CN101317224B - 光学信息记录介质及其记录再生方法、以及记录再生装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种高密度记录中的信号质量良好且保存可靠性高的光学信息记录介质及其记录再生方法和记录再生装置。为此，本发明的光学信息记录介质，在透明基板上具备依次包括记录层和电介质层的至少一个信息层，所述电介质层包含从50分子％以上98分子％以下的Zn-O和2分子％以上50分子％以下的Y-O、Ce-O、Nb-O、Ta-O、Cr-O和Mo-O中选出的一种或者多种化合物。

Description

光学信息记录介质及其记录再生方法、以及记录再生装置
技术领域
本发明涉及一种通过向基板上所形成的薄膜照射激光等高能量光束，能记录和再生信号质量高的信息信号的光学信息记录介质及其制造方法、记录再生方法以及记录再生装置。
背景技术
关于在透明基板上形成薄膜，向该薄膜照射缩小成微小的光斑(spot)激光，来记录再生信息信号的记录介质，正在积极地进行研究开发。作为可一次写入(write once)类型的记录介质，公知在基板上形成了以氧化物为母材掺杂了金属元素等的材料、例如Te和TeO2的混合物的TeOx(0＜x＜2)记录薄膜的记录介质(例如参照专利文献1)。从该记录介质，通过照射再生用光束，可得到大的反射率变化。
TeOx记录薄膜可以不用实施激光退火等初始化处理，而是在成膜后的非晶质状态下，直接照射激光，来形成结晶的记录标记(mark)。这是非可逆过程、且不能实现通过改写来进行的修改或擦除，因此，采用了该记录薄膜的介质能作为仅可以写入一次的记录介质来利用。
在TeOx记录薄膜中，记录后到信号饱和为止，即到记录薄膜经过激光照射进行了充分的结晶化为止，需要一些时间。因此采用了该记录薄膜的介质不适合直接作为例如将数据记录在盘(disk)中并在进行了一次旋转后对该数据进行验证的计算机用数据文件那样要求高速响应性的介质。为了克服该缺点，提出了在TeOx中作为第3元素添加Pd、Au等的方案(例如参照专利文献2、3、4)。
Pd和Au被认为在TeOx薄膜中激光照射时发挥促进Te的结晶成长的作用，通过该作用，得以高速生成Te和Te-Pd合金或者Te-Au合金的结晶粒。Pd和Au，其抗氧化性高且不会破坏TeOx薄膜的高耐湿性。
另外，作为用于增加每一枚介质所处理的信息量的基本的方法，一般采用通过缩短激光的波长、或者增加聚光激光的物镜的开口数，缩小激光的光斑直径，来提高记录面密度的方法。此外，近年来，层叠了多个信息层的多层构造介质也走向实用化。
为了应对这种高密度记录、多层记录，还提出了在TeOx中添加了Pd、Au等的记录材料的组成和改良了膜厚的记录介质(例如参照专利文献5)。而且，还通过追加反射层，利用光学的增强(enhance)效果和通过冷却抑制标记间热干扰的效果，来提高记录密度(例如参照专利文献6)。
当进行如上所述的高密度记录、尤其进行采用了青紫色激光的记录的时候，有可能记录层因激光加热所产生的热负荷，而根据情况受到损伤，因噪声的上升等，导致记录信号的质量劣化，不适合高密度记录。为了防止这些情况，设置电介质等的保护层是有效的。作为保护层的性能，要求(1)耐热性高、保护记录层以避免其受热而损伤；(2)与记录层的密接性良好、即使在高温·高湿条件下也不产生剥离、扩散；(3)透明性高且具有适当的折射率，并且增强记录层的光学变化；(4)其本身具有热稳定性、且即使在高温高湿下粒径、组成分布也不变动等。尤其在一次写入式的记录介质中，不仅需要能够进行高密度记录，保存可靠性高也是非常重要的。例如，即使记录完毕的时候得到充分的信号质量，但是例如放置在高温或者高湿环境下的情况下，可能会因为刚记录完毕时没有产生影响的热损伤的影响表面化，而导致噪声上升等。
