CN101061257A - 能够在低温度下使液体原料气化的液体原料的气化方法与采用了该方法的气化器 - Google Patents

能够在低温度下使液体原料气化的液体原料的气化方法与采用了该方法的气化器 Download PDF

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Abstract

本发明的课题在于提供能在低温下将供于CVD装置中成膜的液体原料气化的气化器。气化器(10)具有：被加热器(66)、(76)及(81)加热的气化室(60)，配置在气化室(60)的下端部、被加热器(81)加热的一次过滤器(80)，从气化室(60)的上方向一次过滤器(80)滴下流量调节后的液体原料(LM)的液体原料供给部(24)，向一次过滤器(80)的下面导入载气(CG)的载气导入流路(78)，和从气化室(60)的上部排出载气(CG)与气化的液体原料(VM)的混合气(VM+CG)的原料导出流路(62)。滴到一次过滤器(80)上的液体原料(LM)一部分被气化，又受到来自下方的载气(CG)产生的鼓泡作用而成为雾状。由于雾的表面积比非雾状态大，故液体原料(LM)能高效率地受热，能在低温下将液体原料(LM)气化。

Description

能够在低温度下使液体原料气化的液体原料的气化方法与采用了该方法的气化器
技术领域
本发明涉及能够在低温度下高效率地使供于CVD装置的制造薄膜用液体原料气化的气化器。
背景技术
半导体器件的制造工艺中，为了在晶片上堆积多种多样的薄膜，使用化学气相沉积装置(CVD装置)。
近年，CVD装置中正逐步大量使用液体有机化合物或有机金属溶液等液体化合物作为制造薄膜用的液体原料。CVD装置中为了在晶片上堆积薄膜，需要向CVD装置供给气化的液体原料，所以必须在CVD装置的前阶段具有液体原料的气化器。
作为液体原料的气化方法，一般是在气化器中利用加热器等的热使液体原料气化的方法，作为这样的气化器，使用了例如专利文献1所述的气化器。
专利文献1：特开2002-105646号公报
发明内容
虽然如上所述已开发了许多使液体原料气化用的气化器并使用，但这些气化器具有如下的问题。
最近，使用蒸气压低并且热不稳定的化合物作为液体原料，为了提高CVD装置的成膜速度，要求能够使大量的液体原料气化的气化器。为了提高气化器的气化能力，必须提高气化温度。然而，使气化温度太高时，不仅液体原料气化，而且由于液体原料本身产生热分解，故产生化学变质，热分解生成物与聚合物堆积在气化器内部而使液体原料的流路发生堵塞等问题。
本申请发明是鉴于上述的问题而完成的研究，其目的在于提供由于气化效率高而能够降低气化温度，即使是热分解性高的液体原料也能够防止气化器内部的热分解生成物与聚合物的堆积和流路的堵塞，同时能够使大量的液体原料气化的气化器。
权利要求1所述的发明涉及“液体原料(LM)的气化方法，其中，向配置在被加热器(66)、(76)和(81)加热的气化室(60)的下端部的一次过滤器(80)的下面导入载气(CG)，向一次过滤器(80)滴下或流下流量调节后的液体原料(LM)，在一次过滤器(80)与液体原料(LM)的润湿面利用来自加热器(66)、(76)和(81)的热使液体原料(LM)气化，同时通过与载气(CG)混合而雾(mist)化，将气化和雾化的液体原料(MM)与载气(CG)一起从气化室(60)的上部排出”。
根据本发明，滴到一次过滤器(80)上的液体原料(LM)在一次过滤器(80)的表面形成液膜，同时通过从一次过滤器(80)受热而使部分气化，而且受到来自下方的载气(CG)产生的鼓泡作用而成为雾状。部分气化、其余雾化的液体原料(LM)被载气(CG)输送而在气化室(60)内上升，在上升中受热而使雾(MM)气化。其中，由于将液体原料(LM)雾化，受热表面积比非雾状态格外地大，故液体原料(LM)能高效率地受热。此后，气化的液体原料(VM)与载气(CG)的混合气(VM+CG)从气化室(60)的上部被排出。
权利要求2所述的发明涉及“气化器(10)，其特征在于，具有：被加热器(66)、(76)和(81)加热的气化室(60)；配置在气化室(60)的下端部，被加热器(81)加热的一次过滤器(80)；从气化室(60)的上方向一次过滤器(80)滴下流量调节后的液体原料(LM)的液体原料供给部(24)；向一次过滤器(80)的下面导入载气(CG)的载气导入流路(78)；和用于从气化室(60)的上部排出载气(CG)与气化的液体原料(VM)的混合气(VM+CG)的原料导出流路(62)”。
本发明涉及用于实施权利要求1所述的方法的气化器(10)，该气化器(10)起的作用效果与权利要求1所涉及的方法起的作用效果相同。
权利要求3所述的发明涉及权利要求2所述的气化器(10)，其特征在于，“还具有配置在气化室(60)的上端部、被加热器(66)加热的二次过滤器(64)，通过二次过滤器(64)的、载气(CG)与气化的液体原料(VM)的混合气(VM+CG)通过原料导出流路(62)，从气化室(60)的上部被排出”。
在一次过滤器(80)部分气化、其余雾化的液体原料(LM)被载气(CG)输送而在气化室(60)内上升，通过在上升中受热而将雾(MM)气化，但有时没有完全气化、少量的雾(MM)残留在混合气(VM+CG)中。然而根据本发明，含有雾(MM)的混合气(VM+CG)通过二次过滤器(64)时，雾(MM)被二次过滤器(64)捕集，同时被捕集的雾(MM)从二次过滤器(64)受热而完全被气化。
