CN101126168A - 表面处理电解铜箔及其制造方法以及电路基板 - Google Patents

表面处理电解铜箔及其制造方法以及电路基板 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于提供不采用受到自转鼓表面转印的条纹的影响的S面而具有减少了表面凹凸的平滑的M面的表面处理电解铜箔。所述表面处理电解铜箔中，对作为电解铜箔的与转鼓接触的面相反侧的面的M面实施了表面处理，该M面的Rz在1.0μm以下，Ra在0.2μm以下。所述表面处理电解铜箔通过以下的表面处理电解铜箔的制造方法制造：使用硫酸铜浴以电流密度为20～50A/dm2的条件进行电解镀铜，制造铜箔，对该铜箔的M面实施表面处理，使该M面的Rz在1.0μm以下、Ra在0.2μm以下，所述硫酸铜浴中，铜浓度为50～80g/l，硫酸浓度为30～70g/l，液温为35～45℃，氯浓度为0.01～30ppm，有机硫类化合物、低分子量胶和高分子多糖类的总添加浓度为0.1～100ppm，TOC在400ppm以下。

Description

表面处理电解铜箔及其制造方法以及电路基板
技术领域
本发明涉及电解铜箔的制造时不与转鼓(drum)接触的面(以下称为M面)的Rz、Ra小且表面的凹凸少的表面处理电解铜箔、其制造方法以及使用该表面处理铜箔的电路基板。
背景技术
驱动作为个人电脑、手机和PDA的显示部的液晶显示器的IC安装基板不断地高密度化。IC安装基板因为IC直接搭载于基板膜上，所以被称为覆晶薄膜(COF，Chip on Film)。
覆晶薄膜安装中，通过透过形成了采用铜箔的配线布图的膜的光检测IC位置。作为对覆晶薄膜的辨认性(基于光的IC位置检测能力)有较大影响的因素，有铜箔的表面粗糙度。透过光的膜部为除去了铜电路部以外的不需要的铜箔部的部分，将铜箔贴附于膜上时，铜箔表面的凹凸转印到膜面上而残留。因此，如果铜箔的表面粗糙，则表面的凹凸增大，光通过时可直线通过的光量由于该凹凸而变少，辨认性变差。
现在，多数的电解铜箔考虑到辨认性而通过使用与电解转鼓接触的面(S面，与前述M面相反侧的面)作为与膜部贴合的面来解决，但由于S面转印转鼓表面，因此如果转鼓表面变粗，则必须更换转鼓。特别是如果长时间使用转鼓，则由于随着使用产生的转鼓的粗糙度，铜箔表面(S面)产生条纹，该条纹使辨认性变差，对耐弯曲性、伸长率也产生不良影响，所以转鼓的维持管理费用增加，通常制品的制造成本上升，生产能力也下降。
此外，品质上虽说转鼓表面的条纹的Rz小，但转印于铜箔表面，所以在蚀刻等的时候会带来障碍。
发明内容
以往的表面处理铜箔考虑到辨认性而使用S面作为贴附膜的面，对该S面实施表面处理来解决。但是，如果转鼓表面变粗，则转印该表面的铜箔表面上出现条纹状的凹凸，该凹凸使辨认性变差。因此，为了维持转鼓表面的平滑度，需要频繁地更换转鼓，存在不仅使铜箔的生产性下降且导致成本升高的缺点。
本发明的目的在于提供不采用受到自转鼓表面转印的条纹的影响的S面而具有减少了表面凹凸的平滑的M面的表面处理电解铜箔，通过使用该铜箔，提供可形成精细布图的电路、特别是辨认性良好的印刷电路板、多层印刷电路板、覆晶薄膜(以下将它们统称为电路基板)用的电解铜箔。
本发明的表面处理铜箔的特征在于，对作为电解铜箔的与转鼓接触的面相反侧的面的M面实施了表面处理，该M面的Rz在1.0μm以下，Ra在0.2μm以下。
本发明的表面处理铜箔较好是，在经表面处理的前述M面中，面积为50μm×50μm的范围内的平均直径2μm以上的大小的铜的突起物在3个以下。
此外，较好是在经表面处理的前述M面上贴附膜并通过蚀刻处理除去了前述铜箔后的前述膜的雾度值在30以下。
前述铜箔较好是粒状结晶。此外，前述铜箔较好是抗拉强度在400N/mm2以下且伸长率在3％以上。
另外，较好是在经表面处理的前述M面附着有Ni、Zn、Cr、Co、Mo、P的单质或者它们的合金或水合物中的至少1种以上。
本发明的表面处理铜箔的制造方法具有使用硫酸铜浴以电流密度为20～50A/dm2的条件进行电解镀铜而制造铜箔的工序以及对该铜箔的M面实施表面处理而使该M面的Rz在1.0μm以下、Ra在0.2μm以下的工序，所述硫酸铜浴中，铜浓度为50～80g/l，硫酸浓度为30～70g/l，液温为35～45℃，氯浓度为0.01～30ppm，有机硫类化合物、低分子量胶和高分子多糖类的总添加浓度为0.1～100ppm，TOC(总有机碳)在400ppm以下。
