JP2005268508A - セラミック薄膜コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 電極を高温下に晒すことを要さないセラミック薄膜コンデンサの製造方法を提供すること。
【解決手段】 未焼結のセラミック膜３をレーザー照射に供することで焼結させてセラミック誘電体層２を形成する工程を有する、セラミック誘電体層２を一対の電極４、５で挟んだ構造をもつセラミック薄膜コンデンサ１の製造方法であり、より具体的には、（Ａ）下部電極４の上にセラミックペーストを塗布し、次いで、塗布した前記ペーストを乾燥することで下部電極４の上に未焼結のセラミック膜３を形成する工程、（Ｂ）未焼結のセラミック膜３をレーザー照射に供することで焼結させて、セラミック誘電体層２を形成する工程、および（Ｃ）セラミック誘電体層２の上に上部電極５を形成する工程を有するセラミック薄膜コンデンサ１の製造方法。
【選択図】 図１

Description

本発明は、セラミック薄膜コンデンサおよびその製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化、薄型化が要求されている。多くの電子機器にはＩＣやコンデンサなどの電子部品が実装された回路基板が用いられ、こういった回路基板にも小型薄型化が要求されている。このため、基板の表面に実装されていたコンデンサを基板内部に形成することが行われている。そのためのコンデンサとして薄膜コンデンサが形成される。薄膜コンデンサの従来の製法として、例えば、セラミックペーストを下部電極の表面に塗布して、乾燥した後、８００℃以上で焼結させてセラミック誘電体層を形成して、さらにその上に上部電極を形成する方法が挙げられる（特許文献１）。
特開２０００−２４３１３７号公報

しかしながら、８００℃以上といった高温下では、下部電極の酸化や溶融が生じ易い。よって、従来の製法では優れたコンデンサができなかったり、下部電極の材料選択の余地が非常に小さいといった懸念がある。本発明は、電極を高温下に晒すことを要さないセラミック薄膜コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。併せて、本発明は、そのような製造方法によって製造し得る新規な構成のセラミック薄膜コンデンサの提供を目的とする。

本発明者らは、酸化物粒子の焼結挙動を鋭意研究した結果、必ずしも高温下に晒さなくてもコンデンサとして使用し得る程度にまでセラミックを焼結させる手段を見出して、以下の特徴を有する本発明を完成した。
（１）セラミック誘電体層を一対の電極で挟んだ構造をもつセラミック薄膜コンデンサの製造方法であって、未焼結のセラミック膜をレーザー照射に供することで焼結させてセラミック誘電体層を形成する工程を有する、セラミック薄膜コンデンサの製造方法。
（２）下記（Ａ）〜（Ｃ）の工程を有する、上記（１）記載の製造方法。
（Ａ）下部電極の上にセラミックペーストを塗布し、次いで、塗布した前記ペーストを乾燥することで下部電極の上に未焼結のセラミック膜を形成する工程。
（Ｂ）上記未焼結のセラミック膜をレーザー照射に供することで焼結させて、セラミック誘電体層を形成する工程。
（Ｃ）上記セラミック誘電体層の上に上部電極を形成する工程。
（３）（Ｂ）工程にて、得られるセラミック誘電体層の表面に凹凸を生じるようにレーザーを照射することを特徴とする上記（２）記載の製造方法。
（４）（Ｂ）工程にて、未焼結のセラミック膜を部分的にレーザー照射に供することで、パターニングされたセラミック誘電体層を形成することを特徴とする上記（２）または（３）記載の製造方法。
（５）さらに、上記セラミック誘電体層に樹脂を含浸させる工程を有する、上記（１）〜（４）のいずれか一項に記載の製造方法。
（６）上記セラミック薄膜コンデンサが配線回路基板に実装されるものであって、未焼結のセラミック膜を実装すべき配線回路基板上に形成して、前記配線回路基板上に形成された未焼結のセラミック膜をレーザー照射に供することを特徴とする、上記（１）〜（５）のいずれか一項に記載の製造方法。
（７）セラミック誘電体層を一対の電極で挟んだ構造をもつセラミック薄膜コンデンサであって、セラミック誘電体層の少なくとも一主面が凹凸を有するセラミック薄膜コンデンサ。