权利要求4所述的发明涉及权利要求2或3所述的气化器(10)，其特征在于，“将液体原料供给部(24)与气化室(60)隔离，在它们之间设置热隔离用连接管(94)”。
根据本发明，由于将液体原料供给部(24)与气化室(60)隔离，故来自将成为高温的气化室(60)的热难传给液体原料供给部(24)。
权利要求5所述的发明涉及权利要求2～4的任一项所述的气化器(10)，其特征在于，“在载气导入流路(78)上具有被加热器(81)加热的载气(CG)的预热用过滤器(102)”。
根据本发明，导入一次过滤器(80)之前的载气(CG)通过已被加热的预热用过滤器(102)。因此能够把载气(CG)调节到所需要的温度。
权利要求6所述的气化器(10)，其特征在于，“具有：被加热器(66)、(76)和(81)加热的气化室(60)；配置在气化室(60)的下端部，被加热器(81)加热的一次过滤器(80)；从气化室(60)的上方通过毛细管(112)把流量调节后的液体原料(LM)供给到一次过滤器(80)的表面附近的液体原料供给部(24)；向一次过滤器(80)的下面导入载气(CG)的载气导入流路(78)；和用于从气化室(60)排出载气(CG)与气化的液体原料(VM)的混合气(VM+CG)的原料导出流路(62)”。
根据本发明，由于由液体原料供给部(24)供给的液体原料(LM)，通过毛细管(112)的内部而被送到一次过滤器(80)的表面附近，因此不受气化室(60)内产生的对流或气流紊乱的影响。
根据权利要求1与2所述的发明，能够利用一次过滤器(80)使液体原料(LM)气化的同时雾化，进而在气化室(60)中使雾(MM)气化。因此，由于将液体原料(LM)气化，故与只单一加热的以往的气化器相比，可提供发挥高气化效率的气化器(10)。另外，由于气化效率高，即使在低温下也能将液体原料(LM)气化，故即使是热分解性高的液体原料也能够防止气化器(10)内部的热分解生成物或聚合物的堆积与流路的堵塞，同时能够将大量的液体原料气化。
根据权利要求3所述的发明，能够利用一次过滤器(80)使液体原料(LM)气化的同时雾化，利用二次过滤器(64)捕集再使雾(MM)气化后的混合气(VM+CG)中残存的未气化的雾(MM)并气化。因此可以成为气化效率更高的气化器。
根据权利要求4所述的发明，由于来自将成为高温的气化室(60)的热难传给液体原料供给部(24)，故可以避免液体原料供给部(24)因成为不希望的高温而造成的热不稳定性化合物的聚合或分解等问题。
根据权利要求5所述的发明，能够在把载气(CG)导入到一次过滤器(80)之前进行升温。因此，在一次过滤器(80)中，来自一次过滤器(80)具有的加热器(81)的热不用于载气(CG)的升温，能够只将该热用于液体原料(LM)的气化，故即使是使用低温度的载气(CG)的场合，气化器(10)的气化效率也不降低。
根据权利要求6所述的发明，送到一次过滤器(80)的液体原料(LM)不受气化室(60)内的气流变动的影响。因此，由于能够减少在一次过滤器(80)表面形成的液膜(114)的厚度变动，故可以使气化器(110)发挥稳定的气化能力。
附图说明
图1是表示液体原料供给装置的方块图。
图2是表示第1实施例所涉及的气化器的截面图。
图3是图2所涉及的气化器的下部构件与一次过滤器部分的放大截面图。
图4是表示一次过滤器的表面上液体原料性状变化的示意图。
图5是表示在气化室内上升的雾状的液体原料受来自壁的辐射热的样子的示意图。
图6是表示第2实施例所涉及的气化器的截面图。
图7是表示第2实施例所涉及的气化器变形例的截面图。
图8是表示第3实施例所涉及的气化器的截面图。
图9是表示第4实施例所涉及的气化器的截面图。
图10是表示第4实施例所涉及的气化器变形例的截面图。
符号说明
10        气化器
24        液体原料供给部
26        气化部
60        气化室
62        原料导出流路
64        二次过滤器
66        上段构件加热器
76        中段构件加热器
78        载气导入流路
80        一次过滤器
81        下段构件加热器
具体实施方式
以下，按照图示实施例详述本发明适用的气化器(10)。
实施例1
图1是组装有本发明申请所涉及的气化器(10)的液体气化供给装置(12)的一个例子。其中，液体气化供给装置(12)是用于使由原料罐(14)供给的液体原料(LM)气化成气化原料(VM)，同时利用载气(CG)输送气化后的气化原料(VM)并向作为下一工序的CVD装置等的反应器(16)供给的装置。另外，液体气化供给装置(12)具有气化器(10)、原料罐(14)、液体质量流量计(18)和质流控制器(20)等，这些设备通过液体原料供给管(22a)～(22b)和载气供给管(22c)相互连接。此外，气化器(10)与液体质量流量计(18)利用控制用导电线(22d)连接。
本发明申请适用的气化器(10a)，如图2所示，大致由液体原料供给部(24)与气化部(26)构成。
液体原料供给部(24)由流量控制阀(28)、执行器(actuator)(30)和气动断流阀(32)构成。
