KR101026810B1 - 다중 도메인 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

제1 신호선, 제1 신호선과 절연되어 교차하는 제2 신호선, 제1 신호선과 제2 신호선이 교차하여 정의하는 각 화소마다 형성되어 있으며, 절개부를 통하여 적어도 분할되어 있으며 적어도 제1 화소 전극과 제1 화소 전극과 용량성으로 결합되어 있는 제2 화소 전극을 포함하는 화소 전극, 제1 신호선, 제2 신호선, 제1 화소 전극에 삼단자가 연결된 박막 트랜지스터를 가지는 제1 기판과 화소 전극과 마주하는 공통 전극이 형성되어 있는 제2 기판과 제1 기판과 제2 기판 사이에 형성되어 있으며, 제1 및 제2 기판에 대하여 장축이 수직으로 배열되어 있는 액정 분자를 포함하는 액정층을 포함한다. 이때, 박막 트랜지스터를 통하여 화소 전극에 전달된 화소 전압과 화소 전압에 대한 투과율의 가파르기가 20보다 작은 액정 표시 장치를 마련한다.
액정표시장치, 도메인, 굽은 데이터선, 결합전극

Description

다중 도메인 액정 표시 장치{MULTI-DOMAIN LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 공통 전극 표시판의 배치도이고,
도 3 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고,
도 4는 도 3의 액정 표시 장치를 IV-IV'선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 5는 도 3의 액정 표시 장치를 V-V'선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 회로도이고,
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고,
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고,
도 9는 도 8의 액정 표시 장치를 IX-IX' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 액정에 인가된 전압(V)에 대한 투과율(transmittance)을 나타낸 그래프이고,
도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 액정에 인가된 전압(V)에 대한 투과율(transmittance)을 나타낸 그래프이다.
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 특히 광시야각을 얻기 위하여 화소를 복수의 도메인으로 분할하는 수직 배향 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 일반적으로 공통 전극과 색 필터(color filter) 등이 형성되어 있는 상부 기판과 박막 트랜지스터와 화소 전극 등이 형성되어 있는 하부 기판 사이에 액정 물질을 주입해 놓고 화소 전극과 공통 전극에 서로 다른 전위를 인가함으로써 전계를 형성하여 액정 분자들의 배열을 변경시키고, 이를 통해 빛의 투과율을 조절함으로써 화상을 표현하는 장치이다.
그런데 액정 표시 장치는 시야각이 좁은 것이 중요한 단점이다. 이러한 단점을 극복하고자 시야각을 넓히기 위한 다양한 방안이 개발되고 있는데, 그 중에서도 액정 분자를 상하 기판에 대하여 수직으로 배향하고 화소 전극과 그 대향 전극인 공통 전극에 일정한 절개 패턴을 형성하거나 돌기를 형성하는 방법이 유력시되고 있다.
이러한 다중 도메인 액정 표시 장치는 1:10의 대비비를 기준으로 하는 대비비 기준 시야각이나 계조간의 휘도 반전의 한계 각도로 정의되는 계조 반전 기준 시야각은 전 방향 80°이상으로 매우 우수하다. 그러나 정면의 감마(gamma)곡선과 측면의 감마 곡선이 일치하지 않는 측면 감마 곡선 왜곡 현상이 발생하여 TN(twisted nematic) 모드 액정 표시 장치에 비하여도 좌우측면에서 열등한 시인성을 나타낸다. 예를 들어, 도메인 분할 수단으로 절개부를 형성하는 PVA(patterned vertically aligned) 모드의 경우에는 측면으로 갈수록 전체적으로 화면이 밝게 보이고 색은 흰색 쪽으로 이동하는 경향이 있으며, 심한 경우에는 밝은 계조 사이의 간격 차이가 없어져서 그림이 뭉그러져 보이는 경우도 발생한다. 그런데 최근 액정 표시 장치가 멀티 미디어용으로 사용되면서 그림을 보거나 동영상을 보는 일이 증가하면서 시인성이 점점 더 중요시되고 있다.
한편, 돌기나 절개 패턴을 형성하는 방법에서는 돌기나 절개 패턴 부분으로 인하여 개구율이 떨어진다. 이를 보완하기 위하여 화소 전극을 최대한 넓게 형성하는 초고개구율 구조를 고안하였으나, 이러한 초고개구율 구조는 인접한 화소 전극 사이의 거리가 매우 가까워서 화소 전극 사이에 형성되는 측방향 전기장(lateral field)이 강하게 형성된다. 따라서 화소 전극 가장자리에 위치하는 액정들이 이 측방향 전기장에 영향을 받아 배향이 흐트러지고, 이로 인하여 텍스쳐나 빛샘이 발생하게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 시인성이 우수한 다중 도메인 액정 표시 장치를 구현하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 안정한 다중 도메인을 형성하는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 다음과 같은 액정 표시 장치를 마련한다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는, 제1 신호선, 제1 신호선과 절연되어 교차하는 제2 신호선, 제1 신호선과 제2 신호선이 교차하여 정의하는 각 화소마다 형성되어 있으며, 절개부를 통하여 분할되어 있으며 적어도 제1 화소 전극과 제1 화소 전극과 용량성으로 결합되어 있는 제2 화소 전극을 포함하는 화소 전극, 제1 신호선, 제2 신호선, 제1 화소 전극에 삼단자가 연결된 박막 트랜지스터를 가지는 제1 기판과, 화소 전극과 마주하는 공통 전극이 형성되어 있는 제2 기판과, 제1 기판과 제2 기판 사이에 형성되어 있으며, 제1 및 제2 기판에 대하여 장축이 수직으로 배열되어 있는 액정 분자를 포함하는 액정층을 포함한다. 이때, 박막 트랜지스터를 통하여 화소 전극에 전달된 화소 전압과 화소 전압에 대한 투과율의 가파르기가 20보다 작다.
