JP2002222773A - 窒化物半導体ウェハの製造方法 - Google Patents
窒化物半導体ウェハの製造方法Info
- Publication number
- JP2002222773A JP2002222773A JP2001019552A JP2001019552A JP2002222773A JP 2002222773 A JP2002222773 A JP 2002222773A JP 2001019552 A JP2001019552 A JP 2001019552A JP 2001019552 A JP2001019552 A JP 2001019552A JP 2002222773 A JP2002222773 A JP 2002222773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- laser
- sapphire substrate
- substrate
- gan film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 窒化物半導体と母材基板とを分離する際に窒
化物半導体が割れるのを防止する。 【解決手段】 サファイア基板１上にＧａＮ膜２を成長
した後、サファイア基板１の裏面よりエキシマＫｒＦレ
ーザを照射してサファイア基板１とＧａＮ膜２とを分離
する。エキシマＫｒＦレーザのパルス幅は５ｎｓ、光強
度１００ｍＪ／ｃｍ2、ビーム径は３０ｍｍとする。そ
の後、ＧａＮ膜２のレーザを照射された部分に対し研磨
を行い、ＧａＮ膜２を平らにしてＧａＮウェハ２１を得
る。
化物半導体が割れるのを防止する。 【解決手段】 サファイア基板１上にＧａＮ膜２を成長
した後、サファイア基板１の裏面よりエキシマＫｒＦレ
ーザを照射してサファイア基板１とＧａＮ膜２とを分離
する。エキシマＫｒＦレーザのパルス幅は５ｎｓ、光強
度１００ｍＪ／ｃｍ2、ビーム径は３０ｍｍとする。そ
の後、ＧａＮ膜２のレーザを照射された部分に対し研磨
を行い、ＧａＮ膜２を平らにしてＧａＮウェハ２１を得
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、青紫色レーザや高
速トランジスタに用いられる窒化物半導体（Ａｌ XＧａY
Ｉｎ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）デバイス
を形成するためのウェハの製造方法に関するものであ
る。
速トランジスタに用いられる窒化物半導体（Ａｌ XＧａY
Ｉｎ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）デバイス
を形成するためのウェハの製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】フリースタンディング窒化物半導体ウェ
ハとは、窒化物半導体と異なる材料は含まれず、窒化物
半導体のみから構成されるウェハである。
ハとは、窒化物半導体と異なる材料は含まれず、窒化物
半導体のみから構成されるウェハである。
【０００３】一般に、フリースタンディング窒化物半導
体ウェハを得るためには、母材基板上に母材基板とは異
なる材料よりなる窒化物半導体を成長し、その後、母材
基板を除去するという方法が用いられている。
体ウェハを得るためには、母材基板上に母材基板とは異
なる材料よりなる窒化物半導体を成長し、その後、母材
基板を除去するという方法が用いられている。
【０００４】従来、母材基板を除去する方法として、母
材基板裏面からエキシマＫｒＦレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレ
ーザ等を照射する手法（レーザリフトオフ）が用いられ
ている。照射するレーザのパルス幅は５〜３０ｎｓ、光
強度３００〜６００ｍＪ／ｃｍ2、ビーム径は５０μｍ
〜７ｍｍである。母材基板としては、エキシマＫｒＦレ
ーザやＮｄ：ＹＡＧレーザに対して透明である材料を用
いていて、例としてサファイア、スピネル等がある。母
材基板は光を透過するので、また、照射するレーザのパ
ルス幅は非常に短いので、このレーザ光は窒化物半導体
の母材基板との界面近傍にのみ吸収される。界面近傍の
窒化物半導体は加熱され、熱解離によりＧａ金属と窒素
ガスに分離し、窒素ガスは発散してしまう。その結果、
窒化物半導体と母材基板とが界面分離する（USP607183
5）。
材基板裏面からエキシマＫｒＦレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレ
ーザ等を照射する手法（レーザリフトオフ）が用いられ
ている。照射するレーザのパルス幅は５〜３０ｎｓ、光
強度３００〜６００ｍＪ／ｃｍ2、ビーム径は５０μｍ
〜７ｍｍである。母材基板としては、エキシマＫｒＦレ
ーザやＮｄ：ＹＡＧレーザに対して透明である材料を用
いていて、例としてサファイア、スピネル等がある。母
材基板は光を透過するので、また、照射するレーザのパ
ルス幅は非常に短いので、このレーザ光は窒化物半導体
の母材基板との界面近傍にのみ吸収される。界面近傍の
窒化物半導体は加熱され、熱解離によりＧａ金属と窒素
ガスに分離し、窒素ガスは発散してしまう。その結果、
窒化物半導体と母材基板とが界面分離する（USP607183
5）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、母材基板の
大きさに対して用いるレーザのビーム径が非常に小さい
場合、次のような問題が生じた（図６）。
大きさに対して用いるレーザのビーム径が非常に小さい
場合、次のような問題が生じた（図６）。
【０００６】２インチ母材基板６１上に窒化物半導体膜
６２を成長した場合、レーザのビーム径の大きさ（最大
で７ｍｍ）は母材基板６１の大きさと比べて非常に小さ
いので、１照射面積で窒化物半導体膜６２と母材基板６
１との間で界面分離が生じたとしても、基板全面では界
面分離が起こらない。そのため、基板全面の中に界面分
離が行われた部分と行われていない部分とが生じ、界面
分離が行われていない部分では熱膨張係数差による残留
応力が集中し、窒化物半導体膜６２が割れてしまうとい
う問題が生じた。
６２を成長した場合、レーザのビーム径の大きさ（最大
で７ｍｍ）は母材基板６１の大きさと比べて非常に小さ
いので、１照射面積で窒化物半導体膜６２と母材基板６
１との間で界面分離が生じたとしても、基板全面では界
面分離が起こらない。そのため、基板全面の中に界面分
離が行われた部分と行われていない部分とが生じ、界面
分離が行われていない部分では熱膨張係数差による残留