另外，如上所述，为了防止记录层因激光加热所产生的热负荷而受到损伤，导致噪声的上升等，进而记录信号的质量劣化的情况，作为除了设置电介质等的保护层的方法以外的方法，设置金属等散热性高的层也是有效的。一般方法是通过在相同层中采用具有适当的光学常数的材料以使之具有反射功能，也即作为反射层，通过这样，利用光学的干扰效果，提高记录层的光吸收率来提高记录灵敏度，进而增强记录层的光学变化。对反射层也要求高的耐热性、与相邻层的密接性、甚至要求高的保存可靠性。
专利文献1：日本特开昭50-46317号公报
专利文献2：日本特开昭60-203490号公报
专利文献3：日本特开昭61-68296号公报
专利文献4：日本特开昭62-88152号公报
专利文献5：国际公开专利WO98/09823号公报(第20-23页、图4)
专利文献6：日本特开2002-251778号公报
发明内容
本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种高密度记录中的信号质量良好且保存可靠性高的光学信息记录介质。
为了上述问题，本发明的光学信息记录介质，在透明基板上具备依次包括记录层和电介质层的至少一个信息层，所述电介质层包含从50分子％以上98分子％以下的Zn-O和2分子％以上50分子％以下的Y-O、Ce-O、Ta-O、Cr-O和Mo-O中选出的一种或者多种化合物。
另外，本发明的光学信息记录介质的记录再生方法，对上述光学信息记录介质，以波长为450nm以下的光束来进行记录再生。
此外，本发明的光学信息记录介质的记录再生装置，至少具备：记录再生部，对上述光学信息记录介质，照射波长为450nm以下的光束，进行记录再生；和检测部，检测来自所述光学信息记录介质的反射光。
根据本发明，可提供一种高密度记录中的信号质量良好且保存可靠性高的光学信息记录介质、其记录再生方法和记录再生装置。
附图说明
图1是本发明的光学信息记录介质的一种构成例的剖视图。
图2是本发明的光学信息记录介质的一种构成例的剖视图。
图3是本发明的光学信息记录介质的一种构成例的剖视图。
图4是本发明的光学信息记录介质的记录再生装置的一例的概略图。
图5是本发明的光学信息记录介质的记录再生中所采用的记录脉冲波形的一例的概略图。
符号说明
1透明基板
2记录层
3电介质层
4激光
5物镜
6反射层
7保护层
8保护基板
9上部保护层 
10分离层
11第1信息层
12第n信息层
13激光二极管 
14半透明反射镜(half mirror)
15马达(motor)
16光学信息记录介质
17光电探测器(photodetector)
18记录再生部 
具体实施方式
下面参照附图，具体地说明本发明的实施方式。
(实施方式1)
图1～3是本发明的光学信息记录介质的一种构成例的局部剖视图。
如图1所示，本发明的光学信息记录介质在透明基板1，作为信息层，依次至少包括记录层2、电介质层3。针对该光学信息记录介质，从透明基板1一侧用物镜5来聚光激光4并照射，来进行记录再生。
另外，如图2所示，根据需要，在电介质层3的与记录层2相反一侧设置反射层6、在透明基板1与记录层2之间设置保护层7、在反射层6的与电介质层3相反一侧设置保护基板8、或者在反射层6与保护基板8之间设置上部保护层9。
另外，如图3所示，本发明的光学信息记录介质，也可以在透明基板1与保护基板8之间，隔着分离层10设置第1信息层11至第n信息层12 (其中，n是2以上的整数)的n個信息层。此时至少某一个信息层需要具有从靠近透明基板1的一侧起按顺序与图1或者图2所示的相同的多层薄膜构造。针对该光学信息记录介质的各信息层，从透明基板1一侧用物镜5来聚光激光4并照射，来进行记录再生。
作为记录层2的材料，优选是一次写入式的记录材料，更优选是包含氧化物母材的材料。作为氧化物母材，Te-O、Sb-O、Bi-O、Ge-O、Sn-O、Ga-O和In-O在记录再生特性方面优良，还能组合采用它们中的一种或者多种氧化物母材。以通过升温高速结晶化来产生光学变化为目的，在记录层2中，除了这些氧化物母材以外，还可以添加Te、Sb、Bi、Ge、Sn、Ga、In、Pd、Au、Pt、Ni、Ag和Cu的任一种元素。另外，当作为氧化物母材采用Te-O的情况下，能添加Te、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中选出的一种或者多种元素。