流量控制阀(28)具有阀壳(34)，在阀壳(34)内部形成阀室(36)，阀室(36)的上端在阀壳(34)的上面开口。此外，在阀壳(34)的内部设置有向阀室(36)的底部导入液体原料(LM)的液体原料导入流路(38)和液体原料导入孔(40)，液体原料导入孔(40)的上端与阀室(36)的底部连通。再者，作为液体原料导入孔(40)通往阀室(36)的开口部，设有原料导入口(42)。在阀室(36)的内部安装有由弹性材料制的膜状的隔膜(44)，在隔膜(44)的中心部设置有与原料导入口(42)嵌合、通过改变原料导入口(42)的开度而改变向气化室(60)供给液体原料(LM)量的阀体(45)。
执行器(30)具有立设在流量控制阀(28)上面的筒状的壳体(46)，在内部设置有汽缸(48)。在汽缸(48)的外侧配置线圈(50)，汽缸(48)的内部容纳可沿上下方向滑动的驱动元件(51)。此外，在汽缸(48)的上端穿设有开口孔(53)。另外，在驱动元件(51)的下端安装通过调节隔膜(44)的压下量而控制原料导入口(42)的开度的柱塞(52)。
驱动元件(51)根据对线圈(50)所施加的电压的大小而在汽缸(48)内的位置变化。作为这样的驱动元件(51)，本实施例中使用螺线管元件，但不受此限定，例如也可以使用压电元件。
汽缸(48)内的驱动元件(51)的位置处于汽缸(48)内的最下部时原料导入口(42)被关闭，对线圈(50)施加电压而驱动元件(51)的位置上升时，调节原料导入口(42)使之打开。再者，驱动元件(51)相对于施加给线圈(50)的电压的应答速度非常快，即使是以微小时间间隔设定施加给线圈(50)的电压的场合，也能瞬时地移动到与施加给线圈(50)的电压相应的位置。
气动断流阀(32)是处理每批晶片时停止供给液体原料(LM)的场合或气化器(10)内部维护等时使用的用于完全阻断流入原料导入口(42)的液体原料(LM)流的装置，设置在执行器(30)的上面。从气动断流阀(32)的下面通过开口孔(53)向汽缸(48)施加空气压力，隔膜(44)的中央部朝下弯曲，完全关闭原料导入口(42)。从而能够完全阻断流入原料导入口(42)的液体原料(LM)流。备有这样的气动断流阀(32)的理由，是气化器(10)运转时通常使用的流量控制阀(28)以精确控制液体原料(LM)的流量为目的，不适合阻断液体原料(LM)流的用途的缘故。
在液体原料供给部(24)的下方设置有气化部(26)。
气化部(26)是加热液体原料(LM)并进行气化的部分，由上部构件(54)、中间构件(56)和下部构件(58)构成。并且，各构件(54)、(56)和(58)协动从而在内部形成气化室(60)。
上部构件(54)是构成气化室(60)的盖部的金属制圆柱部件，在中心穿设有液体原料供给孔(61)。此外，在上部构件(54)中，设置有原料导出流路(62)，嵌合二次过滤器(64)，同时嵌入上部构件加热器(66)。
原料导出流路(62)是为了随载气(CG)一起向CVD装置供给已气化的液体原料(VM)而用于从气化器(10)导出的流路，由与液体原料供给孔(61)形成同心的环状的凹部(68)和使凹部(68)的上面与上部构件(54)侧面连通而穿设的流路(72)构成。此外在凹部(68)的侧部设有台阶，构成凹部(68)的下端部比凹部(68)的上部宽。因此，将二次过滤器(64)嵌合在凹部(68)中时形成凹部(68)的内面与二次过滤器(64)的表面相接的接合部(74)。
二次过滤器(64)嵌合在原料导出路(62)的凹部(68)的下端部，是具部有捕集雾(MM)，同时把来自上部构件加热器(66)的热传给雾(MM)并使之气化作用的环状金属材料，在中央部穿设用于避免与液体原料供给孔(61)干扰的孔。二次过滤器(64)通过使用传热率好的金属材料，同时与多个接合部(74)相接并嵌合在凹部(68)中，能够高效率地将来自上部构件加热器(66)的热传给雾(MM)。应予说明，本实施例中使用金属制过滤器。
中间构件(56)是构成气化室(60)的侧壁部，外径与上部构件(54)的外径相等的圆筒状部件，内部埋入中间构件加热器(76)。此外，与二次过滤器(64)的外径大致同径地形成中间构件(56)的内径。再者，中间构件(56)的内外径不需要与上部构件(54)或二次过滤器(64)是同径。设置中间构件(56)是为了在改变气化室(60)的容积的场合等，通过只把中间构件(56)更换成所需要的内外径而应对的缘故。
下部构件(58)是构成气化室(60)的底部的金属制圆柱部件，设置有载气导入流路(78)，嵌合一次过滤器(80)，同时埋入下部构件加热器(81)。
载气导入流路(78)是用于将气化的液体原料(VM)输送到CVD装置用的载气(CG)导入气化室(60)的流路，由与液体原料供给孔(61)的中心轴形成同心环状的凹部(82)和使凹部(82)的下面与下部构件(58)的侧面连通而穿设的流路(86)构成。并在凹部(82)的侧部设有台阶，构成凹部(82)的上端部比凹部(82)的下部宽。因此，将一次过滤器(80)嵌合在凹部(82)中时，形成凹部(82)的内面与一次过滤器(80)的表面相接的接合部(88)。并且，在凹部(82)的中心部形成与一次过滤器(80)相接的突设部(89)，在突设部(89)中埋入测定温度用的热电偶(90)(参照图3)。
一次过滤器(80)，嵌合在载气导入流路(78)的凹部(82)的上端部，是具有在上面接受滴下的液体原料(LM)，同时将来自下部构件加热器(81)的热传给液体原料(LM)作用的圆盘状的多孔金属材料。一次过滤器(80)使用传热率好的材质，同时通过与多个接合部(88)接合，能够把来自下部构件加热器(81)的热高效率地传向液体原料(LM)。应予说明，本实施例中，一次过滤器(80)使用利用金属粉末烧结体的烧结过滤器。