제2 화소 전극에 전달된 제2 화소 전압의 절대값은 제1 화소 전극에 전달된 제1 화소 전압의 절대값보다 작은 것이 바람직하며, 제1 및 제2 화소 전극과 용량성으로 결합되어 제3 화소 전압이 전달되는 제3 화소 전극 또는 제1 내지 제3 화소 전극과 용량성으로 결합되어 제4 화소 전압이 전달되는 제4 화소 전극을 더 포함할 수 있다.
이때, 제1 화소 전극의 면적에 대하여 제2 내지 제4 화소 전극은 면적은 80%를 넘지 않으며, 제2 내지 제4 화소 전극의 면적비는 1:1 내지 1:1.5 범위인 것이 바람직하다.
제1 화소 전극과 연결되어 있으며, 결합 용량을 위하여 제2 내지 제4 화소 전극과 중첩하는 결합 전극을 더 포함하고, 제2 내지 제4 화소 전극과 중첩하는 결 합 전극은 서로 다른 폭을 가질 수 있으며, 제2 내지 제4 화소 전극과 결합 전극이 중첩하는 면적이 서로 다른 것이 바람직하다.
제2 신호선은 굽은 부분을 포함하고, 굽은 부분은 2개 이상의 직선 부분을 가지며, 2개 이상의 직선 부분은 상기 제1 신호선에 대하여 실질적으로 ±45도를 이루어 교차로 배열되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 화소는 두 번 이상 꺾인 띠 모양으로 이루어져 있고, 제1 화소 전극과 제2 화소 전극은 꺾인 부분을 경계로 하여 분할되어 있는 것이 바람직하며, 화소 전극 및 공통 전극은 도메인 규제 수단을 가지며, 도메인 규제 수단은 화소의 모양을 따라 형성되어 있다.
이러한 액정 표시 장치는 제1 신호선과 나란하게 뻗은 유지 전극선 및 유지 전극선에 연결되어 있으며 화소 전극과 적어도 일부분이 중첩하고 있는 유지 전극을 더 포함한다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포 함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 다중 도메인 액정 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 공통 전극 표시판의 배치도이고, 도 3 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 4는 도 3의 액정 표시 장치를 IV-IV'선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 5는 도 3의 액정 표시 장치를 V-V'선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 회로도이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치는 하부 표시판(100)과 이와 마주보고 있는 상부 표시판(200) 및 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 주입되어 표시판(100, 200)에 수직으로 배향되어 있는 액정 분자를 포함하는 액정층(3)으로 이루어진다. 이때, 각각의 표시판(100, 200)에는 배향막(11, 21)이 형성되어 있으며, 배향막(11, 21)은 액정층(3)의 액정 분자(310)를 표시판(100, 200)에 대하여 수직으로 배향되도록 하는 수직 배향 모드인 것이 바람직하나, 그렇지 않을 수도 있다.
먼저, 하부 표시판의 구성은 다음과 같다.
유리등의 투명한 절연 물질로 이루어진 하부 절연 기판(110) 위에 ITO(indium tin oxide)나 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질로 이루어 져 있는 제1, 제2 및 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c) 및 결합 전극(176)이 형성되어 있다. 이중 제1 화소 전극(190a)은 박막 트랜지스터(TFT, 도 6 참조)에 직접 연결되어 함께 화상 신호 전압을 인가 받는데, 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)은 제1 화소 전극(190a)과 연결되어 있는 드레인 전극(175)으로 연장된 결합 전극(176)과 중첩하고 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 주사 신호를 전달하는 게이트선(121)과 화상 신호를 전달하는 데이터선(171)에 각각 연결되어 주사 신호에 따라 제1 화소 전극(190a)에 인가되는 화상 신호를 온(on) 오프(off)한다. 이때, 결합 전극(176)에는 제1 화소 전극(190a)에 전달된 화소 전압이 전달되는데, 결합 전극(176)은 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)과 중첩하여 용량성으로 결합되어 초기에 전달된 제1 화소 전극(190a)의 화소 전압이 변하게 되어 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)에 전달되며, 이에 대해서는 이후에 구체적으로 설명한다. 이때, 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c)은 절개부를 통하여 분리되어 있다. 또한, 절연 기판(110)의 아래 면에는 하부 편광판(도시하지 않음)이 부착되어 있으나, 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c)은 반사형 액정 표시 장치인 경우 투명한 물질로 이루어지지 않을 수도 있고, 이 경우에는 하부 편광판도 불필요하게 된다.
다음, 상부 표시판의 구성은 다음과 같다.