在记录层2中可以采用含有上述的氧化物母材和添加物的主成分占80分子％以上、更优选是占90分子％以上的材料。此外，以结晶化速度、热传导率或者光学常数等的调整、或者耐热性或者耐湿性的提高等为目的，根据需要，在记录层2中，除了上述主成分以外，也可以在记录层2整体的10分子％以内、更优选是5分子％以内的组成比例的范围内，适当地添加从其他的氧化物、氮化物、氟化物、碳化物、硫化物、硼化物、或者O、N、F、C、S、B等的非金属元素中选出的一种或者多种化合物或者元素。
记录层2的膜厚，优选是2nm以上70nm以下，进一步，更优选是4nm以上40nm以下。如果记录层2的膜厚在2nm以上，则由于能得到充分的反射率和反射率变化，所以C/N比也增大。另外，如果在70nm以下，则由于记录层2的薄膜面内的热扩散相对降低，所以记录标记的轮廓变得更加鲜明，在高密度记录中可得到充分的C/N比。
另外，记录层2不限于一次写入式，也可以是可重写式的记录材料。作为可重写式的记录材料，适合的是相变化记录材料、也即以Te和/或Sb等为主成分的材料。这种可重写式的记录材料在成膜的状态下是非晶质， 在进行信息信号的记录中，一般方法是实施通过由激光等进行退火来结晶化的初始化处理，以此为初始状态来形成非晶质标记。为了形成非晶质标记，不仅需要激光照射，还需要反射层6所产生的冷却效果。
作为电介质层3的材料，可以采用作为主成分含有50分子％以上98分子％以下的Zn-O、作为副成分含有从2分子％以上50分子％以下的Y-O、Ce-O、Nb-O、Ta-O、Cr-O和Mo-O中选出的一种或者多种化合物的材料。在电介质层3中，作为追加的副成分，还可以进一步追加从2分子％以上40分子％以下的Al-O、Ga-O、In-O、Bi-O和Sb-O中选出的一种或者多种化合物。
在该情况下，电介质层3的材料作为复合氧化物表示为AxByCzDw。这里，A是ZnO、B是从Y2O3、CeO2、Nb2O5、Ta2O5、Cr2O3、和MoO3 中选出的化合物、C是从TeO2、Sb2O3、Bi2O3、GeO2、SnO2、Ga2O3、和In2O3中选出的化合物、D表示其他的成分。另外，满足x+y+z+w＝1(100mol％)，且0.5≤x≤0.98、0.02≤y≤0.5、0.02≤z≤0.4、0≤w≤0.1。其中，这些值是按照使各元素成为上述AxByCzDw的方式换算后的值，A、B、和C未必作为上述化合物组成的氧化物来存在。此外，电介质层3中所包含的上述各氧化物均可以不是化合物组成，例如也可以是氧缺陷(oxygen defect)的组成，为了提高与记录层2的密接性，有时还主动采用缺陷的组成。另外，只要是不破坏本来的功能的程度的10分子％以内的范围，即可追加上述以外的材料成分。
该电介质层3满足前述的所有的条件，也即(1)耐热性高、且从热损伤中保护记录层2；(2)与记录层2的密接性良好、即使在高温·高湿条件下也不产生剥离、扩散；(3)透明性高且具有适当的折射率，并且增强记录层2的光学变化；(4)其本身具有热稳定性、且即使在高温高湿下粒径、组成分布也不变动的条件。另外，也可以作为光吸收层发挥功能。认为，尤其主成分的Zn-O形成与记录层2适当地扩散的界面，所以通过使记录层2的非晶质状态稳定化，从而即使在高温·高湿条件下也能发挥防止记录信号的劣化的效果。只要电介质层3中的Zn-O在50分子％以上，即可得到该效果，可得到充分的可靠性。另外，只要电介质层3中的Zn-O在98分子％以下，即可抑制粒径、组成分布变动，可得到充 分的可靠性。另外，认为上述副成分和追加的副成分发挥抑制主成分的粒径、组成分布的变动的效果、通过使构造复杂化来进一步提高记录层2的安定性和与记录层2的密接性的效果，如果电介质层3中的比例过少则无法得到其效果，相反如果过多则无法得到主成分的上述效果。其中，电介质层3未必与记录层2相接，根据需要，两者之间还可以夹设其他的层。例如为了进一步提高密接性，还可以插入ZnS或者ZnS和SiO2的混合物等。