各加热器(66)、(76)与(81)上连接有没图示的温度调节器，可分别单独地进行温度调节，可把气化室(60)内调节到所需要的温度。再者，各加热器的数可根据需要适当地设定，也可以共同控制多个加热器。
接着，首先对液体气化供给装置(12)的构成简单地进行了说明，再根据图1与2进行说明。气化器(10)的液体原料导入流路(38)通过液体原料供给管(22a)连接液体质量流量计(18)，液体质量流量计(18)通过液体原料供给管(22b)连接原料罐(14)，原料罐(14)连接导入推气(PG)的推气导入管(22e)。
另外，气化器(10)的载气导入流路(78)通过载气供给管(22c)连接质流控制器(20)，质流控制器(20)连接导入载气(CG)的载气供给管(22f)。
此外，气化器(10)的执行器(30)通过控制用导电线(22d)连接液体质量流量计(18)，原料导出流路(62)通过送出气化的液体原料(VM)与载气(CG)的混合气体(VM+CG)的原料供给管(22g)连接反应器(16)。
原料罐(14)贮存作为薄膜原料的液体有机金属等的液体原料(LM)。液体质量流量计(18)测定流过液体原料供给管(22b)的液体原料(LM)的质量流量(每单位时间流过的液体原料的质量)，根据测定结果对执行器(30)的线圈(50)施加电压。质流控制器(20)调节载气(CG)对于气化器(10)的供给量。此外，反应器(16)作为“成膜装置”起作用，利用热能或等离子体能等，通过使供给的气体原料(VM)与其他气体反应(或通过使气体原料(VM)分解)，在晶片的表面形成薄膜。再者，液体质量流量计(18)中，按照流过内部的液体原料(LM)的质量流量对线圈(50)施加电压，由此调节原料导入口(42)的开度从而使给予气化室(60)的液体原料(LM)的质量均匀化。
接着，对使用液体气化供给装置(12)将液体原料(LM)气化的方法进行说明。
向原料罐(14)供给推气(PG)时，原料罐(14)内的压力上升，压下液体原料(LM)的液面。作为推气(PG)，例如可使用氦等惰性气体。利用推气(PG)的压力压下液体原料(LM)的液面，液体原料(LM)在液体原料供给管(22b)内流过，通过液体质量流量计(18)送往气化室10的阀室(36)。此时，液体质量流量计(18)测定流过内部的液体原料(LM)的质量流量，根据测定的流量信号对气化器(10)的线圈(50)施加电压。由此调节原料导入口(42)的开度，从液体原料供给孔(61)的下端向气化室(60)内连续地滴下一定质量流量的液体原料(LM)。
连续滴到气化室(60)内的液体原料(LM)借助重力从气化室(60)内落下，附着在设置于气化室(60)底面的一次过滤器(80)的表面上。其中，由于一次过滤器(80)由金属粉末的烧结体形成，故在一次过滤器(80)的截面上形成许多如图4所示的微细空间(87)。因此，附着在一次过滤器(80)的表面上的液体原料(LM)，在一次过滤器(80)的表面形成液膜，同时利用毛细管现象渗透到微细空间(87)中。其中，通过一次过滤器(80)接受来自下部构件加热器(81)的热的液体原料(LM)的一部分气化。
另一方面，向质流控制器(20)供给载气(CG)时，控制载气(CG)的质量流量，设定质量流量的载气(CG)通过载气供给管(22c)连续地送往气化器(10)的载气导入流路(78)。作为载气(CG)，例如可以使用氦或氮等惰性气体。
送往载气导入流路(78)的载气(CG)，从一次过滤器(80)的下面，通过微细空间(87)流向上方，流入气化室(60)。此时形成液膜、渗透到微细空间(87)中的液体原料(LM)，由于受到载气(CG)产生的鼓泡作用而微细化从而成为雾(MM)(雾状的液滴)。
接着，一次过滤器(80)中成为气化的雾(MM)的液体原料(LM)，被载气(CG)输送，边在气化室(60)内浮游，边向设于上方的二次过滤器(64)移动。在移动期间，雾(MM)接受来自被各加热器(66)、(76)与(81)加热的气化室(60)壁面的辐射热(H)而气化(参照图5)。
被载气(CG)输送的液体原料(LM)，如前述边气化边移动到气化室(60)的上方，通过二次过滤器(64)，导向设于上部构件(54)的原料导出流路(62)。此时，尚未气化的雾(MM)被二次过滤器(64)捕集。此外，雾(MM)通过二次过滤器(64)接受来自上部构件加热器(66)的热而完全气化。
通过二次过滤器(64)而完全气化的液体原料(LM)随载气(CG)一起通过原料导出流路(62)从气化器(10)排出，通过原料供给管(22g)送到反应器(16)。
这样，通过使用适用本发明申请的气化器(10)，液体原料(LM)与通过单一地提高气化室(60)内的温度而使液体原料(LM)气化的以往的气化器相比，不提高气化室(60)整体的温度便能高效率地将液体原料(LM)气化，能够防止液体原料(LM)本身发生热分解，故能够解决液体原料(LM)的分解成分在气化室(60)内部堆积，或堵塞原料导出流路(62)之类的问题。
