CN101111128B - 制造印刷电路板的方法以及由此制造的印刷电路板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种利用激光剥离制造其中嵌入有具有介电膜的电容器的印刷电路板的方法，以及一种由此制造的电容器。在该方法中，在透明衬底上形成介电膜并热处理该介电膜。在热处理后的介电膜上形成第一导电层。将激光束从透明衬底的下方照射到所形成的叠层上，以使透明衬底从叠层分离。在透明衬底从叠层分离之后，在介电膜上形成具有预定图案的第二导电层。此外，在第一和第二导电层上形成绝缘层和第三导电层以使其以预定数量彼此交替。

Description

制造印刷电路板的方法以及由此制造的印刷电路板
优先权要求
本申请要求2006年7月19日向韩国知识产权局提交的第2006-67188号韩国专利申请的权益，其公开内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种利用激光剥离制造其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板的方法，更具体地说，涉及一种利用激光剥离制造其中嵌入有具有介电膜的薄膜电容器的印刷电路板的方法，还涉及一种由此制造的其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板。
背景技术
随着电子器件向更小、更轻、更高速以及更高频率发展的趋势，越来越需要具有更高密度的电子器件。实际上，对于将无源和/或有源器件集成到衬底中的技术已经进行了充分研究。而且，在正在进行的减小电子器件尺寸的研究中，许多无源器件(诸如电阻器、电容器和电感器)被嵌入到印刷电路板(PCB)中，而不是安装在其上。在这些无源器件中，电容器占约60％的相当大的比例。因此，更多的注意力集中在嵌入式电容器上。如上所述，电容器被嵌入到PCB中，而不是安装在其上。这使无源器件的尺寸减小了40％，并且由于低阻抗(<10pH)而确保了更高频率下的更好的电特性。
第US5,261,153号美国专利中公开了传统的嵌入式电容器。该文献提出了一种通过导电箔与未硬化(uncured)介电片的交替层叠而制造其中嵌入有电容器的印刷电路板的方法。此外，第US6,541,137号美国专利公开了一种使用电介质的高温薄膜嵌入式电容器。特别地，该文献提出了一种用于防止导电层在400℃至800℃的高温热处理下氧化的阻挡层。
然而，在这种嵌入式电容器中，介电膜必须由具有高介电常数的介电材料制成，该介电材料选自包括钛酸钡锶(BSTO)、钛酸钡(BT)、钛酸铅锆(PZT)、钛酸钡锆(BZTO)、以及钛酸钽(TTO)的组。这种介电材料应该在结晶性方面优异，以便呈现出较高的介电常数。为此，应该在500℃或更高的温度下对介电材料进行热处理。
但在传统的嵌入式电容器中，薄膜在作为RCC型的电极上形成并通过热处理而结晶，以赋予电容器产品一定的介电常数。然后在PCB工艺中使用这些材料。然而，这些材料需要在400℃至800℃的高温下进行热处理，并且难以在包含树脂的PCB上构造。
正如从图1中可明显看出的，薄膜电容器的介电特性很大程度上受衬底类型的影响。图1示出了沉积在两种类型衬底上的Pb基介电膜相对于所施加的电压的电容。采用铜箔和Pt/Ti/SiO2/Si衬底作为衬底，并且在空气中在650℃下对其进行30分钟的热处理。介电膜沉积为0.6微米的厚度。铜箔上的介电膜呈现出0.2μF/cm2的电容，比Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的介电膜(其电容为2.5μF/cm2)低得多。沉积在铜箔上的介电膜受氧化界面的影响，该氧化界面由随衬底一起被热处理的铜箔的氧化而造成。这阻碍了铜箔上的介电膜表现出介电材料特有的特性。
因此，已经在不断地进行研究以通过两种方法防止铜箔被氧化。即，调节热处理环境，或者在铜箔上形成强抗氧化镍层，以沉积和热处理介电膜。然而，这些方法带来了降低所制造的电容器的电容的问题。
因此，出现了对于改进通过普通的PCB制造工艺来制造其中嵌入有电容器的印刷电路板的方法的需求，其中该电容器具有需要在高温下进行热处理的介电膜。
发明内容