本发明的电路基板在前述表面处理铜箔的M面贴附膜而成。
如果采用本发明，可以提供M面的粗糙度达到Rz在1.0μm以下、Ra在0.2μm以下的平滑的表面处理电解铜箔。因此，本发明的表面处理电解铜箔由于M面的Rz、Ra小，表面的凹凸少，所以作为使用M面的电路基板(印刷电路板、多层印刷电路板、覆晶薄膜)用铜箔，具有良好的辨认性，可以构成精细布图电路。
此外，如果采用本发明的铜箔制造方法，M面的粗糙度平滑，可以长时间使用转鼓，因此可以提供生产性提高、品质得到长时间维持的制造方法，可以提供成本得到控制的电解铜箔。
具体实施方式
本发明中，表面处理铜箔中使用的电解铜箔的厚度较好是1μm～70μm。如果铜箔的厚度小于1μm，则制造时无法从电解转鼓上顺利地剥离，即使剥离也出现皱纹等，无法顺利地卷取，因此是不现实的。
此外，箔厚超过70μm时，超出了COF用或FPC用铜箔的规格，因此是不理想的，但在这些用途之外，如果需要可以不拘泥于上述厚度而采用厚铜箔。
本发明的电解铜箔中，作为M面的粗糙度，Rz在1μm以下，而且Ra在0.2μm以下。
使Rz在1.0μm以下是因为重视膜的辨认性，Rz在1.0μm以上时，表面粗糙，膜的辨认性变得不足。此外，使Ra在0.2μm以下是为了抑制铜箔表面的波纹，即使Rz在1.0μm以下，但Ra在0.2μm以上时，表面波纹也会影响膜的辨认性。如果Rz在1.0μm以下且Ra在0.20μm以下，可以使贴附于膜上并蚀刻后经蚀刻的部分的膜的雾度值在30以下。另外，更好是Rz在0.8μm以下且Ra在0.15μm以下。
本发明中，制造要对电解铜箔的M面实施表面处理的电解铜箔(以下称为未处理电解铜箔)时，使用硫酸铜镀浴作为铜镀浴。本发明与以往的浴相比，降低了硫酸浓度、浴温、氯浓度，使添加剂的效果增大，提高M面的平滑性。以往的硫酸铜镀浴和本发明的浴条件的比较示于表1。
[表1]
硫酸铜镀浴条件
以往的硫酸铜镀浴 本发明的硫酸铜镀浴
铜浓度(g/l) 80～10  50～80
硫酸浓度(g/l) 80～120  30～70
氯浓度(ppm) 30～100  0.01～30
浴温(℃) 55～65  35～45
电流密度(A/dm2) 40～70  20～50
上述制造电解铜箔的硫酸铜镀浴中，作为添加剂添加有机硫类化合物以及除此以外的至少1种以上的有机化合物。作为有机硫类化合物，可以例举3-巯基-1-丙磺酸、双(3-磺丙基)二硫化物等。此外，作为其它有机化合物，可以使用胶、高分子表面活性剂、含氮有机化合物等。胶特别好是低分子量的。作为高分子表面活性剂，可以例举羟乙基纤维素、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇二甲醚、聚环氧乙烷等。作为含氮有机化合物，可以例举聚乙烯亚胺、聚丙烯酰胺等。作为添加剂，在0.1～100ppm的范围内以不同的量和比例添加有机硫类化合物以及除此以外的至少1种以上的有机化合物。此外，加入添加剂时的TOC(TOC＝Total Organic Carbon＝总有机碳，液体中所含的有机物中的碳量)的测定结果较好是在400ppm以下，如果TOC的数值过大，铜箔中混入大量杂质，对重结晶等有较大影响，所以镀浴中的TOC的值较好是在400ppm以下。
此外，上述电解铜箔较好是常态下抗拉强度在400N/mm2以下。一般，几乎不含杂质等的电解铜箔经历热过程后发生应变的容易软化。因此，通常抗拉强度高的铜箔表现出容易软化的倾向。如果热软化剧烈，则容易由于将表面处理铜箔与膜贴合时的热量而发生伸长和皱纹等问题，因此较好是维持一定程度的抗拉强度的铜箔。因此，常态下抗拉强度不高的铜箔更适合于印刷电路板、多层印刷电路板、覆晶薄膜用电路板。因此，抗拉强度较好是在400N/mm2以下。
此外，如果伸长率过低，则发生箔破裂或流水线中的处理变得困难的问题，因此较好是常态下具有3％以上的伸长率的铜箔。
这样将对M面进行了表面处理的铜箔的抗拉强度和伸长率规定为常态下在400N/mm2以下、伸长率在3％以上是因为这样的铜箔适合于印刷电路板、多层印刷电路板、覆晶薄膜用电路板。
至少对上述未处理电解铜箔的M面进行表面处理。表面处理至少镀覆1种以上的金属。该金属可以例举Ni、Zn、Cr、Co、Mo、P的单质或者它们的合金或水合物。作为镀覆金属的处理的一例，镀覆Ni、Mo、Co、P中的至少1种金属或含有1种金属的合金后，镀覆Zn，镀覆Cr。Ni或Mo等由于蚀刻性变差，因此较好是在3mg/dm2以下。此外，对于Zn，如果镀覆量过多，蚀刻时会引起溶解剥离强度的劣化，因此较好是在2mg/dm2以下。上述金属的镀浴和镀覆条件的一例如下。