再者，一次过滤器(80)与二次过滤器(64)，除了金属制过滤器与烧结过滤器外，只要是载气(CG)、气化的液体原料(VM)能通过的材质，则可根据液体原料(LM)的种类适当使用合金金属、金属纤维、和金属线的织物或金属网状的过滤器。另外，过滤器(64)与(80)的网眼也不限于本实施例，可针对使用条件使用适当网眼的过滤器，由于使用二次过滤器(64)捕捉雾(MM)，故优选使二次过滤器(64)的网眼比一次过滤器(80)小。
实施例2
以下，根据图6对为了将比实施例1中使用的液体原料(LM)蒸气压更低、更难气化的液体原料(以下，称“难气化性液体原料”)进行气化，必须更高地设定温度的场合适合的实施例进行说明。应予说明，难气化性液体原料用的气化器(10b1)与实施例1所述的气化器(10a)相同，大致由液体原料供给部(24)与气化部(26)构成，作为装置的构成也基本上相同。因此只对与实施例1的不同之处进行说明。
难气化性液体原料用的气化器(10b1)，其特征在于：将液体原料供给部(24)与气化部(26)隔离，在它们之间设置热隔离用连接管(94)。
热隔离用连接管(94)是具有实质上将液体原料导入孔(40)与液体原料供给孔(61)延长使液体原料供给部(24)与气化部(26)隔离的距离的作用的管材，上端与液体原料导入孔(40)的下端连接，下端与液体原料供给孔(61)的上端相连，从而构成液体原料导入孔(40)与液体原料供给孔(61)协动向气化部(26)导入来自液体原料供给部(24)的液体原料(LM)用的流路(96)。
这样，通过将液体原料供给部(24)与气化部(26)隔离，使来自将成为高温的气化部(26)的热难传给液体原料供给部(24)，能够避免液体原料供给部(24)因成为不希望的高温所导致的热不稳定性化合物的聚合或分解等问题。
通过设置热隔离用连接管(94)，液体原料供给部(24)与气化室(60)的距离增长，利用隔膜(44)所调节的量的液体原料(LM)到进入气化室(60)的时间也延长，有时液体原料(LM)的流量控制的应答性恶化。为了避免该问题，在气化器(10b1)中，在液体原料供给部(24)的阀室(36)设置使少量的载气(CG)流入用的载气混入流路(98)。
载气混入流路(98)是向阀室(36)导入载气(CG)的流路，一端与阀室(36)的底部相连，另一端与载气供给管(22c)相连。通过使载气(CG)流入阀室(36)，由于不使液体原料(LM)的导入量变化就能够增大通过流路(96)的流体的体积，故能够加快内部流速。并且由于通过加快内部流速，能缩短利用隔膜(44)调节的量的液体原料(LM)到进入气化室(60)的时间，故能够改善因设置热隔离用连接管(94)而恶化的液体原料(LM)的流量控制的应答性。
应予说明，前述的载气混入流路(98)的一端，也可以如图7所示的气化器(10b2)那样，不与阀室(36)的底部而是与液体原料导入孔(40)的侧面相连。这样，与如气化器(10b1)那样载气(CG)经由阀室(36)后流入液体原料导入孔(40)的场合相比，气化器(10b2)由于载气混入流路(98)直接与液体原料导入孔(40)相连，故气化器(10b2)具有流路(96)的内部流速对于流入的载气(CG)量的变化的应答快的特征。
实施例3
本实施例所涉及的气化器(10c)是在实施例1所涉及的气化器(10a)的下部构件(58)中追加预热用过滤器(102)的结构。
如图8所示，本实施例使用的气化器(10c)的载气导入流路(78)中，在凹部(82)与流路(86)之间设置另外的空间(104)。凹部(82)与空间(104)利用连通孔(106)连通，流路(86)与空间(104)相连。因此，导入流路(86)中的载气(CG)经由空间(104)导入凹部(82)中后，通过一次过滤器(80)送到气化室。
在空间(104)的侧部设置台阶，构成空间(104)的上端部比空间(104)的下部宽。该台阶在把预热用过滤器(102)嵌合在空间(104)的上端部时，成为空间(104)的内面与预热用过滤器(102)的表面相接的接合部(108)。此外，空间(104)的中心部中也向下突设用于与预热用过滤器(102)接合的接合部(108)。
预热用过滤器(102)是具有把来自下部构件加热器(81)的热传给载气(CG)作用的圆盘状的板材，嵌合在空间(104)的上部。预热用过滤器(102)与一次过滤器(80)或二次过滤器(64)同样，除了金属制过滤器与烧结过滤器外，只要是载气(CG)能通过的材质，则可以适当使用合金金属、金属纤维和金属线的织物或金属网状的过滤器。另外，可针对使用条件使用适当的网眼的过滤器。
载气(CG)通常在向气化器(10c)导入的阶段是室温，但根据液体气化供给装置(12)的构成、载气(CG)的种类有时为低温。如前述，本发明的特征在于：附着在一次过滤器(80)上的液体原料(LM)被由一次过滤器(80)传给的热气化，同时受到载气(CG)的鼓泡作用而更细地雾化，因此能够在低的温度下发挥充分的气化能力。然而，载气(CG)的温度低时，原本液体原料(LM)气化使用的热被夺去用于载气(CG)的升温，故液体原料(LM)的气化能力降低。本实施例所涉及的气化器(10c)是解决该问题用的气化器，通过使用预热用过滤器(102)预先使低温度的载气(CG)升温到所需要的温度，能够在一次过滤器(80)中发挥设定的气化能力。
实施例4
本实施例所涉及的气化器(110a)，如图9所示，其特征在于：液体原料供给孔(61)中具有毛细管(112)。
毛细管(112)是以上端与原料导入口(42)相连，下端与一次过滤器(80)的上面接近到0.1～1.0mm的状态插入液体原料供给孔(61)中所安装的内径0.2～0.5mm的管材。