为了解决现有技术的上述问题而做出了本发明，因此本发明的一方面在于提供一种利用激光剥离制造其中嵌入有具有介电膜的电容器的印刷电路板的方法，以及一种由此制造的其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板。
根据本发明的一方面，本发明提供了一种用于制造其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板的方法，该方法包括：
在透明衬底上形成介电膜并热处理该介电膜；
在热处理后的介电膜上形成第一导电层；
从透明衬底的下方将激光束照射到所形成的叠层上，以使透明衬底从叠层分离；
在透明衬底从叠层分离之后，在介电膜上形成具有预定图案的第二导电层；以及
在第一和第二导电层上形成绝缘层和第三导电层以使它们以预定数量彼此交替。
根据本发明的另一方面，本发明提供了一种用于制造其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板的方法，该方法包括：
在透明衬底上形成介电膜并热处理该介电膜；
在热处理后的介电膜上形成第一导电层；
在导电层上形成绝缘层，并在绝缘层上堆叠覆铜层压板；
从透明衬底的下方将激光束照射到所形成的叠层上，以使透明衬底从叠层分离；以及
在透明衬底从叠层分离之后，在介电膜上形成具有预定图案的第二导电层。
根据本发明的又一方面，本发明提供了一种用于制造其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板的方法，该方法包括：
在透明衬底上形成介电膜并热处理该介电膜；
在热处理后的介电膜上形成第一导电层；
在导电层上堆叠涂覆树脂的铜；
从透明衬底的下方将激光束照射到所形成的叠层上，以使透明衬底从叠层分离；
在透明衬底从叠层分离之后，在介电膜上形成具有预定图案的第二导电层；以及
在RCC膜和第二导电层上形成绝缘层和第三导电层以使它们以预定数量彼此交替。
根据本发明的又一方面，本发明提供了一种如上所述制造的其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板。
附图说明
从下面结合附图的详细描述中，本发明的上述和其它的目的、特征及其它优点将更容易理解，附图中：
图1是分别示出了形成在涂覆有镍防氧化层的铜箔上的Pb基介电膜的电容和形成在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的介电膜的电容的曲线图；
图2是示出了当在550℃的温度下在空气中对铜箔进行热处理时涂覆有镍防氧化层的铜箔的氧化的图片；
图3是示出了根据本发明实施例的用于制造其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板的方法的视图；
图4是示出了根据本发明另一实施例的用于制造其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板的方法的视图；
图5是示出了根据本发明又一实施例的用于制造其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路衬底的方法的视图；
图6是示出了通过准分子激光剥离转印到PCB上的PZT膜的介电特性的曲线图；
图7是分别示出了沉积在铜箔上的介电膜、沉积在蓝宝石上的介电膜、以及通过准分子激光剥离转印到聚合物/CCL材料上的PZT薄膜的X射线衍射分析的曲线图；
图8是示出了通过准分子激光剥离转印到聚合物/CCL材料上的PZT薄膜的横截面的TEM图片，该PZT薄膜具有形成在其上的激光诱导无定形层和介电层；
图9是示出了通过Femto激光剥离转印到聚合物/CCL材料上的PZT薄膜的横截面的TEM图片，其中，该PZT薄膜即使在激光照射之后仍保持四方晶体结构；以及
图10是示出了通过Femto激光剥离转印到PCB上的PZT薄膜的介电特性的曲线图。
具体实施方式
现在将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。
图3是示出了根据本发明实施例的用于制造其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板的方法的示意图。
如图3(a)所示，根据本发明，首先，准备激光可透射的透明衬底11，然后在其上形成介电膜13。在本发明中，用于透明衬底11的材料不限于特定类型。但优选地，透明衬底11由选自包括蓝宝石、石英、玻璃、MgO、铝酸镧(LaAlO3)、石英玻璃、以及氧化锆(YSZ)的组中的一种制成。
