CN101175868A - 借助底漆将胶粘体粘结到基底上 - Google Patents

借助底漆将胶粘体粘结到基底上 Download PDF

Info

Publication number
CN101175868A
CN101175868A CNA2006800160610A CN200680016061A CN101175868A CN 101175868 A CN101175868 A CN 101175868A CN A2006800160610 A CNA2006800160610 A CN A2006800160610A CN 200680016061 A CN200680016061 A CN 200680016061A CN 101175868 A CN101175868 A CN 101175868A
Authority
CN
China
Prior art keywords
priming paint
adherent
plasma
substrate
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006800160610A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101175868B (zh
Inventor
S·利德利
N·谢泼尔
L·奥尼尔
F·古贝尔斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Corning Ireland Ltd
Original Assignee
Dow Corning Ireland Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Ireland Ltd filed Critical Dow Corning Ireland Ltd
Publication of CN101175868A publication Critical patent/CN101175868A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101175868B publication Critical patent/CN101175868B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C09J5/02—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving pretreatment of the surfaces to be joined
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/02—Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/18—After-treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether
    • Y10T428/31515—As intermediate layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

一种粘结胶粘体到基底上的方法，其中通过等离子体沉积施加底漆到基底上，和将胶粘体粘结到基底的底漆处理过的表面上，和底漆含有可与胶粘体内的官能团化学键合的官能团。

Description

借助底漆将胶粘体粘结到基底上
[000]本发明公开了在胶粘体和基底之间提供增加的粘合性的方法。胶粘体可以是在基底上的涂层(其中包括但不限于粘合剂或密封剂的涂层)，或者可以是涂布在首先提及的基底粘结于其上的第二基底上的粘合层。
[0002]本发明利用底漆层以增加胶粘体与基底之间的粘合性。底漆强烈地粘结到基底和胶粘体上。
[0003]已利用等离子技术预处理基底表面，以改进随后施加的涂层的粘合性。等离子预处理的作用可包括清洁、降解和烧蚀聚合物基底的表面区域，交联聚合物基底的表面区域，导致引入极性基团例如羰基到基底的表面区域内的氧化，和/或在基底的表面区域内离子植入。WO-A-02/098962公开了通过将基底暴露于含硅化合物和通过氧化或还原、使用等离子体(尤其是大气辉光放电或介质阻挡放电或电晕处理)后处理该处理过的表面，从而涂布低能基底表面的方法。
[0004]EP-A-431951公开了用流出平行板反应器的气体处理基底的系统。它包括使气体流经一个或多个平行板反应器并允许流出的物质同与气体出口相邻放置的基底相互作用。Gherardi，N.等人的J.Phys D：Appl.Phys，2000，33，L104-L108公开了通过使N2、SiH4和N2的混合物穿过在两个平行电极之间形成的介质阻挡放电(DBD)等离子体，产生二氧化硅涂层。允许流出反应器的物质沉积在下游的基底上。
[0005]Inagaki等人在Int.J.Adhesion Adhesives，2，233，1982中公开了通过注射三甲基甲硅烷基二甲胺或六甲基二硅氮烷到氩气辉光放电中，处理数种不同的塑料基底。
[0006]WO-A-02/28548公开了通过引入雾化的液体和/或固体涂层形成材料到大气压等离子放电和/或由其形成的电离气体物流内，并在大气压条件下，将基底暴露于雾化的涂层形成材料下，从而在基底上形成涂层的方法。WO-A-03/097245公开了其中雾化的涂层形成材料在离开雾化器后穿过激发介质到达远离激发介质布置的基底上的方法。
[0007]已利用四甲基二硅氧烷的辉光放电聚合，在铂线材上沉积30nm厚的底漆层，之后用数微米厚的聚(对二甲苯)层涂布(Nichols等人的J.Appl.Polymer.Sci.，Appl.Polymer Symp，38，21，1984)。
[0008]WO-A-99/20809公开了下述方法：其中在从包围电极的导电环形腔室的闭合端流动到开放端的气体内，将气体前体引入到无电弧的大气压RF等离子放电中，以便该前体与反应性物质在等离子体内反应，形成经气体喷嘴的开放端流出并沉积在喷嘴路径内放置的基底上的材料。EP1230414公开了涂布表面的方法，其中通过传输工作气体通过激发区域，产生等离子体射流，其中在所述激发区域内，通过施加高频AC电压到电极上，产生电弧放电。将前体独立于工作气体引入到等离子射流内。在等离子体射流的辅助下引发前体的反应，并在待涂布的表面上沉积反应产物。
[0009]在将胶粘体粘结到基底上的本发明方法中，通过等离子体沉积，施加底漆到基底上，并将胶粘体粘结到基底的底漆处理过的表面上，和底漆包含可化学键合到胶粘体的官能团上的官能团。
[0010]胶粘体可以是在底漆上施加的涂层，或者可以是涂布在首先提及的基底粘结于其上的第二基底上的粘合层。
[0011]因此，根据本发明的一个方面，本发明包括涂布的制品，该制品包括用施加在底漆上的涂层涂布的基底，其特征在于通过等离子体沉积施加底漆到基底上，和胶粘体包含可化学键合到底漆内的官能团上的官能团。
[0012]根据进一步的方面，本发明包括粘结的制品，该制品包括通过施加在至少一个基底上的底漆上的粘合剂粘结的两个基底，其特征在于通过等离子体沉积施加底漆到基底上，和胶粘体包含可化学键合到底漆内的官能团上的官能团。
[0013]沉积底漆所使用的等离子体优选为非平衡的大气压等离子体。可以例如在具有入口和等离子体出口的电介质外壳内生成这种等离子体，其中工艺过程气体经所述电介质外壳从入口经过至少一个电极流动到出口。待处理的基底可与等离子体出口相邻地布置，以便基底接触等离子体，并相对于等离子体出口移动。
[0014]底漆或其前体优选以雾化形式引入到形成等离子体的装置内。在雾化底漆的一个方法中，使工艺过程气体和底漆流经雾化器，在所述雾化器内，工艺过程气体将雾化底漆。在另一方法中，雾化的底漆被注射到电极下游的等离子体内。底漆可在等离子体内经历化学反应，例如它可以聚合，条件是保留至少一些底漆内的将与胶粘体内的官能团反应的官能团。
[0015]我们已发现，等离子体沉积改进底漆对基底的粘合性。在胶粘体内存在可化学键合到底漆中官能团上的官能团改进底漆/面涂层的粘合性。利用大气压等离子体沉积底漆的优点是，它改进底漆对基底的粘合性且没有破坏底漆内官能团的危险，其中在底漆内的官能团将改进对胶粘体的粘结。可具体地选择等离子体沉积的底漆，以与胶粘体内的组分形成化学键。可调节胶粘体的配方，以通过化学键合到底漆上来提高基底/胶粘体界面的粘合性。
[0016]图1是根据本发明等离子体处理表面的装置的示意截面。
图2是根据本发明等离子体处理表面的可供替代装置的示意截面。
图3是根据本发明等离子体处理表面的另一可供替代装置的示意截面。
图4是图3所示装置的示意截面，该装置具有从等离子体发生装置中延伸的较长管道。
[0017]等离子体通常可以是任何类型的非平衡大气压等离子体，例如介质阻挡放电等离子体或扩散介质阻挡放电，例如辉光放电等离子体。对于本发明的目的来说，“等离子体沉积”包括通过非均匀的放电例如电晕放电的沉积。优选扩散介质阻挡放电等离子体或辉光放电等离子体。优选的工艺利用“低温”等离子体，其中术语“低温”拟指低于200℃，和优选低于100℃。这些是其中碰撞相对不频繁的等离子体(当与热平衡等离子体，例如火焰基体系相比时)，这种等离子体在宽泛的不同温度下具有其构成物质(因此通用名“非热平衡”等离子体)。
[0018]生成非平衡大气压等离子体的本发明的一种优选的装置具有仅仅单电极。尽管缺少对电极，但该装置仍产生非平衡等离子体火焰。在诸如氦气之类的工作气体附近存在驱动电极足以产生强的RF场，所述强RF场可发生等离子体电离过程并形成外部等离子体射流。
[0019]图1示出了这种具有仅仅单一电极的装置的一个实例。这一设计由被合适的电介质材料(8)包围的管道(7)组成。管道(7)延伸出电介质外壳(8)。工艺过程气体(它任选地含有雾化的表面处理剂)进入开口(6)。单电极(5)布置在管道外侧，且它被封闭在电介质材料层(8)内。电极与合适的电源相连。不要求对电极。当施加功率时，在电极周围形成局部的电场。这些与气体在管道内相互作用，并形成等离子体，所述等离子体在管道(7)的末端延伸到达并伸出孔隙(9)。