从液体原料供给孔(61)滴下的液体原料(LM)，在气化室(60)内落下并附着在一次过滤器(80)上面从而形成液膜，但为了气化器(110a)发挥稳定的气化能力，必须经常地形成一定厚度的液膜。然而由于因滴下的液体原料(LM)的量、载气(CG)的流量变动等，气化室(60)内的混合气(VM+CG)流产生变动，故难将液膜的厚度保持一定。因此，为了通过使液体原料(LM)连续流到一次过滤器(80)表面，成为难受混合气(VM+CG)流变动影响的气化器(110a)而安装毛细管(112)。这样，所供给的液体原料(LM)，由于通过毛细管(112)的内部(即流路(96))送到一次过滤器(80)的表面附近，故不受气化室(60)内产生的对流或气流的紊乱的影响。因此，由于可以减少在一次过滤器(80)的表面形成的液膜(114)的厚度变动，故能够使气化器(110a)发挥稳定的气化能力。
应予说明，对本实施例所涉及的气化器(110a)，也可以如实施例2所述，将液体原料供给部(24)与气化部(26)隔离而设置热隔离用连接管(94)。还可以在液体原料供给部(24)中设置用于使少量的载气(CG)的一部分流入流路(96)内的载气混入流路(98)。
图10中示出了这样的气化器(110b)。从而能够解决液体原料供给部(24)成为不希望的高温所导致的热不稳定性化合物的聚合或分解等问题，改善因设置热隔离用连接管(94)而恶化的液体原料(LM)的流量控制的应答性。

Claims (6)

1.液体原料的气化方法，其特征在于，
向配置在被加热器加热的气化室的下端部的一次过滤器的下面导入载气，
向前述一次过滤器滴下或流下流量调节后的液体原料，
将前述液体原料在前述一次过滤器与前述液体原料的润湿面利用来自加热器的热进行气化，同时通过与前述载气混合而雾化，
使气化和雾化的前述液体原料随前述载气一起从前述气化室的上部排出。
2.气化器，其特征在于，具有：
被加热器加热的气化室，
配置在前述气化室的下端部、被加热器加热的一次过滤器，
从前述气化室的上方向前述一次过滤器滴下流量调节后的液体原料的液体原料供给部，
向前述一次过滤器的下面导入载气的载气导入流路，和
用于从前述气化室的上部排出前述载气与气化的前述液体原料的混合气的原料导出流路。
3.权利要求2所述的气化器，其特征在于，
还具有配置在前述气化室的上端部、被加热器加热的二次过滤器，
通过了前述二次过滤器的、前述载气与气化的前述液体原料的混合气通过前述原料导出流路从前述气化室的上部排出。
4.权利要求2或3所述的气化器，其特征在于，将前述液体原料供给部与前述气化室隔离，在它们之间设置热隔离用连接管。
5.权利要求2～4的任一项所述的气化器，其特征在于，在前述载气导入流路上具有被加热器加热的前述载气的预热用过滤器。
6.气化器，其特征在于，具有：
被加热器加热的气化室，
配置在前述气化室的下端部、被加热器加热的一次过滤器，
从前述气化室的上方通过毛细管把流量调节后的液体原料供给到前述一次过滤器表面附近的液体原料供给部，
向前述一次过滤器的下面导入载气的载气导入流路，和
用于从前述气化室排出前述载气与气化的前述液体原料的混合气的原料导出流路。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102016116B (zh) * 2008-09-30 2012-11-21 东京毅力科创株式会社 气化器及使用该气化器的成膜装置
CN101939827B (zh) * 2008-02-07 2013-01-16 东京毅力科创株式会社 液体原料气化器及使用该液体原料气化器的成膜装置
CN107431015A (zh) * 2015-11-10 2017-12-01 东京毅力科创株式会社 气化器、成膜装置和温度控制方法
CN115613005A (zh) * 2021-07-16 2023-01-17 长鑫存储技术有限公司 雾化装置与薄膜沉积系统

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4601535B2 (ja) * 2005-09-09 2010-12-22 株式会社リンテック 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器
US20090047417A1 (en) * 2007-03-30 2009-02-19 Barnes Michael S Method and system for vapor phase application of lubricant in disk media manufacturing process
JP5357053B2 (ja) * 2007-12-19 2013-12-04 株式会社堀場エステック 液体材料気化装置
JP5265583B2 (ja) * 2008-02-14 2013-08-14 株式会社アルバック 蒸着装置
US20090293807A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 Msp Corporation Apparatus for filtration and gas-vapor mixing in thin film deposition