本発明のセラミック薄膜コンデンサの製造方法によれば、焼結によってセラミック誘電体層を得る過程における、下部電極の酸化、溶融の懸念が著しく軽減する。
本発明の好ましい態様では、セラミック誘電体層の少なくとも一主面に凹凸を形成し得る。そのようにして得られる本発明のセラミック薄膜コンデンサは大きな静電容量を有する。
本発明の好ましい態様では、レーザーを部分的に照射することにより、所望のパターンを形成したり、所望の面積のコンデンサを製造することができる。
本発明の好ましい態様では、焼結したセラミック誘電体層に樹脂を含浸することにより、セラミック薄膜コンデンサに柔軟性を付与することができる。
本発明の好ましい態様では、配線回路基板全体を加熱することなく前記基板上にてセラミック薄膜コンデンサ製造のための焼結をすることができ、セラミック薄膜コンデンサの製造と配線回路基板への実装とを同時に実現することができる。

本発明の製造方法の対象である、セラミック薄膜コンデンサは、セラミック誘電体層を一対の電極で挟んだ構造をもつコンデンサである。セラミック誘電体層は絶縁体である金属酸化物の焼結体からなる層であれば特に制限はなく、好ましくは強誘電性を呈する金属酸化物の焼結体からなる層である。セラミック誘電体層を挟む一対の電極の材料、構造は公知の電子部品の電極の材料、構造を適宜取り入れることができる。本発明の製造方法の特徴は、セラミック誘電体層を得るための焼結手段として未焼結のセラミック膜をレーザー照射に供することである。

未焼結のセラミック膜とは、焼結していない金属酸化物粒子を含む膜であり、膜の構造を維持するために金属酸化物粒子間に有機樹脂等が所謂バインダーとして存在していてもよいし、金属酸化物粒子どうしが熱によって焼結には至らない程度の弱い結合で膜を形成していてもよい。焼結とは、未焼結のセラミック膜を構成する金属酸化物粒子が主に固相反応によって互いに強固に結びついて一体構造（セラミックス）を形成することである。従来の加熱による焼結とは異なり、レーザー照射による焼結では、金属酸化物粒子どうしを焼結させるためのエネルギーを所望の部分のみに集中させることができる。このため、コンデンサの電極を構成する金属の不所望な反応を低減することができるばかりでなく、焼結させる部分をパターニングすることも可能である。

本発明の製造方法では、焼結のためのエネルギーをレーザー照射により局所的に供することが可能であるから、製造されるセラミック薄膜コンデンサが配線回路基板に実装されるものである場合には、未焼結のセラミック膜を実装すべき配線回路基板上に形成して、前記配線回路基板上に形成された未焼結のセラミック膜をレーザー照射に供することも可能である。そのように配線回路基板上でセラミック薄膜コンデンサを製造すれば、従来のように別途製造されたコンデンサを配線回路基板に実装する工程を省くことができ、実装ミスに伴う不良を著しく低減することができる。ここで、配線回路基板上に未焼結のセラミック膜を形成することは、配線回路基板上にセラミック薄膜コンデンサ用の電極を介して未焼結のセラミック膜を形成することも含む。

以下、本発明の好ましい形態の工程を順に説明するが、本発明は以下に記載する特定の工程に限られるものではなく、未焼結のセラミック膜をレーザー照射に供することで焼結させる工程を含むセラミック薄膜コンデンサの製造方法を広く包含するものである。本発明の好ましい形態は、上述の（Ａ）〜（Ｃ）の工程を有する。図１は、本発明の製造方法を模式的に表す図である。以下、図１を参照しつつ、本発明の好ましい製造方法をより詳しく説明する。

（Ａ）下部電極の上にセラミックペーストを塗布し、次いで、塗布した前記ペーストを乾燥することで下部電極の上に未焼結のセラミック膜を形成する工程（図１（ａ））：
下部電極４とは、セラミック薄膜コンデンサ１を構成する一対の電極のうちの片方の電極である。記載の便宜上、本明細書では工程の進行に伴って下方から上方へ層を形成するように上下方向を記載するが、このような方向に関する記載は実装方向や用時における方向を特定するものではない。下部電極４は電子部品の電極として用い得るものであれば特に制限はなく、一般的には金属箔であり、好ましくは銅箔やニッケル箔が挙げられる。絶縁基板上にスパッタリングやめっきなどにより形成した銅やニッケルの薄膜を下部電極４として用いてもよい。機械的強度、電気抵抗の観点から、下部電極４の厚さは、好ましくは９〜３５μｍであり、より好ましくは１８〜３５μｍである。