역시 유리등의 투명한 절연 물질로 이루어진 상부 절연 기판(210)의 아래 면에 화소 영역에 개구부를 가지며 화소 영역 사이에서 누설되는 빛을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(220)와 적, 녹, 청의 색 필터(230) 및 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도 전 물질로 이루어져 있는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 여기서, 공통 전극(270)에는 절개부(271)가 형성되어 있다. 절개부(271)는 화소 영역에서 프린지 필드를 형성하여 액정 분자를 분할 배향하는 도메인 규제 수단이며, 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c)의 경계에서 형성하는 프린지 필드 또한 액정 분자를 분할 배향하는 도메인 규제 수단이다. 이때, 도메인 규제 수단으로 프린지 필드를 형성하기 위해 공통 전극(270) 및 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c)의 절개부를 이용하였지만, 배향막의 배향력을 경사지도록 유도하여 액정 분자를 분할 배향하기 위한 돌기를 이용할 수도 있다. 블랙 매트릭스(220)는 화소 영역의 둘레 부분뿐만 아니라 공통 전극(270)의 절개부(271)와 중첩하는 부분에도 분지의 모양으로 배치할 수 있으며, 이는 절개부(271)로 인해 발생하는 빛샘을 방지하기 위함이다.
다음은, 하부 표시판인 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 도 1, 도 3 내지 도 5를 참조하여 좀 더 상세히 한다.
하부의 절연 기판(110) 위에 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121)이 형성되어 있다. 게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며, 각 게이트선(121)의 일부는 복수의 게이트 전극(gate electrode, 124)을 이룬다. 게이트선(121)의 한쪽 끝 부분은 외부의 게이트 구동 회로와의 연결을 위하여 넓게 확장되어 접촉부를 이룰 수 있으며, 본 실시예와 같이 접촉부를 가지지 않는 경우에는 기판(110)의 상부에 박막 트랜지스터와 동일한 층으로 직접 형성되어 있는 게이트 구동 회로의 출력단에 게이트선(121)의 끝 부분이 직접 연결되어 있다.
또한, 절연 기판(110) 위에는 유지 전극선(131a, 131b)과 유지 전극(storage electrode, 133a, 133b)이 형성되어 있다. 유지 전극선(131a, 131b)은 화소 영역의 상부 및 하부 가장자리에서 가로 방향으로 뻗어 있다. 유지 전극(133a, 133b)은 화소 영역의 양쪽 가장자리에서 유지 전극선(131a, 131b)에 대하여 135도를 이루는 방향으로 뻗어나가다가 90도 두 번 꺾여서 소정 길이만큼 뻗어 있으며, 두 유지 전극선(131a, 131b)을 연결하고 있고, 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c) 또는 결합 전극(176)과 중첩되어 유지 축전기를 이룬다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131a, 131b)은 Al, Al 합금, Ag, Ag 합금, Cr, Ti, Ta, Mo 등의 금속 따위로 만들어진다. 본 실시예의 게이트선(121)은 단일층으로 도시되어 있지만, 물리 화학적 특성이 우수한 Cr, Mo, Ti, Ta 등의 금속층과 비저항이 작은 Al 계열 또는 Ag 계열의 금속층을 포함하는 이중층으로 이루어질 수도 있다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131a, 131b) 측면은 경사져 있으며 수평면에 대한 경사각은 30-80°인 것이 바람직하다.
게이트선(121)의 위에는 질화규소(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
게이트 전극(124a, 124c)의 게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 등으로 이루어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 반도체층(151)은 박막 트랜지스터(TFT)의 채널을 형성하는 채널부를 포함하며, 반도체(151)는 이후에 형성되는 데이터선(171)을 따라 선형으로 뻗어 있으며, 데이터선(171)과 게이트선(121) 및 유지 전극선(도시하지 않음)이 교차하는 위치에서는 넓은 폭을 가지며, 이들(171, 121)이 교차하는 부분보다 넓은 면적으로 확장되어 있다.
반도체층(151)의 위에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 선형의 저항성 접촉 부재(161, ohmic contact)와 섬형의 저항성 접촉 부재(165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161)는 게이트 전극(124) 상부의 중앙에 위치하는 소스부 저항성 접촉 부재(163)를 포함하며, 섬형의 저항성 접촉 부재(165)는 게이트 전극(124)을 중심으로 소스부 저항성 부재(163)와 각각 마주한다.
저항성 접촉층(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 데이터선(171)과 드레인 전극(175)이 형성되어 있다. 데이터선(171)은 길게 뻗어 있으며 게이트선 (121)과 교차하고 있으며, 데이터선(171)에 연결되어 있으며 소스부 저항성 접촉 부재(163)의 상부까지 연장되어 있는 소스 전극(173)을 가진다. 드레인 전극(175)은 소스 전극(173)과 분리되어 있으며 게이트 전극(124)에 대하여 소스 전극(173)의 반대쪽 드레인부 저항성 접촉 부재(165) 상부에 각각 위치한다. 드레인 전극(175)에는 이후의 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)과 중첩되어 결합 용량(Ccp1, Ccp2)을 형성하는 결합 전극(176)이 연결되어 있다. 데이터선(171)의 한쪽 끝 부분(179)은 외부 회로와 연결하기 위한 접촉부이며, 그 폭이 확장되어 있다.
여기서, 데이터선(171)은 화소의 길이를 주기로 하여 반복적으로 두 번 굽은 부분과 세로로 뻗은 부분을 가진다. 이 때, 데이터선(171)의 굽은 부분은 두 개 이상의 직선 부분으로 이루어지며, 이들 두 개의 직선 부분 중 일부는 게이트선(121)에 대하여 45도를 이루고, 다른 한 부분은 게이트선(121)에 대하여 -45도를 이룬다. 데이터선(171)의 세로로 뻗은 부분에는 소스 전극(173)이 연결되어 있고, 이 부분이 게이트선(121)과 교차한다. 이때, 데이터선(171)의 굽은 부분은 두 이상일 수 있으며, 다양한 모양을 가질 수 있다.