応力が集中し、窒化物半導体膜６２が割れてしまうとい
う問題が生じた。
【０００７】また、１回の照射で母材基板６１と窒化物
半導体膜６２とが分離しない場合でも、窒化物半導体膜
６２と母材基板６１とを分離させるために必要な面積を
照射するためには、レーザのスキャンを行って必要な面
積を照射する必要があり、界面全面で分離するまでの途
中過程で窒化物半導体膜６２と母材基板６１とが分離し
ていない部分に応力が集中し、窒化物半導体膜６２が割
れてしまうという問題が生じた。
半導体膜６２とが分離しない場合でも、窒化物半導体膜
６２と母材基板６１とを分離させるために必要な面積を
照射するためには、レーザのスキャンを行って必要な面
積を照射する必要があり、界面全面で分離するまでの途
中過程で窒化物半導体膜６２と母材基板６１とが分離し
ていない部分に応力が集中し、窒化物半導体膜６２が割
れてしまうという問題が生じた。
【０００８】さらに、上記に示す課題の他に、リフトオ
フで用いる光のエネルギーが窒化物半導体のバンドギャ
ップとほぼ同じ場合、光が効率よく窒化物半導体膜６２
に吸収されないといった問題もあった。
フで用いる光のエネルギーが窒化物半導体のバンドギャ
ップとほぼ同じ場合、光が効率よく窒化物半導体膜６２
に吸収されないといった問題もあった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の窒化物半導体ウェハの製造方法は、以下に
示す構成よりなるものである。
に、本発明の窒化物半導体ウェハの製造方法は、以下に
示す構成よりなるものである。
【００１０】本発明の窒化物半導体ウェハの製造方法
は、母材基板上に前記母材基板とは異なる材料よりなる
窒化物半導体を成長する第１の工程の後、１照射面積が
前記母材基板の面積の２０％以上である光を用いて前記
母材基板と前記窒化物半導体を分離する第２の工程を有
する。かかる構成により、１照射面積で分離が生じる
と、母材基板と窒化物半導体の全面でも同時に分離が生
じ、窒化物半導体が割れてしまうことを防止できる。ま
た、母材基板と窒化物半導体を全面同時に分離するため
には、１照射面積のみ分離が生じれば良いので、レーザ
のスキャンを行う必要が無く、分離に要する時間を短く
することができる。
は、母材基板上に前記母材基板とは異なる材料よりなる
窒化物半導体を成長する第１の工程の後、１照射面積が
前記母材基板の面積の２０％以上である光を用いて前記
母材基板と前記窒化物半導体を分離する第２の工程を有
する。かかる構成により、１照射面積で分離が生じる
と、母材基板と窒化物半導体の全面でも同時に分離が生
じ、窒化物半導体が割れてしまうことを防止できる。ま
た、母材基板と窒化物半導体を全面同時に分離するため
には、１照射面積のみ分離が生じれば良いので、レーザ
のスキャンを行う必要が無く、分離に要する時間を短く
することができる。
【００１１】本発明の窒化物半導体ウェハの製造方法で
は、前記第２の工程は複数台のレーザを用いて行われ
る。
は、前記第２の工程は複数台のレーザを用いて行われ
る。
【００１２】本発明の窒化物半導体ウェハの製造方法で
は、前記第２の工程は複数台のランプを用いて行われ
る。
は、前記第２の工程は複数台のランプを用いて行われ
る。
【００１３】本発明の窒化物半導体ウェハの製造方法で
は、前記第２の工程は前記窒化物半導体を加熱して行
う。かかる構成により、窒化物半導体のバンドギャップ
を小さくし、室温では窒化物半導体に吸収されにくい光
を、効率よく吸収できるようにする。
は、前記第２の工程は前記窒化物半導体を加熱して行
う。かかる構成により、窒化物半導体のバンドギャップ
を小さくし、室温では窒化物半導体に吸収されにくい光
を、効率よく吸収できるようにする。
【００１４】本発明の窒化物半導体ウェハの製造方法で
は、前記第２の工程は複数台の水銀ランプを用いて行わ
れる。
は、前記第２の工程は複数台の水銀ランプを用いて行わ
れる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態１につ
いて、詳しく説明する。
いて、詳しく説明する。
【００１６】（実施の形態１）本発明の実施の形態１に
おける窒化物半導体ウェハの製造方法について、図１を
参照しながら説明する。
おける窒化物半導体ウェハの製造方法について、図１を
参照しながら説明する。
【００１７】２インチ（０００１）サファイア基板１上
に、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法により、Ｇａ
Ｎ膜２を形成する（図１（ａ））。Ｇａ原料としてはＧ
ａ金属とＨＣｌを反応させて得られるＧａＣｌを、Ｎ原
料としてはＮＨ3を、キャリアガスとしてＮ2を用いる。
成長温度は１０００℃で、成長時間は約５時間とした。
なお、サファイア基板１上に、低温緩衝層を形成した
後、ＧａＮを形成しても良い。また、キャリアガスとし
てＨ2や、Ｎ2とＨ2の混合ガスを用いても良い。ＨＶＰ
Ｅでの成長の結果、サファイア基板１上には良好な結晶
性のＧａＮ膜２が２００μｍ成長した。
に、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法により、Ｇａ
Ｎ膜２を形成する（図１（ａ））。Ｇａ原料としてはＧ
ａ金属とＨＣｌを反応させて得られるＧａＣｌを、Ｎ原
料としてはＮＨ3を、キャリアガスとしてＮ2を用いる。
成長温度は１０００℃で、成長時間は約５時間とした。
なお、サファイア基板１上に、低温緩衝層を形成した
後、ＧａＮを形成しても良い。また、キャリアガスとし
てＨ2や、Ｎ2とＨ2の混合ガスを用いても良い。ＨＶＰ
Ｅでの成長の結果、サファイア基板１上には良好な結晶
性のＧａＮ膜２が２００μｍ成長した。
【００１８】ＧａＮ膜２を成長した後、サファイア基板
１の裏面よりエキシマＫｒＦレーザを照射する（図１
（ｂ））。エキシマＫｒＦレーザのパルス幅は５ｎｓ、
光強度１００ｍＪ／ｃｍ2、ビーム径は３０ｍｍとす
る。なお、レーザとしてはエネルギーが窒化物半導体よ
りも大きく、かつ光強度１００ｍＪ／ｃｍ2以上の出力
が得られるものであれば良く、エキシマＫｒＦレーザの
他にはＮｄ：ＹＡＧレーザの３次高調波等がある。ま
た、母材基板としては、エキシマＫｒＦレーザやＮｄ：
ＹＡＧレーザに対して透明である材料を用いていて、例
としてサファイア、スピネル等がある。サファイア基板
１はエキシマＫｒＦレーザを透過するので、このレーザ
はＧａＮ膜２のみに吸収される。また、エキシマＫｒＦ
レーザのパルス幅は５ｎｓと非常に短いので、レーザは
ＧａＮ膜２のサファイア基板１との界面のごく近傍に局
所的に吸収される。界面近傍のＧａＮ膜２は加熱され、