図２は本発明で製造されるセラミック薄膜コンデンサの一例の断面図である。本発明で製造するセラミック薄膜コンデンサ１が図２に示すように配線回路基板６に実装される場合には、前記配線回路基板６の絶縁層（図示せず）の上に下部電極４を形成してもよい。この場合の絶縁層は配線回路基板に用い得る絶縁物からなる層を適宜取り入れることができ、ポリイミドやポリエステルなどからなる層が例示される。

下部電極４上に塗布するセラミックペーストは、少なくとも、焼結することでセラミックスを形成し得る未焼結の粒子（以下、「セラミック粒子」ともいう）と、溶剤とを含み、粘度調節、粒子の分散、得られるセラミック膜の安定性等を考慮して好ましくはバインダーとなる樹脂、可塑剤等をさらに含む。

セラミック粒子は、焼結によってセラミックスを形成し得る無機粒子であれば特に限定なく用いることができ、一般的には金属酸化物粒子が挙げられ、好ましくは強誘電性を呈する金属酸化物粒子が挙げられる。好ましく用いられる金属酸化物粒子としては、チタン酸塩、ジルコン酸塩、錫酸塩、珪酸塩、酸化チタン、アルミナなどが挙げられ、誘電率が高く入手容易な点から、チタン酸塩、ジルコン酸塩等が好ましい。チタン酸塩の具体例としては、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸亜鉛、チタン酸ランタン、チタン酸ネオジウム、チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウムなどが挙げられ、好ましくはチタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム等である。ジルコン酸塩の具体例としては、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸鉛、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛などが挙げられる。錫酸塩としては、錫酸バリウム、錫酸カルシウムなどが挙げられ、珪酸塩としては珪酸マグネシウムなどが挙げられる。

本発明で用いるセラミック粒子の形状、大きさは特に制限されず、通常用いられるセラミック粒子をそのまま用いてもよい。得られるコンデンサの小型化、薄型化やレーザーによる焼結の容易さの観点からは、セラミック粒子の体積平均粒子径は好ましくは０．０５〜１μｍである。セラミック粒子の体積平均粒子径は、セラミック粒子の希薄懸濁液にレーザーを照射したときの回折パターンから求めることができ、そのような測定は堀場製作所社製ＬＡ−７５０などによって行われる。

セラミックペーストの溶剤は、室温で液体であって、沸点が６０〜２００℃程度の物質であれば特に制限はなく、水であってもよいし有機溶剤であってもよいし、それらの混合系であってもよい。有機溶剤としてはアルコールなどの極性溶媒等が挙げられる。溶剤の選定基準としては、後述するバインダーや可塑剤を溶かすことや、セラミック粒子に対する濡れ性などが挙げられる。

好ましくは、本発明で用いるセラミックペーストはバインダーとなる樹脂を溶液状態で含む。バインダーとなる樹脂は従来公知のものを適宜使用し得る。水系バインダーとしては、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、デンプン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、ポリアクリル酸ソーダ、ポリアクリルアミドなどが例示され、分散性、安定性、水との相溶性の点から、好ましくはカルボキシメチルセルロース、ポリビニルアルコール等である。非水系バインダーとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリスチレン、アクリル系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラールなどが挙げられ、シート成形性の点から、好ましくはポリビニルブチラール等である。

好ましくは、本発明で用いるセラミックペーストは可塑剤を含む。可塑剤としては、グリセリン、ポリエチレングリコール、ジブチルフタレート、トリオクチルトリメリテートなどが挙げられる。

セラミックペーストの具体的な調合は、公知技術を適宜参照してよく、その具体例は特許文献１に記載される。

下部電極４の上へセラミックペーストを塗布する手段は特に制限はなく、セラミックペーストの粘度などに応じて従来公知の塗工技術を適宜取り入れることができる。そのような塗工技術としては、例えば、ドクターブレードを用いたキャスティング法などが挙げられる。