이 때, 데이터선(171)의 굽은 부분과 세로로 뻗은 부분의 길이의 비는 1:1 내지 9:1 사이(즉, 데이터선(171) 중 굽은 부분이 차지하는 비율이 50%에서 90% 사이)이다.
따라서, 게이트선(121)과 데이터선(171)이 교차하여 이루는 화소는 꺾인 띠 모양을 가진다.
결합 전극(176)은 화소의 꺾인 모양을 따라 굽은 모양을 가지는데, 화소의 굽은 경계에서 가로 방향 또는 세로 방향으로 뻗을 가로부 분지(177)를 가질 수 있으며, 이는 소 영역으로 분할된 영역의 경계에서 누설되는 빛을 차단하는 기능을 가진다.
데이터선(171)과 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체층(154) 위에는 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질, 또는 무기 물질인 질화 규소 또는 유기 절연 물질 따위로 이루어진 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 이때, 보호막(180)의 결합 전극(176)의 위치에 따라 다른 두께를 가질 수 있으며, 이는 이후에 형성되는 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)과 결합 전극(176) 사이에 형성되는 결합 용량을 다르게 조절하여 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)에 전달되는 화소 전압을 다르게 조절하기 위함이다.
보호막(180)에는 드레인 전극(175)을 드러내는 접촉구(185)가 형성되어 있다. 또한, 보호막(180)은 게이트선(121) 및 데이터선(121)의 끝 부분(도시하지 않음)을 드러내는 접촉구를 게이트 절연막(140)과 함께 가질 수 있으며, 이러한 실시예에서는 외부와 게이트선 및 데이터선을 구동 회로와 연결하기 위한 접촉부를 가진다. 또한 보호막(180)에는 유지 전극선(131a, 131b)을 드러내는 접촉구(184)를 가진다.
이때, 접촉구(185, 182)의 측벽은 기판(110) 면에 대하여 30도에서 80도 사이의 완만한 경사를 가지며, 평면적으로 각을 가지거나 원형의 다양한 모양으로 형성될 수 있으며, 면적은 2mm×60㎛를 넘지 않으며, 0.5mm×15㎛ 이상인 것이 바람직하다.
보호막(180) 위에는 화소의 모양을 따라 꺾인 띠 모양으로 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c)이 형성되어 있다. 이때, 제1 화소 전극(190b)은 접촉구(185)를 통하여 드레인 전극(175)과 연결되어 있으며, 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)은 드레인 전극(175)과 연결된 결합 전극(176)과 중첩하고 있다. 따라서, 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)은 제1 화소 전극(190a)에 전자기적으로 결합(용량성 결합)되어 있다.
제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c)은 화소의 굽은 부분에 배치되어 있는 절개부(194)를 통하여 나뉘어 있는데, 본 실시예여서는 가로 방향으로 뻗어 있지만, 화소의 모양을 따라 세로 방향으로 굽은 형태를 취할 수 있다.
한편, 보호막(180) 위에는 접촉구를 통하여 데이터선 또는 게이트선의 끝 부분과 각각 연결되어 있는 접촉 보조 부재가 형성될 수 있다. 보호막(180) 위에는 접촉구(184)를 통하여 서로 이웃하는 화소 영역에 배치되어 있는 유지 전극선(131a, 131b)을 연결하는 연결 부재(84)가 형성되어 있다.
여기서, 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)로 이루어져 있다.
이제, 도 2 및 도 3 내지 도 5를 참고로 하여 대향 표시판 표시판에 대하여 설명한다.
하부 절연 기판(110)과 마주하며, 유리등의 투명한 절연 물질로 이루어진 상부 기판(210)의 아래 면에 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(220)가 형성되어 있고, 각각의 화소에는 적, 녹, 청색의 색 필터(230)가 순차적으로 형성되어 있고, 색 필터(230) 위에는 질화 규소 또는 유기 물질로 이루어진 오버코트막(250)이 형성되어 있다. 오버코트막(250)의 위에는 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 이루어져 있으며, 절개부(271)를 가지는 공통 전극(270)이 형성되어 있다.
이 때, 절개부(271)는 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c)의 경계와 함께 프린지 필드를 형성하여 액정 분자를 분할 배향하기 위한 도메인 규제 수단으로서 작용하며 그 폭은 9㎛에서 12㎛ 사이인 것이 바람직하다. 만약 도메인 규제 수단으로 절개부(271) 대신 유기물 돌기를 형성하는 경우에는 폭을 5㎛에서 10㎛ 사이로 하는 것이 바람직하다.
또한, 블랙 매트릭스(220)는 데이터선(171)의 굽은 부분에 대응하는 선형 부분과 데이터선(171)의 세로로 뻗은 부분 및 박막 트랜지스터 부분에 대응하는 부분을 포함한다.
한편, 절개부(271)와 같은 도메인 규제 수단은 화소 전극(190a, 190b, 190c)에 비치될 수도 있으며, 돌기 또한 화소 전극(190a, 190b, 190c)의 상부에 배치될 수도 있다.
적, 녹, 청의 색 필터(230)는 블랙 매트릭스(220)에 의하여 구획되는 화소 열을 따라 세로로 길게 형성되어 있고 화소의 모양을 따라 주기적으로 구부러져 있다.