Ni镀浴
Ni…………………………10～100g/l
H3BO3………………………1～50g/l
PO2…………………………1～10g/l
浴温………………………10～70℃
电流密度…………………1～50A/dm2
处理时间…………………1秒～2分钟
pH…………………………2.0～4.0
Ni-Mo镀浴
Ni…………………………10～100g/l
Mo…………………………1～30g/l
柠檬酸三钠二水合物……30～200g/l
浴温………………………10～70℃
电流密度…………………1～50A/dm2
处理时间…………………1秒～2分钟
pH…………………………1.0～4.0
Mo-Co镀浴
Mo…………………………1～20g/l
Co…………………………1～10g/l
柠檬酸三钠二水合物……30～200g/l
浴温………………………10～70℃
电流密度…………………1～50A/dm2
处理时间…………………1秒～2分钟
Zn镀浴
Zn…………………………1～30g/l
NaOH………………………10～300g/l
浴温………………………5～60℃
电流密度…………………0.1～10A/dm2
处理时间…………………1秒～2分钟
Cr镀浴
Zn…………………………0.5～40g/l
浴温………………………20～70℃
电流密度…………………0.1～10A/dm2
处理时间…………………1秒～2分钟
pH…………………………3.0以下
较好是镀覆了这些金属的表面上涂布硅烷。对于涂布的硅烷，可以例举一般所使用的氨基类、乙烯基类、氰基类、环氧类。特别是贴附的膜为聚酰亚胺的情况下，氨基类或氰基类硅烷表现出提高剥离强度的效果。
在实施了这些处理的表面处理铜箔上贴附膜，制成印刷电路板、多层印刷电路板、覆晶薄膜用电路板、柔性电路板。
对上述表面处理铜箔的M面以n＝20从上方观察50μm×50μm的范围时，较好是大小为平均直径2μm以上的突起物在平均3个以下。如果突起物的数量多，则不仅对辨认性产生影响，而且不得不延长蚀刻的处理时间，可能会降低精细布图性。
在上述表面处理铜箔上贴附膜并蚀刻贴附的铜箔后测定雾度值的情况下，该雾度值较好是在30以下。这是因为，如果雾度值大于30，则辨认性变差，是不理想的。
上述表面处理铜箔如果平滑性等得到保持，则结晶粒的形状不论是柱状还是粒状都没有问题，如果考虑到弯曲性、蚀刻性等，上述表面处理铜箔较好是粒状晶。
以下，基于实施例对本发明进行说明，但本发明并不局限于这些实施例。
<制箔1、实施例1～16>
将表2所示的组成的硫酸铜镀液(以下称为电解液)通过活性炭过滤器，进行净化处理。本实施例中使用的添加剂中，有机硫类化合物为3-巯基-1-丙磺酸钠(MPS)，低分子量胶为PBF(株式会社ニツピ制)，高分子多糖类为羟乙基纤维素(HEC)。将这些添加剂以表3所示的浓度添加到经净化处理的电解液中，调制实施例1～16的制箔用电解液。使用这样调制的电解液，阳极使用贵金属氧化物被膜钛电极，阴极使用钛制转鼓，在表3所示的条件下通过电解制箔制造铜箔。
<制箔2、比较例1～18>
将表2所示的组成的电解液通过活性炭过滤器，进行净化处理。接着，将表3所示的添加剂按各自的浓度添加到该电解液中，调制比较例1～18的制箔用电解液。使用这样调制的电解液，与实施例同样地，阳极使用贵金属氧化物被膜钛电极，阴极使用钛制转鼓，在表3所示的条件下通过电解制箔制造铜箔。
<表面处理1、实施例1～16>
对前述实施例1～16中制得的未处理电解铜箔进行表面处理。阳极使用不溶性电极，将铜箔通过以Ni、Zn、Cr的顺序排列的各镀浴的槽，进行镀覆。镀覆Ni、Zn、Cr后，涂布氨基类硅烷，制成表面处理铜箔。镀覆条件和硅烷涂布量示于表4、表5。
<表面处理2、比较例1～18>
对前述比较例1～18中制得的未处理电解铜箔进行表面处理。与实施例同样地，阳极使用不溶性电极，将铜箔通过以Ni、Zn、Cr的顺序排列的各镀浴的槽，进行镀覆。镀覆Ni、Zn、Cr后，涂布氨基类硅烷，制成表面处理铜箔。镀覆条件和硅烷涂布量示于表4、表5。
<表面粗糙度的评价>