作为反射层6的材料，可以采用Ag、Au、Al、Cu等的金属或者以这些金属作为基础成分(base)的合金，其中尤其优选反射率高的Ag合金。作为添加到Ag的元素，并没有受到特别的限定，但是适合采用例如少量且凝聚防止和粒径微细化的效果高的Pd、Pt、Ni、Ru、Au、Cu、Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Sb、Bi、Ca、Mg、Y、Nd、Sm、Ti、Cr、O、N、F、C、S、B等，其中Pd、Cu、Bi、Nd、Y、Ga具有更高的效果，可以采用它们中的一种或者多种元素。为了发挥这种效果时不破坏Ag的高热传导率、反射率，添加元素相对于反射层6整体，其优选比例是0.1原子％以上5原子％以下的比例，更优选的比例是0.05原子％以上5原子％以下的比例。
这样，当作为反射层6采用密接性高且抑制噪声上升的效果高的材料的时候，上述的电介质层3的效果并不是必须具备的，取而代之，作为中间层可以采用氧化物、氮化物、碳化物、氟化物等。例如，有时也可以采用Zn-O的比例小于50分子％、超过98分子％的材料。
作为保护层7的材料，可以采用例如Y、Ce、Ti、Zr、Nb、Ta、Co、Zn、Al、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Te等的氧化物、Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Mo、W、B、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb等的氮化物、Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Si等的碳化物、Zn、Cd等的硫化物、硒化物或者碲化物、Mg、Ca、La等的希土类等的氟化物、C、Si、Ge等的单体、或者这些混合物。其中，尤其优选大致透明且热传导率低的材料、例如ZnS与SiO2的混合物等。另外，保护层7也可以是与电介质层3相同的材料。保护层7的膜厚，优选是2nm以上80nm以下，更优选是5nm以上50nm以下。
作为上部保护层9的材料，可以采用作为保护层7的材料列举出的材料，也可以是与保护层7不相同的材料，例如反射层6含有Ag或者Ag合金的时候，优选采用不包含S的材料。另外，上部保护层9也可以与电介质层3相同的材料。上部保护层9的膜厚，优选是2nm以上80nm以下更优选是5nm以上50nm以下。
上述的各薄膜，可以通过例如真空蒸镀法、溅射法、离子电镀(ionplating)法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、MBE(Molecular BeamEpitaxy)法等的气相薄膜堆积法，来形成。须指出的是，对于上述的各薄膜，通过俄歇电子能谱法(Auger electron spectroscopy)、X射线光电子能普法或者二次离子质量分析法等方法，可以调查各层的材料和组成。在本申请的实施例中，确认了各层的目标材料组成与实际形成的薄膜的组成大致相同。其中，也存在由于成膜装置、成膜条件或者目标的制造方法等而目标材料组成与实际形成的薄膜的组成不同的情况。在这种情况下，优选根据经验法则，求得预先校正组成的偏差的校正系数，来确定目标材料组成，以便得到所希望的组成的薄膜。