[0020]在具有改进的形成氮气等离子体射流以及氦气和氩气等离子体射流能力和改进的等离子体点火的可供替代设计中，使用裸金属电极。单电极，优选尖锐(sharp)电极被容纳在工艺过程气体和任选地气溶胶(雾化的表面处理剂)流经其中的电介质外壳例如塑料管道内。当施加功率到针状电极上时，形成电场并电离工艺过程气体。
[0021]这可通过参考图2更好地理解。图2示出了容纳在合适的腔室(10)内的金属电极(12)。可由合适的电介质材料例如聚四氟乙烯(PTFE)构成这一腔室。作为PTFE的替代物，电介质外壳可以是任何不导电的材料，例如塑料材料，如聚酰胺或聚丙烯。工艺过程气体和气溶胶通过电介质外壳中的一个或多个孔隙(11)进入该腔室内。当施加电势到电极上时，工艺过程气体电离，和导引所得等离子体，使它经出口管道(13)的开口(14)伸出。通过调节出口管道(13)的尺寸和形状，可调节低温非平衡大气压等离子体射流的形状与长度。
[0022]使用具有尖端(sharp point)的金属电极促进等离子体的形成。当施加电势到电极上时，生成电场，所述电场将加速形成等离子体的气体内的荷电颗粒。当电场密度与电极的曲率半径成反比时，所述尖端有助于该过程。电极也可导致电子泄漏到气体内，这是由于金属高的次级电子发射系数所致。当工艺过程气体移动经过电极时，等离子体物质从电极被携带离开，形成等离子体射流。
[0023]在本发明的再进一步的实施方案中，等离子体射流装置由单中空电极组成，不具有任何对电极。气体被吹送经过电极中心。施加RF功率，这导致在电极附近形成强的电磁场。这引起气体电离并形成等离子体，所述等离子体被携带经过电极并以等离子体射流形式流出。这一设计狭窄的性质便于在环境条件下生成集中的狭窄等离子体以供在三维形状的基底上沉积功能性涂层。
[0024]更一般地，该电极(一个或多个)可以是针状、板状、同心管道或环，气体可经它引入到装置内。可使用单电极，或者可使用多个电极。可通过电介质覆盖电极，或者不通过电介质覆盖电极。若使用多个电极，则它们可以是被覆盖和未覆盖电极的组合。一个电极可以接地或者没有电极接地(位移电位)。若没有电极接地，则电极可具有相同的极性或者可具有相反的极性。可使用其中第一电极同轴地布置在第二电极内的同轴电极结构。驱动一个电极，和另一电极可接地，且可包括介电层以防止飞弧，但不那么优选这一构造。
[0025]可由任何合适的金属制造电极，且可以是例如金属针(例如焊条)或者平坦截面形式。可涂布电极或者电极可掺入放射性元素以提高等离子体的电离。可使用放射性金属，例如可由含0.2-20wt％，优选约2％放射性钍的钨形成电极。通过释放放射性颗粒和可引发电离的辐照，这促进形成等离子体。这种掺杂的电极提供更加有效的次级电子发射，因此该装置易于放电。
[0026]供给所述一个或多个电极的电源是因发生等离子体而公知的射频电源，其范围为1kHz-300GHz。我们最优选的范围为极低频率(VLF)3kHz-30kHz带，但也可成功地使用低频(LF)30kHz-300kHz范围。一种合适的电源是Haiden Laboratories Inc.PHF-2K装置，它是一种双极脉冲波，高频和高压发生器。与常规的正弦波高频电源相比，它具有较快速的起落时间(＜3μs)。因此，它提供较好的离子发生和较大的工艺效率。该装置的频率也是可以变化的(1-100kHz)，以匹配等离子体系统。电源的电压优选至少1kV一直到10kV或大于10kV。
[0027]一般地，产生等离子体所使用的工艺过程气体可选自宽范围的工艺过程气体，其中包括氦气、氩气、氧气、氮气、空气、二氧化碳、一氧化二氮以及所述气体彼此或者与其它物质的混合物。最优选工艺过程气体包括基本上由氦气、氩气和/或氮气组成的惰性气体，亦即包括至少90％体积，优选至少95％这些气体之一或者它们中的两种或更多种的混合物。
[0028]将底漆或者底漆的前体以雾化形式引入到形成等离子体的装置内。雾化的底漆可以例如是可聚合的前体。当可聚合的前体，优选以气溶胶形式引入到等离子体射流内时，发生控制的等离子体聚合反应，这一聚合反应导致在与等离子体出口相邻地布置的任何基底上沉积等离子体聚合物。使用本发明的方法时，宽范围的底漆涂层可沉积在许多基底上。这些涂层被接枝到基底上并保留底漆前体分子的功能化学。
[0029]雾化器优选使用气体来雾化表面处理剂。可在电介质外壳内结合电极与雾化器。最优选，将生成等离子体所使用的工艺过程气体用作雾化气体以雾化表面处理剂。雾化器可以是例如气动雾化器，尤其是平行路径的雾化器，例如加拿大Mississauga Ontario的Burgener Research Inc.销售的雾化器，或者在美国专利6634572中所述的雾化器，或者它可以是同心的气体雾化器。或者雾化器可是超声雾化器，其中使用泵输送液体表面处理剂到超声喷嘴内，随后它在雾化表面上形成液体膜。超声波引起在液体膜内形成驻波，从而导致形成液滴。雾化器优选产生尺寸为10-100微米，更优选10-50微米的液滴。本发明中使用的合适的雾化器是获自Sono-TekCorporation，Milton，New York，USA的超声喷嘴。可供替代的雾化器可包括例如电喷技术，一种通过静电充电生成非常微细液体气溶胶的方法。最常见的电喷装置使用尖端的中空金属管，其中泵送液体经过该管。高电压的电源与该管道的出口相连。当接通电源和调节合适的电压时，被泵送通过管的液体转化成微细的连续液滴的薄雾。也可使用喷墨技术，利用热、压电、静电和声学方法，生成液滴且不需要载体气体。
[0030]因此，经图1的入口(6)或者经图2的入口(11)喂入的工艺过程气体可含有雾化形式的底漆或者底漆前体。这可通过在雾化器进料入口处使用工艺过程气体作为雾化气体，或者通过结合工艺过程气体物流与雾化的底漆来实现。在图1所示布局的可供替代布局中，电极位于雾化器任何一侧上，所述侧充当工艺过程气体和底漆的入口。电极可以例如延伸出雾化器顶部。在这一布局中，电极优选具有相同的极性。
[0031]在本发明的一个实施方案中，结合电极与雾化器，其方式使得雾化器充当电极。例如，若平行路径的雾化器由导电材料制成时，整个雾化器装置可用作电极。或者，导电组件如针可引入到不导电的雾化器内，形成结合的电极-雾化器体系。
[0032]图3示出了图2所示的针型电极系统的改进的方案。在图3中，工艺过程气体进入等离子体的上游(15)。可将雾化的底漆掺入到工艺过程气体流(15)内。或者，可将雾化的底漆的气溶胶直接引入到等离子体内。这通过靠近电极(17)顶部布置的第二气体入口点(16)来实现。雾化的底漆的气溶胶可在这一点(16)处直接添加，且主要的工艺过程气体仍然进入等离子体区域(15)的上游。或者，一些工艺过程气体也可与在电极顶部相邻处的气溶胶一起添加。利用这一装置，等离子体和前体通过从包围电极(17)的电介质外壳的出口处伸出的合适管道(18)流出。气体入口点(16)优选是与所述电介质外壳的出口(18)具有角度的入口。
[0033]管道(18)从电极(17)的顶部延伸等离子体射流例如最多300mm。至少部分由电介质材料例如塑料(如聚酰胺、聚丙烯或PTFE)形成管道(18)。管道优选具有挠性，以便等离子体出口可相对于基底移动。为了在大于300mm的长度上稳定等离子体射流，有益的是使用导电圆柱体，优选具有尖锐边缘的导电圆柱体，来连接相邻的管道片。这些圆柱体优选没有接地。优选地，这些圆环在两侧上均具有圆形尖锐边缘。当它在这些金属圆柱体内部经过时，工艺过程气体接触金属。在等离子体区域内生成的自由电子在尖锐的导电边缘附近处诱导强电场，所述强电场在管道内进一步电离工艺过程气体。在圆柱体的另一侧上的尖锐边缘产生强电场，所述强电场引发气体在随后的管道部分内电离。按照这一方式延伸在管道内部的等离子体。使用多种金属连接器使得等离子体能在数米例如3-7米内延伸。
[0034]图4示出了图3所示的类型的改进装置，该装置产生长的等离子体以供处理导电基底或者3-d物体或管道的内部。与图3中一样，驱动电极(19)与工艺过程气体(20)和雾化底漆的气溶胶(21)相互作用，产生等离子体。当等离子体离开装置时，通过限制等离子体在管道(22)内，来延伸等离子体射流的长度。只要等离子体限制在这一管道内，则等离子体不会因与外部氛围相互作用被猝灭。为了进一步延伸等离子体的长度，将导电片(23)引入到管道(22)内，以连接管道的相邻片。导电金属环(23)在两侧上均具有圆形尖锐的边缘。所得等离子体可在显著大的距离内延伸，之后经等离子体出口(24)流出并在与等离子体出口(24)相邻的基底上沉积底漆。
[0035]待用底漆涂布的基底与等离子体出口相邻地布置，以便基底接触等离子体，并相对于等离子体出口移动。例如，基底可移动通过等离子体出口或者等离子体出口可移动越过基底表面，尤其若使用挠性管道来延伸等离子体的话。
[0036]本发明的可供替代实施方案使用扩散介质阻挡放电等离子体发生装置，在所述装置内，在一对电极之间生成等离子体，如在WO02/28548中所述，其中液体基聚合物前体作为气溶胶引入到大气等离子体放电或者由其产生的激发物质内。对于典型的扩散介质阻挡放电等离子体发生装置来说，在间隙为3-50mm，例如5-25mm的一对电极之间生成均匀的等离子体。优选在相隔最多5cm的相邻电极之间(这取决于所使用的工艺过程气体)生成在大气压下稳态均匀的扩散介质阻挡放电例如辉光放电等离子体。电极是在1-100kHz，优选15-50kHz下用1-100kV，优选1至30kV的均方根(rms)电势给予能量的射频。形成等离子体所使用的电压典型地为1至30kV，最优选2.5至10kV，然而，实际值取决于工艺过程气体的选择和在电极之间的等离子体区域的尺寸。当按照这一方式在一对电极之间生成等离子体时，基底优选输送通过等离子体，亦即通过电极之间的间隙，如在WO02/28548中所述。