절개부(271) 역시 구부러져 있어서 굽은 화소 모양으로 형성되어 있다. 또, 절개부(271)의 양단은 한번 더 구부러져서 한쪽 끝은 게이트선(121)과 나란한 분지(272)를 가지며, 절개부(271)는 화소의 중앙에서 좌우로 화소를 부화소로 양분하며, 양분된 부화소를 상하로 양분하거나 결합 전극(176)의 분지(177)와 중첩하는 분지(274, 274')를 가질 수 있다. 이때, 다수의 분지(274, 274')는 동일한 면적으로 절개할 수 있지만, 본 실시예에서와 같이 다를 수 있다. 제1 화소 전극(190a)과 제2 화소 전극(190b) 사이에 위치하는 분지(274)와 제2 화소 전극(190b)과 제3 화소 전극(190c) 사이에 위치하는 분지(274')의 크기를 서로 달리하여 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c)과 공통 전극(270)이 각각 중첩하는 면적을 부화소 별로 다르게 조절할 수 있다.
또한, 절개부(271)는 오목하게 모따기 모양을 가지는 노치(273)를 가지는데, 이러한 노치(273)는 삼각형 또는 사각형 또는 사다리꼴 또는 반원형의 모양을 가질 수 있으며, 도메인의 경계에 배열되어 있는 액정 분자들은 노치(277)를 통하여 안정적이고 규칙적으로 배열할 수 있어 도메인 경계에서 얼룩이나 잔상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이상과 같은 구조의 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200)을 결합하고 그 사이에 액정을 주입하여 액정층을 형성하면 도 3 내지 도 6에서 보는 바와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 기본 패널이 이루어진다.
액정층에 포함되어 있는 액정 분자는 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c)과 공통 전극(270) 사이에 전계가 인가되지 않은 상태에서 그 방향자가 하부 기판(110)과 상부 기판(210)에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있고, 음의 유전율 이방성을 가진다.
이때, 도 3 내지 도 5에서 보는 바와 같이, 하부 기판(110)과 상부 기판(210)은 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c)이 색 필터(230)와 대응하여 정확하게 중첩되고, 공통 전극(270)의 절개부(271)는 결합 전극(176)에 중첩되도록 정렬된다.
이러한 액정 표시 장치에서 화소의 액정 분자들은 절개부(271)의 프린지 필드에 의해 복수의 도메인으로 분할 배향된다. 이 때, 화소는 절개부(271))에 의하여 좌우로 양분되며, 부화소의 꺾인 부분을 중심으로 하여 상하에서 액정의 배향 방향이 서로 달라서 8종류의 도메인으로 분할된다. 도면에서는 부화소가 하나의 꺾인 부분을 중심으로 상하에 배치되어 있는데, 꺾인 부분을 적어도 둘 이상으로 배치할 수도 있다.
이러한 액정 표시 장치의 구조에서 색 필터(230)가 대향 표시판(200)에 배치되어 있지만, 박막 트랜지스터 표시판(100)에 배치할 수 있으며, 이 경우에는 게이트 절연막(140) 또는 보호막(180)의 하부에 형성될 수 있다.
액정 표시 장치는 이러한 기본 패널 양측에 편광판, 백라이트, 보상판 등의 요소들을 배치하여 이루어진다. 이 때 편광판은 기본 패널 양측에 각각 하나씩 배치되며 그 투과축은 게이트선(121)에 대하여 둘 중 하나는 나란하고 나머지 하나는 수직을 이루도록 배치한다.
이상과 같은 구조로 액정 표시 장치를 형성하면 액정에 전계가 인가되었을 때 각 도메인 내의 액정이 도메인의 장변에 대하여 수직을 이루는 방향으로 기울어지게 된다. 그런데 이 방향은 데이터선(171)에 대하여 수직을 이루는 방향이므로 데이터선(171)을 사이에 두고 이웃하는 두 제1 내지 제3 화소 전극(191a, 191b, 190c) 사이에서 형성되는 측방향 전계에 의하여 액정이 기울어지는 방향과 일치하는 것으로서 측방향 전계가 각 도메인의 액정 배향을 도와주게 된다.
이러한 액정 표시 장치에서는 데이터선(171) 양측에 위치하는 화소 전극에 극성이 반대인 전압을 인가하는 점반전 구동, 열반전 구동, 2점 반전 구동 등의 반전 구동 방법을 일반적으로 사용하므로 측방향 전계는 거의 항상 발생하고 그 방향은 도메인의 액정 배향을 돕는 방향이 된다.
또한, 편광판의 투과축을 게이트선(121)에 대하여 수직 또는 나란한 방향으로 배치하므로 편광판을 저렴하게 제조할 수 있으면서도 모든 도메인에서 액정의 배향 방향이 편광판의 투과축과 45도를 이루게 되어 최고 휘도를 얻을 수 있다.