熱解離によりＧａ金属と窒素ガスに分離した部分３が生
じ、窒素ガスは発散してしまう。レーザのビーム径が大
きいので、１照射面積で分離が生じると、同時にＧａＮ
膜２とサファイア基板１全面でも分離が生じる（図１
（ｃ））。全面分離後、Ｇａ金属と窒素ガスに分離した
部分３では、Ｇａ金属４が残留しているので、ウェット
エッチングで除去する。また、ＧａＮ膜２のレーザを照
射された部分が凹になっているので、研磨を行い、Ｇａ
Ｎ膜２を平らにしてＧａＮウェハ２１を得る（図１
（ｄ））。ビーム径が３０ｍｍのとき母材基板の面積に
対するレーザの１パルス照射面積の割合は３６％であ
り、照射された部分とＧａＮ膜２とサファイア基板１の
全面が同時に分離する確率は約７５％である。従来技術
において最大であった７ｍｍというビーム径のレーザを
用いた場合、全面で同時に分離することはほとんど無か
った。このように、ビーム径の大きいレーザを用いるこ
とによって、ＧａＮ膜２とサファイア基板１とを全面で
同時に分離することができ、その結果、分離工程で窒化
物半導体が割れることを防止できる。また、分離に要す
る時間は、１照射面積を分離するために必要な照射時間
だけとなり、分離工程の時間を短くすることができる。
１の裏面よりエキシマＫｒＦレーザを照射する（図１
（ｂ））。エキシマＫｒＦレーザのパルス幅は５ｎｓ、
光強度１００ｍＪ／ｃｍ2、ビーム径は３０ｍｍとす
る。なお、レーザとしてはエネルギーが窒化物半導体よ
りも大きく、かつ光強度１００ｍＪ／ｃｍ2以上の出力
が得られるものであれば良く、エキシマＫｒＦレーザの
他にはＮｄ：ＹＡＧレーザの３次高調波等がある。ま
た、母材基板としては、エキシマＫｒＦレーザやＮｄ：
ＹＡＧレーザに対して透明である材料を用いていて、例
としてサファイア、スピネル等がある。サファイア基板
１はエキシマＫｒＦレーザを透過するので、このレーザ
はＧａＮ膜２のみに吸収される。また、エキシマＫｒＦ
レーザのパルス幅は５ｎｓと非常に短いので、レーザは
ＧａＮ膜２のサファイア基板１との界面のごく近傍に局
所的に吸収される。界面近傍のＧａＮ膜２は加熱され、
熱解離によりＧａ金属と窒素ガスに分離した部分３が生
じ、窒素ガスは発散してしまう。レーザのビーム径が大
きいので、１照射面積で分離が生じると、同時にＧａＮ
膜２とサファイア基板１全面でも分離が生じる（図１
（ｃ））。全面分離後、Ｇａ金属と窒素ガスに分離した
部分３では、Ｇａ金属４が残留しているので、ウェット
エッチングで除去する。また、ＧａＮ膜２のレーザを照
射された部分が凹になっているので、研磨を行い、Ｇａ
Ｎ膜２を平らにしてＧａＮウェハ２１を得る（図１
（ｄ））。ビーム径が３０ｍｍのとき母材基板の面積に
対するレーザの１パルス照射面積の割合は３６％であ
り、照射された部分とＧａＮ膜２とサファイア基板１の
全面が同時に分離する確率は約７５％である。従来技術
において最大であった７ｍｍというビーム径のレーザを
用いた場合、全面で同時に分離することはほとんど無か
った。このように、ビーム径の大きいレーザを用いるこ
とによって、ＧａＮ膜２とサファイア基板１とを全面で
同時に分離することができ、その結果、分離工程で窒化
物半導体が割れることを防止できる。また、分離に要す
る時間は、１照射面積を分離するために必要な照射時間
だけとなり、分離工程の時間を短くすることができる。
【００１９】また、エキシマＫｒＦレーザのビーム径を
５〜５０ｍｍまで変化させて、ＧａＮ膜２とサファイア
基板１とが全面で同時に分離する確率を調べた結果を図
２に示す。レーザのその他の条件は上述と同様である。
なお、図２においては、サファイア基板１の面積に対す
るレーザの１照射面積の割合と、ＧａＮ膜２とサファイ
ア基板１の全面が同時に分離する確率の関係を示してい
る。図２より、レーザの１照射面積がサファイア基板１
の面積の２０％以上のところで、ＧａＮ膜２とサファイ
ア基板１とが全面同時に分離する。そこで、レーザの１
照射面積を母材基板の面積の２０％以上とする。また、
レーザの１照射面積がサファイア基板１の面積の約５０
％となる場合、１照射でＧａＮ膜２とサファイア基板と
が全面同時に分離する確率は約９０％となる。そこでよ
り好ましくは、レーザの１照射面積を母材基板の面積の
５０％以上にするのが良い。なお、本実施の形態１では
円形のレーザビームを用いているが、対称性の無い形状
をしたレーザビームを使用すると、図２のグラフは全体
的に右にシフトし、全面同時に分離するために必要な１
照射面積は円形のレーザビームを用いた場合よりも大き
くなる。
５〜５０ｍｍまで変化させて、ＧａＮ膜２とサファイア
基板１とが全面で同時に分離する確率を調べた結果を図
２に示す。レーザのその他の条件は上述と同様である。
なお、図２においては、サファイア基板１の面積に対す
るレーザの１照射面積の割合と、ＧａＮ膜２とサファイ
ア基板１の全面が同時に分離する確率の関係を示してい
る。図２より、レーザの１照射面積がサファイア基板１
の面積の２０％以上のところで、ＧａＮ膜２とサファイ
ア基板１とが全面同時に分離する。そこで、レーザの１
照射面積を母材基板の面積の２０％以上とする。また、
レーザの１照射面積がサファイア基板１の面積の約５０
％となる場合、１照射でＧａＮ膜２とサファイア基板と
が全面同時に分離する確率は約９０％となる。そこでよ
り好ましくは、レーザの１照射面積を母材基板の面積の
５０％以上にするのが良い。なお、本実施の形態１では
円形のレーザビームを用いているが、対称性の無い形状
をしたレーザビームを使用すると、図２のグラフは全体
的に右にシフトし、全面同時に分離するために必要な１
照射面積は円形のレーザビームを用いた場合よりも大き
くなる。
【００２０】（実施の形態２）本発明の実施の形態２に
おける窒化物半導体ウェハの製造方法について、図３を
参照しながら説明する。
おける窒化物半導体ウェハの製造方法について、図３を
参照しながら説明する。
【００２１】実施の形態２は、サファイア基板１上にＧ
ａＮ膜２を成長する工程までは、実施の形態１と同様で
ある（図３（ａ））。
ａＮ膜２を成長する工程までは、実施の形態１と同様で
ある（図３（ａ））。
【００２２】ＧａＮ膜２を成長後、サファイア基板１の
裏面に、複数台のレーザ装置５を用いてＮｄ：ＹＡＧレ
ーザの３次高調波を照射する（図３（ｂ））。各レーザ
のパルス幅は５ｎｓ、光強度１００ｍＪ／ｃｍ2、ビー
ム径は７ｍｍとする。各々のレーザ装置５からは同時に
サファイア基板１にレーザを照射し、レーザの照射面積
の総和は、サファイア基板１の面積の３０％以上となる
ようにする。
裏面に、複数台のレーザ装置５を用いてＮｄ：ＹＡＧレ