セラミックペーストの塗工後の乾燥は、少なくとも塗膜としての形状を維持し得る程度にまで溶剤を蒸発させればよく、その具体的手段、条件は特に限定されるものではない。乾燥の具体例としては、８０〜１８０℃にて１〜３０分間放置することなどが挙げられる。このとき、真空または窒素雰囲気下での数時間の熱処理によってバインダーを除去してもよい。バインダーの除去の条件はバインダーの種類や量に応じて適宜決定することができる。以上のようにして、下部電極４上に未焼結のセラミック膜３を形成することができる。

（Ｂ）未焼結のセラミック膜をレーザー照射に供することで焼結させて、セラミック誘電体層を形成する工程：
本発明では、未焼結のセラミック膜３にレーザー光を照射することでエネルギーを供給して、未焼結のセラミック膜３を構成するセラミック粒子を焼結せしめる。このため、従来のように下部電極４ごと高温に加熱する場合と異なり、セラミックの焼結において、下部電極４に不所望なエネルギーを与えてしまうことが著しく低減できる。特に、配線回路基板上に未焼結のセラミック膜３を形成した場合には、配線回路基板自体にはエネルギーを加えずにセラミック粒子およびそのごく近傍にのみエネルギーを供給することができる。

本発明では従来公知のレーザーを特に限定なく使用することができる。具体的には、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、炭酸レーザー、グリーンレーザー（可視光）、ＹＡＧレーザー、ＵＶＹＡＧレーザーなどがあげられる。レーザーの波長は特に限定されず、好ましくは１９０〜３０００ｎｍである。レーザーの照射は、セラミックが焼結するに足る程度でよく、例えば、エネルギー密度５０〜２５０ｍＪ／ｃｍ^２での１〜１００ショットなどが挙げられる。このとき、パルス幅は好ましくは２０〜８０ｎｓｅｃである。

好ましくは、得られるセラミック誘電体層２の表面に凹凸を生じるようにレーザーを照射する。セラミック誘電体層２の表面とは、当該誘電体層２の一主面であればよいが、通常は、下部電極４と対向する面である。セラミック誘電体層の表面に凹凸を生じさせることはレーザーのエネルギー密度を大きくしたり照射時間を長くすることなどで容易に実現可能である。得られるセラミック誘電体層２の凹凸は、非接触光学式表面粗さ計により測定することができる最大粗さ（Ｒｍａｘ）が１〜２０μｍであることが好ましい。このようにセラミック誘電体層２の表面に凹凸を設けることにより、前記誘電体層の表面積が大きくなるから、セラミック薄膜コンデンサ１全体を大きくしなくても、当該コンデンサの容量を大きくすることができる。

本工程では、未焼結のセラミック膜３の全面をレーザー照射に供して全面的に焼結させてもよいし、未焼結のセラミック膜３を部分的にレーザー照射に供してもよい。未焼結のセラミック膜３のどの部分をレーザー照射に供するかをコントロールすることによって、未焼結のセラミック膜３のうちの所望の部分だけを焼結させることができる。換言すれば、所望のパターンのセラミック誘電体層２（パターニングされたセラミック誘電体層２）を形成することができる。このとき、未焼結のセラミック膜３のうちレーザー照射に供されなかった部分は、絶縁層としてそのまま残る（図１（ｂ））。レーザー照射をコントロールするために、公知のレーザーに関する技術を適宜取り入れることができ、そのような技術には、例えば、レーザーを走査スキャンする技術やレーザーの形状を変更するアパーチャーを用いる技術などが含まれる。

このようにして得られるセラミック誘電体層２は、通常、多孔質である。このようなセラミック誘電体層２に柔軟性や強度を付与する目的で、当該誘電体層２の空隙にエポキシ樹脂やポリイミドなどの樹脂を含浸させてもよい（図示せず）。含浸方法は特に限定されず、熱溶融した樹脂を充填したり、溶液状の樹脂を充填した後に溶剤を除去したりする方法などがある。