US8132793B2 (en) * 2008-09-12 2012-03-13 Msp Corporation Method and apparatus for liquid precursor atomization
CN102239275B (zh) * 2009-02-24 2013-10-30 株式会社爱发科 有机化合物蒸汽发生装置及有机薄膜制造装置
US8337627B2 (en) * 2009-10-01 2012-12-25 International Business Machines Corporation Cleaning exhaust screens in a manufacturing process
CN102039096B (zh) * 2009-10-16 2012-10-24 北京均方谱元科技有限公司 常压室温可挥发性液体动态配气系统及其配气方法
DE102009049839B4 (de) * 2009-10-16 2012-12-06 Calyxo Gmbh Gasverdampfer für Beschichtungsanlagen sowie Verfahren zu dessen Betreiben
KR101387634B1 (ko) * 2010-02-05 2014-04-22 엠 에스피 코포레이션 액상 전구체 증발을 위한 미세 액적 분무기
KR101287113B1 (ko) * 2010-06-30 2013-07-17 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치용 캐니스터 및 이를 이용한 증착 장치
KR101339600B1 (ko) * 2011-08-18 2014-01-29 포아텍 주식회사 기화기
US9593407B2 (en) * 2011-10-21 2017-03-14 Evatec Ag Direct liquid deposition
KR101388225B1 (ko) * 2011-12-02 2014-04-23 주식회사 케이씨텍 증착장치의 기화기
US9598766B2 (en) 2012-05-27 2017-03-21 Air Products And Chemicals, Inc. Vessel with filter
WO2014021220A1 (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
JP6078335B2 (ja) * 2012-12-27 2017-02-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、気化システム、気化器およびプログラム
US9523151B2 (en) * 2014-02-21 2016-12-20 Tokyo Electron Limited Vaporizer unit with open cell core and method of operating
KR101413302B1 (ko) * 2014-03-18 2014-06-27 주식회사 디에스케이 선박용 일체형 유수분리기
US9797593B2 (en) * 2015-05-11 2017-10-24 Msp Corporation Apparatus and method for vapor generation and film deposition
US10287679B2 (en) 2015-05-11 2019-05-14 Msp Corporation Apparatus and method for vapor generation and film deposition
KR101753758B1 (ko) 2015-05-11 2017-07-06 주성엔지니어링(주) 기화기 및 이를 포함하는 기판 처리장치
WO2017094469A1 (ja) * 2015-11-30 2017-06-08 株式会社アルバック 蒸気放出装置及び成膜装置
WO2017104485A1 (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 株式会社日立国際電気 貯留装置、気化器、基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP6322746B1 (ja) * 2017-03-30 2018-05-09 オリジン電気株式会社 ワーク処理装置及び処理済ワークの製造方法
WO2019155851A1 (ja) * 2018-02-12 2019-08-15 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 液体霧化装置
US11274367B2 (en) 2018-07-24 2022-03-15 Lintec Co., Ltd. Vaporizer
JP6694093B2 (ja) * 2018-07-24 2020-05-13 株式会社リンテック 気化器
WO2020213104A1 (ja) 2019-04-17 2020-10-22 株式会社Ｗｅｌｃｏｎ 気化器およびその製造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6319569A (ja) 1986-07-14 1988-01-27 Toyo Commun Equip Co Ltd 漏洩電流検出方法