ーザの３次高調波を照射する（図３（ｂ））。各レーザ
のパルス幅は５ｎｓ、光強度１００ｍＪ／ｃｍ2、ビー
ム径は７ｍｍとする。各々のレーザ装置５からは同時に
サファイア基板１にレーザを照射し、レーザの照射面積
の総和は、サファイア基板１の面積の３０％以上となる
ようにする。
【００２３】照射後、１照射面積で分離が生じると、Ｇ
ａＮ膜２とサファイア基板１の全面でも分離が生じる
（（図３（ｃ））。分離する原理については実施の形態
１の記載と同様である。全面分離後、Ｇａ金属と窒素ガ
スに分離した部分３では、Ｇａ金属４が残留しているの
で、ウェットエッチングで除去する。また、ＧａＮ膜２
のレーザを照射された部分が凹になっているので、研磨
を行い、ＧａＮ膜２を平らにしてＧａＮウェハ２１を得
る（図３（ｄ））。以上のように複数台のレーザ装置５
を用いることにより、ＧａＮ膜２とサファイア基板１の
全面を同時に分離することができ、ＧａＮ膜２が分離工
程で割れることを防止できる。
ａＮ膜２とサファイア基板１の全面でも分離が生じる
（（図３（ｃ））。分離する原理については実施の形態
１の記載と同様である。全面分離後、Ｇａ金属と窒素ガ
スに分離した部分３では、Ｇａ金属４が残留しているの
で、ウェットエッチングで除去する。また、ＧａＮ膜２
のレーザを照射された部分が凹になっているので、研磨
を行い、ＧａＮ膜２を平らにしてＧａＮウェハ２１を得
る（図３（ｄ））。以上のように複数台のレーザ装置５
を用いることにより、ＧａＮ膜２とサファイア基板１の
全面を同時に分離することができ、ＧａＮ膜２が分離工
程で割れることを防止できる。
【００２４】また、分離に要する時間は、１照射面積を
分離するために必要な照射時間だけとなり、分離工程の
時間を短くすることができる。
分離するために必要な照射時間だけとなり、分離工程の
時間を短くすることができる。
【００２５】なお、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの他に、ＫｒＦ
エキシマレーザ等を用いても良い。
エキシマレーザ等を用いても良い。
【００２６】（実施の形態３）本発明の実施の形態３に
おける窒化物半導体ウェハの製造方法について、図４を
参照しながら説明する。
おける窒化物半導体ウェハの製造方法について、図４を
参照しながら説明する。
【００２７】実施の形態３は、サファイア基板１上にＧ
ａＮ膜２を成長する工程までは、実施の形態１と同様で
ある（図４（ａ））。
ａＮ膜２を成長する工程までは、実施の形態１と同様で
ある（図４（ａ））。
【００２８】ＧａＮ膜２を成長後、サファイア基板１の
裏面から、サファイア基板１全面にＮｄ：ＹＡＧレーザ
の３次高調波を照射する（図４（ｂ））。照射されるレ
ーザのパルス幅は５ｎｓ、光強度は１００ｍＪ／ｃ
ｍ2、１照射面積はサファイア基板１の面積と同じであ
る。レーザの１照射面積が大きいので、大型の１台のレ
ーザ装置を用いるよりも、複数台の小型のレーザ装置５
を用いる方が取り扱いが比較的容易である。各々のレー
ザ装置５から照射される光を同期させ、レンズ６を用い
て光束をサファイア基板１と同じ大きさにする。
裏面から、サファイア基板１全面にＮｄ：ＹＡＧレーザ
の３次高調波を照射する（図４（ｂ））。照射されるレ
ーザのパルス幅は５ｎｓ、光強度は１００ｍＪ／ｃ
ｍ2、１照射面積はサファイア基板１の面積と同じであ
る。レーザの１照射面積が大きいので、大型の１台のレ
ーザ装置を用いるよりも、複数台の小型のレーザ装置５
を用いる方が取り扱いが比較的容易である。各々のレー
ザ装置５から照射される光を同期させ、レンズ６を用い
て光束をサファイア基板１と同じ大きさにする。
【００２９】Ｎｄ：ＹＡＧレーザの３次高調波がサファ
イア基板１全面に一度に照射されるため、分離も基板全
面で一度に生じ、サファイア基板１とＧａＮ膜２が、Ｇ
ａＮ膜２が割れることなく分離する（図４（ｃ））。分
離の原理に関しては、実施の形態１に記載の内容と同様
である。全面分離後、Ｇａ金属と窒素ガスに分離した部
分３では、Ｇａ金属４が残留しているので、ウェットエ
ッチングで除去する。また、ＧａＮ膜２のレーザを照射
された部分が凹になっているので、研磨を行い、ＧａＮ
膜２を平らにしてＧａＮウェハ２１を得る（図４
（ｄ））。このように、複数台のＮｄ：ＹＡＧレーザ装
置５を用いて、サファイア基板１全面を一度に照射する
ことにより、ＧａＮ膜２とサファイア基板１を割れるこ
となく、分離することができる。
イア基板１全面に一度に照射されるため、分離も基板全
面で一度に生じ、サファイア基板１とＧａＮ膜２が、Ｇ
ａＮ膜２が割れることなく分離する（図４（ｃ））。分
離の原理に関しては、実施の形態１に記載の内容と同様
である。全面分離後、Ｇａ金属と窒素ガスに分離した部
分３では、Ｇａ金属４が残留しているので、ウェットエ
ッチングで除去する。また、ＧａＮ膜２のレーザを照射
された部分が凹になっているので、研磨を行い、ＧａＮ
膜２を平らにしてＧａＮウェハ２１を得る（図４
（ｄ））。このように、複数台のＮｄ：ＹＡＧレーザ装
置５を用いて、サファイア基板１全面を一度に照射する
ことにより、ＧａＮ膜２とサファイア基板１を割れるこ
となく、分離することができる。
【００３０】また、分離に要する時間は、１照射面積を
分離するために必要な照射時間だけとなり、分離工程の
時間を短くすることができる。
分離するために必要な照射時間だけとなり、分離工程の
時間を短くすることができる。
【００３１】なお、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの他に、ＫｒＦ
エキシマレーザやＮ2レーザ等を用いても良い。
エキシマレーザやＮ2レーザ等を用いても良い。
【００３２】（実施の形態４）本発明の実施の形態４に
おける窒化物半導体ウェハの製造方法について説明す
る。
おける窒化物半導体ウェハの製造方法について説明す
る。
【００３３】実施の形態４は、サファイア基板１上にＧ
ａＮ膜２を成長する工程までは、実施の形態１と同様で
ある。
ａＮ膜２を成長する工程までは、実施の形態１と同様で
ある。
【００３４】ＧａＮ膜２を成長した後、図５に示すエキ
シマ光照射装置を用いて、サファイア基板１の裏面より
エキシマ光を照射する。なお母材基板としては、エキシ
マ光を透過するものであれば良く、サファイア、スピネ
ル等がある。図５の装置では、放射されたエキシマ光を
有効に利用するために、反射鏡７が設置されている。ま
た、反射鏡７の内部にエキシマランプ８が複数個設置さ
れている。反射鏡７内に設置されている個々のエキシマ
ランプ８は、放電ガスに電界をかけてプラズマを生成す
るための電極および誘電体の面積を非常に大きくしてあ