此外，根据本发明，可以使用经高温热处理而显示出优异介电特性的金属有机前体通过一般的溶胶-凝胶过程形成介电膜13。同时，根据本发明，介电膜13具有经高温热处理而显示出优异介电特性的各种介电组分。然而，介电膜13不限于特定的组分和类型。例如，介电膜13可以由包含挥发性元素(例如，Bi或Pb)的介电材料(该介电材料选自包括钛酸铅锆(PZT)、钛酸钡(BT)、钽酸锶铋(SBT)、钛酸铋镧(BLT)、铌酸铅镁-钛酸铅(PMN-PT)、以及铌酸铅锌-钛酸铅(PZN-PT)的组)、或其中加有掺杂剂的介电材料制成。
接着，根据本发明，对介电膜13进行热处理。热处理提高了薄膜的结晶能力，并确保了其优异的介电特性。优选地，在400℃或更高的温度下对介电膜13进行热处理，更优选地，在500℃至700℃的温度范围内进行热处理。
之后，根据本发明，如图3(b)所示，在热处理后的介电膜13上形成第一金属导电层15，以用作薄膜电容器的电极。导电层15可以包括各种导电金属或氧化剂。优选地，导电层15由选自包括例如Au、Ag、Ni、Cu、Al、Pt、Ti、Ir、IrO2、Ru和RuO2的组中的一种制成。而且，可以通过选自包括PVD、CVD、ALD、丝网印刷、镀覆和喷墨印刷的组中的普通工艺形成第一导电层15。优选地，利用溅射或电子束通过PVD工艺而形成第一导电层15。更优选地，通过溅射而形成第一导电层15。可替换地，可以通过PVD形成金属晶种层并电镀该金属晶种层而形成第一导电层15。
根据本发明，可选地，第一导电层15可以具有预定的图案。为了形成该图案，通过选自PVD、CVD、ALD、丝网印刷、镀覆和喷墨印刷的一种工艺借助于掩模而形成第一导电层15。可替换地，通过预定工艺在第一导电层上应用感光膜，然后通过曝光和显影的普通工艺获得图案。
此外，根据本发明，可以在介电膜13与第一导电层15之间设置粘合层或阻挡层。这确保了介电膜13和第一导电层15更好地粘合在一起，或者防止第一金属导电层15扩散和氧化。可以通过溅射Ti或Cr而形成这种粘合层或阻挡层。
此外，根据本发明，如图3(c)所示，将激光束从透明衬底11的下方照射到所形成的叠层上，以使透明衬底11从叠层分离。即，从透明衬底11的下方照射的激光束局部增加了衬底11与介电膜13之间界面的温度。这使得介电膜元素的一些部分挥发，从而使得衬底11从介电膜13有效地分离。例如，在具有Pb基的PbZrTiO3(110/52/48)组分的介电膜沉积在蓝宝石衬底上的情况下，可以将准分子激光束(248nm)以400mJ/cm2的强度照射到PZT薄膜与蓝宝石衬底之间的界面上。这使衬底与介电膜之间界面的温度增加到至少1350℃，该温度高于PZT的熔点。从而在衬底与介电膜之间的界面处形成挥发性PbO元素，使得透明衬底11从介电膜13分离。
本发明不局限于激光的特定类型和照射方法。例如，可以采用准分子激光(126nm、146nm、157nm、172nm、175nm、193nm、248nm、282nm、308nm、351nm、222nm、和259nm)来如上所述地分离衬底11。可替换地，可以采用Nd YAG激光(266nm、355nm)。Nd YAG激光具有对应于介电膜与透明衬底之间的能带间隙的波长。即，可以利用各种类型的激光来分离衬底，只要穿过透明衬底的激光能量被吸收在介电膜中即可，以使介电膜与衬底之间界面的温度增加到至少为介电膜的熔点。此时所使用的激光束可以更改成各种光束剖面，诸如点形、方形和线形。
同时，当通过准分子激光或Nd YAG激光分离衬底11时，介电膜13的邻近衬底11的部分(该部分暴露于激光的热量下)可以具有从晶体转变到无定形结构的较小厚度(大约108nm)，从而形成受损层。该受损层可能降低介电膜的介电特性。例如，转印到PCB上的PZT膜可以具有1MHz到600MHz范围内的介电常数。然而，具有该受损层的PZT膜可以提供比形成在铜箔上的PZT膜更高的电容，从而适宜应用。
但为了确保更好的介电特性，优选地，应该去除该受损层。可以通过各种工艺(诸如湿蚀刻和离子铣)去除该受损层，而不限于特定工艺。
