CN101141834A - 硅电容传声器 - Google Patents

硅电容传声器 Download PDF

Info

Publication number
CN101141834A
CN101141834A CNA200710084803XA CN200710084803A CN101141834A CN 101141834 A CN101141834 A CN 101141834A CN A200710084803X A CNA200710084803X A CN A200710084803XA CN 200710084803 A CN200710084803 A CN 200710084803A CN 101141834 A CN101141834 A CN 101141834A
Authority
CN
China
Prior art keywords
housing
condenser microphone
mentioned
silicon based
based condenser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA200710084803XA
Other languages
English (en)
Inventor
宋清淡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BO SUNG ELECTRICS Co Ltd
BSE Co Ltd
Original Assignee
BO SUNG ELECTRICS Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BO SUNG ELECTRICS Co Ltd filed Critical BO SUNG ELECTRICS Co Ltd
Publication of CN101141834A publication Critical patent/CN101141834A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/04—Microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/02—Casings; Cabinets ; Supports therefor; Mountings therein
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/06—Arranging circuit leads; Relieving strain on circuit leads
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
    • H04R31/006—Interconnection of transducer parts
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/02—Details casings, cabinets or mounting therein for transducers covered by H04R1/02 but not provided for in any of its subgroups
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/34—Directing or guiding sound by means of a phase plug
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2400/00—Loudspeakers
    • H04R2400/11—Aspects regarding the frame of loudspeaker transducers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Details Of Audible-Bandwidth Transducers (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

本发明公开了使用在由树脂形成的壳体主体上形成电镀层的壳体的硅电容传声器。本发明的传声器由如下部分构成：壳体，其由一面开放的筒形的由树脂形成的主体和形成于上述主体上的电镀层构成；以及基板，其安装有MEMS传声器芯片和用于对上述MEMS传声器芯片的电信号进行处理的特殊应用型半导体(ASIC)芯片，并且形成有用于与上述壳体接合的连接图形，利用导电性粘合剂将上述壳体和上述连接图形接合。另外，壳体可以是圆筒形或方筒形，上述电镀层可以形成于主体内部或整个面，也可以在上述主体的开放面端部沿着内周面形成台阶。