り、高出力化が施されている。エキシマランプ８の放電
ガスにはＸｅＣｌを用い、その際のエキシマランプ８の
波長は３０８ｎｍである。なお、放電ガスとしては、Ｇ
ａＮ膜２のバンドギャップ以上のエネルギーを持つ光を
放出するものであれば良く、ＸｅＣｌの他にはＫｒＣｌ
（波長２２２ｎｍ）等を用いても良い。反射鏡の開口部
にはチョッパ９が設けてあり、サファイア基板１の裏面
にパルス幅１０ｍｓのパルスエキシマ光が照射されるよ
うに動作させる。
シマ光照射装置を用いて、サファイア基板１の裏面より
エキシマ光を照射する。なお母材基板としては、エキシ
マ光を透過するものであれば良く、サファイア、スピネ
ル等がある。図５の装置では、放射されたエキシマ光を
有効に利用するために、反射鏡７が設置されている。ま
た、反射鏡７の内部にエキシマランプ８が複数個設置さ
れている。反射鏡７内に設置されている個々のエキシマ
ランプ８は、放電ガスに電界をかけてプラズマを生成す
るための電極および誘電体の面積を非常に大きくしてあ
り、高出力化が施されている。エキシマランプ８の放電
ガスにはＸｅＣｌを用い、その際のエキシマランプ８の
波長は３０８ｎｍである。なお、放電ガスとしては、Ｇ
ａＮ膜２のバンドギャップ以上のエネルギーを持つ光を
放出するものであれば良く、ＸｅＣｌの他にはＫｒＣｌ
（波長２２２ｎｍ）等を用いても良い。反射鏡の開口部
にはチョッパ９が設けてあり、サファイア基板１の裏面
にパルス幅１０ｍｓのパルスエキシマ光が照射されるよ
うに動作させる。
【００３５】図５のエキシマ光照射装置の開口部分は５
０ｍｍφの円形となっていて、２インチサファイア基板
１全面を一度に照射できる構造となっている。光強度の
ピークは約１００ｍＪ／ｃｍ2である。また、図５の装
置において、光強度のピーク値を１００％とした開口部
全面の相対光強度は９５％以上となっており、サファイ
ア基板１全面を均一に照射するのに十分高い値であると
考えられる。
０ｍｍφの円形となっていて、２インチサファイア基板
１全面を一度に照射できる構造となっている。光強度の
ピークは約１００ｍＪ／ｃｍ2である。また、図５の装
置において、光強度のピーク値を１００％とした開口部
全面の相対光強度は９５％以上となっており、サファイ
ア基板１全面を均一に照射するのに十分高い値であると
考えられる。
【００３６】図５の装置ではエキシマ光がサファイア基
板全面に一度に照射されているため、分離も基板全面で
一度に生じ、サファイア基板１とＧａＮ膜２が、ＧａＮ
膜２が割れることなく分離する。分離の原理に関して
は、実施の形態１に記載の内容と同様である。全面分離
後、Ｇａ金属と窒素ガスに分離した部分３では、Ｇａ金
属４が残留しているので、ウェットエッチングで除去す
る。また、ＧａＮ膜２の光を照射された部分が凹になっ
ているので、研磨を行い、ＧａＮ膜２を平らにする。こ
のように、複数台のエキシマランプを用いてサファイア
基板１全面を一度に照射することにより、ＧａＮ膜２と
サファイア基板１とを割れることなく、分離することが
できる。
板全面に一度に照射されているため、分離も基板全面で
一度に生じ、サファイア基板１とＧａＮ膜２が、ＧａＮ
膜２が割れることなく分離する。分離の原理に関して
は、実施の形態１に記載の内容と同様である。全面分離
後、Ｇａ金属と窒素ガスに分離した部分３では、Ｇａ金
属４が残留しているので、ウェットエッチングで除去す
る。また、ＧａＮ膜２の光を照射された部分が凹になっ
ているので、研磨を行い、ＧａＮ膜２を平らにする。こ
のように、複数台のエキシマランプを用いてサファイア
基板１全面を一度に照射することにより、ＧａＮ膜２と
サファイア基板１とを割れることなく、分離することが
できる。
【００３７】また、分離に要する時間は、１照射面積を
分離するために必要な照射時間だけとなり、分離工程の
時間を短くすることができる。
分離するために必要な照射時間だけとなり、分離工程の
時間を短くすることができる。
【００３８】（実施の形態５）本発明の実施の形態５に
おける窒化物半導体ウェハの製造方法について説明す
る。
おける窒化物半導体ウェハの製造方法について説明す
る。
【００３９】実施の形態５は、サファイア基板１上にＧ
ａＮ膜２を成長する工程までは、実施の形態１と同様で
ある。
ａＮ膜２を成長する工程までは、実施の形態１と同様で
ある。
【００４０】ＧａＮ膜２を成長後、ＧａＮ膜２およびサ
ファイア基板１をホットプレート上に設置し、６００℃
に加熱する。その際、ＧａＮ膜２がホットプレートに接
するように置く。設置後、水銀ランプのｉ線（波長３６
５．０１５ｎｍ）をサファイア基板１の裏面から照射す
る。水銀ランプの照射装置は、図５においてエキシマラ
ンプを水銀ランプに置き換えた構成となっている。なお
母材基板としては、水銀ランプのｉ線を透過するもので
あれば良く、サファイア、スピネル等がある。
ファイア基板１をホットプレート上に設置し、６００℃
に加熱する。その際、ＧａＮ膜２がホットプレートに接
するように置く。設置後、水銀ランプのｉ線（波長３６
５．０１５ｎｍ）をサファイア基板１の裏面から照射す
る。水銀ランプの照射装置は、図５においてエキシマラ
ンプを水銀ランプに置き換えた構成となっている。なお
母材基板としては、水銀ランプのｉ線を透過するもので
あれば良く、サファイア、スピネル等がある。
【００４１】水銀ランプのｉ線の光強度のピークは約１
００ｍＪ／ｃｍ2である。また、照射装置において、光
強度のピーク値を１００％とした開口部全面の相対光強
度は９５％以上となっており、サファイア基板１全面を
均一に照射するのに十分高い値となっている。
００ｍＪ／ｃｍ2である。また、照射装置において、光
強度のピーク値を１００％とした開口部全面の相対光強
度は９５％以上となっており、サファイア基板１全面を
均一に照射するのに十分高い値となっている。
【００４２】室温では、水銀ランプのｉ線のエネルギー
はＧａＮ膜２のバンドギャップとほぼ同じであるので、
ｉ線はＧａＮ膜２に吸収されにくい。しかしＧａＮ膜２
を６００℃に加熱すると、ＧａＮ膜２のバンドギャップ
がｉ線のエネルギーよりも小さくなり、ｉ線がＧａＮ膜
２に効率よく吸収されるようになる。
はＧａＮ膜２のバンドギャップとほぼ同じであるので、
ｉ線はＧａＮ膜２に吸収されにくい。しかしＧａＮ膜２
を６００℃に加熱すると、ＧａＮ膜２のバンドギャップ
がｉ線のエネルギーよりも小さくなり、ｉ線がＧａＮ膜
２に効率よく吸収されるようになる。
【００４３】水銀ランプのｉ線がサファイア基板１全面
に照射され、ＧａＮ膜２のサファイア基板１との界面全
面でｉ線が吸収されるため、サファイア基板１とＧａＮ
膜２の全面が、ＧａＮ膜２が割れることなく分離する。