使用接触式表面粗糙度仪测定各实施例和各比较例中制造的表面处理铜箔的表面粗糙度Rz、Ra。表面粗糙度Rz、Ra是JIS B 0601-1994“表面粗糙度的定义和表示”所规定的粗糙度，Rz为“十点平均粗糙度”，Ra为“算术平均粗糙度”。基准长度以0.8mm进行。结果示于表6。
<雾度值的评价>
雾度值由JIS K 7105-1981“塑料的光学特性试验方法”规定，是透明性的评价指标。值越小，则透明性越高。在实施例、比较例中制造的前述表面处理铜箔的M面贴附膜后，对贴附了的铜箔进行蚀刻除去，使用雾度计对经蚀刻除去的膜面进行测定。测定结果一并示于表6。
<抗拉强度、伸长特性的评价>
使用拉伸试验机对各实施例和各比较例中制造的前述表面处理铜箔的常态和氮气气氛中以300℃加热处理1小时后的抗拉强度、伸长特性进行测定。结果示于表7。
<表面突起物的评价>
对各实施例和各比较例中制造的未处理铜箔，用显微镜放大观察50μm×50μm的范围，通过肉眼计数大小在平均直径2μm以上的铜突起物的数量。计数在铜箔表面随机取20点进行。结果示于表8。
<蚀刻特性的评价>
对各实施例和各比较例中制造的未处理铜箔进行蚀刻特性的评价。评价方法为，对以L/S(线宽/间距)＝10μm/10μm、L/S＝30μm/30μm、L/S＝50μm/50μm的条件在M面上设置了掩模的样品用氯化铜溶液进行一定时间的蚀刻，评价电路布图的直线性。结果示于表9。
[表2]
电解浴组成
实施例或比较例 铜(g/l) 硫酸(g/l) Cl(ppm)
实施例1～4  70  50  25
实施例5，6  80  35  30
实施例7，8  80  65  10
实施例9，10  60  35  15
实施例11，12  60  65  25
实施例13，14  70  40  15
实施例15，16  70  60  30
比较例1，2  90  100  40
比较例3，4  100  90  35
比较例5，6  85  110  45
比较例7，8  90  100  50
比较例9，10  90  90  35
比较例11，12  100  110  45
比较例13，14  85  90  45
比较例15  90  100  0
比较例16  90  50  0
比较例17  70  100  0
比较例18  70  50  0
[表3]
添加剂组成和电解条件
实施例或比较例 添加剂添加量 电解条件
MPS比例 PBF比例 HEC比例 电流密度(A/dm2) 箔厚(μm) 浴温(℃)
实施例1 1 4 2 40 9 45
实施例2 2 10 3 40 9 45
实施例3 3 15 4 40 9 45
实施例4 4 15 4 40 9 45
实施例5 3 15 4 35 9 40
实施例6 3 15 4 40 9 40
实施例7 3 15 4 45 9 35
实施例8 3 15 4 40 9 40
实施例9 3 15 4 40 9 45
实施例10 3 15 4 40 9 40
实施例11 3 15 4 45 9 35
实施例12 4 15 4 35 9 45
实施例13 3 15 4 40 9 45
实施例14 4 15 4 40 9 35
实施例15 3 15 4 40 9 40
实施例16 3 15 4 45 9 35
比较例1 4 15 4 40 9 60
比较例2 6 20 5 40 9 60
比较例3 6 20 5 40 9 60
比较例4 6 20 5 45 9 60
比较例5 4 15 4 50 9 65
比较例6 4 15 4 45 9 55
比较例7 4 15 4 40 9 60
比较例8 4 15 4 50 9 60
比较例9 6 20 5 40 9 60
比较例10 6 20 5 50 9 60
比较例11 6 20 5 40 9 60
比较例12 4 15 4 40 9 60
比较例13 6 20 5 40 9 60
比较例14 4 15 4 50 9 60
比较例15 0 0 0 40 9 60
比较例16 0 0 0 40 9 60
比较例17 0 0 0 40 9 45
比较例18 0 0 0 40 9 45
[表4]
各镀浴组成
  镀浴种类   镀浴组成
  Ni   Ni：40g/l   H3BO3：30g/l   NaH2PO2：3.6g/l
  Zn   Zn：2.5g/l   NaOH：40g/l    -
  Cr   Cr：5g/l   -    -
[表5]
各镀覆条件和硅烷涂布量