このようにして得られるセラミック誘電体層２の大きさ形状は特に制限されず、所望の電気的、機械的な要求を充足するように適宜設定し得る。コンデンサ容量、誘電体層の機械的強度の点からはセラミック誘電体層２の厚さは好ましくは１０〜１００μｍであり、当該誘電体層の厚さ方向に垂直な断面積は好ましくは０．０４〜２５ｍｍ^２であり、前記誘電体層の厚さ方向に垂直な断面は好ましくは長方形状または正方形状であり、その一辺の長さは好ましくは０．２〜５ｍｍ程度である。

（Ｃ）セラミック誘電体層の上に上部電極を形成する工程（図１（ｃ））：
上部電極５とは、下部電極４と対になってセラミック誘電体層２を挟むように形成される電極である。上部電極５も下部電極４と同様に、電子部品の電極として用い得るものであれば特に制限はなく、一般的には金属薄膜であり、そのための金属としては、銅、ニッケル、金、白金などが例示される。上部電極５の形成方法は特に制限はなく、スパッタ蒸着などといった蒸着法やメッキ法などによることができる。膜強度、電気抵抗の観点から、上部電極５の厚さは、好ましくは０．０５〜２０μｍである。

上記（Ｂ）工程にて、未焼結のセラミック膜３を部分的にレーザー照射に供してパターニングされたセラミック誘電体層２を得た場合には、前記パターニングされたセラミック誘電体層２と同じパターンにて上部電極５を形成することが好ましい。上部電極５をそのようにパターニングする手段としては、一般に配線回路基板の加工に用いられる、サブトラクティブ法、アディティブ法などが挙げられる。サブトラクティブ法をより具体的に説明すると、セラミック誘電体層２および未焼結のセラミック膜３の全面に金属薄膜を形成した後に（図１（ｃ））、フォトレジストにより所定パターンのエッチングレジストを金属薄膜上に形成する（図示せず）。次いで、エッチングレジストで覆われていない部分の金属薄膜をエッチング液でエッチングして、エッチングレジストを除去することにより、パターニングされた上部電極５を形成することができる（図１（ｄ））。このとき、同様の手段を講じて、下部電極４をパターニングしてもよい（図１（ｅ））。

以下、実施例を用いて本発明をより詳しく説明するが、これらの例は本発明を何ら限定するものではない。

（実施例１）
銅箔４（厚さ３５μｍ、縦２５０ｍｍ×横２５０ｍｍ）上にセラミックペーストをアプリケーターで塗布し、１００℃で２分、次いで、１５０℃で３０分の乾燥を行い、さらに、窒素雰囲気下、４００℃で２時間加熱することによりバインダーを除去して、未焼結のセラミック膜３を形成した（図１（ａ））。上記セラミックペーストは、以下のものを含む。
セラミック粒子：堺化学製チタン酸バリウム（体積平均粒子径：０．５μｍ）
５０重量部、
溶剤：α−ターピネオールとジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテートとを９：１（重量比）で混合してなる溶媒 ８．８重量部、
バインダー：ポリビニルブチラール １７．５重量部、
可塑剤：トリオクチルトリメリテート ２重量部。

得られた未焼結のセラミック膜３に、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）をエネルギー密度２５０ｍＪ／ｃｍ^２、ショット数５０、レーザービームの直径を１ｍｍにして照射した。その際、照射部分が縦３．２ｍｍ×横１．６ｍｍの四角形となるようにパターニングし、前記四角形を１００個形成するようにレーザーを照射した。隣合う四角形を隔てる距離は１００μｍにした。レーザー照射により、前記四角形が並ぶようにセラミック誘電体層２（厚さ５０μｍ）を形成した（図１（ｂ））。得られたセラミック誘電体層２の表面（銅箔４と対向する面）を非接触光学式表面粗さ計（ＷＹＫＯ社製、ＮＴ３０００）で測定したところ、Ｒｍａｘは１μｍであった。

得られたセラミック誘電体層２にエポキシ樹脂のメチルエチルケトン溶液（４０重量％）を含浸させた。その後、１００℃で５分間乾燥し、さらに１５０℃にて３０分間放置することでエポキシ樹脂を硬化させた。その後、銅を厚さ１μｍに蒸着して、セラミック誘電体層２のパターンと一致させるように、縦３．２ｍｍ×横１．６ｍｍの四角形にエッチングした。この銅の膜が上部電極５である（図１（ｃ）（ｄ））。最後に、下部電極４も縦３．２ｍｍ×横１．６ｍｍの四角形にエッチング加工してセラミック薄膜コンデンサ１を得た（図１（ｅ））。得られたセラミック薄膜コンデンサ１の数は、パターニングによって得た縦３．２ｍｍ×横１．６ｍｍのセラミック誘電体層２の数と同じであった。