分離の原理に関しては、実施の形態１に記載の内容と同
様である。全面分離後、Ｇａ金属と窒素ガスに分離した
部分３では、Ｇａ金属４が残留しているので、ウェット
エッチングで除去する。また、ＧａＮ膜２の光を照射さ
れた部分が凹になっているので、研磨を行い、ＧａＮ膜
２を平らにする。このように、ＧａＮ膜２を加熱するこ
とにより、水銀ランプのｉ線が効率よくＧａＮ膜２に吸
収されるようになり、また、複数台の水銀ランプを用い
てサファイア基板１全面を一度に照射することにより、
ＧａＮ膜２とサファイア基板１とを割れることなく、分
離することができる。
に照射され、ＧａＮ膜２のサファイア基板１との界面全
面でｉ線が吸収されるため、サファイア基板１とＧａＮ
膜２の全面が、ＧａＮ膜２が割れることなく分離する。
分離の原理に関しては、実施の形態１に記載の内容と同
様である。全面分離後、Ｇａ金属と窒素ガスに分離した
部分３では、Ｇａ金属４が残留しているので、ウェット
エッチングで除去する。また、ＧａＮ膜２の光を照射さ
れた部分が凹になっているので、研磨を行い、ＧａＮ膜
２を平らにする。このように、ＧａＮ膜２を加熱するこ
とにより、水銀ランプのｉ線が効率よくＧａＮ膜２に吸
収されるようになり、また、複数台の水銀ランプを用い
てサファイア基板１全面を一度に照射することにより、
ＧａＮ膜２とサファイア基板１とを割れることなく、分
離することができる。
【００４４】また、分離に要する時間は、１照射面積を
分離するために必要な照射時間だけとなり、分離工程の
時間を短くすることができる。
分離するために必要な照射時間だけとなり、分離工程の
時間を短くすることができる。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、１照射面積が母材基板
の面積の２０％以上である光を用いて、母材基板と窒化
物半導体を分離することにより、窒化物半導体ウェハを
割れることなく得ることが可能となり、分離工程におけ
る歩留まりの向上に繋がる。
の面積の２０％以上である光を用いて、母材基板と窒化
物半導体を分離することにより、窒化物半導体ウェハを
割れることなく得ることが可能となり、分離工程におけ
る歩留まりの向上に繋がる。
【００４６】また、分離に要する時間も１照射面積を分
離するのに必要な時間となるので、従来技術よりも時間
の短縮ができ、生産性の向上に繋がる。
離するのに必要な時間となるので、従来技術よりも時間
の短縮ができ、生産性の向上に繋がる。
【図１】本発明の実施の形態１における窒化物半導体ウ
ェハの製造方法を表す断面図
ェハの製造方法を表す断面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるサファイア基板
１の面積に対するレーザの１照射面積の割合と、ＧａＮ
膜２とサファイア基板１の全面が同時に分離する確率の
関係を表す図
１の面積に対するレーザの１照射面積の割合と、ＧａＮ
膜２とサファイア基板１の全面が同時に分離する確率の
関係を表す図
【図３】本発明の実施の形態２における窒化物半導体ウ
ェハの製造方法を表す断面図
ェハの製造方法を表す断面図
【図４】本発明の実施の形態３における窒化物半導体ウ
ェハの製造方法を表す断面図
ェハの製造方法を表す断面図
【図５】本発明の実施の形態４におけるエキシマランプ
を複数台用いた照射装置の断面図
を複数台用いた照射装置の断面図
【図６】従来の窒化物半導体ウェハの製造方法に関する
問題点を示す断面図
問題点を示す断面図
１ サファイア基板 ２ ＧａＮ膜 ３ Ｇａ金属と窒素ガスに分離した部分 ４ Ｇａ金属 ５ レーザ装置 ６ レンズ ７ 反射鏡 ８ エキシマランプ ９ チョッパ ２１ ＧａＮウェハ Ａ、Ｂ レーザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｓ 5/323 ６１０ Ｂ２３Ｋ 26/00 ３２０Ｅ // Ｂ２３Ｋ 26/00 ３２０ Ｂ２３Ｋ 101:40 Ｂ２３Ｋ 101:40 Ｈ０１Ｌ 21/26 Ｅ (72)発明者 石田 昌宏 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 4E068 AE01 DA10 4K030 AA03 AA13 AA18 BA38 CA05 DA08 FA10 LA14 5F041 AA41 CA40 CA46 CA64 5F073 CA02 CB05 DA04
Claims (5)
- 【請求項１】 母材基板上に前記母材基板とは異なる材
料よりなる窒化物半導体を成長する第１の工程の後、１
照射面積が前記母材基板主面の面積の２０％以上である
光を用いて前記母材基板と前記窒化物半導体を分離する
第２の工程を有することを特徴とする窒化物半導体ウェ
ハの製造方法。 - 【請求項２】 前記第２の工程は複数台のレーザを用い
て行われることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半
導体ウェハの製造方法。 - 【請求項３】 前記第２の工程は複数台のランプを用い
て行われることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半
導体ウェハの製造方法。 - 【請求項４】 前記第２の工程は前記窒化物半導体を加
熱して行うことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半
導体ウェハの製造方法。 - 【請求項５】 前記第２の工程は複数台の水銀ランプを
用いて行われることを特徴とする請求項４に記載の窒化
物半導体ウェハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001019552A JP2002222773A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | 窒化物半導体ウェハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001019552A JP2002222773A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | 窒化物半導体ウェハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002222773A true JP2002222773A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18885411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001019552A Pending JP2002222773A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | 窒化物半導体ウェハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002222773A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6667252B2 (en) * | 2001-04-06 | 2003-12-23 | Sony Corporation | Method of manufacturing compound semiconductor substrate |