作为透明基板1的材料，优选是对于激光4的波长大致透明的材料，能采用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、聚降冰片烯系树脂、紫外线硬化性树脂、玻璃、或者将它们适当地组合而成的材料等。另外，透明基板1的厚度并没有受到特别的限定，可以采用0.01～1.5mm左右的厚度，当例如物镜5的开口数NA为0.6～0.7左右的情况下，优选厚度为0.3～0.8mm左右，当物镜5的开口数NA为0.8～0.9左右的情况下，优选厚度为0.03～0.2mm左右。对透明基板1而言，当例如0.3mm以下那样薄的情况下，通过在信息层之上粘贴片状的上述树脂形成透明基板1、或者通过旋涂来涂布紫外线硬化性树脂，通过紫外线照射使之硬化，来形成透明基板1。
作为保护基板8的材料，可以采用与作为透明基板1的材料列举出的材料相同的材料，但是也可以是与透明基板1不同的材料，也可以是相对于激光4的波长不透明。另外，保护基板8的厚度，并没有受到特别的限定，可以采用0.01～3.0mm左右的厚度。
作为分离层10，可以采用紫外线硬化性树脂等。对分离层10的厚度 而言，为了当再生第1信息层11至第n信息层12的任一层的时候，减小来自其他层的串扰(cross talk)，因而必须是至少由物镜5的开口数NA和激光4的波长λ来决定的焦点深度以上的厚度，而且，还必须是使所有的信息层收敛在可聚光的范围内的厚度。例如分离层10的厚度，至少满足下述条件：当λ＝660nm、NA＝0.6的情况下，分离层10的厚度是10μm以上100μm以下，当λ＝405nm、NA＝0.85的情况下，分离层10的厚度是5μm以上50μm以下。然而，只要开发出可减少层间的串扰的光学系统或技术，分离层10的厚度可以具有比上述的厚度更薄的厚度。
另外，将2枚上述光学信息记录介质，粘贴成各自的保护基板8侧相对向，来形成双面构造，通过这样，可以使在每一枚介质中可蓄积的信息量进一步成为2倍。
上述的各薄膜、分离层10也可以在透明基板1上依次形成之后，形成或者粘贴保护基板8，相反在保护基板8上依次形成之后，形成或者也可以粘贴透明基板1。尤其后者适合于例如物镜5的开口数NA为0.8以上那样大、透明基板1为0.2mm以下那样薄的情况。在该情况下，激光引导用的沟槽即凹槽(groove)或地址信号等的凹凸图案，需要形成在保护基板6和分离层10的表面上、也即从冲压机(stamper)等的预先形成有所希望的凹凸图案的部分转印。此时，尤其是如分离层10那样其层厚薄，难以采用通常采用的注入(injection)法的情况下，可以采用2P法(photo-polymerization法)。
图4表示本发明的进行光学信息记录介质的记录再生的记录再生装置的最低限度所需的装置构成的一例的概略图。该装置至少具备：针对光学信息记录介质照射波长为450nm以下的光束，来进行记录再生的记录再生部18；和检测来自光学信息记录介质的反射光的光电探测器17(检测部)，而且还可以具备光学调制部、甚至透镜、反射镜等的光学部件等。更具体而言，构成为：激光二极管13发出的激光4经半透明反射镜14和物镜5，聚焦在由马达15来旋转的光学信息记录介质16上，使其反射光入射光电探测器17检测信号。
当进行信息信号的记录的时候，在多个功率级(power level)间对激光4的强度进行调制。在调制激光强度中，最好是调制半导体激光器的驱 动电流来进行，或者也可以采用电光学调制器、音响光学调制器等。对于形成标记的部分，也可以是峰值功率P1的单一矩形脉冲，但是，尤其是在形成长的标记的情况下，除去过剩的热、且使标记宽度均匀为目的，有时还采用如图5所示那样在峰值功率P1与最低功率(bottom power)P3(其中，P1＞P3)之间所调制的多个脉冲的串构成的记录脉冲串。另外，在最末尾的脉冲后也可以设置冷却功率P4的冷却区间。对于未形成标记的部分，以偏置功率P2(其中，P1＞P2)来保持恒定。
这里，所记录的标记的长度，因其前后的空隙(space)的长度等的各图案而在标记边缘位置上产生不一致，有时成为抖动增大的原因。在本发明的光学信息记录介质的记录再生方法中，为了防止这种情况，并改善抖动，也可以根据需要，针对每个图案调节和补偿上述脉冲串的各脉冲的位置或者长度，使得边缘位置相一致。