Description

硅电容传声器
技术领域
本发明涉及硅电容传声器，尤其涉及使用了如下结构的壳体的硅电容传声器，该壳体在由树脂形成的壳体主体上形成有电镀层。
背景技术
通常，广泛使用于移动通信终端或音响等的硅电容传声器由如下部分构成：偏压元件；一对膜片/背板，其用于形成与声压(sound pressure)对应地变化的电容器(C)；以及结型场效应晶体管(JFET)，其用于缓冲输出信号。这种典型方式的电容传声器通过如下方式制造：在一个壳体内一体地组装振动板、隔环、绝缘环、背板、导电环、PCB之后，将壳体的末端卷曲。
但是，这种将壳体末端向PCB侧加压的同时卷绕而使之弯曲的卷曲(curling)方式存在如下问题：由于工艺进行时的压力和部件的公差，给最终产品的形状或声音特性造成影响。即，当卷曲工艺中按压的力量不足时，声压漏进壳体(case)和PCB之间，音质下降，若卷曲时按压的力量过大，则卷曲的面破损，或导致内部部件变形，导致声音特性失真。
作为解决这种问题的方法，提出了如下的技术：将利用微加工技术制作的MEMS芯片传声器安装到PCB基板上之后，将壳体和PCB基板焊接，或利用粘合剂粘合。
但是，现有的硅电容传声器中使用的壳体由圆筒形或方筒形的金属构成，存在成型困难的问题。
发明内容
本发明是为解决上述问题而进行的，其目的在于，提供一种硅电容传声器，其使用了容易成型、能够屏蔽电磁波、并在树脂主体上形成有电镀层的壳体。
为了达到上述目的，本发明的传声器包括：壳体，其由单面开放的筒形的由树脂形成的主体和形成于上述主体上的电镀层构成；以及基板，其安装有MEMS(微电子机械系统)传声器芯片和用于对上述MEMS传声器芯片的电信号进行处理的特殊应用型半导体(ASIC)芯片，并且形成有用于与上述壳体接合的连接图形，利用导电性粘合剂将上述壳体和上述连接图形接合。
另外，上述壳体可以是圆筒形或方筒形，上述电镀层可以形成于内部、外部或整个面，在上述主体的开放面端部沿着内周面形成有台阶，上述基板可以插入于上述台阶。
附图说明
图1是示出本发明的壳体内表面形成有电镀层的硅电容传声器的侧剖视图。
图2是示出本发明的壳体外表面形成有电镀层的硅电容传声器的侧剖视图。
图3是示出本发明的壳体整个面形成有电镀层的硅电容传声器的侧剖视图。
图4是示出本发明的方筒形的硅电容传声器的分解示意图。
图5是示出本发明的圆筒形的硅电容传声器的分解示意图。
图6是示出本发明的硅电容传声器的MEMS芯片结构的例子。
图7是本发明的硅电容传声器的变形例。
图8是示出本发明的壳体内表面形成有电镀层的其它例子的硅电容传声器的侧剖视图。
图9是示出本发明的壳体外表面形成有电镀层的其它例子的硅电容传声器的侧剖视图。
图10是示出本发明的壳体整个面形成有电镀层的其它例子的硅电容传声器的侧剖视图。
符号说明
10：MEMS芯片    20：ASIC
110：壳体       110a：声孔
112：树脂主体   114，116，118：电镀层
120：PCB基板    121：连接图形
122：连接端子   130：粘合剂
具体实施方式
下面，参照附图，详细说明本发明的优选实施例。
图1是示出本发明的硅电容传声器的侧剖视图，图2是示出本发明的壳体外表面形成有电镀层的硅电容传声器的侧剖视图，图3是示出本发明的壳体整个面形成有电镀层的硅电容传声器的侧剖视图。
如图1～图3所示，本发明的硅电容传声器的壳体(110)由如下部分构成：主体(112)，其由树脂形成；以及电镀层，其形成于树脂主体(112)的内部或外部或整个面。本发明的实施例中，参考符号114表示形成于主体(112)内表面的电镀层，参考符号116表示形成于主体外表面的电镀层，参考符号118表示形成于主体整个面的电镀层。
参照图1～图3，在PCB基板(120)上安装有MEMS芯片(10)和ASIC芯片(20)，在与壳体(110)接触的部分上形成有与壳体的形状对应的连接图形(121)。
壳体(110)由如下部分构成：主体(112)，其由容易成型的树脂形成为一面开放的筒形；以及电镀层(114，116，118)，其形成于主体(112)的内表面、外表面或整个面，壳体(110)构成为能够利用电镀层(114，116，118)屏蔽电连接和电磁波。树脂主体(112)可以根据壳体的形状形成为圆筒形或方筒形，也可以根据声音流入方式形成声孔。另外，电镀层(114，116)形成于树脂主体(112)的一面、即形成于内部或外部的情况下，为了与PCB基板(120)接触，形成到壳体(110)的开放面端部。
PCB基板(120)的尺寸与壳体(110)的尺寸相同或比壳体(110)的尺寸大，在PCB基板(120)的外侧面配置有用于与外部器件连接的连接垫或连接端子(122)。连接图形(121)是通过一般的PCB制作工序加上铜箔之后，电镀镍(Ni)或金(Au)来形成的，作为基板，除了PCB基板(120)之外，还可以使用陶瓷基板、FPCB基板、金属PCB基板等。此处，连接图形(121)可以经由通孔与接地端子连接，利用导电性环氧树脂将壳体(110)与该连接图形(121)连接时，壳体(110)全体接地，所以能够通过接地使壳体(110)上引发的电磁波噪声下降。