为了排除出现受损层的可能性，优选地，将Femto激光束从衬底的下方照射到叠层上，以使透明衬底11从叠层分离。例如，当用来分离衬底11时，Femto激光束(800nm、300fs)可以有效地防止形成由激光照射造成的受损层。因此，转印到如上所述制造的PCB上的PZT膜保持了四方晶体结构，从而呈现出1MHz到1600MHz范围内的优异的介电常数。
接着，如图3(d)所示，在透明衬底11从叠层分离之后，在介电膜13上形成具有预定图案的第二金属导电层17，以用作另一电极。该第二导电层17可以由各种导电金属或氧化剂制成。优选地，第二导电层17由选自包括Au、Ag、Ni、Cu、Al、Pt、Ti、Ir、IrO2、Ru和RuO2的组中的一种制成。而且，通过选自包括PVD、CVD、ALD、丝网印刷、镀覆和喷墨印刷的组中的普通工艺形成第二导电层17。优选地，利用溅射或电子束，更优选地利用溅射，通过PVD工艺而形成第二导电层17。可替换地，通过PVD工艺形成金属晶种层并电镀该金属晶种层而形成第二导电层17。
第二金属导电层17可以利用PVD通过掩模而形成为具有预定的图案。可替换地，通过预定工艺在第二导电层上应用感光膜，然后通过曝光和显影的普通工艺获得图案。
随后，根据本发明，通过采用印刷电路板的典型制造方法，在第一和第二导电层上形成绝缘层和第三导电层以使其以预定数量彼此交替。这就形成了其中嵌入有介电薄膜电容器的印刷电路板。
图4是示出了根据本发明另一实施例的用于制造其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板的方法的示意图。
如图4(a)所示，根据本发明，在透明衬底21上形成介电膜23并对其进行热处理。如图4(b)所示，在热处理后的介电膜23上形成第一金属导电层25，以用作电容器的电极。可选地，该第一导电层25具有预定的图案。上面已经描述了第一导电层25的组成、形成方法和图案化，因此不再详细描述。
而且，如上所述，可以在介电膜23与第一导电层25之间形成粘合层或阻挡层，以改进其间的粘合，并防止第一金属导电层25扩散或氧化。
之后，根据本发明，如图4(c)所示，在导电层25上堆叠绝缘层26。该绝缘层通常包括聚合物树脂，但也可以由PCB制造工艺中所使用的各种绝缘材料制成。
而且，根据本发明，在绝缘层26上堆叠覆铜层压板(CCL)27。CCL27具有在其两个表面上附着有铜箔27a的绝缘件27b。
接着，如图4(d)所示，将激光束从透明衬底21的下方照射到所形成的叠层上，以使透明衬底21从叠层分离。前面已给出了关于通过激光束分离透明衬底的工艺、和激光的类型以及随后的操作，因此不再更详细地解释。
而且，如图4(e)所示，在透明衬底21从叠层分离之后，在与上述相同的条件下，在介电膜23上形成具有预定图案的第二导电层29。该第二金属导电层29用作薄膜电容器的电极。这里，上面已经描述了金属导电层29的组成及形成方法，因此不再进一步解释。
之后，根据本发明，通过采用印刷电路板的普通制造方法，在CCL27和导电层29上形成绝缘层和第三导电层以使其以预定数量彼此交替。
同时，图5是示出了根据本发明又一实施例的用于制造其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板的方法的示意图。
如图5(a)所示，在透明衬底31上形成介电膜33并对其进行热处理。然后如图5(b)所示，在热处理后的介电膜33上形成第一金属导电层35，以用作电容器的电极。可选地，第一导电层35具有预定的图案。上面已经描述了导电层35的组成及形成方法，因此不再详细解释。
此外，如上所述，可以在介电膜33与第一导电层35之间形成粘合层或阻挡层，以改进其间的粘合，并防止第一金属导电层35扩散和氧化。
根据本发明，如图5(c)所示，在第一导电层35上堆叠涂覆树脂的铜(RCC)37。该RCC具有附着有树脂37b的铜箔37a。
然后，如图5(d)所示，将激光束从透明衬底31的下方照射到所形成的叠层上，以使透明衬底31从叠层分离。前面已给出了关于通过激光束分离透明衬底的工艺、和激光的类型以及随后的操作，因此不再进一步解释。
而且，如图5(e)所示，在透明衬底31从叠层分离之后，在与上述相同的条件下，在介电膜33上形成具有预定图案的第二导电层39。
之后，根据本发明，通过印刷电路板的普通制造方法，在RCC37和第二导电层39上形成绝缘层和导电层以使其以预定数量彼此交替。这就形成了其中嵌入有介电膜电容器的印刷电路板。