[实施例]
下面，通过实施例，进一步具体地说明本发明，但是，下面的实施例并不限定本发明。
(实施例1)
作为保护基板，采用了由聚碳酸酯树脂构成、且直径为大约12cm、厚度为大约1.1mm、沟槽间距为0.32μm、沟槽深度为大约20nm的基板。在该保护基板的形成有沟槽的表面上，作为第2信息层，通过溅射法，依次层叠了由Ag98Pd1Cu1构成的膜厚为40nm的反射层、由(ZnO)80(Cr2O3)5 (In2O3)15构成的膜厚为10nm的电介质层、由Te36O54Pd10构成的膜厚为20nm的记录层、由(ZnS)80(SiO2)20构成的膜厚为20nm的保护层的各层。在该第2信息层的表面上，采用紫外线硬化性树脂，通过2P法，转印与保护基板相同的沟槽图案，形成了厚度为大约25μm的分离层。在该分离层的表面上，作为第1信息层，通过溅射法，依次层叠了由Ag98Pd1Cu1 构成的膜厚为10nm的反射膜、由各种材料构成的膜厚为10nm的电介质层、由Te36O54Pd10构成的膜厚为10nm的记录层、由(ZnS)80(SiO2)20 构成的膜厚为20nm的保护层的各薄膜。在该第1信息层的表面上，采用紫外线硬化树脂，形成了厚度75μm的透明基板。
作为本申请的实施例，制作了在第1信息层的电介质层中分别采用 (ZnO)80(Cr2O3)20、(ZnO)80(Y2O3)20、(ZnO)80(Cr2O3)5(Sb2O3)15 、(ZnO)80(Cr2O3)5(In2O3)15、(ZnO)60(Cr2O3)10(In2O3)30 和(ZnO)90(Cr2O3)5(In2O3)5的盘1～6，作为比较例，制作了在第1信息层的电介质层分别采用(ZnO)80(SiO2)20、(ZnO)80(TiO2)5(In2O3)15 、ZnO、Cr2O3、(ZnO)40(Cr2O3)60、(ZnO)99(Cr2O3)1的盘7～12。
针对上述各盘的凹槽、即沟槽以及位于沟槽之间，从激光入射侧观察时向观察者一侧凸起的部分，采用波长为405nm、透镜开口数为0.85的光学系统，一边以4.9m/s的线速使之旋转，一边照射激光，记录了频率为16.5MHz的单一信号。
在记录信号的时候，采用功率级为P1、宽度为6ns的单一脉冲，并且将P2、P3、P4和再生功率均设为0.7mW。
在该条件下，在未记录的磁道中记录一次信号，用频谱分析仪来测定了单一信号的C/N比。任意地改变P1，进行测定，将振幅比最大值低3dB的功率的1.25倍的值设为设定功率。为了确认保存可靠性，在测定各盘的设定功率下的C/N比(加速前C/N比)之后，以温度为90℃、相对湿度为80％的条件下，保持各盘100小时之后，再次测定了C/N比(加速后C/N比)。表1表示该第1信息层的结果。须指出的是，「○」和「◎」的结果表示在实际应用中耐用的材料。
【表1】
<各记号的含义>
  记号   加速前   加速后的降低量
  ◎   44dB以上   小于0.5dB
  ○   42dB以上且小于44dB   0.5dB以上且小于1.0dB
  △   40dB以上且小于42dB   1.0dB以上且小于3.0dB
  ×   小于40dB   3.0dB以上
根据表1，作为本发明的实施例的盘1～6，加速前的C/N比都充分地高、且加速后的降低也都小，表示良好的保存可靠性。另一方面，比较例的盘7～12，与本发明相比，其材料或者组成比都不同，而结果是加速后的降低都大、且保存可靠性都不充分。
须指出的是，针对第2信息层的情形、不具有第1信息层和中间层且将透明基板的厚度设为100μm的只有第2信息层的单一信息层的情形、Te-O-Au、Sb-O-Ag、In-O等不同的一次写入式记录层材料的情形、 可重写式记录材料的情形、或者不具有反射层的结构的情形等，也进行了同样的实验，上述各电介质层的材料与组成之间的保存可靠性的优劣依然没有变化。