또한, 이러한 구조의 액정 표시 장치에서 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c)에는 데이터선(171)을 통하여 전달되는 화상 신호 전압을 박막 트랜지스터(TFT)를 통하여 동일한 화상 신호 전압을 인가받는데, 제1 화소 전극(190a)과 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)은 결합 전극(176)을 통한 용량성 결합에 의하여 인가된 전압이 변동된다. 이때, 제1 화소 전극(190a)에 인가된 화소 전압은 데이터선(171)을 통하여 전달된 화상 신호 전압과 동일하나 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)의 화소 전압은 화상 신호 전압보다 절대값이 낮아진다. 이와 같이, 하나의 화소 영역 내에서 전압이 다른 다수의 화소 전극을 배치하면 각각의 화소 전극(190a, 190b, 190c)이 서로 보상하여 감마 곡선의 왜곡을 줄일 수 있으며, 이에 대하여 도 6을 참고로 하여 뒤에서 상술한다. 이때, 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)의 화소 전압은 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)과 결합 전극(176)의 중첩 면적으로 조절할 수 있으며, 제1 화소 전극(190a)의 화소 전압을 1이라 할 때, 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)의 화소 전압은 0.95-0.60인 것이 바람직하다. 이를 위하여 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c)과 중첩하는 결합 전극(176)은 다른 폭(a, b, c)을 가지는 것이 바람직하며, 3-15㎛ 범위에서 다양하며 조절할 수 있다. 또한, 분할된 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c)에 중에서 높은 화소 전압이 전달되는 화소 전극은 낮은 화소 전압이 전달되 는 화소 전극보다 같거나 작은 면적을 가지는 것이 바람직하다.
한편, 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c)에 전달되는 화소 전압을 변화시키기 위해 보호막(190)의 두께를 부화소 별로 다르게 형성할 수도 있다.
이때, 본 발명의 실시예에 따른 시뮬레이션에서 최적의 조건에서 결합 전극(176)에 연결되어 있는 제1 화소 전극(190a)의 면적은 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)의 면적에 대하여 50%를 넘지 않는 것이 바람직하며, 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190c) 사이의 간격인 슬릿(194)의 폭은 2-5㎛ 범위인 것이 바람직하다. 또한, 결합 전극(176)과 중첩되어 있는 전극들, 즉 제2 내지 제3 화소 전극(190b, 190c)의 면적은 화소에 대하여 80%를 넘지 않는 것으며, 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)에 인가된 화소 전압의 절대값은 제1 화소 전극(190a)에 인가된 화소 전압의 절대값에 대하여 1:0.95 내지 1:0.60의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190b)의 면적비는 1:1 내지 1:5 범위이며, 제1 화소 전극(190a)의 면적은 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190b)의 면적에 대하여 50%를 넘지 않는 것이 바람직하다.
이러한 구조의 액정 표시 장치에서는 앞에서 설명한 바와 같이 제1 화소 전극(190a)은 박막 트랜지스터를 통하여 화상 신호 전압을 인가 받음에 반하여 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)은 결합 전극(176)과의 용량성 결합에 의하여 전압이 변동하게 되므로 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)의 전압은 제1 화소 전극(190a)의 전압에 비하여 절대값이 항상 낮게 된다.
그러면 제1 화소 전극(190a)의 전압이 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)의 전압보다 낮게 유지되는 이유를 도 6을 참고로 하여 설명한다.
도 6에서 Clca는 제1 화소 전극(190a)과 공통 전극(270) 사이에서 형성되는 액정 용량을 나타내고, Cst는 제1 화소 전극(190a)과 유지 전극 배선(131a, 131b, 133a, 133b) 사이에서 형성되는 유지 용량을 나타낸다. Clcb는 제2 화소 전극(190b)과 공통 전극(270) 사이에서 형성되는 액정 용량을 나타내고, Ccp1은 제1 화소 전극(190a)과 제2 화소 전극(190b) 사이에서 형성되는 결합 용량을 나타낸다. Clcc는 제3 화소 전극(190c)과 공통 전극(270) 사이에서 형성되는 액정 용량을 나타내고, Ccp2는 제1 화소 전극(190a)과 제3 화소 전극(190c) 사이에서 형성되는 결합 용량을 나타낸다.
공통 전극(270) 화소 전압에 대한 제1 화소 전극(190a)의 전압을 Va라 하고, 제2 및 제3 화소 전극(190b, 190c)의 화소 전압을 각각 Vb, Vc라 하면, 전압 분배 법칙에 의하여,
Vb=Va×[Ccp1/(Ccp+Clcb)]
Vc=Va×[Ccp2/(Ccp1+Clcb+Ccp2+Clcc)]
이고, Ccp/(Ccp+Clcb) 및 (Ccp1+Clcb+Ccp2+Clcc)은 항상 1보다 작으므로 Vb 및 Vc는 Va에 비하여 항상 작다. 그리고 Ccp1 및 Ccp2를 조절함으로써 Va에 대한 Vb 및 Vc의 비율을 조정할 수 있다.
한편, 화소 전극은 제1 실시예와 달리 2 부분 또는 4 부분으로 분할할 수 있으며, 그 예를 제2 및 제3 실시예로써 설명한다.
이하에서는 제1 실시예와 구별되는 특징에 대하여만 설명하고 나머지 부분에 대하여는 설명을 생략한다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.
제1 실시예에 비하여 제2 실시예에서는 각각의 화소 영역에는 제1 및 제2 화소 전극(190a, 190b)이 배치되어 있으며, 이들은 화소의 중앙에 가로 방향으로 형성되어 있는 절개부(193)를 통하여 분리되어 있다.
제1 실시예와 달리 절개부(194)는 화소 전극(190a, 190b)을 분할하고 있지 않으며, 화소의 중앙부까지만 형성되어 있다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 9는 도 8의 액정 표시 장치를 IX-IX' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 8 및 도 9에서 보는 바와 같이, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 층상 구조는 대개 도 1 내지 도 5에 도시한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 층상 구조와 동일하다. 즉, 기판(110) 위에 복수의 게이트 전극(124)을 포함하는 복수의 게이트선(121)이 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(140), 복수의 돌출부(154)를 포함하는 복수의 선형 반도체(151), 복수의 돌출부(163)를 각각 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161) 및 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 차례로 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 소스 전극(173)을 포함하는 복수의 데이터선(171), 복수의 드레인 전극(175), 복수의 결합 전극(176)이 형성되어 있고 그 위에 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180) 및/또는 게이트 절연막(140)에는 복수의 접촉 구멍(182)이 형성되어 있다.