| WO2005043633A1 (ja) * | 2003-11-04 | 2005-05-12 | Pioneer Corporation | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US6902989B2 (en) * | 2003-06-10 | 2005-06-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride (GaN) based single crystalline substrate that include separating from a growth substrate |
| EP1664393A2 (en) * | 2003-07-14 | 2006-06-07 | Allegis Technologies, Inc. | Methods of processing of gallium nitride |
| JP2006173147A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-29 | Furukawa Co Ltd | レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、ｉｉｉ族窒化物半導体自立基板の製造方法 |
| JP2008028372A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Samsung Electro Mech Co Ltd | レーザリフトオフを用いた誘電体薄膜を有する薄膜キャパシタが内蔵された印刷回路基板の製造方法、及びこれから製造された薄膜キャパシタが内蔵された印刷回路基板 |
| JP2011187596A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| US8110424B2 (en) | 2008-10-14 | 2012-02-07 | Samsung Led Co., Ltd. | Surface treatment method of group III nitride semiconductor and manufacturing method of the group III nitride semiconductor |
| US8742429B2 (en) | 2005-07-25 | 2014-06-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
-
2001
- 2001-01-29 JP JP2001019552A patent/JP2002222773A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6667252B2 (en) * | 2001-04-06 | 2003-12-23 | Sony Corporation | Method of manufacturing compound semiconductor substrate |
| US6902989B2 (en) * | 2003-06-10 | 2005-06-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride (GaN) based single crystalline substrate that include separating from a growth substrate |
| EP1664393A4 (en) * | 2003-07-14 | 2010-11-24 | Allegis Technologies Inc | METHODS OF TREATING GALLIUM NITRIDE |
| EP1664393A2 (en) * | 2003-07-14 | 2006-06-07 | Allegis Technologies, Inc. | Methods of processing of gallium nitride |
| WO2005043633A1 (ja) * | 2003-11-04 | 2005-05-12 | Pioneer Corporation | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JPWO2005043633A1 (ja) * | 2003-11-04 | 2007-05-10 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP4588638B2 (ja) * | 2003-11-04 | 2010-12-01 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US7399649B2 (en) | 2003-11-04 | 2008-07-15 | Pioneer Corporation | Semiconductor light-emitting device and fabrication method thereof |
| JP2006173147A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-29 | Furukawa Co Ltd | レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、ｉｉｉ族窒化物半導体自立基板の製造方法 |
| US8742429B2 (en) | 2005-07-25 | 2014-06-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