(实施例2)
除了作为第1信息层的反射层采用各种材料、并且取代电介质层作为中间层采用了ZnO以外，制作了与实施例1相同的盘。作为本申请的实施例，制作了在第1信息层的反射层分别采用了Ag98Pd1Cu1、Ag98Ga1Cu1、Ag98Y1Cu1、Ag98Nd1Bi1、Ag99Bi1、Ag99.95Bi0.05和Ag95Bi5的盘13～19，作为比较例，制作了在第1信息层的反射层中分别采用了Ag99.98Bi0.02、Ag90Bi10、Ag99Sn1、Ag99Mg1、Ag99Ti1Au1的盘20～24。
针对这些盘，以与实施例1相同的方法进行了评价。表2表示该第1信息层的结果。
【表2】
<各记号的含义>
  记号   加速前   加速后的降低量
  ◎   44dB以上   小于0.5dB
  ○   42dB以上且小于44dB   0.5dB以上且小于1.0dB
  △   40dB以上且小于42dB   1.0dB以上且小于3.0dB
  ×   小于40dB   3.0dB以上
根据表2，作为本发明的实施例的盘13～19，加速前的C/N比都充分地高，且加速后的降低也都小，表示良好的保存可靠性。另一方面，比较例的盘20～24，与本发明相比，其材料或者组成比不同，结果是加速前的值小或者加速后的降低大，保存可靠性不充分。
须指出的是，针对第2信息层的情形、不具有第1信息层和中间层且将透明基板的厚度设为100μm的只有第2信息层的单一信息层的情形、Te-O-Au、Sb-O-Ag、In-O等不同的一次写入式记录层材料的情形等进行了同样的实验，上述各反射层的材料与组成之间的保存可靠性的优劣依然没有变化。
(实施例3)
除了作为第1信息层的电介质层采用了实施例1中所采用的材料、作为反射层采用了实施例2中所采用的各种材料以外，制作了与实施例1相同的盘。作为本申请的实施例，制作了在第1信息层的电介质层中分别组合了(ZnO)80(Cr2O3)20或者(ZnO)80(Cr2O3)5(In2O3)15、在反射层中分别组合了Ag98Ga1Cu1、Ag99Bi1、Ag98Y1Cu1、Ag99.95Bi0.05、Ag95Bi5 的盘25～32，作为比较例，在第1信息层的反射层中分别组合了Ag99Mg1、和Ag99Ti1Au1的盘33、34。
针对这些盘，以与实施例1相同的方法进行了评价。另外，针对各电介质层与反射层的组合，综合评价了盘。综合评价采用了加速前和加速后的C/N比中的低的一方的评价。表3表示该第1信息层的结果。
【表3】
<各记号的含义>
  记号   加速前   加速后的降低量
  ◎   44dB以上   小于0.5dB
  ○   42dB以上且小于44dB   0.5dB以上且小于1.0dB
  △   40dB以上且小于42dB   1.0dB以上且小于3.0dB
  ×   小于40dB   3.0dB以上
根据表3，作为本发明的实施例的盘26～32，加速前的C/N比都充分地高，且加速后的降低也都小，表示良好的保存可靠性，作为综合评价，可得到实际应用上的充分的结果。另一方面，比较例的盘33、34，与本发明相比，其材料或者组成比不同，结果是加速前的值小，保存可靠性不充 分，作为综合评价，在实际应用上不充分。由此可以确认，在电介质层和反射层中，本发明的材料的特定组合是有效的。
工业实用性 
本发明的光学信息记录介质、其记录再生方法和记录再生装置作为保存对影像、音乐、信息等的可电子化的数据的介质而有用的。

Claims (15)

1.一种光学信息记录介质，在透明基板上具备依次包括记录层和电介质层的至少一个信息层，
所述电介质层包含作为主成分的60分子％以上98分子％以下的Zn-O和作为副成分的从2分子％以上20分子％以下的Y-O和Cr-O中选出的一种或者多种化合物。
2.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，其特征在于，