그러나, 보호막(180) 위에는 제1 내지 제4 화소 전극(190a, 190b, 190c, 190d)이 형성되어 있다. 이때, 제1 내지 제4 화소 전극(190a, 190b, 190c, 190d)은 절개부(193, 194)를 통하여 분리되어 4부분을 이루고 있으며, 평행사변형의 모양을 취하고 있다. 제1 화소 전극(190a)과 제3 화소 전극(190c)의 화소 전압의 합과 제2 화소 전극(190b)과 제4 화소 전극(190d)의 화소 전압의 합과 동일한 것이 바람직하며, 이러한 화소 전압의 합에 대한 차이는 80%이내인 것이 바람직하다. 이를 위하여 제2 내지 제4 화소 전극(190b, 190c, 190d)과 중첩하는 결합 전극(176)은 부분 별로 다른 폭(a, b, c)을 가지는 것이 바람직하다. 이때, 제1 내지 제3 화소 전극(190a, 190b, 190d, 190d)에 인가된 화소 전압은 순차적으로 작아질 수 있다.
또한, 반도체(151)는 박막 트랜지스터가 위치하는 돌출부(154)를 제외하면 데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 그 하부의 저항성 접촉 부재(161, 165,)와 실질적으로 동일한 평면 형태를 가지고 있다. 구체적으로는, 선형 반도체(151)는 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)과 그 하부의 저항성 접촉 부재(161, 165)의 아래에 존재하는 부분 외에도 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이에 이들에 가리지 않고 노출된 부분을 가지고 있다.
이러한 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 제조 공정에서 데이터선(171)과 반도체(151)를 부분적으로 위치에 따라 다른 두께를 가지는 감광막 패턴을 이용한 사진 식각 공정으로 함께 패터닝하여 형성한 것이다.
다음은, 앞에서 설명한 바와 같은 제1 내지 제3 실시예에 따른 액정 표시 장 치를 통하여 시인성을 개선할 수 있는 효과에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 액정에 인가된 전압(V)에 대한 투과율(transmittance)을 나타낸 그래프이고, 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 액정에 인가된 전압(V)에 대한 투과율(transmittance)을 나타낸 그래프이다. 도 10 및 도 11에서 "#1"은 일반적인 수직 배향형 액정 표시 장치에서 화소 전압에 대한 투과율을 측정한 그래프이고, "#2"는 각각 제2 및 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 화소 전압에 대한 투과율을 나타낸 그래프이다. 여기서, 화소 전압은 공통 전극에 인가된 공통 전압을 기준으로 한다.
본 실시예와 달리 화소 전극을 분할하지 않고 각각의 단위 화소에 하나의 화소 전압을 인가하는 일반적인 수직 배향형 액정 표시 장치에서 액정에 인가된 화소 전압(V)에 대하여 투과율(transmittance)을 측정한 그래프를 살펴보면, 도 10 및 도 11에서 "#1"로 나타낸 바와 같이 가파르기(steepness)가 매우 급하게 나타난다. 이로 인하여 데이터 구동 집적 회로에서 화상 신호를 출력할 때 낮은 계조를 표시하는 저계조 영역에서 화상 신호에 대한 출력 편차가 발생으로 인하여 표시 특성이 저하되는 문제점이 심하게 발생한다.
하지만, 본 발명의 제1 내지 제3 실시예에서와 같이 화소 전극을 분할하고 하나의 제1 화소 전극(190a)에는 정상적인 화소 전압을 전달하고, 제2 또는 제3 또는 제4 화소 전극(190b, 190c, 190d)에는 다른 화소 전압을 전달함으로써 단위 화소 영역에서 화소 전압에 대한 투과율 곡선에서 도 10 및 도 11에서 보는 바와 같 이 가파르기는 매우 완만하게 나타난다. 따라서, 각각의 계조 전압, 특히 낮은 계조 영역에서 계조 전압에 대하여 용이하게 식별할 수 있는 투과율을 얻을 수 있으며, 이를 통하여 화상을 표시할 때 액정 표시 장치의 시인성을 개선할 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 제1 화소 전극(190a)과 제2 화소 전극(190b)의 면적 비는 1:1이고, 전압 비는 1:0.7로 설계한 결과, 가파르기는 20이하의 바람직한 범위 내에서 16으로 측정되었다.
여기서, 가파르기는 투과율이 5.5%에 대한 계조 전압과 투과율 1.5%에 대한 계조 전압의 차로 투과율의 차를 나눈 값, (5.5%-1.5%)/[V(5.5%)-V(1.5%)]로 정의한다. 이러한 식으로 가파르기를 정의하는 이유는 사람의 시감 곡선에 의해 가장 민감하게 인식되는 투과율의 범위가 5.5% 내지 1.5%이고, 이러한 투과율의 범위에서 발생하는 데이터 구동 집적 회로의 출력 편차로 인하여 세로줄 또는 가로줄 얼룩으로 인식되기 때문이다.
한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 제1 화소 전극(190a)과 제2 화소 전극(190b)과 제3 화소 전극(190c)의 면적 비는 1:2:1이고, 전압 비는 1:0.7:0.65로 설계한 결과, 가파르기 11.5로 매우 완만하게 측정되었다.