镀浴种类   浴温(℃)   电流密度(A/dm2)   处理时间(s)   pH   镀覆量或硅烷涂布量(mg/dm2)
  Ni   20   0.2   10   3.4   0.2～0.4
  Zn   20   0.3   5   -   0.03～0.07
  Cr   30   5   5   -   0.05～0.15
  硅烷   30   -   2   -   0.005～0.015
[表6]
表面粗糙度和雾度值的评价
  实施例或比较例   M面粗糙度(μm)   S面粗糙度(μm) M面雾度值
  Rz   Ra   Rz   Ra
  实施例1   0.72   0.13   0.94   0.15   23
  实施例2   0.65   0.12   0.98   0.15   23
  实施例3   0.52   0.10   0.90   0.13   20
  实施例4   0.45   0.09   0.98   0.14   18
  实施例5   0.55   0.10   0.95   0.13   20
  实施例6   0.51   0.10   0.97   0.14   21
  实施例7   0.60   0.13   0.91   0.13   22
  实施例8   0.65   0.13   0.93   0.13   23
  实施例9   0.45   0.09   0.95   0.14   19
  实施例10   0.42   0.08   0.95   0.15   17
  实施例11   0.57   0.11   0.91   0.13   20
  实施例12   0.55   0.12   0.93   0.15   20
  实施例13   0.50   0.10   0.92   0.14   19
  实施例14   0.40   0.07   0.92   0.13   17
  实施例15   0.62   0.12   0.95   0.14   23
  实施例16   0.58   0.12   0.97   0.14   21
  比较例1   1.06   0.25   0.90   0.14   42
  比较例2   0.75   0.23   0.92   0.12   39
  比较例3   0.81   0.23   0.93   0.14   40
  比较例4   0.75   0.22   0.94   0.15   39
  比较例5   1.39   0.27   0.90   0.12   41
  比较例6   1.36   0.26   0.91   0.13   43
  比较例7   1.31   0.25   0.95   0.15   42
  比较例8   1.28   0.25   0.94   0.14   40
  比较例9   0.79   0.22   0.93   0.15   41
  比较例10   0.72   0.23   0.91   0.14   37
  比较例11   0.95   0.23   0.90   0.13   39
  比较例12   1.13   0.25   0.92   0.13   42
  比较例13   0.97   0.23   0.96   0.14   41
  比较例14   0.95   0.25   0.95   0.14   43
  比较例15   2.23   0.26   0.94   0.13   50
  比较例16   2.05   0.25   0.92   0.14   47
  比较例17   1.95   0.25   0.99   0.14   46
  比较例18   1.65   0.24   0.94   0.14   43
[表7]
抗拉强度、伸长特性的评价
  实施例或比较例   常态   氮气中于300℃加热处理1小时后
  抗拉强度(N/mm2)   伸长率(％)   抗拉强度(N/mm2)   伸长率(％)
  实施例1   331   9.0   254   13.4
  实施例2   336   8.9   255   13.2
  实施例3   324   9.1   258   13.3
  实施例4   334   8.6   263   13.2
  实施例5   321   9.2   248   13.5