[0037]可利用任何合适的电极系统。每一电极可包括在电介质材料内保留的金属板或者金属网或类似物，或者可以例如具有WO02/35576中所述的类型，其中提供含电极和相邻的介质板的电极单元和用于导引冷却导电液体到电极外部以覆盖电极的平坦表面的冷却液体分配体系。每一电极单元包括一侧为介质板形式的水密箱，其中金属板或者网电极在箱内部附着于所述水密箱上。还存在与液体分配系统适配的液体入口和液体出口，所述液体分配体系包括冷却器和循环泵和/或装有喷嘴的喷洒管道。冷却液覆盖远离介质板的电极面。冷却导电液体优选是水且可含有导电率控制化合物，例如金属盐或可溶的有机添加剂。理想的是，电极是与介质板接触的金属板或网电极。介质板延伸超出电极周边，和冷却液也被导引越过介质板，以覆盖邻接电极周边的至少那部分电介质。优选地，所有介质板用冷却液覆盖。水起到电钝化金属电极的任何界面、奇异点或不均匀度例如边缘、角落或网端(其中在使用金属丝网电极的情况下)的作用。
[0038]在另一可供替代的电极系统中，每一电极可以是在WO2004/068916中所述的类型，其中每一电极包括具有内壁和外壁的外壳，其中至少内壁由电介质材料形成，和所述外壳含有与内壁直接接触的至少基本上非金属的导电材料而不是“常规”的金属板或网。合适的电介质材料的实例包括但不限于聚碳酸酯、聚乙烯、玻璃、玻璃层压体和环氧填充的玻璃层压体。优选地，电介质具有足够的强度，以便防止电介质被电极内的导电材料弯曲或损形。优选地，所使用的电介质的厚度为最多50mm，最优选15-30mm。在其中所选电介质没有足够透明的情况下，可利用玻璃或类似物的窗，使得能诊断性观察所生成的等离子体。
[0039]可借助隔片或类似物隔开电极，所述隔片优选也由电介质材料制成，于是通过消除在导电液体边缘之间的任何潜在放电，增加体系总的电介质强度。
[0040]基本上非金属的导电材料可以是液体，例如极性溶剂，如水、醇和/或二元醇或含水的盐溶液及其混合物，但优选是含水的盐溶液。当单独使用水时，它优选包括自来水或矿泉水。优选地，水含有最大约25wt％的水溶性盐，例如碱金属盐，如氯化钠或氯化钾或碱土金属盐。这是因为在这种电极内存在的导电材料具有显著完美的保形性，从而在电介质表面处具有完美均匀的表面电势。
[0041]或者，基本上非金属的导电材料可以是一种或多种导电聚合物组合物形式，所述组合物典型地可以糊剂形式供应。这种糊剂目前常用于电子工业中用以粘合和热管理电子组件，例如微型处理器芯片装置。这些糊剂典型地具有足够的流动性以流动到表面不规则处并与之一致。用于导电聚合物组合物的合适聚合物可包括硅氧烷类，聚氧聚烯烃弹性体，基于蜡例如硅氧烷蜡的热熔体，树脂/聚合物共混物，硅氧烷聚酰胺共聚物或其它硅氧烷-有机共聚物或类似物，或环氧、聚酰亚胺、丙烯酸酯、聚氨酯或异氰酸酯基聚合物。该聚合物典型地含有导电颗粒，典型地是银，但可使用可供替代的导电颗粒，其中包括金、镍、铜、各种各样的金属氧化物和/或碳，其中包括碳纳米管，或金属化的玻璃或陶瓷珠粒。可使用的导电聚合物组合物的具体实例包括在EP240648中所述的导电聚合物，或者银填充的有机基聚硅氧烷基组合物，例如由Dow Corning Corporation销售的Dow CorningDA6523、Dow CorningDA 6524、Dow CorningDA 6526 BD和DowCorningDA 6533，或者银填充的环氧基聚合物，例如获自(AblestikElectronic Materials＆Adhesives)的Ablebond8175，Epo-TekH20E-PFC或Epo-TekE30(EpoXy Technology Inc.)。
[0042]可根据本发明使用的大气压等离子体组件类型的一个实例包括第一和第二对平行间隔开的电极，在每一对电极的内板之间的间隔形成第一和第二等离子体区域。这一组件进一步包括传输基底连续通过所述第一和第二等离子体区域的装置和适合于引入雾化的液体或固体涂层制备材料进入所述第一或第二等离子体区域之一内的雾化器，并公开于申请人悬而未决的申请WO03/086031中，在此通过参考将其引入。在优选的实施方案中，电极垂直排列。
[0043]或者，可通过等离子体加强的化学气相沉积(PE-CVD)，将底漆施加到基底上。化学气相沉积是通过在加热的基底附近或者其上的在气相内的化学反应在加热的基底上沉积固体。所发生的化学反应可包括热分解、氧化、渗碳和氮化。典型地，CVD反应事件的顺序按序包括下述：
i)通过合适的引入设备，例如强制流动，引入反应物气体到反应器内，
ii)使气体经反应器扩散到基底表面上，
iii)使气体与基底表面接触；
iv)在气体和/或一种或多种气体和基底表面之间发生化学反应；
v)反应副产物解吸和扩散离开基底表面。
[0044]在PE-CVD情况下，导引气体，以便扩散经过等离子体。可利用任何合适的等离子体。对于涂布精密和热敏网状材料形式的基底来说，非热平衡等离子体工艺是理想的，这是因为甚至在薄层的情况下，所得涂层通常不具有微孔。通过PE-CVD沉积的底漆涂层很好地粘合到甚至非极性的材料例如聚乙烯以及钢、纺织品等上。可利用非热平衡等离子体，例如辉光放电等离子体。可在低压，即真空辉光放电下，或者优选在大气压附近-大气压辉光放电中，发生辉光放电。
[0045]基底可经历表面处理，之后等离子体沉积底漆。表面处理可除去污染物或者弱的边界层，改性基底的表面能和/或改变表面形貌。污染物的实例是在金属上的油和油脂，在金属上的弱或松散的氧化物，在聚合物上的脱模剂例如硅氧烷、氟烃和蜡，和已从本体迁移到表面上的在聚合物表面上的添加剂与低分子量材料。表面预处理可例如借助等离子体技术，例如电晕放电或等离子火焰，或者通过非热平衡等离子体，例如大气压等离子体。
[0046]等离子体沉积的底漆含有可化学键合到胶粘体的官能团上的官能团。可化学键合的官能团的一个实例是在具有与硅键合的氢基团的组分和含烯键式不饱和基团(典型地与硅键合的链烯基)的其它组分之间的氢化硅烷化固化的硅氧烷。含烯键式不饱和基团的胶粘体可粘合到用底漆等离子体涂布的基底上，所述底漆在基底上提供Si-H官能表面。通过氢化硅烷化固化反应，典型地使用铂族金属基催化剂催化的氢化硅烷化固化反应，在界面处借助底漆中的Si-H官能团和胶粘体的硅氧烷配方内的乙烯基官能团之间的相互作用发生键合。设计粘合促进的功能性等离子体聚合物底漆，其方式使得在基底和胶粘体涂层之间形成特定的化学键。
[0047]催化剂中的铂族金属优选选自铂、铑、铱、钯或钌。用于催化本发明组合物固化的含铂族金属的催化剂可以是催化与硅键合的氢原子和与硅键合的链烯基之间反应的任何已知催化剂，且可以铂族金属或其化合物或络合物形式存在。用作催化剂的优选铂族金属是铂。一些优选的铂基氢化硅烷化催化剂包括氯铂酸、六水合氯铂酸、二氯化铂、和含有低分子量含乙烯基的有机基硅氧烷的这种化合物的络合物。
[0048]基于氢化硅烷化固化的典型硅氧烷涂料组合物具有化学计量匹配含量的Si-H和Si-乙烯基组分，以提供充分固化的产物。尽管这种化学计量匹配的组合物可用作胶粘体，但底漆和胶粘体之间的界面反应将与本体胶粘体内的固化反应发生竞争。可优选采用过量的Si-乙烯基官能组分配制胶粘体，以便可在底漆/胶粘体界面处发生化学键合，且没有损害胶粘体本体内的固化。因此，“富含”Si-乙烯基的胶粘体配方结合Si-H官能的等离子体聚合物底漆使得能在底漆/胶粘体界面处增加化学键合并增加交联，从而导致提高的粘结。设计胶粘体，其方式使得在底漆和胶粘体之间形成特定的化学键。通过这一涂布工艺生产的固化涂层是不具有粘性的挠性涂层，该涂层强烈地粘合到基底上，例如粘合到挠性基底，如塑料膜、纸张或纺织品材料；或者硬质基底，例如金属、玻璃，或塑性挤出部件上。
[0049]在另一实例中，存在于底漆内的官能团是Si-OH或Si-OR基。这些可结合具有键合到硅上的酰氧基例如乙酰氧基或者具有键合到硅上的肟基的有机基聚硅氧烷胶粘体使用。含Si-H基和与硅键合的乙酰氧基或肟基的组合物被称为室温可硫化的密封剂。可使用具有键合到硅上的酰氧基或肟基的有机基聚硅氧烷胶粘体，粘结两个基底，其中至少一个基底根据本发明用具有Si-OH或Si-OR基的等离子体沉积的底漆处理。根据本发明用等离子体沉积的底漆处理的第一基底可粘结到在第二基底上涂布的有机基聚硅氧烷胶粘体上，所述第二基底可以根据本发明用等离子体沉积的底漆处理或者可以不处理。有机基聚硅氧烷胶粘体可任选地含有诸如有机金属化合物，例如辛酸亚锡或二月桂酸二丁锡或钛螯合物之类的催化剂。
[0050]在进一步的实例中，存在于底漆内的官能团是伯或仲胺基和/或醇基，和胶粘体是含有环氧化物基团的聚合物。胺基优选伯胺基R-NH2或形成氨基醇基的一部分，例如R-NH-CH2-CH-OH。存在于底漆内的醇基优选如同在β-羟胺中一样通过相邻基团来活化。环氧官能的聚合物优选含有缩水甘油基，且可例如是衍生于双酚或多酚的环氧树脂，或环氧官能的丙烯酸树脂。可使用环氧胶粘体粘结两个基底，其中至少一个基底根据本发明用具有R-NH2或R-NH-CH2-CH-OH基的等离子体沉积的底漆处理。或者，可用环氧官能的涂料作为胶粘体涂布根据本发明用具有R-NH2或R-NH-CH2-CH-OH基的等离子体沉积的底漆处理过的基底。
[0051]在可供替代的方案中，可通过等离子体沉积施加含环氧丙氧基的底漆到基底上，并用含有伯或仲胺基和/或活化醇基的胶粘体涂布。
[0052]在进一步的实例中，存在于底漆内的官能团是羟甲基，尤其是其中醇被活化的羟甲基，例如N-羟甲基。胶粘体可含有对N-羟甲基具有反应性的羟基，例如胶粘体可以是羟基官能的聚酯或聚醚涂料组合物。
[0053]在进一步的实例中，存在于底漆内的官能团是异氰酸酯基R-NCO或者封端的异氰酸酯基。胶粘体可含有羟基和/或胺基，例如胶粘体可以是羟基官能的聚酯或聚醚或聚氨酯预聚物。这种胶粘体可形成聚氨酯涂料或者可以是用于粘结两个基底的聚氨酯粘合剂，其中至少一个基底根据本发明已用具有异氰酸酯或封端的异氰酸酯基的等离子体沉积的底漆处理。
[0054]在可供替代方案中，可通过等离子体沉积，将含有羟基和/或胺基的底漆施加到基底上，并用含有异氰酸酯或封端的异氰酸酯基的胶粘体例如异氰酸酯官能的聚氨酯预聚物涂布，所述聚氨酯预聚物可用作涂料或者用于粘结两个基底的粘合剂。