如上所述，利用激光剥离，其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板具有介电膜，并且可以在普通的PCB制造工艺中有效地制造。
将借助于实例详细解释本发明。
实例
通过一般的溶胶-凝胶过程在蓝宝石透明衬底上旋转涂布0.4微米厚的PbZrTiO3介电材料(Zr/Ti＝52/48，10％Pb过量)，并在650℃温度下在空气中进行热处理。这就在透明蓝宝石衬底上形成了结晶的PZT介电膜。然后，通过溅射在介电膜上形成第一Au金属层，并在导电层上形成由环氧树脂制成的绝缘层。
之后，在绝缘层上设置覆铜层压板，并进行层压。然后，将准分子激光束(308nm)从透明蓝宝石衬底的下方照射到所形成的叠层上，以使透明衬底从叠层分离。这里，准分子激光束形成为线的形状，且具有400mJ/cm2(308nm)的能量。该激光束具有370mm×400μm的尺寸，并且以10Hz的重复频率和30nsec(毫微秒)的脉冲持续时间照射。而且，在透明衬底从叠层分离之后，通过溅射在PZT介电膜上形成第二Au导电层。这就形成了具有金属导电层/介电膜/金属导电层的结构的电容器。
图6是示出了嵌入于如上制造的PCB衬底中的薄膜电容器的介电常数相对于频率而变化的曲线图。如图6所示，转印到PCB上的PZT膜呈现出1MHz到600MHz范围内的介电常数。而且，PZT膜确保了1.3μF/cm2的高电容(薄膜厚度0.4微米)，比由铜箔上的铁电膜获得的0.2μF/cm2至0.3μF/cm2(图1)的电容高得多。
图7是示出了PZT介电膜(0.6微米)的x射线衍射图案的曲线图。在图7中，A表示铜箔上的PZT膜的XRD，B表示沉积在蓝宝石衬底上的PZT膜的XRD，而C表示通过激光剥离转印到ABF/CCL上的蓝宝石衬底上的PZT膜的XRD。这里，在650℃温度下在空气中进行30分钟热处理。
从图7注意到，由于铜箔的氧化造成界面特性下降，使得铜箔上的PZT膜结晶能力降低。与之相反，蓝宝石衬底上的PZT膜呈现出非常好的结晶能力。而且，通过激光剥离转印的PZT膜显示出类似的XRD图案，保持了良好的结晶能力。
为了确定用激光束照射的PZT膜的变化，通过透射电子显微镜(TEM)观察经历了激光剥离的PZT膜的横截面，其结果在图8中示出。如图8(A)所示，在用激光束照射之后，PZT膜由两层(层1和层2)构成。层1是大约108nm厚的激光受损层。层1在电子衍射图案中以漫射环(其具有无定形相的特征)为特征，如图8(B)所示。在高分辨率TEM图像中观察到层1是无定形的，如图8(C)所示。同时，观察到PZT膜内侧的层2具有以四方晶体结构表示的电子电子衍射图案，如图8(D)所示。层2在高分辨率TEM图像中也呈现出四方晶体结构，如图8(E)所示。
由于该无定形层的存在，如图6所示，根据本发明转印到PCB上的PZT薄膜显示出1MHz到600MHz范围内的介电常数，低于普通PZT膜的介电常数(普通PZT膜的介电常数为1600到1700)。这里，该PZT薄膜展示了图7(C)中所示的图案。
然而，在本发明中，通过各种方法(诸如湿蚀刻和离子铣)去除该无定形受损层，从而将其介电常数提高到1600至1700。
同时，除了通过Femto激光(800nm，300fs)分离蓝宝石衬底之外，在与以上所述相同的条件下形成具有金属导电层/介电层/金属导电层的结构的电容器。而且，为了确定用激光束照射的PZT膜中的变化，通过透射电子显微镜(TEM)观察经历了激光剥离的PZT膜的横截面，其图片在图9中示出。从图9可看出，在通过Femto激光分离蓝宝石衬底的情况下，所获得的PZT膜具有四方晶体结构，从而保持了PZT材料的结晶能力。
图10是示出了利用Femto激光转印到PCB衬底上的PZT膜的介电常数相对于频率的曲线图。PZT膜呈现出1MHz到1600MHz范围内的优异介电常数。
如上所述，根据本发明的示例性实施例，利用激光剥离，其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板具有介电膜，而不妨碍普通PCB工艺(的使用)。此外，本发明克服了铜箔氧化的传统问题。
虽然结合优选实施例已经示出并描述了本发明，但对本领域技术人员来说很显然，在不背离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的前提下，可以进行修改和变换。

Claims (40)