JPH0417561Y2 (zh) * 1986-07-18 1992-04-20
US5711816A (en) * 1990-07-06 1998-01-27 Advanced Technolgy Materials, Inc. Source reagent liquid delivery apparatus, and chemical vapor deposition system comprising same
US5362328A (en) * 1990-07-06 1994-11-08 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem
DE4124018C1 (zh) * 1991-07-19 1992-11-19 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
JP3068372B2 (ja) * 1993-06-02 2000-07-24 日立電子エンジニアリング株式会社 薄膜形成方法
JPH1074746A (ja) * 1996-05-23 1998-03-17 Ebara Corp 液体原料気化装置
JPH108255A (ja) * 1996-06-20 1998-01-13 Ebara Corp 液体原料気化装置
US5693267A (en) * 1996-09-27 1997-12-02 Boeing North American, Inc. Fast response iodine vaporization with an integrated atomizer and mixer
US5882416A (en) * 1997-06-19 1999-03-16 Advanced Technology Materials, Inc. Liquid delivery system, heater apparatus for liquid delivery system, and vaporizer
JPH1161411A (ja) * 1997-08-08 1999-03-05 Fujitsu Ltd 気相成長方法
US6210485B1 (en) * 1998-07-21 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition vaporizer
KR100368319B1 (ko) * 1998-12-30 2003-03-17 주식회사 하이닉스반도체 액체운송장치
US6169852B1 (en) * 1999-04-20 2001-01-02 The Hong Kong University Of Science & Technology Rapid vapor generator
JP3650543B2 (ja) * 1999-07-01 2005-05-18 株式会社リンテック 気化装置
DE10048759A1 (de) * 2000-09-29 2002-04-11 Aixtron Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD
JP3822135B2 (ja) * 2002-05-13 2006-09-13 日本パイオニクス株式会社 気化供給装置
JP4352783B2 (ja) * 2002-08-23 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系及び処理システム
JP4185015B2 (ja) * 2003-05-12 2008-11-19 東京エレクトロン株式会社 気化原料の供給構造、原料気化器及び反応処理装置
JP2005057193A (ja) * 2003-08-07 2005-03-03 Shimadzu Corp 気化器
JP4696561B2 (ja) * 2005-01-14 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 気化装置及び処理装置
JP4601535B2 (ja) * 2005-09-09 2010-12-22 株式会社リンテック 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101939827B (zh) * 2008-02-07 2013-01-16 东京毅力科创株式会社 液体原料气化器及使用该液体原料气化器的成膜装置
CN102016116B (zh) * 2008-09-30 2012-11-21 东京毅力科创株式会社 气化器及使用该气化器的成膜装置
CN107431015A (zh) * 2015-11-10 2017-12-01 东京毅力科创株式会社 气化器、成膜装置和温度控制方法
CN107431015B (zh) * 2015-11-10 2021-11-12 东京毅力科创株式会社 气化器、成膜装置和温度控制方法
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