| US9147797B2 (en) | 2005-07-25 | 2015-09-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
| JP2008028372A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Samsung Electro Mech Co Ltd | レーザリフトオフを用いた誘電体薄膜を有する薄膜キャパシタが内蔵された印刷回路基板の製造方法、及びこれから製造された薄膜キャパシタが内蔵された印刷回路基板 |
| US8039759B2 (en) | 2006-07-19 | 2011-10-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for manufacturing a printed circuit board with a thin film capacitor embedded therein having a dielectric film by using laser lift-off, and printed circuit board with a thin film capacitor embedded therein manufactured thereby |
| US8049117B2 (en) | 2006-07-19 | 2011-11-01 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for manufacturing a printed circuit board with a thin film capacitor embedded therein having a dielectric film by using laser lift-off, and printed circuit board with a thin film capacitor embedded therein manufactured thereby |
| US8110424B2 (en) | 2008-10-14 | 2012-02-07 | Samsung Led Co., Ltd. | Surface treatment method of group III nitride semiconductor and manufacturing method of the group III nitride semiconductor |
| US8476639B2 (en) | 2008-10-14 | 2013-07-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Group III nitride semiconductor and group III nitride semiconductor structure |
| JP2011187596A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100849779B1 (ko) | 소재 층의 분리 방법 | |
| US8809981B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing same | |
| TWI226139B (en) | Method to manufacture a semiconductor-component | |
| US8163582B2 (en) | Method for fabricating a light emitting diode chip including etching by a laser beam | |
| TWI424588B (zh) | Semiconductor light emitting device manufacturing method | |
| US7749782B1 (en) | Laser roughening to improve LED emissions | |
| JPWO2003043070A1 (ja) | レーザアニール装置及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2003168820A (ja) | 剥離方法、レーザー光の照射方法及びこれらを用いた素子の製造方法 | |
| TW201108454A (en) | Method of fabricating light emitting diode using laser lift-off technique and laser lift-off apparatus having heater | |
| JP2005347704A (ja) | 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
| US20110217803A1 (en) | Production method for semiconductor light emitting devices | |
| TWI676207B (zh) | 用於光激發製程之設備 | |
| JP4595207B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| JP2002222773A (ja) | 窒化物半導体ウェハの製造方法 | |
| KR101078060B1 (ko) | 레이저 리프트 오프 기술을 사용하여 발광 다이오드를 제조하는 방법 | |
| JPH03266424A (ja) | 半導体基板のアニール方法 | |
| JP3805673B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| JP2010141103A (ja) | 半導体装置の製造方法および熱処理装置 | |
| JPH1070313A (ja) | 気相成長用基板及びその加熱方法 | |
| JP4015849B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| JPS61116820A (ja) | 半導体のアニ−ル方法 | |
| JP2006298752A (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| KR101171358B1 (ko) | 히터를 갖는 레이저 리프트 오프 장치 | |
| JPH01216520A (ja) | アニール方法 | |
| KR20120016307A (ko) | 히터를 갖는 레이저 리프트 오프 장치 |