1.一种用于制造其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板的方法，所述方法包括：
在透明衬底上形成介电膜并热处理所述介电膜；
在所述热处理后的介电膜上形成第一导电层；
将激光束从所述透明衬底的下方照射到所形成的叠层上，以使所述透明衬底从所述叠层分离；
在分离所述透明衬底之后，去除由于所述激光的热量而造成的、形成在所述介电膜的顶表面上的无定形受损层；
在所述透明衬底从所述叠层分离之后，在所述介电膜上形成具有预定图案的第二导电层；以及
在所述第一和第二导电层上形成绝缘层和第三导电层以使其以预定数量彼此交替。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述透明衬底包括选自蓝宝石、石英、玻璃、MgO、铝酸镧、以及氧化锆组成的组中的一种。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述玻璃为石英玻璃。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电膜包括选自钛酸铅锆、钛酸钡、钽酸锶铋、钛酸铋镧、铌酸铅镁-钛酸铅、以及铌酸铅锌-钛酸铅组成的组中的一种介电组分。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述介电膜进一步包括添加到所述介电组分中的掺杂剂。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一、第二和第三导电层中的至少一层包括选自Au、Ag、Ni、Cu、Al、Pt、Ti、Ir、IrO2、Ru和RuO2组成的组中的一种。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一、第二和第三导电层中的至少一层通过选自包括PVD、CVD、ALD、丝网印刷和喷墨印刷的组中的工艺而形成。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一、第二和第三导电层中的至少一层利用溅射或电子束通过PVD工艺而形成。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一、第二和第三导电层中的至少一层通过PVD工艺形成金属晶种层并电镀所述金属晶种层而形成。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述透明衬底通过准分子激光或Nd YAG激光而从所述叠层分离。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述透明衬底通过Femto激光而从所述叠层分离。
12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在形成所述介电膜之后，在所述介电膜上形成粘合层或阻挡层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述粘合层或所述阻挡层的步骤包括溅射Ti或Cr。
14.一种用于制造其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板的方法，所述方法包括：
在透明衬底上形成介电膜并热处理所述介电膜；
在所述热处理后的介电膜上形成第一导电层；
在所述导电层上形成绝缘层，并在所述绝缘层上堆叠覆铜层压板；
将激光束从所述透明衬底的下方照射到所形成的叠层上，以使所述透明衬底从所述叠层分离；
在分离所述透明衬底之后，去除由于所述激光的热量而造成的、形成在所述介电膜的顶表面上的无定形受损层；以及
在所述透明衬底从所述叠层分离之后，在所述介电膜上形成具有预定图案的第二导电层。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述透明衬底包括选自蓝宝石、石英、玻璃、MgO、铝酸镧、以及氧化锆组成的组中的一种。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述玻璃为石英玻璃。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述介电膜包括选自钛酸铅锆、钛酸钡、钽酸锶铋、钛酸铋镧、铌酸铅镁-钛酸铅、以及铌酸铅锌-钛酸铅组成的组中的一种介电组分。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述介电膜进一步包括添加到所述介电组分中的掺杂剂。
19.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一和第二导电层中的至少一层包括选自Au、Ag、Ni、Cu、Al、Pt、Ti、Ir、IrO2、Ru和RuO2组成的组中的一种。
20.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一和第二导电层中的至少一层通过选自包括PVD、CVD、ALD、丝网印刷、镀覆和喷墨印刷的组中的工艺而形成。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第一和第二导电层中的至少一层利用溅射或电子束通过PVD工艺而形成。
22.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一和第二导电层中的至少一层通过PVD形成金属晶种层并电镀所述金属晶种层而形成。
23.根据权利要求14所述的方法，其中，所述透明衬底通过准分子激光或Nd YAG激光而从所述叠层分离。
24.根据权利要求14所述的方法，其中，所述透明衬底通过Femto激光而从所述叠层分离。
25.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：在形成所述介电膜之后，在所述介电膜上形成粘合层或阻挡层。
26.根据权利要求25所述的方法，其中，形成所述粘合层或所述阻挡层的步骤包括溅射Ti或Cr。
27.一种用于制造其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板的方法，所述方法包括：
在透明衬底上形成介电膜并热处理所述介电膜；
在所述热处理后的介电膜上形成第一导电层；
在所述导电层上堆叠涂覆树脂的铜；
将激光束从所述透明衬底的下方照射到所形成的叠层上，以使所述透明衬底从所述叠层分离；
在分离所述透明衬底之后，去除由于所述激光的热量而造成的、形成在所述介电膜的顶表面上的无定形受损层；
在所述透明衬底从所述叠层分离之后，在所述介电膜上形成具有预定图案的第二导电层；以及
在所述涂覆树脂的铜和所述第二导电层上形成绝缘层和第三导电层以使其以预定数量彼此交替。
28.根据权利要求27所述的方法，其中，所述透明衬底包括选自蓝宝石、石英、玻璃、MgO、铝酸镧、以及氧化锆组成的组中的一种。
29.根据权利要求28所述的方法，其中，所述玻璃为石英玻璃。
30.根据权利要求27所述的方法，其中，所述介电膜包括选自钛酸铅锆、钛酸钡、钽酸锶铋、钛酸铋镧、铌酸铅镁-钛酸铅、以及铌酸铅锌-钛酸铅组成的组中的一种介电组分。
31.根据权利要求30所述的方法，其中，所述介电膜进一步包括添加到所述介电组分中的掺杂剂。
32.根据权利要求27所述的方法，其中，所述第一、第二和第三导电层中的至少一层包括选自Au、Ag、Ni、Cu、Al、Pt、Ti、Ir、IrO2、Ru和RuO2组成的组中的一种。
33.根据权利要求27所述的方法，其中，所述第一、第二和第三导电层中的至少一层通过选自包括PVD、CVD、ALD、丝网印刷、镀覆和喷墨印刷的组中的工艺而形成。
34.根据权利要求33所述的方法，其中，所述第一、第二和第三导电层中的至少一层利用溅射或电子束通过所述PVD工艺而形成。
35.根据权利要求27所述的方法，其中，所述第一、第二和第三导电层中的至少一层通过PVD形成金属晶种层并电镀所述金属晶种层而形成。
36.根据权利要求27所述的方法，其中，所述透明衬底通过准分子激光或Nd YAG激光而从所述叠层分离。
37.根据权利要求27所述的方法，其中，所述透明衬底通过Femto激光而从所述叠层分离。
38.根据权利要求27所述的方法，进一步包括：在形成所述介电膜之后，在所述介电膜上形成粘合层或阻挡层。
39.根据权利要求38所述的方法，其中，形成所述粘合层或所述阻挡层的步骤包括溅射Ti或Cr。
40.一种根据权利要求1、14和27中的任一项所述的方法而制造的其中嵌入有薄膜电容器的印刷电路板。
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