得られたセラミック薄膜コンデンサ１の下部電極４には、酸化による損傷は見られなかった。このコンデンサのセラミック誘電体層２の周波数１ＭＨｚにおける比誘電率εは５０であり、得られたコンデンサの容量は１００ｐＦであった。

（比較例１）
実施例１と同様にして未焼結のセラミック膜３を銅箔４の上に形成した。その後、前記セラミック膜３を銅箔４とともに、空気中９００℃で２時間焼結した。その結果、厚み５０μｍのセラミック誘電体層２が得られた。得られたセラミック誘電体層２の表面は平滑であり、Ｒｍａｘは０．２μｍであった。その後、銅を蒸着（厚さ：１μｍ）することにより上部電極５を形成しセラミック薄膜コンデンサ１を製造した。得られたセラミック薄膜コンデンサを縦３．２ｍｍ×横１．６ｍｍの四角形に切り出した。この切り出したコンデンサを比較例１のコンデンサとして、上記実施例１のコンデンサと比較した。比較例１のコンデンサの下部電極４にはセラミックを焼結した時に生じた酸化層が生成していた。このコンデンサのセラミック誘電体層２の周波数１ＭＨｚにおける比誘電率εは５０であり、得られたコンデンサの容量は５０ｐＦであった。

実施例１と比較例１の比誘電率εが同等であったことから、実施例１も比較例１も充分にセラミックが焼結したことが示唆される。実施例１のコンデンサが比較例１のコンデンサよりも容量が大きくなったのは、実施例１のコンデンサの上部電極５付近のセラミック誘電体層２の表面に凹凸が形成して表面積が増大したためであると考えられる。

本発明の製造方法を模式的に表す図である。工程の進行に伴って同図（ａ）から同図（ｅ）へと推移する。 本発明で製造されるセラミック薄膜コンデンサの一例の断面図である。

符号の説明

１ セラミック薄膜コンデンサ
２ セラミック誘電体層
３ 未焼結のセラミック膜
４ 下部電極
５ 上部電極
６ 配線回路基板

Claims (7)

1. セラミック誘電体層を一対の電極で挟んだ構造をもつセラミック薄膜コンデンサの製造方法であって、未焼結のセラミック膜をレーザー照射に供することで焼結させてセラミック誘電体層を形成する工程を有する、セラミック薄膜コンデンサの製造方法。
2. 下記（Ａ）〜（Ｃ）の工程を有する、請求項１記載の製造方法。
   （Ａ）下部電極の上にセラミックペーストを塗布し、次いで、塗布した前記ペーストを乾燥することで下部電極の上に未焼結のセラミック膜を形成する工程。
   （Ｂ）上記未焼結のセラミック膜をレーザー照射に供することで焼結させて、セラミック誘電体層を形成する工程。
   （Ｃ）上記セラミック誘電体層の上に上部電極を形成する工程。
3. （Ｂ）工程にて、得られるセラミック誘電体層の表面に凹凸を生じるようにレーザーを照射することを特徴とする請求項２記載の製造方法。
4. （Ｂ）工程にて、未焼結のセラミック膜を部分的にレーザー照射に供することで、パターニングされたセラミック誘電体層を形成することを特徴とする請求項２または３記載の製造方法。
5. さらに、上記セラミック誘電体層に樹脂を含浸させる工程を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法。
6. 上記セラミック薄膜コンデンサが配線回路基板に実装されるものであって、未焼結のセラミック膜を実装すべき配線回路基板上に形成して、前記配線回路基板上に形成された未焼結のセラミック膜をレーザー照射に供することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の製造方法。
7. セラミック誘電体層を一対の電極で挟んだ構造をもつセラミック薄膜コンデンサであって、セラミック誘電体層の少なくとも一主面が凹凸を有するセラミック薄膜コンデンサ。

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