图4是示出本发明的方筒形的硅电容传声器的分解示意图，图5是示出本发明的圆筒形的硅电容传声器的分解示意图，图6是示出本发明的硅电容传声器的MEMS芯片结构的例子。
本发明能够应用于方筒形的传声器或圆筒形的传声器，但应用到方筒形的传声器时，如图4所示，壳体的树脂主体(112)成型为方筒形，形成于PCB基板的连接图形(121)也与其对应地形成为四边形。另外，应用于圆筒形的传声器时，如图5所示，壳体的树脂主体(112)成型为圆筒形，形成于PCB基板的连接图形(121)也与其对应地形成为圆形。
这样，将本发明的壳体(110)排列到PCB基板(120)的连接图形(121)上之后，利用导电性粘合剂(130)将壳体(110)和PCB基板(120)接合，从而完成硅电容传声器的封装。
完成了封装的硅电容传声器组装体如图1～图3所示，PCB基板(120)的连接图形(121)和壳体(110)通过粘合剂(130)粘合，壳体(110)和PCB基板(120)之间的空间起到音腔的作用。在PCB基板(120)的底面形成有用于与外部器件连接的至少2个的连接端子(122)。
如图6所示，MEMS芯片(10)的结构如下：利用MEMS技术在硅晶片(14)上形成背板(13)之后，隔着间隔物(12)，形成振动膜(11)。这种MEMS芯片(10)的制造技术是已公知的，所以省略具体说明。
特殊应用型半导体(ASIC)芯片(20)与MEMS芯片(10)连接，其是用于处理电信号的部分，该特殊应用型半导体(ASIC)芯片(20)由如下部分构成：电压泵，其向电容传声器供电，以使MEMS芯片(10)动作；以及缓冲器IC等，其将经由MEMS芯片检测到的电声音信号放大或进行阻抗匹配，通过连接端子提供给外部。
图7是本发明的硅电容传声器的变形例，是将声孔形成于PCB基板上的情况。变形例的情况下也可为，不仅在壳体主体(112)的内部，还可以在外部或整个面形成电镀层。
参照图7，PCB基板(120)上安装有MEMS芯片(10)和ASIC芯片(20)，在利用粘合剂(130)与壳体(110)粘合的部分形成有连接图形(121)，并形成有用于外部声音流入的声孔(120a)。
壳体(110)由如下部分构成：筒形的主体(112)，其由容易成型的树脂形成；以及电镀层(114)，其形成于主体(112)的内表面，壳体(110)构成为能够利用电镀层(114)屏蔽电连接和电磁波。树脂主体(112)可以根据壳体的形状形成为一面开放的圆筒形或方筒形，电镀层(114)形成到开放面的端部为止，以便与树脂主体(112)的内部全体和PCB基板(120)接触。
该变形例的电容传声器与图1～图3所示的例子相比，除了声孔的位置之外，其它相同，所以省略详细说明。
图8是示出本发明的壳体内表面形成有电镀层的其它例子的硅电容传声器的侧剖视图，图9是示出本发明的壳体外表面形成有电镀层的其它例子的硅电容传声器的侧剖视图，图10是示出本发明的壳体整个面形成有电镀层的其它例子的硅电容传声器的侧剖视图。
本发明的其它例子的硅电容传声器如图8～图10所示，沿着筒形壳体的开放面端部的内周面形成台阶，PCB基板(120)能够插入台阶。其它例子的壳体由如下部分构成：树脂主体(112)，其沿着开放面端部的内周面形成有台阶；以及电镀层，其形成于树脂主体(112)的内部或外部或整个面。本发明的其它例子中，参考符号114表示形成于主体(112)内表面的电镀层，参考符号116表示形成于主体外表面的电镀层，参考符号118表示形成于主体整个面的电镀层。
参照图8～图10，壳体(110)由如下部分构成：筒形的主体(112)，其由容易成型的树脂形成；以及电镀层(114，116，118)，其形成于主体(112)的内表面或外表面或整个面，壳体(110)构成为能够利用电镀层(114，116，118)屏蔽电连接和电磁波。树脂主体(112)可以根据壳体(110)的形状形成为圆筒形或方筒形，在树脂主体(112)的开放面端部沿着内周面形成台阶，以便插入PCB基板(120)。
PCB基板(120)上安装有MEMS芯片(10)和ASIC芯片(20)，PCB基板(120)的尺寸为能够插入到壳体(110)的台阶的程度，壳体(110)和PCB基板(120)利用粘合剂(130)粘合。在该其它例子的硅电容传声器的情况下，根据声孔的流入结构，在壳体上形成声孔，或在PCB基板上形成声孔。
如上所述，对于本发明的硅电容传声器，壳体使用树脂，能够容易地形成多种形状，所以成型容易，并且在树脂主体的内部、外部或整个面形成电镀层，从而具有屏蔽电磁波杂音等外部噪声的效果。