  实施例6   319   9.4   246   13.4
  实施例7   345   8.9   260   13.1
  实施例8   339   8.7   258   13.0
  实施例9   335   8.9   257   13.3
  实施例10   336   8.9   255   13.4
  实施例11   335   9.1   254   13.3
  实施例12   329   9.0   253   13.4
  实施例13   331   8.8   254   13.1
  实施例14   335   8.5   257   13.0
  实施例15   325   9.2   251   13.5
  实施例16   330   9.1   253   13.5
  比较例1   301   9.3   235   12.7
  比较例2   305   9.5   233   12.8
  比较例3   305   9.6   233   12.8
  比较例4   306   9.5   234   12.6
  比较例5   312   9.4   239   12.5
  比较例6   308   9.5   237   12.4
  比较例7   295   10.1   229   13.1
  比较例8   299   9.7   228   13.0
  比较例9   305   9.6   231   12.7
  比较例10   310   9.3   238   12.4
  比较例11   313   9.3   234   12.6
  比较例12   309   9.5   233   12.5
  比较例13   298   9.9   231   12.9
  比较例14   298   9.7   230   12.8
  比较例15   556   2.7   175   16.5
  比较例16   549   3.1   175   17.0
  比较例17   569   2.5   178   16.8
  比较例18   563   2.7   175   16.7
[表8]
表面突起物的评价
实施例或比较例 平均直径2μm以上的铜的突起物的数量
实施例1 2
实施例2 0
实施例3 1
实施例4 0
实施例5 1
实施例6 0
实施例7 0
实施例8 2
实施例9 0
实施例10 0
实施例11 0
实施例12 0
实施例13 0
实施例14 0
实施例15 1
实施例16 1
比较例1 5
比较例2 7
比较例3 5
比较例4 4
比较例5 8
比较例6 6
比较例7 5
比较例8 6
比较例9 7
比较例10 5
比较例11 4
比较例12 5
比较例13 6
比较例14 5
比较例15 29
比较例16 19
比较例17 25
比较例18 29
[表9]
蚀刻特性的评价
  实施例或比较例   L/S10μm/10μm   L/S30μm/30μm   L/S50μm/50μm
  实施例1   ○   ○   ○
  实施例2   ○   ○   ○
  实施例3   ○   ○   ○
  实施例4   ○   ○   ○
  实施例5   ○   ○   ○
  实施例6   ○   ○   ○
  实施例7   ○   ○   ○
  实施例8   ○   ○   ○
  实施例9   ○   ○   ○
  实施例10   ○   ○   ○
  实施例11   ○   ○   ○
  实施例12   ○   ○   ○
  实施例13   ○   ○   ○
  实施例14   ○   ○   ○
  实施例15   ○   ○   ○
  实施例16   ○   ○   ○
  比较例1   ×   ○   ○
  比较例2   ×   ○   ○
  比较例3   ×   ○   ○
  比较例4   ×   ○   ○
  比较例5   ×   ○   ○
  比较例6   ×   ○   ○
  比较例7   ×   ○   ○
  比较例8   ×   ○   ○
  比较例9   ×   ○   ○
  比较例10   ×   ○   ○
  比较例11   ×   ○   ○
  比较例12   ×   ○   ○
  比较例13   ×   ○   ○