[0055]或者，可用酚树脂粘合剂作为胶粘体涂布通过等离子体沉积施加到基底上的含有羟基和/或胺基的底漆。
[0056]在进一步的实例中，存在于底漆内的官能团是羟基，例如醇基，和胶粘体是氰基丙烯酸酯。这种体系尤其可用作粘结两个基底的粘合剂。
[0057]在进一步的实例中，存在于底漆内的官能团是氨基，和胶粘体是聚酰亚胺树脂或双马来酰亚胺树脂。底漆可例如是氨基硅烷，如氨丙基三乙氧基硅烷或氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷。
[0058]在进一步的实例中，存在于底漆内的官能团是环氧基，例如缩水甘油基，和胶粘体是聚硫醚橡胶。
[0059]或者底漆可以是偶联剂。E.P.Plueddemann在“Silanes andOther Coupling Agents”(Ed K.Mittal，VSP Utrecht，1992)中充分描述了偶联剂，且偶联剂是为提供化学偶联到无机表面和有机粘合剂或涂料二者上而设计的多官能化合物。这些化合物常规地由稀溶液直接施加到基底上，或者可以配混到粘合剂或涂料内，以产生底面两用配方。这种底面两用配方常常要求特殊的粘结或固化方法和/或方案以确保偶联剂存在于粘合剂或涂层/基底界面处。
[0060]偶联剂的类型包括但不限于硅烷、原硅酸酯、其它原酯、铬络合物、钛酸酯、硫醇和相关化合物的共聚物。因此，本发明的方法可例如包括通过大气压等离子体沉积施加含可化学键合到胶粘体内官能团上的取代基官能团的硅烷偶联剂。
[0061]硅烷基偶联剂可包括具有下述官能团的硅烷：乙烯基、氯丙基、环氧基、甲基丙烯酸酯基、伯胺基、二胺基、巯基、硫化物基或阳离子苯乙烯基。底漆偶联剂可包括诸如C6H5Si(OMe)3之类的硅烷和二胺官能的硅烷的混合物。或者，底漆可包括树脂底漆和偶联剂的混合物，例如三聚氰胺树脂和环氧官能的硅烷可用作含胺和/或羟基的胶粘体用底漆。
[0062]当胶粘体是例如基于天然橡胶或二烯橡胶的可硫固化的橡胶组合物时，含有巯基和/或硫化物基的硅烷偶联剂例如尤其可用作待等离子体沉积的底漆处理剂。这种偶联剂的实例是双(三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫醚、双(三乙氧基甲硅烷基丙基)二硫醚和3-巯丙基三乙氧基硅烷。
[0063]各种无机酯被要求作为增强塑料的偶联剂且可用作本发明方法的底漆，其中包括氨苄基膦酸酯，二鲸蜡基异丙基硼酸酯，铬的络合物，例如{CH2＝C(Me)COO}Cr(OH)Cl2·H2O·ROH}和铝、锆与钛的烷氧基化合物，例如{CH2＝C(Me)COO}3TiOCH(Me)，以及锆酸酯和锆铝酸酯，例如HO(Al/Zr)RCOOH。具有诸如COOH、CH2CH2OH、CONH2、缩水甘油基、CH2CH(OH)CH2OPO(OH)2、(CH2)3Si(OMe)3、CH2CHClCH2OSiCl3或CH2CH2OSi(OMe)3之类官能团的甲基丙烯酸酯添加剂也可用作偶联剂，以改进粘合性。
[0064]根据本发明可通过等离子体沉积并用胶粘体涂布的基底包括但不限于金属，其中包括铝、钢和钛，工程塑料，其中包括聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚氨酯、聚丙烯、聚乙烯和聚酰胺，橡胶和弹性体，玻璃、陶瓷材料、粘土和矿物，纺织品和皮革，或者组合物，其中包括但不限于玻璃纤维、碳纤维、聚丙烯纤维和芳族聚酰胺纤维复合材料。
[0065]可通过任何常规的涂布技术，将胶粘体(它是涂料)施加到涂过底漆的基底上。可与底漆相类似通过等离子体沉积，施加胶粘体，但通常不必要。可以例如通过喷涂、刷涂、辊涂、辊衬刮刀涂布、挤压涂装、幕涂、注塑、粘合剂和密封剂人工和自动分配体系或粉末涂布，来施加胶粘体。视需要，可由稀释剂，例如由溶液或乳液，施加胶粘体。
[0066]可在宽范围的各种应用中使用本发明，这些应用包括但不限于例如在涂布医疗设备例如待植入的设备(其中包括药物递送设备、导管、电引线和耳蜗植入物)中，施加装饰性或防腐蚀涂层或抗粘合剂或生物相容的涂层。可利用本发明，在起搏器和神经刺激器上形成密封。可利用本发明，施加涂层或粘合剂到电子器件、印刷电路板(PCB)、逻辑器件、生物传感器和化学传感器、MEMS、芯片实验室(Lab-on-chip)和纳米机器、自动组件，例如传感器和电子仪器、衬垫和密封垫、航天、航空和航海组件与结构体，泵送体系及其组件或消费电子仪器，或用于显示器件的组装和/或密封。可利用本发明粘结结构材料和诸如压光机(其中包括结构、建筑和复合压光机)和太阳能电池与面板之类的物品。所述的任何粘合剂体系可用橡胶增韧，以便与建筑材料一起使用。可利用本发明粘结或涂布鞋类、布料和休闲服、珠宝或运动物品和设备，或者涂布包装或气囊，或用于层压聚合物膜到钢基底上。
[0067]除了胶粘体(涂层或粘合剂)对宽范围的基底的改进的粘合性的优点以外，使用等离子体聚合的底漆的本发明方法可得到额外的优势。它可允许粘合到通常抑制胶粘体固化的基底上。例如，存在于聚酰胺或聚氨酯表面内的胺基抑制含具有Si-H基的聚硅氧烷、具有乙烯基的聚硅氧烷和铂催化剂的硅氧烷涂料体系固化，这是因为催化剂“中毒”所致。施加涂料体系作为等离子体聚合的底漆之后施加胶粘体防止了这种抑制。这种抑制的一个实例是皮革基底。在不施加含Si-H基的底漆情况下，含具有Si-H基的聚硅氧烷、具有乙烯基的聚硅氧烷和铂催化剂的粘合剂不固化。采用等离子体沉积的底漆，则粘合剂固化。
[0068]视需要，可配制胶粘体，以便它要求在底漆内的表面官能团来得到强烈的粘合性，亦即，如果不施加在底漆上它具有很小的粘合性。
[0069]通过大气压等离子体沉积方法沉积含偶联剂的底漆层具有许多优点。第一，因所要求的粘合性水平导致常规不合偶联剂的粘合剂可用于以前不可能实现的不同应用中。可不需要溶剂(环境优势)或仔细控制pH的情况下，实现通过大气压等离子体方法沉积。进一步的优点是，可从粘合剂配方中除去偶联剂。添加偶联剂到粘合剂配方中可对粘合剂的流变学具有负面影响。从胶粘体中除去偶联剂并作为底漆单独地施加它使得粘合剂加工的灵活性更大。含有偶联剂的配方常常要求高的固化温度，以便在热动力学上驱赶偶联剂到基底-粘合剂的界面。通过从胶粘体中除去偶联剂并作为底漆单独地施加它，可减少固化温度循环。
[0070]通过下述实施例阐述本发明。
实施例1
[0071]使用图3所示类型的大气压等离子体组件，在不锈钢片材基底上沉积聚氢甲基硅氧烷底漆。将待涂布的基底与等离子体出口(18)相邻地放置。将工艺过程气体(氦气或者氩气)通过入口(15)引入。通过施加RF功率(30-60W，29kHz)到电极(17)上，生成等离子体。以通过入口(16)以5μL min-1的流量引入雾化液体形式的聚氢甲基硅氧烷。聚氢甲基硅氧烷当穿过等离子体时产生一系列的自由基物质。这些自由基经历聚合反应并沉积在基底上，形成涂层。
[0072]然后施加具有Si-乙烯基的液体有机硅树脂(Dow Corning的Silastic9780/50E)到处理过的钢的表面上，并热固化，形成橡胶状固体树脂涂层。在这一固化工艺过程中，液体有机硅树脂与等离子体涂层中的Si-H官能团化学反应，和这使得有机硅化学键合到等离子体涂层上，从而将有机硅接枝到钢表面上。在热固化之后，尝试从钢上物理除去这一橡胶状有机硅树脂证明具有难度，和任何除去导致在有机硅内的内聚破坏。
[0073]当Silastic液体有机硅树脂施加到没有用等离子体涂层涂布的不锈钢上时，与表面存在很少的粘结，和固化的橡胶状固体有机硅树脂容易从该表面上剥离，从而显示出100％的粘合破坏。
实施例2
[0074]使用与实施例1所述相同的方法，在PET(聚对苯二甲酸乙二酯)膜上沉积涂层。将聚氢甲基硅氧烷用作液体前体，和用氦气或者氩气用作工艺过程气体。当将Dow Corning的Silastic9780/50E施加到这一等离子体涂布的表面上并固化时，再次检测到强烈的粘合促进效果，和在没有破坏基底的情况下，不可能除去该树脂。
实施例3-10
[0075]使用图3所示类型的大气压等离子体组件，沉积四乙氧基原硅酸酯(TEOS)和聚氢甲基硅氧烷(PHMS)的50/50w/w混合物的等离子体聚合的底漆层到聚(对苯二甲酸酯)(PET)基底上。等离子体功率在高(100W)和低(80W)之间变化，如下表1所示。将氦气用作工艺过程气体。将TEOS和PHMS的混合物以雾化的液体形式经入口(16)以表1所示的流量引入。以表1所示的线速度移动PET基底经过等离子体出口(18)。作为比较，在不存在液体前体的情况下使用等离子体处理另一样品(对照1)。包括没有进行过任何等离子体处理的PET基底的另一样品用于测试(对照2)。
[0076]在沉积等离子体聚合的底漆之后，通过刮刀涂布，施加具有Si-乙烯基的Silastic9280/50液体硅橡胶，并在70℃的温度下固化3小时。
[0077]使用180°剥离实验，在室温下测量硅橡胶层对PET基底的粘合性。剥离宽度为1/2英寸(12.5mm)和剥离速度为1in.(25mm)/min。表1中示出了剥离2英寸(50mm)的平均剥离力(N/m)。
表1
实施例 功率 流量(μL/min) 线速度(mm/s) 剥离力(N/m) 破坏模式
3 高 15 25 1880 内聚
4 高 5 10 322 混合
5 低 5 10 121 混合
6 低 15 10 2065 内聚
7 低 15 25 1111 内聚
8 高 5 25 118 混合
9 高 15 10 154 混合
10 低 5 25 91 混合
对照1 高 0 10 10 粘合
对照2 N/A N/A N/A 30 粘合
[0078]根据表1可看出，在通过本发明的方法施加的在底漆上的涂层对基底的粘合力(剥离强度)显示出比没有预处理或者仅仅等离子体预处理过的对照物高1或2个数量级。尤其是实施例3、6和7显示出这种良好的粘合性，以致于试验测量到在硅橡胶层内的内聚破坏而不是涂层与基底之间的粘合破坏。