Claims (5)

1.一种硅电容传声器，其特征在于，所述硅电容传声器包括：
壳体，其由一面开放的筒形的由树脂形成的主体和形成于上述主体上的电镀层构成；以及
基板，其安装有MEMS传声器芯片和用于对上述MEMS传声器芯片的电信号进行处理的特殊应用型半导体(ASIC)芯片，并且该基板形成有用于与上述壳体接合的连接图形，利用导电性粘合剂将上述壳体和上述连接图形接合。
2.根据权利要求1所述的硅电容传声器，其特征在于，上述壳体为圆筒形或方筒形。
3.根据权利要求1所述的硅电容传声器，其特征在于，上述电镀层形成于上述主体的内部或外部或整个面，且上述电镀层形成于上述主体的内部或外部时，形成至开放面端部为止。
4.根据权利要求1所述的硅电容传声器，其特征在于，上述壳体在上述主体的开放面端部沿着内周面形成台阶，以使上述基板可以插入到上述台阶中。
5.根据权利要求1所述的硅电容传声器，其特征在于，上述连接图形与接地端子连接，当上述连接图形利用导电性粘合剂与上述壳体连接时，上述壳体整体接地，从而通过接地来减少上述壳体上引发的电磁波噪声。
CNA200710084803XA 2006-09-09 2007-02-27 硅电容传声器 Pending CN101141834A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060087095A KR100740463B1 (ko) 2006-09-09 2006-09-09 실리콘 콘덴서 마이크로폰
KR1020060087095 2006-09-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101141834A true CN101141834A (zh) 2008-03-12

Family

ID=38498934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA200710084803XA Pending CN101141834A (zh) 2006-09-09 2007-02-27 硅电容传声器

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20080063232A1 (zh)
EP (1) EP1898668A3 (zh)
JP (1) JP2008067383A (zh)
KR (1) KR100740463B1 (zh)
CN (1) CN101141834A (zh)
MY (1) MY141179A (zh)
SG (1) SG141311A1 (zh)
TW (1) TW200814832A (zh)
WO (1) WO2008029972A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102164334A (zh) * 2010-02-22 2011-08-24 欧力天工股份有限公司 鹅颈型电容传声器
CN106542493A (zh) * 2015-09-16 2017-03-29 日月光半导体制造股份有限公司 半导体装置封装件及制造其之方法
CN110312176A (zh) * 2012-08-10 2019-10-08 美商楼氏电子有限公司 麦克风组件
CN110854575A (zh) * 2018-07-25 2020-02-28 鸿富锦精密工业(武汉)有限公司 Usb接口连接装置
WO2022000644A1 (zh) * 2020-06-30 2022-01-06 瑞声声学科技(深圳)有限公司 麦克风