이상과 같이, 데이터선을 굴절시켜 화소를 꺾인 띠 모양으로 형성하면 인접한 화소 사이의 측방향 전계가 도메인의 형성을 돕는 방향으로 작용하여 도메인이 안정하게 형성되고, 또한, 편광판의 투과축을 게이트선에 대하여 수직 또는 나란한 방향으로 배치하므로 편광판을 저렴하게 제조할 수 있으면서도 모든 도메인에서 액 정의 배향 방향이 편광판의 투과축과 45도를 이루게 되어 최고 휘도를 얻을 수 있다.
또한, 이상과 같은 구성을 통하여 액정 표시 장치에서 화소 전극을 분할하는 동시에 분할된 화소 전극을 결합 용량성으로 연결하여 분할된 화소 전극에 서로 다른 화소 전압을 인가하여 시인성을 향상시켜 표시 장치의 표시 특성을 향상시킬 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (34)

  1. 제1 신호선, 상기 제1 신호선과 절연되어 교차하는 제2 신호선, 상기 제1 신호선과 상기 제2 신호선이 교차하여 정의하는 각 화소마다 형성되어 있으며, 절개부를 통하여 분할되어 있으며 적어도 제1 화소 전극과 상기 제1 화소 전극과 용량성으로 결합되어 있는 제2 화소 전극을 포함하는 화소 전극, 상기 제1 신호선, 상기 제2 신호선, 상기 제1 화소 전극에 삼단자가 연결된 박막 트랜지스터를 가지는 제1 기판,
    상기 화소 전극과 마주하는 공통 전극이 형성되어 있는 제2 기판,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 형성되어 있으며, 상기 제1 및 제2 기판에 대하여 장축이 수직으로 배열되어 있는 액정 분자를 포함하는 액정층
    을 포함하며,
    상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극에 의해서 형성되는 상기 화소 전극의 계조 전압에 대한 투과율의 가파르기는 20%/V보다 작으며,
    상기 가파르기는 상기 투과율 5.5%와 1.5%의 차를 상기 투과율 5.5%에 대한 계조 전압값과 상기 투과율 1.5%에 대한 계조 전압값의 차로 나눈 값인 액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제2 화소 전극에 전달된 제2 화소 전압의 절대값은 상기 제1 화소 전극에 전달된 제1 화소 전압의 절대값보다 작은 액정 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 및 제2 화소 전극과 용량성으로 결합되어 제3 화소 전압이 전달되는 제3 화소 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 제1 화소 전극의 면적은 상기 제2 및 제3 화소 전극의 면적에 대하여 50%를 넘지 않는 액정 표시 장치.
  5. 제3항에서,
    상기 제2 내지 제3 화소 전압의 절대값은 상기 제1 화소 전압의 절대값에 대하여 1:0.95 내지 1:0.6의 범위인 액정 표시 장치.
  6. 제3항에서,
    상기 제2 및 제3 화소 전극 면적은 상기 화소에 대하여 80%를 넘지 않는 액정 표시 장치.
  7. 제3항에서,
    상기 제2 및 제3 화소 전극의 면적비는 1:1 내지 1:5 범위인 액정 표시 장치.
  8. 제3항에서,
    상기 제1 화소 전극과 연결되어 있으며, 상기 용량성 결합을 위하여 상기 제2 및 제3 화소 전극과 중첩하는 결합 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 제 2 및 제3 화소 전극과 중첩하는 상기 결합 전극은 서로 다른 폭을 가지는 액정 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 제2 및 제3 화소 전극과 상기 결합 전극이 중첩하는 면적이 서로 다른 액정 표시 장치.
  11. 제3항에서,
    상기 제1 내지 제3 화소 전극과 용량성으로 결합되어 제4 화소 전압이 전달되는 제4 화소 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 제1 화소 전극과 상기 제3 화소 전극의 화소 전압의 합과 상기 제2 화소 전극과 제4 화소 전극의 화소 전압의 합은 80%이내에서 동일한 액정 표시 장치.
  13. 제11항에서,
    상기 제1 화소 전극과 연결되어 있으며, 상기 용량성 결합을 위하여 제2 내지 제4 화소 전극과 중첩하는 결합 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 제2 내지 제4 화소 전극과 중첩하는 결합 전극은 서로 다른 폭을 가지는 액정 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 제2 내지 제4 화소 전극과 상기 결합 전극이 중첩하는 면적이 서로 다른 액정 표시 장치.
  16. 제1항에서,
    상기 제2 신호선은 굽은 부분을 포함하고, 상기 굽은 부분은 2개 이상의 직선 부분을 가지며, 상기 2개 이상의 직선 부분은 상기 제1 신호선에 대하여 실질적으로 ±45도를 이루어 교차로 배열되어 있는 액정 표시 장치.
  17. 제1항에서,
    상기 화소는 두 번 이상 꺾인 띠 모양으로 이루어져 있고, 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극은 꺾인 부분을 경계로 하여 분할되어 있는 액정 표시 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 화소 전극 및 상기 공통 전극은 도메인 규제 수단을 가지며, 상기 도메인 규제 수단은 상기 화소의 모양을 따라 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  19. 제1항에서,
    상기 제1 신호선과 나란하게 뻗은 유지 전극선 및 상기 유지 전극선에 연결되어 있으며 상기 화소 전극과 적어도 일부분이 중첩하고 있는 유지 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
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