Claims (18)

1.一种将胶粘体粘结到基底上的方法，其中通过等离子体沉积将底漆施加到基底上，和将胶粘体粘结到基底的底漆处理过的表面上，和底漆含有可与胶粘体内的官能团化学键合的官能团。
2.权利要求1的方法，其特征在于等离子体是在具有入口和等离子体出口的电介质外壳内生成的非平衡大气压等离子体，其中工艺过程气体经所述电介质外壳从所述入口经过至少一个电极流到出口，和将待处理的基底与等离子体出口相邻地布置，以便基底与等离子体接触并相对于等离子体出口移动。
3.权利要求1或2的方法，其特征在于以雾化形式引入底漆。
4.权利要求2或3的方法，其特征在于工艺过程气体和底漆穿过雾化器，在所述雾化器内工艺过程气体使底漆雾化。
5.权利要求3的方法，其特征在于雾化的表面处理剂被注射到电极下游的等离子体内。
6.权利要求1-5任何一项的方法，其特征在于底漆含有Si-H基，和胶粘体含有烯键式不饱和基团。
7.权利要求6的方法，其特征在于胶粘体包括含有键合到硅上的乙烯基的聚有机基硅氧烷。
8.权利要求1-5任何一项的方法，其特征在于底漆含有Si-OH基或Si-OR基，其中R表示具有1-6个碳原子的烷基，和胶粘体含有与硅键合的乙酰氧基。
9.权利要求1-5任何一项的方法，其特征在于底漆是含有可与胶粘体内的官能团化学键合的取代基官能团的硅烷偶联剂。
10.权利要求1-5任何一项的方法，其特征在于底漆含有伯或仲胺基和胶粘体含有环氧基。
11.权利要求1-5任何一项的方法，其特征在于底漆含有N-羟甲基和胶粘体含有醇基。
12.权利要求1-5任何一项的方法，其特征在于底漆含有异氰酸酯或封端的异氰酸酯基，和胶粘体含有羟基或胺基。
13.权利要求1-12任何一项的方法用于形成涂布的基底，其中胶粘体是涂料。
14.权利要求1-12任何一项的方法用于粘结基底到第二基底上，其中胶粘体是涂布在第二基底上的粘合剂。
15.一种涂布的制品，它包括用施加在底漆上的涂层涂布的基底，其特征在于通过等离子体沉积施加底漆到基底上，和胶粘体包含可化学键合到底漆内的官能团上的官能团。
16.一种粘结的制品，它包括通过施加在至少一个基底上的底漆上的粘合剂粘结的两个基底，其特征在于通过等离子体沉积施加底漆到基底上，和胶粘体包含可化学键合到底漆内的官能团上的官能团。
17.权利要求1-15任何一项的方法的用途，它用于涂布医疗设备，例如待植入设备，其中包括药物递送设备、导管、电引线、耳蜗植入物和/或用于在起搏器和神经刺激器上形成密封。
18.权利要求1-15任何一项的方法的用途，它用于涂布电子器件、印刷电路板(PCB)、逻辑器件、生物传感器和化学传感器、MEMS、芯片实验室和纳米机器、传感器和电子仪器、衬垫和密封垫、航天、航空和航海组件与结构体、泵送系统及其组件或消费电子仪器或用于显示器件的组装和/或密封，和/或用于粘结结构材料和诸如压光机(其中包括结构、建筑和复合压光机)和太阳能电池与面板之类的物品，和用于粘结或涂布鞋类、布料和休闲服、珠宝或运动物品和设备，或者用于涂布包装或气囊，和/或用于层压聚合物膜到钢基底上。
CN2006800160610A 2005-05-12 2006-05-10 借助底漆将胶粘体粘结到基底上 Expired - Fee Related CN101175868B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB0509648.2 2005-05-12
GB0509648A GB0509648D0 (en) 2005-05-12 2005-05-12 Plasma system to deposit adhesion primer layers
GB0509648.2 2005-05-12
PCT/US2006/018022 WO2006124437A1 (en) 2005-05-12 2006-05-10 Bonding an adherent to a substrate via a primer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101175868A true CN101175868A (zh) 2008-05-07
CN101175868B CN101175868B (zh) 2011-08-17