  比较例14   ×   ○   ○
  比较例15   ×   ×   ○
  比较例16   ×   ×   ○
  比较例17   ×   ×   ○
  比较例18   ×   ×   ○
上述表面粗糙度和雾度值的评价中，实施例1～16的M面的Rz在1.0μm以下，Ra在0.20μm以下，雾度值在30以下。与之相对，比较例1～18与实施例1～16相比，M面的Rz、Ra、雾度值大，Ra在0.20μm以上，雾度值在30以上。此外，比较例中，虽然M面的Rz与实施例同等，但Ra和雾度值大出许多。因此，认为实施例相对于比较例，不仅M面的粗糙度小，而且表面的大的凹凸少。
上述抗拉强度、伸长特性的评价中，实施例1～16和比较例1～14在常态下抗拉强度为300～330N/mm2，氮气中于300℃加热处理1小时后为230～250N/mm2，而比较例15～18在常态下抗拉强度为550～570N/mm2，氮气中于300℃加热处理1小时后为170～180N/mm2。贴附膜而用作印刷电路板、多层印刷电路板、覆晶薄膜的情况下，如果热软化剧烈，则设置箔时容易产生拉伸、皱纹等问题，因此较好是维持一定程度的抗拉强度的铜箔。因此，实施例1～16适合用作印刷电路板、多层印刷电路板、覆晶薄膜用铜箔。
表面突起物的评价中，实施例1～16在50μm×50μm的范围内的大小为平均直径2μm以上的铜的突起物的数量都在2个以下。与之相对，比较例1～18在50μm×50μm的范围内的大小为平均直径2μm以上的铜的突起物的数量都在3个以上。因此，认为实施例相对于比较例，表面的突起物少，平滑性良好。
蚀刻特性的评价中，实施例1～16在L/S＝10μm/10μm、L/S＝30μm/30μm、L/S＝50μm/50μm的情况下，电路布图都表现出良好的直线性。与之相对，比较例1～14的L/S＝10μm/10μm的电路布图无法获得良好的直线性。另外，比较例1 5～18的L/S＝10μm/10μm、L/S＝30μm/30μm的电路布图无法获得良好的直线性。因此，认为实施例相对于比较例，蚀刻特性良好。
如果采用本发明，则可以提供使M面的粗糙度为Rz：1.0μm以下、Ra：0.2μm以下的平滑的表面处理电解铜箔。因此，本发明的表面处理电解铜箔的M面的Rz、Ra小，表面的凹凸少，所以作为使用M面的电路基板(印刷电路板、多层印刷电路板、覆晶薄膜)用铜箔，具有良好的辨认性，可以构成精细布图电路。
此外，如果采用本发明的铜箔制造方法，M面的粗糙度平滑，可以长时间使用转鼓，因此可以提供生产性提高、品质长时间得到维持的制造方法，可以提供成本得到控制的电解铜箔。

Claims (9)

1.表面处理电解铜箔，其特征在于，将作为电解铜箔的与转鼓接触面相反侧的M面实施表面处理，该M面的Rz在1.0μm以下，Ra在0.2μm以下。
2.如权利要求1所述的表面处理电解铜箔，其特征在于，在经表面处理的前述M面中，面积为50μm×50μm的范围内具有平均直径2μm以上大小的铜的突起物在3个以下。
3.如权利要求1所述的表面处理电解铜箔，其特征在于，在经表面处理的前述M面上贴附膜并通过蚀刻处理除去前述铜箔后的前述膜的雾度值在30以下。
4.如权利要求1所述的表面处理电解铜箔，其特征在于，前述铜箔为粒状结晶。
5.如权利要求1所述的表面处理电解铜箔，其特征在于，抗拉强度在400N/mm2以下，而且伸长率在3％以上。
6.如权利要求1所述的表面处理电解铜箔，其特征在于，在经表面处理的前述M面附着有Ni、Zn、Cr、Co、Mo、P的单质或者它们的合金或水合物的至少1种以上。
7.表面处理电解铜箔的制造方法，其特征在于，包括使用硫酸铜浴以电流密度为20～50A/dm2的条件进行电解镀铜而制造铜箔的工序以及对该铜箔的M面实施表面处理而使该M面的Rz在1.0μm以下、Ra在0.2μm以下的工序，所述硫酸铜浴中，铜浓度为50～80g/l，硫酸浓度为30～70g/l，液温为35～45℃，氯浓度为0.01～30ppm，有机硫类化合物、低分子量胶和高分子多糖类的总添加浓度为0.1～100ppm，TOC(总有机碳)在400ppm以下。
8.电路基板，其特征在于，在权利要求1所述的表面处理铜箔的前述M面贴附膜而成。
9.电路基板，其特征在于，在通过权利要求7所述的表面处理铜箔的制造方法制造的表面处理铜箔的前述M面贴附膜而成。
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