下游的第3加热部。
(附注5)
如附注4记载的衬底处理装置，上述第3加热部设置在上述喷头的分散板上。
(附注6)
如附注2或3记载的衬底处理装置，在向处理室供给上述气体的期间，以使上述第2加热部温度比上述第1加热部温度低的方式进行控制。
(附注7)
如附注1至6中任一项记载的衬底处理装置，在上述喷头上连接有公共气体供给管，供给上述至少两种气体中的第1气体的第1气体供给系统及第2气体供给系统与上述气体供给管连接。
(附注8)
如附注2至7中任一项记载的衬底处理装置，上述第2加热部使上述缓冲室的环境气体的温度成为所供给的气体的副产物发生附着的温度以上，且低于供给气体的热分解温度、或低于上述至少两种气体发生反应而形成膜时的反应温度。
(附注9)
如附注4或5记载的衬底处理装置，上述第1加热部和上述第3加热部以使上述处理室的环境气体的温度为热分解温度以上的方式进行控制。
(附注10)
如附注4或5记载的衬底处理装置，上述第3加热部具有与载置在上述载置部上的衬底表面平行的加热面。
(附注11)
如附注7记载的衬底处理装置，在上述公共气体供给管的外周设有第4加热部，在内周设有凸构造。
(附注12)
如附注6记载的衬底处理装置，上述第3加热部配置在不与设于分散板上的分散孔重合的位置。
(附注13)
如附注1至12中任一项记载的衬底处理装置，上述喷头还设有从上述顶壁部连续地构成的气体引导件，上述气体引导件具有凸状构造。
(附注14)
一种半导体器件的制造方法，包括以下工序：衬底载置工序，将衬底载置到内置于处理室中的载置部的载置面上；和成膜工序，以第1温度对喷头的缓冲室进行加热，而且以比上述第1温度高的温度对上述处理室进行加热，并且，经由上述喷头交替地向上述处理室供给至少两种气体，在上述衬底上形成膜。
(附注15)
一种程序，以进行以下工序的方式进行控制：衬底载置工序，将衬底载置到内置于处理室中的载置部的载置面上；和成膜工序，以第1温度对喷头的缓冲室进行加热，而且以比上述第1温度高的温度对上述处理室进行加热，并且，经由上述喷头交替地向上述处理室供给至少两种气体，在上述衬底上形成膜。
(附注16)
一种记录介质，存储以进行以下工序的方式进行控制的程序：衬底载置工序，将衬底载置到内置于处理室中的载置部的载置面上；和成膜工序，以第1温度对喷头的缓冲室进行加热，而且以比上述第1温度高的温度对上述处理室进行加热，并且，经由上述喷头交替地向上述处理室供给至少两种气体，在上述衬底上形成膜。

Claims (17)

1.一种衬底处理装置，具有：
处理室，其具有载置部，该载置部具有供衬底载置的载置面；
喷头，其具有缓冲室，并且设置在上述处理室的上游；
气体供给系统，其经由上述喷头的缓冲室交替地向上述处理室供给至少两种气体；和
加热部，其在从上述气体供给系统供给气体的期间，以第1温度对上述缓冲室进行加热，而且以比上述第1温度高的第2温度对上述处理室进行加热，
其中，上述加热部至少具有内置于上述载置部的第1加热部、和设置在上述缓冲室的上游的第2加热部，且上述第2加热部设置在上述喷头的盖体上。
2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，上述加热部还具有设置在缓冲室的下游的第3加热部。
3.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，上述加热部还具有设置在缓冲室的下游的第3加热部。
4.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，上述第3加热部设置在上述喷头的分散板上。
5.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，上述第3加热部设置在上述喷头的分散板上。
6.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，在向处理室供给上述气体的期间，以使上述第2加热部的温度比上述第1加热部的温度低的方式进行控制。
7.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，在向处理室供给上述气体的期间，以使上述第2加热部的温度比上述第1加热部的温度低的方式进行控制。
8.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，上述第2加热部以如下方式进行控制：使上述缓冲室的环境气体的温度成为所供给的气体的副产物发生附着的温度以上，且低于供给气体的热分解温度、或低于上述至少两种气体发生反应而形成膜时的反应温度。
9.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，上述第2加热部以如下方式进行控制：使上述缓冲室的环境气体的温度成为所供给的气体的副产物发生附着的温度以上，且低于供给气体的热分解温度、或低于上述至少两种气体发生反应而形成膜时的反应温度。
10.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，上述第1加热部和上述第3加热部以使上述处理室的环境气体的温度为热分解温度以上的方式进行控制。
11.如权利要求4所述的衬底处理装置，其中，上述第1加热部和上述第3加热部以使上述处理室的环境气体的温度为热分解温度以上的方式进行控制。
12.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，上述第3加热部具有与载置在上述载置部上的衬底表面平行的加热面。
13.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，上述第3加热部具有与载置在上述载置部上的衬底表面平行的加热面。
14.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，在上述喷头上连接有公共气体供给管，供给上述至少两种气体中的第1气体的第1气体供给系统及第2气体供给系统与上述气体供给管连接。
15.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，在上述喷头上连接有公共气体供给管，供给上述至少两种气体中的第1气体的第1气体供给系统及第2气体供给系统与上述气体供给管连接。
16.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，在上述喷头上连接有公共气体供给管，供给上述至少两种气体中的第1气体的第1气体供给系统及第2气体供给系统与上述气体供给管连接。
17.一种半导体器件的制造方法，包括以下工序：
衬底载置工序，将衬底载置到内置于处理室中的载置部的载置面上；和
成膜工序，通过加热部以第1温度对喷头的缓冲室进行加热、而且以比上述第1温度高的第2温度对上述处理室进行加热，并且，经由上述喷头交替地向上述处理室供给至少两种气体，在上述衬底上形成膜，其中，上述加热部至少具有内置于上述载置部的第1加热部、和设置在上述缓冲室的上游的第2加热部，且上述第2加热部设置在上述喷头的盖体上。
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