Family

ID=34685466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800160610A Expired - Fee Related CN101175868B (zh) 2005-05-12 2006-05-10 借助底漆将胶粘体粘结到基底上

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8859056B2 (zh)
EP (1) EP1929065A1 (zh)
JP (1) JP5290750B2 (zh)
KR (1) KR101434584B1 (zh)
CN (1) CN101175868B (zh)
EA (1) EA013879B1 (zh)
GB (1) GB0509648D0 (zh)
WO (1) WO2006124437A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102123857A (zh) * 2008-07-16 2011-07-13 奥特拉斯技术有限公司 含有官能聚合物相变材料的制品及其制造方法
CN104768761A (zh) * 2012-11-05 2015-07-08 福瑞托-雷北美有限公司 阻隔纸包装及其生产方法
CN107107548A (zh) * 2014-10-31 2017-08-29 德莎欧洲公司 使用潜在反应性胶粘剂膜粘结两个基底
CN109312206A (zh) * 2016-05-06 2019-02-05 美国陶氏有机硅公司 使有机硅基材料粘附到基底的方法
CN113544227A (zh) * 2019-02-21 2021-10-22 耐克创新有限合伙公司 包括结合层的复合结构和制造该复合结构的方法
CN113943937A (zh) * 2020-07-15 2022-01-18 Ti汽车海德堡有限公司 用于涂覆管道的方法和管道
CN114574114A (zh) * 2022-01-24 2022-06-03 上汽大众汽车有限公司 一种用于车辆零部件的粘结方法

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006048650A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Dow Corning Ireland Limited Plasma system
US8071174B2 (en) * 2009-04-03 2011-12-06 John Mezzalingua Associates, Inc. Conductive elastomer and method of applying a conductive coating to elastomeric substrate
US8157589B2 (en) 2004-11-24 2012-04-17 John Mezzalingua Associates, Inc. Connector having a conductively coated member and method of use thereof
GB0509648D0 (en) 2005-05-12 2005-06-15 Dow Corning Ireland Ltd Plasma system to deposit adhesion primer layers
EP1857188A1 (de) * 2006-05-16 2007-11-21 Sika Technology AG Verfahren zum Auftragen einer Haftvermittlerzusammensetzung mit einem Ultraschallzerstäuber
DE102007011310B4 (de) * 2007-03-06 2015-06-18 Biotronik Crm Patent Ag Medizinisches Implantat und Verfahren zur Herstellung desselben
US9217066B2 (en) * 2008-03-31 2015-12-22 Ford Global Technologies, Llc Structural polymer insert and method of making the same
US8113875B2 (en) 2008-09-30 2012-02-14 Belden Inc. Cable connector
DE102008052102B4 (de) * 2008-10-20 2012-03-22 INPRO Innovationsgesellschaft für fortgeschrittene Produktionssysteme in der Fahrzeugindustrie mbH Vorrichtung zum Vor- und/oder Nachbehandeln einer Bauteiloberfläche mittels eines Plasmastrahls
JP5136791B2 (ja) * 2008-11-21 2013-02-06 信越化学工業株式会社 シアノアクリレート系瞬間接着剤用プライマー組成物
JP5195354B2 (ja) * 2008-12-01 2013-05-08 セイコーエプソン株式会社 光学素子
US8361334B2 (en) * 2009-03-18 2013-01-29 Medtronic, Inc. Plasma deposition to increase adhesion
US8524097B2 (en) * 2009-03-18 2013-09-03 Medtronic, Inc. Plasma deposition to increase adhesion
US8816205B2 (en) * 2009-04-03 2014-08-26 Ppc Broadband, Inc. Conductive elastomer and method of applying a conductive coating to a cable
US20110073251A1 (en) * 2009-09-29 2011-03-31 United Technologies Corporation Component bonding preparation method
DE102009048397A1 (de) * 2009-10-06 2011-04-07 Plasmatreat Gmbh Atmosphärendruckplasmaverfahren zur Herstellung oberflächenmodifizierter Partikel und von Beschichtungen
DE102010044114A1 (de) * 2010-11-18 2012-05-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Verbinden von Substraten und damit erhältliche Verbundstruktur
JP5560208B2 (ja) * 2011-01-06 2014-07-23 株式会社アルバック 基板の接着方法及び基板積層体の製造方法
US8157588B1 (en) 2011-02-08 2012-04-17 Belden Inc. Cable connector with biasing element
KR20120096175A (ko) * 2011-02-22 2012-08-30 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈용 프레임 시스템
US8764929B2 (en) * 2011-03-22 2014-07-01 The Boeing Company Method of promoting adhesion and bonding of structures and structures produced thereby
WO2013015412A1 (ja) * 2011-07-28 2013-01-31 凸版印刷株式会社 積層体、ガスバリアフィルム、及びこれらの製造方法
US9040120B2 (en) 2011-08-05 2015-05-26 Frito-Lay North America, Inc. Inorganic nanocoating primed organic film
US9484123B2 (en) 2011-09-16 2016-11-01 Prc-Desoto International, Inc. Conductive sealant compositions
US20130101855A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Frito-Lay North America, Inc. Barrier paper packaging and process for its production
US9267011B2 (en) 2012-03-20 2016-02-23 Frito-Lay North America, Inc. Composition and method for making a cavitated bio-based film
US9162421B2 (en) 2012-04-25 2015-10-20 Frito-Lay North America, Inc. Film with compostable heat seal layer
JP5939388B2 (ja) 2012-05-18 2016-06-22 株式会社スリーボンド 硬化性樹脂組成物およびプライマー組成物
GB2503426B (en) * 2012-06-01 2015-11-25 Advanced Insulation Plc Bonding method
KR20130141985A (ko) * 2012-06-18 2013-12-27 삼성전자주식회사 2개 표면을 결합시키는 방법 및 그에 의하여 제조된 구조물
AU2013278072B2 (en) 2012-06-23 2016-03-17 Frito-Lay North America, Inc. Deposition of ultra-thin inorganic oxide coatings on packaging
US9149980B2 (en) 2012-08-02 2015-10-06 Frito-Lay North America, Inc. Ultrasonic sealing of packages
US9090021B2 (en) 2012-08-02 2015-07-28 Frito-Lay North America, Inc. Ultrasonic sealing of packages
WO2014046058A1 (ja) * 2012-09-20 2014-03-27 ローム株式会社 パワーモジュール半導体装置およびインバータ装置、およびパワーモジュール半導体装置の製造方法、および金型
JP6055649B2 (ja) * 2012-10-26 2016-12-27 株式会社ブリヂストン 積層体及びタイヤ
EP3140048A4 (en) * 2014-05-06 2017-12-20 Henkel IP & Holding GmbH Apparatus and method for applying multi-component adhesives using jetting valves
DE102014106419B4 (de) * 2014-05-08 2017-06-29 Kalwar Civ Innoserv Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zum flächigen Verbinden von zwei Substraten
CN104356966B (zh) * 2014-10-29 2016-08-17 际华三五一五皮革皮鞋有限公司 一种帮面帮脚清理剂
US20170320080A1 (en) * 2014-11-10 2017-11-09 Superior Industries International, Inc. Method of coating alloy wheels
US11357093B2 (en) * 2016-12-23 2022-06-07 Plasmatreat Gmbh Nozzle assembly, device for generating an atmospheric plasma jet, use thereof, method for plasma treatment of a material, in particular of a fabric or film, plasma treated nonwoven fabric and use thereof
CN106784158B (zh) * 2017-01-10 2018-04-17 上海空间电源研究所 一种太阳电池的粘贴方式
JP2018111788A (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 国立大学法人大阪大学 接着構造体及びその製造方法
DE102017201559A1 (de) 2017-01-31 2018-08-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Atmosphärendruckplasmaverfahren zur Herstellung von plasmapolymeren Beschichtungen
JP7048720B2 (ja) * 2018-03-20 2022-04-05 株式会社Fuji プラズマ装置
EP3680098A1 (de) * 2019-01-11 2020-07-15 Carl Freudenberg KG Verbundmaterial mit haftvermittlerschicht auf basis von si, c und o
EP3848426A1 (en) * 2020-01-07 2021-07-14 Molecular Plasma Group SA Method for altering adhesion properties of a surface by plasma coating
KR102582998B1 (ko) * 2021-02-01 2023-09-27 한국과학기술연구원 고분자 또는 고분자 복합소재의 표면처리 방법 및 이를 포함하는 접착방법
US20240033467A1 (en) * 2022-07-26 2024-02-01 Creganna Unlimited Company Catheter Having a Laminated Polytetrafluoroethylene Liner and Method of Manufacture
FR3147568A1 (fr) * 2023-04-07 2024-10-11 Saint-Gobain Glass France Primaire d’adhésion à base de silane déposé par plasma à pression atmosphérique