所述信息层在所述电介质层的与所述记录层相反一侧还具备反射层。
3.一种光学信息记录介质，在透明基板上具备依次包括一次写入式的记录层电介质层和反射层的至少一个信息层，
所述电介质层包含作为主成分的60分子％以上98分子％以下的Zn-O和作为副成分的从2分子％以上20分子％以下的Y-O和Cr-O中选出的一种或者多种化合物，
所述反射层包含：含有Ag的95原子％以上99.95原子％以下的主成分；和含有从Pd、Cu、Bi、Nd、Y、Ga中选出的一种或者多种元素的0.05原子％以上5原子％以下的副成分。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的光学信息记录介质，其特征在于，
所述记录层包含从Te-O、Sb-O、Bi-O、Ge-O、Sn-O、Ga-O和In-O中选出的一种或者多种氧化物母材。
5.一种光学信息记录介质，
在透明基板上依次具备记录层、电介质层和反射层，其中所述记录层包含从Te-O、Sb-O、Bi-O、Ge-O、Sn-O、Ga-O和In-O中选出的一种或者多种氧化物母材，
所述电介质层包含作为主成分的60分子％以上98分子％以下的Zn-O和作为副成分的从2分子％以上20分子％以下的Y-O和Cr-O中选出的一种或者多种化合物，
所述反射层包含：含有Ag的95原子％以上99.95原子％以下的主成分；和含有从Pd、Cu、Bi、Nd、Y、Ga中选出的一种或者多种元素的0.05原子％以上5原子％以下的副成分。
6.根据权利要求4所述的光学信息记录介质，其特征在于，
所述记录层还包含从Te、Sb、Bi、Ge、Sn、Ga、In、Pd、Au、Pt、Ni、Ag和Cu中选出的一种或者多种元素。
7.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，其特征在于，
所述记录层包含Te-O-M，其中，M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中选出的一种或者多种元素。
8.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，其特征在于，
所述电介质层还包含从2分子％以上40分子％以下的Al-O、Ga-O、In-O、Bi-O和Sb-O中选出的一种或者多种化合物。
9.根据权利要求2所述的光学信息记录介质，其特征在于，
所述反射层包含95原子％以上的Ag。
10.根据权利要求9所述的光学信息记录介质，其特征在于，
所述反射层包含：含有Ag的95原子％以上99.95原子％以下的主成分；和含有从Pd、Cu、Bi、Nd、Y、Ga中选出的一种或者多种元素的0.05原子％以上5原子％以下的副成分。
11.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，其特征在于，
所述信息层在所述记录层的与所述电介质层相反一侧还具有保护层。
12.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，其特征在于，
在所述信息层的与所述透明基板相反一侧还具备保护基板。
13.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，其特征在于，
所述信息层具有沟槽，
所述沟槽间距是1μm以下。
14.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，其特征在于，
在所述透明基板与所述信息层之间和/或在所述信息层的与所述透明基板相反一侧具备1个以上的其他信息层。
15.一种光学信息记录介质的记录再生方法，对根据权利要求1～14中任一项所述的光学信息记录介质，以波长为450nm以下的光束来进行记录再生。
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