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4264104B2 (ja) * 2004-03-09 2009-05-13 パナソニック株式会社 エレクトレットコンデンサーマイクロホン
KR100834884B1 (ko) 2007-01-17 2008-06-03 주식회사 씨에스티 음/전 변환 패키지
KR100856892B1 (ko) 2007-01-23 2008-09-05 주식회사 씨에스티 음/전 변환 패키지
US8283756B2 (en) * 2007-08-20 2012-10-09 Infineon Technologies Ag Electronic component with buffer layer
KR101008399B1 (ko) * 2007-09-03 2011-01-14 주식회사 비에스이 내벽을 금속성 혹은 전도성 물질로 감싼 세라믹 패키지를이용한 콘덴서 마이크로폰
JP5298384B2 (ja) * 2008-08-07 2013-09-25 船井電機株式会社 マイクロホンユニット
KR100970894B1 (ko) 2008-09-19 2010-07-20 주식회사 씨에스티 음／전 변환 소자 및 그 제조방법
JP5375311B2 (ja) 2009-04-28 2013-12-25 オムロン株式会社 電子部品実装装置及びその製造方法
JP5402320B2 (ja) * 2009-07-01 2014-01-29 船井電機株式会社 マイクロホンユニット
KR101066557B1 (ko) * 2009-10-14 2011-09-21 주식회사 비에스이 플로팅 구조의 콘덴서 마이크로폰 조립체
KR101000968B1 (ko) 2010-04-16 2010-12-13 주식회사 네오스코 디지털 마이크로폰용 몸체 및 그 제조방법
CN102238455A (zh) * 2010-04-23 2011-11-09 安国国际科技股份有限公司 具有电磁波接收器的声音感测器
KR101288284B1 (ko) * 2010-10-27 2013-07-26 삼성전기주식회사 반도체 패키지 제조 방법
KR101153570B1 (ko) * 2010-11-01 2012-06-11 삼성전기주식회사 반도체 패키지 모듈
ITTO20110577A1 (it) 2011-06-30 2012-12-31 Stmicroelectronics Malta Ltd Incapsulamento per un sensore mems e relativo procedimento di fabbricazione
KR101992596B1 (ko) * 2011-08-16 2019-06-25 삼성전자 주식회사 반도체 장치
US8724832B2 (en) 2011-08-30 2014-05-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Piezoelectric microphone fabricated on glass
US8824706B2 (en) * 2011-08-30 2014-09-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Piezoelectric microphone fabricated on glass
JP2013090142A (ja) * 2011-10-18 2013-05-13 Hosiden Corp エレクトレットコンデンサマイクロホン
KR101320574B1 (ko) 2011-11-30 2013-10-23 주식회사 비에스이 멤스 마이크로폰
ITTO20120976A1 (it) 2012-11-09 2014-05-10 St Microelectronics Srl Procedimento per la fabbricazione di un cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici e cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici
CN102938867A (zh) * 2012-11-26 2013-02-20 山东共达电声股份有限公司 抗气压吹击声电传感器
US9226052B2 (en) 2013-01-22 2015-12-29 Invensense, Inc. Microphone system with non-orthogonally mounted microphone die
KR101452396B1 (ko) * 2013-04-08 2014-10-27 싸니코전자 주식회사 복수의 음향통과홀을 구비한 멤스 마이크로폰
US9508663B2 (en) * 2013-07-24 2016-11-29 Invensense, Inc. Assembly and packaging of MEMS device
ITTO20130651A1 (it) 2013-07-31 2015-02-01 St Microelectronics Srl Procedimento di fabbricazione di un dispositivo incapsulato, in particolare un sensore micro-elettro-meccanico incapsulato, dotato di una struttura accessibile, quale un microfono mems e dispositivo incapsulato cosi' ottenuto
KR101351906B1 (ko) 2013-09-10 2014-01-20 (주)비엔씨넷 실리콘 콘덴서 마이크로폰
KR101514332B1 (ko) * 2013-11-05 2015-04-22 (주)파트론 마이크로폰 패키지 및 그 제조 방법
US10589987B2 (en) * 2013-11-06 2020-03-17 Infineon Technologies Ag System and method for a MEMS transducer
US10386173B2 (en) * 2015-11-19 2019-08-20 Kris Vossough Integrated sensory systems
KR101776725B1 (ko) * 2015-12-11 2017-09-08 현대자동차 주식회사 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법
US10206023B2 (en) * 2016-07-06 2019-02-12 Knowles Electronics, Llc Transducer package with through-vias
JP7241310B2 (ja) * 2017-11-07 2023-03-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 インターホン装置、及びインターホンシステム
US10728674B2 (en) * 2018-08-27 2020-07-28 Solid State System Co., Ltd. Microphone package
GB2584498B (en) * 2019-06-03 2021-06-02 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd Packaging for MEMS transducers
JP7180624B2 (ja) 2020-02-03 2022-11-30 株式会社デンソー 電力変換装置
US11365118B1 (en) * 2020-12-03 2022-06-21 Knowles Electronics, Llc Acoustic transducer assembly
US11784103B2 (en) * 2020-12-09 2023-10-10 Texas Instruments Incorporated Covers for semiconductor package components

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4811886A (en) * 1988-02-18 1989-03-14 Ethicon, Inc. Staple positioning tab
KR910003966B1 (ko) * 1988-11-30 1991-06-17 진성전자 주식회사 전자콘덴서 마이크로폰의 진동판
KR920000387B1 (ko) * 1989-07-08 1992-01-13 한국전자통신연구소 프레임 동기회로
JP3049566B2 (ja) * 1990-10-01 2000-06-05 株式会社オーディオテクニカ マイクロホンの音響管
JP3427032B2 (ja) * 2000-02-28 2003-07-14 京セラ株式会社 エレクトレットコンデンサマイクロホン
JP3805576B2 (ja) * 1999-09-14 2006-08-02 松下電器産業株式会社 振動変換器およびこの振動変換器を備えた加速度センサ
JP2001128278A (ja) * 1999-10-26 2001-05-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd イヤホンジャック保持装置
KR100689129B1 (ko) * 2000-02-15 2007-03-08 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조 장치
JP2002124883A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 卓上ワイヤレスマイク
US7166910B2 (en) * 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
US7434305B2 (en) * 2000-11-28 2008-10-14 Knowles Electronics, Llc. Method of manufacturing a microphone
US7062058B2 (en) * 2001-04-18 2006-06-13 Sonion Nederland B.V. Cylindrical microphone having an electret assembly in the end cover
KR200286533Y1 (ko) * 2002-05-15 2002-08-21 (주)비에이텔레콤 반도체 일렉트릭 콘덴서 마이크로폰 조립체
US6781231B2 (en) * 2002-09-10 2004-08-24 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with environmental and interference shield
US7129422B2 (en) * 2003-06-19 2006-10-31 Wavezero, Inc. EMI absorbing shielding for a printed circuit board
US7352873B2 (en) * 2004-04-27 2008-04-01 Hosiden Corporation Electret-condenser microphone
JP2006211468A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体センサ
US7436054B2 (en) * 2006-03-03 2008-10-14 Silicon Matrix, Pte. Ltd. MEMS microphone with a stacked PCB package and method of producing the same

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102164334A (zh) * 2010-02-22 2011-08-24 欧力天工股份有限公司 鹅颈型电容传声器
CN102164334B (zh) * 2010-02-22 2015-04-01 欧力天工股份有限公司 鹅颈型电容传声器
CN110312176A (zh) * 2012-08-10 2019-10-08 美商楼氏电子有限公司 麦克风组件
CN110312176B (zh) * 2012-08-10 2021-08-06 楼氏电子(苏州)有限公司 麦克风组件
CN106542493A (zh) * 2015-09-16 2017-03-29 日月光半导体制造股份有限公司 半导体装置封装件及制造其之方法
US10689249B2 (en) 2015-09-16 2020-06-23 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package including a wall and a grounding ring exposed from the wall
CN110854575A (zh) * 2018-07-25 2020-02-28 鸿富锦精密工业(武汉)有限公司 Usb接口连接装置
WO2022000644A1 (zh) * 2020-06-30 2022-01-06 瑞声声学科技(深圳)有限公司 麦克风

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008067383A (ja) 2008-03-21
WO2008029972A1 (en) 2008-03-13
TW200814832A (en) 2008-03-16
KR100740463B1 (ko) 2007-07-18
SG141311A1 (en) 2008-04-28
EP1898668A2 (en) 2008-03-12
US20080063232A1 (en) 2008-03-13
EP1898668A3 (en) 2009-11-11
MY141179A (en) 2010-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101141834A (zh) 硅电容传声器
KR100675023B1 (ko) 콘덴서 마이크로폰 및 이를 위한 패키징 방법
KR100722687B1 (ko) 부가적인 백 챔버를 갖는 지향성 실리콘 콘덴서 마이크로폰
KR100722686B1 (ko) 부가적인 백 챔버를 갖고 기판에 음향홀이 형성된 실리콘콘덴서 마이크로폰
KR100740462B1 (ko) 지향성 실리콘 콘덴서 마이크로폰
JP4777406B2 (ja) Ｍｅｍｓマイクロホンパッケージ
US8295514B2 (en) MEMS microphone package having sound hole in PCB
US20090034773A1 (en) Mems microphone package
JP2007060661A (ja) シリコンコンデンサマイクロホン及びシリコンコンデンサマイクロホンのパッケージング方法
KR100797443B1 (ko) 멤스 마이크로폰 패키징 구조
KR100650280B1 (ko) 기판에 음향홀이 형성된 실리콘 콘덴서 마이크로폰
KR101339909B1 (ko) 마이크로폰 패키지
CN201910913U (zh) 具有附加背腔的硅电容式传声器
CN101010983B (zh) 硅电容传声器及其安装方法
KR100722689B1 (ko) 부가적인 백 챔버를 갖는 실리콘 콘덴서 마이크로폰
KR20150060469A (ko) 멤스 마이크로폰 패키지 및 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법
KR101094452B1 (ko) 마이크로폰 조립체
KR100675025B1 (ko) 실리콘 콘덴서 마이크로폰
KR101130335B1 (ko) 마이크로폰
EP2490462A1 (en) Condenser microphone assembly with floating configuration
KR20080071340A (ko) 세라믹 패키지를 이용한 콘덴서 마이크로폰
KR200469580Y1 (ko) 멤스 마이크로폰
KR20120054244A (ko) 마이크로폰
JP2009135661A (ja) マイクロフォンユニット及びその製造方法並びに音声入力装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20080312