Family Cites Families (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4130707A (en) * 1973-02-16 1978-12-19 Wacker-Chemie Gmbh Adhesive compositions
US4212719A (en) 1978-08-18 1980-07-15 The Regents Of The University Of California Method of plasma initiated polymerization
JPS59160828A (ja) 1983-03-01 1984-09-11 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気記録媒体
JPS6016810A (ja) * 1983-07-08 1985-01-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 表面被覆膜の製造方法
US4588641A (en) 1983-11-22 1986-05-13 Olin Corporation Three-step plasma treatment of copper foils to enhance their laminate adhesion
JPH0753764B2 (ja) 1986-03-28 1995-06-07 ト−メ−産業株式会社 ビニルモノマ−の重合法
DE3705482A1 (de) 1987-02-20 1988-09-01 Hoechst Ag Verfahren und anordnung zur oberflaechenvorbehandlung von kunststoff mittels einer elektrischen koronaentladung
ZA884511B (en) 1987-07-15 1989-03-29 Boc Group Inc Method of plasma enhanced silicon oxide deposition
DE3827628A1 (de) 1988-08-16 1990-03-15 Hoechst Ag Verfahren und vorrichtung zur oberflaechenvorbehandlung eines formkoerpers aus kunststoff mittels einer elektrischen koronaentladung
DE3925539A1 (de) 1989-08-02 1991-02-07 Hoechst Ag Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines schichttraegers
JPH03115578A (ja) 1989-09-28 1991-05-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 粉末粒子のコーテイング方法
JP2811820B2 (ja) 1989-10-30 1998-10-15 株式会社ブリヂストン シート状物の連続表面処理方法及び装置
DE69032691T2 (de) 1989-12-07 1999-06-10 Japan Science And Technology Corp., Kawaguchi, Saitama Verfahren und Gerät zur Plasmabehandlung unter atmosphärischem Druck
JP2990608B2 (ja) 1989-12-13 1999-12-13 株式会社ブリヂストン 表面処理方法
JP2897055B2 (ja) 1990-03-14 1999-05-31 株式会社ブリヂストン ゴム系複合材料の製造方法
US5366770A (en) 1990-04-17 1994-11-22 Xingwu Wang Aerosol-plasma deposition of films for electronic cells
US5190807A (en) * 1990-10-18 1993-03-02 Diamonex, Incorporated Abrasion wear resistant polymeric substrate product
GB9102768D0 (en) 1991-02-09 1991-03-27 Tioxide Group Services Ltd Coating process
DE4111384C2 (de) 1991-04-09 1999-11-04 Leybold Ag Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten
JP3283889B2 (ja) 1991-07-24 2002-05-20 株式会社きもと 防錆処理方法
GB2259185B (en) 1991-08-20 1995-08-16 Bridgestone Corp Method and apparatus for surface treatment
JP3286816B2 (ja) 1992-12-24 2002-05-27 イーシー化学株式会社 大気圧グロ−放電プラズマ処理法
JP3357695B2 (ja) * 1992-12-28 2002-12-16 王子タック株式会社 フッ素樹脂粘着テープの製造方法
JP3445632B2 (ja) 1993-02-26 2003-09-08 科学技術振興事業団 薄膜の製造方法とその装置
JPH06330326A (ja) 1993-03-26 1994-11-29 Shin Etsu Chem Co Ltd シリカ薄膜の製造方法
US5414324A (en) 1993-05-28 1995-05-09 The University Of Tennessee Research Corporation One atmosphere, uniform glow discharge plasma
JP3344017B2 (ja) * 1993-08-23 2002-11-11 松下電工株式会社 金属と有機物の接合方法および配線板の製造方法
JPH0762546A (ja) 1993-08-25 1995-03-07 Shinko Electric Co Ltd 大気圧プラズマ表面処理装置
EP0655516B1 (de) 1993-11-27 1996-11-27 BASF Aktiengesellschaft Verfahren zur Beschichtung oder Oberflächenbehandlung von Feststoffteilchen mittels einer Plasma-Wirbelschicht
FR2713511B1 (fr) 1993-12-15 1996-01-12 Air Liquide Procédé et dispositif de création d'une atmosphère d'espèces gazeuses excitées ou instables.
JP3700177B2 (ja) 1993-12-24 2005-09-28 セイコーエプソン株式会社 大気圧プラズマ表面処理装置
DE4410369A1 (de) * 1994-03-25 1995-09-28 Acr Automation In Cleanroom Verwendung der Plasmatechnik zur Grundierung
JP3064182B2 (ja) 1994-06-14 2000-07-12 松下電工株式会社 大気圧プラズマ粉体処理方法及びその装置
JP3508789B2 (ja) 1994-07-04 2004-03-22 セイコーエプソン株式会社 基板の表面処理方法
JPH08259901A (ja) * 1995-03-28 1996-10-08 Sekisui Chem Co Ltd 金属材料の接着方法
JP3959745B2 (ja) 1995-04-07 2007-08-15 セイコーエプソン株式会社 表面処理装置
DE19525453A1 (de) 1995-07-13 1997-01-16 Eltex Elektrostatik Gmbh Vorrichtung zum Ablösen der gasförmigen laminaren Grenzschicht
JP4047382B2 (ja) 1995-08-04 2008-02-13 マイクロコーティング テクノロジーズ 超臨界付近および超臨界の流体溶液の溶射を用いた化学蒸着および粉体形成
JPH0952707A (ja) * 1995-08-08 1997-02-25 Kao Corp 薄膜の製造方法
DE19546187C2 (de) 1995-12-11 1999-04-15 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Einrichtung zur plasmagestützten Oberflächenbehandlung
AUPN820396A0 (en) 1996-02-21 1996-03-14 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Method for reducing crazing in a plastics material
US5876753A (en) * 1996-04-16 1999-03-02 Board Of Regents, The University Of Texas System Molecular tailoring of surfaces
CA2205817C (en) 1996-05-24 2004-04-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. Treatment method in glow-discharge plasma and apparatus thereof
JPH108022A (ja) * 1996-06-25 1998-01-13 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 光メモリ素子用シリコーン系接着剤、光メモリ素子、および光メモリ素子の製造方法
WO1998010116A1 (en) 1996-09-05 1998-03-12 Talison Research Ultrasonic nozzle feed for plasma deposited film networks
US6244575B1 (en) 1996-10-02 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for vaporizing liquid precursors and system for using same
US5835677A (en) 1996-10-03 1998-11-10 Emcore Corporation Liquid vaporizer system and method
EP0851720B1 (de) 1996-12-23 1999-10-06 Sulzer Metco AG Indirektes Plasmatron
JP3899597B2 (ja) 1997-01-30 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 大気圧プラズマ生成方法および装置並びに表面処理方法
JPH1129873A (ja) 1997-07-11 1999-02-02 Sekisui Chem Co Ltd 積層膜の形成方法及びその形成装置
GB9715508D0 (en) 1997-07-24 1997-10-01 Scapa Group Plc Industrial fabrics and method of treatment
DE19732901C1 (de) 1997-07-30 1998-11-26 Tdz Ges Fuer Innovative Oberfl Vorrichtung zur Koronabehandlung der Oberfläche eines Substrats
AU744202B2 (en) 1997-08-08 2002-02-21 Board Of Regents Non-fouling, wettable coated devices
GB9717368D0 (en) 1997-08-18 1997-10-22 Crowther Jonathan Cold plasma metallization
DE19742619C1 (de) 1997-09-26 1999-01-28 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur Einbringung pulverförmiger Feststoffe oder Flüssigkeiten in ein induktiv gekoppeltes Plasma
JP2002502688A (ja) 1998-02-05 2002-01-29 エムパ エステー−ガレン アイトゲネシッシェ マテリアールプリューフングス−ウント フォルシュングスアンシュタルト 極性ポリマー類似コーティング
JPH11241165A (ja) 1998-02-26 1999-09-07 Sekisui Chem Co Ltd 表面処理品の製造方法
US6368665B1 (en) 1998-04-29 2002-04-09 Microcoating Technologies, Inc. Apparatus and process for controlled atmosphere chemical vapor deposition
DE19826550C2 (de) 1998-06-15 2001-07-12 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Pulveraerosols
US6705127B1 (en) 1998-10-30 2004-03-16 Corning Incorporated Methods of manufacturing soot for optical fiber preforms and preforms made by the methods
DE19856307C1 (de) 1998-12-07 2000-01-13 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur Erzeugung eines freien kalten Plasmastrahles
JP3704983B2 (ja) 1998-12-25 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表面処理装置
JP2000212753A (ja) 1999-01-22 2000-08-02 Sekisui Chem Co Ltd 表面処理品の製造方法
JP4096454B2 (ja) 1999-05-11 2008-06-04 コニカミノルタホールディングス株式会社 プラスティック支持体の表面処理装置及びプラスティック支持体の表面処理方法
EP1198610A4 (en) 1999-05-14 2004-04-07 Univ California PLASMA POWER GENERATING DEVICE WITH A LARGE PRESSURE RANGE AT LOW TEMPERATURES
DE19924108B4 (de) 1999-05-26 2007-05-03 Robert Bosch Gmbh Plasmapolymerbeschichtung und Verfahren zu deren Herstellung
US6331689B1 (en) 1999-06-15 2001-12-18 Siemens Aktiengesellschaft Method and device for producing a powder aerosol and use thereof
US6692834B1 (en) * 1999-06-28 2004-02-17 Medtronic, Inc. Method for coating implantable devices
JP3399887B2 (ja) 1999-09-22 2003-04-21 パール工業株式会社 プラズマ処理装置
DE29919142U1 (de) * 1999-10-30 2001-03-08 Agrodyn Hochspannungstechnik GmbH, 33803 Steinhagen Plasmadüse
DE19955880A1 (de) 1999-11-20 2001-05-23 Henkel Kgaa Plasmabeschichtung von Metallen bei Atmosphärendruck
GB9928781D0 (en) 1999-12-02 2000-02-02 Dow Corning Surface treatment
FR2801814B1 (fr) 1999-12-06 2002-04-19 Cebal Procede de depot d'un revetement sur la surface interne des boitiers distributeurs aerosols
WO2001059809A1 (en) 2000-02-11 2001-08-16 Dow Corning Ireland Limited An atmospheric pressure plasma system
DE10011276A1 (de) 2000-03-08 2001-09-13 Wolff Walsrode Ag Verwendung eines indirrekten atomosphärischen Plasmatrons zur Oberflächenbehandlung oder Beschichtung bahnförmiger Werkstoffe sowie ein Verfahren zur Behandlung oder Beschichtung bahnförmiger Werkstoffe
DE10017846C2 (de) 2000-04-11 2002-03-14 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Abscheiden einer Polymerschicht und Verwendung derselben
JP2002057440A (ja) 2000-06-02 2002-02-22 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理方法及びその装置
JP2001353804A (ja) * 2000-06-14 2001-12-25 Dainippon Printing Co Ltd バリア性フィルムおよびそれを使用した積層材
AUPQ859000A0 (en) * 2000-07-06 2000-07-27 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Apparatus for surface engineering
FR2814382B1 (fr) 2000-09-28 2003-05-09 Cebal Procede de depot d'un revetement interne dans un recipient en matiere plastique
DK1326718T3 (da) 2000-10-04 2004-04-13 Dow Corning Ireland Ltd Fremgangsmåde og apparat til dannelse af en belægning
CN1466771A (zh) 2000-10-26 2004-01-07 陶氏康宁爱尔兰有限公司 大气压等离子体组件
US20040050685A1 (en) 2000-11-14 2004-03-18 Takuya Yara Method and device for atmospheric plasma processing
DE50113662D1 (de) * 2001-03-29 2008-04-10 Schott Ag Verfahren zum Herstellen eines beschichteten Kunststoffkörpers
US6585470B2 (en) 2001-06-19 2003-07-01 Brooks Automation, Inc. System for transporting substrates
TW200409669A (en) 2002-04-10 2004-06-16 Dow Corning Ireland Ltd Protective coating composition
GB0208203D0 (en) 2002-04-10 2002-05-22 Dow Corning Protective coating compositions
GB0208261D0 (en) 2002-04-10 2002-05-22 Dow Corning An atmospheric pressure plasma assembly
TW200308187A (en) 2002-04-10 2003-12-16 Dow Corning Ireland Ltd An atmospheric pressure plasma assembly
GB0211354D0 (en) * 2002-05-17 2002-06-26 Surface Innovations Ltd Atomisation of a precursor into an excitation medium for coating a remote substrate
JP3941627B2 (ja) * 2002-08-07 2007-07-04 株式会社豊田中央研究所 密着層を備える積層体
DE10342401B4 (de) * 2003-09-13 2014-10-30 Schott Ag Verbundmaterialien mit einer Morphologie-beeinflussenden Schicht, Verfahren zu deren Herstellung sowie Verwendung des Verbundmaterials
GB0323295D0 (en) 2003-10-04 2003-11-05 Dow Corning Deposition of thin films
GB0410749D0 (en) 2004-05-14 2004-06-16 Dow Corning Ireland Ltd Coating apparatus
GB0509648D0 (en) 2005-05-12 2005-06-15 Dow Corning Ireland Ltd Plasma system to deposit adhesion primer layers

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102123857A (zh) * 2008-07-16 2011-07-13 奥特拉斯技术有限公司 含有官能聚合物相变材料的制品及其制造方法
CN102123857B (zh) * 2008-07-16 2015-04-22 奥特拉斯技术有限公司 含有官能聚合物相变材料的制品及其制造方法
CN104768761A (zh) * 2012-11-05 2015-07-08 福瑞托-雷北美有限公司 阻隔纸包装及其生产方法
CN107107548A (zh) * 2014-10-31 2017-08-29 德莎欧洲公司 使用潜在反应性胶粘剂膜粘结两个基底
CN109312206A (zh) * 2016-05-06 2019-02-05 美国陶氏有机硅公司 使有机硅基材料粘附到基底的方法
CN109312206B (zh) * 2016-05-06 2021-08-24 美国陶氏有机硅公司 使有机硅基材料粘附到基底的方法
CN113544227A (zh) * 2019-02-21 2021-10-22 耐克创新有限合伙公司 包括结合层的复合结构和制造该复合结构的方法
CN113544227B (zh) * 2019-02-21 2023-06-23 耐克创新有限合伙公司 包括结合层的复合结构和制造该复合结构的方法
CN113943937A (zh) * 2020-07-15 2022-01-18 Ti汽车海德堡有限公司 用于涂覆管道的方法和管道
CN114574114A (zh) * 2022-01-24 2022-06-03 上汽大众汽车有限公司 一种用于车辆零部件的粘结方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB0509648D0 (en) 2005-06-15
EA013879B1 (ru) 2010-08-30
EP1929065A1 (en) 2008-06-11
US20090220794A1 (en) 2009-09-03
US8859056B2 (en) 2014-10-14
EA200702477A1 (ru) 2008-04-28
KR101434584B1 (ko) 2014-08-28
JP5290750B2 (ja) 2013-09-18
JP2008540771A (ja) 2008-11-20
WO2006124437A1 (en) 2006-11-23
KR20080007587A (ko) 2008-01-22
CN101175868B (zh) 2011-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101175868B (zh) 借助底漆将胶粘体粘结到基底上
JP2008540771A5 (zh)
CN102355789B (zh) 用于等离子体处理表面的工艺
CN101049053B (zh) 用于等离子体处理表面的工艺和装置
JP6211420B2 (ja) Ｌｅｄの製造方法、ｌｅｄの製造装置およびｌｅｄ
TW200308187A (en) An atmospheric pressure plasma assembly
CN107427859A (zh) 用于降低胶带卷的卷绕平面粘性的方法
KR20100108322A (ko) 대기압 플라즈마
EA008013B1 (ru) Плазменный агрегат, работающий при атмосферном давлении
CN103609203A (zh) 基材的等离子体处理
WO2002028548A2 (en) Method and apparatus for forming a coating
TW200409669A (en) Protective coating composition
US20140248444A1 (en) Plasma Treatment Of Substrates
EP2279801B1 (en) Coating methods using plasma jet and plasma coating apparatus
EP2596688A1 (en) Plasma treatment of substrates
CN100518430C (zh) 产生等离子体的电极组件
CN100437884C (zh) 大气压等离子体组件
CN110035902A (zh) 用于以添加的方式制造三维物体的方法和装置以及三维物体
JP4048140B2 (ja) 塗装ガラス容器およびその製造方法
CN109415805A (zh) 气体阻隔性膜的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110817

Termination date: 20160510

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee